説明

低電圧差動信号ドライバ

【課題】 低電圧差動信号ドライバを提供すること。
【解決手段】 電圧差動信号ドライバは、第1電流源、第2電流源、第1ブランチ及び第2ブランチを備える低。第1ブランチは、第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を備え、隣接した抵抗の間の第1ノードで差動信号を送受信する。第2ブランチは、第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を備え、隣接した抵抗の間の第2ノードで差動信号を送受信する。これにより、データの送信時に終端抵抗を利用して信号反射を最小化し、データの受信時には、制御スイッチを利用して受信用の終端抵抗のみを動作させる。また、半二重構造を有するので、送受信兼用のピンを利用して全体のピン数を半分に減らし、消費電力を低下させ、かつ高速動作が可能である。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、低電圧差動信号ドライバに係り、特に送受信を行うピンを利用して全体のピン数を減らし、消費電力を低下させ、かつ高速動作を行うことができる低電圧差動信号ドライバに関する。
【背景技術】
【0002】
一つのデバイス内で、あるいは二つ以上のデバイスの間でデータを伝送するための様々な類型の信号伝送方式が開発されている。
【0003】
図1は、信号伝送方式のうちの一つであるCML(Current Mode Logic)システムを示す図面である。
【0004】
図1は、一つのチップCP1の送信部TXと他のチップCP2の受信部RXとの間で、伝送ラインTL,TLBを通じて信号を伝送することを示す。送信部TXの出力パッドDQ1,DQB1及び受信部RXの出力パッドDQ2,DQB2にいずれも50Ωの終端抵抗Rが接続されているので、信号反射がない。
【0005】
また、図1のCMLシステム100は、チップCP1の送信部TXの出力パッドDQ1,DQB1にチップCP1の受信部(図示せず)を接続し、チップCP2の出力パッドDQ2,DQB2にチップCP2の送信部(図示せず)を接続することによって、同じ出力パッドを利用して信号の送受信を行うことができる。それを半二重伝送(half−duplex)という。
【0006】
このように、図1のCMLシステム100は、半二重構造を利用して送受信ピンの数を半分に減らし、信号反射がなく、かつ高速動作が可能であるため、RAMBUSDRAM(Dynamic Random Access Memory)などに利用される。
【0007】
しかし、図1のCMLシステム100は、伝送ラインTLを通じて伝送される信号と伝送ラインTLBを通じて伝送される信号との電圧差を約400mVに維持しようとすると、出力パッドDQ1,DQB1に50Ωの抵抗が並列に接続されるので、約16mAの電流Ioが送信部TXに必要となる。すなわち、CMLシステムの送信部TXまたは受信部RXは、消費する電流量が比較的多いという問題がある。
【0008】
図2は、従来の低電圧差動信号ドライバの構造を説明する図面である。
【0009】
信号伝送方式のうち他の一つは、二つの伝送ラインの間の電圧レベルの差を伝送信号として伝送する低電圧差動信号伝送である。低電圧差動信号ドライバは、送信部から受信部に信号を駆動させることを含む多くのアプリケーションで一般的に使われる。一般的な低電圧差動信号ドライバは、低電力であり、かつ高速伝送が可能であり、少ない電磁干渉(Electromagnetic Interference:EMI)を有する。
【0010】
図2に示すように、従来の低電圧差動信号ドライバ200の送信部TXは、電源電圧VDDに接続される第1電流源IS1、接地電圧VSSに接続される第2電流源IS2、第1電流源IS1に並列に接続されるPMOSトランジスタTR1,TR2、及び第2電流源IS2に並列に接続されるNMOSトランジスタTR3,TR4を備える。
【0011】
トランジスタTR1,TR3に同じ入力信号が印加され、トランジスタTR2,TR4に同じ入力信号が印加される。
【0012】
4個のトランジスタTR1,TR2,TR3,TR4のうち二つのトランジスタが同時にターンオンして終端抵抗Rに電圧が発生するように、第1電流源IS1または第2電流源IS2を制御する。伝送ラインTLから終端抵抗Rを経由して伝送ラインTLBに電流を流そうとすると、トランジスタTR1及びトランジスタTR4をターンオンさせ、トランジスタTR2及びトランジスタTR3をターンオフさせる。
【0013】
従来の低電圧差動信号ドライバ200は、伝送ラインTLを通じて伝送される信号と伝送ラインTLBを通じて伝送される信号との電圧差を約400mVに維持しようとすると、終端抵抗が100Ωであるので、約4mAの電流Ioが送信部TXに必要となる。したがって、図1のCMLシステム100に比べて消費電流も少ないという長所がある。
【0014】
しかし、図2の低電圧差動信号ドライバ200は、図1のCMLシステム100と異なり、終端抵抗Rが受信部RXにのみ装着されるので、送信部TXでの信号反射が大きく、ノイズも大きいという問題がある。
【0015】
また、終端抵抗Rが受信部RXにのみ装着されて送信部TXと受信部RXとが互いに対称的な構造を有さないので、図1のCMLシステム100と異なり、半二重構造を使用できない。したがって、信号の送受信のためのピンの数が増加する。
【0016】
図3Aは、図2の低電圧差動信号ドライバを改良した低電圧差動信号ドライバの構造を説明する図面である。
【0017】
図3Bは、図3Aの低電圧差動信号ドライバの内部構造を説明する図面である。
【0018】
図3Aの低電圧差動信号ドライバ300は、図2の低電圧差動ドライバ200の送信部TXに終端抵抗R1を追加したものである。終端抵抗R1を追加することによって、図3Aの低電圧差動信号ドライバ300は、送信部TXと受信部RXとが対称的な構造を有し、したがって、信号反射を減らすことができる。
【0019】
図3Bは、図3Aの低電圧差動信号ドライバ300をさらに詳細に説明する。送信部TXが動作するときはスイッチSWが接続され、受信部RXが動作するときはスイッチSWが遮断される。
【0020】
直列接続された50Ωの終端抵抗R1,R2により、チップCP1の送信部TX及び受信部RXの構造とチップCP2の送信部TX及び受信部RXの構造とが互いに対称的であるので、信号反射を減らし、半二重構造を使用できる。
【0021】
しかし、低電圧差動信号ドライバ300は、伝送ラインTLを通じて伝送される信号と伝送ラインTLBを通じて伝送される信号との電圧差を約400mVに維持しようとすると、100Ωの抵抗が並列に接続されて、全抵抗値は50Ωであるので、約8mAの電流Ioが送信部TXに必要となる。したがって、低電圧差動信号ドライバ300は、図2の低電圧差動信号ドライバ200に比べて消費電流が大きいという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0022】
本発明が解決しようとする課題は、信号の送信時に、送信部の終端抵抗を利用して信号反射を最小化し、送受信兼用のピンを利用して全体のピン数を半分に減らし、電流消費を減らすと共に高速で動作できる低電圧差動信号ドライバを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【0023】
前記課題を解決するための本発明の好適な実施形態による低電圧差動信号ドライバは、データを受信し、伝送ラインを通じて差動信号を送受信する低電圧差動信号ドライバに関する。
【0024】
低電圧差動信号ドライバは、第1電流源、第2電流源、第1ブランチ及び第2ブランチを備える。第1ブランチは、前記第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を備え、前記隣接した抵抗の間の第1ノードで差動信号を送受信する。第2ブランチは、前記第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を備え、前記隣接した抵抗の間の第2ノードで差動信号を送受信する。
【0025】
前記第1ブランチは、第1及び第2トランジスタ、第1及び第2抵抗を備える。第1トランジスタは、前記第1電流源に第1被制御電極が接続され、制御電極にデータが入力される。第1抵抗は、前記第1トランジスタの第2被制御電極に一端が接続され、前記第1ノードに他端が接続される。
【0026】
第2トランジスタは、前記第2電流源に第1被制御電極が接続され、制御電極にデータが入力される。第2抵抗は、前記第1ノードに一端が接続され、前記第2トランジスタの第2被制御電極に他端が接続される。
【0027】
前記第2ブランチは、第3及び第4トランジスタ、第3及び第4抵抗を備える。第3トランジスタは、前記第1電流源に第1被制御電極が接続され、制御電極に前記データの論理レベルと反対の論理レベルを有する反転データが入力される。第3抵抗は、前記第3トランジスタの第2被制御電極に一端が接続され、前記第2ノードに他端が接続される。
【0028】
第4トランジスタは、前記第2電流源に第1被制御電極が接続され、制御電極にデータが入力される。第4抵抗は、前記第2ノードに一端が接続され、前記第4トランジスタの第2被制御電極に他端が接続される。
【0029】
前記データが第2レベルである場合には、前記第1及び第4トランジスタはターンオンされ、前記第2及び第3トランジスタはターンオフされ、前記データが第1レベルである場合には、前記第2及び第3トランジスタはターンオンされ、前記第1及び第4トランジスタはターンオフされる。
【0030】
前記第1及び第2ノードは、負荷抵抗を有する第1及び第2伝送ラインと接続され、前記データが第2レベルである場合には、前記第1電流源から前記第1ノードまで形成される電流経路の全抵抗と、前記第2ノードから前記第2電流源まで形成される電流経路の全抵抗との和は、前記負荷抵抗の大きさと同一である。
【0031】
前記データが第1レベルである場合には、前記第1電流源から前記第2ノードまで形成される電流経路の全抵抗と、前記第1ノードから前記第2電流源まで形成される電流経路の全抵抗との和は、前記負荷抵抗の大きさと同一である。
【0032】
前記負荷抵抗の大きさを2Zとすると、前記第1ないし第4抵抗の大きさは、それぞれ0.9Zでありうる。
【0033】
前記第1トランジスタ及び前記第1抵抗の接続ノードである第3ノードと、前記第3トランジスタ及び前記第3抵抗の接続ノードである第4ノードとの間に制御スイッチをさらに備える。前記第1及び第2ノードを通じて差動信号が入力されると、前記第1ないし第4トランジスタはいずれもターンオフされ、前記制御スイッチはターンオンされる。
【0034】
前記課題を解決するための本発明の好適な他の実施形態による低電圧差動信号ドライバは、駆動部、送信部及び受信部を備える。
【0035】
駆動部は、制御信号、クロック信号及びデータに応答して、第1共通モード電圧レベルを有するプルダウン信号及び第2共通モード電圧レベルを有するプルアップ信号を出力する。
【0036】
送信部は、前記駆動部から出力される前記プルアップ信号及びプルダウン信号に応答して、伝送ラインを通じて差動出力信号を出力する。受信部は、前記伝送ラインを通じて差動入力信号を受信する。
【0037】
前記送信部は、第1及び第2電流源、第1及び第2ブランチを備える。第1ブランチは、前記第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を備え、前記隣接した抵抗の間の第1ノードで差動信号を送受信する。第2ブランチは、前記第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を備え、前記隣接した抵抗の間の第2ノードで差動信号を送受信する。
【0038】
前記第1共通モード電圧レベルは、前記第2共通モード電圧レベルより高い。
【0039】
前記駆動部は、第1制御部及び第2制御部を備える。
【0040】
第1制御部は、前記制御信号及び前記クロック信号に応答して、前記データの論理レベルによって前記プルダウン信号と反転プルダウン信号の論理レベルを制御する。第2制御部は、前記制御信号を反転させた反転制御信号及び前記クロック信号を反転させた反転クロック信号に応答して、前記データの論理レベルによって前記プルアップ信号と反転プルアップ信号の論理レベルを制御する。
【0041】
前記課題を解決するための本発明の好適な実施形態によるデータ通信システムは、伝送ラインにより接続され、前記伝送ラインを通じてデータを互いに送信または受信する第1及び第2差動信号ドライバを備える。
【0042】
第1差動信号ドライバは、前記データ伝送時に、前記第2差動信号ドライバの負荷抵抗と同じ終端抵抗を利用して信号反射を減少させ、前記データのレベルを制御してデータ伝送速度を速める駆動部を備える。第2差動信号ドライバは、前記第1差動信号ドライバと同じ回路構成を有する。
【0043】
前記課題を解決するための本発明の好適な他の実施形態による低電圧差動信号ドライバのデータ送受信方法は、所定の第1及び第2ブランチ及び差動信号の受信動作を制御するための制御スイッチを備え、データに応答して、伝送ラインを通じて前記差動信号を送受信する低電圧差動信号ドライバのデータ送受信方法に関する。
【0044】
データ送受信方法は、差動信号の送信動作であるか、または受信動作であるかを判断するステップ、差動信号の送信動作である場合には、前記制御スイッチをターンオフさせるステップ、入力される前記データの電圧レベルによって、前記第1ブランチ及び前記第2ブランチが備えるトランジスタを選択的にターンオンさせるステップ、及び前記ターンオンされたトランジスタにより形成された電流経路を利用して前記伝送ラインに前記差動信号を出力するステップを含む。
【発明の効果】
【0045】
本発明による低電圧差動信号ドライバは、データの送信時に終端抵抗を利用して信号反射を最小化し、データの受信時には、制御スイッチを利用して受信用の終端抵抗のみを動作させる。また、半二重構造を有するので、送受信兼用のピンを利用して全体のピン数を半分に減らし、消費電力を低下させ、かつ高速動作が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【0046】
本発明と、本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施形態を例示する添付図面及び図面に記載された内容を参照しなければならない。
【0047】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を説明することにより、本発明を詳細に説明する。各図面に提示された同じ参照符号は同様の構成要素を示す。
【0048】
図4は、本発明の好適な実施形態による低電圧差動信号ドライバを示す回路図である。
【0049】
本発明の好適な実施形態による低電圧差動信号ドライバ400は、チップCP1、CP2の間の通信において、データの送信時に、チップCP1の送信部TX1の終端抵抗をチップCP2の送信部TX2の終端抵抗と同一にすることによって信号反射を最小化し、データ受信時には、制御スイッチRSWを利用して受信用の終端抵抗のみを残す。
【0050】
そして、送受信兼用のピンを利用して全体のピン数を半分に減らし、電力を低下させ、かつ高速で送受信できる。
【0051】
本発明の好適な実施形態による低電圧差動信号ドライバ400は、データを受信し、伝送ラインを通じて差動信号を送受信する低電圧差動信号ドライバに関する。
【0052】
低電圧差動信号ドライバ400は、チップCP1に装着され、低電圧差動信号ドライバ410は、チップCP2に装着され、互いに同一な構成を有する。したがって、チップCP1の低電圧差動信号ドライバ400を利用して説明する。
【0053】
低電圧差動信号ドライバ400は、電源電圧VDD及び接地電圧VSSにそれぞれ接続される第1電流源IS1、第2電流源IS2、第1ブランチBR1及び第2ブランチBR2を備える。
【0054】
第1ブランチBR1は、第1電流源IS1と第2電流源IS2との間に直列接続された少なくとも二つのトランジスタTR1,TR2を備え、第1ノードN1で伝送ラインTL,TLBのうちの一つの伝送ラインに接続される。第2ブランチBR2は、第1電流源IS1と第2電流源IS2との間に直列接続された少なくとも二つのトランジスタTR3,TR4を備え、第2ノードN2で伝送ラインTL,TLBのうち他の一つの伝送ラインに接続される。
【0055】
第1ブランチBR1は、少なくとも二つのトランジスタTR1,TR2の間に隣接して直列接続される抵抗R1,R2を備え、第2ブランチBR2は、少なくとも二つのトランジスタTR3,TR4の間に隣接して直列接続される抵抗R3,R4を備える。
【0056】
チップCP1,CP2にそれぞれ装着された低電圧差動信号ドライバ400,410は、互いに同一な構造を有し、出力パッドDQ1,DQB1,DQ2,DQB2を通じてデータを送受信する。本発明の好適な実施形態による低電圧差動信号ドライバの動作は、図5を参照して説明する。
【0057】
図5は、図4の低電圧差動信号ドライバの動作を説明するための回路図である。
【0058】
図5は、チップCP1の低電圧差動信号ドライバ400でチップCP2にデータを送信する場合及び受信する場合を説明する。すなわち、チップCP1の動作を中心に説明し、チップCP2は、チップCP2の抵抗のみを表示する。
【0059】
図5に示すように、第1ブランチBR1は、第1トランジスタTR1、第2トランジスタTR2、第1抵抗R1及び第2抵抗R2を備える。第1トランジスタTR1は、第1電流源IS1に第1被制御電極(例えば、ソース/ドレイン)が接続され、データDATAが制御電極(例えば、ゲート)に入力される。第1抵抗R1は、第1トランジスタTR1の第2被制御電極に一端が接続され、第1ノードN1に他端が接続される。
【0060】
第2トランジスタTR2は、第2電流源IS2に第1被制御電極が接続され、第1制御電極にデータDATAが入力される。第2抵抗R2は、第1ノードN1に一端が接続され、第2トランジスタTR2の第2被制御電極に他端が接続される。
【0061】
第2ブランチBR2は、第3トランジスタTR3、第4トランジスタTR4、第3抵抗R3及び第4抵抗R4を備える。第3トランジスタTR3は、第1電流源IS1に第1被制御電極が接続され、制御電極にデータDATAの論理レベルが反転された反転データDATABが入力される。
【0062】
第3抵抗R3は、第3トランジスタTR3の第2被制御電極に一端が接続され、第2ノードN2に他端が接続される。第4トランジスタTR4は、第2電流源IS2に第1被制御電極が接続され、制御電極に反転データDATABが入力される。第4抵抗R4は、第2ノードN2に一端が接続され、第4トランジスタTR4の第2被制御電極に他端が接続される。
【0063】
第1抵抗R1〜第4抵抗R4は、0.9Zの抵抗値を有する。ここで、Zは、自可変な値である。それぞれの素子も固有の内部抵抗を有する。第1電流源IS1と第1トランジスタTR1の内部抵抗を合わせると約0.1Zであり、第2電流源IS2と第4トランジスタTR4の内部抵抗を合わせると約0.1Zである。
【0064】
チップCP2の制御スイッチRSWが接続されて全抵抗が2Zの抵抗値を有し、データDATAが第2レベルで入力されると仮定する。説明の便宜上、第2レベルはローレベルと仮定する。これにより、第1トランジスタTR1及び第4トランジスタTR4はターンオンされ、第2トランジスタTR2及び第3トランジスタTR3はターンオフされる。これにより、第1電流源IS1、第1ノードN1及び出力パッドDQ1を通じて電流経路が形成され、出力パッドDQ1から差動信号が出力される。
【0065】
出力パッドDQ1から出力された差動信号は、出力パッドDQ2、負荷抵抗2Z及び出力パッドDQB2を経て再び出力パッドDQB1に印加される。そして、差動信号は、第2ノードN2と第4トランジスタTR4との間に形成された電流経路を通じて接地電圧VSSに流れる。
【0066】
データDATAがローレベルである場合に形成される前記電流経路では、チップCP1の抵抗値を計算すると2Zであって、チップCP2の負荷抵抗の抵抗値である2Zと同一である。すなわち、図5のような構造を有する本発明の好適な実施形態による低電圧差動信号ドライバ400は、データDATAの送信時に、負荷抵抗と同じ終端抵抗を有する。したがって、データDATAの送信時に、負荷抵抗による信号反射を最小化できる。図6を参照してさらに具体的に説明する。
【0067】
図6は、データがローレベルである場合の図5の低電圧差動信号ドライバでの電流経路を説明する図面である。
【0068】
図6は、データDATAがローレベルである図5の低電圧差動信号ドライバ400に形成される電流経路を示す。Zの値を50Ωであると仮定すれば、第1電流源IS1及び第1トランジスタTR1が0.1Zの抵抗値、すなわち5Ωの抵抗値を示し、第1抵抗R1が45Ωの抵抗値を示す。また、第2抵抗R2が45Ωの抵抗値を示し、第4トランジスタTR4及び第2電流源IS2が5Ωの抵抗値を示す。
【0069】
したがって、出力パッドDQ1,DQB1を基準としてチップCP1の抵抗が100Ωであり、負荷抵抗も100Ωであるので、出力パッドDQ1,DQB1を通じて出力される信号が100Ωの負荷抵抗により反射する現象を抑えることができる。
【0070】
伝送ラインTLを通じて伝送される信号と伝送ラインTLBを通じて伝送される信号との電圧差を約400mVに維持しようとすると、チップCP1の抵抗が100Ωであるので、約4mAの電流Ioが送信部TXに必要となる。したがって、図5の低電圧差動信号ドライバ400は、図3Aの低電圧差動信号ドライバ300に比べて消費電流も少ないという長所がある。
【0071】
また、チップCP1の低電圧差動信号ドライバ400とチップCP2の低電圧差動信号ドライバ410の構造が相等しく対称的であるので、図5の低電圧差動信号ドライバ400は、半二重構造を有する。したがって、データDATAを出力して受信するピンの数を減少できる。
【0072】
低電圧差動信号ドライバ400がチップCP2から出力されるデータDATAを受信する場合には、制御スイッチRSWが利用される。
【0073】
低電圧差動信号ドライバ400は、第1トランジスタTR1及び第1抵抗R1の接続ノードである第3ノードN3と、第3トランジスタTR3及び第3抵抗R3の接続ノードである第4ノードN4との間に制御スイッチRSWをさらに備える。
【0074】
外部から伝送ラインTL,TLBを通じて差動信号、すなわちデータDATAが入力されると、第1トランジスタTR1ないし第4トランジスタTR4はいずれもターンオフされ、制御スイッチRSWはターンオンされる。制御スイッチRSWは、制御信号RXENに応答して動作する。制御信号RXENは、低電圧差動信号ドライバ400がチップCP2から出力されるデータDATAを受信する場合に活性化されて、制御スイッチRSWをターンオンさせる信号である。
【0075】
これにより、低電圧差動信号ドライバ400の第1トランジスタTR1ないし第4トランジスタTR4、第1電流源IS1及び第2電流源IS2はいずれも動作せず、低電圧差動信号ドライバ400は、制御スイッチRSWにより図5のチップCP2の負荷抵抗と共に動作する。制御スイッチRSWは、2Zの内部抵抗値を有すると仮定する。
【0076】
これにより、出力パッドDQ1、第1ノードN1、第1抵抗R1、制御スイッチRSW、第3抵抗R3、第2ノードN2及び出力パッドDQB1は、Zが50Ωであると仮定すると、100Ωの抵抗値を有する。すなわち、図5のチップCP2に示した負荷抵抗と同一である。
【0077】
図5の低電圧差動信号ドライバ400は、データDATAの受信時には制御スイッチRSWをターンオフさせ、第1抵抗R1ないし第4抵抗R4によりチップCP2の負荷抵抗と同じ終端抵抗を形成し、データDATAの受信時には、制御スイッチRSWをターンオンさせて受信用の抵抗を形成する。
【0078】
図7は、本発明の好適な他の実施形態による低電圧差動信号ドライバを示す回路図である。
【0079】
図8は、図7のデュアルフリー駆動部710とも呼ばれる駆動部710から出力される信号のレベルを説明する図面である。
【0080】
図7に示すように、本発明の好適な他の実施形態による低電圧差動信号ドライバ700は、デュアルフリー駆動部710、送信部720及び受信部730を備える。
【0081】
デュアルフリー駆動部710は、制御信号RXEN、クロック信号CLK及びデータDATAに応答して、第1レベルの共通モード電圧レベルを有するプルダウン信号PDS及び第2レベルの共通モード電圧レベルを有するプルアップ信号PUSを出力する。
【0082】
ここで、第1レベルの共通モード電圧レベルは、NMOSトランジスタを高速で制御するのに適当な電圧レベルである。第2レベルの共通モード電圧レベルは、PMOSトランジスタを高速で制御するのに適当な電圧レベルである。第1レベルは、第2レベルより高い電圧レベルである。
【0083】
さらに正確に説明すると、第1レベルの共通モード電圧レベルは、送信部720の第2トランジスタTR2及び第4トランジスタTR4を高速で制御するのに適当な電圧レベルであり、第2レベルの共通モード電圧レベルは、送信部720の第1トランジスタTR1及び第3トランジスタTR3を高速で制御するのに適当な電圧レベルである。
【0084】
送信部720は、デュアルフリー駆動部710から出力されるプルアップ信号PUS及びプルダウン信号PDSに応答して、伝送ラインTL,TLBを通じて差動出力信号を外部に出力する。受信部730は、伝送ラインTL,TLBを通じて外部から入力される差動入力信号を受信する。送信部720及び受信部730の構造及び動作は、図5の送信部TX1及び受信部RX1の構造及び動作と同一であるので、詳細な説明を省略する。
【0085】
デュアルフリー駆動部710は、第1制御部740及び第2制御部760を備える。
【0086】
第1制御部740は、制御信号RXEN及びクロック信号CLKに応答して、データDATAの論理レベルによってプルダウン信号PDSと反転プルダウン信号PDSBの論理レベルを制御する。第2制御部760は、制御信号RXENを反転させた反転制御信号RXENB及びクロック信号CLKを反転させた反転クロック信号CLKBに応答して、データDATAの論理レベルによってプルアップ信号PUSと反転プルアップ信号PUSBの論理レベルを制御する。
【0087】
低電圧差動信号ドライバ700に入力されるデータDATAは、CMOSレベルのスイング幅を有するため、低電圧差動信号ドライバ700が高い周波数で動作する場合において障害となる。したがって、デュアルフリー駆動部710は、データDATAのレベルをトランジスタTR1〜TR4の共通モード電圧レベルに適したレベルに変更させて送信部720に出力する。
【0088】
デュアルフリー駆動部710の動作をさらに説明する。第1制御部740は、プルダウン信号発生部745及び反転プルダウン信号発生部750を備える。
【0089】
プルダウン信号発生部745は、制御信号RXEN及びクロック信号CLKに応答して、データDATAの論理レベルと反対のレベルを有するプルダウン信号PDSを発生させる。プルダウン信号発生部745は、電源電圧VDDと第1制御ノードNC1との間に接続される第1制御抵抗CR1、第1制御ノードNC1と接地電圧VSSとの間に接続され、ゲートに制御信号RXENを受信する第1制御トランジスタCTR1、及び第1制御ノードNC1と接地電圧VSSとの間に直列接続され、制御電極(例えば、ゲート)にそれぞれクロック信号CLK及びデータDATAを受信する第2制御トランジスタCTR2、第3制御トランジスタCTR3を備える。
【0090】
反転プルダウン信号発生部750は、制御信号RXEN及びクロック信号CLKに応答して、データDATAの論理レベルと同じレベルを有する反転プルダウン信号PDSBを発生させる。反転プルダウン信号発生部750は、電源電圧VDDと第2制御ノードNC2との間に接続される第2制御抵抗CR2、第2制御ノードNC2と接地電圧VSSとの間に接続され、ゲートに制御信号RXENを受信する第4制御トランジスタCTR4、及び第2制御ノードNC2と接地電圧VSSとの間に直列接続され、制御電極(例えば、ゲート)にそれぞれクロック信号CLK及び反転データDATABを受信する第5制御トランジスタCTR5、第6制御トランジスタCTR6を備える。
【0091】
第2制御部760は、プルアップ信号発生部765及び反転プルアップ信号発生部770を備える。プルアップ信号発生部765は、反転制御信号RXENB及び反転クロック信号CLKBに応答して、データDATAの論理レベルと同じレベルを有するプルアップ信号PUSを発生させる。
【0092】
プルアップ信号発生部765は、電源電圧VDDと第1反転制御ノードNCB1との間に直列接続され、制御電極にそれぞれ反転データDATAB及び反転クロック信号CLKBを受信する第1反転制御トランジスタCTRB1及び第2反転制御トランジスタCTRB2、電源電圧VDDと第1反転制御ノードNCB1との間に接続され、ゲートに反転制御信号RXENBを受信する第3反転制御トランジスタCTRB3、及び第1反転制御ノードNCB1と接地電圧VSSとの間に接続される第3制御抵抗CR3を備える。
【0093】
反転プルアップ信号発生部770は、反転制御信号RXENB及び反転クロック信号CLKBに応答して、データDATAの論理レベルと反対のレベルを有する反転プルアップ信号PUSBを発生させる。
【0094】
反転プルアップ信号発生部770は、電源電圧VDDと第2反転制御ノードNCB2との間に直列接続され、制御電極にそれぞれデータDATA及び反転クロック信号CLKBを受信する第4反転制御トランジスタCTRB4及び第5反転制御トランジスタCTRB5、電源電圧VDDと第2反転制御ノードNCB2との間に接続され、制御電極に反転制御信号RXENBを受信する第6反転制御トランジスタCTRB6、及び第2反転制御ノードNCB2と接地電圧VSSとの間に接続される第4制御抵抗CR4を備える。
【0095】
データDATAは、クロック信号CLKがハイレベルである場合に外部に出力され、データDATAを外部に送信する場合には、制御信号RXENはローレベルである。そして、データDATAの論理レベルによって第1制御部740及び第2制御部760が動作する。
【0096】
データDATAがローレベルであると仮定し、第1制御部740及び第2制御部760の動作を説明する。制御信号RXENがローレベルであるので、プルアップ信号発生部765の第3反転制御トランジスタCTRB3はターンオフされ、第1反転制御トランジスタCTRB1は反転データDATABに応答してターンオフされ、第2反転制御トランジスタCTRB2は反転クロック信号CLKBに応答してターンオンされる。
【0097】
したがって、第1反転制御ノードNCB1はローレベルとなり、ローレベルのプルアップ信号PUSが送信部720の第1トランジスタTR1をターンオンさせる。このとき、第2反転制御ノードNCB2はハイレベルとなり、送信部720の第3トランジスタTR3はターンオフされる。第3制御抵抗CR3及び第4制御抵抗CR4の抵抗値は、第1反転制御ノードNCB1及び第2反転制御ノードNCB2の電圧レベルを一定に維持させるための所定の値を有する。
【0098】
制御信号RXENがローレベルであるので、プルダウン信号発生部745の第1制御トランジスタCTR1はターンオフされ、第2制御トランジスタCTR2はクロック信号CLKに応答してターンオンされるが、第3制御トランジスタCTR3はデータDATAに応答してターンオフされる。
【0099】
したがって、第1制御ノードNC1はハイレベルとなり、ハイレベルのプルダウン信号PDSが送信部720の第4トランジスタTR4をターンオンさせる。このとき、第2制御ノードNC2はローレベルとなり、送信部720の第2トランジスタTR2はターンオフされる。
【0100】
データDATAがローレベルであれば、低電圧差動信号ドライバ700には、図6に示したものと同一の電流経路が形成される。しかし、図7の低電圧差動信号ドライバ700は、さらに速い動作速度を有する。
【0101】
図8Aには、プルダウン信号PDS及び反転プルダウン信号PDSBのレベルが表示される。データDATAのスイングレベルが電源電圧VDDと接地電圧VSSとの間であれば、プルダウン信号PDSのスイングレベルは、電源電圧VDDと、電源電圧VDDから第3制御抵抗CR3により生成された電圧を引いた値VDD−I・CR1との間であり、反転プルダウン信号PDSBのスイングレベルは、電源電圧VDDと、電源電圧VDDから第4制御抵抗CR4により生成された電圧を引いた値VDD−I・CR2との間である。
【0102】
図8Bには、プルアップ信号PUS及び反転プルアップ信号PUSBのレベルが表示される。データDATAのスイングレベルが電源電圧VDDと接地電圧VSSとの間であれば、プルアップ信号PUSのスイングレベルは、接地電圧VSSと、接地電圧VSSに第1制御抵抗CR1により生成された電圧を加算した値VDD+I・CR3との間であり、反転プルアップ信号PUSBのスイングレベルは、接地電圧VSSと、接地電圧VSSに第2制御抵抗CR2により生成された電圧を加算した値VDD+I・CR4との間である。
【0103】
すなわち、送信部720の第1トランジスタTR1ないし第4トランジスタTR4にスイング幅の狭いプルアップ信号PUS、プルダウン信号PDS、反転プルアップ信号PUSB及び反転プルダウン信号PDSBを印加することによって、送信部720の動作速度を速める。デュアルフリー駆動部710を利用することによって、低電圧差動信号ドライバ700は高い周波数での動作が可能である。
【0104】
データDATAがハイレベルである場合のデュアルフリー駆動部710の動作は、当業者であれば理解できるので、詳細な説明を省略する。
【0105】
本発明の好適な実施形態によるデータ通信システムについて説明する。データ通信システムは、伝送ラインにより接続され、前記伝送ラインを通じてデータを互いに送信または受信する第1及び第2差動信号ドライバを備えるデータ通信システムに関する。
【0106】
前記第1差動信号ドライバは、前記データの伝送時に、前記第2差動信号ドライバの負荷抵抗と同じ終端抵抗を利用して信号反射を最小化させ、前記データのレベルを制御してデータ伝送速度を速めるデュアルフリー駆動部を備え、前記第2差動信号ドライバは、前記第1差動信号ドライバと同じ回路構成を有する。
【0107】
本発明の好適な実施形態によるデータ通信システムの第1差動信号ドライバは、図4に示した差動信号ドライバ400と同じ構造及び機能を有し、第2差動信号ドライバは、図4に示した差動信号ドライバ410と同じ構造及び機能を有する。したがって、データ通信システムの動作及び構造についての詳細な説明を省略する。
【0108】
本発明の好適な他の実施形態による低電圧差動信号ドライバのデータ送受信方法は、所定の第1及び第2ブランチ及び差動信号の受信動作を制御するための制御スイッチを備え、データに応答して伝送ラインを通じて前記差動信号を送受信する低電圧差動信号ドライバのデータ送受信方法に関する。
【0109】
データ送受信方法は、差動信号の送信動作であるか、または受信動作であるかを判断するステップ、前記差動信号の送信動作であれば、前記制御スイッチをターンオフさせるステップ、入力される前記データの電圧レベルによって、前記第1ブランチ及び前記第2ブランチが備えるトランジスタを選択的にターンオンさせるステップ、及び前記ターンオンされたトランジスタにより形成された電流経路を利用して前記伝送ラインに前記差動信号を出力するステップを含む。
【0110】
データ送受信方法は、図4及び図7に示した低電圧差動信号ドライバの動作と関連する。図4及び図7に示した低電圧差動信号ドライバの動作は、上述した通りであるので詳細な説明を省略する。
【0111】
以上のように、図面及び明細書により最適な実施形態が開示された。ここで、特定の用語が使われたが、これは単に、本発明を説明するための目的で使われたものであり、意味の限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲の記載に基づいて定められなければならない。
【産業上の利用可能性】
【0112】
本発明は、データ伝送関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0113】
【図1】信号伝送方式のうちの一つであるCMLシステムを示す図面である。
【図2】従来の低電圧差動信号ドライバの構造を説明する図面である。
【図3A】図2の低電圧差動信号ドライバを改良した低電圧差動信号ドライバの構造を説明する図面である。
【図3B】図3Aの低電圧差動信号ドライバの内部構造を説明する図面である。
【図4】本発明の好適な実施形態による低電圧差動信号ドライバを示す回路図である。
【図5】図4の低電圧差動信号ドライバの動作を説明するための回路図である。
【図6】データがローレベルである場合の図5の低電圧差動信号ドライバでの電流経路を説明する図面である。
【図7】本発明の好適な他の実施形態による低電圧差動信号ドライバを示す回路図である。
【図8A】図7のデュアルフリー駆動部から出力される信号のレベルを説明する図面である。
【図8B】図7のデュアルフリー駆動部から出力される信号のレベルを説明する図面である。
【符号の説明】
【0114】
700 低電圧差動信号ドライバ
710 デュアルフリー駆動部
720 送信部
730 受信部
740 第1制御部
745 プルダウン信号発生部
750 反転プルダウン信号発生部
760 第2制御部
765 プルアップ信号発生部
770 反転プルアップ信号発生部

【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1及び第2電流源と、
前記第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を有し、前記隣接した抵抗の間の第1ノードで差動信号を送受信する第1ブランチと、
前記第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を有し、前記隣接した抵抗の間の第2ノードで差動信号を送受信する第2ブランチと、を備えることを特徴とする低電圧差動信号ドライバ。
【請求項2】
前記第1ブランチは、
前記第1電流源に第1被制御電極が接続され、制御電極にデータが入力される第1トランジスタと、
前記第1トランジスタの第2被制御電極に一端が接続され、前記第1ノードに他端が接続される第1抵抗と、
前記第2電流源に第1被制御電極が接続され、制御電極に前記データが入力される第2トランジスタと、
前記第1ノードに一端が接続され、前記第2トランジスタの第2被制御電極に他端が接続される第2抵抗と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項3】
前記第2ブランチは、
前記第1電流源に第1被制御電極が接続され、制御電極に前記データの論理レベルと反対の論理レベルを有する反転データが入力される第3トランジスタと、
前記第3トランジスタの第2被制御電極に一端が接続され、前記第2ノードに他端が接続される第3抵抗と、
前記第2電流源に第1被制御電極が接続され、制御電極に前記反転データが入力される第4トランジスタと、
前記第2ノードに一端が接続され、前記第4トランジスタの第2被制御電極に他端が接続される第4抵抗と、を備えることを特徴とする請求項2に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項4】
前記データが第2レベルである場合には、前記第1及び第4トランジスタはターンオンされ、前記第2及び第3トランジスタはターンオフされ、
前記データが第1レベルである場合には、前記第2及び第3トランジスタはターンオンされ、前記第1及び第4トランジスタはターンオフされることを特徴とする請求項3に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項5】
前記第1及び第2ノードは、負荷抵抗を有する第1及び第2伝送ラインと接続され、
前記データが第2レベルである場合には、前記第1電流源から前記第1ノードまで形成される電流経路の全抵抗と、前記第2ノードから前記第2電流源まで形成される電流経路の全抵抗との和は、前記負荷抵抗の大きさと同一であることを特徴とする請求項4に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項6】
前記第1及び第2ノードは、負荷抵抗を有する第1及び第2伝送ラインと接続され、
前記データが第1レベルである場合には、前記第1電流源から前記第2ノードまで形成される電流経路の全抵抗と、前記第1ノードから前記第2電流源まで形成される電流経路の全抵抗との和は、前記負荷抵抗の大きさと同一であることを特徴とする請求項4に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項7】
前記第1及び第2ノードは、負荷抵抗を有する第1及び第2伝送ラインと接続され、
前記負荷抵抗の大きさを2Zとすると、前記第1ないし第4抵抗の大きさは、それぞれ0.9Zであることを特徴とする請求項3に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項8】
前記第1トランジスタ及び前記第1抵抗の接続ノードである第3ノードと、前記第3トランジスタ及び前記第3抵抗の接続ノードである第4ノードとの間に制御スイッチをさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項9】
前記第1及び第2ノードを通じて差動信号が前記低電圧差動信号ドライバに入力されると、前記第1ないし第4トランジスタはいずれもターンオフされ、前記制御スイッチはターンオンされることを特徴とする請求項8に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項10】
制御信号、クロック信号及びデータに応答して、第1共通モード電圧レベルを有するプルダウン信号及び第2共通モード電圧レベルを有するプルアップ信号を出力する駆動部と、
前記駆動部から出力される前記プルアップ信号及びプルダウン信号に応答して、伝送ラインを通じて差動出力信号を出力する送信部と、
前記伝送ラインを通じて差動入力信号を受信する受信部と、を備え、
前記送信部は、
第1及び第2電流源と、
前記第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を有し、前記隣接した抵抗の間の第1ノードで差動信号を送受信する第1ブランチと、
前記第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を有し、前記隣接した抵抗の間の第2ノードで差動信号を送受信する第2ブランチと、を備えることを特徴とする低電圧差動信号ドライバ。
【請求項11】
前記第1共通モード電圧レベルは、前記第2共通モード電圧レベルより高いことを特徴とする請求項10に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項12】
前記駆動部は、
前記制御信号及び前記クロック信号に応答して、前記データの論理レベルに基づいて前記プルダウン信号と反転プルダウン信号の論理レベルを制御する第1制御部と、
前記制御信号を反転させた反転制御信号及び前記クロック信号を反転させた反転クロック信号に応答して、前記データの論理レベルに基づいて前記プルアップ信号と反転プルアップ信号の論理レベルを制御する第2制御部と、を備えることを特徴とする請求項10に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項13】
前記第1制御部は、
前記制御信号及び前記クロック信号に応答して、前記データの論理レベルと反対のレベルを有する前記プルダウン信号を発生させるプルダウン信号発生部と、
前記制御信号及び前記クロック信号に応答して、前記データの論理レベルと同じレベルを有する前記反転プルダウン信号を発生させる反転プルダウン信号発生部と、を備えることを特徴とする請求項12に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項14】
前記プルダウン信号発生部は、
電源電圧と第1制御ノードとの間に接続される第1制御抵抗と、
前記第1制御ノードと接地電圧との間に接続され、制御電極が前記制御信号と接続される第1制御トランジスタと、
前記第1制御ノードと前記接地電圧との間に直列接続され、制御電極が前記クロック信号及び前記データとそれぞれ接続される第2及び第3制御トランジスタと、を備え、
前記反転プルダウン信号発生部は、
電源電圧と第2制御ノードとの間に接続される第2制御抵抗と、
前記第2制御ノードと前記接地電圧との間に接続され、制御電極が前記制御信号と接続される第4制御トランジスタと、
前記第2制御ノードと前記接地電圧との間に直列接続され、制御電極が前記クロック信号及び反転データとそれぞれ接続される第5及び第6制御トランジスタと、
を備えることを特徴とする請求項13に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項15】
前記第2制御部は、
前記反転制御信号及び前記反転クロック信号に応答して、前記データの論理レベルと同じレベルを有する前記プルアップ信号を発生させるプルアップ信号発生部と、
前記反転制御信号及び前記反転クロック信号に応答して、前記データの論理レベルと反対のレベルを有する前記反転プルアップ信号を発生させる反転プルアップ信号発生部と、を備えることを特徴とする請求項13に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項16】
前記プルアップ信号発生部は、
前記電源電圧と第1反転制御ノードとの間に直列接続され、制御電極が前記反転データ及び前記反転クロック信号とそれぞれ接続される第1及び第2反転制御トランジスタと、
前記電源電圧と前記第1反転制御ノードとの間に接続され、制御電極が前記反転制御信号と接続される第3反転制御トランジスタと、
前記第1反転制御ノードと接地電圧との間に接続される第3制御抵抗と、を備え、
前記反転プルアップ信号発生部は、
前記電源電圧と第2反転制御ノードとの間に直列接続され、制御電極がそれぞれ前記データ及び反転クロック信号とそれぞれ接続される第4及び第5反転制御トランジスタと、
前記電源電圧と前記第2反転制御ノードとの間に接続され、制御電極が前記反転制御信号と接続される第6反転制御トランジスタと、
前記第2反転制御ノードと前記接地電圧との間に接続される第4制御抵抗と、を備えることを特徴とする請求項15に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項17】
前記第1ブランチは、
前記第1電流源に第1被制御電極が接続され、制御電極にデータが入力される第1トランジスタと、
前記第1トランジスタの第2被制御電極に一端が接続され、前記第1ノードに他端が接続される第1抵抗と、
前記第2電流源に第1被制御電極が接続され、制御電極に前記データが入力される第2トランジスタと、
前記第1ノードに一端が接続され、前記第2トランジスタの第2被制御電極に他端が接続される第2抵抗と、を備え、
前記第2ブランチは、
前記第1電流源に第1被制御電極が接続され、制御電極に前記データの論理レベルと反対の論理レベルを有する反転データが入力される第3トランジスタと、
前記第3トランジスタの第2被制御電極に一端が接続され、前記第2ノードに他端が接続される第3抵抗と、
前記第2電流源に第1被制御電極が接続され、制御電極に前記反転データが入力される第4トランジスタと、
前記第2ノードに一端が接続され、前記第2トランジスタの第2被制御電極に他端が接続される第4抵抗と、を備えることを特徴とする請求項11に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項18】
前記データが第2レベルである場合には、前記第1及び第4トランジスタはターンオンされ、前記第2及び第3トランジスタはターンオフされ、
前記データが第1レベルである場合には、前記第2及び第3トランジスタはターンオンされ、前記第1及び第4トランジスタはターンオフされることを特徴とする請求項17に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項19】
前記データが第2レベルである場合には、
前記第1電流源から前記第1ノードまで形成される電流経路の全抵抗と、前記第2ノードから前記第2電流源まで形成される電流経路の全抵抗との和は、前記伝送ラインと接続される負荷抵抗の大きさと同一であることを特徴とする請求項17に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項20】
前記データが第1レベルである場合には、
前記第1電流源から前記第2ノードまで形成される電流経路の全抵抗と、前記第1ノードから前記第2電流源まで形成される電流経路の全抵抗との和は、前記伝送ラインと接続される負荷抵抗の大きさと同一であることを特徴とする請求項17に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項21】
前記伝送ラインと接続される負荷抵抗の大きさを2Zとすると、前記第1ないし第4抵抗の大きさは、それぞれ0.9Zであることを特徴とする請求項17に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項22】
前記第1トランジスタ及び前記第1抵抗の接続ノードである第3ノードと、前記第3トランジスタ及び前記第3抵抗の接続ノードである第4ノードとの間に制御スイッチをさらに備えることを特徴とする請求項17に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項23】
前記第1及び第2ノードを通じて差動信号が前記低電圧差動信号ドライバに入力されると、前記第1ないし第4トランジスタはいずれもターンオフされ、前記制御スイッチはターンオンされることを特徴とする請求項22に記載の低電圧差動信号ドライバ。
【請求項24】
伝送ラインにより互いに接続され、前記伝送ラインを通じてデータを互いに送受信する第1及び第2差動信号ドライバを備え、
前記第1差動信号ドライバは、
前記データ伝送時に、前記第2差動信号ドライバの負荷抵抗と同じ終端抵抗を利用して信号反射を減少させ、前記データのレベルを制御してデータ伝送速度を速める駆動部を備え、
前記第2差動信号ドライバは、
前記第1差動信号ドライバと同じ回路構成を有することを特徴とするデータ通信システム。
【請求項25】
前記第1差動信号ドライバは、
制御信号、クロック信号及び前記データに応答して、第1共通モード電圧レベルを有するプルダウン信号及び第2共通モード電圧レベルを有するプルアップ信号を出力する前記駆動部と、
前記駆動部から出力される前記プルアップ信号及びプルダウン信号に応答して、伝送ラインを通じて差動出力信号を出力する送信部と、
前記伝送ラインを通じて外部から入力される差動入力信号を受信する受信部と、を備え、
前記送信部は、
第1及び第2電流源と、
前記第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を有し、前記隣接した抵抗の間の第1ノードで差動信号を送受信する第1ブランチと、
前記第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を有し、前記隣接した抵抗の間の第2ノードで差動信号を送受信する第2ブランチと、を備えることを特徴とする請求項24に記載のデータ通信システム。
【請求項26】
前記第1共通モード電圧レベルは、前記第2共通モード電圧レベルより高いことを特徴とする請求項25に記載のデータ通信システム。
【請求項27】
前記駆動部は、
前記制御信号及び前記クロック信号に応答して、前記データの論理レベルによって前記プルダウン信号と反転プルダウン信号の論理レベルを制御する第1制御部と、
前記制御信号を反転させた反転制御信号及び前記クロック信号を反転させた反転クロック信号に応答して、前記データの論理レベルによって前記プルアップ信号と反転プルアップ信号の論理レベルを制御する第2制御部と、を備えることを特徴とする請求項25に記載のデータ通信システム。
【請求項28】
前記第1制御部は、
前記制御信号及び前記クロック信号に応答して、前記データの論理レベルと反対のレベルを有する前記プルダウン信号を発生させるプルダウン信号発生部と、
前記制御信号及び前記クロック信号に応答して、前記データの論理レベルと同じレベルを有する前記反転プルダウン信号を発生させる反転プルダウン信号発生部と、を備えることを特徴とする請求項27に記載のデータ通信システム。
【請求項29】
前記プルダウン信号発生部は、
電源電圧と第1制御ノードとの間に接続される第1制御抵抗と、
前記第1制御ノードと接地電圧との間に接続され、制御電極が前記制御信号と接続される第1制御トランジスタと、
前記第1制御ノードと前記接地電圧との間に直列接続され、制御電極が前記クロック信号及び前記データとそれぞれ接続される第2及び第3制御トランジスタと、を備え、
前記反転プルダウン信号発生部は、
電源電圧と第2制御ノードとの間に接続される第2制御抵抗と、
前記第2制御ノードと前記接地電圧との間に接続され、制御電極が前記制御信号と接続される第4制御トランジスタと、
前記第2制御ノードと前記接地電圧との間に直列接続され、制御電極が前記クロック信号及び反転データとそれぞれ接続される第5及び第6制御トランジスタと、を備えることを特徴とする請求項28に記載のデータ通信システム。
【請求項30】
前記第2制御部は、
前記反転制御信号及び前記反転クロック信号に応答して、前記データの論理レベルと同じレベルを有する前記プルアップ信号を発生させるプルアップ信号発生部と、
前記反転制御信号及び前記反転クロック信号に応答して、前記データの論理レベルと反対のレベルを有する前記反転プルアップ信号を発生させる反転プルアップ信号発生部と、を備えることを特徴とする請求項27に記載のデータ通信システム。
【請求項31】
前記プルアップ信号発生部は、
前記電源電圧と第1反転制御ノードとの間に直列接続され、制御電極が前記反転データ及び前記反転クロック信号とそれぞれ接続される第1及び第2反転制御トランジスタと、
前記電源電圧と前記第1反転制御ノードとの間に接続され、制御電極が前記反転制御信号と接続される第3反転制御トランジスタと、
前記第1反転制御ノードと接地電圧との間に接続される第3制御抵抗と、を備え、
前記反転プルアップ信号発生部は、
前記電源電圧と第2反転制御ノードとの間に直列接続され、制御電極がそれぞれ前記データ及び反転クロック信号とそれぞれ接続される第4及び第5反転制御トランジスタと、
前記電源電圧と前記第2反転制御ノードとの間に接続され、制御電極が前記反転制御信号と接続される第6反転制御トランジスタと、
前記第2反転制御ノードと前記接地電圧との間に接続される第4制御抵抗と、を備えることを特徴とする請求項30に記載のデータ通信システム。
【請求項32】
第1及び第2ブランチと、
差動信号の受信動作を制御するための制御スイッチを備え、データに応答して伝送ラインを通じて前記差動信号を送受信する低電圧差動信号ドライバのデータ送受信方法において、
差動信号の送信動作であるか、または受信動作であるかを判断するステップと、
差動信号の送信動作である場合には、前記制御スイッチをターンオフさせるステップと、
入力される前記データの電圧レベルによって、前記第1ブランチ及び前記第2ブランチが有するトランジスタを選択的にターンオンさせるステップと、
前記ターンオンされたトランジスタにより形成された電流経路を利用して、前記伝送ラインに前記差動信号を出力するステップと、を含むことを特徴とする低電圧差動信号ドライバのデータ送受信方法。
【請求項33】
差動信号の受信動作である場合には、前記制御スイッチをターンオンさせるステップと、
前記伝送ラインを通じて前記差動信号を受信するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項32に記載の低電圧差動信号ドライバのデータ送受信方法。
【請求項34】
前記第1ブランチは、
第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を備え、前記隣接した抵抗の間の第1ノードは、前記伝送ラインのうちの一つと接続され、
前記第2ブランチは、
前記第1電流源と第2電流源との間に直列接続される少なくとも二つのトランジスタ及び隣接する少なくとも二つの抵抗を備え、前記隣接した抵抗の間の第2ノードは、前記第1ノードと接続されていない前記伝送ラインのうちの一つと接続されることを特徴とする請求項33に記載の低電圧差動信号ドライバのデータ送受信方法。
【請求項35】
前記データが第2レベルである場合には、
前記第1電流源から前記第1ノードまで形成される電流経路の全抵抗と、前記第2ノードから前記第2電流源まで形成される電流経路の全抵抗との和は、前記負荷抵抗の大きさと同一であることを特徴とする請求項34に記載の低電圧差動信号ドライバのデータ送受信方法。
【請求項36】
前記データが第1レベルである場合には、
前記第1電流源から前記第2ノードまで形成される電流経路の全抵抗と、前記第1ノードから前記第2電流源まで形成される電流経路の全抵抗との和は、前記負荷抵抗の大きさと同一であることを特徴とする請求項34に記載の低電圧差動信号ドライバのデータ送受信方法。
【請求項37】
前記制御スイッチがターンオンされると、前記第1及び第2ブランチの前記トランジスタは、いずれもターンオフされることを特徴とする請求項34に記載の低電圧差動信号ドライバのデータ送受信方法。
【請求項38】
入力される前記データの電圧レベルによって、前記第1ブランチ及び前記第2ブランチが有するトランジスタを選択的にターンオンさせるステップは、
入力される前記データの電圧レベルを制御するステップと、
電圧レベルが制御された前記データを前記第1ブランチ及び前記第2ブランチが有するトランジスタに印加するステップと、を含むことを特徴とする請求項34に記載の低電圧差動信号ドライバのデータ送受信方法。
【請求項39】
入力される前記データの電圧レベルを制御するステップは、
前記データの電圧レベルを前記第1ブランチ及び前記第2ブランチが有するトランジスタの共通モード電圧レベルによって制御することを特徴とする請求項38に記載の低電圧差動信号ドライバのデータ送受信方法。

【図1】
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【図2】
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【図3A】
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【図3B】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8A】
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【図8B】
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【公開番号】特開2006−174488(P2006−174488A)
【公開日】平成18年6月29日(2006.6.29)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−365346(P2005−365346)
【出願日】平成17年12月19日(2005.12.19)
【出願人】(390019839)三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Samsung Electronics Co.,Ltd.
【住所又は居所原語表記】416,Maetan−dong,Yeongtong−gu,Suwon−si Gyeonggi−do,Republic of Korea
【Fターム(参考)】