モールド構造体
【課題】ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを効率よく転写形成することができるモールド構造体の提供。
【解決手段】基板の一方の表面上に、所定間隔を有して複数の凸部が同心円状に形成されたモールド構造体であって、前記同心円の半径方向における前記凸部の断面形状は、該凸部の高さ方向の半値幅Mが、前記同心円の半径方向における前記凸部の頂部の幅Tよりも大である形状である。
【解決手段】基板の一方の表面上に、所定間隔を有して複数の凸部が同心円状に形成されたモールド構造体であって、前記同心円の半径方向における前記凸部の断面形状は、該凸部の高さ方向の半値幅Mが、前記同心円の半径方向における前記凸部の頂部の幅Tよりも大である形状である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気記録媒体に情報を転写するためのパターン状の凹凸を備えたモールド構造体、特に、ナノインプリント用モールド構造体に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、高速性やコストに優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器や、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始め、より一層の小型大容量化という要求に応えるために、記録密度を向上させる技術が求められている。
ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体の高性能化、及び磁気ヘッド幅の狭小化という手法が従来より用いられてきたが、データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響(クロストーク)や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、磁気ヘッドの狭小化などによる面記録密度の向上には限界があった。
【0003】
そこで、クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている(特許文献1〜2参照)。
ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
【0004】
また、熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている(特許文献3参照)。
【0005】
上記ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアを製造する際には、特許文献4に開示されたように、レジストパターン形成用モールド(スタンパとも称することがある。)を用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリンティング法がある。
しかしながら、特許文献4に記載のレジストパターン形成用モールドでは、その表面に形成された凸部の断面形状が矩形をなしているため、レジスト層に押し当てる際に、レジスト層を十分に押し出すことができず、適正なレジストパターンが得られない結果として、モールド構造体の凸部の高さがばらつく虞があった。これは、レジスト層に押し当てた前記凸部をレジスト層から離す際にも生じ得る現象である。
【0006】
したがって、磁気記録媒体の基板上に塗布されたレジスト層に対して効率よくパターンを転写し得るモールド構造体は未だ実現されておらず、その提供が望まれているのが現状である。
【0007】
【特許文献1】特開昭56−119934号公報
【特許文献2】特開平2−201730号公報
【特許文献3】特開平3−22211号公報
【特許文献4】特開2004−221465号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを効率よく転写形成することができるモールド構造体を提供することを目的とする。
また、本発明は、クロストークなどが更に少なく、信号品位が良好なパターンをディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに転写形成することができるモールド構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 基板の一方の表面上に、所定間隔を有して複数の凸部が同心円状に形成されたモールド構造体であって、前記同心円の半径方向における前記凸部の断面形状は、該凸部の高さ方向の半値幅Mが、前記同心円の半径方向における前記凸部の頂部の幅Tよりも大である形状であることを特徴とするモールド構造体である。
該<1>に記載のモールド構造体においては、基板上に複数形成された凸部の、半径方向における断面形状が、少なくとも頂部を含む領域において台形形状をなしているので、磁気記録媒体の基板上に塗布された樹脂に対して当該モールド構造体を押し当ててパターンを転写する際に、前記凸部が前記樹脂に入り易く、ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを容易に転写形成することができる。
また、前記凸部の、半径方向における断面形状が、少なくとも頂部を含む領域において台形形状をなしていることにより、磁気記録媒体の基板上に形成されたトラック溝のパターンは、逆台形状となるので、隣接するトラック溝間のクロストークなど更に少なく、信号品位が良好なパターンをディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに転写形成することができる。
<2> 凸部の高さ方向の半値幅Mが、前記凸部と基板の一方の面との接合面の断面寸法Bと、隣接する凸部間の距離Lとの和であるトラックピッチPの半分以下である前記<1>に記載のモールド構造体である。
<3> 凸部の断面形状における高さHと、該凸部と基板の一方の面との接合面の断面寸法Bとのアスペクト比(H/B)が、5以下である前記<1>から<2>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<4> 凸部の長さ方向に対する凸部の半値幅Mのライン幅ラフネス値(LWR値)が、20nm以下である前記<1>から<3>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<5> 凸部の長さ方向に対する凸部のラインエッジラフネス値(LER値)が、20nm以下である前記<1>から<4>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<6> 基板の一方の表面に対して凸部の側面がなす角度θが、45°≦θ<90°を満たす前記<1>から<5>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<7> 基板の一方の表面と、凸部の側面とが曲面によって接続されている前記<1>から<6>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<8> 曲面の曲率半径が、10nm以下である前記<7>に記載のモールド構造体である。
【0010】
<9> 前記<1>から<8>のいずれかに記載のモールド構造体に形成された凸部のパターン形状を、基板上に塗布された樹脂に対して転写し、該転写されたパターンに基づいて凹凸形状が前記基板上に形成されたことを特徴とするディスクリート記録媒体である。
【発明の効果】
【0011】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを効率よく転写形成するモールド構造体を提供することができる。
また、本発明によれば、クロストークなどが少なく、信号品位が良好なパターンをディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに転写形成するモールド構造体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
以下、本発明のモールド構造体について図面を参照して説明する。
<モールド構造体の構成>
図1は、本発明の第1の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す部分斜視図である。また、図2は、本発明の第1の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す断面図である。
図1に示すように、本実施形態におけるモールド構造体1は、円盤状をなす基板2の一方の表面2a(以下、基準面2aということがある。)に、複数の凸部3が同心円状に、所定の間隔で形成されてなる。
なお、基板2としては、ニッケル、シリコン、石英板、ガラス、アルミニウム、セラミックス、合成樹脂等が用いられる。
【0013】
また、前記同心円の半径方向(凸部3が列設されている方向)における凸部3の断面形状は、少なくともその凸部の上部において台形形状をなしている。
具体的には、図2Aに示すように、前記同心円の半径方向における凸部3の高さ方向の半値幅Mが、前記同心円の半径方向における凸部3の頂部の幅Tよりも大をなす。
以下、本実施形態の説明において、「断面(形状)」とは、特に断りがない限り、前記同心円の半径方向(凸部3が列設されている方向)における断面(形状)を指す。
【0014】
ここで、前記半値幅Mは、凸部3の高さ(基準面2aから凸部3の頂部までの最短距離)をHとしたときに、基準面2aから高さH/2における凸部3の断面における幅寸法を指す。半値幅Mは、50nm以下であることが好ましい。
なお、基準面2aが平坦とみなせない場合、基板2の凸部3が形成される側の面を平坦化した面を基準面2aと仮定して高さHが計測される。
凸部3の底面幅Bは、基準面2aにおける凸部3の断面の幅寸法を指す。なお、凸部3の底面幅Bは、基準面2aから凸部3の頂部方向に、基準面2aから高さHの10%以内の範囲における幅B’(図2B参照)を採用してもよい。
凸部3の頂部幅Tは、凸部3の断面形状において、基準面2aに略平行な凸部3の頂部の幅寸法を指す。なお、凸部3の頂部幅Tは、その頂部の形状が複雑であると、計測が困難であるため、凸部3の最頂部から基準面2aの方向に、前記最頂部から高さHの10%以内の範囲における幅T’(図2B参照)を採用してもよい。
ここで、トラックピッチPは、基準面2aにおける凸部3間の距離Lと、一方の凸部3の前記底面幅Bとの和を示す。本実施形態では、モールド構造体の凸部3の半値幅Mが、トラックピッチPの半分以下であることが好ましい。
なお、前記距離Lは、前記同心円の半径方向の断面において、一の凸部3の高さH/2での側面3aの接線と、基準面2aとの交点と、一の凸部3に隣接する他の凸部3の高さH/2での側面3aの接線と、基準面2aとの交点との距離を指す。
【0015】
本実施形態のモールド構造体1において、凸部3の断面形状は、図2Bに示すように、アスペクト比(高さHと、凸部3と基準面2aとの接合面における底面幅Bとの比=H/B)が5以下であることが好ましい。このアスペクト比が5を超えると、凸部3間において、インプリントレジストが奥まで侵入できない部位が増え、高さバラツキという問題が生じることがある。
【0016】
また、基準面2aと、凸部3の側面(隣接する2つの凸部3において互いに対向する面)3aとのなす角度θは、45°≦θ<90°を満たすことが好ましい。なお、前記角度θは、前記同心円の半径方向の断面において、高さH/2での凸部3の側面3aの接線と、基準面2aとがなす角度を指す。
【0017】
また、本実施形態のモールド構造体1における凸部3の形状は、図2Bに示すように、基準面2aと、凸部3の側面3aとが、前記同心円の半径方向における断面において曲線状に連結されていてもよい。この曲線部分の曲率半径rは、10nm以下が好ましい。
【0018】
更に、本実施形態では、凸部3の長さ方向に対する半値幅Mのライン幅ラフネス(LWR)値が20nm以下であることが好ましい。半値幅Mのライン幅ラフネス(LWR)値が20nmを超えると、凸部3と、インプリントレジストとの接地面積が増大し、剥離性に問題が生じることがある。
加えて、凸部3の長さ方向に対する半値幅Mのラインエッジラフネス(LER)値が20nm以下であることが好ましい。半値幅Mのラインエッジラフネス(LER)値が20nmを越えると、凸部3と、インプリントレジストとの接地面積が増大し、剥離性に問題が生じることがある。
なお、本実施形態におけるライン幅ラフネス(LWR)値、及びラインエッジラフネス(LER)値は、基準面2aの法線方向から見た凸部3の形状について、特開2006−38779号公報に開示されたラインパターンに関するライン幅ラフネス(LWR)値、及びラインエッジラフネス(LER)値の測定方法を適用した。
【0019】
<モールド構造体の作製方法>
以下、本発明に係るモールド構造体の作製方法について図面を参照して説明する。
[第1の実施形態]
図3は、第1の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図3に示すように、まず、Si(シリコン)基板10上に、スピンコートなどでPMMA(ポリメチルメタクリレート)などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、基板10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIE(Reactive Ion Etching;反応性イオンエッチング)などにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図2A〜Bに示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【0020】
[第2の実施形態]
図4A〜Bは、第2の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図4Aに示すように、まず、Si(シリコン)基板10上に、スピンコートなどでPMMAなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、基板10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジストを現像処理し、露光部分を除去して、フォトレジストパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤11を得る。
次に、図4Bに示すように、原盤11の表面の凹凸パターンをもとに、この表面にスパッタリング、あるいは無電解メッキなどにより、導電膜22を形成する。その後、導電膜22に対してメッキなどにより導電膜22を所定の厚さに成膜して、ポジ状凹凸パターンを有するNi基板23を作製し、原盤11から剥離する。このようにして、モールド構造体1が得られる。
なお、導電膜22を所定の厚さに成膜してNi基板23を作製する際には、Ni基板23の凹部の断面形状が、図2A〜Bに示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【0021】
金属製基板の材料としては、前述の通り、NiもしくはNi合金等を使用することができ、この基板を作製する前記メッキとしては、無電解メッキ、電鋳、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法が適用できる。基板の凸部高さ(凹凸パターンの深さ)Hは、30〜800nmの範囲が好ましく、50〜300nmがより好ましい。
この凹凸パターンがサーボバースト信号である場合は、円周方向よりも半径方向に長い矩形状の凸部が形成される。具体的には、半径方向の長さは0.05〜20μm、円周方向は0.05〜1μmが好ましく、この範囲で半径方向の方が長い形状となる値を選ぶことがサーボ信号の情報を担持するパターンとして好ましい。
【0022】
原盤11の凹凸パターン上への導電膜22の形成は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、メッキ法などを用いて行う。Ni基板23の厚みは、20〜800μmの範囲が好ましく、40〜400μmがより好ましい。
【0023】
[第3の実施形態]
図5は、第3の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図5に示すように、まず、石英基板30上に、スピンコートなどでPMMAなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、石英基板30を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図2A〜Bに示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【0024】
[第4の実施形態]
図6A〜Bは、第4の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図6Aに示すように、まず、Si基板10上に、スピンコートなどでPMMAなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、Si基板10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤11を得る。
【0025】
次に、図6Bに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層24が形成された石英基板30に対して、原盤31を押し当て、原盤11上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層24に転写される。
その後、インプリントレジスト層24に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図2A〜Bに示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【0026】
[第5の実施形態]
図7A〜Bは、第5の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図6Aに示すように、まず、Si基板10上に、スピンコートなどでPMMAなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、Si基板10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤11を得る。
【0027】
次に、図7Bに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層24が形成された石英基板30に対して、原盤11を押し当て、原盤11上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層24に転写される。
その後、インプリントレジスト層24に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図2A〜Bに示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【0028】
[第6の実施形態]
図8A〜Bは、第6の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図8Aに示すように、まず、石英基板30上に、スピンコートなどでPMMAなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、石英基板30を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト層21の全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤31を得る。
【0029】
次に、図8Bに示すように、光硬化樹脂が含有されたインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層24が形成された石英基板30に対して、原盤31を押し当て、原盤31上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層24に転写される。
その後、インプリントレジスト層24に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図2A〜Bに示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【0030】
上記第1〜6の実施形態においては、ポジ型のフォトレジストを用いて露光及び現像を行ったが、前記レジスト液をネガ型とすることで、本実施形態とは対称的なパターンのモールド構造体を作製することもできる。したがって、本実施形態におけるフォトレジストの適用に特に制限はなく、目的に応じて、ネガ型フォトレジスト、及びポジ型フォトレジストのいずれが適宜選択される。
【0031】
また、前記原盤にメッキを施して第2の原盤を作製し、この第2の原盤を使用してメッキを行い、ネガ状凹凸パターンを有する基板を作製してもよい。更に、第2の原盤にメッキを行うか、樹脂液を押し付けて硬化を行って第3の原盤を作製し、第3の原盤にメッキを行い、ポジ状凹凸パターンを有する基板を作製してもよい。
【0032】
更に、上記第4〜6の実施形態においては、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を基板上に塗布してインプリントレジスト層24を形成する実施形態を説明したが、光硬化樹脂の代わり、又は光硬化性樹脂に加えて、熱可塑性樹脂がインプリントレジスト液に含まれてもよい。
熱可塑性樹脂がインプリントレジスト液に含まれる場合、該熱可塑性樹脂のガラス転移点(Tg)付近に維持した状態で、凸部のパターンをインプリントレジスト層24に転写後、インプリントレジスト層24を前記熱可塑性樹脂のガラス転移点よりも低下させることにより転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得ることとなる。
【0033】
<磁気記録媒体の作製方法>
以下、本発明に係るモールド構造体を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を作製する作製方法について図面を参照して説明する。
図9に示すように、例えば、上記第2の実施形態で作製したモールド構造体1を用いる場合、磁性層50と、PMMAなどのインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層24とがこの順に形成された磁気記録媒体の基板40に対して、モールド構造体1を押し当て、加圧することにより、モールド構造体1上に形成された凸部3のパターンをインプリントレジスト層24に転写する。
なお、インプリントレジスト層24にモールド構造体1を押し当てる際には、系を前記レジスト液のガラス転移点(Tg)付近に維持しておき、転写後、インプリントレジスト層24が前記レジスト液のガラス転移点よりも低下することにより硬化することとなる。
その後、凸部3のパターンが転写されたインプリントレジスト層24をマスクにして、RIEなどにより選択エッチングを行い、モールド構造体1上に形成されたパターン形状に基づく凹凸形状を磁性層50に形成し、凹部に非磁性材料70を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを形成して磁気記録媒体100を得る。
【0034】
以上説明したように、本発明に係るモールド構造体によれば、該モールド構造体の基板上に形成される凸部の少なくとも頂部を含む部分の断面形状を、矩形ではなく、台形形状としたため、磁気記録媒体上に塗布されたフォトレジストに対して、前記凸部が押し入り易くなり、ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを容易に転写形成するモールド構造体を提供することができる。
また、本発明に係るモールド構造体によれば、被転写体である磁気記録媒体の溝部の断面形状が逆台形状をなすため、離型し易い。
更に、本発明に係るモールド構造体によれば、前述のように、被転写体である磁気記録媒体の溝部の断面形状が逆台形状をなすため、クロストークなどが少なく、信号品位が良好なパターンをディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに転写形成するモールド構造体を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【0035】
本発明のモールド構造体は、該モールド構造体上に形成された微細なパターンが、基板上のレジストに効率よく入り込み、高い歩留まりで前記基板上にパターンを形成することができるので、ディスクリートメディアの作製や、パターンドメディアの作製に好適である。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【図1】図1は、本発明の第1の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す斜視図である。
【図2A】図2Aは、本発明の第1の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す断面図である。
【図2B】図2Bは、本発明の第1の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す断面図である。
【図3】図3は、本発明の第1の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図4A】図4Aは、本発明の第2の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図4B】図4Bは、本発明の第2の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図5】図5は、本発明の第3の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図6A】図6Aは、本発明の第4の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図6B】図6Bは、本発明の第4の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図7A】図7Aは、本発明の第5の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図7B】図7Bは、本発明の第5の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図8A】図8Aは、本発明の第6の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図8B】図8Bは、本発明の第6の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図9】図9は、本発明のモールド構造体を用いて磁気記録媒体を製造する製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【0037】
1 モールド構造体
2 基板
3 凸部
10 Si基板
11 Si原盤
21 フォトレジスト
22 導電膜
23 Ni基板
24 インプリントレジスト層
30 石英基板
31 石英原盤
40 磁気記録媒体の基板
50 磁性層
100 磁気記録媒体
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁気記録媒体に情報を転写するためのパターン状の凹凸を備えたモールド構造体、特に、ナノインプリント用モールド構造体に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、高速性やコストに優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器や、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始め、より一層の小型大容量化という要求に応えるために、記録密度を向上させる技術が求められている。
ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体の高性能化、及び磁気ヘッド幅の狭小化という手法が従来より用いられてきたが、データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響(クロストーク)や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、磁気ヘッドの狭小化などによる面記録密度の向上には限界があった。
【0003】
そこで、クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている(特許文献1〜2参照)。
ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
【0004】
また、熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている(特許文献3参照)。
【0005】
上記ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアを製造する際には、特許文献4に開示されたように、レジストパターン形成用モールド(スタンパとも称することがある。)を用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリンティング法がある。
しかしながら、特許文献4に記載のレジストパターン形成用モールドでは、その表面に形成された凸部の断面形状が矩形をなしているため、レジスト層に押し当てる際に、レジスト層を十分に押し出すことができず、適正なレジストパターンが得られない結果として、モールド構造体の凸部の高さがばらつく虞があった。これは、レジスト層に押し当てた前記凸部をレジスト層から離す際にも生じ得る現象である。
【0006】
したがって、磁気記録媒体の基板上に塗布されたレジスト層に対して効率よくパターンを転写し得るモールド構造体は未だ実現されておらず、その提供が望まれているのが現状である。
【0007】
【特許文献1】特開昭56−119934号公報
【特許文献2】特開平2−201730号公報
【特許文献3】特開平3−22211号公報
【特許文献4】特開2004−221465号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを効率よく転写形成することができるモールド構造体を提供することを目的とする。
また、本発明は、クロストークなどが更に少なく、信号品位が良好なパターンをディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに転写形成することができるモールド構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 基板の一方の表面上に、所定間隔を有して複数の凸部が同心円状に形成されたモールド構造体であって、前記同心円の半径方向における前記凸部の断面形状は、該凸部の高さ方向の半値幅Mが、前記同心円の半径方向における前記凸部の頂部の幅Tよりも大である形状であることを特徴とするモールド構造体である。
該<1>に記載のモールド構造体においては、基板上に複数形成された凸部の、半径方向における断面形状が、少なくとも頂部を含む領域において台形形状をなしているので、磁気記録媒体の基板上に塗布された樹脂に対して当該モールド構造体を押し当ててパターンを転写する際に、前記凸部が前記樹脂に入り易く、ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを容易に転写形成することができる。
また、前記凸部の、半径方向における断面形状が、少なくとも頂部を含む領域において台形形状をなしていることにより、磁気記録媒体の基板上に形成されたトラック溝のパターンは、逆台形状となるので、隣接するトラック溝間のクロストークなど更に少なく、信号品位が良好なパターンをディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに転写形成することができる。
<2> 凸部の高さ方向の半値幅Mが、前記凸部と基板の一方の面との接合面の断面寸法Bと、隣接する凸部間の距離Lとの和であるトラックピッチPの半分以下である前記<1>に記載のモールド構造体である。
<3> 凸部の断面形状における高さHと、該凸部と基板の一方の面との接合面の断面寸法Bとのアスペクト比(H/B)が、5以下である前記<1>から<2>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<4> 凸部の長さ方向に対する凸部の半値幅Mのライン幅ラフネス値(LWR値)が、20nm以下である前記<1>から<3>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<5> 凸部の長さ方向に対する凸部のラインエッジラフネス値(LER値)が、20nm以下である前記<1>から<4>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<6> 基板の一方の表面に対して凸部の側面がなす角度θが、45°≦θ<90°を満たす前記<1>から<5>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<7> 基板の一方の表面と、凸部の側面とが曲面によって接続されている前記<1>から<6>のいずれかに記載のモールド構造体である。
<8> 曲面の曲率半径が、10nm以下である前記<7>に記載のモールド構造体である。
【0010】
<9> 前記<1>から<8>のいずれかに記載のモールド構造体に形成された凸部のパターン形状を、基板上に塗布された樹脂に対して転写し、該転写されたパターンに基づいて凹凸形状が前記基板上に形成されたことを特徴とするディスクリート記録媒体である。
【発明の効果】
【0011】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを効率よく転写形成するモールド構造体を提供することができる。
また、本発明によれば、クロストークなどが少なく、信号品位が良好なパターンをディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに転写形成するモールド構造体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
以下、本発明のモールド構造体について図面を参照して説明する。
<モールド構造体の構成>
図1は、本発明の第1の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す部分斜視図である。また、図2は、本発明の第1の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す断面図である。
図1に示すように、本実施形態におけるモールド構造体1は、円盤状をなす基板2の一方の表面2a(以下、基準面2aということがある。)に、複数の凸部3が同心円状に、所定の間隔で形成されてなる。
なお、基板2としては、ニッケル、シリコン、石英板、ガラス、アルミニウム、セラミックス、合成樹脂等が用いられる。
【0013】
また、前記同心円の半径方向(凸部3が列設されている方向)における凸部3の断面形状は、少なくともその凸部の上部において台形形状をなしている。
具体的には、図2Aに示すように、前記同心円の半径方向における凸部3の高さ方向の半値幅Mが、前記同心円の半径方向における凸部3の頂部の幅Tよりも大をなす。
以下、本実施形態の説明において、「断面(形状)」とは、特に断りがない限り、前記同心円の半径方向(凸部3が列設されている方向)における断面(形状)を指す。
【0014】
ここで、前記半値幅Mは、凸部3の高さ(基準面2aから凸部3の頂部までの最短距離)をHとしたときに、基準面2aから高さH/2における凸部3の断面における幅寸法を指す。半値幅Mは、50nm以下であることが好ましい。
なお、基準面2aが平坦とみなせない場合、基板2の凸部3が形成される側の面を平坦化した面を基準面2aと仮定して高さHが計測される。
凸部3の底面幅Bは、基準面2aにおける凸部3の断面の幅寸法を指す。なお、凸部3の底面幅Bは、基準面2aから凸部3の頂部方向に、基準面2aから高さHの10%以内の範囲における幅B’(図2B参照)を採用してもよい。
凸部3の頂部幅Tは、凸部3の断面形状において、基準面2aに略平行な凸部3の頂部の幅寸法を指す。なお、凸部3の頂部幅Tは、その頂部の形状が複雑であると、計測が困難であるため、凸部3の最頂部から基準面2aの方向に、前記最頂部から高さHの10%以内の範囲における幅T’(図2B参照)を採用してもよい。
ここで、トラックピッチPは、基準面2aにおける凸部3間の距離Lと、一方の凸部3の前記底面幅Bとの和を示す。本実施形態では、モールド構造体の凸部3の半値幅Mが、トラックピッチPの半分以下であることが好ましい。
なお、前記距離Lは、前記同心円の半径方向の断面において、一の凸部3の高さH/2での側面3aの接線と、基準面2aとの交点と、一の凸部3に隣接する他の凸部3の高さH/2での側面3aの接線と、基準面2aとの交点との距離を指す。
【0015】
本実施形態のモールド構造体1において、凸部3の断面形状は、図2Bに示すように、アスペクト比(高さHと、凸部3と基準面2aとの接合面における底面幅Bとの比=H/B)が5以下であることが好ましい。このアスペクト比が5を超えると、凸部3間において、インプリントレジストが奥まで侵入できない部位が増え、高さバラツキという問題が生じることがある。
【0016】
また、基準面2aと、凸部3の側面(隣接する2つの凸部3において互いに対向する面)3aとのなす角度θは、45°≦θ<90°を満たすことが好ましい。なお、前記角度θは、前記同心円の半径方向の断面において、高さH/2での凸部3の側面3aの接線と、基準面2aとがなす角度を指す。
【0017】
また、本実施形態のモールド構造体1における凸部3の形状は、図2Bに示すように、基準面2aと、凸部3の側面3aとが、前記同心円の半径方向における断面において曲線状に連結されていてもよい。この曲線部分の曲率半径rは、10nm以下が好ましい。
【0018】
更に、本実施形態では、凸部3の長さ方向に対する半値幅Mのライン幅ラフネス(LWR)値が20nm以下であることが好ましい。半値幅Mのライン幅ラフネス(LWR)値が20nmを超えると、凸部3と、インプリントレジストとの接地面積が増大し、剥離性に問題が生じることがある。
加えて、凸部3の長さ方向に対する半値幅Mのラインエッジラフネス(LER)値が20nm以下であることが好ましい。半値幅Mのラインエッジラフネス(LER)値が20nmを越えると、凸部3と、インプリントレジストとの接地面積が増大し、剥離性に問題が生じることがある。
なお、本実施形態におけるライン幅ラフネス(LWR)値、及びラインエッジラフネス(LER)値は、基準面2aの法線方向から見た凸部3の形状について、特開2006−38779号公報に開示されたラインパターンに関するライン幅ラフネス(LWR)値、及びラインエッジラフネス(LER)値の測定方法を適用した。
【0019】
<モールド構造体の作製方法>
以下、本発明に係るモールド構造体の作製方法について図面を参照して説明する。
[第1の実施形態]
図3は、第1の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図3に示すように、まず、Si(シリコン)基板10上に、スピンコートなどでPMMA(ポリメチルメタクリレート)などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、基板10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIE(Reactive Ion Etching;反応性イオンエッチング)などにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図2A〜Bに示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【0020】
[第2の実施形態]
図4A〜Bは、第2の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図4Aに示すように、まず、Si(シリコン)基板10上に、スピンコートなどでPMMAなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、基板10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジストを現像処理し、露光部分を除去して、フォトレジストパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤11を得る。
次に、図4Bに示すように、原盤11の表面の凹凸パターンをもとに、この表面にスパッタリング、あるいは無電解メッキなどにより、導電膜22を形成する。その後、導電膜22に対してメッキなどにより導電膜22を所定の厚さに成膜して、ポジ状凹凸パターンを有するNi基板23を作製し、原盤11から剥離する。このようにして、モールド構造体1が得られる。
なお、導電膜22を所定の厚さに成膜してNi基板23を作製する際には、Ni基板23の凹部の断面形状が、図2A〜Bに示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【0021】
金属製基板の材料としては、前述の通り、NiもしくはNi合金等を使用することができ、この基板を作製する前記メッキとしては、無電解メッキ、電鋳、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法が適用できる。基板の凸部高さ(凹凸パターンの深さ)Hは、30〜800nmの範囲が好ましく、50〜300nmがより好ましい。
この凹凸パターンがサーボバースト信号である場合は、円周方向よりも半径方向に長い矩形状の凸部が形成される。具体的には、半径方向の長さは0.05〜20μm、円周方向は0.05〜1μmが好ましく、この範囲で半径方向の方が長い形状となる値を選ぶことがサーボ信号の情報を担持するパターンとして好ましい。
【0022】
原盤11の凹凸パターン上への導電膜22の形成は、磁性材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜手段、メッキ法などを用いて行う。Ni基板23の厚みは、20〜800μmの範囲が好ましく、40〜400μmがより好ましい。
【0023】
[第3の実施形態]
図5は、第3の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図5に示すように、まず、石英基板30上に、スピンコートなどでPMMAなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、石英基板30を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図2A〜Bに示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【0024】
[第4の実施形態]
図6A〜Bは、第4の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図6Aに示すように、まず、Si基板10上に、スピンコートなどでPMMAなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、Si基板10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤11を得る。
【0025】
次に、図6Bに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層24が形成された石英基板30に対して、原盤31を押し当て、原盤11上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層24に転写される。
その後、インプリントレジスト層24に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図2A〜Bに示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【0026】
[第5の実施形態]
図7A〜Bは、第5の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図6Aに示すように、まず、Si基板10上に、スピンコートなどでPMMAなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、Si基板10を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤11を得る。
【0027】
次に、図7Bに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層24が形成された石英基板30に対して、原盤11を押し当て、原盤11上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層24に転写される。
その後、インプリントレジスト層24に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図2A〜Bに示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【0028】
[第6の実施形態]
図8A〜Bは、第6の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図8Aに示すように、まず、石英基板30上に、スピンコートなどでPMMAなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層21を形成する。
その後、石英基板30を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光(又は電子ビーム)を照射し、フォトレジスト層21の全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層21を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層21のパターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤31を得る。
【0029】
次に、図8Bに示すように、光硬化樹脂が含有されたインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層24が形成された石英基板30に対して、原盤31を押し当て、原盤31上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層24に転写される。
その後、インプリントレジスト層24に紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得る。
なお、前記選択エッチングは、凹凸形状を有するモールド構造体1の凹部の断面形状が、図2A〜Bに示す凸部3の断面形状を転写した断面形状となるように行われる。
【0030】
上記第1〜6の実施形態においては、ポジ型のフォトレジストを用いて露光及び現像を行ったが、前記レジスト液をネガ型とすることで、本実施形態とは対称的なパターンのモールド構造体を作製することもできる。したがって、本実施形態におけるフォトレジストの適用に特に制限はなく、目的に応じて、ネガ型フォトレジスト、及びポジ型フォトレジストのいずれが適宜選択される。
【0031】
また、前記原盤にメッキを施して第2の原盤を作製し、この第2の原盤を使用してメッキを行い、ネガ状凹凸パターンを有する基板を作製してもよい。更に、第2の原盤にメッキを行うか、樹脂液を押し付けて硬化を行って第3の原盤を作製し、第3の原盤にメッキを行い、ポジ状凹凸パターンを有する基板を作製してもよい。
【0032】
更に、上記第4〜6の実施形態においては、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を基板上に塗布してインプリントレジスト層24を形成する実施形態を説明したが、光硬化樹脂の代わり、又は光硬化性樹脂に加えて、熱可塑性樹脂がインプリントレジスト液に含まれてもよい。
熱可塑性樹脂がインプリントレジスト液に含まれる場合、該熱可塑性樹脂のガラス転移点(Tg)付近に維持した状態で、凸部のパターンをインプリントレジスト層24に転写後、インプリントレジスト層24を前記熱可塑性樹脂のガラス転移点よりも低下させることにより転写されたパターンを硬化させ、該パターンをマスクにしてRIEなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体1を得ることとなる。
【0033】
<磁気記録媒体の作製方法>
以下、本発明に係るモールド構造体を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を作製する作製方法について図面を参照して説明する。
図9に示すように、例えば、上記第2の実施形態で作製したモールド構造体1を用いる場合、磁性層50と、PMMAなどのインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層24とがこの順に形成された磁気記録媒体の基板40に対して、モールド構造体1を押し当て、加圧することにより、モールド構造体1上に形成された凸部3のパターンをインプリントレジスト層24に転写する。
なお、インプリントレジスト層24にモールド構造体1を押し当てる際には、系を前記レジスト液のガラス転移点(Tg)付近に維持しておき、転写後、インプリントレジスト層24が前記レジスト液のガラス転移点よりも低下することにより硬化することとなる。
その後、凸部3のパターンが転写されたインプリントレジスト層24をマスクにして、RIEなどにより選択エッチングを行い、モールド構造体1上に形成されたパターン形状に基づく凹凸形状を磁性層50に形成し、凹部に非磁性材料70を埋め込み、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを形成して磁気記録媒体100を得る。
【0034】
以上説明したように、本発明に係るモールド構造体によれば、該モールド構造体の基板上に形成される凸部の少なくとも頂部を含む部分の断面形状を、矩形ではなく、台形形状としたため、磁気記録媒体上に塗布されたフォトレジストに対して、前記凸部が押し入り易くなり、ナノインプリント技術を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに高品質なパターンを容易に転写形成するモールド構造体を提供することができる。
また、本発明に係るモールド構造体によれば、被転写体である磁気記録媒体の溝部の断面形状が逆台形状をなすため、離型し易い。
更に、本発明に係るモールド構造体によれば、前述のように、被転写体である磁気記録媒体の溝部の断面形状が逆台形状をなすため、クロストークなどが少なく、信号品位が良好なパターンをディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアに転写形成するモールド構造体を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【0035】
本発明のモールド構造体は、該モールド構造体上に形成された微細なパターンが、基板上のレジストに効率よく入り込み、高い歩留まりで前記基板上にパターンを形成することができるので、ディスクリートメディアの作製や、パターンドメディアの作製に好適である。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【図1】図1は、本発明の第1の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す斜視図である。
【図2A】図2Aは、本発明の第1の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す断面図である。
【図2B】図2Bは、本発明の第1の実施形態におけるモールド構造体の構成を示す断面図である。
【図3】図3は、本発明の第1の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図4A】図4Aは、本発明の第2の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図4B】図4Bは、本発明の第2の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図5】図5は、本発明の第3の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図6A】図6Aは、本発明の第4の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図6B】図6Bは、本発明の第4の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図7A】図7Aは、本発明の第5の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図7B】図7Bは、本発明の第5の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図8A】図8Aは、本発明の第6の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図8B】図8Bは、本発明の第6の実施形態におけるモールド構造体の製造方法を示す断面図である。
【図9】図9は、本発明のモールド構造体を用いて磁気記録媒体を製造する製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【0037】
1 モールド構造体
2 基板
3 凸部
10 Si基板
11 Si原盤
21 フォトレジスト
22 導電膜
23 Ni基板
24 インプリントレジスト層
30 石英基板
31 石英原盤
40 磁気記録媒体の基板
50 磁性層
100 磁気記録媒体
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の一方の表面上に、所定間隔を有して複数の凸部が同心円状に形成されたモールド構造体であって、前記同心円の半径方向における前記凸部の断面形状は、該凸部の高さ方向の半値幅Mが、前記同心円の半径方向における前記凸部の頂部の幅Tよりも大である形状であることを特徴とするモールド構造体。
【請求項2】
凸部の高さ方向の半値幅Mが、前記凸部と基板の一方の面との接合面の断面寸法Bと、隣接する凸部間の距離Lとの和であるトラックピッチPの半分以下である請求項1に記載のモールド構造体。
【請求項3】
凸部の断面形状における高さHと、該凸部と基板の一方の面との接合面の断面寸法Bとのアスペクト比(H/B)が、5以下である請求項1から2のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項4】
凸部の長さ方向に対する凸部の半値幅Mのライン幅ラフネス値(LWR値)が、20nm以下である請求項1から3のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項5】
基板の一方の表面に対して凸部の側面がなす角度θが、45°≦θ<90°を満たす請求項1から4のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項6】
基板の一方の表面と、凸部の側面とが曲面によって接続されている請求項1から5のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項1】
基板の一方の表面上に、所定間隔を有して複数の凸部が同心円状に形成されたモールド構造体であって、前記同心円の半径方向における前記凸部の断面形状は、該凸部の高さ方向の半値幅Mが、前記同心円の半径方向における前記凸部の頂部の幅Tよりも大である形状であることを特徴とするモールド構造体。
【請求項2】
凸部の高さ方向の半値幅Mが、前記凸部と基板の一方の面との接合面の断面寸法Bと、隣接する凸部間の距離Lとの和であるトラックピッチPの半分以下である請求項1に記載のモールド構造体。
【請求項3】
凸部の断面形状における高さHと、該凸部と基板の一方の面との接合面の断面寸法Bとのアスペクト比(H/B)が、5以下である請求項1から2のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項4】
凸部の長さ方向に対する凸部の半値幅Mのライン幅ラフネス値(LWR値)が、20nm以下である請求項1から3のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項5】
基板の一方の表面に対して凸部の側面がなす角度θが、45°≦θ<90°を満たす請求項1から4のいずれかに記載のモールド構造体。
【請求項6】
基板の一方の表面と、凸部の側面とが曲面によって接続されている請求項1から5のいずれかに記載のモールド構造体。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【図9】
【図2A】
【図2B】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【図9】
【公開番号】特開2008−142895(P2008−142895A)
【公開日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−328796(P2006−328796)
【出願日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【国際特許分類】
【出願日】平成18年12月5日(2006.12.5)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】
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