半導体発光素子及び半導体発光装置
【課題】反射層と基板との間への接着層の材料の移動を防止する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１００は、第１主面と第２主面とを備える透光性の基板１の第１主面上に、発光層３を有する半導体発光素子構造２０を有する半導体発光素子であって、第２主面上に、半導体発光素子構造２０の発光層３から放出された光を反射する反射層８と、反射層８の基板１と反対側の上面及び側面を被覆する絶縁層９と、絶縁層９の反射層８と反対側の上面に設けられた中間層１０及び接着層１１とを有し、反射層８を基板１と絶縁層９とによって隠蔽する。
【解決手段】 半導体発光素子１００は、第１主面と第２主面とを備える透光性の基板１の第１主面上に、発光層３を有する半導体発光素子構造２０を有する半導体発光素子であって、第２主面上に、半導体発光素子構造２０の発光層３から放出された光を反射する反射層８と、反射層８の基板１と反対側の上面及び側面を被覆する絶縁層９と、絶縁層９の反射層８と反対側の上面に設けられた中間層１０及び接着層１１とを有し、反射層８を基板１と絶縁層９とによって隠蔽する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透光性基板の主面上に半導体発光素子構造を有するとともに、透光性基板の反対面に反射層を有する半導体発光素子及びその半導体発光素子を備えた半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
透光性基板上に発光層を有する半導体発光素子構造を設けた半導体発光素子において、透光性基板の裏面側に反射層を設けて、基板側に進行した光を反射させ、半導体発光素子構造の表面側から光を放射する構造の半導体発光素子が種々提案されている。
【０００３】
例えば、基板の裏面の全面に反射層を設けた半導体発光素子が、特許文献１（段落００１５〜段落００２２，図１，図２）、特許文献２（段落００２５〜段落００２９、図１）に記載されている。また、基板の裏面の一部に反射層を設けた半導体発光素子が、特許文献３（段落００１３〜段落００１８、図１）、特許文献４（段落００１５、図５）、特許文献５（段落００３５〜段落００３８、図２）に記載されている。
【０００４】
更に、基板の裏面側に、金属からなる反射層とその他の層が積層された半導体発光素子が、特許文献６（段落００５９〜段落００６０、図８）、特許文献７（段落００１８〜段落００２４、図１）、特許文献８（段落００１５〜段落００２０、図１）、特許文献９（段落００２８〜段落００３１、図１）、特許文献１０（段落００１５〜段落００２３、図１）、特許文献１１（段落００２１〜段落００３１、図１）に記載されている。
そして、このような半導体発光素子において、透光性基板の裏面側における反射層の更に上面側に接着層を設け、この接着層によって実装基板に接合する実装方法がある。
【０００５】
従来は、これらの半導体発光素子を実装基板に実装する場合、Ａｕ−Ｓｎなどの接着材料を用いて接合するが（例えば、前記した特許文献７、特許文献９参照）、半導体発光素子の基板裏面に反射層を設ける場合、反射層の側面を伝って反射層と基板との界面に接着材料のＡｕ−Ｓｎの一部が移動してくる。
【０００６】
ここで、図１３を参照してこの接着材料の移動について説明する。図１３は、従来技術による半導体発光素子において、接着材料が反射層と基板との界面に移動した様子を説明するための半導体発光素子の模式図であり、（ａ）は半導体発光素子を接着層側からみた模式的平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における模式的断面図である。
【０００７】
図１３において、従来技術による半導体発光素子２００は、透光性の基板１の一方の主面上に発光層３を有する半導体発光素子構造２０を設け、他方の主面、すなわち基板１の裏面上に反射層８と、絶縁層２０９と、中間層１０と、接着層１１とが積層されている。そして、接着層１１の材料が、反射層８の側面を伝い、接着材料若しくは接着材料と反射層８の材料との混合物などの析出物２０８ａが、反射層８と透光性の基板１との界面に析出する。
基板１との界面に移動した析出物２０８ａは発光層３からの光を吸収するため、半導体発光素子２００の発光出力が低下し、また配光特性が変わるという問題がある。
【０００８】
一方、多層膜を備えた半導体発光素子において、異なる材料で形成された膜の間で、膜材料の移動による影響を防止するため、バリア層を設ける方法がある。例えば、前記した特許文献１１には、反射層材料であるＡｇが、ＧａＮ基板に移動して半導体発光素子としての電子的及び化学的な影響を防止するために、反射層をＴｉＷＮ（窒化チタンタングステン）層及びＴｉＷ（チタンタングステン）層で被覆する半導体発光素子が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１０−２７０７５４号公報
【特許文献２】特開２００１−３３２７６２号公報
【特許文献３】特開平１０−１９００５４号公報
【特許文献４】特開平８−３２１１６号公報
【特許文献５】特開２００５−６４４２６号公報
【特許文献６】特開２００１−２８４６４２号公報
【特許文献７】特開２００８−１９２８２５号公報
【特許文献８】特開２００２−３４４０２０号公報
【特許文献９】特開２００５−７２１４８号公報
【特許文献１０】特開２００２−１９０６２０号公報
【特許文献１１】特開２００８−４７９２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、反射層に対してこのような構成を適用しても、接着層からの材料の移動を完全に防ぐことはできなかった。
本発明はかかる課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、反射層と基板との間への接着層の材料の移動を防止する半導体発光素子及びその半導体発光素子を備えた半導体発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記した目的を達成するために、請求項１に記載の半導体発光素子は、第１主面と第２主面とを備える透光性基板の第１主面上に、少なくとも発光層を有する半導体発光素子構造を有する半導体発光素子であって、反射層と絶縁層と接着層とを有する構成とした。
【００１２】
かかる構成によれば、半導体発光素子は、第２主面上に設けられた半導体発光素子構造の発光層から放出された光を反射する反射層の透光性基板と反対側の上面及び側面を、絶縁層によって被覆する。そして、半導体発光素子は、絶縁層の透光性基板と反対側の上面に設けられた接着層によって、実装基板と接合する。
これによって、基板と絶縁層とによって反射層を隠蔽する。
【００１３】
請求項２に記載の半導体発光素子は、請求項１に記載の半導体発光素子において、反射層を、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｒｈ及びＰｔから選択される何れか一種からなる材料によって構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、これらの金属材料によって形成される反射層によって、発光層から下方に放出される光を反射して上方に偏向する。
【００１４】
請求項３に記載の半導体発光素子は、請求項１又は請求項２に記載の半導体発光素子において、接着層は、Ａｕ−Ｓｎ又はＰｄ−Ｓｎからなる材料によって構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、これらの金属材料によって形成される接着層を接着剤として、熱圧着などによって実装基板に接合する。
【００１５】
請求項４に記載の半導体発光素子は、請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の半導体発光素子において、絶縁層は、金属酸化物からなる材料で構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、金属酸化物からなる絶縁材料によって形成される絶縁膜によって、反射層を被覆する。
【００１６】
請求項５に記載の半導体発光素子は、請求項４に記載の半導体発光素子において、絶縁層は、ＳｉＯ２によって構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、絶縁材料であるＳｉＯ２によって形成される絶縁膜によって、反射層を被覆する。
【００１７】
請求項６に記載の半導体発光素子は、請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の半導体発光素子において、反射層と透光性基板との間に透光性層を有する構成とした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、発光層から下方に放出された光であって、透光性基板の屈折率と、透光性層の屈折率で定まる臨界角以上で入射した光を全反射して上方に偏向する。これによって、反射層に到達する光を低減する。
また、半導体発光素子は、透光性層と絶縁層とによって、反射層を隠蔽する。
【００１８】
請求項７に記載の半導体発光素子は、請求項６に記載の半導体発光素子において、透光性層は、金属酸化物からなる材料で構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、金属酸化物によって形成される透光性層によって、透光性基板の屈折率と、透光性層の屈折率で定まる臨界角以上で入射した光を全反射する。また、半導体発光素子は、金属酸化物で形成された透光性層と絶縁層とによって、反射層を隠蔽する。
【００１９】
請求項８に記載の半導体発光素子は、請求項６又は請求項７に記載の半導体発光素子において、透光性層と絶縁層とは、同じ材料で構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、透光性層と絶縁層とを形成する同一材料によって反射層を隠蔽する。
【００２０】
請求項９に記載の半導体発光素子は、請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の半導体発光素子において、絶縁層と接着層との間に応力緩和層を有する構成とした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、応力緩和層によって、反射層と接着層との間の応力を緩和する。
【００２１】
請求項１０に記載の半導体発光素子は、請求項９に記載の半導体発光素子において、応力緩和層は、Ｗ又はＷＮの少なくとも何れか一方を含む成分の材料で構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、Ｗ又はＷＮの少なくとも何れか一方を含む成分の材料で形成された応力緩和層によって、反射層と接着層との間の応力を緩和するとともに、接着層を構成する材料の移動を抑制する。
【００２２】
請求項１１に記載の半導体発光素子は、請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載の半導体発光素子において、透光性基板は、第２主面において露出部を有し、露出部と反射層との間に絶縁層を有するように構成した。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、絶縁層によって反射層の側面を被覆するとともに、発光層から下方に放出され、透光性基板を透過する光の一部を、露出部から半導体発光素子の外に取り出す。
【００２３】
請求項１２に記載の半導体発光素子は、請求項１１に記載の半導体発光素子において、露出部は絶縁層の外縁の外側に設けるように構成した。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、絶縁層の外縁の外側、すなわち透光性基板の第２主面の外周に設けられた露出部から、発光層から下方に放出され、透光性基板を透過する光の一部を半導体発光素子の外に取り出す。
【００２４】
請求項１３に記載の半導体発光装置は、請求項１乃至請求項１２の何れか一項に記載の半導体発光素子を備える構成とした。
かかる構成によれば、半導体発光装置は、半導体発光素子の接着層によって、反射層の上面と側面とを絶縁層によって被覆された半導体発光素子と実装基板とを接合する。
【００２５】
請求項１４に記載の半導体発光装置は、請求項１３に記載の半導体発光装置において、実装基板は、実装領域と反射領域とを有する構成とした。
かかる構成によれば、半導体発光装置は、実装基板の表面の実装領域に半導体発光素子を接着層によって接合し、半導体発光素子の外に取り出された光の一部を、実装基板表面の反射領域で反射し、観察方向に光を偏向する。
【００２６】
請求項１５に記載の半導体発光装置は、請求項１３又は請求項１４に記載の半導体発光装置において、半導体発光素子を覆うように蛍光体を含有する封止部材で封止するように構成した。
かかる構成によれば、半導体発光装置は、蛍光体によって波長変換をするとともに、封止部材によって、半導体発光素子を、外力や水分などから保護する。
【発明の効果】
【００２７】
請求項１に記載の発明によれば、反射層が絶縁層によって被覆されるため、接着層の材料が反射層に移動することが防止される。そのため、反射層が接着層の材料によって変色することがなく、発光層から放出される光を効率よく反射することができる。
請求項２に記載の発明によれば、反射層を、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｒｈ及びＰｔから選択される何れか一種からなる材料によって形成したため、反射層によって光を効率よく反射することができる。
【００２８】
請求項３に記載の発明によれば、接着層をＡｕ−Ｓｎ又はＰｄ−Ｓｎからなる材料によって形成したため、高い密着性で半導体発光素子と実装基板とを接合することができる。
請求項４に記載の発明によれば、金属酸化物からなる絶縁材料によって絶縁層を形成したため、絶縁性が高く、反射層の上面と側面とを好適に被覆することができる。
【００２９】
請求項５に記載の発明によれば、ＳｉＯ２によって絶縁膜を形成したため、絶縁性が高く、より好適に反射層の上面と側面とを被覆することができる。
請求項６に記載の発明によれば、透光性層によって光の一部を反射し、反射層に到達する光を低減するため、反射層へ到達する光を低減でき、特に金属材料を用いた場合の反射層における光の吸収による損失を低減できるため、光の半導体発光素子の外への取り出し効率を向上することができる。
【００３０】
請求項７に記載の発明によれば、金属酸化物によって透光性層を形成したため、透光性基板と透光性層との密着性がよく、透光性層が剥離し難いとともに、透光性層と透光性基板との界面での光の反射を効率よくすることができる。
請求項８に記載の発明によれば、透光性層と絶縁層とを同一の材料で形成したため、透光性層と絶縁層との接合性がよく、反射層をより良好に隠蔽することができ、良好に接着層の材料の移動を防ぐことができる。
【００３１】
請求項９に記載の発明によれば、応力緩和層によって、反射層と接着層との間の応力を緩和したため、反射層の透光性基板からの剥離を防止することができる。
請求項１０に記載の発明によれば、応力緩和層によって、反射層と接着層との間の応力を緩和したため、反射層の透光性基板からの剥離を防止するとともに、応力緩和層によって、接着層を構成する材料の反射層側への移動を抑制すため、反射層の変色をより良好に防止することができる。
【００３２】
請求項１１に記載した発明によれば、透光性基板を透過する光の一部を、露出部から半導体発光素子の外に取り出すようにしたため、半導体発光素子から外への光の取り出し効率を向上することができる。
請求項１２に記載の発明によれば、透光性基板の第２主面の外周に設けられた露出部から、透光性基板を透過する光の一部を半導体発光素子の外に取り出すようにしたため、透光性基板の側面から露出部が連続し、透光性基板の第２主面の露出部からの光取り出しと、透光性基板の側面からの光取り出しとが相乗して、より効率的に光を半導体発光素子の外に取り出すことができる。
【００３３】
請求項１３に記載の発明によれば、反射層の上面と側面とを絶縁層によって被覆された半導体発光素子を、接着層によって実装基板と接合するようにしたため、反射層が変色することなく、強固に実装基板と接合することができる。
請求項１４に記載の発明によれば、実装基板の表面の反射領域によって、半導体発光素子の外に取り出された光の一部を反射し、観察方向に光を偏向するようにしたため、半導体発光装置として、実効的な発光効率を向上することができる。
請求項１５に記載の発明によれば、蛍光体によって波長変換をするとともに、封止部材によって、半導体発光素子を、外力や水分などから保護するようにしたため、安定した波長と発光量の光を出力することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明に係る第１実施形態の半導体発光素子の構造を示す模式図であり、（ａ）は接着層側から見た模式的平面図であり、（ａ）は、（ｂ）のＡ−Ａ線における模式的断面図である。
【図２】本発明に係る第１実施形態のチップ化される前の半導体発光素子がウエハ上で形成された様子を示す模式的断面図である。
【図３】本発明に係る第１実施形態における半導体発光素子の製造方法において、反射層と絶縁層を形成する工程の変形例を説明するための模式的断面図であり、（ａ）は２種類のレジストによるマスクパターンを形成した様子を示す模式的断面図であり、（ｂ）は先細り部を有するレジストのマスクパターンを形成した様子を示す模式的断面図であり、（ｃ）は反射層を形成した様子を示す模式的断面図であり、（ｄ）は更に絶縁層を形成した様子を示す模式的断面図である。
【図４】本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第１の例を示す模式図であり、（ａ）は模式的断面図であり、（ｂ）は（ａ）において反射層が絶縁層と透光性層とによって隠蔽される様子を示す模式的断面図である。
【図５】本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第２の例を示す模式的断面図である。
【図６】本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第３の例を示す模式的断面図である。
【図７】本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第４の例を示す模式的断面図である。
【図８】本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第５の例を示す模式的断面図である。
【図９】本発明に係る第３実施形態における半導体発光装置の構造を示す模式的断面図である。
【図１０】従来技術による比較例１における半導体発光素子の構造を示す模式的断面図である。
【図１１】従来技術による比較例２における半導体発光素子の構造を示す模式的断面図である。
【図１２】従来技術による比較例３における半導体発光素子の構造を示す模式的断面図である。
【図１３】従来技術による半導体発光素子において、接着材料が反射層と基板との界面に移動した様子を説明するための半導体発光素子の模式図であり、（ａ）は半導体発光素子を接着層側から見た模式的平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の実施形態について、適宜図面を参照して説明する。
（第１実施形態）
＜構成＞
図１を参照して、第１実施形態の半導体発光素子１００の構成について説明する。第１実施形態にかかる半導体発光素子は、例えば、ＬＥＤ構造を有する発光素子である。
【００３６】
図１（ｂ）に示したように、第１実施形態の半導体発光素子１００は、透光性の基板１と、その基板１の一方の主面（これを第１主面とする）上に、発光層３を有する半導体発光素子構造２０が設けられている。半導体発光素子構造２０は、例えば、窒化物半導体からなるｎ型半導体層２と発光層３とｐ型半導体層４とを積層した半導体の積層構造を有し、ｐ型半導体層４の表面にはｐ側全面電極６とｐ側パッド電極７とが設けられている。また、半導体の積層構造の一部が除去され、ｎ型半導体層２が露出された露出面には、ｎ側電極５が設けられている。
【００３７】
基板１の他方の主面（すなわち第１主面の裏面であり、これを第２主面とする）上には、反射層８と絶縁層９と中間層１０と接着層１１とが順次積層された積層構造３０が設けられている。図１（ａ）、（ｂ）に示したように、絶縁層９は、反射層８の上面（基板１と反対側の面）及び側面を被覆するように設けられている。また、基板１の第２主面には、絶縁層９の外縁の外側に、基板面が露出した露出部１ａが設けられている。
【００３８】
引き続き、図１を参照して各部の構成について詳細に説明する。
（基板）
基板（透光性基板）１は、サファイアやＳｉＣなどからなる半導体発光素子を形成するための基板である。半導体として窒化物半導体を用いた半導体発光素子用の基板としては、サファイアからなる透光性の基板が好適である。
なお、本発明において、半導体発光素子構造２０は窒化物半導体を用いたものに限定されないが、基板１は、少なくとも半導体発光素子構造２０が発光する光の波長に対して透光性を有する材料からなる基板を用いる。
【００３９】
（半導体発光素子構造）
半導体発光素子構造２０は、基板１の第１主面上に設けられ、窒化物半導体からなるｎ型半導体層２と発光層３とｐ型半導体層４とを積層した積層構造と、この積層構造に電流を供給するためのｎ側電極５と、ｐ側全面電極６及びｐ側パッド電極７と、から構成されている。
【００４０】
なお、半導体発光素子構造２０は、少なくとも発光層を有し、より好適には基板１の第１主面上に第１導電型半導体、発光層及び第２導電型半導体がこの順に形成される。半導体発光素子構造２０の具体的な例として、基板１側から順に、ｎ型半導体層２、発光層３及びｐ型半導体層４が積層された構成を有する。例えば窒化物半導体であるＧａＮ系化合物半導体を用い、基板１の第１主面上に、バッファ層、マスク層、中間層等の下地層を介して、１〜２μｍ程度の厚さのｎ型半導体層２、５０〜１５０ｎｍ程度の厚さの発光層３、１００〜３００ｎｍ程度の厚さのｐ型半導体層４を形成する。各層は２層以上で構成されていてもよい。
また、電極と接触するコンタクト層、キャリアの閉じ込めを行うクラッド層等の機能を有する層を複数設けてもよい。
【００４１】
半導体層としては、具体例として後記する窒化ガリウム系化合物半導体の場合は、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）のものを用いることができる。また、これに加えて、ＩＩＩ族元素としてＢが一部に置換されたものを用いてもよいし、Ｖ族元素としてＮの一部をＰ、Ａｓで置換されたものを用いてもよい。ｎ型半導体層２は、ｎ型不純物としてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ、Ｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｄ等のＩＶ族元素又はＶＩ族元素等の何れか１つ以上を含有している。また、ｐ型半導体層４は、ｐ型不純物として、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｓｒ等を含有している。不純物は、例えば、１×１０１６〜１×１０２１／ｃｍ３程度の濃度範囲で含有されていることが好ましい。また、窒化ガリウム系化合物半導体以外に、ＧａＡｓ、ＧａＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＰ等を用いることもできる。
【００４２】
発光層３としては、ダブルへテロ構造の活性層を有する構成としてもよいし、ｎ型半導体層２とｐ型半導体層４との界面（ｐｎ接合面）を発光層とする半導体発光素子構造２０としてもよい。また、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造からなる活性層を形成してもよい。
【００４３】
なお、ｎ型半導体層２、発光層３及びｐ型半導体層４は、半導体発光素子として機能する構成であれば、例えば、第１導電型半導体をｐ型半導体とし、第２導電型半導体としてｎ型半導体とするなど、他のどのような構成を採用してもよい。
【００４４】
（ｎ側電極（負電極）、ｐ側全面電極及びｐ側パッド電極（正電極））
第１実施形態においては、ｎ側電極５はｎ型半導体層２と接触して形成され、ｐ側全面電極６はｐ型半導体層４と接触して形成される。ｎ側電極５は、半導体発光素子構造２０の上層の一部が除去されたｎ型半導体層２の露出面上に形成される。ｎ側電極５は、ｎ型半導体層２の露出面側から順にＷ、Ｐｔ、Ａｕが積層されてなる。なお、ｎ側電極５を構成する材料は、ｎ型半導体層２とオーミック接触することができる材料であれば、他の金属を組み合わせた積層物、合金等、他の材料を用いることもできる。
【００４５】
第１実施形態において、ｐ側全面電極６は、半導体の積層構造の最上層であるｐ型半導体層４の上端面上に形成される。ｐ側全面電極６は、ｐ型半導体層４の上端面の略全領域であって発光層３の略全領域に対応する領域に形成される透光性の導電性材料で構成される。
ｐ側パッド電極７は、ｐ側全面電極６の一部の面上に設けられ、半導体発光素子１００に電流を供給するためのＡｕワイヤ等の電流供給線と接続ずるためのパッド電極である。ｐ側パッド電極７は、ｎ側電極５と同様に、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ等を積層して形成することができる。
【００４６】
第１実施形態の半導体発光素子１００は、主として電極配置面側から光を取り出す構成であるため、ｐ側全面電極６が、発光層３から放出される光の波長において透光性を有することが好ましい。このような透光性と導電性とを兼ね備えた材料として、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、ｐ型半導体層４側から順にＮｉ、Ａｕを積層した金属薄膜、Ｎｉ、Ａｕの合金の薄膜等を用いることができるが、ｐ側全面電極６の材料は、ｐ型半導体層４と、オーミック接触できる材料であれば、他の金属を組み合わせた積層物、合金等の、前記した材料以外の材料を用いることもできる。
【００４７】
（第２主面上の積層構造）
基板１の第２主面上には、反射層８と絶縁層９と中間層１０と接着層１１とが順次積層された積層構造３０が設けられている。
【００４８】
反射層８は、半導体発光素子構造２０の発光層３から放出され、基板１を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。
反射層８としては、半導体発光素子構造２０から放出される光に対して反射率の高い金属材料を用いることが好ましく、Ａｌ、Ａｇを用いることができる。
【００４９】
絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆するように設けられ、接着層１１を構成する材料が積層構造３０の側面を伝って移動し、反射層８の基板１との界面に析出することを防止するための保護膜である。
反射層８の側面に設けられる絶縁層９は、少なくとも反射層８を覆うように形成されていればよく、側面方向に５ｎｍ以上の厚みとなるように形成するのが好ましい。
絶縁層９としては、絶縁性の高い材料が好ましく、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５などの金属酸化物を用いることができる。また基板１との密着性および反射層８との密着性の何れもが高い材料であることが好ましい。
【００５０】
接着層１１は、中間層１０の上面であって、基板１の第２主面の最上面（図１（ｂ）においては、半導体発光素子１００の最下部）に設けられ、不図示の実装基板に半導体発光素子１００を接合するための接着剤である。
接着層１１としては、Ａｕ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｓｎなどを用いることができるが、融点が低く安定性のよいＡｕ−Ｓｎが好ましい。
【００５１】
中間層（応力緩和層）１０は、絶縁層９を挟み、反射層８と接着層１１との間に設けられ、反射層８と接着層１１との間の応力を緩和するための応力緩和層である。
中間層１０は、必須の構成ではないが、反射層８と接着層１１との間に、反射層８と接着層１１との間の応力を緩和する応力緩和層を中間層１０として設けることが好ましい。これによって、反射層８の基板１からの剥離を防止することができる。この応力緩和層としての中間層１０は、少なくとも互いに種類の異なる第１の層と第２の層とを、交互に繰り返し積層することで好ましい応力緩和が得ることができる。また更に、積層するそれぞれの層の膜厚を異ならせるようにしてもよい。
【００５２】
第１の層及び第２の層として用いる材料は、金属材料やそれを窒化させた窒化物などが好ましい。特に窒化物からなる膜や、窒素を含有した金属材料を用いることで、第２の層はバリア層としても機能し、接着層１１を構成する材料が第２の層に移動して析出することを抑制することができる。
また第１の層は、反射層８と同一の材料を用いることが好ましい。具体的には、反射層８としてＡｌを用いる場合には、第１の層は、Ａｌ、ＡｌＮ、一部が窒化されたＡｌからなる材料の中から選択される材料を用いて形成することが応力緩和として好ましい。
加えて、第１の層を反射層８よりも薄い膜厚として、第１の層と第２の層とを交互に繰り返し積層する構造とすることで、より好ましく応力緩和ができる。
更に、第１の層を反射層８よりも薄い膜厚として、かつ第２の層が反射層８から離れるにつれて膜厚が厚くなるように、第１の層と第２の層とを交互に繰り返し積層する構造とすることで最も好ましく応力緩和ができる。
また、第２の層としては、好ましくはＷ又はＷＮ、若しくはＷ及び一部が窒化されたＷを含む成分からなる材料から選択されることで、接着層１１を構成する材料が第２の層で析出することを良好に抑制することができる。
【００５３】
中間層１０は、応力緩和層のほかに、接着層１１が膜の内部を基板１側に移動し難くするためのバリア層を更に設けることもできる。バリア層としては、ＰｔやＷなどを用いることができ、接着層１１に接して設けることが好ましい。このバリア層は、接着層１１の、例えばＡｕと混ざり合うことがあるが、接着層１１に接して設けることで、接着層１１の材料がこのバリア層を越えて基板１側に設けられた絶縁層９や反射層８に移動することを防止できる。
【００５４】
これら応力緩和層とバリア層とを含む好ましい組み合わせとしては、反射層８と、絶縁層９と、中間層１０における応力緩和層としての一部が窒化されたＡｌとＷを繰り返し積層した多層膜と、中間層１０におけるバリア層としてのＰｔからなる膜と、接着層１１と、を順次積層した構成とすることができる。
【００５５】
基板１の第２主面の露出部１ａは、絶縁層９の外縁の外側に設けられ、露出部１ａから基板１を下方に透過してきた光を半導体発光素子１００の外に取り出すことができる。
また露出部１ａは、半導体発光素子１００の製造方法において、ウエハからチップ化する際の切断部とすることができる。ここで、図２を参照して、半導体発光素子１００の製造方法において、半導体発光素子１００がウエハからチップ化される様子について説明する。図２に示したように、チップ化される前の半導体発光素子１００は、基板１上で、切断部１ｂとなる領域を隔てて配列されている。
【００５６】
このとき基板１の第２主面側では、反射層８及び絶縁層９を含む積層構造３０は、切断部１ｂを含む露出部１ａを隔てて形成されている。すなわち、露出部１ａは、反射層８、絶縁層９及び他の層を有さない領域であるから、露出部１ａの一部を切断部１ｂとした場合に、反射層８や絶縁層９などへの切断による影響が少ないため、チップ化の歩留まりを高くすることができる。この露出部１ａは、図１（ａ）に示した第１実施形態のように、チップ化された個々の半導体発光素子１００における基板１の第２主面の外周のすべてに設けられていることが好ましいが、外周の一部に設けてもよく、また第２主面上の反射層８を含む積層構造３０の内側に設けてもよい。
反射層８での半導体発光素子構造２０の発光層３から放出される光の反射を効率よく得るためには、少なくとも発光層３と対向する位置には反射層８を設けることが好ましい。
【００５７】
また、半導体発光素子構造２０が、窒化物半導体を用いて、特に青色などの短波長の光を発光するとともに、接着層１１にＡｕを含む接着材料を用いる場合は、Ａｕは青色などの短波長側の光の吸収が大きいため、反射層８の基板１側にＡｕが析出すると、反射層８による反射率が低下するとともに配光特性に大きく影響する。従って、本発明は、このような半導体発光素子構造２０と接着層１１の組み合わせにおいて、特に有用である。
【００５８】
＜動作＞
次に、図１を参照して、第１実施形態における半導体発光素子１００の動作について説明する。
半導体発光素子１００は、ｐ側パッド電極７を正電極、ｎ側電極５を負電極として直流電源に接続することにより、半導体発光素子構造２０に対して順方向に電圧が印加され、発光層３からランダムな方向に光が放出される。発光層３から様々な方向に放出される光は、一部は半導体発光素子構造２０の上端面からｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、一部は半導体発光素子構造２０の側面から半導体発光素子１００の外に取り出される。また、発光層３から下方に放出された光は、一部は反射層８で反射され、上方に偏向されてｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、また一部は、基板１の第２主面の露出部１ａから半導体発光素子１００の外に取り出される。
【００５９】
＜製造方法＞
引き続き、図１及び図２を参照して、第１実施形態に係る半導体発光素子１００の製造方法について説明する。なお、第１実施形態では、図１に示す半導体発光素子１００が二次元的に配列されたウエハ状態で各工程が実施され、チップ状に分割された半導体発光素子１００が得られる。
【００６０】
第１実施形態に係る半導体発光素子１００の製造工程は、基板１の第１主面上に半導体発光素子構造を形成する工程と、基板１の第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程と、半導体発光素子チップに分割する工程と、を含む。
以下、各工程について順次説明する。
【００６１】
（第１主面上に半導体発光素子構造を形成する工程）
半導体発光素子構造を形成する工程は、基板１の第１主面上に、半導体の積層構造を形成する工程と、半導体の積層構造に電極を形成する工程とを含む。
【００６２】
（半導体の積層構造を形成する工程）
まず、基板１の第１主面上に、ＭＯＣＶＤ法等により、下地層を介して、ＳｉをドープしたＧａＮからなるｎ型半導体層２、ＩｎＧａＮからなる発光層３、ＭｇをドープしたＧａＮからなるｐ型半導体層４を順次積層し、窒化物半導体であるＧａＮ系化合物半導体からなる半導体の積層構造を形成する。
【００６３】
半導体層、特に窒化物半導体層の成長方法は、特に限定されないが、例示すればＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピキタシ法）など、半導体、窒化物半導体の成長法として知られている方法を用いることができる。特に、ＭＯＣＶＤは結晶性よく成長させることができるので好ましい。
【００６４】
（半導体の積層構造に電極を形成する形成する工程）
まず、エッチング等により、ｎ側電極５を設けるための半導体の積層構造のｎ型半導体層２を露出させた凹部を形成する。次に、この凹部の底面であるｎ型半導体層２の露出面にｎ側電極５を形成する。そして、ｐ型半導体層４上にｐ側全面電極６を形成し、更にｐ側全面電極６の一部にｐ側パッド電極７を形成する。
【００６５】
電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法等の公知の方法を用いることができる。ｎ側電極５として、ｎ型半導体層２側からＷ、Ｐｔ、Ａｕを順に積層し、ｐ側全面電極６としてＩＴＯを成膜し、ｐ側パッド電極７としては、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕを積層する。それぞれ所望の形状にパターニングすることによって第１実施形態の半導体発光素子構造２０の電極とすることができる。
なお、ｐ側パッド電極７とｎ側電極５とに同じ材料を用いる場合には、ｐ側パッド電極７とｎ側電極５とを同じ工程において形成することもできる。
【００６６】
（第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程）
第１主面上に半導体発光素子構造２０が形成されると、裏面である第２主面上に反射層を含む積層構造３０を形成する。
反射層を含む積層構造を形成する工程は、まず、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めて、露出部１ａとなる領域及び反射層８の側面の絶縁層９が形成される領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。次に、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料を成膜する。成膜後に、レジストを除去することにより所望の形状の反射層８が形成される。
【００６７】
次に、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めて、露出部１ａとなる領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。そして、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料で絶縁層９を積層する。このとき、反射層８の外縁の外側の、レジスト膜が設けられていない基板１の第２主面上には、絶縁層９が形成される。その結果、反射層８は、基板１の第２主面と絶縁層９とによって、全面が隠蔽される。
【００６８】
続いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、中間層１０を構成するＷ、ＷＮなどの材料で応力緩和層などの膜を積層する。中間層１０が多層膜構成である場合には、順次材料を変えた膜を積層し、中間層１０を形成する。
【００６９】
更に続けて、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｕ−ＳｎやＰｄ−Ｓｎなどの接着材料で接着層１１を積層する。
【００７０】
次に、レジスト膜を除去することにより、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めた露出部１ａが露出した半導体発光素子１００が形成される。
【００７１】
ここで、図３を参照して、反射層８及び絶縁層９を形成する工程を簡略化する手法について説明する。
図３（ａ）に示したように、まず、基板１の第２主面上に、互いに種類の異なるフォトレジストからなる第１レジスト５１と第２レジスト５２とによるマスクパターンを形成する。例えば、第１レジスト５１として、有機溶剤に可溶なフォトレジストを用い、第２レジスト５２として、アルカリ水溶液に可溶なフォトレジストを用いる。
【００７２】
次に、図３（ｂ）に示したように、有機溶剤を用いて第１レジスト５１を除去することにより、開口部５２ｂが先細りした先細り部５２ａを有する第２レジスト５２によるマスクパターンが残る。
【００７３】
次に、図３（ｃ）に示したように、先細り部５２ａを有する第２レジスト５２をマスクとして、Ａｌなどの反射材料をスパッタリングすることにより、第２レジスト５２の先細り部５２ａの一部を除去しながら、基板１上に反射層８が形成される。このとき、先細り部５２ａによって反射材料の積層領域が制限されるために、基板１の露出面１ｃを残しつつ、反射層８が形成される。
【００７４】
次に、図３（ｄ）に示したように、ＳｉＯ２などの絶縁材料をスパッタリングすることにより、第２レジスト５２の先細り部５２ａを更に除去しながら、絶縁材料によって絶縁層９が、反射層８の上面に積層するとともに、基板１の露出面１ｃ上にも積層する。その結果、反射層８の上面及び側面を被覆する絶縁層９を形成することができる。
更に、中間層１０、接着層１１を積層した後、第２レジスト５２を除去することにより、絶縁層９の外縁の外側に基板１の第２主面が露出し、露出部１ａ（図１参照）となる。
これによって、レジストマスクを形成及び除去する工程を低減することができる。
【００７５】
（半導体発光素子チップに分割する工程）
図１及び図２に戻って、説明を続ける。
基板１の第１主面上に半導体発光素子構造２０が形成され、第２主面上に反射層８、絶縁層９、中間層１０及び接着層１１を含む積層構造３０が形成されると、切断部１ｂを、ダイシング、スクライブなどによって切断し、個々の半導体発光素子１００をチップ状に分割する。
【００７６】
以上、説明した製造方法によって、図１に示した第１実施形態の半導体発光素子１００を製造することができる。なお、以上は、一実施形態に係る製造工程を順に説明するものであり、これに限定されるものではない。
【００７７】
（第２実施形態）
次に、図４乃至図８を参照して、第２実施形態における半導体発光素子１００の構成について説明する。例えば図４（ａ）に示したように、第２実施形態における半導体発光素子１００は、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００に対して、反射層８と基板１との間に透光性層１２を設けたことが異なる。図５乃至図８に示した半導体発光素子１００は、第２実施形態における他の構成例である。
なお、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００と同じ構成要素については、同じ符号を付して説明は適宜省略する。
【００７８】
（第１の例）
＜構成＞
図４（ａ）に示したように、第２実施形態の第１の例における半導体発光素子１００は、透光性の基板１と、その基板１の第１主面上に、発光層３を有する半導体発光素子構造２０が設けられている。基板１の第２主面上には、透光性層１２と反射層８と絶縁層９と中間層１０と接着層１１とが順次積層された積層構造３０が設けられている。図４（ｂ）にハッチングを施して示したように、反射層８は、透光性層１２と絶縁層９とによって、全面が被覆されている。また、基板１の第２主面には、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００と同様に、絶縁層９の外縁の外側に、基板面が露出した露出部１ａが設けられている。
【００７９】
透光性層１２は、第２主面側において、反射層８と基板１との間に設けられ、半導体発光素子構造２０の発光層３から放出される光に対して透光性を有する透過膜である。
発光層３からの光の多くはこの透光性層１２を通過し、反射層８で反射する。この透光性層１２を設けることで、発光層３からの光の一部はこの透光性層１２で反射することになる。また、基板１と透光性層１２との屈折率差に起因する全反射角を境にして、透光性層１２に入射する光は一部は基板１と透光性層１２との界面で反射し、一部は透過する。透光性層１２による光の反射によって、反射層８に到達する光の量が低減されるため、結果として反射層８を構成する金属によって吸収される光の量を減らすことができるとともに、透光性層１２と反射層８との両方で光を反射するため、半導体発光素子１００の外への光の取り出し効率を向上することができる。
【００８０】
透光性層１２としては、基板１との密着性がよく剥離しにくい材料が好ましく、金属酸化物などを用いることができる。例えば、基板１としてサファイア基板を用いた場合は、ＳｉＯ２などの単一層で構成することが好ましい。
透光性層１２は、絶縁層９と同一の材料を用いることが好ましく、製造工程の面からは同じ条件で成長させることができる。また、絶縁層９と同一の材料で構成することにより、図４（ｂ）にハッチングを施して示したように、透光性層１２と絶縁層９とを形成する同一材料によって、反射層８を隠蔽することができる。同一材料を用いることにより透光性層１２と絶縁層９とが強固に接合されるため、接着層１１を構成する材料の反射層８への移動を良好に防ぐことができる。
【００８１】
また、透光性層１２は基板１の第２主面上に、反射層８よりも狭い範囲に設けることも、同じ範囲に設けることも、広く設けることもできる。図４（ａ）に示した第２実施形態の第１の例は、透光性層１２を反射層８と同じ範囲に設けたものである。
【００８２】
反射層８は、透光性層１２の上面に設けられ、透光性層１２を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。
反射層８としては、半導体発光素子構造２０から放出される光に対して反射率の高い金属材料を用いることが好ましく、Ａｌ、Ａｇを用いることができる。
【００８３】
絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆するとともに、透光性層１２の側面まで被覆するように設けられ、接着層１１を構成する材料が側面を伝って移動し、反射層８の基板１側の面に析出することを防止するための保護膜である。
絶縁層９としては、絶縁性の高い材料が好ましく、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５などの金属酸化物を用いることができる。また基板１との密着性および反射層８との密着性の何れもが高い材料であることが好ましい。
【００８４】
中間層１０及び接着層１１は、第１実施形態と同様であるので説明は省略する。
【００８５】
＜動作＞
次に、図４を参照して、第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００の動作について説明する。
半導体発光素子１００は、ｐ側パッド電極７を正電極、ｎ側電極５を負電極として直流電源に接続することにより、半導体発光素子構造２０に対して順方向に電圧が印加され、発光層３からランダムな方向に光が放出される。発光層３から様々な方向に放出される光は、一部は半導体発光素子構造２０の上端面からｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、一部は半導体発光素子構造２０の側面から半導体発光素子１００の外に取り出される。また、発光層３から下方に放出された光は、一部は透光性層１２又は基板１と透光性層１２との界面で反射され、一部は透光性層１２を透過して反射層８で反射され、上方に偏向されてｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、また一部は、基板１の第２主面の露出部１ａから半導体発光素子１００の外に取り出される。
【００８６】
＜製造方法＞
続いて、図４を参照して、第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００の製造方法について説明する。なお、第１実施形態の半導体発光素子１００と同様の製造工程については、適宜説明を省略する。
【００８７】
基板１の第１主面上に設けられる半導体発光素子構造２０は、第１実施形態と同様の方法で製造できるので説明は省略する。
第１主面上に半導体発光素子構造２０が形成されると、裏面である第２主面上に反射層を含む積層構造３０を形成する。
第２実施形態における第１の例の反射層を含む積層構造を形成する工程は、まず、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めて、露出部１ａとなる領域及び反射層８の側面の絶縁層９が形成される領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。次に、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの透光性材料を成膜する。
【００８８】
続いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料で成膜する。成膜後に、レジストを除去することにより、同じ面積で積層された透光性層１２と反射層８とが形成される。
【００８９】
次に、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めて、露出部１ａとなる領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。そして、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料で絶縁層９を積層する。このとき、透光性層１２の外縁の外側の、レジスト膜が設けられていない基板１の第２主面上には、絶縁層９が形成される。その結果、反射層８は、透光性層１２と絶縁層９とによって全面が隠蔽される。
【００９０】
中間層１０及び接着層１１は、第１実施形態と同様にして製造できるため説明は省略する。また、半導体発光素子チップに分割する工程も、第１実施形態と同様であるので説明は省略する。
以上、説明した製造方法によって、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００を製造することができる。
【００９１】
（第２の例）
次に、図５を参照して、第２実施形態における第２の例の半導体発光素子１００について説明する。
図５に示したように、第２実施形態における第２の例の半導体発光素子１００は、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００とは、透光性層１２を、単一層に替えて、誘電体多層膜を用いることが異なる。
他の構成については、第１の例と同様であるので、説明は適宜省略する。
【００９２】
第２実施形態における第２の例の透光性層１２は、第２主面側において、反射層８と基板１との間に設けられ、異なる屈折率からなる２種類の透光性の誘電体層を交互に繰り返して積層した誘電体多層膜である。
透光性層１２として誘電体多層膜を用いることにより、透光性層１２によって、より効率よく光を反射することができる。
透光性層１２としては、例えば、屈折率の異なる金属酸化物を組み合わせて積層した誘電性多層膜を用いることができる。
【００９３】
第２実施形態における第２の例の半導体発光素子１００の動作は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、説明は省略する。
【００９４】
第２実施形態における第２の例の半導体発光素子１００の製造方法は、第２実施形態における第１の例の製造方法において、透光性層１２を製造する工程で、ＳｉＯ２などの単一材料で成膜することに替えて、屈折率の異なる２種類の金属酸化物などの透光性材料を、スパッタリング法などにより、交互に繰り返し成膜することによって形成することができる。
他の製造工程については、第２実施形態における第１の例の製造方法と同様であるので説明は省略する。
【００９５】
（第３の例）
次に、図６を参照して、第２実施形態における第３の例の半導体発光素子１００について説明する。
図６に示したように、第２実施形態における第３の例の半導体発光素子１００は、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００とは、透光性層１２を反射層８より広く設けたことと、第２主面側に露出部１ａ（図４参照）を設けないようにしたこととが異なる。
他の構成については、第１の例と同様であるので、説明は適宜省略する。
【００９６】
第２実施形態における第３の例の透光性層１２は、第２主面側において、反射層８と基板１との間であって、反射層８よりも広い範囲に設けられた透光性膜である。
第２実施形態における第１の例と同様に、透光性層１２は、絶縁層９と同一の材料を用いることが好ましく、製造工程の面からは同じ条件で成長させることができるとともに、透光性層１２と絶縁層９とが強固に接合されるため、反射層８の隠蔽性がよく、接着層１１を構成する材料の反射層８への移動を良好に防ぐことができる。
【００９７】
第３の例では、基板１の第２主面上に露出部１ａ（図４参照）を設けないようにした。これによって、ウエハ上に半導体発光素子１００をより多く形成できるため、ウエハの単位面積当たりの半導体発光素子１００の形成個数を多くすることができる。
なお、第１の例と同様に、基板１の第２主面に露出部１ａを設けるようにしてもよい。
【００９８】
反射層８は、透光性層１２の上面の、透光性層１２よりも狭い範囲に設けられ、透光性層１２を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。
反射層８としては、半導体発光素子構造２０から放出される光に対して反射率の高い金属材料を用いることが好ましく、Ａｌ、Ａｇを用いることができる。
【００９９】
絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆するとともに、透光性層１２の上面と接合し、絶縁層９と透光性層１２とによって反射層８を隠蔽するように設けられ、接着層１１を構成する材料が側面を伝って移動し、反射層８の基板１側の面に析出することを防止するための保護膜である。
【０１００】
その他の構成は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、説明は省略する。
また、第２実施形態における第３の例の半導体発光素子１００の動作は、第２実施形態における第１の例において、露出部１ａからの光取り出しがないこと以外は同様であるので、詳細な説明は省略する。
【０１０１】
第２実施形態における第３の例の半導体発光素子１００の製造方法は、第２実施形態における第１の例の製造方法において、基板１の第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程の一部が異なる。
【０１０２】
第２実施形態における第３の例の反射層を含む積層構造を形成する工程は、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの透光性材料を成膜する。
次に、反射層８を形成する領域以外をマスクするように、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。続いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料を成膜する。成膜後に、反射層８を形成するために設けたレジスト膜を除去することにより、透光性層１２の上面に、透光性層１２より狭い領域に積層された反射層８とが形成される。このとき、反射層８の外縁の外側の基板１の第２主面上には透光性層１２が延在している。
【０１０３】
次に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料で絶縁層９を積層する。これによって、透光性層１２の反射層８の外縁の外側と接合した絶縁層９が形成され、反射層８は、透光性層１２と絶縁層９とによって全面が隠蔽される。
【０１０４】
中間層１０及び接着層１１を、第１実施形態と同様にして成膜する。これによって、基板１にはチップ化前の半導体発光素子１００が配列して形成される。そして、各半導体発光素子１００の間をダイシング、スクライブなどによって切断し、個々の半導体発光素子１００をチップ状に分割する。
他の製造工程については、第２実施形態における第１の例の製造方法と同様であるので説明は省略する。
【０１０５】
（第４の例）
次に、図７を参照して、第２実施形態における第４の例の半導体発光素子１００について説明する。
図７に示したように、第２実施形態における第４の例の半導体発光素子１００は、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００とは、透光性層１２を反射層８より狭い範囲に設けたことが異なる。
他の構成については、第１の例と同様であるので、説明は適宜省略する。
【０１０６】
第２実施形態における第４の例の透光性層１２は、第２主面側において、反射層８と基板１との間であって、反射層８よりも狭い範囲に設けられる透光性膜である。
反射層８は、透光性層１２の上面に設けられ、透光性層１２を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。また、反射層８は透光性層１２を被覆し、反射層８の外縁部は基板１に接するように設けられている。
【０１０７】
絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆するように設けられており、絶縁層９の外縁部は基板１と接するように設けられている。すなわち、反射層８は、基板１と絶縁層９と透光性層１２とによって隠蔽される。これによって、接着層１１を構成する材料が側面を伝って移動し、反射層８の基板１側の面に析出することを防止することができる。
【０１０８】
その他の構成は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、説明は省略する。
また、第２実施形態における第４の例の半導体発光素子１００の動作は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【０１０９】
第２実施形態における第４の例の半導体発光素子１００の製造方法は、第２実施形態における第１の例の製造方法において、基板１の第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程の一部が異なる。
【０１１０】
第２実施形態における第４の例の反射層を含む積層構造を形成する工程は、まず、フォトリソグラフィ法により、透光性層１２が形成される領域以外をマスクするレジスト膜によるマスクパターンを設ける。次に、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの透光性材料を成膜する。成膜後にレジスト膜を除去することにより、所定の形状の透光性層１２が形成される。
【０１１１】
次に、フォトリソグラフィ法により、チップ化する際の切断部１ｂ（図２参照）となる領域を含めて、露出部１ａとなる領域及び反射層８の側面の絶縁層９が形成される領域に、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。続いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料を成膜する。成膜後に、レジストを除去することにより、透光性層１２を被覆する所定の形状の反射層８が形成される。
【０１１２】
次に、チップ化する際の切断部１ｂ（図２参照）となる領域を含めて、露出部１ａとなる領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。そして、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料で絶縁層９を積層する。このとき、反射層８の側面の外側の、レジスト膜が設けられていない基板１の第２主面上には、絶縁層９が形成される。その結果、反射層８は、基板１と絶縁層９と透光性層１２とによって、全面が隠蔽される。
【０１１３】
中間層１０及び接着層１１を、第２実施形態の第１の例と同様にして成膜する。これによって、基板１にはチップ化前の半導体発光素子１００が配列して形成される。その他の製造工程については、第２実施形態における第１の例の製造方法と同様であるので説明は省略する。
【０１１４】
（第５の例）
次に、図８を参照して、第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００について説明する。
図８に示したように、第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００は、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００とは、第２主面側に露出部１ａ（図４参照）を設けず、絶縁層９を、反射層８及び透光性層１２の側面を被覆するとともに、基板１の側面まで延在するように設けることが異なる。
他の構成については、第１の例と同様であるので、説明は適宜省略する。
【０１１５】
第２実施形態における第５の例の透光性層１２は、第２主面側において、第２主面の全面を被覆するように設けられている。
第２実施形態における第１の例と同様に、透光性層１２は、絶縁層９と同一の材料を用いることが好ましく、製造工程の面からは同じ条件で成長させることができるとともに、透光性層１２の側面と絶縁層９とが強固に接合されるため、反射層８の隠蔽性がよく、接着層１１を構成する材料の反射層８への移動を良好に防ぐことができる。
【０１１６】
反射層８は、透光性層１２の上面に設けられ、透光性層１２を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。反射層８は、透光性層１２の上面側の全面に積層される。
第２実施形態における第５の例では、反射層８と透光性層１２とは同じ範囲に設けるようにしたが、反射層８を透光性層１２より狭い範囲に設けるようにしてもよく、透光性層１２を反射層８より狭い範囲に設けるようにしてもよい。
【０１１７】
絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆すするとともに、透光性層１２の側面を被覆し、更に、基板１の側面の一部まで延在するように設けられる。これによって、反射層８は、絶縁層９と透光性層１２とによって隠蔽される。これに加えて、基板１の側面まで延在するように設けられた絶縁層９によって、接着層１１を構成する材料が積層構造３０の側面を伝って移動し、反射層８の基板１側の面に析出することを、より良好に防止することができる。
【０１１８】
その他の構成は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、説明は省略する。
また、第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００の動作は、第２実施形態における第１の例において、露出部１ａからの光取り出しがないこと以外は同様であるので、詳細な説明は省略する。
【０１１９】
第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００の製造方法は、第２実施形態における第１の例の製造方法において、基板１の第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程と半導体発光素子チップに分割する工程とが異なる。
【０１２０】
第２実施形態における第５の例の反射層を含む積層構造を形成する工程は、まず、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの透光性材料を成膜する。次に、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料を成膜する。
これによって、第２主面上に透光性層１２と反射層８とが積層構造が形成される。
【０１２１】
次に、各半導体発光素子１００の間をダイシング、スクライブなどによって切断し、個々の半導体発光素子１００をチップ状に分割する。
次に、チップ状に分割して基板１の側面が露出した半導体発光素子１００の第２主面側からスパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料を成膜することにより、反射層８の上面及び側面、透光性層１２の側面、並びに基板１の側面に絶縁層９を形成することができる。
【０１２２】
続けて、中間層１０と接着層１１とを、第２実施形態における第１の例と同様にして形成する。
これによって、第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００を製造することができる。
【０１２３】
なお、チップ状に分割したあとに、各半導体発光素子１００の第２主面側に効率的に絶縁膜を形成するために、例えば、前記した特許文献２（段落００４０〜段落００５１、図２〜図５参照）に記載された手法を応用することができる。
まず、チップ状に分割する前に粘着シートを用いて、基板１の第１主面側に形成されている半導体発光素子構造２０に貼付しておく。そして、チップ状に分割後に、粘着シートを２次元的に引き延ばすことにより、分割された半導体発光素子１００の間隔が広がり、各半導体発光素子１００の基板１の側面を露出させることができる。
【０１２４】
この状態で、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料を成膜することにより、反射層８の上面及び側面、透光性層１２の側面、並びに基板１の側面に絶縁層９を形成することができる。
【０１２５】
（半導体発光装置）
次に、図９を参照して、第３実施形態における半導体発光装置１１０について説明する。
図９に示したように、第３実施形態における半導体発光装置１１０は、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００と、リードフレーム１１１及び１１２と、ワイヤ１１３及び１１４と、封止部材１１５と、から構成されている。
【０１２６】
図９に示した第３実施形態における半導体発光装置１１０は、半導体発光素子１００は、外部から電流を供給するためのリードフレーム（実装基板）１１１のカップ状に形成された実装面である凹部１１１ａの底面（実装領域）１１１ｂに熱圧着によって接着層１１で固定されている。また、ｐ側パッド電極７及びｎ側電極５は、それぞれＡｕなどからなるワイヤ１１３、１１４で、半導体発光装置１１０の金属からなるリードフレーム１１１、１１２とそれぞれ接続されている。また、これらの部材は、砲弾型の封止部材１１５によって封止されている。
【０１２７】
また、リードフレーム１１１の凹部１１１ａの側面（反射領域）１１１ｃは開口部に向かって広がるように傾斜しており、半導体発光素子１００から横方向に放出された光を凹部１１１ａの開口部に向けて反射するようになっている。これによって、好適に光を取り出せる半導体発光装置１１０とすることができる。
【０１２８】
第３実施形態においては、実装基板としてリードフレーム１１１を用いたが、実装基板はこれに限定されるものではなく、半導体発光素子１００をボンディングするためのものであればよく、例えば、発光素子用や受光素子用のステム、平面実装用セラミック基板、プラスチック基板などを用いることができる。
具体的にはＡｌＮからなる実装基板を用いると放熱性が高い半導体発光装置１１０とすることができ好ましい。更に、半導体発光素子１００が実装される実装面は金属材料からなることが好ましい。これによって、半導体発光素子１００の外に取り出された光を反射し、好適に光を取り出すことができる。実装面に用いる金属材料は半導体発光素子１００の発光波長の光を高反射率で反射することのできる金属材料が好ましく、具体的にはＡｇ、Ａｌ、Ｒｈなどを用いることができる。また実装基板のうち、半導体発光素子１００が実装される領域以外の領域は、金属材料の表面を透光性の絶縁材料で被覆していることが更に好ましい。これによって、金属材料が変質することを抑制することができる。
【０１２９】
封止部材１１５は、半導体発光装置１１０を組み立てた後、基体の凹部に充填され、外力、水分等から半導体発光素子１００を保護し、水蒸気爆発や、半導体発光素子１００と封止部材１１５との剥がれによって生じる色調のずれ等の弊害を防ぐことができる。
封止部材１１５は、半導体発光素子１００からの光を効率よく取り出すために、光の透過性の高いものが好ましく、封止部材１１５として用いられる透光性材料の具体例としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂やアクリル樹脂、ユリア樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂やガラスなどが好適に用いられる。
【０１３０】
また、封止部材１１５に蛍光物質（蛍光体）を含有させることにより、半導体発光装置１１０の外部へ出射される光の波長を所望の波長に変換することができる。また、本発明の半導体発光装置１１０では、絶縁層９によって被覆された反射層８を設けた半導体発光押し１００を備えるため、接着層１１の金属材料が反射層８の基板１側の面に移動して析出することを防止できるため、半導体発光素子１００の発光特性が安定しており、より好適に前記した効果を得ることができる。
【０１３１】
なお、図９では、半導体発光装置として砲弾型の外観を有する半導体発光装置１１０を示したが、本発明の半導体発光装置はこれに限られるものではない。
また、半導体発光素子１００は、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００に替えて、図４乃至図８に示した第２実施形態における半導体発光素子１００を用いるようにしてもよい。
【０１３２】
続いて、図９を参照して、第３実施形態における半導体発光装置１１０の動作について説明する。
半導体発光素子１００は、リードフレーム１１１、１１２及びワイヤ１１３、１１４を介して、ｐ側パッド電極７を正電極、ｎ側電極５を負電極として直流電源に接続することにより、半導体発光素子構造２０に対して順方向に電圧が印加され、発光層３からランダムな方向に光が放出される。発光層３から様々な方向に放出される光は、一部は半導体発光素子構造２０の上端面からｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、一部は半導体発光素子構造２０の側面から半導体発光素子１００の外に取り出される。また、発光層３から下方に放出された光は、一部は反射層８で反射され、上方に偏向されてｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、また一部は、基板１の第２主面の露出部１ａから半導体発光素子１００の外に取り出される。
【０１３３】
半導体発光素子１００から上方（砲弾型の封止部材１１５の曲面の方向）に取り出された光は、砲弾型の封止部材１１５の曲面による集光作用により、更に上方に集光される。
また、半導体発光素子１００の側面又は第２主面に設けられた露出部１ａ（図１参照）から横方向乃至下方に取り出された光は、リードフレーム１１１の凹部１１１ａの側面１１１ｃ又は底面１１１ｂで反射され、上方に偏向される。上方に偏向された光は、砲弾型の封止部材１１５の曲面による集光作用により、更に上方に集光される。
【実施例】
【０１３４】
次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
サファイアからなるウエハ（基板）の主面上にｎ型窒化物半導体層、ＩｎＧａＮを含む活性層（発光層）、ｐ型窒化物半導体層を積層し、ｎ側電極を形成する領域のｐ型窒化物半導体層と活性層とｎ型窒化物半導体層の一部とを除去する。露出されたｎ型窒化物半導体層上にｎ側電極を、ｐ型窒化物半導体層上の全面に、ＩＴＯからなる透光性のｐ側全面電極を設け、更に、透光性のｐ側全面電極上の一部にｐ側パッド電極を設ける。
【０１３５】
サファイアからなる基板の窒化物半導体層を積層した主面（第１主面）と反対の主面（第２主面）上に、チップ化する際の切断部及び露出部となる部分にレジストを設ける。次に全面にＡｌを１２０ｎｍの膜厚で積層して反射層を形成する。形成したＡｌの反射層の外縁の外側のレジストを、チップ化する際の切断部及び露出面を残して除去する。次にＳｉＯ２を１００ｎｍの膜厚で積層して絶縁膜を形成し、続けてＴｉを３０ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍ積層して中間層を形成する。最後にＡｕ−Ｓｎを３５００ｎｍ積層して接着層を形成する。次にレジストを除去することでチップ化した際に露出部となる、基板面が露出したウエハが得られる。
サファイアからなる基板の露出した領域の切断部に沿って、レーザスクライブを行い、チップ化する。これによって、図１に示した第１実施形態の半導体発光素子が得られる。
【０１３６】
得られた半導体発光素子は、反射層のＡｌに、接着層のＡｕ−Ｓｎが移動することがなかった。またこれらの半導体発光素子を実装基板に接着層のＡｕ−Ｓｎを接着剤として接合して特性をみたところ、発光出力が高く、配光特性も良好である。
【０１３７】
（実施例２）
実施例１の製造工程において、Ａｌによる反射層を形成する前に、ＳｉＯ２を３００ｎｍ積層して透光性層を形成する。これによって、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子が得られる。
【０１３８】
得られた半導体発光素子は、反射層のＡｌに、接着層のＡｕ−Ｓｎが移動することがないとともに、実施例１と比べて、発光出力が３％向上した。また、これらの半導体発光素子を実装基板に接着層のＡｕ−Ｓｎを接着剤として接合して特性をみたところ、発光出力が高く、配光特性も良好である。
【０１３９】
（実施例３）
実施例１の製造工程において、Ｔｉに代えて、ＳｉＯ２を形成した後に、続けてＷを７５ｎｍ、Ａｌを５０ｎｍ、Ｗを１５０ｎｍ、Ａｌを５０ｎｍ、Ｗを４５０ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍ積層して中間層を形成し、最後にＡｕ−Ｓｎを３５００ｎｍ積層して接着層を形成する。
これによって、図１に示した第１実施形態の半導体発光素子が得られる。
【０１４０】
得られた半導体発光素子は、反射層のＡｌに、接着層のＡｕ−Ｓｎが移動することがないとともに、サファイアからなる基板と反射層との剥離をなくす半導体発光素子を得ることができた。また、これらの半導体発光素子を実装基板に接着層のＡｕ−Ｓｎを接着剤として接合して特性をみたところ、発光出力が高く、配光特性も良好である。
【０１４１】
（実施例４）
実施例１の製造工程において、図３に示した第１実施形態における製造方法の変形例によって、サファイアからなる基板上に開口部が先細りされた形状のレジストを形成する。次にスパッタリングによってＡｌを１２０ｎｍ積層して反射層を形成する。このときレジストの先細り部分も一部が除去され、Ａｌによる反射層が形成された領域とレジストが残っている領域との間にサファイアからなる基板の露出部が残される。ここで、更に、Ａｒイオンでスパッタリングしてレジストの先細り部を除去する。その後に、ＳｉＯ２を１００ｎｍ積層して絶縁層を形成し、Ｔｉを３０ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍ積層して中間層を形成し、最後にＡｕ−Ｓｎを３５００ｎｍ積層して接着層を形成する。
これによって、図１に示した第１実施形態の半導体発光素子が得られる。
【０１４２】
得られた半導体発光素子は、反射層のＡｌに、接着層のＡｕ−Ｓｎが移動することがなかった。また、これらの半導体発光素子を実装基板に接着層のＡｕ−Ｓｎを接着剤として接合して特性をみたところ、発光出力が高く、配光特性も良好である。
【０１４３】
（比較例１）
実施例１と同様にレジストを設け、反射層としてＡｌを１２０ｎｍ積層して形成し、Ａｌ上のサファイアからなる基板と反対側の面に絶縁層としてＳｉＯ２を１００ｎｍを積層して形成し、中間層としてＴｉを３０ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍを積層して形成し、接着層としてＡｕ−Ｓｎを３５００ｎｍ積層して形成する他は実施例１と同様にして半導体発光素子を作成する。
これによって、図１０に示した半導体発光素子が得られる。
図１０において、比較例１の半導体発光素子２００は、反射層８の側面が絶縁層２０９によって被覆されない積層構造２３０が形成される。
【０１４４】
得られた半導体発光素子を実装基板（図１０の４０参照）に実装したところ、少なくとも反射層のＡｌのサファイアからなる基板側の表面に、接着層のＡｕ及びＳｎの析出物（図１０の２０８ａ参照）が見られた。
実施例１に比べて、発光出力が２％低く、配光特性にＡｕ及びＳｎの析出による悪化が見られた。
Ａｌの反射層上に、ＳｉＯ２を更に厚く積層して絶縁層を形成しても同様にＡｕ及びＳｎの析出物が見られた。
【０１４５】
（比較例２）
比較例１の製造工程において、Ａｌの反射層を形成する前に、透光性層としてＳｉＯ２を３００ｎｍの膜厚で形成した。その他は比較例１と同様にして、図１１に示した半導体発光素子が得られる。
図１１において、比較例２の半導体発光素子２００は、透光性層１２と絶縁層２０９の間に積層され、反射層８の側面が絶縁層２０９によって被覆されない積層構造２３０が形成される。
【０１４６】
得られた半導体発光素子を実装基板（図１１の４０参照）に実装したところ、少なくとも反射層のＡｌのサファイアからなる基板側の表面、すなわち、透光性層のＳｉＯ２との界面にＡｕ及びＳｎの析出物（図１１の２０８ａ参照）が見られた。
【０１４７】
（比較例３）
比較例１の製造工程において、Ａｌの反射層を形成した後に、絶縁層の替わりにＷＮを１００ｎｍの膜厚でかつ、反射層の側面を覆うよう被覆層を形成する。その他は比較例１と同様にして図１２に示した半導体発光素子を作成する。
図１２において、比較例３の半導体発光素子２００は、Ａｌからなる反射層８の上面及び側面が、ＷＮからなる被覆層２１０によって被覆された積層構造２３０が形成される。
【０１４８】
得られた半導体発光素子を実装基板（図１２の４０参照）に実装したところ、少なくとも反射層のＡｌのサファイアからなる基板側の表面にＡｕ及びＳｎの析出物（図１２の２０８ａ参照）が見られた。
【符号の説明】
【０１４９】
１ 基板（透光性基板）
１ａ 露出部
１ｂ 切断部
２ ｎ型半導体層
３ 発光層
４ ｐ型半導体層
５ ｎ側電極
６ ｐ側全面電極
７ ｐ側パッド電極
８ 反射層
９ 絶縁層
１０ 中間層（応力緩和層）
１１ 接着層
１２ 透光性層
２０ 半導体発光素子構造
３０ 積層構造
１００ 半導体発光素子
１１０ 半導体発光装置
１１１ リードフレーム（実装基板）
１１１ａ 凹部
１１１ｂ 底面（実装領域）
１１１ｃ 側面（反射領域）
１１２ リードフレーム
１１３、１１４ ワイヤ
１１５ 封止部材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透光性基板の主面上に半導体発光素子構造を有するとともに、透光性基板の反対面に反射層を有する半導体発光素子及びその半導体発光素子を備えた半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
透光性基板上に発光層を有する半導体発光素子構造を設けた半導体発光素子において、透光性基板の裏面側に反射層を設けて、基板側に進行した光を反射させ、半導体発光素子構造の表面側から光を放射する構造の半導体発光素子が種々提案されている。
【０００３】
例えば、基板の裏面の全面に反射層を設けた半導体発光素子が、特許文献１（段落００１５〜段落００２２，図１，図２）、特許文献２（段落００２５〜段落００２９、図１）に記載されている。また、基板の裏面の一部に反射層を設けた半導体発光素子が、特許文献３（段落００１３〜段落００１８、図１）、特許文献４（段落００１５、図５）、特許文献５（段落００３５〜段落００３８、図２）に記載されている。
【０００４】
更に、基板の裏面側に、金属からなる反射層とその他の層が積層された半導体発光素子が、特許文献６（段落００５９〜段落００６０、図８）、特許文献７（段落００１８〜段落００２４、図１）、特許文献８（段落００１５〜段落００２０、図１）、特許文献９（段落００２８〜段落００３１、図１）、特許文献１０（段落００１５〜段落００２３、図１）、特許文献１１（段落００２１〜段落００３１、図１）に記載されている。
そして、このような半導体発光素子において、透光性基板の裏面側における反射層の更に上面側に接着層を設け、この接着層によって実装基板に接合する実装方法がある。
【０００５】
従来は、これらの半導体発光素子を実装基板に実装する場合、Ａｕ−Ｓｎなどの接着材料を用いて接合するが（例えば、前記した特許文献７、特許文献９参照）、半導体発光素子の基板裏面に反射層を設ける場合、反射層の側面を伝って反射層と基板との界面に接着材料のＡｕ−Ｓｎの一部が移動してくる。
【０００６】
ここで、図１３を参照してこの接着材料の移動について説明する。図１３は、従来技術による半導体発光素子において、接着材料が反射層と基板との界面に移動した様子を説明するための半導体発光素子の模式図であり、（ａ）は半導体発光素子を接着層側からみた模式的平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における模式的断面図である。
【０００７】
図１３において、従来技術による半導体発光素子２００は、透光性の基板１の一方の主面上に発光層３を有する半導体発光素子構造２０を設け、他方の主面、すなわち基板１の裏面上に反射層８と、絶縁層２０９と、中間層１０と、接着層１１とが積層されている。そして、接着層１１の材料が、反射層８の側面を伝い、接着材料若しくは接着材料と反射層８の材料との混合物などの析出物２０８ａが、反射層８と透光性の基板１との界面に析出する。
基板１との界面に移動した析出物２０８ａは発光層３からの光を吸収するため、半導体発光素子２００の発光出力が低下し、また配光特性が変わるという問題がある。
【０００８】
一方、多層膜を備えた半導体発光素子において、異なる材料で形成された膜の間で、膜材料の移動による影響を防止するため、バリア層を設ける方法がある。例えば、前記した特許文献１１には、反射層材料であるＡｇが、ＧａＮ基板に移動して半導体発光素子としての電子的及び化学的な影響を防止するために、反射層をＴｉＷＮ（窒化チタンタングステン）層及びＴｉＷ（チタンタングステン）層で被覆する半導体発光素子が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１０−２７０７５４号公報
【特許文献２】特開２００１−３３２７６２号公報
【特許文献３】特開平１０−１９００５４号公報
【特許文献４】特開平８−３２１１６号公報
【特許文献５】特開２００５−６４４２６号公報
【特許文献６】特開２００１−２８４６４２号公報
【特許文献７】特開２００８−１９２８２５号公報
【特許文献８】特開２００２−３４４０２０号公報
【特許文献９】特開２００５−７２１４８号公報
【特許文献１０】特開２００２−１９０６２０号公報
【特許文献１１】特開２００８−４７９２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、反射層に対してこのような構成を適用しても、接着層からの材料の移動を完全に防ぐことはできなかった。
本発明はかかる課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、反射層と基板との間への接着層の材料の移動を防止する半導体発光素子及びその半導体発光素子を備えた半導体発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記した目的を達成するために、請求項１に記載の半導体発光素子は、第１主面と第２主面とを備える透光性基板の第１主面上に、少なくとも発光層を有する半導体発光素子構造を有する半導体発光素子であって、反射層と絶縁層と接着層とを有する構成とした。
【００１２】
かかる構成によれば、半導体発光素子は、第２主面上に設けられた半導体発光素子構造の発光層から放出された光を反射する反射層の透光性基板と反対側の上面及び側面を、絶縁層によって被覆する。そして、半導体発光素子は、絶縁層の透光性基板と反対側の上面に設けられた接着層によって、実装基板と接合する。
これによって、基板と絶縁層とによって反射層を隠蔽する。
【００１３】
請求項２に記載の半導体発光素子は、請求項１に記載の半導体発光素子において、反射層を、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｒｈ及びＰｔから選択される何れか一種からなる材料によって構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、これらの金属材料によって形成される反射層によって、発光層から下方に放出される光を反射して上方に偏向する。
【００１４】
請求項３に記載の半導体発光素子は、請求項１又は請求項２に記載の半導体発光素子において、接着層は、Ａｕ−Ｓｎ又はＰｄ−Ｓｎからなる材料によって構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、これらの金属材料によって形成される接着層を接着剤として、熱圧着などによって実装基板に接合する。
【００１５】
請求項４に記載の半導体発光素子は、請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の半導体発光素子において、絶縁層は、金属酸化物からなる材料で構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、金属酸化物からなる絶縁材料によって形成される絶縁膜によって、反射層を被覆する。
【００１６】
請求項５に記載の半導体発光素子は、請求項４に記載の半導体発光素子において、絶縁層は、ＳｉＯ２によって構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、絶縁材料であるＳｉＯ２によって形成される絶縁膜によって、反射層を被覆する。
【００１７】
請求項６に記載の半導体発光素子は、請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の半導体発光素子において、反射層と透光性基板との間に透光性層を有する構成とした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、発光層から下方に放出された光であって、透光性基板の屈折率と、透光性層の屈折率で定まる臨界角以上で入射した光を全反射して上方に偏向する。これによって、反射層に到達する光を低減する。
また、半導体発光素子は、透光性層と絶縁層とによって、反射層を隠蔽する。
【００１８】
請求項７に記載の半導体発光素子は、請求項６に記載の半導体発光素子において、透光性層は、金属酸化物からなる材料で構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、金属酸化物によって形成される透光性層によって、透光性基板の屈折率と、透光性層の屈折率で定まる臨界角以上で入射した光を全反射する。また、半導体発光素子は、金属酸化物で形成された透光性層と絶縁層とによって、反射層を隠蔽する。
【００１９】
請求項８に記載の半導体発光素子は、請求項６又は請求項７に記載の半導体発光素子において、透光性層と絶縁層とは、同じ材料で構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、透光性層と絶縁層とを形成する同一材料によって反射層を隠蔽する。
【００２０】
請求項９に記載の半導体発光素子は、請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の半導体発光素子において、絶縁層と接着層との間に応力緩和層を有する構成とした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、応力緩和層によって、反射層と接着層との間の応力を緩和する。
【００２１】
請求項１０に記載の半導体発光素子は、請求項９に記載の半導体発光素子において、応力緩和層は、Ｗ又はＷＮの少なくとも何れか一方を含む成分の材料で構成することとした。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、Ｗ又はＷＮの少なくとも何れか一方を含む成分の材料で形成された応力緩和層によって、反射層と接着層との間の応力を緩和するとともに、接着層を構成する材料の移動を抑制する。
【００２２】
請求項１１に記載の半導体発光素子は、請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載の半導体発光素子において、透光性基板は、第２主面において露出部を有し、露出部と反射層との間に絶縁層を有するように構成した。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、絶縁層によって反射層の側面を被覆するとともに、発光層から下方に放出され、透光性基板を透過する光の一部を、露出部から半導体発光素子の外に取り出す。
【００２３】
請求項１２に記載の半導体発光素子は、請求項１１に記載の半導体発光素子において、露出部は絶縁層の外縁の外側に設けるように構成した。
かかる構成によれば、半導体発光素子は、絶縁層の外縁の外側、すなわち透光性基板の第２主面の外周に設けられた露出部から、発光層から下方に放出され、透光性基板を透過する光の一部を半導体発光素子の外に取り出す。
【００２４】
請求項１３に記載の半導体発光装置は、請求項１乃至請求項１２の何れか一項に記載の半導体発光素子を備える構成とした。
かかる構成によれば、半導体発光装置は、半導体発光素子の接着層によって、反射層の上面と側面とを絶縁層によって被覆された半導体発光素子と実装基板とを接合する。
【００２５】
請求項１４に記載の半導体発光装置は、請求項１３に記載の半導体発光装置において、実装基板は、実装領域と反射領域とを有する構成とした。
かかる構成によれば、半導体発光装置は、実装基板の表面の実装領域に半導体発光素子を接着層によって接合し、半導体発光素子の外に取り出された光の一部を、実装基板表面の反射領域で反射し、観察方向に光を偏向する。
【００２６】
請求項１５に記載の半導体発光装置は、請求項１３又は請求項１４に記載の半導体発光装置において、半導体発光素子を覆うように蛍光体を含有する封止部材で封止するように構成した。
かかる構成によれば、半導体発光装置は、蛍光体によって波長変換をするとともに、封止部材によって、半導体発光素子を、外力や水分などから保護する。
【発明の効果】
【００２７】
請求項１に記載の発明によれば、反射層が絶縁層によって被覆されるため、接着層の材料が反射層に移動することが防止される。そのため、反射層が接着層の材料によって変色することがなく、発光層から放出される光を効率よく反射することができる。
請求項２に記載の発明によれば、反射層を、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｒｈ及びＰｔから選択される何れか一種からなる材料によって形成したため、反射層によって光を効率よく反射することができる。
【００２８】
請求項３に記載の発明によれば、接着層をＡｕ−Ｓｎ又はＰｄ−Ｓｎからなる材料によって形成したため、高い密着性で半導体発光素子と実装基板とを接合することができる。
請求項４に記載の発明によれば、金属酸化物からなる絶縁材料によって絶縁層を形成したため、絶縁性が高く、反射層の上面と側面とを好適に被覆することができる。
【００２９】
請求項５に記載の発明によれば、ＳｉＯ２によって絶縁膜を形成したため、絶縁性が高く、より好適に反射層の上面と側面とを被覆することができる。
請求項６に記載の発明によれば、透光性層によって光の一部を反射し、反射層に到達する光を低減するため、反射層へ到達する光を低減でき、特に金属材料を用いた場合の反射層における光の吸収による損失を低減できるため、光の半導体発光素子の外への取り出し効率を向上することができる。
【００３０】
請求項７に記載の発明によれば、金属酸化物によって透光性層を形成したため、透光性基板と透光性層との密着性がよく、透光性層が剥離し難いとともに、透光性層と透光性基板との界面での光の反射を効率よくすることができる。
請求項８に記載の発明によれば、透光性層と絶縁層とを同一の材料で形成したため、透光性層と絶縁層との接合性がよく、反射層をより良好に隠蔽することができ、良好に接着層の材料の移動を防ぐことができる。
【００３１】
請求項９に記載の発明によれば、応力緩和層によって、反射層と接着層との間の応力を緩和したため、反射層の透光性基板からの剥離を防止することができる。
請求項１０に記載の発明によれば、応力緩和層によって、反射層と接着層との間の応力を緩和したため、反射層の透光性基板からの剥離を防止するとともに、応力緩和層によって、接着層を構成する材料の反射層側への移動を抑制すため、反射層の変色をより良好に防止することができる。
【００３２】
請求項１１に記載した発明によれば、透光性基板を透過する光の一部を、露出部から半導体発光素子の外に取り出すようにしたため、半導体発光素子から外への光の取り出し効率を向上することができる。
請求項１２に記載の発明によれば、透光性基板の第２主面の外周に設けられた露出部から、透光性基板を透過する光の一部を半導体発光素子の外に取り出すようにしたため、透光性基板の側面から露出部が連続し、透光性基板の第２主面の露出部からの光取り出しと、透光性基板の側面からの光取り出しとが相乗して、より効率的に光を半導体発光素子の外に取り出すことができる。
【００３３】
請求項１３に記載の発明によれば、反射層の上面と側面とを絶縁層によって被覆された半導体発光素子を、接着層によって実装基板と接合するようにしたため、反射層が変色することなく、強固に実装基板と接合することができる。
請求項１４に記載の発明によれば、実装基板の表面の反射領域によって、半導体発光素子の外に取り出された光の一部を反射し、観察方向に光を偏向するようにしたため、半導体発光装置として、実効的な発光効率を向上することができる。
請求項１５に記載の発明によれば、蛍光体によって波長変換をするとともに、封止部材によって、半導体発光素子を、外力や水分などから保護するようにしたため、安定した波長と発光量の光を出力することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明に係る第１実施形態の半導体発光素子の構造を示す模式図であり、（ａ）は接着層側から見た模式的平面図であり、（ａ）は、（ｂ）のＡ−Ａ線における模式的断面図である。
【図２】本発明に係る第１実施形態のチップ化される前の半導体発光素子がウエハ上で形成された様子を示す模式的断面図である。
【図３】本発明に係る第１実施形態における半導体発光素子の製造方法において、反射層と絶縁層を形成する工程の変形例を説明するための模式的断面図であり、（ａ）は２種類のレジストによるマスクパターンを形成した様子を示す模式的断面図であり、（ｂ）は先細り部を有するレジストのマスクパターンを形成した様子を示す模式的断面図であり、（ｃ）は反射層を形成した様子を示す模式的断面図であり、（ｄ）は更に絶縁層を形成した様子を示す模式的断面図である。
【図４】本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第１の例を示す模式図であり、（ａ）は模式的断面図であり、（ｂ）は（ａ）において反射層が絶縁層と透光性層とによって隠蔽される様子を示す模式的断面図である。
【図５】本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第２の例を示す模式的断面図である。
【図６】本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第３の例を示す模式的断面図である。
【図７】本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第４の例を示す模式的断面図である。
【図８】本発明に係る第２実施形態における半導体発光素子の構造の第５の例を示す模式的断面図である。
【図９】本発明に係る第３実施形態における半導体発光装置の構造を示す模式的断面図である。
【図１０】従来技術による比較例１における半導体発光素子の構造を示す模式的断面図である。
【図１１】従来技術による比較例２における半導体発光素子の構造を示す模式的断面図である。
【図１２】従来技術による比較例３における半導体発光素子の構造を示す模式的断面図である。
【図１３】従来技術による半導体発光素子において、接着材料が反射層と基板との界面に移動した様子を説明するための半導体発光素子の模式図であり、（ａ）は半導体発光素子を接着層側から見た模式的平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の実施形態について、適宜図面を参照して説明する。
（第１実施形態）
＜構成＞
図１を参照して、第１実施形態の半導体発光素子１００の構成について説明する。第１実施形態にかかる半導体発光素子は、例えば、ＬＥＤ構造を有する発光素子である。
【００３６】
図１（ｂ）に示したように、第１実施形態の半導体発光素子１００は、透光性の基板１と、その基板１の一方の主面（これを第１主面とする）上に、発光層３を有する半導体発光素子構造２０が設けられている。半導体発光素子構造２０は、例えば、窒化物半導体からなるｎ型半導体層２と発光層３とｐ型半導体層４とを積層した半導体の積層構造を有し、ｐ型半導体層４の表面にはｐ側全面電極６とｐ側パッド電極７とが設けられている。また、半導体の積層構造の一部が除去され、ｎ型半導体層２が露出された露出面には、ｎ側電極５が設けられている。
【００３７】
基板１の他方の主面（すなわち第１主面の裏面であり、これを第２主面とする）上には、反射層８と絶縁層９と中間層１０と接着層１１とが順次積層された積層構造３０が設けられている。図１（ａ）、（ｂ）に示したように、絶縁層９は、反射層８の上面（基板１と反対側の面）及び側面を被覆するように設けられている。また、基板１の第２主面には、絶縁層９の外縁の外側に、基板面が露出した露出部１ａが設けられている。
【００３８】
引き続き、図１を参照して各部の構成について詳細に説明する。
（基板）
基板（透光性基板）１は、サファイアやＳｉＣなどからなる半導体発光素子を形成するための基板である。半導体として窒化物半導体を用いた半導体発光素子用の基板としては、サファイアからなる透光性の基板が好適である。
なお、本発明において、半導体発光素子構造２０は窒化物半導体を用いたものに限定されないが、基板１は、少なくとも半導体発光素子構造２０が発光する光の波長に対して透光性を有する材料からなる基板を用いる。
【００３９】
（半導体発光素子構造）
半導体発光素子構造２０は、基板１の第１主面上に設けられ、窒化物半導体からなるｎ型半導体層２と発光層３とｐ型半導体層４とを積層した積層構造と、この積層構造に電流を供給するためのｎ側電極５と、ｐ側全面電極６及びｐ側パッド電極７と、から構成されている。
【００４０】
なお、半導体発光素子構造２０は、少なくとも発光層を有し、より好適には基板１の第１主面上に第１導電型半導体、発光層及び第２導電型半導体がこの順に形成される。半導体発光素子構造２０の具体的な例として、基板１側から順に、ｎ型半導体層２、発光層３及びｐ型半導体層４が積層された構成を有する。例えば窒化物半導体であるＧａＮ系化合物半導体を用い、基板１の第１主面上に、バッファ層、マスク層、中間層等の下地層を介して、１〜２μｍ程度の厚さのｎ型半導体層２、５０〜１５０ｎｍ程度の厚さの発光層３、１００〜３００ｎｍ程度の厚さのｐ型半導体層４を形成する。各層は２層以上で構成されていてもよい。
また、電極と接触するコンタクト層、キャリアの閉じ込めを行うクラッド層等の機能を有する層を複数設けてもよい。
【００４１】
半導体層としては、具体例として後記する窒化ガリウム系化合物半導体の場合は、一般式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）のものを用いることができる。また、これに加えて、ＩＩＩ族元素としてＢが一部に置換されたものを用いてもよいし、Ｖ族元素としてＮの一部をＰ、Ａｓで置換されたものを用いてもよい。ｎ型半導体層２は、ｎ型不純物としてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ、Ｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｄ等のＩＶ族元素又はＶＩ族元素等の何れか１つ以上を含有している。また、ｐ型半導体層４は、ｐ型不純物として、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｓｒ等を含有している。不純物は、例えば、１×１０１６〜１×１０２１／ｃｍ３程度の濃度範囲で含有されていることが好ましい。また、窒化ガリウム系化合物半導体以外に、ＧａＡｓ、ＧａＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＧａＰ等を用いることもできる。
【００４２】
発光層３としては、ダブルへテロ構造の活性層を有する構成としてもよいし、ｎ型半導体層２とｐ型半導体層４との界面（ｐｎ接合面）を発光層とする半導体発光素子構造２０としてもよい。また、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造からなる活性層を形成してもよい。
【００４３】
なお、ｎ型半導体層２、発光層３及びｐ型半導体層４は、半導体発光素子として機能する構成であれば、例えば、第１導電型半導体をｐ型半導体とし、第２導電型半導体としてｎ型半導体とするなど、他のどのような構成を採用してもよい。
【００４４】
（ｎ側電極（負電極）、ｐ側全面電極及びｐ側パッド電極（正電極））
第１実施形態においては、ｎ側電極５はｎ型半導体層２と接触して形成され、ｐ側全面電極６はｐ型半導体層４と接触して形成される。ｎ側電極５は、半導体発光素子構造２０の上層の一部が除去されたｎ型半導体層２の露出面上に形成される。ｎ側電極５は、ｎ型半導体層２の露出面側から順にＷ、Ｐｔ、Ａｕが積層されてなる。なお、ｎ側電極５を構成する材料は、ｎ型半導体層２とオーミック接触することができる材料であれば、他の金属を組み合わせた積層物、合金等、他の材料を用いることもできる。
【００４５】
第１実施形態において、ｐ側全面電極６は、半導体の積層構造の最上層であるｐ型半導体層４の上端面上に形成される。ｐ側全面電極６は、ｐ型半導体層４の上端面の略全領域であって発光層３の略全領域に対応する領域に形成される透光性の導電性材料で構成される。
ｐ側パッド電極７は、ｐ側全面電極６の一部の面上に設けられ、半導体発光素子１００に電流を供給するためのＡｕワイヤ等の電流供給線と接続ずるためのパッド電極である。ｐ側パッド電極７は、ｎ側電極５と同様に、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ等を積層して形成することができる。
【００４６】
第１実施形態の半導体発光素子１００は、主として電極配置面側から光を取り出す構成であるため、ｐ側全面電極６が、発光層３から放出される光の波長において透光性を有することが好ましい。このような透光性と導電性とを兼ね備えた材料として、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ、ｐ型半導体層４側から順にＮｉ、Ａｕを積層した金属薄膜、Ｎｉ、Ａｕの合金の薄膜等を用いることができるが、ｐ側全面電極６の材料は、ｐ型半導体層４と、オーミック接触できる材料であれば、他の金属を組み合わせた積層物、合金等の、前記した材料以外の材料を用いることもできる。
【００４７】
（第２主面上の積層構造）
基板１の第２主面上には、反射層８と絶縁層９と中間層１０と接着層１１とが順次積層された積層構造３０が設けられている。
【００４８】
反射層８は、半導体発光素子構造２０の発光層３から放出され、基板１を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。
反射層８としては、半導体発光素子構造２０から放出される光に対して反射率の高い金属材料を用いることが好ましく、Ａｌ、Ａｇを用いることができる。
【００４９】
絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆するように設けられ、接着層１１を構成する材料が積層構造３０の側面を伝って移動し、反射層８の基板１との界面に析出することを防止するための保護膜である。
反射層８の側面に設けられる絶縁層９は、少なくとも反射層８を覆うように形成されていればよく、側面方向に５ｎｍ以上の厚みとなるように形成するのが好ましい。
絶縁層９としては、絶縁性の高い材料が好ましく、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５などの金属酸化物を用いることができる。また基板１との密着性および反射層８との密着性の何れもが高い材料であることが好ましい。
【００５０】
接着層１１は、中間層１０の上面であって、基板１の第２主面の最上面（図１（ｂ）においては、半導体発光素子１００の最下部）に設けられ、不図示の実装基板に半導体発光素子１００を接合するための接着剤である。
接着層１１としては、Ａｕ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｓｎなどを用いることができるが、融点が低く安定性のよいＡｕ−Ｓｎが好ましい。
【００５１】
中間層（応力緩和層）１０は、絶縁層９を挟み、反射層８と接着層１１との間に設けられ、反射層８と接着層１１との間の応力を緩和するための応力緩和層である。
中間層１０は、必須の構成ではないが、反射層８と接着層１１との間に、反射層８と接着層１１との間の応力を緩和する応力緩和層を中間層１０として設けることが好ましい。これによって、反射層８の基板１からの剥離を防止することができる。この応力緩和層としての中間層１０は、少なくとも互いに種類の異なる第１の層と第２の層とを、交互に繰り返し積層することで好ましい応力緩和が得ることができる。また更に、積層するそれぞれの層の膜厚を異ならせるようにしてもよい。
【００５２】
第１の層及び第２の層として用いる材料は、金属材料やそれを窒化させた窒化物などが好ましい。特に窒化物からなる膜や、窒素を含有した金属材料を用いることで、第２の層はバリア層としても機能し、接着層１１を構成する材料が第２の層に移動して析出することを抑制することができる。
また第１の層は、反射層８と同一の材料を用いることが好ましい。具体的には、反射層８としてＡｌを用いる場合には、第１の層は、Ａｌ、ＡｌＮ、一部が窒化されたＡｌからなる材料の中から選択される材料を用いて形成することが応力緩和として好ましい。
加えて、第１の層を反射層８よりも薄い膜厚として、第１の層と第２の層とを交互に繰り返し積層する構造とすることで、より好ましく応力緩和ができる。
更に、第１の層を反射層８よりも薄い膜厚として、かつ第２の層が反射層８から離れるにつれて膜厚が厚くなるように、第１の層と第２の層とを交互に繰り返し積層する構造とすることで最も好ましく応力緩和ができる。
また、第２の層としては、好ましくはＷ又はＷＮ、若しくはＷ及び一部が窒化されたＷを含む成分からなる材料から選択されることで、接着層１１を構成する材料が第２の層で析出することを良好に抑制することができる。
【００５３】
中間層１０は、応力緩和層のほかに、接着層１１が膜の内部を基板１側に移動し難くするためのバリア層を更に設けることもできる。バリア層としては、ＰｔやＷなどを用いることができ、接着層１１に接して設けることが好ましい。このバリア層は、接着層１１の、例えばＡｕと混ざり合うことがあるが、接着層１１に接して設けることで、接着層１１の材料がこのバリア層を越えて基板１側に設けられた絶縁層９や反射層８に移動することを防止できる。
【００５４】
これら応力緩和層とバリア層とを含む好ましい組み合わせとしては、反射層８と、絶縁層９と、中間層１０における応力緩和層としての一部が窒化されたＡｌとＷを繰り返し積層した多層膜と、中間層１０におけるバリア層としてのＰｔからなる膜と、接着層１１と、を順次積層した構成とすることができる。
【００５５】
基板１の第２主面の露出部１ａは、絶縁層９の外縁の外側に設けられ、露出部１ａから基板１を下方に透過してきた光を半導体発光素子１００の外に取り出すことができる。
また露出部１ａは、半導体発光素子１００の製造方法において、ウエハからチップ化する際の切断部とすることができる。ここで、図２を参照して、半導体発光素子１００の製造方法において、半導体発光素子１００がウエハからチップ化される様子について説明する。図２に示したように、チップ化される前の半導体発光素子１００は、基板１上で、切断部１ｂとなる領域を隔てて配列されている。
【００５６】
このとき基板１の第２主面側では、反射層８及び絶縁層９を含む積層構造３０は、切断部１ｂを含む露出部１ａを隔てて形成されている。すなわち、露出部１ａは、反射層８、絶縁層９及び他の層を有さない領域であるから、露出部１ａの一部を切断部１ｂとした場合に、反射層８や絶縁層９などへの切断による影響が少ないため、チップ化の歩留まりを高くすることができる。この露出部１ａは、図１（ａ）に示した第１実施形態のように、チップ化された個々の半導体発光素子１００における基板１の第２主面の外周のすべてに設けられていることが好ましいが、外周の一部に設けてもよく、また第２主面上の反射層８を含む積層構造３０の内側に設けてもよい。
反射層８での半導体発光素子構造２０の発光層３から放出される光の反射を効率よく得るためには、少なくとも発光層３と対向する位置には反射層８を設けることが好ましい。
【００５７】
また、半導体発光素子構造２０が、窒化物半導体を用いて、特に青色などの短波長の光を発光するとともに、接着層１１にＡｕを含む接着材料を用いる場合は、Ａｕは青色などの短波長側の光の吸収が大きいため、反射層８の基板１側にＡｕが析出すると、反射層８による反射率が低下するとともに配光特性に大きく影響する。従って、本発明は、このような半導体発光素子構造２０と接着層１１の組み合わせにおいて、特に有用である。
【００５８】
＜動作＞
次に、図１を参照して、第１実施形態における半導体発光素子１００の動作について説明する。
半導体発光素子１００は、ｐ側パッド電極７を正電極、ｎ側電極５を負電極として直流電源に接続することにより、半導体発光素子構造２０に対して順方向に電圧が印加され、発光層３からランダムな方向に光が放出される。発光層３から様々な方向に放出される光は、一部は半導体発光素子構造２０の上端面からｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、一部は半導体発光素子構造２０の側面から半導体発光素子１００の外に取り出される。また、発光層３から下方に放出された光は、一部は反射層８で反射され、上方に偏向されてｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、また一部は、基板１の第２主面の露出部１ａから半導体発光素子１００の外に取り出される。
【００５９】
＜製造方法＞
引き続き、図１及び図２を参照して、第１実施形態に係る半導体発光素子１００の製造方法について説明する。なお、第１実施形態では、図１に示す半導体発光素子１００が二次元的に配列されたウエハ状態で各工程が実施され、チップ状に分割された半導体発光素子１００が得られる。
【００６０】
第１実施形態に係る半導体発光素子１００の製造工程は、基板１の第１主面上に半導体発光素子構造を形成する工程と、基板１の第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程と、半導体発光素子チップに分割する工程と、を含む。
以下、各工程について順次説明する。
【００６１】
（第１主面上に半導体発光素子構造を形成する工程）
半導体発光素子構造を形成する工程は、基板１の第１主面上に、半導体の積層構造を形成する工程と、半導体の積層構造に電極を形成する工程とを含む。
【００６２】
（半導体の積層構造を形成する工程）
まず、基板１の第１主面上に、ＭＯＣＶＤ法等により、下地層を介して、ＳｉをドープしたＧａＮからなるｎ型半導体層２、ＩｎＧａＮからなる発光層３、ＭｇをドープしたＧａＮからなるｐ型半導体層４を順次積層し、窒化物半導体であるＧａＮ系化合物半導体からなる半導体の積層構造を形成する。
【００６３】
半導体層、特に窒化物半導体層の成長方法は、特に限定されないが、例示すればＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピキタシ法）など、半導体、窒化物半導体の成長法として知られている方法を用いることができる。特に、ＭＯＣＶＤは結晶性よく成長させることができるので好ましい。
【００６４】
（半導体の積層構造に電極を形成する形成する工程）
まず、エッチング等により、ｎ側電極５を設けるための半導体の積層構造のｎ型半導体層２を露出させた凹部を形成する。次に、この凹部の底面であるｎ型半導体層２の露出面にｎ側電極５を形成する。そして、ｐ型半導体層４上にｐ側全面電極６を形成し、更にｐ側全面電極６の一部にｐ側パッド電極７を形成する。
【００６５】
電極の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法等の公知の方法を用いることができる。ｎ側電極５として、ｎ型半導体層２側からＷ、Ｐｔ、Ａｕを順に積層し、ｐ側全面電極６としてＩＴＯを成膜し、ｐ側パッド電極７としては、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕを積層する。それぞれ所望の形状にパターニングすることによって第１実施形態の半導体発光素子構造２０の電極とすることができる。
なお、ｐ側パッド電極７とｎ側電極５とに同じ材料を用いる場合には、ｐ側パッド電極７とｎ側電極５とを同じ工程において形成することもできる。
【００６６】
（第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程）
第１主面上に半導体発光素子構造２０が形成されると、裏面である第２主面上に反射層を含む積層構造３０を形成する。
反射層を含む積層構造を形成する工程は、まず、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めて、露出部１ａとなる領域及び反射層８の側面の絶縁層９が形成される領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。次に、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料を成膜する。成膜後に、レジストを除去することにより所望の形状の反射層８が形成される。
【００６７】
次に、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めて、露出部１ａとなる領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。そして、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料で絶縁層９を積層する。このとき、反射層８の外縁の外側の、レジスト膜が設けられていない基板１の第２主面上には、絶縁層９が形成される。その結果、反射層８は、基板１の第２主面と絶縁層９とによって、全面が隠蔽される。
【００６８】
続いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、中間層１０を構成するＷ、ＷＮなどの材料で応力緩和層などの膜を積層する。中間層１０が多層膜構成である場合には、順次材料を変えた膜を積層し、中間層１０を形成する。
【００６９】
更に続けて、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｕ−ＳｎやＰｄ−Ｓｎなどの接着材料で接着層１１を積層する。
【００７０】
次に、レジスト膜を除去することにより、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めた露出部１ａが露出した半導体発光素子１００が形成される。
【００７１】
ここで、図３を参照して、反射層８及び絶縁層９を形成する工程を簡略化する手法について説明する。
図３（ａ）に示したように、まず、基板１の第２主面上に、互いに種類の異なるフォトレジストからなる第１レジスト５１と第２レジスト５２とによるマスクパターンを形成する。例えば、第１レジスト５１として、有機溶剤に可溶なフォトレジストを用い、第２レジスト５２として、アルカリ水溶液に可溶なフォトレジストを用いる。
【００７２】
次に、図３（ｂ）に示したように、有機溶剤を用いて第１レジスト５１を除去することにより、開口部５２ｂが先細りした先細り部５２ａを有する第２レジスト５２によるマスクパターンが残る。
【００７３】
次に、図３（ｃ）に示したように、先細り部５２ａを有する第２レジスト５２をマスクとして、Ａｌなどの反射材料をスパッタリングすることにより、第２レジスト５２の先細り部５２ａの一部を除去しながら、基板１上に反射層８が形成される。このとき、先細り部５２ａによって反射材料の積層領域が制限されるために、基板１の露出面１ｃを残しつつ、反射層８が形成される。
【００７４】
次に、図３（ｄ）に示したように、ＳｉＯ２などの絶縁材料をスパッタリングすることにより、第２レジスト５２の先細り部５２ａを更に除去しながら、絶縁材料によって絶縁層９が、反射層８の上面に積層するとともに、基板１の露出面１ｃ上にも積層する。その結果、反射層８の上面及び側面を被覆する絶縁層９を形成することができる。
更に、中間層１０、接着層１１を積層した後、第２レジスト５２を除去することにより、絶縁層９の外縁の外側に基板１の第２主面が露出し、露出部１ａ（図１参照）となる。
これによって、レジストマスクを形成及び除去する工程を低減することができる。
【００７５】
（半導体発光素子チップに分割する工程）
図１及び図２に戻って、説明を続ける。
基板１の第１主面上に半導体発光素子構造２０が形成され、第２主面上に反射層８、絶縁層９、中間層１０及び接着層１１を含む積層構造３０が形成されると、切断部１ｂを、ダイシング、スクライブなどによって切断し、個々の半導体発光素子１００をチップ状に分割する。
【００７６】
以上、説明した製造方法によって、図１に示した第１実施形態の半導体発光素子１００を製造することができる。なお、以上は、一実施形態に係る製造工程を順に説明するものであり、これに限定されるものではない。
【００７７】
（第２実施形態）
次に、図４乃至図８を参照して、第２実施形態における半導体発光素子１００の構成について説明する。例えば図４（ａ）に示したように、第２実施形態における半導体発光素子１００は、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００に対して、反射層８と基板１との間に透光性層１２を設けたことが異なる。図５乃至図８に示した半導体発光素子１００は、第２実施形態における他の構成例である。
なお、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００と同じ構成要素については、同じ符号を付して説明は適宜省略する。
【００７８】
（第１の例）
＜構成＞
図４（ａ）に示したように、第２実施形態の第１の例における半導体発光素子１００は、透光性の基板１と、その基板１の第１主面上に、発光層３を有する半導体発光素子構造２０が設けられている。基板１の第２主面上には、透光性層１２と反射層８と絶縁層９と中間層１０と接着層１１とが順次積層された積層構造３０が設けられている。図４（ｂ）にハッチングを施して示したように、反射層８は、透光性層１２と絶縁層９とによって、全面が被覆されている。また、基板１の第２主面には、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００と同様に、絶縁層９の外縁の外側に、基板面が露出した露出部１ａが設けられている。
【００７９】
透光性層１２は、第２主面側において、反射層８と基板１との間に設けられ、半導体発光素子構造２０の発光層３から放出される光に対して透光性を有する透過膜である。
発光層３からの光の多くはこの透光性層１２を通過し、反射層８で反射する。この透光性層１２を設けることで、発光層３からの光の一部はこの透光性層１２で反射することになる。また、基板１と透光性層１２との屈折率差に起因する全反射角を境にして、透光性層１２に入射する光は一部は基板１と透光性層１２との界面で反射し、一部は透過する。透光性層１２による光の反射によって、反射層８に到達する光の量が低減されるため、結果として反射層８を構成する金属によって吸収される光の量を減らすことができるとともに、透光性層１２と反射層８との両方で光を反射するため、半導体発光素子１００の外への光の取り出し効率を向上することができる。
【００８０】
透光性層１２としては、基板１との密着性がよく剥離しにくい材料が好ましく、金属酸化物などを用いることができる。例えば、基板１としてサファイア基板を用いた場合は、ＳｉＯ２などの単一層で構成することが好ましい。
透光性層１２は、絶縁層９と同一の材料を用いることが好ましく、製造工程の面からは同じ条件で成長させることができる。また、絶縁層９と同一の材料で構成することにより、図４（ｂ）にハッチングを施して示したように、透光性層１２と絶縁層９とを形成する同一材料によって、反射層８を隠蔽することができる。同一材料を用いることにより透光性層１２と絶縁層９とが強固に接合されるため、接着層１１を構成する材料の反射層８への移動を良好に防ぐことができる。
【００８１】
また、透光性層１２は基板１の第２主面上に、反射層８よりも狭い範囲に設けることも、同じ範囲に設けることも、広く設けることもできる。図４（ａ）に示した第２実施形態の第１の例は、透光性層１２を反射層８と同じ範囲に設けたものである。
【００８２】
反射層８は、透光性層１２の上面に設けられ、透光性層１２を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。
反射層８としては、半導体発光素子構造２０から放出される光に対して反射率の高い金属材料を用いることが好ましく、Ａｌ、Ａｇを用いることができる。
【００８３】
絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆するとともに、透光性層１２の側面まで被覆するように設けられ、接着層１１を構成する材料が側面を伝って移動し、反射層８の基板１側の面に析出することを防止するための保護膜である。
絶縁層９としては、絶縁性の高い材料が好ましく、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５などの金属酸化物を用いることができる。また基板１との密着性および反射層８との密着性の何れもが高い材料であることが好ましい。
【００８４】
中間層１０及び接着層１１は、第１実施形態と同様であるので説明は省略する。
【００８５】
＜動作＞
次に、図４を参照して、第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００の動作について説明する。
半導体発光素子１００は、ｐ側パッド電極７を正電極、ｎ側電極５を負電極として直流電源に接続することにより、半導体発光素子構造２０に対して順方向に電圧が印加され、発光層３からランダムな方向に光が放出される。発光層３から様々な方向に放出される光は、一部は半導体発光素子構造２０の上端面からｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、一部は半導体発光素子構造２０の側面から半導体発光素子１００の外に取り出される。また、発光層３から下方に放出された光は、一部は透光性層１２又は基板１と透光性層１２との界面で反射され、一部は透光性層１２を透過して反射層８で反射され、上方に偏向されてｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、また一部は、基板１の第２主面の露出部１ａから半導体発光素子１００の外に取り出される。
【００８６】
＜製造方法＞
続いて、図４を参照して、第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００の製造方法について説明する。なお、第１実施形態の半導体発光素子１００と同様の製造工程については、適宜説明を省略する。
【００８７】
基板１の第１主面上に設けられる半導体発光素子構造２０は、第１実施形態と同様の方法で製造できるので説明は省略する。
第１主面上に半導体発光素子構造２０が形成されると、裏面である第２主面上に反射層を含む積層構造３０を形成する。
第２実施形態における第１の例の反射層を含む積層構造を形成する工程は、まず、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めて、露出部１ａとなる領域及び反射層８の側面の絶縁層９が形成される領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。次に、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの透光性材料を成膜する。
【００８８】
続いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料で成膜する。成膜後に、レジストを除去することにより、同じ面積で積層された透光性層１２と反射層８とが形成される。
【００８９】
次に、チップ化する際の切断部１ｂとなる領域を含めて、露出部１ａとなる領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。そして、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料で絶縁層９を積層する。このとき、透光性層１２の外縁の外側の、レジスト膜が設けられていない基板１の第２主面上には、絶縁層９が形成される。その結果、反射層８は、透光性層１２と絶縁層９とによって全面が隠蔽される。
【００９０】
中間層１０及び接着層１１は、第１実施形態と同様にして製造できるため説明は省略する。また、半導体発光素子チップに分割する工程も、第１実施形態と同様であるので説明は省略する。
以上、説明した製造方法によって、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００を製造することができる。
【００９１】
（第２の例）
次に、図５を参照して、第２実施形態における第２の例の半導体発光素子１００について説明する。
図５に示したように、第２実施形態における第２の例の半導体発光素子１００は、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００とは、透光性層１２を、単一層に替えて、誘電体多層膜を用いることが異なる。
他の構成については、第１の例と同様であるので、説明は適宜省略する。
【００９２】
第２実施形態における第２の例の透光性層１２は、第２主面側において、反射層８と基板１との間に設けられ、異なる屈折率からなる２種類の透光性の誘電体層を交互に繰り返して積層した誘電体多層膜である。
透光性層１２として誘電体多層膜を用いることにより、透光性層１２によって、より効率よく光を反射することができる。
透光性層１２としては、例えば、屈折率の異なる金属酸化物を組み合わせて積層した誘電性多層膜を用いることができる。
【００９３】
第２実施形態における第２の例の半導体発光素子１００の動作は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、説明は省略する。
【００９４】
第２実施形態における第２の例の半導体発光素子１００の製造方法は、第２実施形態における第１の例の製造方法において、透光性層１２を製造する工程で、ＳｉＯ２などの単一材料で成膜することに替えて、屈折率の異なる２種類の金属酸化物などの透光性材料を、スパッタリング法などにより、交互に繰り返し成膜することによって形成することができる。
他の製造工程については、第２実施形態における第１の例の製造方法と同様であるので説明は省略する。
【００９５】
（第３の例）
次に、図６を参照して、第２実施形態における第３の例の半導体発光素子１００について説明する。
図６に示したように、第２実施形態における第３の例の半導体発光素子１００は、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００とは、透光性層１２を反射層８より広く設けたことと、第２主面側に露出部１ａ（図４参照）を設けないようにしたこととが異なる。
他の構成については、第１の例と同様であるので、説明は適宜省略する。
【００９６】
第２実施形態における第３の例の透光性層１２は、第２主面側において、反射層８と基板１との間であって、反射層８よりも広い範囲に設けられた透光性膜である。
第２実施形態における第１の例と同様に、透光性層１２は、絶縁層９と同一の材料を用いることが好ましく、製造工程の面からは同じ条件で成長させることができるとともに、透光性層１２と絶縁層９とが強固に接合されるため、反射層８の隠蔽性がよく、接着層１１を構成する材料の反射層８への移動を良好に防ぐことができる。
【００９７】
第３の例では、基板１の第２主面上に露出部１ａ（図４参照）を設けないようにした。これによって、ウエハ上に半導体発光素子１００をより多く形成できるため、ウエハの単位面積当たりの半導体発光素子１００の形成個数を多くすることができる。
なお、第１の例と同様に、基板１の第２主面に露出部１ａを設けるようにしてもよい。
【００９８】
反射層８は、透光性層１２の上面の、透光性層１２よりも狭い範囲に設けられ、透光性層１２を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。
反射層８としては、半導体発光素子構造２０から放出される光に対して反射率の高い金属材料を用いることが好ましく、Ａｌ、Ａｇを用いることができる。
【００９９】
絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆するとともに、透光性層１２の上面と接合し、絶縁層９と透光性層１２とによって反射層８を隠蔽するように設けられ、接着層１１を構成する材料が側面を伝って移動し、反射層８の基板１側の面に析出することを防止するための保護膜である。
【０１００】
その他の構成は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、説明は省略する。
また、第２実施形態における第３の例の半導体発光素子１００の動作は、第２実施形態における第１の例において、露出部１ａからの光取り出しがないこと以外は同様であるので、詳細な説明は省略する。
【０１０１】
第２実施形態における第３の例の半導体発光素子１００の製造方法は、第２実施形態における第１の例の製造方法において、基板１の第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程の一部が異なる。
【０１０２】
第２実施形態における第３の例の反射層を含む積層構造を形成する工程は、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの透光性材料を成膜する。
次に、反射層８を形成する領域以外をマスクするように、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。続いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料を成膜する。成膜後に、反射層８を形成するために設けたレジスト膜を除去することにより、透光性層１２の上面に、透光性層１２より狭い領域に積層された反射層８とが形成される。このとき、反射層８の外縁の外側の基板１の第２主面上には透光性層１２が延在している。
【０１０３】
次に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料で絶縁層９を積層する。これによって、透光性層１２の反射層８の外縁の外側と接合した絶縁層９が形成され、反射層８は、透光性層１２と絶縁層９とによって全面が隠蔽される。
【０１０４】
中間層１０及び接着層１１を、第１実施形態と同様にして成膜する。これによって、基板１にはチップ化前の半導体発光素子１００が配列して形成される。そして、各半導体発光素子１００の間をダイシング、スクライブなどによって切断し、個々の半導体発光素子１００をチップ状に分割する。
他の製造工程については、第２実施形態における第１の例の製造方法と同様であるので説明は省略する。
【０１０５】
（第４の例）
次に、図７を参照して、第２実施形態における第４の例の半導体発光素子１００について説明する。
図７に示したように、第２実施形態における第４の例の半導体発光素子１００は、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００とは、透光性層１２を反射層８より狭い範囲に設けたことが異なる。
他の構成については、第１の例と同様であるので、説明は適宜省略する。
【０１０６】
第２実施形態における第４の例の透光性層１２は、第２主面側において、反射層８と基板１との間であって、反射層８よりも狭い範囲に設けられる透光性膜である。
反射層８は、透光性層１２の上面に設けられ、透光性層１２を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。また、反射層８は透光性層１２を被覆し、反射層８の外縁部は基板１に接するように設けられている。
【０１０７】
絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆するように設けられており、絶縁層９の外縁部は基板１と接するように設けられている。すなわち、反射層８は、基板１と絶縁層９と透光性層１２とによって隠蔽される。これによって、接着層１１を構成する材料が側面を伝って移動し、反射層８の基板１側の面に析出することを防止することができる。
【０１０８】
その他の構成は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、説明は省略する。
また、第２実施形態における第４の例の半導体発光素子１００の動作は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【０１０９】
第２実施形態における第４の例の半導体発光素子１００の製造方法は、第２実施形態における第１の例の製造方法において、基板１の第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程の一部が異なる。
【０１１０】
第２実施形態における第４の例の反射層を含む積層構造を形成する工程は、まず、フォトリソグラフィ法により、透光性層１２が形成される領域以外をマスクするレジスト膜によるマスクパターンを設ける。次に、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの透光性材料を成膜する。成膜後にレジスト膜を除去することにより、所定の形状の透光性層１２が形成される。
【０１１１】
次に、フォトリソグラフィ法により、チップ化する際の切断部１ｂ（図２参照）となる領域を含めて、露出部１ａとなる領域及び反射層８の側面の絶縁層９が形成される領域に、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。続いて、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料を成膜する。成膜後に、レジストを除去することにより、透光性層１２を被覆する所定の形状の反射層８が形成される。
【０１１２】
次に、チップ化する際の切断部１ｂ（図２参照）となる領域を含めて、露出部１ａとなる領域に、フォトリソグラフィ法により、レジスト膜によるマスクパターンを設ける。そして、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料で絶縁層９を積層する。このとき、反射層８の側面の外側の、レジスト膜が設けられていない基板１の第２主面上には、絶縁層９が形成される。その結果、反射層８は、基板１と絶縁層９と透光性層１２とによって、全面が隠蔽される。
【０１１３】
中間層１０及び接着層１１を、第２実施形態の第１の例と同様にして成膜する。これによって、基板１にはチップ化前の半導体発光素子１００が配列して形成される。その他の製造工程については、第２実施形態における第１の例の製造方法と同様であるので説明は省略する。
【０１１４】
（第５の例）
次に、図８を参照して、第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００について説明する。
図８に示したように、第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００は、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子１００とは、第２主面側に露出部１ａ（図４参照）を設けず、絶縁層９を、反射層８及び透光性層１２の側面を被覆するとともに、基板１の側面まで延在するように設けることが異なる。
他の構成については、第１の例と同様であるので、説明は適宜省略する。
【０１１５】
第２実施形態における第５の例の透光性層１２は、第２主面側において、第２主面の全面を被覆するように設けられている。
第２実施形態における第１の例と同様に、透光性層１２は、絶縁層９と同一の材料を用いることが好ましく、製造工程の面からは同じ条件で成長させることができるとともに、透光性層１２の側面と絶縁層９とが強固に接合されるため、反射層８の隠蔽性がよく、接着層１１を構成する材料の反射層８への移動を良好に防ぐことができる。
【０１１６】
反射層８は、透光性層１２の上面に設けられ、透光性層１２を透過してきた光を上方に反射するための反射膜である。反射層８は、透光性層１２の上面側の全面に積層される。
第２実施形態における第５の例では、反射層８と透光性層１２とは同じ範囲に設けるようにしたが、反射層８を透光性層１２より狭い範囲に設けるようにしてもよく、透光性層１２を反射層８より狭い範囲に設けるようにしてもよい。
【０１１７】
絶縁層９は、反射層８の上面及び側面を被覆すするとともに、透光性層１２の側面を被覆し、更に、基板１の側面の一部まで延在するように設けられる。これによって、反射層８は、絶縁層９と透光性層１２とによって隠蔽される。これに加えて、基板１の側面まで延在するように設けられた絶縁層９によって、接着層１１を構成する材料が積層構造３０の側面を伝って移動し、反射層８の基板１側の面に析出することを、より良好に防止することができる。
【０１１８】
その他の構成は、第２実施形態における第１の例と同様であるので、説明は省略する。
また、第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００の動作は、第２実施形態における第１の例において、露出部１ａからの光取り出しがないこと以外は同様であるので、詳細な説明は省略する。
【０１１９】
第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００の製造方法は、第２実施形態における第１の例の製造方法において、基板１の第２主面上に反射層を含む積層構造を形成する工程と半導体発光素子チップに分割する工程とが異なる。
【０１２０】
第２実施形態における第５の例の反射層を含む積層構造を形成する工程は、まず、基板１の第２主面側の全面に、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの透光性材料を成膜する。次に、スパッタリング法や蒸着法などにより、Ａｌ、Ａｇなどの反射材料を成膜する。
これによって、第２主面上に透光性層１２と反射層８とが積層構造が形成される。
【０１２１】
次に、各半導体発光素子１００の間をダイシング、スクライブなどによって切断し、個々の半導体発光素子１００をチップ状に分割する。
次に、チップ状に分割して基板１の側面が露出した半導体発光素子１００の第２主面側からスパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料を成膜することにより、反射層８の上面及び側面、透光性層１２の側面、並びに基板１の側面に絶縁層９を形成することができる。
【０１２２】
続けて、中間層１０と接着層１１とを、第２実施形態における第１の例と同様にして形成する。
これによって、第２実施形態における第５の例の半導体発光素子１００を製造することができる。
【０１２３】
なお、チップ状に分割したあとに、各半導体発光素子１００の第２主面側に効率的に絶縁膜を形成するために、例えば、前記した特許文献２（段落００４０〜段落００５１、図２〜図５参照）に記載された手法を応用することができる。
まず、チップ状に分割する前に粘着シートを用いて、基板１の第１主面側に形成されている半導体発光素子構造２０に貼付しておく。そして、チップ状に分割後に、粘着シートを２次元的に引き延ばすことにより、分割された半導体発光素子１００の間隔が広がり、各半導体発光素子１００の基板１の側面を露出させることができる。
【０１２４】
この状態で、スパッタリング法などにより、ＳｉＯ２などの絶縁材料を成膜することにより、反射層８の上面及び側面、透光性層１２の側面、並びに基板１の側面に絶縁層９を形成することができる。
【０１２５】
（半導体発光装置）
次に、図９を参照して、第３実施形態における半導体発光装置１１０について説明する。
図９に示したように、第３実施形態における半導体発光装置１１０は、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００と、リードフレーム１１１及び１１２と、ワイヤ１１３及び１１４と、封止部材１１５と、から構成されている。
【０１２６】
図９に示した第３実施形態における半導体発光装置１１０は、半導体発光素子１００は、外部から電流を供給するためのリードフレーム（実装基板）１１１のカップ状に形成された実装面である凹部１１１ａの底面（実装領域）１１１ｂに熱圧着によって接着層１１で固定されている。また、ｐ側パッド電極７及びｎ側電極５は、それぞれＡｕなどからなるワイヤ１１３、１１４で、半導体発光装置１１０の金属からなるリードフレーム１１１、１１２とそれぞれ接続されている。また、これらの部材は、砲弾型の封止部材１１５によって封止されている。
【０１２７】
また、リードフレーム１１１の凹部１１１ａの側面（反射領域）１１１ｃは開口部に向かって広がるように傾斜しており、半導体発光素子１００から横方向に放出された光を凹部１１１ａの開口部に向けて反射するようになっている。これによって、好適に光を取り出せる半導体発光装置１１０とすることができる。
【０１２８】
第３実施形態においては、実装基板としてリードフレーム１１１を用いたが、実装基板はこれに限定されるものではなく、半導体発光素子１００をボンディングするためのものであればよく、例えば、発光素子用や受光素子用のステム、平面実装用セラミック基板、プラスチック基板などを用いることができる。
具体的にはＡｌＮからなる実装基板を用いると放熱性が高い半導体発光装置１１０とすることができ好ましい。更に、半導体発光素子１００が実装される実装面は金属材料からなることが好ましい。これによって、半導体発光素子１００の外に取り出された光を反射し、好適に光を取り出すことができる。実装面に用いる金属材料は半導体発光素子１００の発光波長の光を高反射率で反射することのできる金属材料が好ましく、具体的にはＡｇ、Ａｌ、Ｒｈなどを用いることができる。また実装基板のうち、半導体発光素子１００が実装される領域以外の領域は、金属材料の表面を透光性の絶縁材料で被覆していることが更に好ましい。これによって、金属材料が変質することを抑制することができる。
【０１２９】
封止部材１１５は、半導体発光装置１１０を組み立てた後、基体の凹部に充填され、外力、水分等から半導体発光素子１００を保護し、水蒸気爆発や、半導体発光素子１００と封止部材１１５との剥がれによって生じる色調のずれ等の弊害を防ぐことができる。
封止部材１１５は、半導体発光素子１００からの光を効率よく取り出すために、光の透過性の高いものが好ましく、封止部材１１５として用いられる透光性材料の具体例としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂やアクリル樹脂、ユリア樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂やガラスなどが好適に用いられる。
【０１３０】
また、封止部材１１５に蛍光物質（蛍光体）を含有させることにより、半導体発光装置１１０の外部へ出射される光の波長を所望の波長に変換することができる。また、本発明の半導体発光装置１１０では、絶縁層９によって被覆された反射層８を設けた半導体発光押し１００を備えるため、接着層１１の金属材料が反射層８の基板１側の面に移動して析出することを防止できるため、半導体発光素子１００の発光特性が安定しており、より好適に前記した効果を得ることができる。
【０１３１】
なお、図９では、半導体発光装置として砲弾型の外観を有する半導体発光装置１１０を示したが、本発明の半導体発光装置はこれに限られるものではない。
また、半導体発光素子１００は、図１に示した第１実施形態における半導体発光素子１００に替えて、図４乃至図８に示した第２実施形態における半導体発光素子１００を用いるようにしてもよい。
【０１３２】
続いて、図９を参照して、第３実施形態における半導体発光装置１１０の動作について説明する。
半導体発光素子１００は、リードフレーム１１１、１１２及びワイヤ１１３、１１４を介して、ｐ側パッド電極７を正電極、ｎ側電極５を負電極として直流電源に接続することにより、半導体発光素子構造２０に対して順方向に電圧が印加され、発光層３からランダムな方向に光が放出される。発光層３から様々な方向に放出される光は、一部は半導体発光素子構造２０の上端面からｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、一部は半導体発光素子構造２０の側面から半導体発光素子１００の外に取り出される。また、発光層３から下方に放出された光は、一部は反射層８で反射され、上方に偏向されてｐ側全面電極６を透過して半導体発光素子１００の外に取り出され、また一部は、基板１の第２主面の露出部１ａから半導体発光素子１００の外に取り出される。
【０１３３】
半導体発光素子１００から上方（砲弾型の封止部材１１５の曲面の方向）に取り出された光は、砲弾型の封止部材１１５の曲面による集光作用により、更に上方に集光される。
また、半導体発光素子１００の側面又は第２主面に設けられた露出部１ａ（図１参照）から横方向乃至下方に取り出された光は、リードフレーム１１１の凹部１１１ａの側面１１１ｃ又は底面１１１ｂで反射され、上方に偏向される。上方に偏向された光は、砲弾型の封止部材１１５の曲面による集光作用により、更に上方に集光される。
【実施例】
【０１３４】
次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
サファイアからなるウエハ（基板）の主面上にｎ型窒化物半導体層、ＩｎＧａＮを含む活性層（発光層）、ｐ型窒化物半導体層を積層し、ｎ側電極を形成する領域のｐ型窒化物半導体層と活性層とｎ型窒化物半導体層の一部とを除去する。露出されたｎ型窒化物半導体層上にｎ側電極を、ｐ型窒化物半導体層上の全面に、ＩＴＯからなる透光性のｐ側全面電極を設け、更に、透光性のｐ側全面電極上の一部にｐ側パッド電極を設ける。
【０１３５】
サファイアからなる基板の窒化物半導体層を積層した主面（第１主面）と反対の主面（第２主面）上に、チップ化する際の切断部及び露出部となる部分にレジストを設ける。次に全面にＡｌを１２０ｎｍの膜厚で積層して反射層を形成する。形成したＡｌの反射層の外縁の外側のレジストを、チップ化する際の切断部及び露出面を残して除去する。次にＳｉＯ２を１００ｎｍの膜厚で積層して絶縁膜を形成し、続けてＴｉを３０ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍ積層して中間層を形成する。最後にＡｕ−Ｓｎを３５００ｎｍ積層して接着層を形成する。次にレジストを除去することでチップ化した際に露出部となる、基板面が露出したウエハが得られる。
サファイアからなる基板の露出した領域の切断部に沿って、レーザスクライブを行い、チップ化する。これによって、図１に示した第１実施形態の半導体発光素子が得られる。
【０１３６】
得られた半導体発光素子は、反射層のＡｌに、接着層のＡｕ−Ｓｎが移動することがなかった。またこれらの半導体発光素子を実装基板に接着層のＡｕ−Ｓｎを接着剤として接合して特性をみたところ、発光出力が高く、配光特性も良好である。
【０１３７】
（実施例２）
実施例１の製造工程において、Ａｌによる反射層を形成する前に、ＳｉＯ２を３００ｎｍ積層して透光性層を形成する。これによって、図４に示した第２実施形態における第１の例の半導体発光素子が得られる。
【０１３８】
得られた半導体発光素子は、反射層のＡｌに、接着層のＡｕ−Ｓｎが移動することがないとともに、実施例１と比べて、発光出力が３％向上した。また、これらの半導体発光素子を実装基板に接着層のＡｕ−Ｓｎを接着剤として接合して特性をみたところ、発光出力が高く、配光特性も良好である。
【０１３９】
（実施例３）
実施例１の製造工程において、Ｔｉに代えて、ＳｉＯ２を形成した後に、続けてＷを７５ｎｍ、Ａｌを５０ｎｍ、Ｗを１５０ｎｍ、Ａｌを５０ｎｍ、Ｗを４５０ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍ積層して中間層を形成し、最後にＡｕ−Ｓｎを３５００ｎｍ積層して接着層を形成する。
これによって、図１に示した第１実施形態の半導体発光素子が得られる。
【０１４０】
得られた半導体発光素子は、反射層のＡｌに、接着層のＡｕ−Ｓｎが移動することがないとともに、サファイアからなる基板と反射層との剥離をなくす半導体発光素子を得ることができた。また、これらの半導体発光素子を実装基板に接着層のＡｕ−Ｓｎを接着剤として接合して特性をみたところ、発光出力が高く、配光特性も良好である。
【０１４１】
（実施例４）
実施例１の製造工程において、図３に示した第１実施形態における製造方法の変形例によって、サファイアからなる基板上に開口部が先細りされた形状のレジストを形成する。次にスパッタリングによってＡｌを１２０ｎｍ積層して反射層を形成する。このときレジストの先細り部分も一部が除去され、Ａｌによる反射層が形成された領域とレジストが残っている領域との間にサファイアからなる基板の露出部が残される。ここで、更に、Ａｒイオンでスパッタリングしてレジストの先細り部を除去する。その後に、ＳｉＯ２を１００ｎｍ積層して絶縁層を形成し、Ｔｉを３０ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍ積層して中間層を形成し、最後にＡｕ−Ｓｎを３５００ｎｍ積層して接着層を形成する。
これによって、図１に示した第１実施形態の半導体発光素子が得られる。
【０１４２】
得られた半導体発光素子は、反射層のＡｌに、接着層のＡｕ−Ｓｎが移動することがなかった。また、これらの半導体発光素子を実装基板に接着層のＡｕ−Ｓｎを接着剤として接合して特性をみたところ、発光出力が高く、配光特性も良好である。
【０１４３】
（比較例１）
実施例１と同様にレジストを設け、反射層としてＡｌを１２０ｎｍ積層して形成し、Ａｌ上のサファイアからなる基板と反対側の面に絶縁層としてＳｉＯ２を１００ｎｍを積層して形成し、中間層としてＴｉを３０ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍを積層して形成し、接着層としてＡｕ−Ｓｎを３５００ｎｍ積層して形成する他は実施例１と同様にして半導体発光素子を作成する。
これによって、図１０に示した半導体発光素子が得られる。
図１０において、比較例１の半導体発光素子２００は、反射層８の側面が絶縁層２０９によって被覆されない積層構造２３０が形成される。
【０１４４】
得られた半導体発光素子を実装基板（図１０の４０参照）に実装したところ、少なくとも反射層のＡｌのサファイアからなる基板側の表面に、接着層のＡｕ及びＳｎの析出物（図１０の２０８ａ参照）が見られた。
実施例１に比べて、発光出力が２％低く、配光特性にＡｕ及びＳｎの析出による悪化が見られた。
Ａｌの反射層上に、ＳｉＯ２を更に厚く積層して絶縁層を形成しても同様にＡｕ及びＳｎの析出物が見られた。
【０１４５】
（比較例２）
比較例１の製造工程において、Ａｌの反射層を形成する前に、透光性層としてＳｉＯ２を３００ｎｍの膜厚で形成した。その他は比較例１と同様にして、図１１に示した半導体発光素子が得られる。
図１１において、比較例２の半導体発光素子２００は、透光性層１２と絶縁層２０９の間に積層され、反射層８の側面が絶縁層２０９によって被覆されない積層構造２３０が形成される。
【０１４６】
得られた半導体発光素子を実装基板（図１１の４０参照）に実装したところ、少なくとも反射層のＡｌのサファイアからなる基板側の表面、すなわち、透光性層のＳｉＯ２との界面にＡｕ及びＳｎの析出物（図１１の２０８ａ参照）が見られた。
【０１４７】
（比較例３）
比較例１の製造工程において、Ａｌの反射層を形成した後に、絶縁層の替わりにＷＮを１００ｎｍの膜厚でかつ、反射層の側面を覆うよう被覆層を形成する。その他は比較例１と同様にして図１２に示した半導体発光素子を作成する。
図１２において、比較例３の半導体発光素子２００は、Ａｌからなる反射層８の上面及び側面が、ＷＮからなる被覆層２１０によって被覆された積層構造２３０が形成される。
【０１４８】
得られた半導体発光素子を実装基板（図１２の４０参照）に実装したところ、少なくとも反射層のＡｌのサファイアからなる基板側の表面にＡｕ及びＳｎの析出物（図１２の２０８ａ参照）が見られた。
【符号の説明】
【０１４９】
１ 基板（透光性基板）
１ａ 露出部
１ｂ 切断部
２ ｎ型半導体層
３ 発光層
４ ｐ型半導体層
５ ｎ側電極
６ ｐ側全面電極
７ ｐ側パッド電極
８ 反射層
９ 絶縁層
１０ 中間層（応力緩和層）
１１ 接着層
１２ 透光性層
２０ 半導体発光素子構造
３０ 積層構造
１００ 半導体発光素子
１１０ 半導体発光装置
１１１ リードフレーム（実装基板）
１１１ａ 凹部
１１１ｂ 底面（実装領域）
１１１ｃ 側面（反射領域）
１１２ リードフレーム
１１３、１１４ ワイヤ
１１５ 封止部材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面と第２主面とを備える透光性基板の前記第１主面上に、少なくとも発光層を有する半導体発光素子構造を有する半導体発光素子であって、
前記第２主面上に、前記半導体発光素子構造の前記発光層から放出された光を反射する反射層と、
前記反射層の前記透光性基板と反対側の上面及び側面を被覆する絶縁層と、
前記絶縁層の前記反射層と反対側の上面に設けられた接着層と、
を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記反射層は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｒｈ及びＰｔから選択される何れか一種からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記接着層は、Ａｕ−Ｓｎ又はＰｄ−Ｓｎからなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記絶縁層は、金属酸化物からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記絶縁層は、ＳｉＯ２からなることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記反射層と前記透光性基板との間に透光性層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記透光性層は、金属酸化物からなることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記透光性層と前記絶縁層とは、同じ材料からなることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記絶縁層と前記接着層との間に前記反射層と前記接着層との間の応力を緩和する応力緩和層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記応力緩和層は、Ｗ又はＷＮの少なくとも何れか一方を含む成分の材料からなることを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記透光性基板は、第２主面において露出部を有し、前記露出部と前記反射層との間に前記絶縁層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記露出部は前記絶縁層の外縁の外側に設けられたことを特徴とする請求項１１に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２の何れか一項に記載の半導体発光素子を備え、前記接着層が実装基板に接続されてなる半導体発光装置。
【請求項１４】
前記実装基板は、前記実装基板の表面に前記半導体発光素子が実装される実装領域と、前記半導体発光素子から放出された光を反射する反射領域とを有することを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記半導体発光素子を覆うように蛍光体を含有する封止部材で封止されてなる請求項１３又は請求項１４に記載の半導体発光装置。
【請求項１】
第１主面と第２主面とを備える透光性基板の前記第１主面上に、少なくとも発光層を有する半導体発光素子構造を有する半導体発光素子であって、
前記第２主面上に、前記半導体発光素子構造の前記発光層から放出された光を反射する反射層と、
前記反射層の前記透光性基板と反対側の上面及び側面を被覆する絶縁層と、
前記絶縁層の前記反射層と反対側の上面に設けられた接着層と、
を有することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記反射層は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金、Ｒｈ及びＰｔから選択される何れか一種からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記接着層は、Ａｕ−Ｓｎ又はＰｄ−Ｓｎからなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記絶縁層は、金属酸化物からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記絶縁層は、ＳｉＯ２からなることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記反射層と前記透光性基板との間に透光性層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記透光性層は、金属酸化物からなることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記透光性層と前記絶縁層とは、同じ材料からなることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記絶縁層と前記接着層との間に前記反射層と前記接着層との間の応力を緩和する応力緩和層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記応力緩和層は、Ｗ又はＷＮの少なくとも何れか一方を含む成分の材料からなることを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記透光性基板は、第２主面において露出部を有し、前記露出部と前記反射層との間に前記絶縁層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記露出部は前記絶縁層の外縁の外側に設けられたことを特徴とする請求項１１に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２の何れか一項に記載の半導体発光素子を備え、前記接着層が実装基板に接続されてなる半導体発光装置。
【請求項１４】
前記実装基板は、前記実装基板の表面に前記半導体発光素子が実装される実装領域と、前記半導体発光素子から放出された光を反射する反射領域とを有することを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記半導体発光素子を覆うように蛍光体を含有する封止部材で封止されてなる請求項１３又は請求項１４に記載の半導体発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１０−１９９３３５（Ｐ２０１０−１９９３３５Ａ）
【公開日】平成２２年９月９日（２０１０．９．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−４３１６６（Ｐ２００９−４３１６６）
【出願日】平成２１年２月２５日（２００９．２．２５）
【出願人】（０００２２６０５７）日亜化学工業株式会社 (993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月９日（２０１０．９．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月２５日（２００９．２．２５）
【出願人】（０００２２６０５７）日亜化学工業株式会社 (993)
【Ｆターム（参考）】
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