説明

他励式インバータ

【課題】他励式インバータにおいて、安価な構成により二次側負荷の個体間の特性のばらつきに伴う出力の差を低減する。
【解決手段】トランス2の一次側巻き線21に流れる電流をスイッチングするMOSFET4、5と、そのスイッチング動作を制御する制御用IC(制御手段)6と、MOSFET4、5のソース−グランド間に設けられた電流検知用抵抗7、8を備え、電流検知用抵抗7、8がMOSFET4、5のドレイン電流を電圧に変換し、電圧信号入力ライン11、12を介して制御用IC6に入力する。制御用IC6は、一次側に流れる電流のフィードバックを受けMOSFET4、5のPWMオンデューティを制御する。これにより、安価な汎用ICで制御用IC6を構成することができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子機器の各部に電力を供給する電源装置に用いられる他励式インバータに関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年、液晶表示パネルのバックライトには、冷陰極蛍光ランプ(以下、CCFLとする)が広く用いられている。CCFLの電源としては一般に他励式インバータが用いられているが、CCFLは個体間の特性のばらつきが大きいことから、各CCFL間で輝度の差が生ずる。そのため、従来の技術においては、上記特許文献1に示すように、2次側の負荷に印加される電圧を検知して一次側巻き線に流れる電流の制御にフィードバックすることにより、二次側の出力を制御する技術が用いられていた。
【0003】
また、このような技術とは別に、特許文献2には、入力電圧源の電圧を監視し、デューティー比を演算するインバータ回路が示されている。また、特許文献3には、一次側巻き線の逆起電圧の検出結果に応じて、デューティー比を変化させる技術が示されている。また、特許文献4には、電源の起動状態に応じて、デューティ比を可変にする技術が示されている。なお、特許文献には、ソース−グランド間に接続された負荷への電流を制御する電源装置が示されている。
【特許文献1】特開平5−111255号公報
【特許文献2】特開2007−43866号公報
【特許文献3】特開2003−259642号公報
【特許文献4】特開2003−8923号公報
【特許文献5】特開平5−38134号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1において、2次側の電圧を検知して一次側巻き線に流れる電流をフィードバック制御するには、一般に他励式インバータ専用の制御用ICが必要とされている。しかしながら、このような2次側からフィードバックをかける制御用ICは、専用品となるためコストが高く、コンシューマ向けの電子機器のコストダウンが困難となる。また、特許文献2乃至4に示された技術をCCFLの制御に適用する場合であっても、部品定数の増加に伴う製造コストの高騰を招来するという問題がある。
【0005】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、安価な構成によりCCFL等の二次側負荷の個体間の特性のばらつきに伴う出力の差を低減することができる他励式インバータを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するために請求項1の発明は、
一次側巻き線及び二次側巻き線を有するトランスと、前記一次側巻き線に接続された直流電源と、前記一次側巻き線の端部に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御手段とを備えた他励式インバータにおいて、
前記スイッチング素子のソース−グランド間に接続された電流検知用抵抗と、この電流検知用抵抗によって電圧に変換された電気信号を前記制御手段に入力する電圧信号入力ラインとをさらに備えたものである。
【0007】
請求項2の発明は、請求項1に記載の他励式インバータにおいて、
前記スイッチング素子、電流検知用抵抗及び電圧信号入力ラインは、複数系統備えられており、
各系統の電圧信号入力ラインには、整流用ダイオードが設けられているものである。
【0008】
請求項3の発明は、請求項1又は請求項2に記載の他励式インバータにおいて、
前記二次側巻き線には、負荷として冷陰極蛍光ランプが接続されているものである。
【発明の効果】
【0009】
請求項1の発明によれば、スイッチング素子のソース−グランド間に接続された電流検知用抵抗によってドレイン電流を検知し、電圧に変換して制御手段に入力することにより、一次側のスイッチング素子のドレイン電流に基づいて一次側巻き線に流れる電流をフィードバック制御することができる。これにより、高価な他励式インバータ専用の制御用ICを用いることなく、安価な汎用の制御用ICで一次側巻き線に流れる電流をフィードバック制御することが可能となり、回路の製造コストを低減することができる。
【0010】
請求項2の発明によれば、各系統の電圧信号入力ラインには、整流用ダイオードが設けられているので、いずれかの系統の電気信号が他の系統の電圧信号入力ラインに流れることを防止することができる。
【0011】
請求項3の発明によれば、個体間の特性のばらつきが大きい冷陰極蛍光ランプの輝度の差を、安価な構成により低減することが可能となる。特に、この発明を複数の冷陰極蛍光ランプを備えた液晶表示パネルのバックライトに適用すると、各冷陰極蛍光ランプの輝度を揃えることができ、均一なバックライト照明を安価に得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
本発明の一実施形態による他励式インバータについて図面を参照して説明する。図1はいわゆるプッシュプル型インバータの回路構成を示している。インバータ1は、一次側巻き線21及び二次側巻き線22を有するトランス2と、一次側巻き線21の中央部に接続(センタータップ)された直流電源3と、一次側巻き線21の第1端21aに接続されたMOSFET(スイッチング素子)4と、第2端21bに接続されたMOSFET5と、MOSFET4、5のスイッチング動作を制御する制御用IC(制御手段)6等によって構成されている。二次側巻き線22は、負荷としてCCFL50が接続されている。
【0013】
MOSFET4のソース−グランド間には電流検知用抵抗7が、MOSFET5のソース−グランド間には電流検知用抵抗8がそれぞれ設けられている。電流検知用抵抗7は、MOSFET4のドレイン電流を電圧に変換し、電圧信号入力ライン11を介して制御用IC6に入力する。同様に、電流検知用抵抗8は、MOSFET5のドレイン電流を電圧に変換し、電圧信号入力ライン12を介して制御用IC6に入力する。
【0014】
電圧信号入力ライン11及び電圧信号入力ライン12には、整流用ダイオード13及び14がそれぞれ設けられている。一次側巻き線21の第1端21aの側、MOSFET4、電流検知用抵抗7、電圧信号入力ライン11、整流用ダイオード13等によって第1系統の一次側回路が形成されている。また、一次側巻き線21の第2端21bの側、MOSFET5、電流検知用抵抗8、電圧信号入力ライン12、整流用ダイオード14等によって第2系統の一次側回路が形成されている。
【0015】
制御用IC6は、電圧信号入力ライン11及び電圧信号入力ライン12から入力された信号に基づいて、第1系統のMOSFET4及び第2系統のMOSFET5にパルス信号を出力し、MOSFET4及び5を排他的かつ交互にオン/オフさせ、トランス2を発振させて二次側回路に交流を得る。すなわち、制御用IC6からMOSFET4のゲートにハイの電圧信号が印加されると、MOSFET4がオンし、一次側巻き線21の第1端21aの側にMOSFET4のドレイン電流が流れる。このとき、MOSFET5のゲートに入力される電圧信号はローでMOSFET5がオフされる。一方、制御用IC6からMOSFET5のゲートにハイの電圧信号が印加されると、MOSFET5がオンし、一次側巻き線21の第2端21bの側に上記とはMOSFET5のドレイン逆向きの電流が流れる。このとき、MOSFET4のゲートに入力される電圧信号はローでMOSFET4がオフされる。
【0016】
このようにして一次側巻き線21に交互に逆向きの電流が流れると、トランス2が発振し二次側回路に交流を得ることができる。このとき制御用IC6は、電圧信号入力ライン11及び電圧信号入力ライン12から入力された信号に基づいて、第1系統のMOSFET4及び第2系統のMOSFET5を制御するためのPWM信号のオンデューティをフィードバック制御する。これにより、CCFL50に供給される電力が一定となり、CCFL50に流れる電流が安定する。また、CCFL50の点灯時には、制御用IC6から出力するパルス信号を変えることにより、CCFL50に印加される電圧を高めて、CCFL50の不点灯を防止する。
【0017】
以上のように、本実施形態のインバータ1によれば、MOSFET4及び5のソース−グランド間に接続された電流検知用抵抗7及び8によってMOSFET4及び5のドレイン電流を検知し、電圧に変換して制御用IC6に入力することにより、一次側のMOSFET4及び5のドレイン電流に基づいて一次側巻き線21に流れる電流をフィードバック制御することができる。これにより、高価な他励式インバータ専用の制御用ICを用いることなく、安価な汎用の制御用IC6で一次側巻き線21に流れる電流をフィードバック制御することが可能となり、回路の製造コストを低減することができる。
【0018】
また、図1に示すように、二次側巻き線22に負荷としてCCFL50を接続すると、個体間の特性のばらつきが大きいCCFL50の輝度の差を、安価な構成により低減することが可能となる。特に、この発明を複数のCCFL50を備えた液晶表示パネルのバックライトに適用すると、各CCFL50の輝度を揃えることができ、安価に均一なバックライト照明を得ることが可能となる。また、各系統の電圧信号入力ライン11及び12には、整流用ダイオード13及び14が設けられているので、いずれかの系統の電気信号が他の系統の電圧信号入力ライン11及び12に流れることを防止することができる。
【0019】
なお、本発明は上記実施形態の構成に限られることなく、少なくとも一次側巻き線21に流れる電流を検知するための電流検知用抵抗と、電流検知用抵抗によって電圧に変換された電気信号を制御用IC6に入力する電圧信号入力ラインとをさらに備えていればよい。
【0020】
また、本発明は種々の変形が可能であり、例えば、一次側は単一系統の回路で構成されていてもよい。さらにまた、本発明は、プッシュプル型の他励式インバータ1に限られることなく、例えば、図2に示すハーフブリッジ型の他励式インバータ又は図3に示すフルブリッジ型の他励式インバータにも広く適用可能である。
【0021】
図2に示すハーフブリッジ型の他励式インバータ100は、2系統の回路で一次側回路が構成されている。第1系統の一次側回路は、一次側巻き線21、MOSFET4、電流検知用抵抗7、電圧信号入力ライン11、整流用ダイオード13によって構成されている。また、第2系統の一次側回路は、一次側巻き線21、MOSFET5、電流検知用抵抗7、電圧信号入力ライン11、整流用ダイオード13によって構成されている。電流検知用抵抗7によってMOSFET4及び5のドレイン電流を検知し、電圧に変換して電圧信号入力ライン11を介して制御用IC6に入力する点は、プッシュプル型の他励式インバータ1と同様である。
【0022】
図3に示すフルブリッジ型の他励式インバータ200は、2系統の回路で一次側回路が構成されている。第1系統の一次側回路は、一次側巻き線21、MOSFET4a及び4b、電流検知用抵抗7、電圧信号入力ライン11、整流用ダイオード13によって構成されている。また、第2系統の一次側回路は、一次側巻き線21、MOSFET5a及び5b、電流検知用抵抗8、電圧信号入力ライン12、整流用ダイオード14によって構成されている。電流検知用抵抗7及び8によってMOSFET4b及び5bのドレイン電流を検知し、電圧に変換して電圧信号入力ライン11及び12を介して制御用IC6に入力する点は、プッシュプル型の他励式インバータ1と同様である。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】本発明の一実施形態によるプッシュプル型の他励式インバータの回路図。
【図2】本発明の一実施形態によるハーフブリッジ型の他励式インバータの回路図。
【図3】本発明の一実施形態によるフルブリッジ型の他励式インバータの回路図。
【符号の説明】
【0024】
1 インバータ
2 トランス
21 一次側巻き線
22 二次側巻き線
3 直流電源
4 MOSFET(スイッチング素子:第1系統)
5 MOSFET(スイッチング素子:第2系統)
6 制御用IC(制御手段)
7 電流検知用抵抗(第1系統)
8 電流検知用抵抗(第2系統)
11 電圧信号入力ライン(第1系統)
12 電圧信号入力ライン(第2系統)
50 冷陰極蛍光ランプ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
一次側巻き線及び二次側巻き線を有するトランスと、前記一次側巻き線に接続された直流電源と、前記一次側巻き線の端部に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御手段とを備えた他励式インバータにおいて、
前記スイッチング素子のソース−グランド間に接続された電流検知用抵抗と、この電流検知用抵抗によって電圧に変換された電気信号を前記制御手段に入力する電圧信号入力ラインとをさらに備えたことを特徴とする他励式インバータ。
【請求項2】
前記スイッチング素子、電流検知用抵抗及び電圧信号入力ラインは、複数系統備えられており、
各系統の電圧信号入力ラインには、整流用ダイオードが設けられていることを特徴とする請求項1に記載の他励式インバータ。
【請求項3】
前記二次側巻き線には、負荷として冷陰極蛍光ランプが接続されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の他励式インバータ。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【公開番号】特開2009−290975(P2009−290975A)
【公開日】平成21年12月10日(2009.12.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−140079(P2008−140079)
【出願日】平成20年5月28日(2008.5.28)
【出願人】(000201113)船井電機株式会社 (7,855)
【Fターム(参考)】