圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
【課題】本発明は、接合材が連結部に接触することを防ぐための溝部が形成される圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス（１００）は、励振電極（１３４）を有する矩形状の励振部（１３１）と励振部の周囲を囲む枠部（１３２）と励振部の矩形の一辺と枠部とを連結する所定幅の連結部（１３３）とを有する圧電材により形成される矩形形状の圧電素子（１３０）と、励振電極と電気的につながる一対の外部電極が形成される実装面と、枠部の一主面に接合されるベース接合面（１２２）と、を有するベース板（１２０）と、枠部の他主面に接合されるリッド板（１１０）と、ベース板と枠部とリッド板とを接合する接合材（１４０）と、を備え、連結部の近傍で、且つ枠部、ベース板又はリッド板の少なくとも１カ所に連結部の所定幅と同等以上の長さの溝部（１１７、１２７、１３７ａ、１３７ｂ）が形成されている。
【解決手段】圧電デバイス（１００）は、励振電極（１３４）を有する矩形状の励振部（１３１）と励振部の周囲を囲む枠部（１３２）と励振部の矩形の一辺と枠部とを連結する所定幅の連結部（１３３）とを有する圧電材により形成される矩形形状の圧電素子（１３０）と、励振電極と電気的につながる一対の外部電極が形成される実装面と、枠部の一主面に接合されるベース接合面（１２２）と、を有するベース板（１２０）と、枠部の他主面に接合されるリッド板（１１０）と、ベース板と枠部とリッド板とを接合する接合材（１４０）と、を備え、連結部の近傍で、且つ枠部、ベース板又はリッド板の少なくとも１カ所に連結部の所定幅と同等以上の長さの溝部（１１７、１２７、１３７ａ、１３７ｂ）が形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、連結部の近傍に溝部が形成された圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
所定の周波数で振動する励振部を有する圧電素子が知られている。このような圧電素子の表裏面には、リッド板及びベース板が接合材を介して接合されて圧電デバイスが形成される。このような圧電デバイスでは、リッド板及びベース板と、圧電素子の枠部との接合の際に、接合材が励振部に付着する可能性がある。このような問題に対して、例えば特許文献１では、励振部の周りに溝部が形成されている圧電デバイスが開示されている。特許文献１に記載の圧電デバイスは、励振部の周りに溝部が形成されることにより、接合材を溝部に貯め、接合材が励振部に流れ込まないように形成されている。
【０００３】
また、励振部の周りに励振部を囲む枠部が形成され、枠部の表裏面にリッド板及びベース板が接合材を介して接合される圧電デバイスが知られている。励振部と枠部とは連結部により連結されており、励振部と枠部との間の連結部以外の領域には圧電素子を貫通する貫通溝が形成される。このような貫通溝を有している圧電デバイスは、余分な接合材が貫通溝に流れるため、励振部には付着しない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１４８９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、余分な接合材が連結部に付着することがある。この連結部に接合材が付着すると、連結部の柔軟性が損なわれがたわみにくくなる。連結部はたわむことにより圧電素子にかかる衝撃を吸収することができるが、連結部の柔軟性が損なわれると、圧電素子の耐衝撃性が弱くなる。
【０００６】
そこで本発明は、接合材が連結部に接触することを防ぐための溝部が形成される圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１観点の圧電デバイスは、励振電極を有する矩形状の励振部と励振部の周囲を囲む枠部と励振部の矩形の一辺と枠部とを連結する所定幅の連結部とを有する圧電材により形成される矩形形状の圧電素子と、励振電極と電気的につながる一対の外部電極が形成される実装面と枠部の一主面に接合されるベース接合面とを有するベース板と、枠部の他主面に接合されるリッド板と、ベース板と枠部との間及びリッド板と枠部との間にペースト状態で塗布されその後固化してベース板と枠部とリッド板とを接合する接合材と、を備え、連結部の近傍で、且つ枠部、ベース板又はリッド板の少なくとも１カ所に連結部の所定幅と同等以上の長さの溝部が形成されている。
【０００８】
第２観点の圧電デバイスは、第１観点において、連結部が１本または２本で励振部の一辺と枠部とを連結する。
【０００９】
第３観点の圧電デバイスは、第１観点及び第２観点において、連結部の近傍の接合材が溝部に入り込み、溝部を越えて連結部にまで形成されていない。
【００１０】
第４観点の圧電デバイスは、第１観点から第３観点において、ベース板が、実装面からベース接合面に至る側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションが形成されたガラス又は圧電材からなり、一対のキャスタレーションが実装面からベース接合面側へ外側に伸びた第１面と、ベース接合面から実装面に外側に伸び第１面よりも面積が狭い第２面と、を有している。
【００１１】
第５観点の圧電デバイスは、第４観点において、ベース板に形成される溝部の深さが、第１面が形成されるキャスタレーションの深さ、又は第２面が形成されるキャスタレーションの深さに等しい。
【００１２】
第６観点の圧電デバイスは、第４観点及び第５観点において、一対のキャスタレーションが、第１面と第２面との間に第１面及び第２面よりもベース板の外側に突き出た突起面を有する。
【００１３】
第７観点の圧電デバイスは、第１観点から第６観点において、ベース板が、ベース接合面から凹んだベース凹み部を有し、ベース凹み部と溝部とが一体化されている。
【００１４】
第８観点の圧電デバイスは、第１観点から第３観点において、リッド板が、溝部及び枠部の他主面に接合するリッド接合面から凹んだリッド凹み部を有し、リッド板に形成される溝部の深さとリッド凹み部の深さとが等しい。
【００１５】
第９観点の圧電デバイスは、第８観点において、リッド板が、リッド凹み部とリッド板に形成される溝部とが一体化されている。
【００１６】
第１０観点の圧電デバイスは、第１観点から第９観点において、励振部がメサ領域とメサ領域の周囲に形成されメサ領域よりも薄い周辺領域とを有し、メサ領域に励振電極が形成され、連結部及び枠部に励振電極から引き出された引出電極が形成されている。
【００１７】
第１１観点の圧電デバイスは、第１０観点において、枠部に形成される溝部の深さが、メサ領域と周辺領域との段差の高さに等しい。
【００１８】
第１２観点の圧電デバイスは、第１０観点及び第１１観点において、メサ領域の表面粗さが１００Å以下である。
【００１９】
第１３観点の圧電デバイスの製造方法は、励振電極を有する矩形状の励振部と励振部の周囲を囲む枠部と励振部の矩形の一辺と枠部とを連結する所定幅の連結部とを有する圧電材により形成される矩形形状の複数の圧電素子が形成された圧電ウエハを用意する工程と、励振電極と電気的につながる一対の外部電極が形成される実装面と、枠部の一主面に接合されるベース接合面と、を有する複数のベース板が形成されたベースウエハを用意する工程と、枠部の他主面に接合される複数のリッド板が形成されたリッドウエハを用意する工程と、ベースウエハと圧電ウエハとの間、及びリッドウエハと圧電ウエハとの間に、ベースウエハと圧電ウエハとリッドウエハとを接合するための接合材をペースト状態で塗布し、ベースウエハと圧電ウエハとリッドウエハとを接合する接合工程と、を有し、連結部の近傍で、且つ枠部、ベース板又はリッド板の少なくとも１カ所に連結部の所定幅と同等以上の長さの溝部が形成されている。
【００２０】
第１４観点の圧電デバイスの製造方法は、第１３観点において、リッドウエハを用意する工程で、リッド板に枠部の他主面に接合するリッド接合面から凹んだリッド凹み部が形成され、リッド板に形成される溝部の深さがリッド凹み部の深さに等しい。
【００２１】
第１５観点の圧電デバイスの製造方法は、第１３観点において、圧電ウエハを用意する工程で励振部にメサ領域とメサ領域の周囲に形成されメサ領域よりも薄い周辺領域とが形成され、枠部に形成される溝部の深さがメサ領域と周辺領域との段差の高さに等しい。
【００２２】
第１６観点の圧電デバイスの製造方法は、第１３観点において、ベースウエハを用意する工程で、ベース板に実装面からベース接合面に至る側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションが形成され、一対のキャスタレーションに実装面からベース接合面側へ外側に伸びた第１面とベース接合面から実装面に外側に伸び第１面よりも面積が狭い第２面とが形成され、ベース板に形成される溝部の深さが、第１面が形成されるキャスタレーションの深さ、又は第２面が形成されるキャスタレーションの深さに等しく形成される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、接合材が連結部に接触することを防ぐための溝部が形成された圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】圧電デバイス１００の分解斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。 （ｂ）は、図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】（ａ）は、＋Ｙ’軸側の面の電極が示された圧電素子１３０の平面図である。 （ｂ）は、−Ｙ’軸側の面の電極が示された圧電素子１３０の平面図である。 （ｃ）は、−Ｙ’軸側の面の電極が示されたベース板１２０の平面図である。 （ｄ）は、実装面の電極が示されたベース板１２０の平面図である。
【図４】圧電デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。
【図５】圧電ウエハＷ１３０の平面図である。
【図６】圧電ウエハＷ１３０の作製方法が示されたフローチャートである。
【図７】圧電ウエハＷ１３０の作製方法が示されたフローチャートである。
【図８】ベースウエハＷ１２０の平面図である。
【図９】図８に示されるベースウエハＷ１２０の作製方法が示されたフローチャートである。
【図１０】図８に示されるベースウエハＷ１２０の作製方法が示されたフローチャートである。
【図１１】図８に示されるベースウエハＷ１２０の作製方法が示されたフローチャートである。
【図１２】リッドウエハＷ１１０の平面図である。
【図１３】（ａ）は、接合材１４０が塗布されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。 （ｂ）は、ベースウエハＷ１２０と圧電ウエハＷ１３０とが互いに接合されたウエハの部分断面図である。 （ｃ）は、接合材１４０が塗布された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。 （ｄ）は、圧電ウエハＷ１３０とリッドウエハＷ１１０とが接合されたウエハの部分断面図である。
【図１４】圧電デバイス２００の分解斜視図である。
【図１５】（ａ）は、圧電素子２３０の平面図である。 （ｂ）は、ベース板２２０の平面図である。 （ｃ）は、図１４のＤ−Ｄ断面図である。
【図１６】（ａ）は、圧電デバイス３００の断面図である。 （ｂ）は、リッド板３１０の平面図である。 （ｃ）は、ベース板３２０の平面図である。
【図１７】（ａ）は、圧電デバイス４００の断面図である。 （ｂ）は、圧電素子４３０の平面図である。 （ｃ）は、圧電デバイス５００の断面図である。
【図１８】（ａ）は、圧電デバイス６００の断面図である。 （ｂ）は、圧電素子６３０の平面図である。 （ｃ）は、圧電デバイス７００の断面図である。
【図１９】圧電デバイス８００の分解斜視図である。
【図２０】図１９のＥ−Ｅ断面図である。
【図２１】（ａ）は、圧電素子８３０の平面図である。 （ｂ）は、ベース板８２０の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００２６】
（第１実施形態）
＜圧電デバイス１００の構成＞
図１は、圧電デバイス１００の分解斜視図である。圧電デバイス１００は表面実装型の圧電デバイスであり、プリント基板等に実装されて使用される。圧電デバイス１００は主に、リッド板１１０と、ベース板１２０と、圧電素子１３０と、接合材１４０と、を備えている。リッド板１１０は例えばセラミック、ガラス又は圧電材等により形成され、ベース板１２０は例えばガラス又は水晶材等の圧電材により形成される。また、圧電素子１３０には例えばＡＴカットの水晶材が用いられる。ＡＴカットの水晶材は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。以下の説明では、ＡＴカットの水晶材の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、圧電デバイス１００において圧電デバイス１００の長辺方向をＸ軸方向、圧電デバイス１００の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。
【００２７】
圧電素子１３０は、所定の振動数で振動する励振部１３１と、励振部１３１の周りを取り囲むように形成される枠部１３２と、励振部１３１と枠部１３２とを連結する連結部１３３と、を有している。また、励振部１３１と枠部１３２との間の連結部１３３以外の領域には、圧電素子１３０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝１３６が形成されている。さらに、励振部１３１の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面にはそれぞれ励振電極１３４が形成されており、各励振電極１３４から枠部１３２にはそれぞれ引出電極１３５が引き出されている。また、枠部１３２の連結部１３３近傍の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面には、それぞれ溝部１３７ａ及び溝部１３７ｂが形成されている。
【００２８】
ベース板１２０はＸ軸方向に長辺が伸び、Ｚ’軸方向に短辺が伸びた矩形形状に形成されている。ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面は、プリント基板等にハンダを介して電気的に接続されるための電極である外部電極１２５（図３（ｄ）参照）、及び圧電デバイス１００に帯電した静電気等を除去するためのアース端子１２６（図３（ｄ）参照）が形成される実装面である。また、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面であるベース接合面１２２には接合材１４０が塗布され、圧電素子１３０の枠部１３２の−Ｙ’軸側の面に接合される。さらに、ベース板１２０にはベース接合面１２２から−Ｙ’軸方向に凹んで形成されるベース凹み部１２１が形成されており、ベース板１２０の四隅の角部の側面には、ベース板１２０の内側にくぼんだキャスタレーション１２３が形成されている。キャスタレーション１２３は、ベース板１２０の長辺及び短辺に伸びて形成されており、実装面からベース接合面１２２側へ外側に伸びた第１面１２４ａと、ベース接合面１２２から実装面に外側に伸び第１面１２４ａよりも面積が狭い第２面１２４ｂと、第１面１２４ａと第２面１２４ｂとの間に第１面１２４ａ及び第２面１２４ｂよりもベース板１２０の外側に突き出た突起面１２４ｃと、により形成されている。ベース接合面１２２のキャスタレーション１２３に接する領域には、圧電素子１３０の引出電極１３５に電気的に接続される接続電極１２８が形成されている。また、キャスタレーション１２３には、側面電極１２９が形成され、側面電極１２９は外部電極１２５及び接続電極１２８に電気的に接続されている。さらに、ベース凹み部１２１の−Ｘ軸側のベース接合面１２２の圧電素子１３０の連結部１３３の近傍には、ベース接合面１２２から凹んだ溝部１２７が形成されている。
【００２９】
リッド板１１０は、Ｘ軸方向に長辺が伸び、Ｚ’軸方向に短辺が伸びた矩形形状に形成されている。リッド板１１０の−Ｙ’軸側の面には、圧電素子１３０の枠部１３２に接合材１４０を介して接合されるリッド接合面１１２が形成されている。またリッド板１１０には、リッド接合面１１２から＋Ｙ’軸方向に凹んで形成されるリッド凹み部１１１が形成されている。リッド凹み部１１１の−Ｘ軸側のリッド接合面１１２には、圧電素子１３０の連結部１３３の近傍であり、ベース接合面１１２から＋Ｙ’軸方向に凹んだ溝部１１７が形成されている。
【００３０】
図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。圧電素子１３０の励振部１３１は、＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面に励振電極１３４が形成されているメサ領域１３１ａと、メサ領域１３１ａの周囲に形成される周辺領域１３１ｂと、を有している。メサ領域１３１ａは周辺領域１３１ｂよりもＹ’軸方向に厚く形成されている。メサ領域１３１ａに形成されている各励振電極１３４からはそれぞれ引出電極１３５が引き出されており、各引出電極１３５は連結部１３３を介して枠部１３２の−Ｙ’軸側の面の角部にまで引き出されている。また、ベース板１２０のキャスタレーション１２３に形成されている側面電極１２９は外部電極１２５及び接続電極１２８に電気的に接続されており、引出電極１３５と接続電極１２８とはベース板１２０と圧電素子１３０とが接合材１４０を介して接合される際に電気的に接続されため、励振電極１３４は外部電極１２５に電気的に接続されている。
【００３１】
図２（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ断面図である。リッド板１１０のリッド接合面１１２の連結部１３３近傍には溝部１１７が形成されている。溝部１１７は、リッド凹み部１１１と同じ深さに形成されており、接合材１４０が流れ込んでいる。また、ベース板１２０のベース接合面１２２の連結部１３３近傍には溝部１２７が形成されている。溝部１２７は、ベース凹み部１２１と同じ深さに形成されており、接合材１４０が流れ込んでいる。さらに、圧電素子１３０の枠部１３２の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面の連結部１３３の近傍には、それぞれ溝部１３７ａ及び溝部１３７ｂが形成されている。圧電デバイス１００では、これらの溝部が形成されていることにより接合材１４０が連結部１３３に流れ込むことが防がれている。
【００３２】
図３（ａ）は、＋Ｙ’軸側の面の電極が示された圧電素子１３０の平面図である。圧電素子１３０の励振部１３１の−Ｘ軸側の辺には、２本の連結部１３３が連結されている。各連結部１３３は励振部１３１から−Ｘ軸方向へ伸びて枠部１３２に連結されている。また、枠部１３２の＋Ｙ’軸側の面の各連結部１３３の近傍には、それぞれ溝部１３７ａが形成されている。各溝部１３７ａは各連結部１３３の−Ｘ軸側に形成されており、各連結部１３３のＺ’軸方向の幅を幅ＷＲとし、溝部１３７ａのＺ’軸方向の幅を幅ＷＭａとすると、幅ＷＭａは幅ＷＲよりも広くなるように形成されている。メサ領域１３１ａの＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極１３４からは、−Ｚ’軸側の連結部１３３の＋Ｙ’軸側の面に引出電極１３５が引き出されている。引出電極１３５は、さらに連結部１３３の−Ｚ’軸側の側面１３３ａを介して−Ｙ’軸側の面に引き出されている。
【００３３】
図３（ｂ）は、−Ｙ’軸側の面の電極が示された圧電素子１３０の平面図である。図３（ｂ）では、−Ｙ’軸側の面に形成される電極及び溝部が点線で示されている。メサ領域１３１ａの−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極１３４は、＋Ｚ’軸側の連結部１３３の−Ｙ’軸側の面を介して枠部１３２の−Ｙ’軸側の面に引き出され、さらに＋Ｚ’軸方向及び＋Ｘ軸方向に伸びて枠部１３２の−Ｙ’軸側の面の＋Ｚ’軸側及び＋Ｘ軸側の角部まで引き出されている。また、−Ｚ’軸側の連結部１３３の−Ｚ’軸側の側面１３５ａを介して−Ｙ’軸側の面に引き出されている引出電極１３５は、枠部１３２の−Ｚ’軸側の−Ｘ軸側の側面にまで形成されている。各連結部１３３の−Ｘ軸側の枠部１３２の−Ｙ’軸側の面には、溝部１３７ｂが形成されている。溝部１３７ｂのＺ’軸方向の幅を幅ＷＭｂとすると、幅ＷＭｂは幅ＷＲよりも広く形成されている。
【００３４】
図３（ｃ）は、−Ｙ’軸側の面の電極が示されたベース板１２０の平面図である。ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面には、ベース接合面１２２と、ベース接合面１２２から−Ｙ’軸側に凹んだベース凹み部１２１が形成されている。ベース板１２０の四隅の側面にはキャスタレーション１２３が形成されており、キャスタレーション１２３には側面電極１２９が形成されている。また、ベース接合面１２２のキャスタレーション１２３に接する領域には接続電極１２８が形成されており、側面電極１２９と接続電極１２８とが電気的に接続されている。ベース凹み部１２１の−Ｘ軸側には、溝部１２７が形成されている。溝部１２７は、圧電素子１３０の連結部１３３の−Ｘ軸側に形成され、溝部１２７のＺ’軸方向の幅を幅ＷＭｃとすると幅ＷＭｃは幅ＷＲよりも広く形成される。
【００３５】
図３（ｄ）は、実装面の電極が示されたベース板１２０の平面図である。図３（ｄ）では、−Ｙ’軸側に形成される電極が点線囲まれて示されている。外部電極１２５はベース板１２０の実装面の＋Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び−Ｘ軸側の−Ｚ’軸側に形成されており、側面電極１２９に電気的に接続されている。アース端子１２６は、ベース板１２０の実装面の＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側及び−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側に形成されている。
【００３６】
＜圧電デバイス１００の製造方法＞
図４は、圧電デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。以下、図４を参照して圧電デバイス１００の製造方法について説明する。
【００３７】
ステップＳ１０１では、圧電ウエハＷ１３０が用意される。圧電ウエハＷ１３０は圧電材により形成されるウエハであり、圧電ウエハＷ１３０には複数の圧電素子１３０が形成されている。
【００３８】
図５は、圧電ウエハＷ１３０の平面図である。圧電ウエハＷ１３０には、圧電素子１３０がＸ軸方向及びＺ’軸方向に並んで形成されている。また図５では、隣り合う各圧電素子１３０の境界に、後述されるステップＳ１０８でウエハが切断される線であるスクライブライン１７１が二点鎖線で示されている。
【００３９】
以下、図６及び図７を参照して、圧電ウエハＷ１３０に圧電素子１３０を形成する方法を説明する。図６及び図７は、圧電ウエハＷ１３０の作製方法が示されたフローチャートである。また図６及び図７では、フローチャートの各ステップの右隣りに各ステップを説明するための圧電ウエハＷ１３０の部分断面図が示されている。この部分断面図は、図５のＣ−Ｃ断面に相当する断面図である。
【００４０】
図６のステップＳ２０１では、圧電ウエハＷ１３０が用意される。図６（ａ）は、ステップＳ２０１で用意された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０１で用意される圧電ウエハＷ１３０は、＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面が平坦に形成されている。圧電ウエハＷ１３０では、＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面の表面粗さＲａが、１００Å（オングストローム）以下に形成されている。
【００４１】
ステップＳ２０２では、圧電ウエハＷ１３０の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の両面に金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成される。図６（ｂ）は、金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。まず、ステップＳ２０１で用意された圧電ウエハＷ１３０に金属膜１４１が形成される。さらに金属膜１４１の表面にフォトレジスト１４２が形成される。金属膜１４１は、圧電ウエハＷ１３０に金属膜をスパッタリングもしくは真空蒸着などを行うことにより形成される。金属膜１４１は、例えば圧電ウエハＷ１３０に下地としてニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）又はニッケル・タングステン（ＮｉＷ）等の膜を形成し、下地の上に金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）等を成膜することにより形成される。フォトレジスト１４２は、金属膜１４１の表面にスピンコートなどの手法で均一に塗布される。
【００４２】
ステップＳ２０３では、フォトレジスト１４２の露光及び現像が行われ、金属膜１４１の除去が行われる。図６（ｃ）は、フォトレジスト１４２の露光及び現像が行われ、金属膜１４１の除去が行われた圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０３では、まず、圧電ウエハＷ１３０の＋Ｙ’軸側の面にマスク１６１が配置されてフォトレジスト１４２が露光され、フォトレジスト１４２が現像される。さらに、金属膜１４１がエッチングにより除去される。ステップＳ２０３では、圧電素子１３０の励振部１３１、貫通溝１３６、及び連結部１３３が形成される領域の＋Ｙ’軸側の面の金属膜１４１が除去される。
【００４３】
ステップＳ２０４では、励振部１３１の厚さが薄くなるように圧電ウエハＷ１３０がエッチングされる。図６（ｄ）は、励振部１３１の厚さが薄くなるようにエッチングされた圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。圧電ウエハＷ１３０がエッチングされる深さは、深さＴＢ１である。ステップＳ２０４で行われるエッチングは、例えば、９０℃の高温で、フッ酸とフッ化アンモニウムとが混合されたバッファードフッ酸が用いられて行われる。エッチングが高温でバッファードフッ酸が用いられて行われた場合には、圧電ウエハＷ１３０の表面が荒くならず、エッチピット等の発生が防がれる。そのため、圧電ウエハＷ１３０の表面粗さＲａを、１００Å（オングストローム）以下に保つことができる。
【００４４】
ステップＳ２０５では、圧電ウエハＷ１３０に金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成される。図６（ｅ）は、金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０５では、ステップＳ２０４で残った金属膜１４１及びフォトレジスト１４２の全てが除去され、再び圧電ウエハＷ１３０の＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面の全てに金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成される。
【００４５】
ステップＳ２０６では、フォトレジスト１４２の露光及び現像が行われ、金属膜１４１の除去が行われる。図６（ｆ）は、フォトレジスト１４２の露光及び現像が行われ金属膜１４１が除去された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０６では、マスク１６２を介してフォトレジスト１４２の露光及び現像を行い、金属膜１４１を除去する。ステップＳ２０６でフォトレジスト１４１の露光が行われる領域は、枠部１３２の＋Ｙ’軸側の面に形成される溝部１３７ａ、枠部１３２の−Ｙ’軸側の面に形成される溝部１３７ｂ、周辺領域１３１ｂ、貫通溝１３６、及び連結部１３３を含む領域である。
【００４６】
図７のステップＳ２０７では、圧電ウエハＷ１３０がエッチングされる。図７（ａ）は、エッチングされた圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０７では、圧電ウエハＷ１３０の枠部１３２の＋Ｙ’軸側の面に形成される溝部１３７ａ、枠部１３２の−Ｙ’軸側の面に形成される溝部１３７ｂ、周辺領域１３１ｂ、貫通溝１３６、及び連結部１３３を含む領域のエッチングが行われる。エッチングは、メサ領域１３１ａと周辺領域１３１ｂとの段差の高さがＴＢ２となり、枠部１３２の＋Ｙ’軸側の面に形成される溝部１３７ａ、枠部１３２の−Ｙ’軸側の面に形成される溝部１３７ｂの深さが深さＴＢ２となるように行われる。
【００４７】
ステップＳ２０８では、圧電ウエハＷ１３０に金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成される。図７（ｂ）は、金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０８では、図７（ａ）に示された圧電ウエハＷ１３０から全てのフォトレジスト１４２及び金属膜１４１が取り除かれた後に、圧電ウエハＷ１３０の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面の全面に金属膜１４１とフォトレジスト１４２とが形成される。
【００４８】
ステップＳ２０９では、フォトレジスト１４２の露光及び現像が行われ、金属膜１４１の除去が行われる。図７（ｃ）は、フォトレジスト１４２の露光及び現像が行われ、金属膜１４１の除去が行われた圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０９では、マスク１６３を介してフォトレジスト１４２を露光する。さらにフォトレジスト１４２を現像し、金属膜１４１を除去して圧電ウエハＷ１３０の貫通溝１３６が形成される領域の圧電材を露出させる。
【００４９】
ステップＳ２１０では、貫通溝１３６が形成される。図７（ｄ）は、貫通溝１３６が形成された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２１０では、圧電ウエハＷ１３０がエッチングされることにより、圧電ウエハＷ１３０に貫通溝１３６が形成される。
【００５０】
ステップＳ２１１では、励振電極１３４及び引出電極１３５が形成される。図７（ｅ）は、励振電極１３４及び引出電極１３５が形成された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２１０の後に圧電ウエハＷ１３０に残った金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が全て除去され、その後に圧電ウエハＷ１３０に励振電極１３４及び引出電極１３５が形成される。励振電極１３４及び引出電極１３５は、圧電ウエハＷ１３０に金属膜をスパッタリングもしくは真空蒸着などを行うことにより形成される。励振電極１３４及び引出電極１３５は、例えば圧電ウエハＷ１３０に下地としてニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）又はニッケル・タングステン（ＮｉＷ）等の膜を形成し、下地の上に金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）等を成膜することにより形成される。
【００５１】
図４に戻って、ステップＳ１０２では、ベースウエハＷ１２０が用意される。ベースウエハＷ１２０には複数のベース板１２０が形成される。以下の説明では、ベースウエハＷ１２０及びベース板１２０の基材がガラスであるとして説明する。
【００５２】
図８は、ベースウエハＷ１２０の平面図である。ベースウエハＷ１２０には、ベース板１２０がＸ軸方向及びＺ’軸方向に並んで形成されている。また図８では、隣り合う各ベース板１２０の境界に、スクライブライン１７１が二点鎖線で示されている。Ｘ軸方向及びＺ’軸方向に伸びるスクライブライン１７１の交点には、ベースウエハＷ１２０をＹ’軸方向に貫通し、スクライブライン１７１のＸ軸方向及びＺ’軸方向に沿って伸びる貫通孔１５０が形成されている。貫通孔１５０は、後述されるステップＳ１０８でウエハが切断された後にキャスタレーション１２３となる。また、ベース接合面１２２の貫通孔１５０の周りには、接続電極１２８が形成されている。さらに、図３（ｄ）に示されるように、貫通孔１５０の側面には側面電極１２９が形成され、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面には外部電極１２５及びアース端子１２６が形成される。
【００５３】
図９、図１０、及び図１１は、図８に示されるベースウエハＷ１２０の作製方法が示されたフローチャートである。図９、図１０、及び図１１に示される各ステップの右横には図８に示されたベースウエハＷ１２０のＦ−Ｆ断面に相当する部分断面図が示されている。以下、図９、図１０、及び図１１を参照してベースウエハＷ１２０の作製方法を説明する。
【００５４】
図９のステップＳ３０１では、ベースウエハＷ１２０が用意される。図９（ａ）には、ステップＳ３０１で用意されるベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０１において用意されるベースウエハＷ１２０は、図９（ａ）に示されるように、＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面が平面状に形成されている。
【００５５】
ステップＳ３０２では、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の両面に金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成される。図９（ｂ）には金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。図９（ｂ）に示されるように、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面に金属膜１４１が形成され、金属膜１４１の表面にフォトレジスト１４２が形成される。
【００５６】
ステップＳ３０３では、フォトレジスト１４２が露光され現像される。図９（ｃ）には、フォトレジスト１４２が露光及び現像されたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０３でフォトレジスト１４２が露光され現像される箇所は、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面のベース凹み部１２１（図１参照）に対応した凹み領域１８０、−Ｙ’軸側の面の貫通孔１５０に対応した貫通領域１８１、及びベース接合面１２２に形成される溝部１２７に対応した溝領域１８２である。ベースウエハＷ１２０の基材がガラスである場合は、ベースウエハＷ１２０のウエットエッチングによってエッチングされる領域が広がるため、凹み領域１８０、貫通領域１８１、及び溝領域１８２はベース凹み部１２１、溝部１２７、及び貫通孔１５０の広さよりも狭く形成される。また、貫通領域１８１のＸ軸方向の幅をＷＡ１とすると、幅ＷＡ１は、貫通孔１５０の大きさが大きくなりすぎないように小さく形成されることが望ましい。
【００５７】
ステップＳ３０４では、金属膜１４１がエッチングされる。図９（ｄ）には、金属膜１４１がエッチングされたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０４では、ステップＳ３０３でフォトレジスト１４２が露光及び現像された凹み領域１８０、溝領域１８２、及び貫通領域１８１の金属膜１４１がエッチングにより取り除かれる。
【００５８】
図１０のステップＳ３０５では、ベースウエハＷ１２０がウエットエッチングされる。図１０（ａ）には、ウエットエッチングされたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０５では、凹み領域１８０、溝領域１８２、及び貫通領域１８１のベースウエハＷ１２０がエッチング液につけられることにより、凹み領域１８０、溝領域１８２、及び貫通領域１８１の深さが深さＨＡ１となるようにウエットエッチングされる。ガラスのウエットエッチングでは金属膜１４１の下のガラスもエッチングされるため、例えば、貫通領域１８１でエッチングされるガラスのＸ軸方向の幅ＷＡ２は、貫通領域１８１のＸ軸方向の幅ＷＡ１（図９（ｃ）参照）よりも広くなる。
【００５９】
ステップＳ３０６では、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面の金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が除去され、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面の全面に再び金属膜１４１が形成され、金属膜１４１の表面にフォトレジスト１４２が形成される。図１０（ｂ）には、＋Ｙ’軸側の面に金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。図１０（ｂ）では、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面の全面は金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成されており、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面には貫通領域１８１が形成されている領域のガラスが露出している。
【００６０】
ステップＳ３０７では、フォトレジスト１４２が露光され、現像される。図１０（ｃ）には、＋Ｙ’軸側の面のフォトレジスト１４２が露光され現像されたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０７で露光され現像されるフォトレジスト１４２の箇所は、＋Ｙ’軸側の面の貫通孔１５０に対応した貫通領域１８３である。凹み領域１８０、溝領域１８２、及び貫通領域１８１と同様に、ベースウエハＷ１２０はウエットエッチングによってエッチングされる領域が広がるため、貫通領域１８３は貫通孔１５０の＋Ｙ’軸側の面の広さよりも狭く形成される。また、貫通領域１８３のＸ軸方向の幅を幅ＷＡ３とする。
【００６１】
ステップＳ３０８では、金属膜１４１がエッチングされる。図１０（ｄ）には、金属膜１４１がエッチングされたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０８では、貫通領域１８３に形成されている金属膜１４１がエッチングされて除去される。
【００６２】
図１１のステップＳ３０９では、ベースウエハＷ１２０がウエットエッチングされる。図１１（ａ）には、ガラスがウエットエッチングされたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０９では、貫通領域１８１及び貫通領域１８３の露出したガラスがエッチング液につけられることによりウエットエッチングされ、貫通領域１８１の深さが深さＨＡ３に、貫通領域１８３の深さが深さＨＡ２になるように形成される。貫通領域１８１の深さＨＡ３の深さは、深さＨＡ１（図１０（ａ）参照）と深さＨＡ２との合計の値となる。また、ウエットエッチングの結果、貫通領域１８３でウエットエッチングされるガラスのＸ軸方向の幅は幅ＷＡ５となり、貫通領域１８１でウエットエッチングされるガラスのＸ軸方向の幅は幅ＷＡ４となる。幅ＷＡ５は幅ＷＡ３（図１０（ｃ）参照）よりも大きく、幅ＷＡ４は幅ＷＡ２（図１０（ａ）参照）よりも大きく、幅ＷＡ４は幅ＷＡ５よりも大きい。
【００６３】
ステップＳ３１０では、金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が除去される。図１１（ｂ）には、金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が除去されたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。図１１（ｂ）におけるベースウエハＷ１２０には、ベース凹み部１２１及び溝部１２７が形成され、貫通孔１５０が形成される位置のガラスの厚さは厚さＨＡ４に形成されている。
【００６４】
ステップＳ３１１では、サンドブラストにより貫通孔１５０が形成される。図１１（ｃ）は、サンドブラストにより貫通孔１５０が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。ステップＳ３１１では、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面に研磨材を吹き付けるサンドブラストにより、貫通孔１５０が貫通され、突起面１２４ｃが形成される。
【００６５】
ステップＳ３１２では、電極が形成される。図１１（ｄ）は、電極が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。ステップＳ３１２では、ベースウエハＷ１２０に、接続電極１２８、側面電極１２９、外部電極１２５、及びアース端子１２６が、金属膜１４１をスパッタリングもしくは真空蒸着などを行うことにより形成される。
【００６６】
図４に戻って、ステップＳ１０３では、リッドウエハＷ１１０が用意される。リッドウエハＷ１１０には、複数のリッド板１１０が形成される。
【００６７】
図１２は、リッドウエハＷ１１０の平面図である。リッドウエハＷ１１０には、リッド板１１０がＸ軸方向及びＺ’軸方向に並んで形成されている。また図１２では、隣り合う各リッド板１１０の境界に、スクライブライン１７１が二点鎖線で示されている。各リッド板１１０の−Ｙ’軸側の面には、リッド接合面１１２と、リッド凹み部１１１と、溝部１１７とが形成されている。リッド板１１０では、リッド凹み部１１１と溝部１１７とが同じ深さに形成されている。そのため、溝部１１７はリッド凹み部１１１と同時に形成することができ、溝部１１７のみを形成する工程を設ける必要がない。
【００６８】
ステップＳ１０４では、ベースウエハＷ１１０に接合材１４０が塗布される。
図１３（ａ）は、接合材１４０が塗布されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。図１３（ａ）では、図２（ｂ）の断面図に相当する断面を含む断面図が示されている。ベースウエハＷ１２０のベース接合面１２２に接合材１４０が塗布される。ベース板１２０は、ベース凹み部１２１の＋Ｘ軸側のベース接合面１２２のＸ軸方向の長さと、ベース凹み部１２１の−Ｘ軸側のベース接合面１２２のＸ軸方向の長さとが共に長さＬＡ１に形成されている。また、ベース凹み部１２１の＋Ｘ軸側に塗布される接合材１４０のＸ軸方向の長さと、ベース凹み部１２１の−Ｘ軸側に塗布される接合材１４０のＸ軸方向の長さとが共に長さＬＡ２に形成されている。
【００６９】
ステップＳ１０５では、ベースウエハＷ１２０と圧電ウエハＷ１３０とが接合される。
図１３（ｂ）は、ベースウエハＷ１２０と圧電ウエハＷ１３０とが互いに接合されたウエハの部分断面図である。ベースウエハＷ１３０のベース接合面１２２に塗布された接合材１４０は、ベースウエハＷ１２０と圧電ウエハＷ１３０とが互いに押し合わされることにより、接合材１４０がＸ−Ｚ’平面内に広がる。その結果、接合材１４０は、ベース凹み部１２１に接合材１４０のはみ出し１４１が生じる場合がある。このようなはみ出し１４１が連結部１３３付近で起こり、連結部１３３に接合材１４０が付着すると、圧電デバイス１００の耐衝撃性などが低下してしまう。圧電デバイス１００では、連結部１３３の近傍に溝部１２７及び溝部１３７ｂが形成されているため、接合材１４０がこれらの溝部に入ることで、接合材１４０が連結部１３３に付着することが防がれている。
【００７０】
ステップＳ１０６は、圧電ウエハＷ１３０に接合材１４０が塗布される。
図１３（ｃ）は、接合材１４０が塗布された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。圧電ウエハＷ１３０の枠部１３２の＋Ｙ’軸側の面に、接合材１４０が塗布される。枠部１３２の＋Ｘ軸側に塗布される接合材１４０のＸ軸方向の長さと、枠部１３２の−Ｘ軸側に塗布される接合材１４０のＸ軸方向の長さとが共に長さＬＡ３に形成されている。長さＬＡ３は長さＬＡ２と同じ長さであってもよい。
【００７１】
ステップＳ１０７は、圧電ウエハＷ１３０とリッドウエハＷ１１０とが接合される。
図１３（ｄ）は、圧電ウエハＷ１３０とリッドウエハＷ１１０とが接合されたウエハの部分断面図である。接合は、圧電ウエハＷ１３０にリッドウエハＷ１１０が押し合わされることにより行われる。圧電ウエハＷ１３０とリッドウエハＷ１１０とが押し合わされることにより、接合材１４０がＸ−Ｚ’平面内に広がる。圧電デバイス１００では、リッドウエハＷ１１０に溝部１１７が形成され圧電素子１３０の枠部１３２の＋Ｙ’軸側の面に溝部１３７ａが形成されていることにより、接合材１４０がＸ―Ｚ’平面内に広がる際にこれらの溝部に接合材１４０が入るため、溝部の近傍ではリッド凹み部１１１に接合材１４０がはみ出すことが防がれている。したがって、溝部の近傍に形成されている連結部１３３に接合材１４０が付着することが防がれる。
【００７２】
ステップＳ１０８は、ウエハがダイシングにより切断される。ステップＳ１０８では、リッドウエハＷ１１０、圧電ウエハＷ１３０、及びベースウエハＷ１２０が互いに接合されたウエハを、スクライブライン１７１に沿って切断することにより、個々の圧電デバイス１００が形成される。
【００７３】
圧電デバイスでは、連結部に接合材が塗布されて接合材が硬化した場合、連結部がたわまなくなるため衝撃に対して弱くなり、圧電デバイスの耐衝撃性が低下する。また、連結部に接合材が付着しないように接合材の塗布量を大きく減らした場合、圧電デバイスの密封が解け易くなる場合がある。圧電デバイス１００では、連結部１３３の近傍に溝部が形成されることにより、接合材１４０の塗布量を大きく減らすことなく、連結部１３３に接合材１４０が付着することが防がれている。また、圧電デバイス１００に形成される溝部は、圧電デバイス１００の製造方法で示されたように溝部を形成するためだけの特別な工程を行う必要がないため、溝部を有さない圧電デバイスの製造方法と同様の手順により製造することができるため好ましい。
【００７４】
また、圧電デバイス１００では溝部が連結部１３３の近傍のみに形成されている。このように、圧電デバイス１００では圧電デバイス１００の外壁の厚さが薄くなる箇所が限定されているため、圧電デバイス１００の外壁の強度の低下が防がれている。
【００７５】
さらに圧電素子は、メサ領域の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の表面と周辺領域の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の表面との平行度が悪い場合には圧電素子のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）値が悪くなる。圧電素子１３０ではメサ領域１３１ａを形成する際にバッファードフッ酸を使用して表面粗さが荒くならないように励振部１３１が形成されており、表面粗さが荒くならないように形成されることでメサ領域と周辺領域との表面の平行度が高い状態に保たれている。そのため、圧電素子１３０では、メサ領域と周辺領域との平行度の悪さに起因するＣＩ値の悪化が防がれている。圧電素子１３０では、表面粗さＲａが１００Å以下であるときに、良好なＣＩ値をとる。
【００７６】
（第２実施形態）
圧電デバイス１００には、さまざまな変形例が考えられる。以下、圧電デバイス００の変形例をいくつか説明する。また、以下の説明においては、第１実施形態で説明された圧電デバイス１００と同じ部分に関しては同じ記号を付してその説明を省略する。
【００７７】
＜圧電デバイス２００の構成＞
図１４は、圧電デバイス２００の分解斜視図である。圧電デバイス２００は、リッド板１１０と、ベース板２２０と、圧電素子２３０と、により形成されている。
【００７８】
圧電素子２３０は、所定の振動数で振動する励振部２３１と、励振部２３１の周りを取り囲むように形成される枠部２３２と、励振部２３１と枠部２３２とを連結する２本の連結部２３３と、を有している。２本の連結部２３３は、励振部２３１の−Ｘ軸側の辺に連結されており、さらに励振部２３１からＸ軸方向に平行に伸びて枠部２３２に連結されている。また、励振部２３１と枠部２３２との間の連結部２３３以外の領域には、圧電素子２３０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝２３６が形成されている。さらに、励振部２３１の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面にはそれぞれ励振電極２３４が形成されている。各励振電極２３４から枠部２３２へは、それぞれ引出電極２３５が引き出されている。
【００７９】
ベース板２２０は、Ｘ軸方向に長辺が伸び、Ｚ’軸方向に短辺が伸びた矩形形状に形成されている。ベース板２２０の−Ｙ’軸側の面は、プリント基板等にハンダを介して電気的に接続されるための電極である外部電極２２５が形成される実装面である。また、ベース板２２０の＋Ｙ’軸側の面であるベース接合面２２２には接合材１４０が塗布され、圧電素子２３０の枠部２３２の−Ｙ’軸側の面に接合される。さらに、ベース板２２０にはベース接合面２２２から−Ｙ’軸方向に凹んで形成されるベース凹み部２２１が形成されており、ベース板２２０の四隅の角部の側面には、ベース板２２０の内側にくぼんだキャスタレーション２２３が形成されている。ベース接合面２２２のキャスタレーション２２３に接する領域には、圧電素子２３０の引出電極２３５に電気的に接続される接続電極２２８が形成されている。また、キャスタレーション２２３には、側面電極２２９が形成され、側面電極２２９は外部電極２２５及び接続電極２２８に電気的に接続されている。さらに、ベース凹み部２２１の−Ｘ軸側のベース接合面２２２における圧電素子２３０の２本の連結部２３３のそれぞれの近傍には、ベース接合面２２２から凹んだ溝部２２７が形成されている。
【００８０】
図１５（ａ）は、圧電素子２３０の平面図である。圧電素子２３０は、励振部２３４と、励振部を囲む枠部２３２と、励振部２３４と枠部２３２とを連結する２本の連結部２３３と、により構成されている。各連結部２３３は、Ｚ’軸方向の幅が幅ＷＲに形成されている。励振部２３４のＹ’軸側の面に形成されている励振電極２３４からは、−Ｚ’軸側の連結部２３３の＋Ｙ’軸側の面、−Ｚ’軸側の側面２３３ａ、及び−Ｙ’軸側の面を介して枠部２３２に伸び、枠部２３２の−Ｚ’軸側の−Ｘ軸側の角部にまで引出電極２３５が引き出されている。また、−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極２３４からは、＋Ｚ’軸側の連結部２３３を介して枠部２３２の＋Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側の角部にまで引出電極２３５が引き出されている。
【００８１】
図１５（ｂ）は、ベース板２２０の平面図である。ベース板２２０の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側にはそれぞれ外部電極２２５が形成されており、ベース接合面２２２のキャスタレーション２２３の周囲には、接続電極２２８が形成されている。ベース凹み部２２１の−Ｘ軸側には、２つの溝部２２７が形成されている。各溝部２２７は、連結部２３３の−Ｘ軸側に形成され、溝部２２７のＺ’軸方向の長さＷＭｃは、連結部２３３のＺ’軸方向の幅ＷＲと同じ長さ、またはそれよりも長く形成されている。
【００８２】
図１５（ｃ）は、図１４のＤ−Ｄ断面図である。圧電素子２３０は、励振部２３１、連結部２３３、及び枠部２３２のＹ’軸方向の厚さが等しく形成されている。ベース板２２０は、キャスタレーション２２３の側面に形成されている側面電極２２９が、ベース接合面２２２に形成されている接続電極２２８及び実装面に形成されている外部電極２２５に電気的に接続されている。また、接続電極２２８は引出電極２３５と電気的に接続されていることから、外部電極２２５と励振電極２３４とが電気的に接続されている。ベース接合面２２２に形成されている溝部２２７の深さは、ベース板２２０のベース凹み部２２１の深さに等しい。そのため、溝部２２７はベース凹み部２２１を形成する工程において、ベース凹み部２２１と同時に形成することができる。また、圧電デバイス２００は、連結部２３３の−Ｘ軸側に溝部１１７及び溝部２２７が形成されていることにより、連結部２２３に接合材１４０が付着することが防がれている。
【００８３】
＜圧電デバイス３００の構成＞
図１６（ａ）は、圧電デバイス３００の断面図である。図１６（ａ）では、図１４のＤ−Ｄ断面に対応する圧電デバイス３００の断面図が示されている。圧電デバイス３００は、リッド板３１０と、ベース板２３０と、圧電素子２３０と、により形成されている。リッド板３１０は、−Ｙ’軸側の面に、リッド接合面３１２と、リッド接合面３１２から＋Ｙ’軸方向に凹んだリッド凹み部３１１及び溝部３１７と、が形成されている。リッド板３１０はリッド接合面３１２において、圧電素子２３０の枠部２３２の＋Ｙ’軸側の面に接合材１４０を介して接合される。ベース板３２０は、＋Ｙ’軸側の面に、ベース接合面３２２と、ベース接合面３２２から−Ｙ’軸方向に凹んだベース凹み部３２１及び溝部３２７と、が形成されている。ベース板３２０はベース接合面３２２において、圧電素子２３０の枠部２３２の−Ｙ’軸側の面に接合材１４０を介して接合される。リッド板３１０に形成されている溝部３１７は連結部２３３の−Ｘ軸側に形成されており、リッド凹み部３１１と同じ深さに形成されている。ベース板３２０に形成されている溝部３２７は連結部２３３の−Ｘ軸側に形成されており、ベース凹み部３２１と同じ深さに形成されている。溝部３１７はリッド凹み部３１１と、溝部３２７はベース凹み部３２１と同時に形成することができ、また溝部３１７及び溝部３２７はそれぞれリッド凹み部３１１及びベース凹み部３２１に繋がって形成されている。圧電デバイス３００では、溝部３２７及び溝部３１７が形成されていることにより、接合材１４０が連結部２３３に付着することが防がれている。
【００８４】
図１６（ｂ）は、リッド板３１０の平面図である。リッド板３１０では、溝部３１７とリッド凹み部３１１とが互いに繋がって形成されている。また、溝部３１７とリッド凹み部３１１とのＺ’軸方向の幅が等しく形成されている。
【００８５】
図１６（ｃ）は、ベース板３２０の平面図である。ベース板３２０では、溝部３２７とベース凹み部３２１とが互いに繋がって形成されている。また、溝部３２７とリッド凹み部３２１とのＺ’軸方向の幅が等しく形成されている。
【００８６】
＜圧電デバイス４００の構成＞
図１７（ａ）は、圧電デバイス４００の断面図である。図１７（ａ）では、図１４のＤ−Ｄ断面に対応する圧電デバイス４００の断面図が示されている。圧電デバイス４００は、リッド板４１０と、ベース板３２０と、圧電素子４３０と、により構成されている。リッド板４１０は、＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面が共に平面に形成された平板状の形状を有している。圧電素子４３０は、励振部４３１と、枠部４３２と、連結部４３３と、により形成されている。励振部４３１の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面には励振電極４３４が形成されている。各励振電極４３４からは、連結部４３３を介して枠部４３２に引出電極４３５が引き出されている。また、引出電極４３５はベース板３２０の接続電極２２８に電気的に接続される。圧電素子４３０は、励振部４３１と連結部４３３とが同じ厚さに形成されており、枠部４３２は励振部４３１及び連結部４３３よりも厚く形成されている。枠部４３２の＋Ｙ’軸側の面には溝部４３７ａが形成されている。溝部４３７ａは、枠部４３２の連結部４３３に接した領域に形成されている。溝部４３７ａが形成されている領域の枠部４３２と、連結部４３３と、励振部４３１との厚さは等しく形成されているため、溝部４３７ａは連結部４３３及び励振部４３１と同時に形成することができる。圧電デバイス４００では、圧電素子４３０に形成された溝部４３７ａと、ベース板２２０に形成された溝部３２７とにより、接合材１４０が連結部４３３に接触することが防がれている。
【００８７】
図１７（ｂ）は、圧電素子４３０の平面図である。圧電素子４３０は、励振部４３１と枠部４３２とが２本の連結部４３３により連結されている。また、励振部４３１と枠部４３２との間の連結部４３３以外の領域には、圧電素子４３０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝４３６が形成されている。枠部４３２の＋Ｙ’軸側の面の連結部４３３に接する領域に形成されている溝部４３７ａは、貫通溝４３６のＺ’軸方向の幅と同じ幅に形成されており、連結部４３３の−Ｘ軸側に形成されている。
【００８８】
＜圧電デバイス５００の構成＞
図１７（ｃ）は、圧電デバイス５００の断面図である。図１７（ｃ）では、図１４のＤ−Ｄ断面に対応する圧電デバイス５００の断面図が示されている。圧電デバイス５００は、リッド板４１０と、ベース板２２０（図１５（ｃ）参照）と、圧電素子４３０と、により構成されている。圧電デバイス５００では、圧電素子４３０に形成された溝部４３７ａと、ベース板２２０に形成された溝部２２７とにより、接合材１４０が連結部４３３に接触することが防がれている。
【００８９】
＜圧電デバイス６００の構成＞
図１８（ａ）は、圧電デバイス６００の断面図である。図１８（ａ）では、図１４のＤ−Ｄ断面に対応する圧電デバイス６００の断面図が示されている。圧電デバイス６００は、リッド板４１０と、ベース板６２０と、圧電素子６３０と、により構成されている。ベース板６２０の＋Ｙ’軸側の面には、ベース接合面２２２と、ベース接合面２２２から−Ｙ’軸方向に凹んだベース凹み部２２１と、が形成されている。ベース板６２０には溝部が形成されていない。圧電素子６３０は、励振部１３１（図３（ａ）参照）と、枠部６３２と、連結部１３３と、により構成されている。枠部６３２の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面の連結部１３３に接するよう領域には、それぞれ溝部６３７ａ及び溝部６３７ｂが形成されている。圧電デバイス６００は、圧電素子６３０に溝部６３７ａ及び溝部６３７ｂが形成されていることにより、接合材１４０が連結部１３３に接触することが防がれている。また、圧電素子６３０の溝部６３７ａ及び溝部６３７ｂが形成される部分の枠部６３２の厚さは連結部１３３及び周辺領域１３１ｂと同じ厚さに形成されているため、溝部６３７ａ及び溝部６３７ｂは連結部１３３及び周辺領域１３１ｂと同時に形成することができる。
【００９０】
図１８（ｂ）は、圧電素子６３０の平面図である。圧電素子６３０は、励振部１３１と枠部６３２とが２本の連結部１３３により連結されている。また、励振部１３１と枠部６３２との間の連結部１３３以外の領域には、圧電素子６３０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝１３６が形成されている。枠部６３２の＋Ｙ’軸側の面の連結部１３３に接する領域に形成されている溝部６３７ａ及び−Ｙ’軸側の面の連結部１３３に接する領域に形成されている溝部６３７ｂは、貫通溝１３６のＺ’軸方向の幅と同じ幅に形成されている。また、溝部６３７ａ及び溝部６３７ｂは、互いにＹ’軸方向に重なって形成されている。圧電素子６３０では、枠部６３２の−Ｙ’軸側に形成される引出電極６３５の一部が、溝部６３７ｂを介して枠部６３２の角部にまで引き出されている。
【００９１】
＜圧電デバイス７００の構成＞
図１８（ｃ）は、圧電デバイス７００の断面図である。圧電デバイス７００は、圧電素子７３０と、リッド板４１０と、ベース板６２０と、により構成されている。圧電素子７３０は、励振部１３１と、枠部７３２と、連結部１３３と、により構成されている。枠部７３２の＋Ｙ’軸側の面には溝部６３７ａが形成されており、−Ｙ’軸側の面には溝部７３７ｂが形成されている。溝部７３７ｂは溝部６３７ａとはＹ’軸方向に重なっておらず、溝部６３７ａよりも−Ｘ軸側に形成されている。また、溝部７３７ｂは、溝部６３７ｂと同様に、貫通溝１３６のＺ’軸方向の幅と同じ幅に形成されている。圧電デバイス７００は、リッド板４１０と圧電素子７３０との間に塗布される接合材１４０が溝部６３７ａに入り込み、ベース板４１０と圧電素子７３０との間に塗布される接合材１４０が溝部７３７ｂに入り込むことにより、接合材１４０が連結部１３３に接触することが防がれている。また、溝部６３７ａのＹ’軸に垂直な面と連結部１３３及び周辺領域１３１ｂの＋Ｙ’軸側の面とが同一平面上に形成され、溝部７３７ｂのＹ’軸に垂直な面と連結部１３３及び周辺領域１３１ｂの−Ｙ’軸側の面とが同一平面上に形成されているため、溝部６３７ａ及び溝部７３７ｂは連結部１３３及び周辺領域１３１ｂと同時に形成することができる。
【００９２】
＜圧電デバイス８００の構成＞
図１９は、圧電デバイス８００の分解斜視図である。圧電デバイス８００は、リッド板４１０と、ベース板８２０と、圧電素子８３０と、により形成されている。
【００９３】
圧電素子８３０は、所定の振動数で振動する励振部８３１と、励振部８３１の周りを取り囲むように形成される枠部８３２と、励振部８３１と枠部８３２とを連結する１本の連結部８３３と、を有している。１本の連結部８３３は、励振部８３１の−Ｘ軸側の辺に連結されており、さらにＸ軸方向に平行に伸びて枠部８３２に連結されている。また、励振部８３１と枠部８３２との間の連結部８３３以外の領域には、圧電素子８３０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝８３６が形成されている。さらに、励振部８３１の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面にはそれぞれ励振電極８３４が形成されている。励振電極８３４からは、引出電極８３５が枠部８３２の角部にまで引き出されている。
【００９４】
ベース板８２０は、Ｘ軸方向に長辺が伸び、Ｚ’軸方向に短辺が伸びた矩形形状に形成されている。ベース板８２０の−Ｙ’軸側の面は、プリント基板等にハンダを介して電気的に接続されるための電極である外部電極１２５が形成される実装面である。また、ベース板８２０の＋Ｙ’軸側の面であるベース接合面８２２には接合材１４０が塗布され、圧電素子８３０の枠部８３２の−Ｙ’軸側の面に接合される。さらに、ベース板８２０にはベース接合面８２２から−Ｙ’軸方向に凹んで形成されるベース凹み部２２１が形成されており、ベース板８２０の四隅の角部の側面には、ベース板８２０の内側にくぼんだキャスタレーション２２３が形成されている。ベース接合面８２２のキャスタレーション２２３に接する領域には、圧電素子８３０の引出電極８３５に電気的に接続される接続電極２２８が形成されている。また、キャスタレーション２２３には、側面電極２２９が形成され、側面電極２２９は外部電極２２５及び接続電極２２８に電気的に接続されている。さらに、ベース凹み部２２１の−Ｘ軸側のベース接合面８２２の圧電素子８３０の１本の連結部８３３の近傍には、ベース接合面８２２から凹んだ溝部８２７が形成されている。
【００９５】
図２０は、図１９のＥ−Ｅ断面図である。圧電素子８３０は、励振部８３１、連結部８３３、及び枠部８３２の溝部８３７ａが形成されている領域のＹ’軸方向の厚さが等しく形成されている。そのため、励振部８３１、連結部８３３、及び枠部８３２の溝部８３７ａが形成されている領域は同時に形成することができる。ベース板８２０は、キャスタレーション２２３の側面に形成されている側面電極２２９が、ベース接合面８２２に形成されている接続電極２２８及び実装面に形成されている外部電極１２５に電気的に接続されている。また、接続電極２２８は引出電極８３５と電気的に接続されていることから、外部電極１２５と励振電極８３５とが電気的に接続されている。また、ベース接合面８２２に形成されている溝部８２７の深さは、ベース板８２０のベース凹み部２２１の深さに等しい。そのため、溝部８２７はベース凹み部２２１を形成する工程において、ベース凹み部２２１と同時に形成することができる。圧電デバイス８００は、リッド板４１０と圧電素子８３０との間に塗布される接合材１４０が溝部８３７ａに入り込み、ベース板４１０と圧電素子８３０との間に塗布される接合材１４０が溝部８３７ｂに入り込むことにより、接合材１４０が連結部８３３に接触することが防がれている。
【００９６】
図２１（ａ）は、圧電素子８３０の平面図である。圧電素子８３０は、励振部８３１の−Ｘ軸側の辺の中央部に１本の連結部８３３が連結されている。また、連結部８３３は励振部８３１から−Ｘ軸方向に伸びて枠部８３２に連結されている。また、連結部８３３が連結される枠部８３２の＋Ｙ’軸側の面の周囲には、溝部８２７ａが形成されている。溝部８２７ａのＺ’軸方向の長さは、連結部８３３のＺ’軸方向の幅よりも長く形成されている。励振部８３１の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面には励振電極８３４が形成されており、各励振電極８３４からは引出電極８３５が引き出されている。＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極８３４から引き出される引出電極８３５は、連結部８３３の＋Ｙ’軸側の面、＋Ｚ’軸側の側面８３３ａ、及び−Ｙ’軸側の面を通り、枠部８３２の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側の角部にまで引き出されている。また、−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極８３４から引き出されている引出電極８３５は、連結部８３３の−Ｙ’軸側の面を介して枠部８３２に引き出され、さらに枠部８３２を−Ｚ’軸方向及び＋Ｘ軸方向に伸びて＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角部にまで形成されている。
【００９７】
図２１（ｂ）は、ベース板８２０の平面図である。ベース板８２０の四隅の側面には、キャスタレーション２２３が形成されており、キャスタレーション２２３には側面電極２２９（図２０参照）が形成されている。また、ベース板８２０の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側にはそれぞれ外部電極２２５が形成されており、ベース接合面８２２のキャスタレーション２２３の周囲には、接続電極２２８が形成されている。ベース凹み部２２１の−Ｘ軸側の中央のベース接合面８２２には、ベース凹み部２２１に隣接する溝部８２７が形成されている。溝部８２７のＺ’軸方向の長さは連結部８３３のＺ’軸方向の幅よりも長く形成されている。枠部８２７は、圧電素子８３０に形成される溝部８２７ａの−Ｙ’軸側に重なるように形成されており、連結部８３３に接合材１４０が接触することを防いでいる。
【００９８】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
【００９９】
例えば、励振部、枠部、及び連結部の厚さが等しい圧電素子２３０（図１４参照）に溝部が形成されてもよい。すなわち、圧電素子、リッド板、及びベース板の製造工程では、溝部を形成するための工程が追加されることにより溝部が形成されても良い。
【０１００】
さらに、上記の実施形態では圧電素子にＡＴカットの水晶素子である場合を示したが、同じように厚みすべりモードで振動するＢＴカット、又は音叉型水晶素子などであっても同様に適用できる。さらに圧電素子は水晶材のみならず、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムあるいは圧電セラミックを含む圧電材に基本的に適用できる。
【符号の説明】
【０１０１】
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００ … 圧電デバイス
１１０、３１０、４１０ … リッド板
１１１、３１１ … リッド凹み部
１１２、３１２ … リッド接合面
１１７、３１７ … 溝部
１２０、２２０、３２０、６２０、８２０ … ベース板
１２１、２２１、３２１ … ベース凹み部
１２２、２２２、３２２ … ベース接合面
１２３、２２３ … キャスタレーション
１２４ａ … 第１面
１２４ｂ … 第２面
１２４ｃ … 突起面
１２５、２２５ … 外部電極
１２６ … アース端子
１２７、２２７、８２７ … 溝部
１２８、２２８ … 接続電極
１２９、２２９ … 側面電極
１３０、２３０、４３０、６３０、７３０、８３０ … 圧電素子
１３１、２３１、４３１、８３１ … 励振部
１３１ａ … メサ領域
１３１ｂ … 周辺領域
１３２、２３２、４３２、６３２、７３２、８３２ … 枠部
１３３、２３３、４３３、８３３ … 連結部
１３４、２３４、４３４、８３４ … 励振電極
１３５、２３５、４３５、６３５、８３５ … 引出電極
１３６、２３６ … 貫通溝
１３７ａ、１３７ｂ、４３７ａ、６３７ａ、６３７ｂ、７３７ｂ … 溝部
１４０ … 接合材
１４１ … 金属膜
１４２ … フォトレジスト
１５０ … 貫通孔
１６１、１６２、１６３ … マスク
１７１ … スクライブライン
１８０ … 凹み領域
１８１、１８３ … 貫通領域
１８２ … 溝領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、連結部の近傍に溝部が形成された圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
所定の周波数で振動する励振部を有する圧電素子が知られている。このような圧電素子の表裏面には、リッド板及びベース板が接合材を介して接合されて圧電デバイスが形成される。このような圧電デバイスでは、リッド板及びベース板と、圧電素子の枠部との接合の際に、接合材が励振部に付着する可能性がある。このような問題に対して、例えば特許文献１では、励振部の周りに溝部が形成されている圧電デバイスが開示されている。特許文献１に記載の圧電デバイスは、励振部の周りに溝部が形成されることにより、接合材を溝部に貯め、接合材が励振部に流れ込まないように形成されている。
【０００３】
また、励振部の周りに励振部を囲む枠部が形成され、枠部の表裏面にリッド板及びベース板が接合材を介して接合される圧電デバイスが知られている。励振部と枠部とは連結部により連結されており、励振部と枠部との間の連結部以外の領域には圧電素子を貫通する貫通溝が形成される。このような貫通溝を有している圧電デバイスは、余分な接合材が貫通溝に流れるため、励振部には付着しない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１４８９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、余分な接合材が連結部に付着することがある。この連結部に接合材が付着すると、連結部の柔軟性が損なわれがたわみにくくなる。連結部はたわむことにより圧電素子にかかる衝撃を吸収することができるが、連結部の柔軟性が損なわれると、圧電素子の耐衝撃性が弱くなる。
【０００６】
そこで本発明は、接合材が連結部に接触することを防ぐための溝部が形成される圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１観点の圧電デバイスは、励振電極を有する矩形状の励振部と励振部の周囲を囲む枠部と励振部の矩形の一辺と枠部とを連結する所定幅の連結部とを有する圧電材により形成される矩形形状の圧電素子と、励振電極と電気的につながる一対の外部電極が形成される実装面と枠部の一主面に接合されるベース接合面とを有するベース板と、枠部の他主面に接合されるリッド板と、ベース板と枠部との間及びリッド板と枠部との間にペースト状態で塗布されその後固化してベース板と枠部とリッド板とを接合する接合材と、を備え、連結部の近傍で、且つ枠部、ベース板又はリッド板の少なくとも１カ所に連結部の所定幅と同等以上の長さの溝部が形成されている。
【０００８】
第２観点の圧電デバイスは、第１観点において、連結部が１本または２本で励振部の一辺と枠部とを連結する。
【０００９】
第３観点の圧電デバイスは、第１観点及び第２観点において、連結部の近傍の接合材が溝部に入り込み、溝部を越えて連結部にまで形成されていない。
【００１０】
第４観点の圧電デバイスは、第１観点から第３観点において、ベース板が、実装面からベース接合面に至る側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションが形成されたガラス又は圧電材からなり、一対のキャスタレーションが実装面からベース接合面側へ外側に伸びた第１面と、ベース接合面から実装面に外側に伸び第１面よりも面積が狭い第２面と、を有している。
【００１１】
第５観点の圧電デバイスは、第４観点において、ベース板に形成される溝部の深さが、第１面が形成されるキャスタレーションの深さ、又は第２面が形成されるキャスタレーションの深さに等しい。
【００１２】
第６観点の圧電デバイスは、第４観点及び第５観点において、一対のキャスタレーションが、第１面と第２面との間に第１面及び第２面よりもベース板の外側に突き出た突起面を有する。
【００１３】
第７観点の圧電デバイスは、第１観点から第６観点において、ベース板が、ベース接合面から凹んだベース凹み部を有し、ベース凹み部と溝部とが一体化されている。
【００１４】
第８観点の圧電デバイスは、第１観点から第３観点において、リッド板が、溝部及び枠部の他主面に接合するリッド接合面から凹んだリッド凹み部を有し、リッド板に形成される溝部の深さとリッド凹み部の深さとが等しい。
【００１５】
第９観点の圧電デバイスは、第８観点において、リッド板が、リッド凹み部とリッド板に形成される溝部とが一体化されている。
【００１６】
第１０観点の圧電デバイスは、第１観点から第９観点において、励振部がメサ領域とメサ領域の周囲に形成されメサ領域よりも薄い周辺領域とを有し、メサ領域に励振電極が形成され、連結部及び枠部に励振電極から引き出された引出電極が形成されている。
【００１７】
第１１観点の圧電デバイスは、第１０観点において、枠部に形成される溝部の深さが、メサ領域と周辺領域との段差の高さに等しい。
【００１８】
第１２観点の圧電デバイスは、第１０観点及び第１１観点において、メサ領域の表面粗さが１００Å以下である。
【００１９】
第１３観点の圧電デバイスの製造方法は、励振電極を有する矩形状の励振部と励振部の周囲を囲む枠部と励振部の矩形の一辺と枠部とを連結する所定幅の連結部とを有する圧電材により形成される矩形形状の複数の圧電素子が形成された圧電ウエハを用意する工程と、励振電極と電気的につながる一対の外部電極が形成される実装面と、枠部の一主面に接合されるベース接合面と、を有する複数のベース板が形成されたベースウエハを用意する工程と、枠部の他主面に接合される複数のリッド板が形成されたリッドウエハを用意する工程と、ベースウエハと圧電ウエハとの間、及びリッドウエハと圧電ウエハとの間に、ベースウエハと圧電ウエハとリッドウエハとを接合するための接合材をペースト状態で塗布し、ベースウエハと圧電ウエハとリッドウエハとを接合する接合工程と、を有し、連結部の近傍で、且つ枠部、ベース板又はリッド板の少なくとも１カ所に連結部の所定幅と同等以上の長さの溝部が形成されている。
【００２０】
第１４観点の圧電デバイスの製造方法は、第１３観点において、リッドウエハを用意する工程で、リッド板に枠部の他主面に接合するリッド接合面から凹んだリッド凹み部が形成され、リッド板に形成される溝部の深さがリッド凹み部の深さに等しい。
【００２１】
第１５観点の圧電デバイスの製造方法は、第１３観点において、圧電ウエハを用意する工程で励振部にメサ領域とメサ領域の周囲に形成されメサ領域よりも薄い周辺領域とが形成され、枠部に形成される溝部の深さがメサ領域と周辺領域との段差の高さに等しい。
【００２２】
第１６観点の圧電デバイスの製造方法は、第１３観点において、ベースウエハを用意する工程で、ベース板に実装面からベース接合面に至る側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションが形成され、一対のキャスタレーションに実装面からベース接合面側へ外側に伸びた第１面とベース接合面から実装面に外側に伸び第１面よりも面積が狭い第２面とが形成され、ベース板に形成される溝部の深さが、第１面が形成されるキャスタレーションの深さ、又は第２面が形成されるキャスタレーションの深さに等しく形成される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、接合材が連結部に接触することを防ぐための溝部が形成された圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】圧電デバイス１００の分解斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。 （ｂ）は、図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】（ａ）は、＋Ｙ’軸側の面の電極が示された圧電素子１３０の平面図である。 （ｂ）は、−Ｙ’軸側の面の電極が示された圧電素子１３０の平面図である。 （ｃ）は、−Ｙ’軸側の面の電極が示されたベース板１２０の平面図である。 （ｄ）は、実装面の電極が示されたベース板１２０の平面図である。
【図４】圧電デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。
【図５】圧電ウエハＷ１３０の平面図である。
【図６】圧電ウエハＷ１３０の作製方法が示されたフローチャートである。
【図７】圧電ウエハＷ１３０の作製方法が示されたフローチャートである。
【図８】ベースウエハＷ１２０の平面図である。
【図９】図８に示されるベースウエハＷ１２０の作製方法が示されたフローチャートである。
【図１０】図８に示されるベースウエハＷ１２０の作製方法が示されたフローチャートである。
【図１１】図８に示されるベースウエハＷ１２０の作製方法が示されたフローチャートである。
【図１２】リッドウエハＷ１１０の平面図である。
【図１３】（ａ）は、接合材１４０が塗布されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。 （ｂ）は、ベースウエハＷ１２０と圧電ウエハＷ１３０とが互いに接合されたウエハの部分断面図である。 （ｃ）は、接合材１４０が塗布された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。 （ｄ）は、圧電ウエハＷ１３０とリッドウエハＷ１１０とが接合されたウエハの部分断面図である。
【図１４】圧電デバイス２００の分解斜視図である。
【図１５】（ａ）は、圧電素子２３０の平面図である。 （ｂ）は、ベース板２２０の平面図である。 （ｃ）は、図１４のＤ−Ｄ断面図である。
【図１６】（ａ）は、圧電デバイス３００の断面図である。 （ｂ）は、リッド板３１０の平面図である。 （ｃ）は、ベース板３２０の平面図である。
【図１７】（ａ）は、圧電デバイス４００の断面図である。 （ｂ）は、圧電素子４３０の平面図である。 （ｃ）は、圧電デバイス５００の断面図である。
【図１８】（ａ）は、圧電デバイス６００の断面図である。 （ｂ）は、圧電素子６３０の平面図である。 （ｃ）は、圧電デバイス７００の断面図である。
【図１９】圧電デバイス８００の分解斜視図である。
【図２０】図１９のＥ−Ｅ断面図である。
【図２１】（ａ）は、圧電素子８３０の平面図である。 （ｂ）は、ベース板８２０の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００２６】
（第１実施形態）
＜圧電デバイス１００の構成＞
図１は、圧電デバイス１００の分解斜視図である。圧電デバイス１００は表面実装型の圧電デバイスであり、プリント基板等に実装されて使用される。圧電デバイス１００は主に、リッド板１１０と、ベース板１２０と、圧電素子１３０と、接合材１４０と、を備えている。リッド板１１０は例えばセラミック、ガラス又は圧電材等により形成され、ベース板１２０は例えばガラス又は水晶材等の圧電材により形成される。また、圧電素子１３０には例えばＡＴカットの水晶材が用いられる。ＡＴカットの水晶材は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。以下の説明では、ＡＴカットの水晶材の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、圧電デバイス１００において圧電デバイス１００の長辺方向をＸ軸方向、圧電デバイス１００の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。
【００２７】
圧電素子１３０は、所定の振動数で振動する励振部１３１と、励振部１３１の周りを取り囲むように形成される枠部１３２と、励振部１３１と枠部１３２とを連結する連結部１３３と、を有している。また、励振部１３１と枠部１３２との間の連結部１３３以外の領域には、圧電素子１３０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝１３６が形成されている。さらに、励振部１３１の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面にはそれぞれ励振電極１３４が形成されており、各励振電極１３４から枠部１３２にはそれぞれ引出電極１３５が引き出されている。また、枠部１３２の連結部１３３近傍の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面には、それぞれ溝部１３７ａ及び溝部１３７ｂが形成されている。
【００２８】
ベース板１２０はＸ軸方向に長辺が伸び、Ｚ’軸方向に短辺が伸びた矩形形状に形成されている。ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面は、プリント基板等にハンダを介して電気的に接続されるための電極である外部電極１２５（図３（ｄ）参照）、及び圧電デバイス１００に帯電した静電気等を除去するためのアース端子１２６（図３（ｄ）参照）が形成される実装面である。また、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面であるベース接合面１２２には接合材１４０が塗布され、圧電素子１３０の枠部１３２の−Ｙ’軸側の面に接合される。さらに、ベース板１２０にはベース接合面１２２から−Ｙ’軸方向に凹んで形成されるベース凹み部１２１が形成されており、ベース板１２０の四隅の角部の側面には、ベース板１２０の内側にくぼんだキャスタレーション１２３が形成されている。キャスタレーション１２３は、ベース板１２０の長辺及び短辺に伸びて形成されており、実装面からベース接合面１２２側へ外側に伸びた第１面１２４ａと、ベース接合面１２２から実装面に外側に伸び第１面１２４ａよりも面積が狭い第２面１２４ｂと、第１面１２４ａと第２面１２４ｂとの間に第１面１２４ａ及び第２面１２４ｂよりもベース板１２０の外側に突き出た突起面１２４ｃと、により形成されている。ベース接合面１２２のキャスタレーション１２３に接する領域には、圧電素子１３０の引出電極１３５に電気的に接続される接続電極１２８が形成されている。また、キャスタレーション１２３には、側面電極１２９が形成され、側面電極１２９は外部電極１２５及び接続電極１２８に電気的に接続されている。さらに、ベース凹み部１２１の−Ｘ軸側のベース接合面１２２の圧電素子１３０の連結部１３３の近傍には、ベース接合面１２２から凹んだ溝部１２７が形成されている。
【００２９】
リッド板１１０は、Ｘ軸方向に長辺が伸び、Ｚ’軸方向に短辺が伸びた矩形形状に形成されている。リッド板１１０の−Ｙ’軸側の面には、圧電素子１３０の枠部１３２に接合材１４０を介して接合されるリッド接合面１１２が形成されている。またリッド板１１０には、リッド接合面１１２から＋Ｙ’軸方向に凹んで形成されるリッド凹み部１１１が形成されている。リッド凹み部１１１の−Ｘ軸側のリッド接合面１１２には、圧電素子１３０の連結部１３３の近傍であり、ベース接合面１１２から＋Ｙ’軸方向に凹んだ溝部１１７が形成されている。
【００３０】
図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図である。圧電素子１３０の励振部１３１は、＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面に励振電極１３４が形成されているメサ領域１３１ａと、メサ領域１３１ａの周囲に形成される周辺領域１３１ｂと、を有している。メサ領域１３１ａは周辺領域１３１ｂよりもＹ’軸方向に厚く形成されている。メサ領域１３１ａに形成されている各励振電極１３４からはそれぞれ引出電極１３５が引き出されており、各引出電極１３５は連結部１３３を介して枠部１３２の−Ｙ’軸側の面の角部にまで引き出されている。また、ベース板１２０のキャスタレーション１２３に形成されている側面電極１２９は外部電極１２５及び接続電極１２８に電気的に接続されており、引出電極１３５と接続電極１２８とはベース板１２０と圧電素子１３０とが接合材１４０を介して接合される際に電気的に接続されため、励振電極１３４は外部電極１２５に電気的に接続されている。
【００３１】
図２（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ断面図である。リッド板１１０のリッド接合面１１２の連結部１３３近傍には溝部１１７が形成されている。溝部１１７は、リッド凹み部１１１と同じ深さに形成されており、接合材１４０が流れ込んでいる。また、ベース板１２０のベース接合面１２２の連結部１３３近傍には溝部１２７が形成されている。溝部１２７は、ベース凹み部１２１と同じ深さに形成されており、接合材１４０が流れ込んでいる。さらに、圧電素子１３０の枠部１３２の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面の連結部１３３の近傍には、それぞれ溝部１３７ａ及び溝部１３７ｂが形成されている。圧電デバイス１００では、これらの溝部が形成されていることにより接合材１４０が連結部１３３に流れ込むことが防がれている。
【００３２】
図３（ａ）は、＋Ｙ’軸側の面の電極が示された圧電素子１３０の平面図である。圧電素子１３０の励振部１３１の−Ｘ軸側の辺には、２本の連結部１３３が連結されている。各連結部１３３は励振部１３１から−Ｘ軸方向へ伸びて枠部１３２に連結されている。また、枠部１３２の＋Ｙ’軸側の面の各連結部１３３の近傍には、それぞれ溝部１３７ａが形成されている。各溝部１３７ａは各連結部１３３の−Ｘ軸側に形成されており、各連結部１３３のＺ’軸方向の幅を幅ＷＲとし、溝部１３７ａのＺ’軸方向の幅を幅ＷＭａとすると、幅ＷＭａは幅ＷＲよりも広くなるように形成されている。メサ領域１３１ａの＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極１３４からは、−Ｚ’軸側の連結部１３３の＋Ｙ’軸側の面に引出電極１３５が引き出されている。引出電極１３５は、さらに連結部１３３の−Ｚ’軸側の側面１３３ａを介して−Ｙ’軸側の面に引き出されている。
【００３３】
図３（ｂ）は、−Ｙ’軸側の面の電極が示された圧電素子１３０の平面図である。図３（ｂ）では、−Ｙ’軸側の面に形成される電極及び溝部が点線で示されている。メサ領域１３１ａの−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極１３４は、＋Ｚ’軸側の連結部１３３の−Ｙ’軸側の面を介して枠部１３２の−Ｙ’軸側の面に引き出され、さらに＋Ｚ’軸方向及び＋Ｘ軸方向に伸びて枠部１３２の−Ｙ’軸側の面の＋Ｚ’軸側及び＋Ｘ軸側の角部まで引き出されている。また、−Ｚ’軸側の連結部１３３の−Ｚ’軸側の側面１３５ａを介して−Ｙ’軸側の面に引き出されている引出電極１３５は、枠部１３２の−Ｚ’軸側の−Ｘ軸側の側面にまで形成されている。各連結部１３３の−Ｘ軸側の枠部１３２の−Ｙ’軸側の面には、溝部１３７ｂが形成されている。溝部１３７ｂのＺ’軸方向の幅を幅ＷＭｂとすると、幅ＷＭｂは幅ＷＲよりも広く形成されている。
【００３４】
図３（ｃ）は、−Ｙ’軸側の面の電極が示されたベース板１２０の平面図である。ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面には、ベース接合面１２２と、ベース接合面１２２から−Ｙ’軸側に凹んだベース凹み部１２１が形成されている。ベース板１２０の四隅の側面にはキャスタレーション１２３が形成されており、キャスタレーション１２３には側面電極１２９が形成されている。また、ベース接合面１２２のキャスタレーション１２３に接する領域には接続電極１２８が形成されており、側面電極１２９と接続電極１２８とが電気的に接続されている。ベース凹み部１２１の−Ｘ軸側には、溝部１２７が形成されている。溝部１２７は、圧電素子１３０の連結部１３３の−Ｘ軸側に形成され、溝部１２７のＺ’軸方向の幅を幅ＷＭｃとすると幅ＷＭｃは幅ＷＲよりも広く形成される。
【００３５】
図３（ｄ）は、実装面の電極が示されたベース板１２０の平面図である。図３（ｄ）では、−Ｙ’軸側に形成される電極が点線囲まれて示されている。外部電極１２５はベース板１２０の実装面の＋Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び−Ｘ軸側の−Ｚ’軸側に形成されており、側面電極１２９に電気的に接続されている。アース端子１２６は、ベース板１２０の実装面の＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側及び−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側に形成されている。
【００３６】
＜圧電デバイス１００の製造方法＞
図４は、圧電デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。以下、図４を参照して圧電デバイス１００の製造方法について説明する。
【００３７】
ステップＳ１０１では、圧電ウエハＷ１３０が用意される。圧電ウエハＷ１３０は圧電材により形成されるウエハであり、圧電ウエハＷ１３０には複数の圧電素子１３０が形成されている。
【００３８】
図５は、圧電ウエハＷ１３０の平面図である。圧電ウエハＷ１３０には、圧電素子１３０がＸ軸方向及びＺ’軸方向に並んで形成されている。また図５では、隣り合う各圧電素子１３０の境界に、後述されるステップＳ１０８でウエハが切断される線であるスクライブライン１７１が二点鎖線で示されている。
【００３９】
以下、図６及び図７を参照して、圧電ウエハＷ１３０に圧電素子１３０を形成する方法を説明する。図６及び図７は、圧電ウエハＷ１３０の作製方法が示されたフローチャートである。また図６及び図７では、フローチャートの各ステップの右隣りに各ステップを説明するための圧電ウエハＷ１３０の部分断面図が示されている。この部分断面図は、図５のＣ−Ｃ断面に相当する断面図である。
【００４０】
図６のステップＳ２０１では、圧電ウエハＷ１３０が用意される。図６（ａ）は、ステップＳ２０１で用意された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０１で用意される圧電ウエハＷ１３０は、＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面が平坦に形成されている。圧電ウエハＷ１３０では、＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面の表面粗さＲａが、１００Å（オングストローム）以下に形成されている。
【００４１】
ステップＳ２０２では、圧電ウエハＷ１３０の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の両面に金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成される。図６（ｂ）は、金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。まず、ステップＳ２０１で用意された圧電ウエハＷ１３０に金属膜１４１が形成される。さらに金属膜１４１の表面にフォトレジスト１４２が形成される。金属膜１４１は、圧電ウエハＷ１３０に金属膜をスパッタリングもしくは真空蒸着などを行うことにより形成される。金属膜１４１は、例えば圧電ウエハＷ１３０に下地としてニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）又はニッケル・タングステン（ＮｉＷ）等の膜を形成し、下地の上に金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）等を成膜することにより形成される。フォトレジスト１４２は、金属膜１４１の表面にスピンコートなどの手法で均一に塗布される。
【００４２】
ステップＳ２０３では、フォトレジスト１４２の露光及び現像が行われ、金属膜１４１の除去が行われる。図６（ｃ）は、フォトレジスト１４２の露光及び現像が行われ、金属膜１４１の除去が行われた圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０３では、まず、圧電ウエハＷ１３０の＋Ｙ’軸側の面にマスク１６１が配置されてフォトレジスト１４２が露光され、フォトレジスト１４２が現像される。さらに、金属膜１４１がエッチングにより除去される。ステップＳ２０３では、圧電素子１３０の励振部１３１、貫通溝１３６、及び連結部１３３が形成される領域の＋Ｙ’軸側の面の金属膜１４１が除去される。
【００４３】
ステップＳ２０４では、励振部１３１の厚さが薄くなるように圧電ウエハＷ１３０がエッチングされる。図６（ｄ）は、励振部１３１の厚さが薄くなるようにエッチングされた圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。圧電ウエハＷ１３０がエッチングされる深さは、深さＴＢ１である。ステップＳ２０４で行われるエッチングは、例えば、９０℃の高温で、フッ酸とフッ化アンモニウムとが混合されたバッファードフッ酸が用いられて行われる。エッチングが高温でバッファードフッ酸が用いられて行われた場合には、圧電ウエハＷ１３０の表面が荒くならず、エッチピット等の発生が防がれる。そのため、圧電ウエハＷ１３０の表面粗さＲａを、１００Å（オングストローム）以下に保つことができる。
【００４４】
ステップＳ２０５では、圧電ウエハＷ１３０に金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成される。図６（ｅ）は、金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０５では、ステップＳ２０４で残った金属膜１４１及びフォトレジスト１４２の全てが除去され、再び圧電ウエハＷ１３０の＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面の全てに金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成される。
【００４５】
ステップＳ２０６では、フォトレジスト１４２の露光及び現像が行われ、金属膜１４１の除去が行われる。図６（ｆ）は、フォトレジスト１４２の露光及び現像が行われ金属膜１４１が除去された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０６では、マスク１６２を介してフォトレジスト１４２の露光及び現像を行い、金属膜１４１を除去する。ステップＳ２０６でフォトレジスト１４１の露光が行われる領域は、枠部１３２の＋Ｙ’軸側の面に形成される溝部１３７ａ、枠部１３２の−Ｙ’軸側の面に形成される溝部１３７ｂ、周辺領域１３１ｂ、貫通溝１３６、及び連結部１３３を含む領域である。
【００４６】
図７のステップＳ２０７では、圧電ウエハＷ１３０がエッチングされる。図７（ａ）は、エッチングされた圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０７では、圧電ウエハＷ１３０の枠部１３２の＋Ｙ’軸側の面に形成される溝部１３７ａ、枠部１３２の−Ｙ’軸側の面に形成される溝部１３７ｂ、周辺領域１３１ｂ、貫通溝１３６、及び連結部１３３を含む領域のエッチングが行われる。エッチングは、メサ領域１３１ａと周辺領域１３１ｂとの段差の高さがＴＢ２となり、枠部１３２の＋Ｙ’軸側の面に形成される溝部１３７ａ、枠部１３２の−Ｙ’軸側の面に形成される溝部１３７ｂの深さが深さＴＢ２となるように行われる。
【００４７】
ステップＳ２０８では、圧電ウエハＷ１３０に金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成される。図７（ｂ）は、金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０８では、図７（ａ）に示された圧電ウエハＷ１３０から全てのフォトレジスト１４２及び金属膜１４１が取り除かれた後に、圧電ウエハＷ１３０の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面の全面に金属膜１４１とフォトレジスト１４２とが形成される。
【００４８】
ステップＳ２０９では、フォトレジスト１４２の露光及び現像が行われ、金属膜１４１の除去が行われる。図７（ｃ）は、フォトレジスト１４２の露光及び現像が行われ、金属膜１４１の除去が行われた圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２０９では、マスク１６３を介してフォトレジスト１４２を露光する。さらにフォトレジスト１４２を現像し、金属膜１４１を除去して圧電ウエハＷ１３０の貫通溝１３６が形成される領域の圧電材を露出させる。
【００４９】
ステップＳ２１０では、貫通溝１３６が形成される。図７（ｄ）は、貫通溝１３６が形成された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２１０では、圧電ウエハＷ１３０がエッチングされることにより、圧電ウエハＷ１３０に貫通溝１３６が形成される。
【００５０】
ステップＳ２１１では、励振電極１３４及び引出電極１３５が形成される。図７（ｅ）は、励振電極１３４及び引出電極１３５が形成された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。ステップＳ２１０の後に圧電ウエハＷ１３０に残った金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が全て除去され、その後に圧電ウエハＷ１３０に励振電極１３４及び引出電極１３５が形成される。励振電極１３４及び引出電極１３５は、圧電ウエハＷ１３０に金属膜をスパッタリングもしくは真空蒸着などを行うことにより形成される。励振電極１３４及び引出電極１３５は、例えば圧電ウエハＷ１３０に下地としてニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）又はニッケル・タングステン（ＮｉＷ）等の膜を形成し、下地の上に金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）等を成膜することにより形成される。
【００５１】
図４に戻って、ステップＳ１０２では、ベースウエハＷ１２０が用意される。ベースウエハＷ１２０には複数のベース板１２０が形成される。以下の説明では、ベースウエハＷ１２０及びベース板１２０の基材がガラスであるとして説明する。
【００５２】
図８は、ベースウエハＷ１２０の平面図である。ベースウエハＷ１２０には、ベース板１２０がＸ軸方向及びＺ’軸方向に並んで形成されている。また図８では、隣り合う各ベース板１２０の境界に、スクライブライン１７１が二点鎖線で示されている。Ｘ軸方向及びＺ’軸方向に伸びるスクライブライン１７１の交点には、ベースウエハＷ１２０をＹ’軸方向に貫通し、スクライブライン１７１のＸ軸方向及びＺ’軸方向に沿って伸びる貫通孔１５０が形成されている。貫通孔１５０は、後述されるステップＳ１０８でウエハが切断された後にキャスタレーション１２３となる。また、ベース接合面１２２の貫通孔１５０の周りには、接続電極１２８が形成されている。さらに、図３（ｄ）に示されるように、貫通孔１５０の側面には側面電極１２９が形成され、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面には外部電極１２５及びアース端子１２６が形成される。
【００５３】
図９、図１０、及び図１１は、図８に示されるベースウエハＷ１２０の作製方法が示されたフローチャートである。図９、図１０、及び図１１に示される各ステップの右横には図８に示されたベースウエハＷ１２０のＦ−Ｆ断面に相当する部分断面図が示されている。以下、図９、図１０、及び図１１を参照してベースウエハＷ１２０の作製方法を説明する。
【００５４】
図９のステップＳ３０１では、ベースウエハＷ１２０が用意される。図９（ａ）には、ステップＳ３０１で用意されるベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０１において用意されるベースウエハＷ１２０は、図９（ａ）に示されるように、＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面が平面状に形成されている。
【００５５】
ステップＳ３０２では、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の両面に金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成される。図９（ｂ）には金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。図９（ｂ）に示されるように、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面に金属膜１４１が形成され、金属膜１４１の表面にフォトレジスト１４２が形成される。
【００５６】
ステップＳ３０３では、フォトレジスト１４２が露光され現像される。図９（ｃ）には、フォトレジスト１４２が露光及び現像されたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０３でフォトレジスト１４２が露光され現像される箇所は、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面のベース凹み部１２１（図１参照）に対応した凹み領域１８０、−Ｙ’軸側の面の貫通孔１５０に対応した貫通領域１８１、及びベース接合面１２２に形成される溝部１２７に対応した溝領域１８２である。ベースウエハＷ１２０の基材がガラスである場合は、ベースウエハＷ１２０のウエットエッチングによってエッチングされる領域が広がるため、凹み領域１８０、貫通領域１８１、及び溝領域１８２はベース凹み部１２１、溝部１２７、及び貫通孔１５０の広さよりも狭く形成される。また、貫通領域１８１のＸ軸方向の幅をＷＡ１とすると、幅ＷＡ１は、貫通孔１５０の大きさが大きくなりすぎないように小さく形成されることが望ましい。
【００５７】
ステップＳ３０４では、金属膜１４１がエッチングされる。図９（ｄ）には、金属膜１４１がエッチングされたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０４では、ステップＳ３０３でフォトレジスト１４２が露光及び現像された凹み領域１８０、溝領域１８２、及び貫通領域１８１の金属膜１４１がエッチングにより取り除かれる。
【００５８】
図１０のステップＳ３０５では、ベースウエハＷ１２０がウエットエッチングされる。図１０（ａ）には、ウエットエッチングされたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０５では、凹み領域１８０、溝領域１８２、及び貫通領域１８１のベースウエハＷ１２０がエッチング液につけられることにより、凹み領域１８０、溝領域１８２、及び貫通領域１８１の深さが深さＨＡ１となるようにウエットエッチングされる。ガラスのウエットエッチングでは金属膜１４１の下のガラスもエッチングされるため、例えば、貫通領域１８１でエッチングされるガラスのＸ軸方向の幅ＷＡ２は、貫通領域１８１のＸ軸方向の幅ＷＡ１（図９（ｃ）参照）よりも広くなる。
【００５９】
ステップＳ３０６では、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面の金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が除去され、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面の全面に再び金属膜１４１が形成され、金属膜１４１の表面にフォトレジスト１４２が形成される。図１０（ｂ）には、＋Ｙ’軸側の面に金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。図１０（ｂ）では、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面の全面は金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が形成されており、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面には貫通領域１８１が形成されている領域のガラスが露出している。
【００６０】
ステップＳ３０７では、フォトレジスト１４２が露光され、現像される。図１０（ｃ）には、＋Ｙ’軸側の面のフォトレジスト１４２が露光され現像されたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０７で露光され現像されるフォトレジスト１４２の箇所は、＋Ｙ’軸側の面の貫通孔１５０に対応した貫通領域１８３である。凹み領域１８０、溝領域１８２、及び貫通領域１８１と同様に、ベースウエハＷ１２０はウエットエッチングによってエッチングされる領域が広がるため、貫通領域１８３は貫通孔１５０の＋Ｙ’軸側の面の広さよりも狭く形成される。また、貫通領域１８３のＸ軸方向の幅を幅ＷＡ３とする。
【００６１】
ステップＳ３０８では、金属膜１４１がエッチングされる。図１０（ｄ）には、金属膜１４１がエッチングされたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０８では、貫通領域１８３に形成されている金属膜１４１がエッチングされて除去される。
【００６２】
図１１のステップＳ３０９では、ベースウエハＷ１２０がウエットエッチングされる。図１１（ａ）には、ガラスがウエットエッチングされたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。ステップＳ３０９では、貫通領域１８１及び貫通領域１８３の露出したガラスがエッチング液につけられることによりウエットエッチングされ、貫通領域１８１の深さが深さＨＡ３に、貫通領域１８３の深さが深さＨＡ２になるように形成される。貫通領域１８１の深さＨＡ３の深さは、深さＨＡ１（図１０（ａ）参照）と深さＨＡ２との合計の値となる。また、ウエットエッチングの結果、貫通領域１８３でウエットエッチングされるガラスのＸ軸方向の幅は幅ＷＡ５となり、貫通領域１８１でウエットエッチングされるガラスのＸ軸方向の幅は幅ＷＡ４となる。幅ＷＡ５は幅ＷＡ３（図１０（ｃ）参照）よりも大きく、幅ＷＡ４は幅ＷＡ２（図１０（ａ）参照）よりも大きく、幅ＷＡ４は幅ＷＡ５よりも大きい。
【００６３】
ステップＳ３１０では、金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が除去される。図１１（ｂ）には、金属膜１４１及びフォトレジスト１４２が除去されたベースウエハＷ１２０の部分断面図が示されている。図１１（ｂ）におけるベースウエハＷ１２０には、ベース凹み部１２１及び溝部１２７が形成され、貫通孔１５０が形成される位置のガラスの厚さは厚さＨＡ４に形成されている。
【００６４】
ステップＳ３１１では、サンドブラストにより貫通孔１５０が形成される。図１１（ｃ）は、サンドブラストにより貫通孔１５０が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。ステップＳ３１１では、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面に研磨材を吹き付けるサンドブラストにより、貫通孔１５０が貫通され、突起面１２４ｃが形成される。
【００６５】
ステップＳ３１２では、電極が形成される。図１１（ｄ）は、電極が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。ステップＳ３１２では、ベースウエハＷ１２０に、接続電極１２８、側面電極１２９、外部電極１２５、及びアース端子１２６が、金属膜１４１をスパッタリングもしくは真空蒸着などを行うことにより形成される。
【００６６】
図４に戻って、ステップＳ１０３では、リッドウエハＷ１１０が用意される。リッドウエハＷ１１０には、複数のリッド板１１０が形成される。
【００６７】
図１２は、リッドウエハＷ１１０の平面図である。リッドウエハＷ１１０には、リッド板１１０がＸ軸方向及びＺ’軸方向に並んで形成されている。また図１２では、隣り合う各リッド板１１０の境界に、スクライブライン１７１が二点鎖線で示されている。各リッド板１１０の−Ｙ’軸側の面には、リッド接合面１１２と、リッド凹み部１１１と、溝部１１７とが形成されている。リッド板１１０では、リッド凹み部１１１と溝部１１７とが同じ深さに形成されている。そのため、溝部１１７はリッド凹み部１１１と同時に形成することができ、溝部１１７のみを形成する工程を設ける必要がない。
【００６８】
ステップＳ１０４では、ベースウエハＷ１１０に接合材１４０が塗布される。
図１３（ａ）は、接合材１４０が塗布されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。図１３（ａ）では、図２（ｂ）の断面図に相当する断面を含む断面図が示されている。ベースウエハＷ１２０のベース接合面１２２に接合材１４０が塗布される。ベース板１２０は、ベース凹み部１２１の＋Ｘ軸側のベース接合面１２２のＸ軸方向の長さと、ベース凹み部１２１の−Ｘ軸側のベース接合面１２２のＸ軸方向の長さとが共に長さＬＡ１に形成されている。また、ベース凹み部１２１の＋Ｘ軸側に塗布される接合材１４０のＸ軸方向の長さと、ベース凹み部１２１の−Ｘ軸側に塗布される接合材１４０のＸ軸方向の長さとが共に長さＬＡ２に形成されている。
【００６９】
ステップＳ１０５では、ベースウエハＷ１２０と圧電ウエハＷ１３０とが接合される。
図１３（ｂ）は、ベースウエハＷ１２０と圧電ウエハＷ１３０とが互いに接合されたウエハの部分断面図である。ベースウエハＷ１３０のベース接合面１２２に塗布された接合材１４０は、ベースウエハＷ１２０と圧電ウエハＷ１３０とが互いに押し合わされることにより、接合材１４０がＸ−Ｚ’平面内に広がる。その結果、接合材１４０は、ベース凹み部１２１に接合材１４０のはみ出し１４１が生じる場合がある。このようなはみ出し１４１が連結部１３３付近で起こり、連結部１３３に接合材１４０が付着すると、圧電デバイス１００の耐衝撃性などが低下してしまう。圧電デバイス１００では、連結部１３３の近傍に溝部１２７及び溝部１３７ｂが形成されているため、接合材１４０がこれらの溝部に入ることで、接合材１４０が連結部１３３に付着することが防がれている。
【００７０】
ステップＳ１０６は、圧電ウエハＷ１３０に接合材１４０が塗布される。
図１３（ｃ）は、接合材１４０が塗布された圧電ウエハＷ１３０の部分断面図である。圧電ウエハＷ１３０の枠部１３２の＋Ｙ’軸側の面に、接合材１４０が塗布される。枠部１３２の＋Ｘ軸側に塗布される接合材１４０のＸ軸方向の長さと、枠部１３２の−Ｘ軸側に塗布される接合材１４０のＸ軸方向の長さとが共に長さＬＡ３に形成されている。長さＬＡ３は長さＬＡ２と同じ長さであってもよい。
【００７１】
ステップＳ１０７は、圧電ウエハＷ１３０とリッドウエハＷ１１０とが接合される。
図１３（ｄ）は、圧電ウエハＷ１３０とリッドウエハＷ１１０とが接合されたウエハの部分断面図である。接合は、圧電ウエハＷ１３０にリッドウエハＷ１１０が押し合わされることにより行われる。圧電ウエハＷ１３０とリッドウエハＷ１１０とが押し合わされることにより、接合材１４０がＸ−Ｚ’平面内に広がる。圧電デバイス１００では、リッドウエハＷ１１０に溝部１１７が形成され圧電素子１３０の枠部１３２の＋Ｙ’軸側の面に溝部１３７ａが形成されていることにより、接合材１４０がＸ―Ｚ’平面内に広がる際にこれらの溝部に接合材１４０が入るため、溝部の近傍ではリッド凹み部１１１に接合材１４０がはみ出すことが防がれている。したがって、溝部の近傍に形成されている連結部１３３に接合材１４０が付着することが防がれる。
【００７２】
ステップＳ１０８は、ウエハがダイシングにより切断される。ステップＳ１０８では、リッドウエハＷ１１０、圧電ウエハＷ１３０、及びベースウエハＷ１２０が互いに接合されたウエハを、スクライブライン１７１に沿って切断することにより、個々の圧電デバイス１００が形成される。
【００７３】
圧電デバイスでは、連結部に接合材が塗布されて接合材が硬化した場合、連結部がたわまなくなるため衝撃に対して弱くなり、圧電デバイスの耐衝撃性が低下する。また、連結部に接合材が付着しないように接合材の塗布量を大きく減らした場合、圧電デバイスの密封が解け易くなる場合がある。圧電デバイス１００では、連結部１３３の近傍に溝部が形成されることにより、接合材１４０の塗布量を大きく減らすことなく、連結部１３３に接合材１４０が付着することが防がれている。また、圧電デバイス１００に形成される溝部は、圧電デバイス１００の製造方法で示されたように溝部を形成するためだけの特別な工程を行う必要がないため、溝部を有さない圧電デバイスの製造方法と同様の手順により製造することができるため好ましい。
【００７４】
また、圧電デバイス１００では溝部が連結部１３３の近傍のみに形成されている。このように、圧電デバイス１００では圧電デバイス１００の外壁の厚さが薄くなる箇所が限定されているため、圧電デバイス１００の外壁の強度の低下が防がれている。
【００７５】
さらに圧電素子は、メサ領域の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の表面と周辺領域の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の表面との平行度が悪い場合には圧電素子のクリスタルインピーダンス（ＣＩ）値が悪くなる。圧電素子１３０ではメサ領域１３１ａを形成する際にバッファードフッ酸を使用して表面粗さが荒くならないように励振部１３１が形成されており、表面粗さが荒くならないように形成されることでメサ領域と周辺領域との表面の平行度が高い状態に保たれている。そのため、圧電素子１３０では、メサ領域と周辺領域との平行度の悪さに起因するＣＩ値の悪化が防がれている。圧電素子１３０では、表面粗さＲａが１００Å以下であるときに、良好なＣＩ値をとる。
【００７６】
（第２実施形態）
圧電デバイス１００には、さまざまな変形例が考えられる。以下、圧電デバイス００の変形例をいくつか説明する。また、以下の説明においては、第１実施形態で説明された圧電デバイス１００と同じ部分に関しては同じ記号を付してその説明を省略する。
【００７７】
＜圧電デバイス２００の構成＞
図１４は、圧電デバイス２００の分解斜視図である。圧電デバイス２００は、リッド板１１０と、ベース板２２０と、圧電素子２３０と、により形成されている。
【００７８】
圧電素子２３０は、所定の振動数で振動する励振部２３１と、励振部２３１の周りを取り囲むように形成される枠部２３２と、励振部２３１と枠部２３２とを連結する２本の連結部２３３と、を有している。２本の連結部２３３は、励振部２３１の−Ｘ軸側の辺に連結されており、さらに励振部２３１からＸ軸方向に平行に伸びて枠部２３２に連結されている。また、励振部２３１と枠部２３２との間の連結部２３３以外の領域には、圧電素子２３０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝２３６が形成されている。さらに、励振部２３１の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面にはそれぞれ励振電極２３４が形成されている。各励振電極２３４から枠部２３２へは、それぞれ引出電極２３５が引き出されている。
【００７９】
ベース板２２０は、Ｘ軸方向に長辺が伸び、Ｚ’軸方向に短辺が伸びた矩形形状に形成されている。ベース板２２０の−Ｙ’軸側の面は、プリント基板等にハンダを介して電気的に接続されるための電極である外部電極２２５が形成される実装面である。また、ベース板２２０の＋Ｙ’軸側の面であるベース接合面２２２には接合材１４０が塗布され、圧電素子２３０の枠部２３２の−Ｙ’軸側の面に接合される。さらに、ベース板２２０にはベース接合面２２２から−Ｙ’軸方向に凹んで形成されるベース凹み部２２１が形成されており、ベース板２２０の四隅の角部の側面には、ベース板２２０の内側にくぼんだキャスタレーション２２３が形成されている。ベース接合面２２２のキャスタレーション２２３に接する領域には、圧電素子２３０の引出電極２３５に電気的に接続される接続電極２２８が形成されている。また、キャスタレーション２２３には、側面電極２２９が形成され、側面電極２２９は外部電極２２５及び接続電極２２８に電気的に接続されている。さらに、ベース凹み部２２１の−Ｘ軸側のベース接合面２２２における圧電素子２３０の２本の連結部２３３のそれぞれの近傍には、ベース接合面２２２から凹んだ溝部２２７が形成されている。
【００８０】
図１５（ａ）は、圧電素子２３０の平面図である。圧電素子２３０は、励振部２３４と、励振部を囲む枠部２３２と、励振部２３４と枠部２３２とを連結する２本の連結部２３３と、により構成されている。各連結部２３３は、Ｚ’軸方向の幅が幅ＷＲに形成されている。励振部２３４のＹ’軸側の面に形成されている励振電極２３４からは、−Ｚ’軸側の連結部２３３の＋Ｙ’軸側の面、−Ｚ’軸側の側面２３３ａ、及び−Ｙ’軸側の面を介して枠部２３２に伸び、枠部２３２の−Ｚ’軸側の−Ｘ軸側の角部にまで引出電極２３５が引き出されている。また、−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極２３４からは、＋Ｚ’軸側の連結部２３３を介して枠部２３２の＋Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側の角部にまで引出電極２３５が引き出されている。
【００８１】
図１５（ｂ）は、ベース板２２０の平面図である。ベース板２２０の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側にはそれぞれ外部電極２２５が形成されており、ベース接合面２２２のキャスタレーション２２３の周囲には、接続電極２２８が形成されている。ベース凹み部２２１の−Ｘ軸側には、２つの溝部２２７が形成されている。各溝部２２７は、連結部２３３の−Ｘ軸側に形成され、溝部２２７のＺ’軸方向の長さＷＭｃは、連結部２３３のＺ’軸方向の幅ＷＲと同じ長さ、またはそれよりも長く形成されている。
【００８２】
図１５（ｃ）は、図１４のＤ−Ｄ断面図である。圧電素子２３０は、励振部２３１、連結部２３３、及び枠部２３２のＹ’軸方向の厚さが等しく形成されている。ベース板２２０は、キャスタレーション２２３の側面に形成されている側面電極２２９が、ベース接合面２２２に形成されている接続電極２２８及び実装面に形成されている外部電極２２５に電気的に接続されている。また、接続電極２２８は引出電極２３５と電気的に接続されていることから、外部電極２２５と励振電極２３４とが電気的に接続されている。ベース接合面２２２に形成されている溝部２２７の深さは、ベース板２２０のベース凹み部２２１の深さに等しい。そのため、溝部２２７はベース凹み部２２１を形成する工程において、ベース凹み部２２１と同時に形成することができる。また、圧電デバイス２００は、連結部２３３の−Ｘ軸側に溝部１１７及び溝部２２７が形成されていることにより、連結部２２３に接合材１４０が付着することが防がれている。
【００８３】
＜圧電デバイス３００の構成＞
図１６（ａ）は、圧電デバイス３００の断面図である。図１６（ａ）では、図１４のＤ−Ｄ断面に対応する圧電デバイス３００の断面図が示されている。圧電デバイス３００は、リッド板３１０と、ベース板２３０と、圧電素子２３０と、により形成されている。リッド板３１０は、−Ｙ’軸側の面に、リッド接合面３１２と、リッド接合面３１２から＋Ｙ’軸方向に凹んだリッド凹み部３１１及び溝部３１７と、が形成されている。リッド板３１０はリッド接合面３１２において、圧電素子２３０の枠部２３２の＋Ｙ’軸側の面に接合材１４０を介して接合される。ベース板３２０は、＋Ｙ’軸側の面に、ベース接合面３２２と、ベース接合面３２２から−Ｙ’軸方向に凹んだベース凹み部３２１及び溝部３２７と、が形成されている。ベース板３２０はベース接合面３２２において、圧電素子２３０の枠部２３２の−Ｙ’軸側の面に接合材１４０を介して接合される。リッド板３１０に形成されている溝部３１７は連結部２３３の−Ｘ軸側に形成されており、リッド凹み部３１１と同じ深さに形成されている。ベース板３２０に形成されている溝部３２７は連結部２３３の−Ｘ軸側に形成されており、ベース凹み部３２１と同じ深さに形成されている。溝部３１７はリッド凹み部３１１と、溝部３２７はベース凹み部３２１と同時に形成することができ、また溝部３１７及び溝部３２７はそれぞれリッド凹み部３１１及びベース凹み部３２１に繋がって形成されている。圧電デバイス３００では、溝部３２７及び溝部３１７が形成されていることにより、接合材１４０が連結部２３３に付着することが防がれている。
【００８４】
図１６（ｂ）は、リッド板３１０の平面図である。リッド板３１０では、溝部３１７とリッド凹み部３１１とが互いに繋がって形成されている。また、溝部３１７とリッド凹み部３１１とのＺ’軸方向の幅が等しく形成されている。
【００８５】
図１６（ｃ）は、ベース板３２０の平面図である。ベース板３２０では、溝部３２７とベース凹み部３２１とが互いに繋がって形成されている。また、溝部３２７とリッド凹み部３２１とのＺ’軸方向の幅が等しく形成されている。
【００８６】
＜圧電デバイス４００の構成＞
図１７（ａ）は、圧電デバイス４００の断面図である。図１７（ａ）では、図１４のＤ−Ｄ断面に対応する圧電デバイス４００の断面図が示されている。圧電デバイス４００は、リッド板４１０と、ベース板３２０と、圧電素子４３０と、により構成されている。リッド板４１０は、＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面が共に平面に形成された平板状の形状を有している。圧電素子４３０は、励振部４３１と、枠部４３２と、連結部４３３と、により形成されている。励振部４３１の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面には励振電極４３４が形成されている。各励振電極４３４からは、連結部４３３を介して枠部４３２に引出電極４３５が引き出されている。また、引出電極４３５はベース板３２０の接続電極２２８に電気的に接続される。圧電素子４３０は、励振部４３１と連結部４３３とが同じ厚さに形成されており、枠部４３２は励振部４３１及び連結部４３３よりも厚く形成されている。枠部４３２の＋Ｙ’軸側の面には溝部４３７ａが形成されている。溝部４３７ａは、枠部４３２の連結部４３３に接した領域に形成されている。溝部４３７ａが形成されている領域の枠部４３２と、連結部４３３と、励振部４３１との厚さは等しく形成されているため、溝部４３７ａは連結部４３３及び励振部４３１と同時に形成することができる。圧電デバイス４００では、圧電素子４３０に形成された溝部４３７ａと、ベース板２２０に形成された溝部３２７とにより、接合材１４０が連結部４３３に接触することが防がれている。
【００８７】
図１７（ｂ）は、圧電素子４３０の平面図である。圧電素子４３０は、励振部４３１と枠部４３２とが２本の連結部４３３により連結されている。また、励振部４３１と枠部４３２との間の連結部４３３以外の領域には、圧電素子４３０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝４３６が形成されている。枠部４３２の＋Ｙ’軸側の面の連結部４３３に接する領域に形成されている溝部４３７ａは、貫通溝４３６のＺ’軸方向の幅と同じ幅に形成されており、連結部４３３の−Ｘ軸側に形成されている。
【００８８】
＜圧電デバイス５００の構成＞
図１７（ｃ）は、圧電デバイス５００の断面図である。図１７（ｃ）では、図１４のＤ−Ｄ断面に対応する圧電デバイス５００の断面図が示されている。圧電デバイス５００は、リッド板４１０と、ベース板２２０（図１５（ｃ）参照）と、圧電素子４３０と、により構成されている。圧電デバイス５００では、圧電素子４３０に形成された溝部４３７ａと、ベース板２２０に形成された溝部２２７とにより、接合材１４０が連結部４３３に接触することが防がれている。
【００８９】
＜圧電デバイス６００の構成＞
図１８（ａ）は、圧電デバイス６００の断面図である。図１８（ａ）では、図１４のＤ−Ｄ断面に対応する圧電デバイス６００の断面図が示されている。圧電デバイス６００は、リッド板４１０と、ベース板６２０と、圧電素子６３０と、により構成されている。ベース板６２０の＋Ｙ’軸側の面には、ベース接合面２２２と、ベース接合面２２２から−Ｙ’軸方向に凹んだベース凹み部２２１と、が形成されている。ベース板６２０には溝部が形成されていない。圧電素子６３０は、励振部１３１（図３（ａ）参照）と、枠部６３２と、連結部１３３と、により構成されている。枠部６３２の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面の連結部１３３に接するよう領域には、それぞれ溝部６３７ａ及び溝部６３７ｂが形成されている。圧電デバイス６００は、圧電素子６３０に溝部６３７ａ及び溝部６３７ｂが形成されていることにより、接合材１４０が連結部１３３に接触することが防がれている。また、圧電素子６３０の溝部６３７ａ及び溝部６３７ｂが形成される部分の枠部６３２の厚さは連結部１３３及び周辺領域１３１ｂと同じ厚さに形成されているため、溝部６３７ａ及び溝部６３７ｂは連結部１３３及び周辺領域１３１ｂと同時に形成することができる。
【００９０】
図１８（ｂ）は、圧電素子６３０の平面図である。圧電素子６３０は、励振部１３１と枠部６３２とが２本の連結部１３３により連結されている。また、励振部１３１と枠部６３２との間の連結部１３３以外の領域には、圧電素子６３０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝１３６が形成されている。枠部６３２の＋Ｙ’軸側の面の連結部１３３に接する領域に形成されている溝部６３７ａ及び−Ｙ’軸側の面の連結部１３３に接する領域に形成されている溝部６３７ｂは、貫通溝１３６のＺ’軸方向の幅と同じ幅に形成されている。また、溝部６３７ａ及び溝部６３７ｂは、互いにＹ’軸方向に重なって形成されている。圧電素子６３０では、枠部６３２の−Ｙ’軸側に形成される引出電極６３５の一部が、溝部６３７ｂを介して枠部６３２の角部にまで引き出されている。
【００９１】
＜圧電デバイス７００の構成＞
図１８（ｃ）は、圧電デバイス７００の断面図である。圧電デバイス７００は、圧電素子７３０と、リッド板４１０と、ベース板６２０と、により構成されている。圧電素子７３０は、励振部１３１と、枠部７３２と、連結部１３３と、により構成されている。枠部７３２の＋Ｙ’軸側の面には溝部６３７ａが形成されており、−Ｙ’軸側の面には溝部７３７ｂが形成されている。溝部７３７ｂは溝部６３７ａとはＹ’軸方向に重なっておらず、溝部６３７ａよりも−Ｘ軸側に形成されている。また、溝部７３７ｂは、溝部６３７ｂと同様に、貫通溝１３６のＺ’軸方向の幅と同じ幅に形成されている。圧電デバイス７００は、リッド板４１０と圧電素子７３０との間に塗布される接合材１４０が溝部６３７ａに入り込み、ベース板４１０と圧電素子７３０との間に塗布される接合材１４０が溝部７３７ｂに入り込むことにより、接合材１４０が連結部１３３に接触することが防がれている。また、溝部６３７ａのＹ’軸に垂直な面と連結部１３３及び周辺領域１３１ｂの＋Ｙ’軸側の面とが同一平面上に形成され、溝部７３７ｂのＹ’軸に垂直な面と連結部１３３及び周辺領域１３１ｂの−Ｙ’軸側の面とが同一平面上に形成されているため、溝部６３７ａ及び溝部７３７ｂは連結部１３３及び周辺領域１３１ｂと同時に形成することができる。
【００９２】
＜圧電デバイス８００の構成＞
図１９は、圧電デバイス８００の分解斜視図である。圧電デバイス８００は、リッド板４１０と、ベース板８２０と、圧電素子８３０と、により形成されている。
【００９３】
圧電素子８３０は、所定の振動数で振動する励振部８３１と、励振部８３１の周りを取り囲むように形成される枠部８３２と、励振部８３１と枠部８３２とを連結する１本の連結部８３３と、を有している。１本の連結部８３３は、励振部８３１の−Ｘ軸側の辺に連結されており、さらにＸ軸方向に平行に伸びて枠部８３２に連結されている。また、励振部８３１と枠部８３２との間の連結部８３３以外の領域には、圧電素子８３０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝８３６が形成されている。さらに、励振部８３１の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面にはそれぞれ励振電極８３４が形成されている。励振電極８３４からは、引出電極８３５が枠部８３２の角部にまで引き出されている。
【００９４】
ベース板８２０は、Ｘ軸方向に長辺が伸び、Ｚ’軸方向に短辺が伸びた矩形形状に形成されている。ベース板８２０の−Ｙ’軸側の面は、プリント基板等にハンダを介して電気的に接続されるための電極である外部電極１２５が形成される実装面である。また、ベース板８２０の＋Ｙ’軸側の面であるベース接合面８２２には接合材１４０が塗布され、圧電素子８３０の枠部８３２の−Ｙ’軸側の面に接合される。さらに、ベース板８２０にはベース接合面８２２から−Ｙ’軸方向に凹んで形成されるベース凹み部２２１が形成されており、ベース板８２０の四隅の角部の側面には、ベース板８２０の内側にくぼんだキャスタレーション２２３が形成されている。ベース接合面８２２のキャスタレーション２２３に接する領域には、圧電素子８３０の引出電極８３５に電気的に接続される接続電極２２８が形成されている。また、キャスタレーション２２３には、側面電極２２９が形成され、側面電極２２９は外部電極２２５及び接続電極２２８に電気的に接続されている。さらに、ベース凹み部２２１の−Ｘ軸側のベース接合面８２２の圧電素子８３０の１本の連結部８３３の近傍には、ベース接合面８２２から凹んだ溝部８２７が形成されている。
【００９５】
図２０は、図１９のＥ−Ｅ断面図である。圧電素子８３０は、励振部８３１、連結部８３３、及び枠部８３２の溝部８３７ａが形成されている領域のＹ’軸方向の厚さが等しく形成されている。そのため、励振部８３１、連結部８３３、及び枠部８３２の溝部８３７ａが形成されている領域は同時に形成することができる。ベース板８２０は、キャスタレーション２２３の側面に形成されている側面電極２２９が、ベース接合面８２２に形成されている接続電極２２８及び実装面に形成されている外部電極１２５に電気的に接続されている。また、接続電極２２８は引出電極８３５と電気的に接続されていることから、外部電極１２５と励振電極８３５とが電気的に接続されている。また、ベース接合面８２２に形成されている溝部８２７の深さは、ベース板８２０のベース凹み部２２１の深さに等しい。そのため、溝部８２７はベース凹み部２２１を形成する工程において、ベース凹み部２２１と同時に形成することができる。圧電デバイス８００は、リッド板４１０と圧電素子８３０との間に塗布される接合材１４０が溝部８３７ａに入り込み、ベース板４１０と圧電素子８３０との間に塗布される接合材１４０が溝部８３７ｂに入り込むことにより、接合材１４０が連結部８３３に接触することが防がれている。
【００９６】
図２１（ａ）は、圧電素子８３０の平面図である。圧電素子８３０は、励振部８３１の−Ｘ軸側の辺の中央部に１本の連結部８３３が連結されている。また、連結部８３３は励振部８３１から−Ｘ軸方向に伸びて枠部８３２に連結されている。また、連結部８３３が連結される枠部８３２の＋Ｙ’軸側の面の周囲には、溝部８２７ａが形成されている。溝部８２７ａのＺ’軸方向の長さは、連結部８３３のＺ’軸方向の幅よりも長く形成されている。励振部８３１の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面には励振電極８３４が形成されており、各励振電極８３４からは引出電極８３５が引き出されている。＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極８３４から引き出される引出電極８３５は、連結部８３３の＋Ｙ’軸側の面、＋Ｚ’軸側の側面８３３ａ、及び−Ｙ’軸側の面を通り、枠部８３２の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側の角部にまで引き出されている。また、−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極８３４から引き出されている引出電極８３５は、連結部８３３の−Ｙ’軸側の面を介して枠部８３２に引き出され、さらに枠部８３２を−Ｚ’軸方向及び＋Ｘ軸方向に伸びて＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角部にまで形成されている。
【００９７】
図２１（ｂ）は、ベース板８２０の平面図である。ベース板８２０の四隅の側面には、キャスタレーション２２３が形成されており、キャスタレーション２２３には側面電極２２９（図２０参照）が形成されている。また、ベース板８２０の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側にはそれぞれ外部電極２２５が形成されており、ベース接合面８２２のキャスタレーション２２３の周囲には、接続電極２２８が形成されている。ベース凹み部２２１の−Ｘ軸側の中央のベース接合面８２２には、ベース凹み部２２１に隣接する溝部８２７が形成されている。溝部８２７のＺ’軸方向の長さは連結部８３３のＺ’軸方向の幅よりも長く形成されている。枠部８２７は、圧電素子８３０に形成される溝部８２７ａの−Ｙ’軸側に重なるように形成されており、連結部８３３に接合材１４０が接触することを防いでいる。
【００９８】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
【００９９】
例えば、励振部、枠部、及び連結部の厚さが等しい圧電素子２３０（図１４参照）に溝部が形成されてもよい。すなわち、圧電素子、リッド板、及びベース板の製造工程では、溝部を形成するための工程が追加されることにより溝部が形成されても良い。
【０１００】
さらに、上記の実施形態では圧電素子にＡＴカットの水晶素子である場合を示したが、同じように厚みすべりモードで振動するＢＴカット、又は音叉型水晶素子などであっても同様に適用できる。さらに圧電素子は水晶材のみならず、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムあるいは圧電セラミックを含む圧電材に基本的に適用できる。
【符号の説明】
【０１０１】
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００ … 圧電デバイス
１１０、３１０、４１０ … リッド板
１１１、３１１ … リッド凹み部
１１２、３１２ … リッド接合面
１１７、３１７ … 溝部
１２０、２２０、３２０、６２０、８２０ … ベース板
１２１、２２１、３２１ … ベース凹み部
１２２、２２２、３２２ … ベース接合面
１２３、２２３ … キャスタレーション
１２４ａ … 第１面
１２４ｂ … 第２面
１２４ｃ … 突起面
１２５、２２５ … 外部電極
１２６ … アース端子
１２７、２２７、８２７ … 溝部
１２８、２２８ … 接続電極
１２９、２２９ … 側面電極
１３０、２３０、４３０、６３０、７３０、８３０ … 圧電素子
１３１、２３１、４３１、８３１ … 励振部
１３１ａ … メサ領域
１３１ｂ … 周辺領域
１３２、２３２、４３２、６３２、７３２、８３２ … 枠部
１３３、２３３、４３３、８３３ … 連結部
１３４、２３４、４３４、８３４ … 励振電極
１３５、２３５、４３５、６３５、８３５ … 引出電極
１３６、２３６ … 貫通溝
１３７ａ、１３７ｂ、４３７ａ、６３７ａ、６３７ｂ、７３７ｂ … 溝部
１４０ … 接合材
１４１ … 金属膜
１４２ … フォトレジスト
１５０ … 貫通孔
１６１、１６２、１６３ … マスク
１７１ … スクライブライン
１８０ … 凹み領域
１８１、１８３ … 貫通領域
１８２ … 溝領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励振電極を有する矩形状の励振部と前記励振部の周囲を囲む枠部と前記励振部の矩形の一辺と前記枠部とを連結する所定幅の連結部とを有する圧電材により形成される矩形形状の圧電素子と、
前記励振電極と電気的につながる一対の外部電極が形成される実装面と、前記枠部の一主面に接合されるベース接合面と、を有するベース板と、
前記枠部の他主面に接合されるリッド板と、
前記ベース板と前記枠部との間及び前記リッド板と前記枠部との間にペースト状態で塗布され、その後固化して前記ベース板と前記枠部と前記リッド板とを接合する接合材と、
を備え、
前記連結部の近傍で、且つ前記枠部、前記ベース板又は前記リッド板の少なくとも１カ所に前記連結部の所定幅と同等以上の長さの溝部が形成されている圧電デバイス。
【請求項２】
前記連結部は１本または２本で前記励振部の一辺と前記枠部とを連結する請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記連結部の近傍の接合材は前記溝部に入り込み、前記溝部を越えて前記連結部にまで形成されていない請求項１又は請求項２に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記ベース板は、前記実装面から前記ベース接合面に至る側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションが形成されたガラス又は圧電材からなり、
前記一対のキャスタレーションは前記実装面から前記ベース接合面側へ外側に伸びた第１面と、前記ベース接合面から前記実装面に外側に伸び前記第１面よりも面積が狭い第２面と、を有している請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項５】
前記ベース板に形成される前記溝部の深さは、前記第１面が形成される前記キャスタレーションの深さ、又は前記第２面が形成される前記キャスタレーションの深さに等しい請求項４に記載の圧電デバイス。
【請求項６】
前記一対のキャスタレーションは、前記第１面と前記第２面との間に前記第１面及び前記第２面よりも前記ベース板の外側に突き出た突起面を有する請求項４又は請求項５に記載の圧電デバイス。
【請求項７】
前記ベース板は、前記ベース接合面から凹んだベース凹み部を有し、前記ベース凹み部と前記溝部とが一体化されている請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項８】
前記リッド板は、前記溝部及び前記枠部の他主面に接合するリッド接合面から凹んだリッド凹み部を有し、前記リッド板に形成される前記溝部の深さと前記リッド凹み部の深さとが等しい請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項９】
前記リッド板は、前記リッド凹み部と前記リッド板に形成される前記溝部とが一体化されている請求項８に記載の圧電デバイス。
【請求項１０】
前記励振部は、メサ領域と前記メサ領域の周囲に形成され前記メサ領域よりも薄い周辺領域とを有し、
前記メサ領域には前記励振電極が形成され、前記連結部及び前記枠部には前記励振電極から引き出された引出電極が形成されている請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項１１】
前記枠部に形成される前記溝部の深さは、前記メサ領域と前記周辺領域との段差の高さに等しい請求項１０に記載の圧電デバイス。
【請求項１２】
前記メサ領域の表面粗さが１００Å以下である請求項１０又は請求項１１に記載の圧電デバイス。
【請求項１３】
励振電極を有する矩形状の励振部と前記励振部の周囲を囲む枠部と前記励振部の矩形の一辺と前記枠部とを連結する所定幅の連結部とを有する圧電材により形成される矩形形状の複数の圧電素子が形成された圧電ウエハを用意する工程と、
前記励振電極と電気的につながる一対の外部電極が形成される実装面と、前記枠部の一主面に接合されるベース接合面と、を有する複数のベース板が形成されたベースウエハを用意する工程と、
前記枠部の他主面に接合される複数のリッド板が形成されたリッドウエハを用意する工程と、
前記ベースウエハと前記圧電ウエハとの間、及び前記リッドウエハと前記圧電ウエハとの間に、前記ベースウエハと前記圧電ウエハと前記リッドウエハとを接合するための接合材をペースト状態で塗布し、前記ベースウエハと前記圧電ウエハと前記リッドウエハとを接合する接合工程と、を有し、
前記連結部の近傍で、且つ前記枠部、前記ベース板又は前記リッド板の少なくとも１カ所に前記連結部の所定幅と同等以上の長さの溝部が形成されている圧電デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記リッドウエハを用意する工程では、前記リッド板に前記枠部の他主面に接合するリッド接合面から凹んだリッド凹み部が形成され、前記リッド板に形成される前記溝部の深さが前記リッド凹み部の深さに等しい請求項１３の圧電デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記圧電ウエハを用意する工程では、前記励振部にメサ領域と前記メサ領域の周囲に形成され前記メサ領域よりも薄い周辺領域とが形成され、前記枠部に形成される前記溝部の深さは、前記メサ領域と前記周辺領域との段差の高さに等しい請求項１３に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項１６】
前記ベースウエハを用意する工程では、前記ベース板に前記実装面から前記ベース接合面に至る側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションが形成され、
前記一対のキャスタレーションに前記実装面から前記ベース接合面側へ外側に伸びた第１面と、前記ベース接合面から前記実装面に外側に伸び前記第１面よりも面積が狭い第２面とが形成され、
前記ベース板に形成される前記溝部の深さが、前記第１面が形成される前記キャスタレーションの深さ、又は前記第２面が形成される前記キャスタレーションの深さに等しく形成される請求項１３に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項１】
励振電極を有する矩形状の励振部と前記励振部の周囲を囲む枠部と前記励振部の矩形の一辺と前記枠部とを連結する所定幅の連結部とを有する圧電材により形成される矩形形状の圧電素子と、
前記励振電極と電気的につながる一対の外部電極が形成される実装面と、前記枠部の一主面に接合されるベース接合面と、を有するベース板と、
前記枠部の他主面に接合されるリッド板と、
前記ベース板と前記枠部との間及び前記リッド板と前記枠部との間にペースト状態で塗布され、その後固化して前記ベース板と前記枠部と前記リッド板とを接合する接合材と、
を備え、
前記連結部の近傍で、且つ前記枠部、前記ベース板又は前記リッド板の少なくとも１カ所に前記連結部の所定幅と同等以上の長さの溝部が形成されている圧電デバイス。
【請求項２】
前記連結部は１本または２本で前記励振部の一辺と前記枠部とを連結する請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記連結部の近傍の接合材は前記溝部に入り込み、前記溝部を越えて前記連結部にまで形成されていない請求項１又は請求項２に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記ベース板は、前記実装面から前記ベース接合面に至る側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションが形成されたガラス又は圧電材からなり、
前記一対のキャスタレーションは前記実装面から前記ベース接合面側へ外側に伸びた第１面と、前記ベース接合面から前記実装面に外側に伸び前記第１面よりも面積が狭い第２面と、を有している請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項５】
前記ベース板に形成される前記溝部の深さは、前記第１面が形成される前記キャスタレーションの深さ、又は前記第２面が形成される前記キャスタレーションの深さに等しい請求項４に記載の圧電デバイス。
【請求項６】
前記一対のキャスタレーションは、前記第１面と前記第２面との間に前記第１面及び前記第２面よりも前記ベース板の外側に突き出た突起面を有する請求項４又は請求項５に記載の圧電デバイス。
【請求項７】
前記ベース板は、前記ベース接合面から凹んだベース凹み部を有し、前記ベース凹み部と前記溝部とが一体化されている請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項８】
前記リッド板は、前記溝部及び前記枠部の他主面に接合するリッド接合面から凹んだリッド凹み部を有し、前記リッド板に形成される前記溝部の深さと前記リッド凹み部の深さとが等しい請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項９】
前記リッド板は、前記リッド凹み部と前記リッド板に形成される前記溝部とが一体化されている請求項８に記載の圧電デバイス。
【請求項１０】
前記励振部は、メサ領域と前記メサ領域の周囲に形成され前記メサ領域よりも薄い周辺領域とを有し、
前記メサ領域には前記励振電極が形成され、前記連結部及び前記枠部には前記励振電極から引き出された引出電極が形成されている請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項１１】
前記枠部に形成される前記溝部の深さは、前記メサ領域と前記周辺領域との段差の高さに等しい請求項１０に記載の圧電デバイス。
【請求項１２】
前記メサ領域の表面粗さが１００Å以下である請求項１０又は請求項１１に記載の圧電デバイス。
【請求項１３】
励振電極を有する矩形状の励振部と前記励振部の周囲を囲む枠部と前記励振部の矩形の一辺と前記枠部とを連結する所定幅の連結部とを有する圧電材により形成される矩形形状の複数の圧電素子が形成された圧電ウエハを用意する工程と、
前記励振電極と電気的につながる一対の外部電極が形成される実装面と、前記枠部の一主面に接合されるベース接合面と、を有する複数のベース板が形成されたベースウエハを用意する工程と、
前記枠部の他主面に接合される複数のリッド板が形成されたリッドウエハを用意する工程と、
前記ベースウエハと前記圧電ウエハとの間、及び前記リッドウエハと前記圧電ウエハとの間に、前記ベースウエハと前記圧電ウエハと前記リッドウエハとを接合するための接合材をペースト状態で塗布し、前記ベースウエハと前記圧電ウエハと前記リッドウエハとを接合する接合工程と、を有し、
前記連結部の近傍で、且つ前記枠部、前記ベース板又は前記リッド板の少なくとも１カ所に前記連結部の所定幅と同等以上の長さの溝部が形成されている圧電デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記リッドウエハを用意する工程では、前記リッド板に前記枠部の他主面に接合するリッド接合面から凹んだリッド凹み部が形成され、前記リッド板に形成される前記溝部の深さが前記リッド凹み部の深さに等しい請求項１３の圧電デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記圧電ウエハを用意する工程では、前記励振部にメサ領域と前記メサ領域の周囲に形成され前記メサ領域よりも薄い周辺領域とが形成され、前記枠部に形成される前記溝部の深さは、前記メサ領域と前記周辺領域との段差の高さに等しい請求項１３に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項１６】
前記ベースウエハを用意する工程では、前記ベース板に前記実装面から前記ベース接合面に至る側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションが形成され、
前記一対のキャスタレーションに前記実装面から前記ベース接合面側へ外側に伸びた第１面と、前記ベース接合面から前記実装面に外側に伸び前記第１面よりも面積が狭い第２面とが形成され、
前記ベース板に形成される前記溝部の深さが、前記第１面が形成される前記キャスタレーションの深さ、又は前記第２面が形成される前記キャスタレーションの深さに等しく形成される請求項１３に記載の圧電デバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２０１３−６２５７９（Ｐ２０１３−６２５７９Ａ）
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９８０９５（Ｐ２０１１−１９８０９５）
【出願日】平成２３年９月１２日（２０１１．９．１２）
【出願人】（０００２３２４８３）日本電波工業株式会社 (1,148)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月４日（２０１３．４．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１２日（２０１１．９．１２）
【出願人】（０００２３２４８３）日本電波工業株式会社 (1,148)
【Ｆターム（参考）】
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