回路基板、それを用いた回路基板実装体、その回路基板実装体を用いた回路基板実装ユニット
【課題】各導体パターン同士の平面間隔が狭くならないようにして各導体パターン同士によるショートを防止する回路基板を提供する。
【解決手段】回路基板１４は、実装された際の半導体素子１３の近傍に第１横長スリット１７と導電リード１２を有し、導電リード１２は、半導体素子１３の電極との導通接続箇所近傍の傾斜部始点１２ｂから第１横長スリット１７を越えた位置の傾斜部終点１２ｃまでほぼ直線状に伸び、かつ第１横長スリット１７の長手方向Ｎの直交線Ｒに対して傾斜して形成されている傾斜部１２ｏを有して、第１横長スリット１７上を跨いでいる導電リード１２部分が傾斜部１２ｏとして横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成する。
【解決手段】回路基板１４は、実装された際の半導体素子１３の近傍に第１横長スリット１７と導電リード１２を有し、導電リード１２は、半導体素子１３の電極との導通接続箇所近傍の傾斜部始点１２ｂから第１横長スリット１７を越えた位置の傾斜部終点１２ｃまでほぼ直線状に伸び、かつ第１横長スリット１７の長手方向Ｎの直交線Ｒに対して傾斜して形成されている傾斜部１２ｏを有して、第１横長スリット１７上を跨いでいる導電リード１２部分が傾斜部１２ｏとして横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、それを用いた回路基板実装体、その回路基板実装体を用いた回路基板実装ユニットの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＩＣ、ＬＳＩなどの電気部品を実装する回路基板は、長尺状のテープキャリアにワイヤレスボンディングで半導体素子を組み込むＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で得られるフレキシブル回路基板が多用されている。
上記フレキシブル回路基板が形成される絶縁フィルムテープ１は、特許文献１に開示されており、その図６、図７に図示されているように表面に多数の導体パターン２が配置され、導体パターン２の内の一部が中央部に形成されたデバイスホール４の各辺にてその内方に突出しインナーリード２Ａが形成され、このインナーリード２Ａにて半導体素子９が導通接合されている。このインナーリード２Ａから、図６、図７の上側に形成されている横長のスリット６，６および下側に形成されている横長のアウターホール５に向けて多数の導体パターン２が配置形成されている。上記多数の導体パターン２は、上記スリット６，６およびアウターホール５を跨って配置形成され、上記スリット６，６およびアウターホール５上ではそれらの長手方向に直交する向き、すなわち図６、図７では上下方向に配置形成されているものである。
【０００３】
【特許文献１】特許第３１６９０３９号公報
【０００４】
ここで、上記インナーリード２Ａの群の平面位置と、上記インナーリード２Ａに接続し上記スリット６，６およびアウターホール５を跨って形成されている導体パターン２の群の平面位置とは、多くの場合上記長手方向においては異なった位置に配置されている。すなわち、上記デバイスホール４の上辺、左辺、右辺に各々形成された各インナーリード２Ａ群は、上方のスリット６，６に向かって延びて上記スリット６，６を跨って形成されており、下辺に形成されたインナーリード２Ａ群は、下方のアウターホール５に向かって延びて上記アウターホール５を跨って形成されており、各インナーリード２Ａ群よりも、上記スリット６，６およびアウターホール５を跨る各導体パターン２群の方が、前記長手方向での幅が広く形成されている。このため、各インナーリード２Ａ群の平面位置から上記スリット６，６およびアウターホール５を跨る各導体パターン２群に向けて上記長手方向に広がるように傾斜して形成されているものである。
【０００５】
ここで、説明をしやすくするために、特許文献１の図６におけるデバイスホール４の下辺のインナーリード２Ａから下方のアウターホール５を跨る導体パターン２の部分を拡大した図を図１２として図示しながら説明する。
図１２において、導体パターン２における前述の傾斜するように配置形成された部分を傾斜配置部２Ｃと称すると、傾斜配置部２Ｃはインナーリード２Ａからアウターホール５を跨る導体パターン２である入力用アウターリード２Ｂとの間の部分となる。この入力用アウターリード２Ｂが、前述したようにアウターホール５の長手方向、すなわち図１２の左右方向に対して直交する方向に形成されているものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
導体パターン２の上記傾斜配置部２Ｃでは、各導体パターン２における隣接の導電パターン２との間の間隔が狭くなってしまい、各導体パターン２同士が接触してショートを引き起こしてしまう危険性がある。
特に前述のインナーリード２Ａが導通接続する半導体素子９の下辺から上記横長スリットであるアウターホール５までの距離Ｌが短くなればなるほど、前述した傾斜配置部２Ｃ の傾斜が大きくなり、それだけ各導体パターン２における隣接の導電パターン２との間の間隔が狭くなるので、互いのショートの危険性が増大するものである。
【０００７】
そこで本発明は、上記の課題を解決するもので、各導体パターン同士の平面間隔が狭くならないようにして各導体パターン同士によるショートを防止する回路基板、それを用いた回路基板実装体、その回路基板実装体を用いた回路基板実装ユニットをもたらすことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１実施態様の回路基板は、電気部品が実装された際には当該電気部品の電極に導通接続される導電リードと、表面に前記導電リードが接合配置される板状基材とを有する回路基板であって、前記板状基材は、実装された際の前記電気部品の近傍に開口した横長スリットを有し、前記導電リードは、電気部品における前記電極との導通接続箇所近傍の始点から前記横長スリット近傍の終点までほぼ直線状に伸び、かつ前記横長スリットの長手方向の直交線に対して所定方向に傾斜して形成されている傾斜部を有しており、傾斜部の前記終点は前記電気部品から見て前記横長スリットを越えた位置に配置されることにより、前記横長スリット上を跨いでいる導電リード部分が前記傾斜部の一部であって横長スリット上傾斜導電リード部を構成していることを特徴とする。
【０００９】
上記構成によれば、前記導電リードは、電気部品における前記電極との導通接続箇所近傍の始点から前記横長スリット近傍の終点までほぼ直線状に伸び、かつ前記横長スリットの長手方向の直交線に対して所定方向に傾斜して形成されている傾斜部を有しており、傾斜部の前記終点は前記電気部品から見て前記横長スリットを越えた位置に配置されることにより、前記横長スリット上を跨いでいる導電リード部分が前記傾斜部の一部であって横長スリット上傾斜導電リード部を構成していることから、上記始点から前記横長スリットまでの間の傾斜部である基材上傾斜導電リード部においては、各導電リード同士の平面方向での間隔が広がるので互いのショートを防止することができる。
すなわち、上記基材上傾斜導電リード部の各導電リードは、上記横長スリット上傾斜導電リード部とほぼ同じ方向に傾斜して形成されているので上記傾斜角が緩和されることになり、よって図１２の傾斜部における各導電リード同士の間隔に比べて広くなるものである。
【００１０】
詳しく述べれば、次の通りである。
前記導電リードの上記傾斜部において、電気部品における前記電極との導通接続箇所付近の上記傾斜部始点から上記跨ぎきった上記傾斜終点までの距離（上記横長スリットの長手方向との直交方向における距離）は、前記傾斜部始点から前記横長スリットまでの同方向での距離（上記直交方向における距離）よりも、上記横長スリット上傾斜導電リード部の同方向での距離分だけ長くなる。
したがって図１２のような導電リードにおいて電気部品における前記電極との導通接続箇所付近の傾斜部始点２ｂから前記横長スリット付近の傾斜部終点２ａ（アウターリードとの接続点）までの導電リードが横長スリットの長手方向の直交線に対して傾斜している傾斜角に比べて、本発明の上記傾斜部始点から上記傾斜部終点にいたる導電リードの同傾斜角は、上記横長スリット上傾斜導電リード部の同方向距離の分だけ緩和され、上記傾斜角が小さくなる。このため、上記基材上傾斜導電リード部の導電リード同士の間隔は広くなるものである。
【００１１】
加えて、横長スリットを跨ぐ導電リードは、傾斜して形成されているので、横長スリットの長手方向での幅が上記傾斜角の分だけ広くなる。このため、上記横長スリットの長手方向での耐力が向上し、折り曲げ力などの外力が導電リードに働いても導電リードが耐ええることになる。
【００１２】
なお、前記導電リードは、上記始点から上記終点までがほぼ直線状に伸びるとは、非直線の繰り返しを含むもので、例えば細かなジグザグ状で形成され、あるいはなだらかな曲線で形成されることを含む。ただし、導電リード間の間隔がほぼ変わらないように隣接の導電リードは、同様の上記ジグザグ状や曲線で形成する必要がある。上記ジグザグ状や曲線の繰り返し形状が、マクロ的に見れば直線状になっていれば、上記直線状に含まれるものである。
なお、上記基材上傾斜導電リード部と上記横長スリット上傾斜導電リード部の各々の
導電リードが前記横長スリットの長手方向の直交線に対して傾斜しているとは、実装される電気部品の電極と接続している上記基材上傾斜導電リード部近傍の接続群における左右両端間の幅に対して、上記横長スリット上傾斜導電リード部において上記横長スリットを跨ぎきった前記導電リード群での左右両端間の幅の方が広いか、同等か、狭いかにより、また広い程度、狭い程度により定まる。すなわち、上記接続群における左右両端間の幅に対して、上記横長スリットを跨ぎきった前記導電リード群での左右両端間の幅の方が広い場合は上記広くなるような向きの傾斜方向に導電リードが傾斜しているものであり、逆に狭い場合は上記狭くなるような向きの傾斜方向に導電リードが傾斜しているものである。上記接続群における左右両端間の幅に対して、上記横長スリットを跨ぎきった前記導電リード群での左右両端間の幅が同等の場合は、上記接続群における上記長手方向での位置と、上記横長スリットを跨ぎきった前記導電リード群における上記長手方向での位置の違いにより上記傾斜方向や傾斜角は定まるものである。
【００１３】
また、上記基材上傾斜導電リード部と上記横長スリット上傾斜導電リード部において、上記傾斜方向や傾斜角は、導電リードがどこの平面位置に形成されているかにより定まるものである。たとえば、電気部品の電極と接続する箇所である上記基材上傾斜導電リード部近傍の接続群における左右両端間の幅が狭く、横長スリットを跨ぎきった前記導電リード群での左右両端間の幅の方が広く、かつ上記接続群の中心位置と横長スリットを跨ぎきった前記導電リード群の中心位置の平面位置が上記長手方向においてほぼ同じ位置である場合であれば、上記基材上傾斜導電リード部と上記横長スリット上傾斜導電リード部における最外端側の導電リードでの上記傾斜角は大きくなり、それより内側の導電リードの上記傾斜角は小さくなるものである。
【００１４】
上記導電リードは、好適には銅、アルミニュームなどの導電性金属から構成される導電薄膜からなり、導電パターンとしてエッチングなどにより所定形状に形成されるものである。
上記板状基材は、好適にはフレキシブル基材であり、たとえばポリイミド樹脂の薄板からなる。最も好適には、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式に用いられるフレキシブル基材である。上記板状基材は、非フレキシブル基材であってもよく、たとえばガラス繊維入りエポキシ樹脂基材であってもよい。
また本発明の回路基板は、上記ＴＡＢ方式から得られる個々のフレキシブル回路基板が好適であるが、またＴＡＢ方式に用いられるフィルムテープであって、回路基板が連続的に形成されたフィルムテープそのものであってもよい。このＴＡＢ方式に用いられるフィルムテープから、外形切断やプレス抜きなどにより個々の回路基板を取り出すものである。あるいは、ＴＡＢ方式に用いられるフィルムテープの個々の回路基板上に半導体素子などの電気部品を接続実装した後に、外形切断やプレス抜きなどにより個々の回路基板を取り出すようにしてもよい。
上記電気部品は、半導体素子や液晶表示パネルなどが好適である。その他の導電接続する電気部品であっても良い。
【００１５】
本発明の第２実施態様の回路基板は、第１実施態様の回路基板であって、前記電気部品の平面形状は略四辺形であり、前記横長スリット上傾斜導電リード部は、上記電気部品における前記横長スリットに近い辺から突出形成された導電リードの延出部分であることを特徴とする。
【００１６】
上記構成によれば、前記電気部品の平面形状は略四辺形であり、前記横長スリット上傾斜導電リード部は、上記電気部品における前記横長スリットに近い辺から突出形成された導電リードの延出部分であるので、前記基材上傾斜導電リード部および前記横長スリット上傾斜導電リード部は、ほぼ直線で構成しやすくなり、屈曲、折り曲げなどの無理な平面形状を用いることなく形成できる。よって、前記基材上傾斜導電リード部および前記横長スリット上傾斜導電リード部の機械的強度を良好に保つことができるものである。
【００１７】
本発明の第３実施態様の回路基板は、第１実施態様乃至第２実施態様のいずれか１つの回路基板であって、前記電気部品の平面形状は略四辺形であり、前記横長スリット上傾斜導電リード部は、上記電気部品における前記横長スリットに近い辺とは異なる他の少なくとも１辺から延出した導電リードの延出部分であることを特徴とする。
【００１８】
上記構成によれば、前記横長スリット上傾斜導電リード部が上記電気部品における前記横長スリットに近い辺とは異なる他の少なくとも１辺から延出した導電リードの延出部分であることから、電極が前記横長スリットに近い辺とは異なる他の少なくとも１辺にも構成されている上記電気部品を用いることができ、そのような電気部品を用いて本発明を実施することができる。
なお、上記第３実施態様を上記実施形態２のように横長スリット上傾斜導電リード部を構成することと併用する場合は、横長スリット上傾斜導電リード部の各導電リードは、上記電気部品における前記横長スリットに近い辺から突出形成され、さらに上記電気部品における前記横長スリットに近い辺とは異なる他の少なくとも１辺から延出されて多数となる。したがって横長スリット上傾斜導電リード部の各導電リードにおける前述の長手方向の直交線に対する傾斜角は大きく傾きも大きくなるので、互いの導電リード間の隙間が狭くなりやすいものである。しかるに本発明では、前記基材上傾斜導電リード部ばかりでなく前記横長スリット上傾斜導電リード部においても各々の導電リードがほぼ同じ傾斜方向に傾斜するように構成されているので、上記傾斜角が小さくなり傾きも小さくなるもので、互いの導電リード間の隙間が広くなり、ショートを防止することができる。
【００１９】
本発明の第４実施態様の回路基板は、第１実施態様乃至第３実施態様のいずれか１つの回路基板であって、前記横長スリット上傾斜導電リード部における前記導電リードは、平面方向の幅が同一である場合に隣接する導電リードとの平面方向の間隔が広がる部分において幅広に形成されていることを特徴とする。
【００２０】
上記構成のように前記横長スリット上傾斜導電リード部における前記導電リードは、導電リード部の長手方向に直交する方向の幅が同一である場合に隣接する導電リードとの間隔が広がる部分において幅広に形成されているので、前記横長スリット上傾斜導電リード部の前記導電リードに外力が働いても損傷することを防止できる。
上記のように、導電リードに幅広部分を形成しても、隣接する導電リードとの間隔が狭くなることはないので、互いにショートする危険性は存在しないものである。
【００２１】
本発明の第５実施態様の回路基板は、第１実施態様乃至第４実施態様のいずれか１つの回路基板であって、前記板状基材はフレキシブル材からなり、前記横長スリットにおいてその長手方向に沿って折り曲げられることを特徴とする。
【００２２】
上記構成のように前記板状基材はフレキシブル材からなり、前記横長スリットにおいてその長手方向に沿って折り曲げられる場合に、前記横長スリット上傾斜導電リード部の前記導電リードにおける前記長手方向での幅は、広くなるので、上記導電リードが曲げられた際の機械的強度が損なわれることを防止する。
上記横長スリット上傾斜導電リード部の前記導電リードにおける前記長手方向での幅が広くなるとは、次の通りである。すなわち、図１２のように横長スリット上の導電リードにおいて長手方向の幅は、導電リードのいわゆる幅（導電リードの長手方向に直交する方向の幅）であるのに対し、本発明の横長スリット上傾斜導電リード部の前記導電リードは、所定方向に傾斜して形成されていることから上記傾斜による長手方向の幅寸法が増加するものである。
【００２３】
本発明の第６実施態様の回路基板実装体は、第１実施態様乃至第５実施態様のいずれか１つに記載の回路基板と、この回路基板の導電リードの一端に導通接続され実装されている電気部品とを備えたことを特徴とする。
【００２４】
上記構成によれば、上述してきた回路基板としての作用効果を、回路基板に導通接続されて実装される電気部品を備えた回路基板実装体にも当てはまるものである。
上記電気部品は、半導体素子、抵抗、コンデンサ等、どのようなものでもよい。
【００２５】
本発明の第７実施態様の回路基板実装ユニットは、第６実施態様に記載の回路基板実装体における前記導電リードの延出部であって前記横長スリットを超えた位置に形成されたアウターリードに他の電気構造体に接合したことを特徴とする。
【００２６】
上記構成によれば、上記回路基板実装体を他の電気構造体に接合して使用する場合であっても、前述してきた作用効果を有するものである。
上記他の電気構造体は、液晶表示パネル、他の回路基板、等で、その他の電気構造体であってもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、各導体パターン同士の平面間隔が狭くならないようにして各導体パターン同士によるショートを防止する回路基板、それを用いた回路基板実装体、その回路基板実装体を用いた回路基板実装ユニットを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
〔第１実施形態〕
図１〜図５は、本発明の第１実施形態を示す図である。
図１は本発明の第１実施形態における半導体素子が実装された状態のフィルムテープの平面図、図２は図１のＡ−Ａ位置での主要部断面図、図３は図１で得られた回路基板実装体が折り曲げられて液晶表示パネルに接合された状態の主要部断面図、図４は図１の一部拡大平面図、図５は図４の一部拡大平面図である。
【００２９】
図１に図示されたフィルムテープ１１は、いわゆるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式に用いられるもので、ポリイミド樹脂の薄板のテープであって図１の上側方向と下側方向に連続して形成されている。
上記フィルムテープ１１の左右両端には、搬送用の搬送穴１１ａが図１の上下方向の所定間隔毎に設けられている。
この場合、上記フィルムテープ１１は、所定位置に所定数の横長スリット（後述する）が形成され、フィルムテープ１１の表面に導電リード１２がパターニング形成され、次に後工程第１方式として、電気部品である半導体素子１３が接合実装されてから、所定の切断位置２５にて切断し、ポリイミド樹脂の薄板である回路基板１４に電気部品である上記半導体素子１３が接合実装された回路基板実装体１５を得るものである。あるいは、上記フィルムテープ１１の表面に導電リード１２がパターニング形成された後の後工程第２方式として、フィルムテープ１１の所定の切断位置２５にて切断し、ポリイミド樹脂の薄板である回路基板１４を得てから、この回路基板１４に電気部品としての上記半導体素子１３を接合実装して回路基板実装体１５を得るようにする。上記後工程第１方式と後工程第２方式は、どちらを採用してもよいが、好ましくは作業性向上の観点からは後工程第１方式が好ましい。
上記回路基板１４は、電気部品である上記半導体素子１３が実装された際には、その半導体素子１３の電極に導通接続される導電リード１２と、導電リード１２が表面に接合配置される板状基材１６とを有するものである。上記板状基材１６は、上記フィルムテープ１１の一部が該当することになる。
【００３０】
上記フィルムテープ１１から上記回路基板実装体１５を得るまでについて詳述する。
ポリイミド樹脂の薄板状テープである上記フィルムテープ１１を用意し、上記搬送穴１１ａと、１つの回路基板１４および回路基板実装体１５が構成される所定エリア毎に、後ほどの回路基板１４における横長スリットとなる第１横長スリット１７、第２横長スリット１８、第３横長スリット１９と、後述する封止樹脂注入用の封止樹脂注入穴２０とをプレス加工、エッチング加工等により形成する。
上記回路基板１４および回路基板実装体１５が構成されるエリアは、図１の図示のように上下方向に多数箇所形成されるものである。図１では、上側に図示された上記回路基板１４および回路基板実装体１５が下側にも同様に構成されるが、下側の上記回路基板１４および回路基板実装体１５については詳細な図示が省略されている。
【００３１】
上記プレス加工等の後、フィルムテープ１１の表面に、後には導電リード１２が形成されることになる銅箔を接合する。その銅箔の幅は、左右の上記搬送穴１１ａ間より狭いものを用いる。上記銅箔を、フィルムテープ１１の表面に接着材によりあるいは接着材無しの状態で加圧加熱することによりフィルムテープ１１の表面に接着する。
しかる後、上記銅箔上にレジスト膜を所定パターンに沿って被覆し、エッチングすることにより露出している上記銅箔をエッチング除去して、所定形状の導電リード１２等を得るものである。なお、上記銅箔から所定形状の導電リード１２等を得る方法は、上記以外の周知の方法であってもよい。あるいはフィルムテープ１１の表面に導電リード１２をメッキ方式で形成するようにしてもよい。
なお、上記銅箔から所定形状の導電リード１２等を得る場合に、フィルムテープ１１の各横長スリットや開口には、裏側等から埋め込み樹脂を注入しておくことも効果的である。その場合は、上記埋め込み樹脂の表側高さは、フィルムテープ１１の表面と殆ど同じとなるように埋め込む。あるいはフィルムテープ１１の表面と殆ど同じ高さとなるように上記埋め込み樹脂の表側を研磨するようにしてもよい。
【００３２】
上記銅箔から所定形状の導電リード１２等を得ることによって、図１のようにフィルムテープ１１、すなわち板状基材１６上と、上記各横長スリット１７、１８、１９上、すなわち上記各横長スリット１７、１８、１９を跨って導電リード１２を得ることができ、同時に導電リード１２の先端側がその先の他の導電部に導通するためのアウターリードを得ることができるものである。このアウターリードは、図１では、第２横長スリット１８の外側（図１では上側）に形成されている第１アウターリード２２と、第３横長スリット１９の外側（図１では下側）に形成されている第２アウターリード２３とを有するものである。
したがって、各導電リード１２の各々は、上記第１アウターリード２２または第２アウターリード２３に導通接続しているものである。
こうして回路基板が複数組形成されることになる。
【００３３】
この後の後工程に関し、まず前述した後工程第１方式により個々の回路基板１４および回路基板実装体１５を得る方法について説明する。
上記封止樹脂注入穴２０を取り囲む様にフィルムテープ１１（板状基材１６）の表面の所定位置に半導体素子１３が載置される。
上記所定位置は、上記封止樹脂注入穴２０の周囲の板状基材１６に導電リード１２の先端が配置された位置であって、半導体素子１３の裏面に形成されている多数の電極（図示せず）が導電リード１２の各先端に合致できる平面位置である。半導体素子１３が上記所定位置に載置されるには、画像認識によることが好ましい。したがって上記封止樹脂注入穴２０およびその周囲に配置される導電リード１２の先端は、半導体素子１３により平面的に覆われる位置に配置されるものである。
しかる後、半導体素子１３の電極と導電リード１２の各先端が導通接合される。
この導通接合は、周知の異方性導電接着材を用いて行うか、半導体素子１３の電極が金合金など導通接合金属で構成されている場合には加熱加圧により両者が接合されることにより行ってもよく、それ以外お方法によってでもよい。
【００３４】
しかる後、フィルムテープ１１（板状基材１６）の裏側から上記封止樹脂注入穴２０より封止樹脂２１を注入する。この封止樹脂２１は、エポキシ樹脂が好ましいが、その他の封止樹脂であってもよい。注入された封止樹脂２１は、上記封止樹脂注入穴２０を埋め尽くし、さらには半導体素子１３の底面（底面）および側壁周囲を封止ものである。
なお、上記導電リード１２上には、絶縁を確保するため合成樹脂被膜としての絶縁被膜２４が塗布される。この絶縁被膜２４の形成は、上記塗布以外の方法によってもよい。
【００３５】
しかるのち、切断加工やプレス抜き加工が施されて外径形状が四角形状の回路基板実装体１５が得られる。
上記切断加工やプレス抜き加工される切断位置２５は、図１に２点差線で表示されている四角形状の位置である。
図１の切断位置２５は、各横長スリット１７、１８、１９の左右両端から若干距離を置いた左右位置であるため、回路基板１４において各横長スリット１７、１８、１９の左右両端には、板状基材１６が残されている。この残された板状基材１６部分が、板状基材１６（回路基板１４）全体の強度を確保しているものである。特に、上記いずれかの横長スリットにてその長手方向Ｎを中心軸線方向にして折り曲げる際には、上記残された板状基材１６部分が折り曲げされた板状基材１６（回路基板１４）や導電リード１２を補強することになり、その残された板状基材１６の効果は大きい。
【００３６】
一方、各横長スリット１７、１８、１９の左右両端が上記切断位置２５を越えて形成されるようにしてもよく、その場合の各横長スリット１７、１８、１９は、図１の各横長スリット１７、１８、１９の左右両端に２点鎖線にて表示したように形成されるものである。この各横長スリット１７、１８、１９の左右両端が上記切断位置２５を越えて形成されると、上記切断位置２５にて切断された際には、各横長スリット１７、１８、１９の左右両端が左右両方向に開放されて上述のように残された板状基材１６は存在しない。この場合は、各横長スリット１７、１８、１９のいずれかで、横長方向Ｎを折り曲げ軸線方向として板状基材１６（回路基板１４）が折り曲げられる際には、上記補強部分が存在しないことから折り曲げが容易となる効果を有する。
上述のように、各横長スリット１７、１８、１９の左右両端において残された板状基材１６部分を確保する（図１の各横長スリット１７、１８、１９が実線形状に形成する）ようにするか、もしくは各横長スリット１７、１８、１９の左右両端を左右両方向に開放する（図１の各横長スリット１７、１８、１９が２点鎖線形状に形成する）ようにするか、あるいは各横長スリットの中で両者を併用するかについては、使用状況により適宜選択すればよい。
【００３７】
なお、後工程第２方式により個々の回路基板１４および回路基板実装体１５を得る方法では、上記フィルムテープ１１上に前述のように各横長スリットや導電リードが形成されて個々の回路基板が連続して形成されたのち、前述の切断位置２５にて各回路基板を切り落とし、しかる後、各回路基板に前述のように電気部品を導通接続し実装する。また、上記導電リード１２上には、絶縁を確保するため合成樹脂被膜としての絶縁被膜２４が塗布される。この絶縁被膜２４の形成は、上記塗布以外の方法によってもよい。こうして回路基板実装体１５を得ることができる。
なお、回路基板実装体１５において、半導体素子１３の電極に導通接合する導電リード１２は、半導体素子１３が挿入される大きさに開口された開口部の内側に突出し、この導電リードの突出部に半導体素子１３の電極が導通接合される構造、いわゆるインナーリード方式であってもよい。この開口部には、半導体素子１３の電極部を封止する封止樹脂が注入されるものである。あるいは、板状基材１４上に半導体素子１３を接合し、半導体素子１３の表面に配置された電極と回路基板の導電リード１２とをワイヤーボンダーにてワイヤー接続するようにしてもよい。
【００３８】
以上により、回路基板実装体１５が得られる。
この回路基板実装体１５の主要部断面は、図２に図示されている。
なお、図２の２点鎖線は、回路基板実装体１５が接合される他の電気構造体である。
図２において、上記２点差線のうち２６はリジット基板でその表面に導電パターンが形成されており、この導電パターンは他の導電手段に接続しているものである。２７は液晶表示パネルである。
回路基板実装体１５において、第１アウターリード２２が上記リジット基板２６の導電パターンに接合導通し、第２アウターリード２３が液晶表示パネル２７、詳しくは上パネル基板２７ｂに接合されている下パネル基板２７ａの導電パターンに接合導通している。
上記第１アウターリード２２が上記リジット基板２６の導電パターンに接合導通し、また第２アウターリード２３が下パネル基板２７ａの導電パターンに接合導通するには、どのような方法でもよく、たとえば導電異方性接着材を間に介して加熱加圧してもよく、ありは高導電性金属（たとえば金合金や銀合金）を間に介して加熱加圧してもよく、要するに両者の導電リードが導通しながら両者が接合するならばどのようでもよい。
【００３９】
図３は、図２の回路基板実装体１５に上記リジット基板２６および上記液晶表示パネル２７が接合され、組み合わされた状態（図２の実線と２点差線で表示された状態）で、回路基板実装体１５を折り曲げかつ上記リジット基板２６が液晶表示パネル２７上方に重ねられた状態の回路基板実装ユニットである液晶表示パネル回路基板実装ユニット２８の主要部断面図である。
回路基板実装体１５は、第３横長スリット１９と第１横長スリット１７にて各々の横長スリットの長手方向Ｎを折り曲げ軸線方向としてほぼ直角に折り曲げられており、下側に液晶表示パネル２７を、液晶表示パネル２７の上側に背面板２９（液晶表示パネル２７の表示に役立てるためのもので例えば反射板など）を、その背面板２９の上側にリジット基板２６を配置している。このため、第３横長スリット１９の中心位置と第１横長スリット１７の中心位置との距離寸法は、液晶表示パネル２７の下パネル基板２７ａと背面板２９とリジット基板２６との積層厚さとほぼ同じ寸法に設定されている。
【００４０】
なお、第２横長スリット１８に関しては、次の通りである。
すなわち、回路基板実装体１５が第２横長スリット１８の箇所では曲げられるのではないが、この第２横長スリット１８が設けられていることにより、第１アウターリード２２がよりしなやかとなりリジット基板２６の導電パターンとの接触が良好に保たれる。特に回路基板実装体１５が上記第３横長スリット１９と第１横長スリット１７にて上記のように折り曲げられており、多少なりとも折り曲げを戻そうとする反力が生じる。この反力は、上記回路基板実装体１５と第１アウターリード２２との接続部に生じやすいものである。そこで、上記回路基板実装体１５と第１アウターリード２２との接続部近傍に上記第２横長スリット１８が配置されているので上記反力を吸収することができ、リジット基板２６の導電パターンとの接触が良好に保たれる。
【００４１】
図３において、上記液晶表示パネル回路基板実装ユニット２８における回路基板実装体１５の半導体素子１３は、回路基板１４の下側で、上記リジット基板２６の外端の外側にかつリジット基板２６の厚さ内に配置される位置関係となっている。
上記液晶表示パネル回路基板実装ユニット２８は、時計、携帯電話、ノートパソコン、電子卓上計算機などの電子機器内に組み入れられて用いられるものである。
【００４２】
図１に戻って、導電リード１２の配置関係について詳述する。
前述のように、半導体素子１３が配置される個所には、多数の導電リード１２の先端（端部）が集合して群を構成しており（この群を導電リード先端群と称する）、この導電リード先端群は、半導体素子１３が回路基板１４（板状基材１６）に実装された際には前記半導体素子１３の裏面（回路基板１４の表面に対向する面）に配置された多数の電極と導通接合されることになる。言い換えれば上記導電リード先端群は、前記封止樹脂注入穴２０の周囲に配置されているものである。図１では、上記半導体素子１３の平面形状が横長の長方形状となり、下辺に沿って配置された下側導電リード先端群１２ａと上辺に沿って配置された上側導電リード先端群１２ｆが構成されている。図１では、各々の導電リード先端群１２ａ、１２ｆは、一部点線で図示されている。
さらに、各横長スリットにおいて、前記第１横長スリット１７は、半導体素子１３が回路基板１４（板状基材１６）に実装（半導体素子１３が回路基板１４上に載置され固定されると共に前述の多数の電極が多数の導電リード１２の先端に導通接合）された際に、半導体素子１３における前記第２アウターリード２３側での近傍位置（図１では半導体素子１３の下側）に形成されているものである。同様に前記第２横長スリット１８も、半導体素子１３が回路基板１４（板状基材１６）に実装された際に、半導体素子１３における前記第１アウターリード２２側の近傍位置（図１の半導体素子１３の上側）に形成されているものである。
【００４３】
なお、上記半導体素子１３は、長方形状の下辺および上辺が各横長スリット１７，１８，１９の長手方向Ｎと平行になるように配置されるもので、また上記下辺、上辺、および上記長手方向Ｎは、フィルムテープ１１の長手方向（図１の上下方向）に対し直交する方向に配置されている。したがって、各横長スリット１７，１８，１９は、各々の長手方向Ｎと並行に配置されている。
【００４４】
ここで、前述した下側導電リード先端群１２ａ近傍から第１横長スリット１７周辺まで形成されている多数の導電リード１２の配置関係について、図１と図４とに沿って詳述する。 図４は、図１において半導体素子１３、第１横長スリット１７、半導体素子１３の下辺から第１横長スリット１７を跨いで延出されて配置されている導電リード１２を示している一部分の拡大図である。
上記下側導電リード先端群１２ａの各々の導電リード先端から上記半導体素子１３の下辺の若干下方までは前述の長手方向Ｎに直交する直交部分が形成されている。この直交部分の終点である傾斜部始点１２ｂ（図４）から第１横長スリット１７を越えた傾斜部終点１２ｃ（図４）までは、各々の導電リード１２が上記長手方向Ｎの直交線Ｒ（図４）に対して傾斜して形成され傾斜部１２ｏを構成している。なお、上記下側導電リード先端群１２ａにおける上記長手方向Ｎの中央位置の下側導電リード先端から下方に延出している導電リード１２は、傾斜せずに直線で下方に延出形成され、そのまま第１横長スリット１７を横切るので、上記長手方向Ｎに直交することになる。
【００４５】
第１横長スリット１７を越えた上記傾斜部終点１２ｃから先（図１では下側）の各導電リード１２は、上記傾斜はなく上記長手方向Ｎに対して直交した状態で延出形成され、前記第３横長スリット１９を跨いで前述の第２アウターリード２３に接続するものである。この場合、第３横長スリット１９を跨いでいる導電リード１２の各々は、第３横長スリット１９の長手方向Ｎに傾斜することなく直交して跨いでいる。
上記第３横長スリット１９を跨いでいる導電リード１２の各々の間隔は、上記下側導電リード先端群１２ａから上記傾斜部終点１２ｃまでの導電リード１２の各々の間隔より広く構成されるから、上記第３横長スリット１９を跨いでいる導電リード１２の各々は、互いに接触する危険性が少ないものである。
【００４６】
ここで、上記下側導電リード先端群１２ａにおいてその最も左に位置している下側導電リード先端群左端１２ａａから同最も右に位置している下側導電リード先端群右端１２ａｂまでの幅が、第１横長スリット１７を越えた導電リード１２の上記傾斜部終点１２ｃにおいてその最も左に位置する左端傾斜部終点１２ｃａから最も右に位置する右端傾斜部終点１２ｃｂまでの幅より小さくなるように配置されている。
このため、上記傾斜部始点１２ｂから上記第１横長スリット１７の上辺までのほとんどの導電リード１２は、板状基材１６上に形成されかつ上記傾斜して形成されており、基材上傾斜導電リード部１２ｄを構成している。また上記第１横長スリット１７上、すなわち第１横長スリット１７を跨いでいるほとんどの導電リード１２は、上記傾斜と同様の向きに傾斜して形成されており、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成している。
【００４７】
次に、前述した上側導電リード先端群１２ｆから第２横長スリット１８周辺までに形成されている多数の導電リード１２の配置関係について詳述する。
上記上側導電リード先端群１２ｆから第２横長スリット１８周辺までに形成されている多数の導電リード１２の配置関係は、前述した下側導電リード先端群１２ａから第１横長スリット１７周辺まで形成されている多数の導電リード１２の配置関係と同様であり、上記下側導電リード先端群１２ａから傾斜部終点１２ｃまでの導電リードの形状および配置位置が半導体素子１３に対して対称の関係に構成されている。
したがって、上側導電リード先端群１２ｆから第２横長スリット１８周辺までに形成されている多数の導電リード１２において、傾斜部始点１２ｉから第２横長スリット１８を越えた傾斜部終点１２ｊまでがほぼ直線状の傾斜部１２ｏが形成されており、この傾斜部１２ｏに、基材上傾斜導電リード部１２ｇ、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｈが構成されているものである。
上記傾斜部終点１２ｊから先の導電リード１２は、上記長手方向Ｎに対して直交する方向に伸びてそのまま前述の第１アウターリード２２に接続している。
【００４８】
以上のように、導電リード１２において上記導電リード先端近傍の傾斜部始点１２ｂ、１２ｉから上記横長スリット１７，１８を越えた傾斜部終点１２ｃ、１２ｊまでは、傾斜部１２ｏが形成されており、上記傾斜部始点１２ｂ、１２ｉから上記横長スリット１７，１８の縁までの導電リード１２が上記横長スリット１７，１８の長手方向Ｎの直交線Ｒに対して傾斜して形成された基材上傾斜導電リード部１２ｄ、１２ｇであり、上記横長スリット１７，１８を跨って形成される導電リード１２が上記傾斜と同様の傾斜方向に傾斜して形成され横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅ、１２ｈとなっている。したがって横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅ、１２ｈが構成されてその上の導電リード１２が上記同様の傾斜方向に傾斜して形成されていることから、上記基材上傾斜導電リード部１２ｄ、１２ｇの各導電リード１２における上記傾斜角を小さくする、つまり上記傾斜を緩和することができ、したがって上記基材上傾斜導電リード部１２ｄ、１２ｇの各導電リード１２同士の間隔を狭めることがなく、ショートを防止することができる。このため、各導電リード１２の導通の信頼性を高めることができる。
【００４９】
以上の上記基材上傾斜導電リード部１２ｄ、１２ｇの各導電リード１２同士の間隔を狭めることがないという本発明の実施形態の作用効果を、図４にもとづき従来と比較してより詳細に説明する。
図４は、図１において半導体素子１３、第１横長スリット１７、半導体素子１３の下辺から第１横長スリット１７を跨いで延出されて配置されている導電リード１２を示している部分の拡大図である。
図４において点線は、従来（図１２に相当）の導電パターン（導電リード）２の形状を示している。従来の導電パターン２は、点線形状のように前述した傾斜部始点２ｂから第１横長スリット１７の上辺近傍までは第１横長スリット１７の長手方向Ｎの直交線Ｒに対して傾斜している傾斜配置部２Ｃ（本発明の基板上傾斜導電リード部に相当）が形成されている。上記傾斜配置部２Ｃの終点である傾斜部終点２ａから第１横長スリット１７を跨いでいる部分に掛けては、第１横長スリット１７の長手方向Ｎに直交して形成されて横長スリット上直交導電リード部２ｄを構成しており本発明の前述のようには傾斜してはいない。
なお上記傾斜部終点２ａの上記長手方向Ｎでの平面位置は、上記横長スリット上直交導電リード部２ｄの同平面位置と同じである。
このため、前述した傾斜配置部２Ｃでの導電リード２と上記長手方向Ｎに直交する直交線Ｒに対する傾斜角βは大きくなる。つまり導電リード２は、上記傾斜部始点２ｂで傾斜配置部２Ｃに向かって大きく傾斜することになる。
【００５０】
これに対して本発明の第１実施形態では、図４の実線で図示された導電リード１２のように第１横長スリット１７を跨って形成された導電リード１２が上記直交線Ｒに対して傾斜して配置されて横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成しているから、上記基板上傾斜導電リード部１２ｄの上記傾斜角が従来に比べて小さくなだらかになる。すなわち、上記基板上傾斜導電リード部１２ｄの導電リード１２と上記直交線Ｒに対する傾斜角αは比較的小さくなる。上記第１実施形態の傾斜角αは、従来の傾斜角βより小さくなる。つまり導電リード２は、上記傾斜部始点１２ｂで上記基板上傾斜導電リード部１２ｄに向かって小さく傾斜するにすぎない。
このため、図４に図示されているように、第１実施形態の基板上傾斜導電リード部１２ｄにおいては各導電リード１２と隣接する導電リード１２との間隔（隙間）が、従来の傾斜配置部２Ｃにおいて各導電パターン２と隣接する導電パターン２との間隔（隙間）より広くなるものであり、それだけ互いの導電リード１２同士が接触（ショート）する危険性が減少するものである。
【００５１】
なお、本発明の上記基板上傾斜導電リード部１２ｄにおいて、導電リード１２と上記長手方向Ｎの直交線Ｒに対する傾斜角αは、導電リード１２が基板上傾斜導電リード部１２ｄの中でどの位置に配置されているかにより異なるものである。
図４においては、左端に配置された導電リード１２−１の上記傾斜角α―１（図示せず）は最も大きく、左端から２番目に配置された導電リード１２−２の上記傾斜角α―２（図示せず）は上記傾斜角α―１より小さいものであり、左端から３番目に配置された導電リード１２−３の上記傾斜角α―３（図示せず）は上記傾斜角α―２より小さいものである。
なお、図４、図１において、左端と右端との中間の中央に配置された導電リードは、上記傾斜角αがゼロになり、つまり傾斜はなく前期長手方向Ｎと平行となって直線状に形成されるものである。
逆に右端の導電リードの上記傾斜角はマイナスα―１（図示せず）となり、右端から２番目の導電リードの上記傾斜角はマイナスα―２（図示せず）となって上記傾斜角のマイナスα―２は上記マイナスα―１より絶対値で小さく、同様に右端から３番目の導電リードの上記傾斜角はマイナスα―３（図示せず）となって上記傾斜角のマイナスα―３は上記マイナスα―２より絶対値で小さくなっている。
【００５２】
また、図４、図１において、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅにおける導電リード１２の傾斜角は、上記基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける導電リード１２の上記傾斜角αと同等に設定されている。したがって、各導電リード１２において、上記基板上傾斜導電リード部１２ｄと横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅの導電リード１２が連続した直線状に構成されることになる。
【００５３】
なお、上記横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅの導電リード１２が、各横長スリットの上記直交線Ｒに対して傾斜しており、上記各横長スリットにて折り曲げられる場合には、図５のように上記長手方向Ｎの導電リード１２の幅が上記傾斜角の分だけ広くなり、導電リード１２の折り曲げ時の強度が向上することになる。
すなわち図５において、導電リード１２における上記長手方向Ｎでの幅Ｖは、通常幅Ｗ／傾斜角αで算出されるものである。
【００５４】
〔第２実施形態〕
図６は、本発明の第２実施形態を示す要部の平面図である。
第２実施形態が第１実施形態と異なるのは、第１実施形態では下側導電リード先端群１２ａの前記長手方向Ｎでの中間位置が、基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅの長手方向での左端と右端との中間位置とほぼ同じ位置に配置されていたのに対し、第２実施形態では、下側導電リード先端群１２ａの前記長手方向Ｎでの中間位置が、基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける前記長手方向Ｎでの左端と右端との中間位置と異なっており、さらに横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅの前記長手方向Ｎでの左端と右端との中間位置とも異なっていることである。
上記以外は、基本的に第２実施形態は、第１実施形態と同様に構成されている。
なお、図６においては、半導体素子１３の下辺側にのみ導電リード１２郡が配置されて図示されているが、半導体素子１３の左右方向を対称軸として上記導電リード１２郡が対称に半導体素子１３の上辺側に配置されるようにしてもよい。
【００５５】
図６においては、下側導電リード先端群１２ａの下端にあたる傾斜部始点１２ｂから第１横長スリット１７を越えた位置の傾斜部終点１２ｃまでの導電リード１２は直線状に形成されており、また各導電リード１２の長手方向Ｎでの間隔はほぼ同一となっている。
したがって、下側導電リード先端群左端１２ａａと下側導電リード先端群右端１２ａｂの前記長手方向Ｎでの中間位置が、左端傾斜部終点１２ｃａから右端傾斜部終点１２ｃｂとの前記長手方向Ｎでの中間位置と異なっているものであり、前述のように基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける前記長手方向Ｎでの前記左端と右端との中間位置と異なっており、さらに横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅの前記長手方向での左端と右端との中間位置と異なっていることになる。さらに基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける前記長手方向Ｎでの左端と右端との中間位置は、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅの前記長手方向Ｎでの左端と右端との中間位置と異なっている。
【００５６】
上記第２実施形態は、回路基板における半導体素子１３の配置箇所に対して第２アウターリード２３の配置箇所が前記長手方向Ｎで異なることが要求される用途の場合に採用されるものである。
なお、上記下側導電リード先端群左端１２ａａと下側導電リード先端群右端１２ａｂの前記長手方向Ｎでの幅と、左端傾斜部終点１２ｃａから右端傾斜部終点１２ｃｂとの前記長手方向Ｎでの幅とが異なっている場合も有りうる。その場合は、導電リード１２の各々は、平行にはならないものである。
【００５７】
第２実施形態においても、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅでの各導電リード１２が上記のように傾斜して配置されていることから、基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける各導電リード１２が急激に傾斜することがなく、導電リード１２同士の間隔が広く確保できることになってショートを防止することができるものである。
【００５８】
〔第３実施形態〕
図７は、本発明の第３実施形態を示す要部の平面図である。
第３実施形態が第１実施形態と異なるのは、半導体素子１３の左辺と右辺とからも導電リード１２が延出してその先端側でも前述の基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成している点である。
なお、図７においては、図１に図示されているように、半導体素子１３の上辺側から延出し第２横長スリット１８を越えて第１アウターリード２２に至る導電リード１２群を形成するようにしてもよい。
図７において、半導体素子１３の左辺と右辺とから延出している導電リード１２は、半導体素子１３の裏面の電極と接続するものであり、上記延出した先は、図７の下側に向きを変えて前述した傾斜部始点１２ｂに至り、傾斜部始点１２ｂから前述の傾斜部終点１２ｃに延出形成され、この傾斜部終点１２ｃから図７の下側に真っ直ぐに伸びて第３横長スリット１９を越えて第２アウターリード２３に接続するものである。
【００５９】
よって、半導体素子１３の左辺と右辺とから延出している導電リード１２も、基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成するものである。
したがって、第３実施形態において半導体素子１３の左辺と右辺とから延出している導電リード１２も、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２と同様に、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅでの各導電リード１２が上記のように傾斜して配置されていることから、基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける各導電リード１２が急激に傾斜することがなく、導電リード１２同士の間隔が広く確保できることになってショートを防止することができるものである。
【００６０】
〔第４実施形態〕
図８は、本発明の第４実施形態を示す要部の平面図である。
第４実施形態が第３実施形態と異なるのは、半導体素子１３の上辺からも導電リード１２が延出してその先端側でも前述の基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成している点である。
図８において、半導体素子１３の上辺および左辺と右辺とから延出している導電リード１２は、半導体素子１３の裏面の電極と接続するものであり、上記延出した先は、図８の下側に向きを変えて前述した傾斜部始点１２ｂに至り、傾斜部始点１２ｂから前述の傾斜部終点１２ｃに延出形成され、この傾斜部終点１２ｃから図８の下側に真っ直ぐに伸びて第３横長スリット１９を越えて第２アウターリード２３に接続するものである。
【００６１】
よって、半導体素子１３の上辺および左辺と右辺とから延出している導電リード１２も、基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成するものである。
したがって、第４実施形態において半導体素子１３の上辺および左辺と右辺とから延出している導電リード１２も、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２と同様に、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅでの各導電リード１２が上記のように傾斜して配置されていることから、基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける各導電リード１２が急激に傾斜することがなく、導電リード１２同士の間隔が広く確保できることになってショートを防止することができるものである。
【００６２】
〔第５実施形態〕
図９は、本発明の第５実施形態を示す要部の平面図である。
第５実施形態が第１実施形態と異なるのは、第３横長スリット１９の長手方向Ｍが第１横長スリット１７の長手方向Ｎに対して非平行（直角など）に配置され、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２の延出向きが異なっている点にある。
図９において、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２は、前述した傾斜部始点１２ｂから第１横長スリット１７を跨いで上記傾斜部終点１２ｃに至り、この傾斜部終点１２ｃから図９の左方向に真っ直ぐに伸びて第３横長スリット１９を越えて第２アウターリード２３に接続するものである。
【００６３】
よって、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２は、基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成するものである。
なお、図９においては、半導体素子１３の下辺側にのみ導電リード１２郡が配置されて図示されているが、半導体素子１３の上辺から導電リード１２を図１のように形成してもよいし、半導体素子１３の上辺および左辺と右辺からも導電リード１２が延出し、その先が図９のように第１横長スリット１７を跨いで上記傾斜部終点１２ｃに至るように構成されていてもよい。
したがって、第５実施形態において半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２は、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅでの各導電リード１２が上記のように傾斜して配置されていることから、基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける各導電リード１２が急激に傾斜することがなく、導電リード１２同士の間隔が広く確保できることになってショートを防止することができるものである。
【００６４】
〔第６実施形態〕
図１０は、本発明の第６実施形態を示す要部の平面図である。
第６実施形態が第１実施形態と異なるのは、半導体素子１３の配置方向（半導体素子１３の中心軸方向Ｑ）が第１横長スリット１７の長手方向Ｎに対して非平行に配置され、半導体素子１３と第１横長スリット１７との間に他の電気部品が近接配置され、このため導電リード１２の配置が異なっている点にある。
図１０では、半導体素子１３の中心軸方向Ｑは、第１横長スリット１７の長手方向Ｎに対して約２０〜３０度傾斜しており、半導体素子１３と第１横長スリット１７との間には、他の電気部品としての抵抗器３０が配置され、抵抗器３０の両端が半導体素子１３の電極に接続されている。なお、上記他の電気部品は、コンデンサでもよくそれ以外の電気部品であっても良い。また抵抗器３０の両端は、半導体素子１３の電極以外の導電パターンに接続されていてもよい。
以上のように、第５実施形態は、半導体素子１３と第１横長スリット１７との間に他の電気部品が近接配置された場合に、好適である。
【００６５】
図１０においても、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２は、前述した傾斜部始点１２ｂから第１横長スリット１７を跨いで上記傾斜部終点１２ｃに至り、この傾斜部終点１２ｃから図１０の下方向に真っ直ぐに伸びて第３横長スリット１９を越えて第２アウターリード２３に接続することができる。
よって、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２は、基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成するものである。
したがって、第６実施形態において半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２は、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅでの各導電リード１２が上記のように傾斜して配置されていることから、基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける各導電リード１２が急激に傾斜することがなく、導電リード１２同士の間隔が広く確保できることになってショートを防止することができるものである。
【００６６】
〔第７実施形態〕
図１１は、本発明の第７実施形態を示す要部の平面図である。
図１１は、図１の半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２のうち、左側に配置されている導電リード１２の２本を拡大図示したものである。したがって、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅにおいては、第１横長スリット１７の上辺における導電リード１２と隣接する導電リード１２とのピッチ間隔は、第１横長スリット１７の下辺における導電リード１２と隣接する導電リード１２とのピッチ間隔より狭くなっている。
第７実施形態は、図１１に図示されているように横長スリットを跨いでいる横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅにおいて、導電リード１２の上側の幅１２ｍと下側の幅１２ｎとが異なり、導電リード１２の上側の幅１２ｍが狭く、下側の幅１２ｎが上側の幅１２ｍより広く形成されており、その間の間隔Ｈは、上記上側と下側とでほぼ同じに形成されている。
【００６７】
上記導電リード１２の上側の幅１２ｍは、図１の導電リード１２の幅と同じに形成されているから、下側の幅１２ｎは図１の導電リード１２の幅より広く形成されて、その分導電リード１２の強度が向上することになる。
よって、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅにおける導電リード１２の強度が向上するが、導電リード同士の間隔は狭まることはなく両者のショートを防止することができる。
なお、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅにおける各導電リードの傾斜角が各々異なっている場合には、上述のように導電リード１２の上側の幅１２ｍと下側の幅１２ｎとを異ならせることができ導電リードの強度を向上しながら、導電リード１２同士の間隔Ｈを減じることがないように形成することができるものである。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、フレキシブル回路基板、リジット回路基板でもよく、その回路基板に半導体素子などの電気部品を導通接続させ実装した回路基板実装体に適用でき、その回路基板実装体を液晶表示パネルに接続させ組み込みした回路基板実装ユニットに用いることが出来る。また上記回路基板実装体や回路基板実装ユニットを、電子機器に組み込んで完成させることにも適用できる。上記電子機器は、例えば携帯電話、電子時計、小型電子計算機、パソコンなどが好適である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１実施形態における半導体素子が実装された状態のフィルムテープの平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ位置での主要部断面図。
【図３】図１で得られた回路基板実装体が折り曲げられて液晶表示パネルに接合された状態の主要部断面図。
【図４】図１の一部拡大平面図。
【図５】図４の一部拡大平面図。
【図６】本発明の第２実施形態における回路基板の主要部の平面図。
【図７】本発明の第３実施形態における回路基板の主要部の平面図。
【図８】本発明の第４実施形態における回路基板の主要部の平面図。
【図９】本発明の第５実施形態における回路基板の主要部の平面図。
【図１０】本発明の第６実施形態における回路基板の主要部の平面図。
【図１１】本発明の第７実施形態における回路基板の主要部の平面図。
【図１２】特許文献１の図６の部分拡大図。
【符号の説明】
【００７０】
１：絶縁フィルムテープ、２：導電パターン、２Ａ：インナーリード、２Ｂ：入力用アウターリード、２Ｃ：傾斜配置部、２ａ：傾斜部終点、２ｂ：傾斜部始点、２ｄ：横長スリット上直交導電リード部、４：デバイスホール、５：アウターホール、６：スリット、９：半導体素子、１１：フィルムテープ、１１ａ：搬送穴、１２：導電リード、１２ａ：下側導電リード先端群、１２ａａ：下端導電リード先端群左端、１２ａｂ：下端導電リード先端群右端、１２ｂ、１２ｉ：傾斜部始点、１２ｃ、１２ｊ：傾斜部終点、１２ｃａ：左端傾斜部終点、１２ｃｂ：右端傾斜部終点、１２ｄ、１２ｇ：基材上傾斜導電リード部、１２ｅ、１２ｈ：横長スリット上傾斜導電リード部、１２ｆ：上側導電リード先端群、１２ｍ：導電リードの上側の幅、１２ｎ：導電リードの下側の幅、１２ｏ：傾斜部、１３：半導体素子、１４：回路基板、１５：回路基板実装体、１６：板状基材、１７：第１横長スリット、１８：第２横長スリット、１９：第３横長スリット、２０：封止樹脂注入穴、２１：封止樹脂、２２：第１アウターリード、２３：第２アウターリード、２４：絶縁被膜、２５：切断位置、２６：リジット基板、２７：液晶表示パネル、２７ａ：下パネル基板、２７ｂ：上パネル基板、２８：液晶表示パネル回路基板実装ユニット、２９：背面板、３０：抵抗器、Ｈ：導電リード間の間隔、Ｌ：距離、Ｍ、Ｎ：長手方向、Ｑ：中心軸方向、Ｒ：直交線、Ｗ、Ｖ：導電リードの幅、α、β：導電リードの直交線との傾斜角
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、それを用いた回路基板実装体、その回路基板実装体を用いた回路基板実装ユニットの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＩＣ、ＬＳＩなどの電気部品を実装する回路基板は、長尺状のテープキャリアにワイヤレスボンディングで半導体素子を組み込むＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で得られるフレキシブル回路基板が多用されている。
上記フレキシブル回路基板が形成される絶縁フィルムテープ１は、特許文献１に開示されており、その図６、図７に図示されているように表面に多数の導体パターン２が配置され、導体パターン２の内の一部が中央部に形成されたデバイスホール４の各辺にてその内方に突出しインナーリード２Ａが形成され、このインナーリード２Ａにて半導体素子９が導通接合されている。このインナーリード２Ａから、図６、図７の上側に形成されている横長のスリット６，６および下側に形成されている横長のアウターホール５に向けて多数の導体パターン２が配置形成されている。上記多数の導体パターン２は、上記スリット６，６およびアウターホール５を跨って配置形成され、上記スリット６，６およびアウターホール５上ではそれらの長手方向に直交する向き、すなわち図６、図７では上下方向に配置形成されているものである。
【０００３】
【特許文献１】特許第３１６９０３９号公報
【０００４】
ここで、上記インナーリード２Ａの群の平面位置と、上記インナーリード２Ａに接続し上記スリット６，６およびアウターホール５を跨って形成されている導体パターン２の群の平面位置とは、多くの場合上記長手方向においては異なった位置に配置されている。すなわち、上記デバイスホール４の上辺、左辺、右辺に各々形成された各インナーリード２Ａ群は、上方のスリット６，６に向かって延びて上記スリット６，６を跨って形成されており、下辺に形成されたインナーリード２Ａ群は、下方のアウターホール５に向かって延びて上記アウターホール５を跨って形成されており、各インナーリード２Ａ群よりも、上記スリット６，６およびアウターホール５を跨る各導体パターン２群の方が、前記長手方向での幅が広く形成されている。このため、各インナーリード２Ａ群の平面位置から上記スリット６，６およびアウターホール５を跨る各導体パターン２群に向けて上記長手方向に広がるように傾斜して形成されているものである。
【０００５】
ここで、説明をしやすくするために、特許文献１の図６におけるデバイスホール４の下辺のインナーリード２Ａから下方のアウターホール５を跨る導体パターン２の部分を拡大した図を図１２として図示しながら説明する。
図１２において、導体パターン２における前述の傾斜するように配置形成された部分を傾斜配置部２Ｃと称すると、傾斜配置部２Ｃはインナーリード２Ａからアウターホール５を跨る導体パターン２である入力用アウターリード２Ｂとの間の部分となる。この入力用アウターリード２Ｂが、前述したようにアウターホール５の長手方向、すなわち図１２の左右方向に対して直交する方向に形成されているものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
導体パターン２の上記傾斜配置部２Ｃでは、各導体パターン２における隣接の導電パターン２との間の間隔が狭くなってしまい、各導体パターン２同士が接触してショートを引き起こしてしまう危険性がある。
特に前述のインナーリード２Ａが導通接続する半導体素子９の下辺から上記横長スリットであるアウターホール５までの距離Ｌが短くなればなるほど、前述した傾斜配置部２Ｃ の傾斜が大きくなり、それだけ各導体パターン２における隣接の導電パターン２との間の間隔が狭くなるので、互いのショートの危険性が増大するものである。
【０００７】
そこで本発明は、上記の課題を解決するもので、各導体パターン同士の平面間隔が狭くならないようにして各導体パターン同士によるショートを防止する回路基板、それを用いた回路基板実装体、その回路基板実装体を用いた回路基板実装ユニットをもたらすことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１実施態様の回路基板は、電気部品が実装された際には当該電気部品の電極に導通接続される導電リードと、表面に前記導電リードが接合配置される板状基材とを有する回路基板であって、前記板状基材は、実装された際の前記電気部品の近傍に開口した横長スリットを有し、前記導電リードは、電気部品における前記電極との導通接続箇所近傍の始点から前記横長スリット近傍の終点までほぼ直線状に伸び、かつ前記横長スリットの長手方向の直交線に対して所定方向に傾斜して形成されている傾斜部を有しており、傾斜部の前記終点は前記電気部品から見て前記横長スリットを越えた位置に配置されることにより、前記横長スリット上を跨いでいる導電リード部分が前記傾斜部の一部であって横長スリット上傾斜導電リード部を構成していることを特徴とする。
【０００９】
上記構成によれば、前記導電リードは、電気部品における前記電極との導通接続箇所近傍の始点から前記横長スリット近傍の終点までほぼ直線状に伸び、かつ前記横長スリットの長手方向の直交線に対して所定方向に傾斜して形成されている傾斜部を有しており、傾斜部の前記終点は前記電気部品から見て前記横長スリットを越えた位置に配置されることにより、前記横長スリット上を跨いでいる導電リード部分が前記傾斜部の一部であって横長スリット上傾斜導電リード部を構成していることから、上記始点から前記横長スリットまでの間の傾斜部である基材上傾斜導電リード部においては、各導電リード同士の平面方向での間隔が広がるので互いのショートを防止することができる。
すなわち、上記基材上傾斜導電リード部の各導電リードは、上記横長スリット上傾斜導電リード部とほぼ同じ方向に傾斜して形成されているので上記傾斜角が緩和されることになり、よって図１２の傾斜部における各導電リード同士の間隔に比べて広くなるものである。
【００１０】
詳しく述べれば、次の通りである。
前記導電リードの上記傾斜部において、電気部品における前記電極との導通接続箇所付近の上記傾斜部始点から上記跨ぎきった上記傾斜終点までの距離（上記横長スリットの長手方向との直交方向における距離）は、前記傾斜部始点から前記横長スリットまでの同方向での距離（上記直交方向における距離）よりも、上記横長スリット上傾斜導電リード部の同方向での距離分だけ長くなる。
したがって図１２のような導電リードにおいて電気部品における前記電極との導通接続箇所付近の傾斜部始点２ｂから前記横長スリット付近の傾斜部終点２ａ（アウターリードとの接続点）までの導電リードが横長スリットの長手方向の直交線に対して傾斜している傾斜角に比べて、本発明の上記傾斜部始点から上記傾斜部終点にいたる導電リードの同傾斜角は、上記横長スリット上傾斜導電リード部の同方向距離の分だけ緩和され、上記傾斜角が小さくなる。このため、上記基材上傾斜導電リード部の導電リード同士の間隔は広くなるものである。
【００１１】
加えて、横長スリットを跨ぐ導電リードは、傾斜して形成されているので、横長スリットの長手方向での幅が上記傾斜角の分だけ広くなる。このため、上記横長スリットの長手方向での耐力が向上し、折り曲げ力などの外力が導電リードに働いても導電リードが耐ええることになる。
【００１２】
なお、前記導電リードは、上記始点から上記終点までがほぼ直線状に伸びるとは、非直線の繰り返しを含むもので、例えば細かなジグザグ状で形成され、あるいはなだらかな曲線で形成されることを含む。ただし、導電リード間の間隔がほぼ変わらないように隣接の導電リードは、同様の上記ジグザグ状や曲線で形成する必要がある。上記ジグザグ状や曲線の繰り返し形状が、マクロ的に見れば直線状になっていれば、上記直線状に含まれるものである。
なお、上記基材上傾斜導電リード部と上記横長スリット上傾斜導電リード部の各々の
導電リードが前記横長スリットの長手方向の直交線に対して傾斜しているとは、実装される電気部品の電極と接続している上記基材上傾斜導電リード部近傍の接続群における左右両端間の幅に対して、上記横長スリット上傾斜導電リード部において上記横長スリットを跨ぎきった前記導電リード群での左右両端間の幅の方が広いか、同等か、狭いかにより、また広い程度、狭い程度により定まる。すなわち、上記接続群における左右両端間の幅に対して、上記横長スリットを跨ぎきった前記導電リード群での左右両端間の幅の方が広い場合は上記広くなるような向きの傾斜方向に導電リードが傾斜しているものであり、逆に狭い場合は上記狭くなるような向きの傾斜方向に導電リードが傾斜しているものである。上記接続群における左右両端間の幅に対して、上記横長スリットを跨ぎきった前記導電リード群での左右両端間の幅が同等の場合は、上記接続群における上記長手方向での位置と、上記横長スリットを跨ぎきった前記導電リード群における上記長手方向での位置の違いにより上記傾斜方向や傾斜角は定まるものである。
【００１３】
また、上記基材上傾斜導電リード部と上記横長スリット上傾斜導電リード部において、上記傾斜方向や傾斜角は、導電リードがどこの平面位置に形成されているかにより定まるものである。たとえば、電気部品の電極と接続する箇所である上記基材上傾斜導電リード部近傍の接続群における左右両端間の幅が狭く、横長スリットを跨ぎきった前記導電リード群での左右両端間の幅の方が広く、かつ上記接続群の中心位置と横長スリットを跨ぎきった前記導電リード群の中心位置の平面位置が上記長手方向においてほぼ同じ位置である場合であれば、上記基材上傾斜導電リード部と上記横長スリット上傾斜導電リード部における最外端側の導電リードでの上記傾斜角は大きくなり、それより内側の導電リードの上記傾斜角は小さくなるものである。
【００１４】
上記導電リードは、好適には銅、アルミニュームなどの導電性金属から構成される導電薄膜からなり、導電パターンとしてエッチングなどにより所定形状に形成されるものである。
上記板状基材は、好適にはフレキシブル基材であり、たとえばポリイミド樹脂の薄板からなる。最も好適には、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式に用いられるフレキシブル基材である。上記板状基材は、非フレキシブル基材であってもよく、たとえばガラス繊維入りエポキシ樹脂基材であってもよい。
また本発明の回路基板は、上記ＴＡＢ方式から得られる個々のフレキシブル回路基板が好適であるが、またＴＡＢ方式に用いられるフィルムテープであって、回路基板が連続的に形成されたフィルムテープそのものであってもよい。このＴＡＢ方式に用いられるフィルムテープから、外形切断やプレス抜きなどにより個々の回路基板を取り出すものである。あるいは、ＴＡＢ方式に用いられるフィルムテープの個々の回路基板上に半導体素子などの電気部品を接続実装した後に、外形切断やプレス抜きなどにより個々の回路基板を取り出すようにしてもよい。
上記電気部品は、半導体素子や液晶表示パネルなどが好適である。その他の導電接続する電気部品であっても良い。
【００１５】
本発明の第２実施態様の回路基板は、第１実施態様の回路基板であって、前記電気部品の平面形状は略四辺形であり、前記横長スリット上傾斜導電リード部は、上記電気部品における前記横長スリットに近い辺から突出形成された導電リードの延出部分であることを特徴とする。
【００１６】
上記構成によれば、前記電気部品の平面形状は略四辺形であり、前記横長スリット上傾斜導電リード部は、上記電気部品における前記横長スリットに近い辺から突出形成された導電リードの延出部分であるので、前記基材上傾斜導電リード部および前記横長スリット上傾斜導電リード部は、ほぼ直線で構成しやすくなり、屈曲、折り曲げなどの無理な平面形状を用いることなく形成できる。よって、前記基材上傾斜導電リード部および前記横長スリット上傾斜導電リード部の機械的強度を良好に保つことができるものである。
【００１７】
本発明の第３実施態様の回路基板は、第１実施態様乃至第２実施態様のいずれか１つの回路基板であって、前記電気部品の平面形状は略四辺形であり、前記横長スリット上傾斜導電リード部は、上記電気部品における前記横長スリットに近い辺とは異なる他の少なくとも１辺から延出した導電リードの延出部分であることを特徴とする。
【００１８】
上記構成によれば、前記横長スリット上傾斜導電リード部が上記電気部品における前記横長スリットに近い辺とは異なる他の少なくとも１辺から延出した導電リードの延出部分であることから、電極が前記横長スリットに近い辺とは異なる他の少なくとも１辺にも構成されている上記電気部品を用いることができ、そのような電気部品を用いて本発明を実施することができる。
なお、上記第３実施態様を上記実施形態２のように横長スリット上傾斜導電リード部を構成することと併用する場合は、横長スリット上傾斜導電リード部の各導電リードは、上記電気部品における前記横長スリットに近い辺から突出形成され、さらに上記電気部品における前記横長スリットに近い辺とは異なる他の少なくとも１辺から延出されて多数となる。したがって横長スリット上傾斜導電リード部の各導電リードにおける前述の長手方向の直交線に対する傾斜角は大きく傾きも大きくなるので、互いの導電リード間の隙間が狭くなりやすいものである。しかるに本発明では、前記基材上傾斜導電リード部ばかりでなく前記横長スリット上傾斜導電リード部においても各々の導電リードがほぼ同じ傾斜方向に傾斜するように構成されているので、上記傾斜角が小さくなり傾きも小さくなるもので、互いの導電リード間の隙間が広くなり、ショートを防止することができる。
【００１９】
本発明の第４実施態様の回路基板は、第１実施態様乃至第３実施態様のいずれか１つの回路基板であって、前記横長スリット上傾斜導電リード部における前記導電リードは、平面方向の幅が同一である場合に隣接する導電リードとの平面方向の間隔が広がる部分において幅広に形成されていることを特徴とする。
【００２０】
上記構成のように前記横長スリット上傾斜導電リード部における前記導電リードは、導電リード部の長手方向に直交する方向の幅が同一である場合に隣接する導電リードとの間隔が広がる部分において幅広に形成されているので、前記横長スリット上傾斜導電リード部の前記導電リードに外力が働いても損傷することを防止できる。
上記のように、導電リードに幅広部分を形成しても、隣接する導電リードとの間隔が狭くなることはないので、互いにショートする危険性は存在しないものである。
【００２１】
本発明の第５実施態様の回路基板は、第１実施態様乃至第４実施態様のいずれか１つの回路基板であって、前記板状基材はフレキシブル材からなり、前記横長スリットにおいてその長手方向に沿って折り曲げられることを特徴とする。
【００２２】
上記構成のように前記板状基材はフレキシブル材からなり、前記横長スリットにおいてその長手方向に沿って折り曲げられる場合に、前記横長スリット上傾斜導電リード部の前記導電リードにおける前記長手方向での幅は、広くなるので、上記導電リードが曲げられた際の機械的強度が損なわれることを防止する。
上記横長スリット上傾斜導電リード部の前記導電リードにおける前記長手方向での幅が広くなるとは、次の通りである。すなわち、図１２のように横長スリット上の導電リードにおいて長手方向の幅は、導電リードのいわゆる幅（導電リードの長手方向に直交する方向の幅）であるのに対し、本発明の横長スリット上傾斜導電リード部の前記導電リードは、所定方向に傾斜して形成されていることから上記傾斜による長手方向の幅寸法が増加するものである。
【００２３】
本発明の第６実施態様の回路基板実装体は、第１実施態様乃至第５実施態様のいずれか１つに記載の回路基板と、この回路基板の導電リードの一端に導通接続され実装されている電気部品とを備えたことを特徴とする。
【００２４】
上記構成によれば、上述してきた回路基板としての作用効果を、回路基板に導通接続されて実装される電気部品を備えた回路基板実装体にも当てはまるものである。
上記電気部品は、半導体素子、抵抗、コンデンサ等、どのようなものでもよい。
【００２５】
本発明の第７実施態様の回路基板実装ユニットは、第６実施態様に記載の回路基板実装体における前記導電リードの延出部であって前記横長スリットを超えた位置に形成されたアウターリードに他の電気構造体に接合したことを特徴とする。
【００２６】
上記構成によれば、上記回路基板実装体を他の電気構造体に接合して使用する場合であっても、前述してきた作用効果を有するものである。
上記他の電気構造体は、液晶表示パネル、他の回路基板、等で、その他の電気構造体であってもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、各導体パターン同士の平面間隔が狭くならないようにして各導体パターン同士によるショートを防止する回路基板、それを用いた回路基板実装体、その回路基板実装体を用いた回路基板実装ユニットを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
〔第１実施形態〕
図１〜図５は、本発明の第１実施形態を示す図である。
図１は本発明の第１実施形態における半導体素子が実装された状態のフィルムテープの平面図、図２は図１のＡ−Ａ位置での主要部断面図、図３は図１で得られた回路基板実装体が折り曲げられて液晶表示パネルに接合された状態の主要部断面図、図４は図１の一部拡大平面図、図５は図４の一部拡大平面図である。
【００２９】
図１に図示されたフィルムテープ１１は、いわゆるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式に用いられるもので、ポリイミド樹脂の薄板のテープであって図１の上側方向と下側方向に連続して形成されている。
上記フィルムテープ１１の左右両端には、搬送用の搬送穴１１ａが図１の上下方向の所定間隔毎に設けられている。
この場合、上記フィルムテープ１１は、所定位置に所定数の横長スリット（後述する）が形成され、フィルムテープ１１の表面に導電リード１２がパターニング形成され、次に後工程第１方式として、電気部品である半導体素子１３が接合実装されてから、所定の切断位置２５にて切断し、ポリイミド樹脂の薄板である回路基板１４に電気部品である上記半導体素子１３が接合実装された回路基板実装体１５を得るものである。あるいは、上記フィルムテープ１１の表面に導電リード１２がパターニング形成された後の後工程第２方式として、フィルムテープ１１の所定の切断位置２５にて切断し、ポリイミド樹脂の薄板である回路基板１４を得てから、この回路基板１４に電気部品としての上記半導体素子１３を接合実装して回路基板実装体１５を得るようにする。上記後工程第１方式と後工程第２方式は、どちらを採用してもよいが、好ましくは作業性向上の観点からは後工程第１方式が好ましい。
上記回路基板１４は、電気部品である上記半導体素子１３が実装された際には、その半導体素子１３の電極に導通接続される導電リード１２と、導電リード１２が表面に接合配置される板状基材１６とを有するものである。上記板状基材１６は、上記フィルムテープ１１の一部が該当することになる。
【００３０】
上記フィルムテープ１１から上記回路基板実装体１５を得るまでについて詳述する。
ポリイミド樹脂の薄板状テープである上記フィルムテープ１１を用意し、上記搬送穴１１ａと、１つの回路基板１４および回路基板実装体１５が構成される所定エリア毎に、後ほどの回路基板１４における横長スリットとなる第１横長スリット１７、第２横長スリット１８、第３横長スリット１９と、後述する封止樹脂注入用の封止樹脂注入穴２０とをプレス加工、エッチング加工等により形成する。
上記回路基板１４および回路基板実装体１５が構成されるエリアは、図１の図示のように上下方向に多数箇所形成されるものである。図１では、上側に図示された上記回路基板１４および回路基板実装体１５が下側にも同様に構成されるが、下側の上記回路基板１４および回路基板実装体１５については詳細な図示が省略されている。
【００３１】
上記プレス加工等の後、フィルムテープ１１の表面に、後には導電リード１２が形成されることになる銅箔を接合する。その銅箔の幅は、左右の上記搬送穴１１ａ間より狭いものを用いる。上記銅箔を、フィルムテープ１１の表面に接着材によりあるいは接着材無しの状態で加圧加熱することによりフィルムテープ１１の表面に接着する。
しかる後、上記銅箔上にレジスト膜を所定パターンに沿って被覆し、エッチングすることにより露出している上記銅箔をエッチング除去して、所定形状の導電リード１２等を得るものである。なお、上記銅箔から所定形状の導電リード１２等を得る方法は、上記以外の周知の方法であってもよい。あるいはフィルムテープ１１の表面に導電リード１２をメッキ方式で形成するようにしてもよい。
なお、上記銅箔から所定形状の導電リード１２等を得る場合に、フィルムテープ１１の各横長スリットや開口には、裏側等から埋め込み樹脂を注入しておくことも効果的である。その場合は、上記埋め込み樹脂の表側高さは、フィルムテープ１１の表面と殆ど同じとなるように埋め込む。あるいはフィルムテープ１１の表面と殆ど同じ高さとなるように上記埋め込み樹脂の表側を研磨するようにしてもよい。
【００３２】
上記銅箔から所定形状の導電リード１２等を得ることによって、図１のようにフィルムテープ１１、すなわち板状基材１６上と、上記各横長スリット１７、１８、１９上、すなわち上記各横長スリット１７、１８、１９を跨って導電リード１２を得ることができ、同時に導電リード１２の先端側がその先の他の導電部に導通するためのアウターリードを得ることができるものである。このアウターリードは、図１では、第２横長スリット１８の外側（図１では上側）に形成されている第１アウターリード２２と、第３横長スリット１９の外側（図１では下側）に形成されている第２アウターリード２３とを有するものである。
したがって、各導電リード１２の各々は、上記第１アウターリード２２または第２アウターリード２３に導通接続しているものである。
こうして回路基板が複数組形成されることになる。
【００３３】
この後の後工程に関し、まず前述した後工程第１方式により個々の回路基板１４および回路基板実装体１５を得る方法について説明する。
上記封止樹脂注入穴２０を取り囲む様にフィルムテープ１１（板状基材１６）の表面の所定位置に半導体素子１３が載置される。
上記所定位置は、上記封止樹脂注入穴２０の周囲の板状基材１６に導電リード１２の先端が配置された位置であって、半導体素子１３の裏面に形成されている多数の電極（図示せず）が導電リード１２の各先端に合致できる平面位置である。半導体素子１３が上記所定位置に載置されるには、画像認識によることが好ましい。したがって上記封止樹脂注入穴２０およびその周囲に配置される導電リード１２の先端は、半導体素子１３により平面的に覆われる位置に配置されるものである。
しかる後、半導体素子１３の電極と導電リード１２の各先端が導通接合される。
この導通接合は、周知の異方性導電接着材を用いて行うか、半導体素子１３の電極が金合金など導通接合金属で構成されている場合には加熱加圧により両者が接合されることにより行ってもよく、それ以外お方法によってでもよい。
【００３４】
しかる後、フィルムテープ１１（板状基材１６）の裏側から上記封止樹脂注入穴２０より封止樹脂２１を注入する。この封止樹脂２１は、エポキシ樹脂が好ましいが、その他の封止樹脂であってもよい。注入された封止樹脂２１は、上記封止樹脂注入穴２０を埋め尽くし、さらには半導体素子１３の底面（底面）および側壁周囲を封止ものである。
なお、上記導電リード１２上には、絶縁を確保するため合成樹脂被膜としての絶縁被膜２４が塗布される。この絶縁被膜２４の形成は、上記塗布以外の方法によってもよい。
【００３５】
しかるのち、切断加工やプレス抜き加工が施されて外径形状が四角形状の回路基板実装体１５が得られる。
上記切断加工やプレス抜き加工される切断位置２５は、図１に２点差線で表示されている四角形状の位置である。
図１の切断位置２５は、各横長スリット１７、１８、１９の左右両端から若干距離を置いた左右位置であるため、回路基板１４において各横長スリット１７、１８、１９の左右両端には、板状基材１６が残されている。この残された板状基材１６部分が、板状基材１６（回路基板１４）全体の強度を確保しているものである。特に、上記いずれかの横長スリットにてその長手方向Ｎを中心軸線方向にして折り曲げる際には、上記残された板状基材１６部分が折り曲げされた板状基材１６（回路基板１４）や導電リード１２を補強することになり、その残された板状基材１６の効果は大きい。
【００３６】
一方、各横長スリット１７、１８、１９の左右両端が上記切断位置２５を越えて形成されるようにしてもよく、その場合の各横長スリット１７、１８、１９は、図１の各横長スリット１７、１８、１９の左右両端に２点鎖線にて表示したように形成されるものである。この各横長スリット１７、１８、１９の左右両端が上記切断位置２５を越えて形成されると、上記切断位置２５にて切断された際には、各横長スリット１７、１８、１９の左右両端が左右両方向に開放されて上述のように残された板状基材１６は存在しない。この場合は、各横長スリット１７、１８、１９のいずれかで、横長方向Ｎを折り曲げ軸線方向として板状基材１６（回路基板１４）が折り曲げられる際には、上記補強部分が存在しないことから折り曲げが容易となる効果を有する。
上述のように、各横長スリット１７、１８、１９の左右両端において残された板状基材１６部分を確保する（図１の各横長スリット１７、１８、１９が実線形状に形成する）ようにするか、もしくは各横長スリット１７、１８、１９の左右両端を左右両方向に開放する（図１の各横長スリット１７、１８、１９が２点鎖線形状に形成する）ようにするか、あるいは各横長スリットの中で両者を併用するかについては、使用状況により適宜選択すればよい。
【００３７】
なお、後工程第２方式により個々の回路基板１４および回路基板実装体１５を得る方法では、上記フィルムテープ１１上に前述のように各横長スリットや導電リードが形成されて個々の回路基板が連続して形成されたのち、前述の切断位置２５にて各回路基板を切り落とし、しかる後、各回路基板に前述のように電気部品を導通接続し実装する。また、上記導電リード１２上には、絶縁を確保するため合成樹脂被膜としての絶縁被膜２４が塗布される。この絶縁被膜２４の形成は、上記塗布以外の方法によってもよい。こうして回路基板実装体１５を得ることができる。
なお、回路基板実装体１５において、半導体素子１３の電極に導通接合する導電リード１２は、半導体素子１３が挿入される大きさに開口された開口部の内側に突出し、この導電リードの突出部に半導体素子１３の電極が導通接合される構造、いわゆるインナーリード方式であってもよい。この開口部には、半導体素子１３の電極部を封止する封止樹脂が注入されるものである。あるいは、板状基材１４上に半導体素子１３を接合し、半導体素子１３の表面に配置された電極と回路基板の導電リード１２とをワイヤーボンダーにてワイヤー接続するようにしてもよい。
【００３８】
以上により、回路基板実装体１５が得られる。
この回路基板実装体１５の主要部断面は、図２に図示されている。
なお、図２の２点鎖線は、回路基板実装体１５が接合される他の電気構造体である。
図２において、上記２点差線のうち２６はリジット基板でその表面に導電パターンが形成されており、この導電パターンは他の導電手段に接続しているものである。２７は液晶表示パネルである。
回路基板実装体１５において、第１アウターリード２２が上記リジット基板２６の導電パターンに接合導通し、第２アウターリード２３が液晶表示パネル２７、詳しくは上パネル基板２７ｂに接合されている下パネル基板２７ａの導電パターンに接合導通している。
上記第１アウターリード２２が上記リジット基板２６の導電パターンに接合導通し、また第２アウターリード２３が下パネル基板２７ａの導電パターンに接合導通するには、どのような方法でもよく、たとえば導電異方性接着材を間に介して加熱加圧してもよく、ありは高導電性金属（たとえば金合金や銀合金）を間に介して加熱加圧してもよく、要するに両者の導電リードが導通しながら両者が接合するならばどのようでもよい。
【００３９】
図３は、図２の回路基板実装体１５に上記リジット基板２６および上記液晶表示パネル２７が接合され、組み合わされた状態（図２の実線と２点差線で表示された状態）で、回路基板実装体１５を折り曲げかつ上記リジット基板２６が液晶表示パネル２７上方に重ねられた状態の回路基板実装ユニットである液晶表示パネル回路基板実装ユニット２８の主要部断面図である。
回路基板実装体１５は、第３横長スリット１９と第１横長スリット１７にて各々の横長スリットの長手方向Ｎを折り曲げ軸線方向としてほぼ直角に折り曲げられており、下側に液晶表示パネル２７を、液晶表示パネル２７の上側に背面板２９（液晶表示パネル２７の表示に役立てるためのもので例えば反射板など）を、その背面板２９の上側にリジット基板２６を配置している。このため、第３横長スリット１９の中心位置と第１横長スリット１７の中心位置との距離寸法は、液晶表示パネル２７の下パネル基板２７ａと背面板２９とリジット基板２６との積層厚さとほぼ同じ寸法に設定されている。
【００４０】
なお、第２横長スリット１８に関しては、次の通りである。
すなわち、回路基板実装体１５が第２横長スリット１８の箇所では曲げられるのではないが、この第２横長スリット１８が設けられていることにより、第１アウターリード２２がよりしなやかとなりリジット基板２６の導電パターンとの接触が良好に保たれる。特に回路基板実装体１５が上記第３横長スリット１９と第１横長スリット１７にて上記のように折り曲げられており、多少なりとも折り曲げを戻そうとする反力が生じる。この反力は、上記回路基板実装体１５と第１アウターリード２２との接続部に生じやすいものである。そこで、上記回路基板実装体１５と第１アウターリード２２との接続部近傍に上記第２横長スリット１８が配置されているので上記反力を吸収することができ、リジット基板２６の導電パターンとの接触が良好に保たれる。
【００４１】
図３において、上記液晶表示パネル回路基板実装ユニット２８における回路基板実装体１５の半導体素子１３は、回路基板１４の下側で、上記リジット基板２６の外端の外側にかつリジット基板２６の厚さ内に配置される位置関係となっている。
上記液晶表示パネル回路基板実装ユニット２８は、時計、携帯電話、ノートパソコン、電子卓上計算機などの電子機器内に組み入れられて用いられるものである。
【００４２】
図１に戻って、導電リード１２の配置関係について詳述する。
前述のように、半導体素子１３が配置される個所には、多数の導電リード１２の先端（端部）が集合して群を構成しており（この群を導電リード先端群と称する）、この導電リード先端群は、半導体素子１３が回路基板１４（板状基材１６）に実装された際には前記半導体素子１３の裏面（回路基板１４の表面に対向する面）に配置された多数の電極と導通接合されることになる。言い換えれば上記導電リード先端群は、前記封止樹脂注入穴２０の周囲に配置されているものである。図１では、上記半導体素子１３の平面形状が横長の長方形状となり、下辺に沿って配置された下側導電リード先端群１２ａと上辺に沿って配置された上側導電リード先端群１２ｆが構成されている。図１では、各々の導電リード先端群１２ａ、１２ｆは、一部点線で図示されている。
さらに、各横長スリットにおいて、前記第１横長スリット１７は、半導体素子１３が回路基板１４（板状基材１６）に実装（半導体素子１３が回路基板１４上に載置され固定されると共に前述の多数の電極が多数の導電リード１２の先端に導通接合）された際に、半導体素子１３における前記第２アウターリード２３側での近傍位置（図１では半導体素子１３の下側）に形成されているものである。同様に前記第２横長スリット１８も、半導体素子１３が回路基板１４（板状基材１６）に実装された際に、半導体素子１３における前記第１アウターリード２２側の近傍位置（図１の半導体素子１３の上側）に形成されているものである。
【００４３】
なお、上記半導体素子１３は、長方形状の下辺および上辺が各横長スリット１７，１８，１９の長手方向Ｎと平行になるように配置されるもので、また上記下辺、上辺、および上記長手方向Ｎは、フィルムテープ１１の長手方向（図１の上下方向）に対し直交する方向に配置されている。したがって、各横長スリット１７，１８，１９は、各々の長手方向Ｎと並行に配置されている。
【００４４】
ここで、前述した下側導電リード先端群１２ａ近傍から第１横長スリット１７周辺まで形成されている多数の導電リード１２の配置関係について、図１と図４とに沿って詳述する。 図４は、図１において半導体素子１３、第１横長スリット１７、半導体素子１３の下辺から第１横長スリット１７を跨いで延出されて配置されている導電リード１２を示している一部分の拡大図である。
上記下側導電リード先端群１２ａの各々の導電リード先端から上記半導体素子１３の下辺の若干下方までは前述の長手方向Ｎに直交する直交部分が形成されている。この直交部分の終点である傾斜部始点１２ｂ（図４）から第１横長スリット１７を越えた傾斜部終点１２ｃ（図４）までは、各々の導電リード１２が上記長手方向Ｎの直交線Ｒ（図４）に対して傾斜して形成され傾斜部１２ｏを構成している。なお、上記下側導電リード先端群１２ａにおける上記長手方向Ｎの中央位置の下側導電リード先端から下方に延出している導電リード１２は、傾斜せずに直線で下方に延出形成され、そのまま第１横長スリット１７を横切るので、上記長手方向Ｎに直交することになる。
【００４５】
第１横長スリット１７を越えた上記傾斜部終点１２ｃから先（図１では下側）の各導電リード１２は、上記傾斜はなく上記長手方向Ｎに対して直交した状態で延出形成され、前記第３横長スリット１９を跨いで前述の第２アウターリード２３に接続するものである。この場合、第３横長スリット１９を跨いでいる導電リード１２の各々は、第３横長スリット１９の長手方向Ｎに傾斜することなく直交して跨いでいる。
上記第３横長スリット１９を跨いでいる導電リード１２の各々の間隔は、上記下側導電リード先端群１２ａから上記傾斜部終点１２ｃまでの導電リード１２の各々の間隔より広く構成されるから、上記第３横長スリット１９を跨いでいる導電リード１２の各々は、互いに接触する危険性が少ないものである。
【００４６】
ここで、上記下側導電リード先端群１２ａにおいてその最も左に位置している下側導電リード先端群左端１２ａａから同最も右に位置している下側導電リード先端群右端１２ａｂまでの幅が、第１横長スリット１７を越えた導電リード１２の上記傾斜部終点１２ｃにおいてその最も左に位置する左端傾斜部終点１２ｃａから最も右に位置する右端傾斜部終点１２ｃｂまでの幅より小さくなるように配置されている。
このため、上記傾斜部始点１２ｂから上記第１横長スリット１７の上辺までのほとんどの導電リード１２は、板状基材１６上に形成されかつ上記傾斜して形成されており、基材上傾斜導電リード部１２ｄを構成している。また上記第１横長スリット１７上、すなわち第１横長スリット１７を跨いでいるほとんどの導電リード１２は、上記傾斜と同様の向きに傾斜して形成されており、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成している。
【００４７】
次に、前述した上側導電リード先端群１２ｆから第２横長スリット１８周辺までに形成されている多数の導電リード１２の配置関係について詳述する。
上記上側導電リード先端群１２ｆから第２横長スリット１８周辺までに形成されている多数の導電リード１２の配置関係は、前述した下側導電リード先端群１２ａから第１横長スリット１７周辺まで形成されている多数の導電リード１２の配置関係と同様であり、上記下側導電リード先端群１２ａから傾斜部終点１２ｃまでの導電リードの形状および配置位置が半導体素子１３に対して対称の関係に構成されている。
したがって、上側導電リード先端群１２ｆから第２横長スリット１８周辺までに形成されている多数の導電リード１２において、傾斜部始点１２ｉから第２横長スリット１８を越えた傾斜部終点１２ｊまでがほぼ直線状の傾斜部１２ｏが形成されており、この傾斜部１２ｏに、基材上傾斜導電リード部１２ｇ、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｈが構成されているものである。
上記傾斜部終点１２ｊから先の導電リード１２は、上記長手方向Ｎに対して直交する方向に伸びてそのまま前述の第１アウターリード２２に接続している。
【００４８】
以上のように、導電リード１２において上記導電リード先端近傍の傾斜部始点１２ｂ、１２ｉから上記横長スリット１７，１８を越えた傾斜部終点１２ｃ、１２ｊまでは、傾斜部１２ｏが形成されており、上記傾斜部始点１２ｂ、１２ｉから上記横長スリット１７，１８の縁までの導電リード１２が上記横長スリット１７，１８の長手方向Ｎの直交線Ｒに対して傾斜して形成された基材上傾斜導電リード部１２ｄ、１２ｇであり、上記横長スリット１７，１８を跨って形成される導電リード１２が上記傾斜と同様の傾斜方向に傾斜して形成され横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅ、１２ｈとなっている。したがって横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅ、１２ｈが構成されてその上の導電リード１２が上記同様の傾斜方向に傾斜して形成されていることから、上記基材上傾斜導電リード部１２ｄ、１２ｇの各導電リード１２における上記傾斜角を小さくする、つまり上記傾斜を緩和することができ、したがって上記基材上傾斜導電リード部１２ｄ、１２ｇの各導電リード１２同士の間隔を狭めることがなく、ショートを防止することができる。このため、各導電リード１２の導通の信頼性を高めることができる。
【００４９】
以上の上記基材上傾斜導電リード部１２ｄ、１２ｇの各導電リード１２同士の間隔を狭めることがないという本発明の実施形態の作用効果を、図４にもとづき従来と比較してより詳細に説明する。
図４は、図１において半導体素子１３、第１横長スリット１７、半導体素子１３の下辺から第１横長スリット１７を跨いで延出されて配置されている導電リード１２を示している部分の拡大図である。
図４において点線は、従来（図１２に相当）の導電パターン（導電リード）２の形状を示している。従来の導電パターン２は、点線形状のように前述した傾斜部始点２ｂから第１横長スリット１７の上辺近傍までは第１横長スリット１７の長手方向Ｎの直交線Ｒに対して傾斜している傾斜配置部２Ｃ（本発明の基板上傾斜導電リード部に相当）が形成されている。上記傾斜配置部２Ｃの終点である傾斜部終点２ａから第１横長スリット１７を跨いでいる部分に掛けては、第１横長スリット１７の長手方向Ｎに直交して形成されて横長スリット上直交導電リード部２ｄを構成しており本発明の前述のようには傾斜してはいない。
なお上記傾斜部終点２ａの上記長手方向Ｎでの平面位置は、上記横長スリット上直交導電リード部２ｄの同平面位置と同じである。
このため、前述した傾斜配置部２Ｃでの導電リード２と上記長手方向Ｎに直交する直交線Ｒに対する傾斜角βは大きくなる。つまり導電リード２は、上記傾斜部始点２ｂで傾斜配置部２Ｃに向かって大きく傾斜することになる。
【００５０】
これに対して本発明の第１実施形態では、図４の実線で図示された導電リード１２のように第１横長スリット１７を跨って形成された導電リード１２が上記直交線Ｒに対して傾斜して配置されて横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成しているから、上記基板上傾斜導電リード部１２ｄの上記傾斜角が従来に比べて小さくなだらかになる。すなわち、上記基板上傾斜導電リード部１２ｄの導電リード１２と上記直交線Ｒに対する傾斜角αは比較的小さくなる。上記第１実施形態の傾斜角αは、従来の傾斜角βより小さくなる。つまり導電リード２は、上記傾斜部始点１２ｂで上記基板上傾斜導電リード部１２ｄに向かって小さく傾斜するにすぎない。
このため、図４に図示されているように、第１実施形態の基板上傾斜導電リード部１２ｄにおいては各導電リード１２と隣接する導電リード１２との間隔（隙間）が、従来の傾斜配置部２Ｃにおいて各導電パターン２と隣接する導電パターン２との間隔（隙間）より広くなるものであり、それだけ互いの導電リード１２同士が接触（ショート）する危険性が減少するものである。
【００５１】
なお、本発明の上記基板上傾斜導電リード部１２ｄにおいて、導電リード１２と上記長手方向Ｎの直交線Ｒに対する傾斜角αは、導電リード１２が基板上傾斜導電リード部１２ｄの中でどの位置に配置されているかにより異なるものである。
図４においては、左端に配置された導電リード１２−１の上記傾斜角α―１（図示せず）は最も大きく、左端から２番目に配置された導電リード１２−２の上記傾斜角α―２（図示せず）は上記傾斜角α―１より小さいものであり、左端から３番目に配置された導電リード１２−３の上記傾斜角α―３（図示せず）は上記傾斜角α―２より小さいものである。
なお、図４、図１において、左端と右端との中間の中央に配置された導電リードは、上記傾斜角αがゼロになり、つまり傾斜はなく前期長手方向Ｎと平行となって直線状に形成されるものである。
逆に右端の導電リードの上記傾斜角はマイナスα―１（図示せず）となり、右端から２番目の導電リードの上記傾斜角はマイナスα―２（図示せず）となって上記傾斜角のマイナスα―２は上記マイナスα―１より絶対値で小さく、同様に右端から３番目の導電リードの上記傾斜角はマイナスα―３（図示せず）となって上記傾斜角のマイナスα―３は上記マイナスα―２より絶対値で小さくなっている。
【００５２】
また、図４、図１において、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅにおける導電リード１２の傾斜角は、上記基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける導電リード１２の上記傾斜角αと同等に設定されている。したがって、各導電リード１２において、上記基板上傾斜導電リード部１２ｄと横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅの導電リード１２が連続した直線状に構成されることになる。
【００５３】
なお、上記横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅの導電リード１２が、各横長スリットの上記直交線Ｒに対して傾斜しており、上記各横長スリットにて折り曲げられる場合には、図５のように上記長手方向Ｎの導電リード１２の幅が上記傾斜角の分だけ広くなり、導電リード１２の折り曲げ時の強度が向上することになる。
すなわち図５において、導電リード１２における上記長手方向Ｎでの幅Ｖは、通常幅Ｗ／傾斜角αで算出されるものである。
【００５４】
〔第２実施形態〕
図６は、本発明の第２実施形態を示す要部の平面図である。
第２実施形態が第１実施形態と異なるのは、第１実施形態では下側導電リード先端群１２ａの前記長手方向Ｎでの中間位置が、基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅの長手方向での左端と右端との中間位置とほぼ同じ位置に配置されていたのに対し、第２実施形態では、下側導電リード先端群１２ａの前記長手方向Ｎでの中間位置が、基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける前記長手方向Ｎでの左端と右端との中間位置と異なっており、さらに横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅの前記長手方向Ｎでの左端と右端との中間位置とも異なっていることである。
上記以外は、基本的に第２実施形態は、第１実施形態と同様に構成されている。
なお、図６においては、半導体素子１３の下辺側にのみ導電リード１２郡が配置されて図示されているが、半導体素子１３の左右方向を対称軸として上記導電リード１２郡が対称に半導体素子１３の上辺側に配置されるようにしてもよい。
【００５５】
図６においては、下側導電リード先端群１２ａの下端にあたる傾斜部始点１２ｂから第１横長スリット１７を越えた位置の傾斜部終点１２ｃまでの導電リード１２は直線状に形成されており、また各導電リード１２の長手方向Ｎでの間隔はほぼ同一となっている。
したがって、下側導電リード先端群左端１２ａａと下側導電リード先端群右端１２ａｂの前記長手方向Ｎでの中間位置が、左端傾斜部終点１２ｃａから右端傾斜部終点１２ｃｂとの前記長手方向Ｎでの中間位置と異なっているものであり、前述のように基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける前記長手方向Ｎでの前記左端と右端との中間位置と異なっており、さらに横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅの前記長手方向での左端と右端との中間位置と異なっていることになる。さらに基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける前記長手方向Ｎでの左端と右端との中間位置は、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅの前記長手方向Ｎでの左端と右端との中間位置と異なっている。
【００５６】
上記第２実施形態は、回路基板における半導体素子１３の配置箇所に対して第２アウターリード２３の配置箇所が前記長手方向Ｎで異なることが要求される用途の場合に採用されるものである。
なお、上記下側導電リード先端群左端１２ａａと下側導電リード先端群右端１２ａｂの前記長手方向Ｎでの幅と、左端傾斜部終点１２ｃａから右端傾斜部終点１２ｃｂとの前記長手方向Ｎでの幅とが異なっている場合も有りうる。その場合は、導電リード１２の各々は、平行にはならないものである。
【００５７】
第２実施形態においても、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅでの各導電リード１２が上記のように傾斜して配置されていることから、基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける各導電リード１２が急激に傾斜することがなく、導電リード１２同士の間隔が広く確保できることになってショートを防止することができるものである。
【００５８】
〔第３実施形態〕
図７は、本発明の第３実施形態を示す要部の平面図である。
第３実施形態が第１実施形態と異なるのは、半導体素子１３の左辺と右辺とからも導電リード１２が延出してその先端側でも前述の基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成している点である。
なお、図７においては、図１に図示されているように、半導体素子１３の上辺側から延出し第２横長スリット１８を越えて第１アウターリード２２に至る導電リード１２群を形成するようにしてもよい。
図７において、半導体素子１３の左辺と右辺とから延出している導電リード１２は、半導体素子１３の裏面の電極と接続するものであり、上記延出した先は、図７の下側に向きを変えて前述した傾斜部始点１２ｂに至り、傾斜部始点１２ｂから前述の傾斜部終点１２ｃに延出形成され、この傾斜部終点１２ｃから図７の下側に真っ直ぐに伸びて第３横長スリット１９を越えて第２アウターリード２３に接続するものである。
【００５９】
よって、半導体素子１３の左辺と右辺とから延出している導電リード１２も、基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成するものである。
したがって、第３実施形態において半導体素子１３の左辺と右辺とから延出している導電リード１２も、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２と同様に、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅでの各導電リード１２が上記のように傾斜して配置されていることから、基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける各導電リード１２が急激に傾斜することがなく、導電リード１２同士の間隔が広く確保できることになってショートを防止することができるものである。
【００６０】
〔第４実施形態〕
図８は、本発明の第４実施形態を示す要部の平面図である。
第４実施形態が第３実施形態と異なるのは、半導体素子１３の上辺からも導電リード１２が延出してその先端側でも前述の基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成している点である。
図８において、半導体素子１３の上辺および左辺と右辺とから延出している導電リード１２は、半導体素子１３の裏面の電極と接続するものであり、上記延出した先は、図８の下側に向きを変えて前述した傾斜部始点１２ｂに至り、傾斜部始点１２ｂから前述の傾斜部終点１２ｃに延出形成され、この傾斜部終点１２ｃから図８の下側に真っ直ぐに伸びて第３横長スリット１９を越えて第２アウターリード２３に接続するものである。
【００６１】
よって、半導体素子１３の上辺および左辺と右辺とから延出している導電リード１２も、基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成するものである。
したがって、第４実施形態において半導体素子１３の上辺および左辺と右辺とから延出している導電リード１２も、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２と同様に、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅでの各導電リード１２が上記のように傾斜して配置されていることから、基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける各導電リード１２が急激に傾斜することがなく、導電リード１２同士の間隔が広く確保できることになってショートを防止することができるものである。
【００６２】
〔第５実施形態〕
図９は、本発明の第５実施形態を示す要部の平面図である。
第５実施形態が第１実施形態と異なるのは、第３横長スリット１９の長手方向Ｍが第１横長スリット１７の長手方向Ｎに対して非平行（直角など）に配置され、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２の延出向きが異なっている点にある。
図９において、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２は、前述した傾斜部始点１２ｂから第１横長スリット１７を跨いで上記傾斜部終点１２ｃに至り、この傾斜部終点１２ｃから図９の左方向に真っ直ぐに伸びて第３横長スリット１９を越えて第２アウターリード２３に接続するものである。
【００６３】
よって、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２は、基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成するものである。
なお、図９においては、半導体素子１３の下辺側にのみ導電リード１２郡が配置されて図示されているが、半導体素子１３の上辺から導電リード１２を図１のように形成してもよいし、半導体素子１３の上辺および左辺と右辺からも導電リード１２が延出し、その先が図９のように第１横長スリット１７を跨いで上記傾斜部終点１２ｃに至るように構成されていてもよい。
したがって、第５実施形態において半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２は、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅでの各導電リード１２が上記のように傾斜して配置されていることから、基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける各導電リード１２が急激に傾斜することがなく、導電リード１２同士の間隔が広く確保できることになってショートを防止することができるものである。
【００６４】
〔第６実施形態〕
図１０は、本発明の第６実施形態を示す要部の平面図である。
第６実施形態が第１実施形態と異なるのは、半導体素子１３の配置方向（半導体素子１３の中心軸方向Ｑ）が第１横長スリット１７の長手方向Ｎに対して非平行に配置され、半導体素子１３と第１横長スリット１７との間に他の電気部品が近接配置され、このため導電リード１２の配置が異なっている点にある。
図１０では、半導体素子１３の中心軸方向Ｑは、第１横長スリット１７の長手方向Ｎに対して約２０〜３０度傾斜しており、半導体素子１３と第１横長スリット１７との間には、他の電気部品としての抵抗器３０が配置され、抵抗器３０の両端が半導体素子１３の電極に接続されている。なお、上記他の電気部品は、コンデンサでもよくそれ以外の電気部品であっても良い。また抵抗器３０の両端は、半導体素子１３の電極以外の導電パターンに接続されていてもよい。
以上のように、第５実施形態は、半導体素子１３と第１横長スリット１７との間に他の電気部品が近接配置された場合に、好適である。
【００６５】
図１０においても、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２は、前述した傾斜部始点１２ｂから第１横長スリット１７を跨いで上記傾斜部終点１２ｃに至り、この傾斜部終点１２ｃから図１０の下方向に真っ直ぐに伸びて第３横長スリット１９を越えて第２アウターリード２３に接続することができる。
よって、半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２は、基板上傾斜導電リード部１２ｄおよび横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅを構成するものである。
したがって、第６実施形態において半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２は、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅでの各導電リード１２が上記のように傾斜して配置されていることから、基板上傾斜導電リード部１２ｄにおける各導電リード１２が急激に傾斜することがなく、導電リード１２同士の間隔が広く確保できることになってショートを防止することができるものである。
【００６６】
〔第７実施形態〕
図１１は、本発明の第７実施形態を示す要部の平面図である。
図１１は、図１の半導体素子１３の下辺から延出している導電リード１２のうち、左側に配置されている導電リード１２の２本を拡大図示したものである。したがって、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅにおいては、第１横長スリット１７の上辺における導電リード１２と隣接する導電リード１２とのピッチ間隔は、第１横長スリット１７の下辺における導電リード１２と隣接する導電リード１２とのピッチ間隔より狭くなっている。
第７実施形態は、図１１に図示されているように横長スリットを跨いでいる横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅにおいて、導電リード１２の上側の幅１２ｍと下側の幅１２ｎとが異なり、導電リード１２の上側の幅１２ｍが狭く、下側の幅１２ｎが上側の幅１２ｍより広く形成されており、その間の間隔Ｈは、上記上側と下側とでほぼ同じに形成されている。
【００６７】
上記導電リード１２の上側の幅１２ｍは、図１の導電リード１２の幅と同じに形成されているから、下側の幅１２ｎは図１の導電リード１２の幅より広く形成されて、その分導電リード１２の強度が向上することになる。
よって、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅにおける導電リード１２の強度が向上するが、導電リード同士の間隔は狭まることはなく両者のショートを防止することができる。
なお、横長スリット上傾斜導電リード部１２ｅにおける各導電リードの傾斜角が各々異なっている場合には、上述のように導電リード１２の上側の幅１２ｍと下側の幅１２ｎとを異ならせることができ導電リードの強度を向上しながら、導電リード１２同士の間隔Ｈを減じることがないように形成することができるものである。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、フレキシブル回路基板、リジット回路基板でもよく、その回路基板に半導体素子などの電気部品を導通接続させ実装した回路基板実装体に適用でき、その回路基板実装体を液晶表示パネルに接続させ組み込みした回路基板実装ユニットに用いることが出来る。また上記回路基板実装体や回路基板実装ユニットを、電子機器に組み込んで完成させることにも適用できる。上記電子機器は、例えば携帯電話、電子時計、小型電子計算機、パソコンなどが好適である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１実施形態における半導体素子が実装された状態のフィルムテープの平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ位置での主要部断面図。
【図３】図１で得られた回路基板実装体が折り曲げられて液晶表示パネルに接合された状態の主要部断面図。
【図４】図１の一部拡大平面図。
【図５】図４の一部拡大平面図。
【図６】本発明の第２実施形態における回路基板の主要部の平面図。
【図７】本発明の第３実施形態における回路基板の主要部の平面図。
【図８】本発明の第４実施形態における回路基板の主要部の平面図。
【図９】本発明の第５実施形態における回路基板の主要部の平面図。
【図１０】本発明の第６実施形態における回路基板の主要部の平面図。
【図１１】本発明の第７実施形態における回路基板の主要部の平面図。
【図１２】特許文献１の図６の部分拡大図。
【符号の説明】
【００７０】
１：絶縁フィルムテープ、２：導電パターン、２Ａ：インナーリード、２Ｂ：入力用アウターリード、２Ｃ：傾斜配置部、２ａ：傾斜部終点、２ｂ：傾斜部始点、２ｄ：横長スリット上直交導電リード部、４：デバイスホール、５：アウターホール、６：スリット、９：半導体素子、１１：フィルムテープ、１１ａ：搬送穴、１２：導電リード、１２ａ：下側導電リード先端群、１２ａａ：下端導電リード先端群左端、１２ａｂ：下端導電リード先端群右端、１２ｂ、１２ｉ：傾斜部始点、１２ｃ、１２ｊ：傾斜部終点、１２ｃａ：左端傾斜部終点、１２ｃｂ：右端傾斜部終点、１２ｄ、１２ｇ：基材上傾斜導電リード部、１２ｅ、１２ｈ：横長スリット上傾斜導電リード部、１２ｆ：上側導電リード先端群、１２ｍ：導電リードの上側の幅、１２ｎ：導電リードの下側の幅、１２ｏ：傾斜部、１３：半導体素子、１４：回路基板、１５：回路基板実装体、１６：板状基材、１７：第１横長スリット、１８：第２横長スリット、１９：第３横長スリット、２０：封止樹脂注入穴、２１：封止樹脂、２２：第１アウターリード、２３：第２アウターリード、２４：絶縁被膜、２５：切断位置、２６：リジット基板、２７：液晶表示パネル、２７ａ：下パネル基板、２７ｂ：上パネル基板、２８：液晶表示パネル回路基板実装ユニット、２９：背面板、３０：抵抗器、Ｈ：導電リード間の間隔、Ｌ：距離、Ｍ、Ｎ：長手方向、Ｑ：中心軸方向、Ｒ：直交線、Ｗ、Ｖ：導電リードの幅、α、β：導電リードの直交線との傾斜角
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気部品が実装された際には当該電気部品の電極に導通接続される導電リードと、表面に前記導電リードが接合配置される板状基材とを有する回路基板であって、
前記板状基材は、実装された際の前記電気部品の近傍に開口した横長スリットを有し、
前記導電リードは、電気部品における前記電極との導通接続箇所近傍の始点から前記横長スリット近傍の終点までほぼ直線状に伸び、かつ前記横長スリットの長手方向の直交線に対して所定方向に傾斜して形成されている傾斜部を有しており、
傾斜部の前記終点は前記電気部品から見て前記横長スリットを越えた位置に配置されることにより、前記横長スリット上を跨いでいる導電リード部分が前記傾斜部の一部であって横長スリット上傾斜導電リード部を構成していることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板であって、
前記電気部品の平面形状は略四辺形であり、前記横長スリット上傾斜導電リード部は、上記電気部品における前記横長スリットに近い辺から突出形成された導電リードの延出部分であることを特徴とする回路基板。
【請求項３】
請求項１乃至請求項２のいずれか１項に記載の回路基板であって、
前記電気部品の平面形状は略四辺形であり、前記横長スリット上傾斜導電リード部は、上記電気部品における前記横長スリットに近い辺とは異なる他の少なくとも１辺から延出した導電リードの延出部分であることを特徴とする回路基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の回路基板であって、
前記横長スリット上傾斜導電リード部における前記導電リードは、平面方向の幅が同一である場合に隣接する導電リードとの平面方向の間隔が広がる部分において幅広に形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の回路基板であって、
前記板状基材はフレキシブル材からなり、前記横長スリットにおいてその長手方向に沿って折り曲げられることを特徴とする回路基板。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の回路基板と、この回路基板の導電リードの一端に導通接続され実装されている電気部品とを備えたことを特徴とする回路基板実装体。
【請求項７】
請求項６に記載の回路基板実装体における前記導電リードの延出部であって前記横長スリットを超えた位置に形成されたアウターリードに他の電気構造体に接合したことを特徴とする回路基板実装ユニット。
【請求項１】
電気部品が実装された際には当該電気部品の電極に導通接続される導電リードと、表面に前記導電リードが接合配置される板状基材とを有する回路基板であって、
前記板状基材は、実装された際の前記電気部品の近傍に開口した横長スリットを有し、
前記導電リードは、電気部品における前記電極との導通接続箇所近傍の始点から前記横長スリット近傍の終点までほぼ直線状に伸び、かつ前記横長スリットの長手方向の直交線に対して所定方向に傾斜して形成されている傾斜部を有しており、
傾斜部の前記終点は前記電気部品から見て前記横長スリットを越えた位置に配置されることにより、前記横長スリット上を跨いでいる導電リード部分が前記傾斜部の一部であって横長スリット上傾斜導電リード部を構成していることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板であって、
前記電気部品の平面形状は略四辺形であり、前記横長スリット上傾斜導電リード部は、上記電気部品における前記横長スリットに近い辺から突出形成された導電リードの延出部分であることを特徴とする回路基板。
【請求項３】
請求項１乃至請求項２のいずれか１項に記載の回路基板であって、
前記電気部品の平面形状は略四辺形であり、前記横長スリット上傾斜導電リード部は、上記電気部品における前記横長スリットに近い辺とは異なる他の少なくとも１辺から延出した導電リードの延出部分であることを特徴とする回路基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の回路基板であって、
前記横長スリット上傾斜導電リード部における前記導電リードは、平面方向の幅が同一である場合に隣接する導電リードとの平面方向の間隔が広がる部分において幅広に形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の回路基板であって、
前記板状基材はフレキシブル材からなり、前記横長スリットにおいてその長手方向に沿って折り曲げられることを特徴とする回路基板。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の回路基板と、この回路基板の導電リードの一端に導通接続され実装されている電気部品とを備えたことを特徴とする回路基板実装体。
【請求項７】
請求項６に記載の回路基板実装体における前記導電リードの延出部であって前記横長スリットを超えた位置に形成されたアウターリードに他の電気構造体に接合したことを特徴とする回路基板実装ユニット。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００９−１３０１７５（Ｐ２００９−１３０１７５Ａ）
【公開日】平成２１年６月１１日（２００９．６．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３０４３３１（Ｐ２００７−３０４３３１）
【出願日】平成１９年１１月２６日（２００７．１１．２６）
【出願人】（５９１０９３４９４）株式会社ミスズ工業 (58)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月１１日（２００９．６．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１１月２６日（２００７．１１．２６）
【出願人】（５９１０９３４９４）株式会社ミスズ工業 (58)
【Ｆターム（参考）】
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