反射膜およびその製造方法
【課題】光源からの光の取り出し効率を十分に向上させることが可能な反射膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１は、絶縁層２０および反射膜３を備える。反射膜３は、導体層３０、バリア層４０および銀薄膜５０をこの順に含む。導体層３０の表面は、０．３５μｍ以下に平坦化処理されている。また、バリア層４０の表面粗度Ｒａは０．２μｍ以下である。絶縁層２０上に導体層３０が形成される。銀薄膜５０は、バリア層４０を介して導体層３０上に形成される。導体層３０上の銀薄膜５０の表面粗度Ｒａは０．２μｍ以下となり、光沢度は０．８以上となり、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上となる。
【解決手段】基板１は、絶縁層２０および反射膜３を備える。反射膜３は、導体層３０、バリア層４０および銀薄膜５０をこの順に含む。導体層３０の表面は、０．３５μｍ以下に平坦化処理されている。また、バリア層４０の表面粗度Ｒａは０．２μｍ以下である。絶縁層２０上に導体層３０が形成される。銀薄膜５０は、バリア層４０を介して導体層３０上に形成される。導体層３０上の銀薄膜５０の表面粗度Ｒａは０．２μｍ以下となり、光沢度は０．８以上となり、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射膜およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
反射膜は、光に対して高い反射率を有するため、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源用の反射部材として用いられている。近年では、短波長の光を放出する光源が開発されるに伴い、短波長の光に対して高い反射率を有する銀薄膜が提案されている（例えば、特許文献１および２参照）。
【０００３】
特許文献１には、素地面の全面に光沢ニッケルめっき層を介して光沢銀めっき層が形成された発光素子用ステムが記載されている。この発光素子用ステムでは、波長４００ｎｍ近傍の紫外線に対する光沢銀めっき層の反射率は８０％以上である。
【０００４】
また、特許文献２には、銀めっき層の最表面の結晶粒径が０．５μｍ以上３０μｍ以下に設定された銀膜が記載されている。可視光領域に対する銀膜の反射率は９０〜９９％程度とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３４７３７５号公報
【特許文献２】特開２００８−１６６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１記載の光沢銀めっき層または特許文献２記載の銀膜を用いた反射部材をＬＥＤに設けることにより、ＬＥＤから後方に放出された光を高効率で前方に反射することができる。これにより、ＬＥＤから放出される光の取り出し効率を改善することができる。
【０００７】
しかしながら、銀薄膜の反射率を向上させるだけでは、ＬＥＤからの光の取り出し効率を十分に改善するためには限界がある。反射膜による反射光には、正反射光および拡散反射光が含まれる。反射膜上に設けられた光源の光の取り出し効率を向上させるためには、反射膜の反射率が高いことが必要であるとともに、反射光に含まれる正反射光の割合が大きいことが必要である。
【０００８】
また、可視光領域のうち長波長領域の反射率を高くすることは比較的容易であるが、短波長領域での反射率を高くすることは容易ではない。
【０００９】
本発明の目的は、光源からの光の取り出し効率を十分に向上させることが可能な反射膜およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）第１の発明に係る反射膜は、表面粗度が０．２μｍ以下であり、光沢度が０．８以上であり、かつ波長４６０ｎｍの光に対する反射率が９０％以上である銀薄膜を備えたものである。
【００１１】
この反射膜は、表面粗度が０．２μｍ以下の銀薄膜を備える。これにより、高い反射率が得られる。また、波長４６０ｎｍの光に対して９０％以上の反射率を有することにより、短波長領域で高い反射率が得られる。さらに、０．８以上の光沢度を有することにより、反射光に含まれる正反射光の割合が大きくなる。その結果、反射膜上に設けられた光源を設ける場合、光源からの光の取り出し効率を十分に向上させることができる。
【００１２】
（２）銀薄膜の表面の平均の結晶粒子径が０．５μｍ以下であってもよい。この場合、銀薄膜の表面の凹凸を小さくすることができる。これにより、銀薄膜の反射率および光沢度を向上させることができる。
【００１３】
（３）反射膜は、表面粗度が０．２μｍ以下である第１の下地層をさらに備え、銀薄膜は、第１の下地層上に形成されてもよい。この場合、銀薄膜の表面粗度を容易に０．２μｍ以下にすることができる。これにより、銀薄膜の反射率を容易に向上させることができる。
【００１４】
（４）第１の下地層は銅を含んでもよい。この場合、第１の下地層の表面粗度を容易に０．２μｍ以下に調整することができる。
【００１５】
（５）反射膜は、第１の下地層と銀薄膜との間に形成される第２の下地層をさらに備えてもよい。これにより、第１の下地層の表面粗度が０．２μｍよりも大きい場合でも、第２の下地層の厚みを調整することにより銀薄膜の表面粗度を０．２μｍ以下にすることができる。
【００１６】
（６）第２の下地層はニッケルを含んでもよい。この場合、第１の下地層上に第２の下地層を容易に形成することができる。
【００１７】
（７）銀薄膜は、電解めっきにより形成されてもよい。この場合、銀薄膜を容易に形成することができる。
【００１８】
（８）銀薄膜は光沢剤を含んでもよい。この場合、銀薄膜の光沢度を容易に０．８以上にすることができる。
【００１９】
（９）第２の発明に係る反射膜の製造方法は、第１の下地層を準備する工程と、第１の下地層上に、表面粗度が０．２μｍ以下であり、光沢度が０．８以上であり、かつ波長４６０ｎｍの光に対する反射率が９０％以上である銀薄膜を形成する工程とを備えるものである。
【００２０】
この反射膜の製造方法においては、第１の下地層上に、表面粗度が０．２μｍ以下の銀薄膜が形成される。これにより、高い反射率が得られる。また、波長４６０ｎｍの光に対して９０％以上の反射率を有することにより、短波長領域で高い反射率が得られる。さらに、０．８以上の光沢度を有することにより、反射光に含まれる正反射光の割合が大きくなる。その結果、反射膜上に設けられた光源を設ける場合、光源からの光の取り出し効率を十分に向上させることができる。
【００２１】
（１０）第１の下地層を準備する工程は、表面粗度が０．２μｍ以下である第１の下地層を準備する工程を含んでもよい。
【００２２】
この場合、銀薄膜の表面粗度を容易に０．２μｍ以下にすることができる。これにより、銀薄膜の反射率を容易に向上させることができる。
【００２３】
（１１）銀薄膜を形成する工程は、第１の下地層上に光沢剤が添加された銀めっき液を用いて電解めっきにより銀薄膜を形成する工程を含んでもよい。この場合、光沢度が０．８以上の銀薄膜を容易に形成することができる。
【００２４】
（１２）第１の下地層上に、表面粗度が０．２μｍ以下である第２の下地層を形成する工程をさらに備え、銀薄膜を形成する工程は、第２の下地層を介して第１の下地層上に銀薄膜を形成する工程を含んでもよい。
【００２５】
これにより、第１の下地層の表面粗度が０．２μｍよりも大きい場合でも、第２の下地層の厚みを調整することにより銀薄膜の表面粗度を０．２μｍ以下にすることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、光源からの光の取り出し効率を十分に向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る反射膜を備える基板の断面図である。
【図２】反射膜の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】取得された銀薄膜の最表面の画像の例である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照しながら本発明の一実施の形態に係る反射膜について説明する。なお、本実施の形態では、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源が実装される基板上に形成される反射膜について説明する。
【００２９】
（１）基板の構成
図１は本発明の一実施の形態に係る反射膜を備える基板の断面図である。図１に示すように、基板１は、例えばポリイミドからなる絶縁層２０および反射膜３を備える。反射膜３は、例えば銅からなる導体層３０、例えばニッケルからなるバリア層４０および銀薄膜５０をこの順に含む。絶縁層２０上に導体層３０が形成される。銀薄膜５０は、バリア層４０を介して導体層３０上に形成される。
【００３０】
銀薄膜５０の表面の平均粒子径は０．５μｍ以下である。また、後述するように、銀薄膜５０の表面粗度Ｒａは０．２μｍ以下に設定される。
【００３１】
銀薄膜５０上には、ＬＥＤ１０が実装される。ＬＥＤ１０は、中心波長が４６０ｎｍの光を全方向に放出する。ここで、ＬＥＤ１０から直接放出された光に加え、ＬＥＤ１０の下面で銀薄膜５０により反射された光がＬＥＤ１０の外部に放出されることにより、ＬＥＤ１０からの光の取り出し効率が向上する。
【００３２】
（２）基板上の反射膜の製造方法
次に、図１に示した基板１上の反射膜３の製造方法を説明する。図２は、反射膜３の製造方法を説明するための工程断面図である。
【００３３】
まず、図２（ａ）に示すように、絶縁層２０を用意する。絶縁層２０は、例えばポリイミドからなる。次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁層２０上に導体層３０を形成する。導体層３０は、例えば銅からなる。続いて、導体層３０の表面を平坦化処理する。導体層３０の表面の表面粗度Ｒａは例えば０．３５μｍ以下であり、好ましくは０．２μｍ以下である。硫酸−過酸化水素系のエッチング液を用いたエッチングにより導体層３０の表面を平坦化処理してもよいし、研磨等の表面粗度Ｒａを制御可能な他の方法により導体層３０の表面を平坦化処理してもよい。導体層３０の表面粗度Ｒａを０．２μｍ以下に調整することにより、後述するように、銀薄膜５０の表面粗度Ｒａを容易に０．２μｍ以下に設定することができる。
【００３４】
次に、図２（ｃ）に示すように、平坦化処理された導体層３０の表面にバリア層４０を形成する。バリア層４０は、例えば、電解光沢ニッケルめっきを行うことにより形成される。この場合、バリア層４０の表面の表面粗度Ｒａは０．２μｍ以下であることが好ましい。続いて、図２（ｄ）に示すように、バリア層４０上に下地めっき層５０ａを形成する。下地めっき層５０ａは、例えば、電解銀ストライクめっきを行うことにより形成される。
【００３５】
その後、図２（ｅ）に示すように、下地めっき層５０ａ上に銀薄膜５０を形成する。銀薄膜５０は、例えば、光沢剤を添加した銀の高シアン化浴を用いた電解めっきを行うことにより形成される。ここで、下地めっき層５０ａは銀薄膜５０と一体化される。銀薄膜５０の平均粒子径は０．５μｍ以下であることが好ましい。この場合、銀薄膜の表面の凹凸を小さくすることができる。これにより、銀薄膜５０の反射率および光沢度を向上させることができる。
【００３６】
このように形成された導体層３０上の銀薄膜５０の表面粗度Ｒａは０．２μｍ以下となり、光沢度は０．８以上となり、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上となる。
【００３７】
（３）実施の形態の効果
本実施の形態に係る反射膜３の銀薄膜５０は、０．２μｍ以下の表面粗度Ｒａを有し、０．８以上の光沢度を有し、かつ波長４６０ｎｍの光に対して９０％以上の反射率を有する。
【００３８】
０．２μｍ以下の表面粗度Ｒａを有することにより、高い反射率が得られる。また、波長４６０ｎｍの光に対して９０％以上の反射率を有することにより、短波長領域で高い反射率が得られる。さらに、０．８以上の光沢度を有することにより、反射光に含まれる正反射光の割合が大きくなる。その結果、反射膜３上に設けられた光源からの光の取り出し効率を十分に向上させることができる。
【００３９】
（４）他の実施の形態
（４−１）上記実施の形態において、導体層３０と銀薄膜５０との間にバリア層４０が設けられるが、これに限定されない。導体層３０の表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下である場合には、導体層３０と銀薄膜５０との間にバリア層４０が設けられなくてもよい。
【００４０】
（４−２）上記実施の形態において、導体層３０の材料として銅が用いられるが、これに限定されない。例えば、導体層３０の材料として、銅合金が用いられてもよく、銀、金、チタンもしくは白金またはこれら合金が用いられてもよい。
【００４１】
（４−３）上記実施の形態において、バリア層４０の材料としてニッケルが用いられるが、これに限定されない。例えば、バリア層４０の材料として、ニッケル合金が用いられてもよく、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、白金、窒化タンタル（ＴａＮ）または窒化チタン（ＴｉＮ）が用いられてもよい。
【００４２】
（４−４）上記実施の形態において、銀薄膜５０は、めっきにより形成されるが、これに限定されない。例えば、銀薄膜５０は、スパッタリングまたは蒸着等の他の方法により形成されてもよい。
【００４３】
（５）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００４４】
上記実施の形態においては、銀薄膜５０が銀薄膜の例であり、反射膜３が反射膜の例であり、導体層３０が第１の下地層の例であり、バリア層４０が第２の下地層の例である。
【００４５】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【００４６】
（６）実施例
（６−１）実施例および比較例
実施例１〜８および比較例１〜５では、上記実施の形態に基づいて以下の基板１を作製した。
【００４７】
実施例１においては、図２（ｂ）に示す工程で、バフ研磨により銅からなる導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．０６μｍに調整した。次に、図２（ｃ）に示す工程で、温度５０℃および電流密度５Ａ／ｄｍ２の条件で、５分間電解光沢ニッケルめっきを行うことにより、平坦化処理された導体層３０の表面に厚みが５μｍで、表面粗度Ｒａが０．０５１μｍのバリア層４０を形成した。続いて、図２（ｄ）に示す工程で、温度２５℃および電流密度２Ａ／ｄｍ２の条件で、１５秒間電解銀ストライクめっきを行うことにより、バリア層４０上に下地めっき層５０ａを形成した。
【００４８】
その後、図２（ｅ）に示す工程で、温度２５℃および電流密度２Ａ／ｄｍ２の条件で、２．５分間光沢剤（ローム・アンド・ハース・ジャパン株式会社、シルバーグロー３Ｋ）を添加した銀の高シアン化浴を用いた電解めっきを行うことにより、厚みが３μｍの銀薄膜５０を形成した。高シアン化浴への光沢剤の添加量は１００ｍｌ／Ｌである。
【００４９】
実施例２においては、図２（ｃ）に示す工程で、温度５０℃および電流密度５Ａ／ｄｍ２の条件で、３分間電解光沢ニッケルめっきを行った。また、図２（ｅ）に示す工程で、温度２５℃および電流密度２Ａ／ｄｍ２の条件で、１．５分間光沢剤を添加した銀の高シアン化浴を用いた電解めっきを行った。これらの点を除いて、実施例１と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。バリア層４０の厚みは３μｍであり、表面粗度Ｒａは０．０５３μｍである。また、銀薄膜５０の厚みは１．５μｍである。
【００５０】
実施例３においては、図２（ｂ）に示す工程で、導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．３３μｍに調整した。また、図２（ｃ）に示す工程で、温度５０℃および電流密度５Ａ／ｄｍ２の条件で、１５分間電解光沢ニッケルめっきを行った。これらの点を除いて、実施例１と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。バリア層４０の厚みは１５μｍであり、表面粗度Ｒａは０．１９２μｍである。また、銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５１】
実施例４においては、図２（ｃ）に示す工程で、電解光沢ニッケルめっきに代えて電解無光沢ニッケルめっきを行った点を除いて、実施例１と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。バリア層４０の厚みは３μｍであり、表面粗度Ｒａは０．１５２μｍである。また、銀薄膜５０の厚みは１．５μｍである。
【００５２】
実施例５においては、図２（ｄ）に示す工程で、温度２５℃および電流密度４Ａ／ｄｍ２の条件で、１０秒間電解銀ストライクめっきを行った点を除いて、実施例１と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５３】
実施例６においては、図２（ｄ）に示す工程で、温度２５℃および電流密度２Ａ／ｄｍ２の条件で、１５秒間電解銀ストライクめっきを行った点を除いて、実施例５と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは１μｍである。
【００５４】
実施例７においては、図２（ｅ）に示す工程で、光沢剤の高シアン化浴への添加量を３０ｍｌ／Ｌにした点を除いて、実施例５と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５５】
実施例８においては、図２（ｂ）に示す工程で、導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．１７９μｍに調整した点を除いて、実施例５と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５６】
比較例１においては、図２（ｂ）に示す工程で、導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．３３μｍに調整した点を除いて、実施例１と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。バリア層４０の厚みは５μｍであり、表面粗度Ｒａは０．２８４μｍである。また、銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５７】
比較例２においては、図２（ｂ）に示す工程で、導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．３３μｍに調整した。また、図２（ｅ）に示す工程で、光沢剤を添加した銀の高シアン化浴を用いた電解めっきに代えて光沢剤を添加しない銀の高シアン化浴を用いた電解めっきを行った。これらの点を除いて、実施例１と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。バリア層４０の厚みは５μｍであり、表面粗度Ｒａは０．２８４μｍである。また、銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５８】
比較例３においては、図２（ｂ）に示す工程で、導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．３３μｍに調整した点を除いて、実施例５と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５９】
比較例４においては、図２（ｂ）に示す工程で、導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．２８３μｍに調整した点を除いて、実施例５の銀薄膜５０と同様の銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００６０】
比較例５においては、図２（ｄ）に示す工程で、温度２５℃および電流密度２Ａ／ｄｍ２の条件で、１５秒間電解銀ストライクめっきを行った。また、図２（ｅ）に示す工程で、光沢剤を添加した銀の高シアン化浴を用いた電解めっきに代えて光沢剤を添加しない銀の高シアン化浴を用いた電解めっきを行った。これらの点を除いて、実施例５と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００６１】
（６−２）銀薄膜の特性
実施例１〜８および比較例１〜５の銀薄膜５０について、表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度を測定した。表面粗度Ｒａについては、非接触式光干渉表面粗さ計（日本ビーコ株式会社製Ｗｙｋｏ ＮＴ３３００ ５０×０．５倍）を用いて測定した。
【００６２】
平均粒子径の測定として、集束イオンビーム加工観察装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製ＳＭＩ−９２００）を用いて銀薄膜５０の最表面の２７０００倍の画像を取得した。図３は、取得された銀薄膜５０の最表面の画像の例である。なお、図３（ａ）は実施例５の銀薄膜５０の最表面の図であり、図３（ｂ）は比較例１の銀薄膜５０の最表面の図である。図３の画像において、画像処理ソフトウェアＩｍａｇｅＪを用いて銀薄膜５０の粒子間の境界を特定した。ここで、粒子の長手方向の寸法を粒子径として扱い、画像内の粒子の粒子径の平均値を平均粒子径として算出した。なお、実施例１、実施例８および比較例３の平均粒子径は推定値である。
【００６３】
反射率については、分光測色計（コニカミノルタホールディングス株式会社製ＣＭ−７００ｄ、視野１０°、照明・受光光学系ｄ／８、測定直径３ｍｍ）を用いて測定した。光沢度については、デンシトメータ（日本電色工業株式会社製ＮＤ−１１、測定直径３ｍｍ）を用いて測定した。
【００６４】
実施例１〜８および比較例１〜５の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度の評価結果を表１に示す。
【００６５】
反射率が９０％以上でありかつ光沢度が０．８以上である場合の判定結果を“○”で示し、反射率が９０％未満である場合または光沢度が０．８未満である場合の判定結果を“×”で示した。
【００６６】
【表１】
【００６７】
表１に示すように、実施例１の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．０７８μｍ、０．２３μｍ（推定値）、９３．４％および１．２であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００６８】
実施例２の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．０８２μｍ、９２．８％および１．２であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００６９】
実施例３の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．１８５μｍ、９０．５％および１．０であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００７０】
実施例４の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．１５５μｍ、９１．７％および１．０であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００７１】
実施例５の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．０８２μｍ、０．２２μｍ、９３．６％および１．２であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００７２】
実施例６の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．０５１μｍ、９３．４％および１．２であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００７３】
実施例７の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．０７８μｍ、９１．７％および０．８であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００７４】
実施例８の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．１８１μｍ、０．４６μｍ（推定値）、９０．８％および１．０であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００７５】
比較例１の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．２６４μｍ、０．８２μｍ、８８．５％および０．９であった。このように、光沢度は０．８以上になったが、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上にならなかった。
【００７６】
比較例２の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．２９８μｍ、９３．１％および０．２であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になったが、光沢度は０．８以上にならなかった。
【００７７】
比較例３の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．２９２μｍ、０．６５μｍ（推定値）、８６．８％および０．９であった。このように、光沢度は０．８以上になったが、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上にならなかった。
【００７８】
比較例４の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．２０２μｍ、８９．２％および１．０であった。このように、光沢度は０．８以上になったが、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上にならなかった。
【００７９】
比較例５の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．０７５μｍ、９０．５％および０．３であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になったが、光沢度は０．８以上にならなかった。
【００８０】
実施例１〜４と実施例５〜８との比較結果から、導体層３０の表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下であれば、導体層３０上にバリア層４０が形成されない場合でも、波長４６０ｎｍの光に対する反射率が９０％以上でかつ光沢度が０．８以上の銀薄膜５０を形成できることが確認された。
【００８１】
実施例１〜３と実施例４との比較結果から、バリア層４０が電解無光沢ニッケルめっきにより形成された場合でも、波長４６０ｎｍの光に対する反射率が９０％以上でかつ光沢度が０．８以上の銀薄膜５０を形成できることが確認された。
【００８２】
実施例５〜８と比較例３，４との比較結果から、導体層３０の表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下であれば、導体層３０上にバリア層４０が形成されない場合でも、表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下の銀薄膜５０を形成できることが確認された。一方、実施例３と比較例１との比較結果から、導体層３０の表面粗度Ｒａが０．２μｍを超えても、導体層３０上に厚みの大きいバリア層４０を形成することにより、表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下の銀薄膜５０を形成できることが確認された。この場合、バリア層４０の表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下であることにより、銀薄膜５０の表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下になることがわかる。
【００８３】
実施例１〜４と比較例２との比較結果および実施例５〜８と比較例５との比較結果から、バリア層４０の有無にかかわらず、銀に光沢剤を添加することにより光沢度０．８以上の銀薄膜５０を形成できることが確認された。
【００８４】
実施例５と比較例１との比較結果から、銀薄膜５０の平均粒子径が０．５μｍ以下である場合に、表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下の銀薄膜５０を形成できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、種々の反射膜に有効に利用できる。
【符号の説明】
【００８６】
１ 基板
３ 反射膜
１０ ＬＥＤ
２０ 絶縁層
３０ 導体層
４０ バリア層
５０ 銀薄膜
５０ａ 下地めっき層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射膜およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
反射膜は、光に対して高い反射率を有するため、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源用の反射部材として用いられている。近年では、短波長の光を放出する光源が開発されるに伴い、短波長の光に対して高い反射率を有する銀薄膜が提案されている（例えば、特許文献１および２参照）。
【０００３】
特許文献１には、素地面の全面に光沢ニッケルめっき層を介して光沢銀めっき層が形成された発光素子用ステムが記載されている。この発光素子用ステムでは、波長４００ｎｍ近傍の紫外線に対する光沢銀めっき層の反射率は８０％以上である。
【０００４】
また、特許文献２には、銀めっき層の最表面の結晶粒径が０．５μｍ以上３０μｍ以下に設定された銀膜が記載されている。可視光領域に対する銀膜の反射率は９０〜９９％程度とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３４７３７５号公報
【特許文献２】特開２００８−１６６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１記載の光沢銀めっき層または特許文献２記載の銀膜を用いた反射部材をＬＥＤに設けることにより、ＬＥＤから後方に放出された光を高効率で前方に反射することができる。これにより、ＬＥＤから放出される光の取り出し効率を改善することができる。
【０００７】
しかしながら、銀薄膜の反射率を向上させるだけでは、ＬＥＤからの光の取り出し効率を十分に改善するためには限界がある。反射膜による反射光には、正反射光および拡散反射光が含まれる。反射膜上に設けられた光源の光の取り出し効率を向上させるためには、反射膜の反射率が高いことが必要であるとともに、反射光に含まれる正反射光の割合が大きいことが必要である。
【０００８】
また、可視光領域のうち長波長領域の反射率を高くすることは比較的容易であるが、短波長領域での反射率を高くすることは容易ではない。
【０００９】
本発明の目的は、光源からの光の取り出し効率を十分に向上させることが可能な反射膜およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）第１の発明に係る反射膜は、表面粗度が０．２μｍ以下であり、光沢度が０．８以上であり、かつ波長４６０ｎｍの光に対する反射率が９０％以上である銀薄膜を備えたものである。
【００１１】
この反射膜は、表面粗度が０．２μｍ以下の銀薄膜を備える。これにより、高い反射率が得られる。また、波長４６０ｎｍの光に対して９０％以上の反射率を有することにより、短波長領域で高い反射率が得られる。さらに、０．８以上の光沢度を有することにより、反射光に含まれる正反射光の割合が大きくなる。その結果、反射膜上に設けられた光源を設ける場合、光源からの光の取り出し効率を十分に向上させることができる。
【００１２】
（２）銀薄膜の表面の平均の結晶粒子径が０．５μｍ以下であってもよい。この場合、銀薄膜の表面の凹凸を小さくすることができる。これにより、銀薄膜の反射率および光沢度を向上させることができる。
【００１３】
（３）反射膜は、表面粗度が０．２μｍ以下である第１の下地層をさらに備え、銀薄膜は、第１の下地層上に形成されてもよい。この場合、銀薄膜の表面粗度を容易に０．２μｍ以下にすることができる。これにより、銀薄膜の反射率を容易に向上させることができる。
【００１４】
（４）第１の下地層は銅を含んでもよい。この場合、第１の下地層の表面粗度を容易に０．２μｍ以下に調整することができる。
【００１５】
（５）反射膜は、第１の下地層と銀薄膜との間に形成される第２の下地層をさらに備えてもよい。これにより、第１の下地層の表面粗度が０．２μｍよりも大きい場合でも、第２の下地層の厚みを調整することにより銀薄膜の表面粗度を０．２μｍ以下にすることができる。
【００１６】
（６）第２の下地層はニッケルを含んでもよい。この場合、第１の下地層上に第２の下地層を容易に形成することができる。
【００１７】
（７）銀薄膜は、電解めっきにより形成されてもよい。この場合、銀薄膜を容易に形成することができる。
【００１８】
（８）銀薄膜は光沢剤を含んでもよい。この場合、銀薄膜の光沢度を容易に０．８以上にすることができる。
【００１９】
（９）第２の発明に係る反射膜の製造方法は、第１の下地層を準備する工程と、第１の下地層上に、表面粗度が０．２μｍ以下であり、光沢度が０．８以上であり、かつ波長４６０ｎｍの光に対する反射率が９０％以上である銀薄膜を形成する工程とを備えるものである。
【００２０】
この反射膜の製造方法においては、第１の下地層上に、表面粗度が０．２μｍ以下の銀薄膜が形成される。これにより、高い反射率が得られる。また、波長４６０ｎｍの光に対して９０％以上の反射率を有することにより、短波長領域で高い反射率が得られる。さらに、０．８以上の光沢度を有することにより、反射光に含まれる正反射光の割合が大きくなる。その結果、反射膜上に設けられた光源を設ける場合、光源からの光の取り出し効率を十分に向上させることができる。
【００２１】
（１０）第１の下地層を準備する工程は、表面粗度が０．２μｍ以下である第１の下地層を準備する工程を含んでもよい。
【００２２】
この場合、銀薄膜の表面粗度を容易に０．２μｍ以下にすることができる。これにより、銀薄膜の反射率を容易に向上させることができる。
【００２３】
（１１）銀薄膜を形成する工程は、第１の下地層上に光沢剤が添加された銀めっき液を用いて電解めっきにより銀薄膜を形成する工程を含んでもよい。この場合、光沢度が０．８以上の銀薄膜を容易に形成することができる。
【００２４】
（１２）第１の下地層上に、表面粗度が０．２μｍ以下である第２の下地層を形成する工程をさらに備え、銀薄膜を形成する工程は、第２の下地層を介して第１の下地層上に銀薄膜を形成する工程を含んでもよい。
【００２５】
これにより、第１の下地層の表面粗度が０．２μｍよりも大きい場合でも、第２の下地層の厚みを調整することにより銀薄膜の表面粗度を０．２μｍ以下にすることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、光源からの光の取り出し効率を十分に向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る反射膜を備える基板の断面図である。
【図２】反射膜の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】取得された銀薄膜の最表面の画像の例である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照しながら本発明の一実施の形態に係る反射膜について説明する。なお、本実施の形態では、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源が実装される基板上に形成される反射膜について説明する。
【００２９】
（１）基板の構成
図１は本発明の一実施の形態に係る反射膜を備える基板の断面図である。図１に示すように、基板１は、例えばポリイミドからなる絶縁層２０および反射膜３を備える。反射膜３は、例えば銅からなる導体層３０、例えばニッケルからなるバリア層４０および銀薄膜５０をこの順に含む。絶縁層２０上に導体層３０が形成される。銀薄膜５０は、バリア層４０を介して導体層３０上に形成される。
【００３０】
銀薄膜５０の表面の平均粒子径は０．５μｍ以下である。また、後述するように、銀薄膜５０の表面粗度Ｒａは０．２μｍ以下に設定される。
【００３１】
銀薄膜５０上には、ＬＥＤ１０が実装される。ＬＥＤ１０は、中心波長が４６０ｎｍの光を全方向に放出する。ここで、ＬＥＤ１０から直接放出された光に加え、ＬＥＤ１０の下面で銀薄膜５０により反射された光がＬＥＤ１０の外部に放出されることにより、ＬＥＤ１０からの光の取り出し効率が向上する。
【００３２】
（２）基板上の反射膜の製造方法
次に、図１に示した基板１上の反射膜３の製造方法を説明する。図２は、反射膜３の製造方法を説明するための工程断面図である。
【００３３】
まず、図２（ａ）に示すように、絶縁層２０を用意する。絶縁層２０は、例えばポリイミドからなる。次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁層２０上に導体層３０を形成する。導体層３０は、例えば銅からなる。続いて、導体層３０の表面を平坦化処理する。導体層３０の表面の表面粗度Ｒａは例えば０．３５μｍ以下であり、好ましくは０．２μｍ以下である。硫酸−過酸化水素系のエッチング液を用いたエッチングにより導体層３０の表面を平坦化処理してもよいし、研磨等の表面粗度Ｒａを制御可能な他の方法により導体層３０の表面を平坦化処理してもよい。導体層３０の表面粗度Ｒａを０．２μｍ以下に調整することにより、後述するように、銀薄膜５０の表面粗度Ｒａを容易に０．２μｍ以下に設定することができる。
【００３４】
次に、図２（ｃ）に示すように、平坦化処理された導体層３０の表面にバリア層４０を形成する。バリア層４０は、例えば、電解光沢ニッケルめっきを行うことにより形成される。この場合、バリア層４０の表面の表面粗度Ｒａは０．２μｍ以下であることが好ましい。続いて、図２（ｄ）に示すように、バリア層４０上に下地めっき層５０ａを形成する。下地めっき層５０ａは、例えば、電解銀ストライクめっきを行うことにより形成される。
【００３５】
その後、図２（ｅ）に示すように、下地めっき層５０ａ上に銀薄膜５０を形成する。銀薄膜５０は、例えば、光沢剤を添加した銀の高シアン化浴を用いた電解めっきを行うことにより形成される。ここで、下地めっき層５０ａは銀薄膜５０と一体化される。銀薄膜５０の平均粒子径は０．５μｍ以下であることが好ましい。この場合、銀薄膜の表面の凹凸を小さくすることができる。これにより、銀薄膜５０の反射率および光沢度を向上させることができる。
【００３６】
このように形成された導体層３０上の銀薄膜５０の表面粗度Ｒａは０．２μｍ以下となり、光沢度は０．８以上となり、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上となる。
【００３７】
（３）実施の形態の効果
本実施の形態に係る反射膜３の銀薄膜５０は、０．２μｍ以下の表面粗度Ｒａを有し、０．８以上の光沢度を有し、かつ波長４６０ｎｍの光に対して９０％以上の反射率を有する。
【００３８】
０．２μｍ以下の表面粗度Ｒａを有することにより、高い反射率が得られる。また、波長４６０ｎｍの光に対して９０％以上の反射率を有することにより、短波長領域で高い反射率が得られる。さらに、０．８以上の光沢度を有することにより、反射光に含まれる正反射光の割合が大きくなる。その結果、反射膜３上に設けられた光源からの光の取り出し効率を十分に向上させることができる。
【００３９】
（４）他の実施の形態
（４−１）上記実施の形態において、導体層３０と銀薄膜５０との間にバリア層４０が設けられるが、これに限定されない。導体層３０の表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下である場合には、導体層３０と銀薄膜５０との間にバリア層４０が設けられなくてもよい。
【００４０】
（４−２）上記実施の形態において、導体層３０の材料として銅が用いられるが、これに限定されない。例えば、導体層３０の材料として、銅合金が用いられてもよく、銀、金、チタンもしくは白金またはこれら合金が用いられてもよい。
【００４１】
（４−３）上記実施の形態において、バリア層４０の材料としてニッケルが用いられるが、これに限定されない。例えば、バリア層４０の材料として、ニッケル合金が用いられてもよく、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、白金、窒化タンタル（ＴａＮ）または窒化チタン（ＴｉＮ）が用いられてもよい。
【００４２】
（４−４）上記実施の形態において、銀薄膜５０は、めっきにより形成されるが、これに限定されない。例えば、銀薄膜５０は、スパッタリングまたは蒸着等の他の方法により形成されてもよい。
【００４３】
（５）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００４４】
上記実施の形態においては、銀薄膜５０が銀薄膜の例であり、反射膜３が反射膜の例であり、導体層３０が第１の下地層の例であり、バリア層４０が第２の下地層の例である。
【００４５】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【００４６】
（６）実施例
（６−１）実施例および比較例
実施例１〜８および比較例１〜５では、上記実施の形態に基づいて以下の基板１を作製した。
【００４７】
実施例１においては、図２（ｂ）に示す工程で、バフ研磨により銅からなる導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．０６μｍに調整した。次に、図２（ｃ）に示す工程で、温度５０℃および電流密度５Ａ／ｄｍ２の条件で、５分間電解光沢ニッケルめっきを行うことにより、平坦化処理された導体層３０の表面に厚みが５μｍで、表面粗度Ｒａが０．０５１μｍのバリア層４０を形成した。続いて、図２（ｄ）に示す工程で、温度２５℃および電流密度２Ａ／ｄｍ２の条件で、１５秒間電解銀ストライクめっきを行うことにより、バリア層４０上に下地めっき層５０ａを形成した。
【００４８】
その後、図２（ｅ）に示す工程で、温度２５℃および電流密度２Ａ／ｄｍ２の条件で、２．５分間光沢剤（ローム・アンド・ハース・ジャパン株式会社、シルバーグロー３Ｋ）を添加した銀の高シアン化浴を用いた電解めっきを行うことにより、厚みが３μｍの銀薄膜５０を形成した。高シアン化浴への光沢剤の添加量は１００ｍｌ／Ｌである。
【００４９】
実施例２においては、図２（ｃ）に示す工程で、温度５０℃および電流密度５Ａ／ｄｍ２の条件で、３分間電解光沢ニッケルめっきを行った。また、図２（ｅ）に示す工程で、温度２５℃および電流密度２Ａ／ｄｍ２の条件で、１．５分間光沢剤を添加した銀の高シアン化浴を用いた電解めっきを行った。これらの点を除いて、実施例１と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。バリア層４０の厚みは３μｍであり、表面粗度Ｒａは０．０５３μｍである。また、銀薄膜５０の厚みは１．５μｍである。
【００５０】
実施例３においては、図２（ｂ）に示す工程で、導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．３３μｍに調整した。また、図２（ｃ）に示す工程で、温度５０℃および電流密度５Ａ／ｄｍ２の条件で、１５分間電解光沢ニッケルめっきを行った。これらの点を除いて、実施例１と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。バリア層４０の厚みは１５μｍであり、表面粗度Ｒａは０．１９２μｍである。また、銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５１】
実施例４においては、図２（ｃ）に示す工程で、電解光沢ニッケルめっきに代えて電解無光沢ニッケルめっきを行った点を除いて、実施例１と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。バリア層４０の厚みは３μｍであり、表面粗度Ｒａは０．１５２μｍである。また、銀薄膜５０の厚みは１．５μｍである。
【００５２】
実施例５においては、図２（ｄ）に示す工程で、温度２５℃および電流密度４Ａ／ｄｍ２の条件で、１０秒間電解銀ストライクめっきを行った点を除いて、実施例１と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５３】
実施例６においては、図２（ｄ）に示す工程で、温度２５℃および電流密度２Ａ／ｄｍ２の条件で、１５秒間電解銀ストライクめっきを行った点を除いて、実施例５と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは１μｍである。
【００５４】
実施例７においては、図２（ｅ）に示す工程で、光沢剤の高シアン化浴への添加量を３０ｍｌ／Ｌにした点を除いて、実施例５と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５５】
実施例８においては、図２（ｂ）に示す工程で、導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．１７９μｍに調整した点を除いて、実施例５と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５６】
比較例１においては、図２（ｂ）に示す工程で、導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．３３μｍに調整した点を除いて、実施例１と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。バリア層４０の厚みは５μｍであり、表面粗度Ｒａは０．２８４μｍである。また、銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５７】
比較例２においては、図２（ｂ）に示す工程で、導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．３３μｍに調整した。また、図２（ｅ）に示す工程で、光沢剤を添加した銀の高シアン化浴を用いた電解めっきに代えて光沢剤を添加しない銀の高シアン化浴を用いた電解めっきを行った。これらの点を除いて、実施例１と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。バリア層４０の厚みは５μｍであり、表面粗度Ｒａは０．２８４μｍである。また、銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５８】
比較例３においては、図２（ｂ）に示す工程で、導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．３３μｍに調整した点を除いて、実施例５と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００５９】
比較例４においては、図２（ｂ）に示す工程で、導体層３０の表面の表面粗度Ｒａを０．２８３μｍに調整した点を除いて、実施例５の銀薄膜５０と同様の銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００６０】
比較例５においては、図２（ｄ）に示す工程で、温度２５℃および電流密度２Ａ／ｄｍ２の条件で、１５秒間電解銀ストライクめっきを行った。また、図２（ｅ）に示す工程で、光沢剤を添加した銀の高シアン化浴を用いた電解めっきに代えて光沢剤を添加しない銀の高シアン化浴を用いた電解めっきを行った。これらの点を除いて、実施例５と同様の方法で銀薄膜５０を形成した。銀薄膜５０の厚みは３μｍである。
【００６１】
（６−２）銀薄膜の特性
実施例１〜８および比較例１〜５の銀薄膜５０について、表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度を測定した。表面粗度Ｒａについては、非接触式光干渉表面粗さ計（日本ビーコ株式会社製Ｗｙｋｏ ＮＴ３３００ ５０×０．５倍）を用いて測定した。
【００６２】
平均粒子径の測定として、集束イオンビーム加工観察装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製ＳＭＩ−９２００）を用いて銀薄膜５０の最表面の２７０００倍の画像を取得した。図３は、取得された銀薄膜５０の最表面の画像の例である。なお、図３（ａ）は実施例５の銀薄膜５０の最表面の図であり、図３（ｂ）は比較例１の銀薄膜５０の最表面の図である。図３の画像において、画像処理ソフトウェアＩｍａｇｅＪを用いて銀薄膜５０の粒子間の境界を特定した。ここで、粒子の長手方向の寸法を粒子径として扱い、画像内の粒子の粒子径の平均値を平均粒子径として算出した。なお、実施例１、実施例８および比較例３の平均粒子径は推定値である。
【００６３】
反射率については、分光測色計（コニカミノルタホールディングス株式会社製ＣＭ−７００ｄ、視野１０°、照明・受光光学系ｄ／８、測定直径３ｍｍ）を用いて測定した。光沢度については、デンシトメータ（日本電色工業株式会社製ＮＤ−１１、測定直径３ｍｍ）を用いて測定した。
【００６４】
実施例１〜８および比較例１〜５の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度の評価結果を表１に示す。
【００６５】
反射率が９０％以上でありかつ光沢度が０．８以上である場合の判定結果を“○”で示し、反射率が９０％未満である場合または光沢度が０．８未満である場合の判定結果を“×”で示した。
【００６６】
【表１】
【００６７】
表１に示すように、実施例１の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．０７８μｍ、０．２３μｍ（推定値）、９３．４％および１．２であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００６８】
実施例２の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．０８２μｍ、９２．８％および１．２であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００６９】
実施例３の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．１８５μｍ、９０．５％および１．０であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００７０】
実施例４の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．１５５μｍ、９１．７％および１．０であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００７１】
実施例５の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．０８２μｍ、０．２２μｍ、９３．６％および１．２であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００７２】
実施例６の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．０５１μｍ、９３．４％および１．２であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００７３】
実施例７の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．０７８μｍ、９１．７％および０．８であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００７４】
実施例８の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．１８１μｍ、０．４６μｍ（推定値）、９０．８％および１．０であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になり、光沢度は０．８以上になった。
【００７５】
比較例１の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．２６４μｍ、０．８２μｍ、８８．５％および０．９であった。このように、光沢度は０．８以上になったが、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上にならなかった。
【００７６】
比較例２の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．２９８μｍ、９３．１％および０．２であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になったが、光沢度は０．８以上にならなかった。
【００７７】
比較例３の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、平均粒子径、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．２９２μｍ、０．６５μｍ（推定値）、８６．８％および０．９であった。このように、光沢度は０．８以上になったが、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上にならなかった。
【００７８】
比較例４の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．２０２μｍ、８９．２％および１．０であった。このように、光沢度は０．８以上になったが、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上にならなかった。
【００７９】
比較例５の銀薄膜５０についての表面粗度Ｒａ、波長４６０ｎｍの光に対する反射率および光沢度は、それぞれ０．０７５μｍ、９０．５％および０．３であった。このように、波長４６０ｎｍの光に対する反射率は９０％以上になったが、光沢度は０．８以上にならなかった。
【００８０】
実施例１〜４と実施例５〜８との比較結果から、導体層３０の表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下であれば、導体層３０上にバリア層４０が形成されない場合でも、波長４６０ｎｍの光に対する反射率が９０％以上でかつ光沢度が０．８以上の銀薄膜５０を形成できることが確認された。
【００８１】
実施例１〜３と実施例４との比較結果から、バリア層４０が電解無光沢ニッケルめっきにより形成された場合でも、波長４６０ｎｍの光に対する反射率が９０％以上でかつ光沢度が０．８以上の銀薄膜５０を形成できることが確認された。
【００８２】
実施例５〜８と比較例３，４との比較結果から、導体層３０の表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下であれば、導体層３０上にバリア層４０が形成されない場合でも、表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下の銀薄膜５０を形成できることが確認された。一方、実施例３と比較例１との比較結果から、導体層３０の表面粗度Ｒａが０．２μｍを超えても、導体層３０上に厚みの大きいバリア層４０を形成することにより、表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下の銀薄膜５０を形成できることが確認された。この場合、バリア層４０の表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下であることにより、銀薄膜５０の表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下になることがわかる。
【００８３】
実施例１〜４と比較例２との比較結果および実施例５〜８と比較例５との比較結果から、バリア層４０の有無にかかわらず、銀に光沢剤を添加することにより光沢度０．８以上の銀薄膜５０を形成できることが確認された。
【００８４】
実施例５と比較例１との比較結果から、銀薄膜５０の平均粒子径が０．５μｍ以下である場合に、表面粗度Ｒａが０．２μｍ以下の銀薄膜５０を形成できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、種々の反射膜に有効に利用できる。
【符号の説明】
【００８６】
１ 基板
３ 反射膜
１０ ＬＥＤ
２０ 絶縁層
３０ 導体層
４０ バリア層
５０ 銀薄膜
５０ａ 下地めっき層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面粗度が０．２μｍ以下であり、光沢度が０．８以上であり、かつ波長４６０ｎｍの光に対する反射率が９０％以上である銀薄膜を備えたことを特徴とする反射膜。
【請求項２】
前記銀薄膜の表面の平均の結晶粒子径が０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の反射膜。
【請求項３】
表面粗度が０．２μｍ以下である第１の下地層をさらに備え、
前記銀薄膜は、前記第１の下地層上に形成されることを特徴とする請求項１または２記載の反射膜。
【請求項４】
前記第１の下地層は銅を含むことを特徴とする請求項３記載の反射膜。
【請求項５】
前記第１の下地層と前記銀薄膜との間に形成される第２の下地層をさらに備えることを特徴とする請求項３または４記載の反射膜。
【請求項６】
前記第２の下地層はニッケルを含むことを特徴とする請求項５記載の反射膜。
【請求項７】
前記銀薄膜は、電解めっきにより形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の反射膜。
【請求項８】
前記銀薄膜は光沢剤を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の反射膜。
【請求項９】
第１の下地層を準備する工程と、
前記第１の下地層上に、表面粗度が０．２μｍ以下であり、光沢度が０．８以上であり、かつ波長４６０ｎｍの光に対する反射率が９０％以上である銀薄膜を形成する工程とを備えることを特徴とする反射膜の製造方法。
【請求項１０】
第１の下地層を準備する工程は、表面粗度が０．２μｍ以下である第１の下地層を準備する工程を含むことを特徴とする請求項９記載の反射膜の製造方法。
【請求項１１】
前記銀薄膜を形成する工程は、前記第１の下地層上に光沢剤が添加された銀めっき液を用いて電解めっきにより前記銀薄膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項９または１０記載の反射膜の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の下地層上に、表面粗度が０．２μｍ以下である
第２の下地層を形成する工程をさらに備え、
前記銀薄膜を形成する工程は、前記第２の下地層を介して前記第１の下地層上に前記銀薄膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の反射膜の製造方法。
【請求項１】
表面粗度が０．２μｍ以下であり、光沢度が０．８以上であり、かつ波長４６０ｎｍの光に対する反射率が９０％以上である銀薄膜を備えたことを特徴とする反射膜。
【請求項２】
前記銀薄膜の表面の平均の結晶粒子径が０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の反射膜。
【請求項３】
表面粗度が０．２μｍ以下である第１の下地層をさらに備え、
前記銀薄膜は、前記第１の下地層上に形成されることを特徴とする請求項１または２記載の反射膜。
【請求項４】
前記第１の下地層は銅を含むことを特徴とする請求項３記載の反射膜。
【請求項５】
前記第１の下地層と前記銀薄膜との間に形成される第２の下地層をさらに備えることを特徴とする請求項３または４記載の反射膜。
【請求項６】
前記第２の下地層はニッケルを含むことを特徴とする請求項５記載の反射膜。
【請求項７】
前記銀薄膜は、電解めっきにより形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の反射膜。
【請求項８】
前記銀薄膜は光沢剤を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の反射膜。
【請求項９】
第１の下地層を準備する工程と、
前記第１の下地層上に、表面粗度が０．２μｍ以下であり、光沢度が０．８以上であり、かつ波長４６０ｎｍの光に対する反射率が９０％以上である銀薄膜を形成する工程とを備えることを特徴とする反射膜の製造方法。
【請求項１０】
第１の下地層を準備する工程は、表面粗度が０．２μｍ以下である第１の下地層を準備する工程を含むことを特徴とする請求項９記載の反射膜の製造方法。
【請求項１１】
前記銀薄膜を形成する工程は、前記第１の下地層上に光沢剤が添加された銀めっき液を用いて電解めっきにより前記銀薄膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項９または１０記載の反射膜の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の下地層上に、表面粗度が０．２μｍ以下である
第２の下地層を形成する工程をさらに備え、
前記銀薄膜を形成する工程は、前記第２の下地層を介して前記第１の下地層上に前記銀薄膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の反射膜の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−１２４３１０（Ｐ２０１２−１２４３１０Ａ）
【公開日】平成２４年６月２８日（２０１２．６．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２７３５３７（Ｐ２０１０−２７３５３７）
【出願日】平成２２年１２月８日（２０１０．１２．８）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月２８日（２０１２．６．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月８日（２０１０．１２．８）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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