型、インプリント方法及び物品製造方法
【課題】ショット領域と型との位置合わせとインプリント処理後のエッチング処理との双方を円滑に行う技術を提供する。
【解決手段】インプリント装置用の型３は、基板側の表面に、パターンを有する中央領域１１と一対の第１周辺領域１５とを含む。前記中央領域は、ｘ軸に平行な一対の辺とｙ軸に平行な一対の辺とを含む境界を有する。前記一対の第１周辺領域は、前記中央領域の前記ｙ軸に平行な一対の辺を含み、前記中央領域の外側に配置される。第１周辺領域は、型側マーク７が形成され、インプリント処理のときに型と基板上に形成された基板側マーク６との間に樹脂が充填されない第１領域１５ａと、型側マークが形成されず、インプリント処理のときに型と基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填される第２領域１５ｂとからなる。第２領域は、中央領域の中心を通り前記ｙ軸に平行な直線に対して第１領域と線対称な領域を含む。
【解決手段】インプリント装置用の型３は、基板側の表面に、パターンを有する中央領域１１と一対の第１周辺領域１５とを含む。前記中央領域は、ｘ軸に平行な一対の辺とｙ軸に平行な一対の辺とを含む境界を有する。前記一対の第１周辺領域は、前記中央領域の前記ｙ軸に平行な一対の辺を含み、前記中央領域の外側に配置される。第１周辺領域は、型側マーク７が形成され、インプリント処理のときに型と基板上に形成された基板側マーク６との間に樹脂が充填されない第１領域１５ａと、型側マークが形成されず、インプリント処理のときに型と基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填される第２領域１５ｂとからなる。第２領域は、中央領域の中心を通り前記ｙ軸に平行な直線に対して第１領域と線対称な領域を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、型、インプリント方法及び物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケ−ルの微細パタ−ンの転写を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスを量産するためのナノリソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。インプリント技術では、電子線描画装置等の装置を用いて微細パタ−ンが形成された型を原版としてシリコン基板やガラスプレ−ト等の基板上に微細パタ−ンが形成される。この微細パタ−ンは、基板上に樹脂を塗布し、その樹脂を介して基板に型のパタ−ンを押し付けた状態でその樹脂を硬化させることによって形成される。現時点において実用化されているインプリント技術としては、熱サイクル法及び光硬化法がある。
【０００３】
熱サイクル法では、熱可塑性樹脂をガラス転移温度以上の温度に加熱し、樹脂の流動性を高めた状態で樹脂を介して基板に型を押し付け、冷却した後に樹脂から型を引き離すことによりパタ−ンが形成される。光硬化法では、紫外線硬化樹脂を使用し、樹脂を介して基板に型を押し付けた状態で紫外線を照射して樹脂を硬化させた後、硬化した樹脂から型を引き離すことによりパタ−ンが形成される。熱サイクル法は、温度制御による転写時間の増大及び温度変化による寸法精度の低下を伴うが、光硬化法には、そのような問題が存在しないため、現時点においては、光硬化法がナノスケ−ルの半導体デバイスの量産において有利である。
【０００４】
これまで樹脂の硬化方法や用途に応じて多様なインプリント装置が実現されてきた。半導体デバイス等の量産向け装置を前提とした場合、ステップアンドフラッシュ式インプリントリソグラフィ（以下、ＳＦＩＬ）を応用したインプリント装置が有効である。ＳＦＩＬに適合したインプリント装置が特許文献１に開示されている。このようなインプリント装置は、基板ステ−ジ、樹脂の塗布機構、インプリントヘッド、光照射系及び位置決めマ−ク検出機構を有する。上記のようなインプリント装置では、基板と型とを位置合わせするための計測は、型を基板に押し付けたときに型側マークと基板側マークをショット領域ごとに光学的に同時に観察し、ずれ量を補正して硬化させるいわゆるダイバイダイ方式を採用していた。
【０００５】
ダイバイダイ方式では、インプリント処理の際に型側マークに樹脂が充填されてしまう。型を形成する石英は樹脂とほぼ同等の屈折率であるため、そこに樹脂が充填されると検出に十分なコントラストが得られなくなってしまう。そこで、特許文献１では、インプリント処理時にも型側マークに樹脂が充填されないような工夫を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００８−５０９８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
インプリント処理を行うときに、型と基板を接触させて押し付け合っても、型と基板との間には微小な間隔が残る。この間隔に樹脂が入るため、パターンの有る無しに関わらずインプリント処理がなされた基板上には、形成されたパターンと同時に、樹脂の薄膜が一面に構成される。この薄膜のことを残膜と呼ぶことがある。
しかし、特許文献１に記載されるように、マーク部に樹脂を充填しない構造では、マーク部に樹脂の薄膜が形成されないため、インプリント処理後のエッチング工程などにおいて、実素子パターン部とマーク部でエッチング状態の差が出てしまう。
【０００８】
そこで、本発明は、ショット領域と型との位置合わせとインプリント処理後のエッチング処理との双方を円滑に行うために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの側面は、パターンが形成され、基板に塗布された樹脂にインプリント処理によって前記パターンを転写するためのインプリント装置用の型であって、前記型の前記基板側の表面は、前記パターンを有する中央領域と一対の第１周辺領域とを含み、前記中央領域は、ｘｙｚ座標系のｘ軸に平行な一対の辺とｙ軸に平行な一対の辺とを含む境界を有し、前記一対の第１周辺領域は、前記中央領域の前記ｙ軸に平行な一対の辺を含み、前記中央領域の外側に配置され、前記一対の第１周辺領域は、型側マークが形成され、インプリント処理のときに前記型と前記基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填されない第１領域と、型側マークが形成されず、インプリント処理のときに前記型と前記基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填される第２領域と、からなり、前記第２領域は、前記中央領域の中心を通り前記ｙ軸に平行な直線に対して前記第１領域と線対称な領域を含む、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ショット領域と型との位置合わせとインプリント処理後のエッチング処理との双方を円滑に行うインプリント装置用の型に有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】インプリント装置を示した図である。
【図２】型側マークおよび基板側マークを示した図である。
【図３】従来のインプリント装置とインプリント方法を示した図である。
【図４】従来のインプリント装置の変形例とインプリント方法を示した図である。
【図５】従来のインプリント方法を示した図である。
【図６】本発明の型とインプリント方法を示した図である。
【図７】本発明のインプリント方法を示した図である。
【図８】本発明のインプリント方法を示した図である。
【図９】本発明のインプリント方法の別例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
〔第１実施形態〕
インプリント装置は、図１に示すように、基板ステージ１に支持された基板２上のショット領域と型３との位置合わせを行うため、型３を支持する支持体（ヘッド）４に検出器（スコープ）５を固定している。スコープ５は、基板２上の各ショット領域に構成された位置合わせを行うための指標となる基板側マーク６と型３に形成された型側マーク７とを近接させて観察することで、基板２と型３との相対位置を計測する。塗布機構8は揮発性が高い樹脂を用いる場合、ショット領域毎に又は数ショット領域毎に、インプリント処理を行うべきショット領域に樹脂を塗布する。なお、揮発性が低い樹脂を用いる場合は、基板２の全面に樹脂を塗布した後でインプリント処理を行っても良い。インプリント装置は、樹脂を塗布し、塗布された樹脂に型３を押し付けた状態で樹脂を硬化させるインプリント動作を基板２のショット領域毎に行う。
【００１４】
図２を用いて、モアレ模様を用いた型側マークと基板側マークとの相対位置を計測する手法を説明する。図２ａ、図２ｂに示される、ピッチの異なる２種類の格子マーク７，６を型３と基板２とにそれぞれ構成する。これらの型側マーク７と基板側マーク６とを重ねると、図２ｃのように、明暗の縞模様が生じる。この縞模様がモアレ模様である。モアレ模様は、型側マーク７と基板側マーク６の相対位置関係によって明暗の位置が変化する。例えば、２つのマーク７，６の片方を少しだけ右へずらしてやると、図２ｃに示されるモアレ模様は、図２ｄのようなモアレ模様に変化する。このモアレ模様は、２つのマーク７，６間の実際のずれ量を拡大し大きな明暗縞として発生するため、スコープ５の解像力が低くても精度良く２つのマーク７，６の相対位置関係を計測することができる。これを利用して、型３と基板２の相対位置を算出する。なお、モアレ信号にこだわることはなく、例えば型側マーク７と基板側マーク６とを結像光学系で同時に計測し、その相対位置を計測することでも可能である。
【００１５】
ダイバイダイ計測を行うため、型３の実素子領域を基板２のインプリント位置へ樹脂を介して接触させた状態で基板側マーク６と型側マーク７との相対位置計測を行う。そこで算出した値を用いて型３と基板２との相対位置を補正し、正しい重ね合わせ位置に来たときに紫外線や熱により樹脂を硬化させて型３のパターンを基板２に転写する。
【００１６】
図３はインプリント部分を拡大した模式図である。基板２上のショット領域間のスクライブライン９上に、アライメントマーク（基板側マーク）６が構成されている。型３の中央領域１１に形成されたパターンを基板２上の所望の実素子領域１０へ転写する。パターンとは、実際のデバイスに組み込まれるパターンのことを指す。このとき、スコープ５を用いて基板側マーク６と型側マーク７とを観察し、それらの相対位置を算出する。なお、中央領域１１のみを樹脂１２に接触させるため、中央領域１１を型の中で少し凸部にしている。図３中のこの凸部１４をメサと呼ぶ。
【００１７】
算出された相対位置情報に基づいて、型３もしくは基板２の位置を補正し、押印することで型３の中央領域１１のパターンを実素子領域１０へ重ね合わせ精度よく転写する。このとき特に工夫をしていない場合、図３ｂに示されるように、インプリント処理時に型側マーク７に樹脂が充填されてしまう。型３を通して、基板側マーク６と型側マーク７とを同時計測する場合、型３は石英のような光透過性の物質を用いる。この場合、型３と樹脂１２との屈折率がほぼ同じであるため、型側マーク７が見えないもしくは著しくコントラストが低下し、接液した状態での相対位置計測ができなくなる。
【００１８】
そこで、インプリント処理時にも型側マーク７に樹脂が充填されない工夫を３つあげる。
（１）図４ａの型３は、型側マーク７の周辺に溝１３を構成し、樹脂を実素子領域１０のみに塗布することで、樹脂１２が型側マーク７へ流れ込んでこないように構成されている。これによると、インプリント処理の際に基板２上の樹脂１２は広がるが、溝１３でせき止められるため、図４ｂのように、樹脂１２が型側マーク７に流れ込んでくるのを抑制する。
（２）図４ｃの型３では、型側マーク７がメサ部１４と完全に分離して構成されている。型側マーク７は、図４ａの例よりもさらにメサ部１４と分離しているため、実素子領域１０へ塗布された樹脂１２は、図４ｄに示されるように、型側マーク７へ流れ込むことはない。
（３）図４ｅの型３では、メサ内の型側マーク７を形成する凸構造を中央領域１１より低くすることで、樹脂１２と型側マーク７とが接しないように構成された例である。樹脂１２と型側マーク７が接しないため、図４ｆのように、型側マーク７内に樹脂１２が充填されることはない。
【００１９】
以上のように、インプリント処理で型側マーク７内に樹脂１２が充填されないようにする工夫は可能であり、樹脂１２が型側マーク７内に充填されなければ、型側マーク７を検出できなくなることはなくなる。しかし、樹脂１２が型側マーク７に充填されなければ基板側マーク６は樹脂に覆われることなく、残ってしまう。
【００２０】
図４ａ、図４ｃ又は図４ｅの型３を用いてインプリント処理を行った結果を図５に示す。図５ａは、インプリント処理される基板２の下地に基板側マーク６のパターンが入った基板である。図５ｂは、型３を示している。図５ｃは、図５ｂのＸ−Ｘのラインの断面構造である。ここでは、一例として、図４ｅの型構造にした。図５ｄは、図５ａの基板２に、図５ｂの型３をインプリント処理したあとの基板２の様子を示している。当然ながら、インプリント処理時に型側マーク７に樹脂が充填されないような構造になっているため、基板２のハッチング部には樹脂が存在しているが基板側マーク６の部分には樹脂が存在していない。この状態では、次工程で基板２の全面を一律にエッチングする際に、樹脂の存在しない部分と樹脂の存在する部分（ハッチング部分）とでエッチングに差が出てしまい、製品の品質に関わる不具合となる。
【００２１】
そこで、本発明では、インプリント装置用の型として、以下のような型３を使用する。図６ｂに、型３の上面図を示し、図中Ｘ−Ｘ’ラインでの断面構造を図６ｃに示す。また、図６ａは、基板２上の１つのショット領域の近傍を示している。基板２の表面は、図６ａに示されるように、型３のパターンが転写される実素子領域１０と、それを取り囲むスクライブライン領域９とを含む。スクライブライン領域９は、ショット領域の外側に形成された複数の基板側マークの領域を構成している。スクライブライン領域９は、ｘｙｚ座標系のｙ軸に平行な方向に沿って延びる第１スクライブライン領域９ａとｘ軸に平行な方向に沿って延びる第２スクライブライン領域９ｂとを含む。
【００２２】
型３の基板側の表面は、実素子領域１０に転写するパターンを有する中央領域１１と一対の第１周辺領域１５と、一対の第２周辺領域１６とを有する。中央領域１１は、ｘ軸に平行な一対の辺とｙ軸に平行な一対の辺とを含む境界を有する。一対の第１周辺領域１５は、ｙ軸に平行な方向に沿って延びる第１スクライブライン領域９ａに対応して、中央領域１１のｙ軸に平行な一対の辺を含む一対の直線のそれぞれの外側に中央領域１１を挟むように配置される。第１周辺領域１５は、第１領域１５ａと第２領域１５ｂとからなる。第１領域１５ａには、型側マーク７が形成され、インプリント処理のときに型３と第１スクライブライン領域９ａに形成された基板側マーク６との間に樹脂が充填されない。第２領域１５ｂには、型側マーク７が形成されず、インプリント処理のときに型３と第１スクライブライン領域９ａに形成された基板側マーク６との間に樹脂が充填される。
【００２３】
一対の第２周辺領域１６は、ｘ軸に平行な方向に沿って延びる第２スクライブライン領域９ｂに対応して、中央領域１１のｘ軸に平行な一対の辺を含む一対の直線のそれぞれの外側に中央領域１１を挟むように配置される。第２周辺領域１６は、第３領域１６ａと第４領域１６ｂとからなる。第３領域１６ａには、型側マーク７が形成され、インプリント処理のときに型３と第２スクライブライン領域９ｂに形成された基板側マーク６との間に樹脂が充填されない。第４領域１６ｂには、型側マーク７が形成されず、インプリント処理のときに型３と第２スクライブライン領域９ｂに形成された基板側マーク６との間に樹脂が充填される。
【００２４】
図６ｄは、図６ａに示されたあるショット領域に対してインプリント処理がなされた後の基板上の様子を示している。インプリント処理が行われたショット領域のうち、実素子領域１０と、スクライブライン領域９の中で型３の第２領域１５ｂ及び第４領域１６ｂの直下に位置した領域には樹脂の層が形成される。一方、スクライブライン領域９のうち、型３の第１領域１５ａ及び第３領域１６ａの直下に位置した領域には、当該ショット領域に対するインプリント処理では樹脂が塗布されない。図６ｂには、第１領域１５ａと第２領域１５ｂとが互いにｙ軸に対して平行な直線に対して線対称の関係にあり、また、第３領域１６ａと第４領域１６ｂとが互いにｘ軸に対して平行な直線に対して線対称の関係にある。しかし、第２領域１５ｂは、そのすべてがｙ軸に平行な直線に対して第１領域１５ａと線対称の関係にある必要はなく、第１領域１５ａと線対称な領域を含めばよい。また、第２領域１５ｂが第１領域１５ａと線対称な領域を含めば、第４領域１６ｂは第３領域１６ａと線対称な領域を含まなくてもよい。
【００２５】
図６ｂ、図６ｃにおいて、型側マーク７はインプリント時にも樹脂が充填されない構造を有している。型側マーク７の構成された第１領域１５ａとショット領域の中心を通ってＹ軸と対称な領域１５ｂ（図６ｂのハッチング部分である第２領域）が形成されている。第２領域１５ｂは、中央領域１１のパターンを形成するための凸部の表面と同じ高さで平坦に形成されている。同様に、型側マーク７の構成された第３領域１６ａとショット領域の中心を通ってＸ軸と対称な領域１６ｂ（図６ｂのハッチング部分である第４領域）が形成されている。第４領域１６ｂは、パターンを形成するための凸部の表面と同じ高さで平坦に形成されている。図６ｄのスクライブライン９の領域のうちハッチング部分には、当該領域に対向する型３の第２領域１５ｂ、第３領域１６ｂに型側マーク７が形成されておらず、薄い樹脂層しか形成されないため、薄い樹脂層の下のマーク６を観察することは容易である。
【００２６】
このようなインプリント処理をショットレイアウトにしたがって繰り返し実行した模式図のうち、基板２の上面図が図７で、基板２及び型３のＸ−Ｘ’の位置での断面図が図８である。図７、図８は、図７ａ中の４つのショット領域をショット領域Ａからショット領域Ｄの順にインプリント処理する様子を示している。なお、ショット領域Ａに来るまでに、図中矢印の順でインプリント処理が行われてきたものとする。塗布機構８を用いてショット領域Ａのインプリントする領域に樹脂を塗布する(図８ａ)。インプリント装置は、ショット領域Ａにインプリント処理を行う（図７ｂ、図８ｂ）。基板側マーク６Ａ２と基板側マーク６Ａ３は、そのまま観察でき、且つインプリント処理時にそれぞれの基板側マーク６Ａ２，６Ａ３と位置合わせされる型側マーク７には樹脂が充填されないため、コントラスト良く高精度に相対位置計測を行うことができる。また、基板側マーク６Ａ１、６Ａ４の上面は、すでにインプリント処理されているが、前述したように薄い樹脂層が形成されているだけであるため、そこを通しての観察は可能である。樹脂の光透過率が低い場合など、樹脂が被っているために基板側マーク６Ａ１、６Ａ４が観察できない場合には、インプリント処理がなされない基板側マーク６Ａ２、６Ａ３を用いて位置合わせを行う。
【００２７】
続いて、インプリント装置は、塗布機構８を用いて隣接するショット領域Ｂのインプリント処理を行う領域に樹脂を塗布する(図８ｃ)。そして、インプリント装置は、隣接するショット領域Ｂをインプリント処理する（図７ｃ、図８ｄ）。ショット領域Ｂをインプリント処理するとき、基板側マーク６Ｂ２，６Ｂ３は、樹脂が被っておらずそのまま観察でき、且つインプリント処理時に基板側マーク６Ｂ２，６Ｂ３と位置合わせを行う型側マーク7には樹脂が充填されない。そのため、基板側マーク６Ｂ２，６Ｂ３と型側マーク7とを用いてコントラスト良く高精度に相対位置計測を行うことができる。この際、基板側マーク６Ｂ１、６Ｂ４に対して、すでにインプリント処理されているが、前述したように薄い樹脂層が形成されているだけである。そのため、薄い樹脂層を通して基板側マーク６Ｂ１、６Ｂ４の観察は可能であり、かつ、薄い樹脂層はすでに硬化しているため、型側マーク７に樹脂が充填されることはない。ショット領域Ａのインプリント処理時に、インプリント処理されなかった基板側マーク６Ａ２は、隣接するショット領域Ｂがインプリント処理されるときに、樹脂で覆われる(図７ｃ)。
【００２８】
このようにして、残りのショット領域Ｃおよびショット領域Ｄをインプリント処理した結果の基板２の状態を示すのが図７ｄと図７ｅである。ショット領域Ａをインプリント処理した際に、インプリント処理されなかった基板側マーク６Ａ３は、隣接するショット領域Ｄをインプリント処理する際に樹脂で覆われる様子が分かる。ショット領域Ａに着目すると、ショット領域Ａに対して行うインプリント工程が、ショット領域Ａを囲むスクライブライン領域９に、樹脂が充填されない領域と樹脂が充填される領域とを形成するようにインプリントする第１のインプリント工程で該当する。また、ショット領域Ａに隣接するショット領域Ｂ等に対して行うインプリント工程が、ショット領域Ａを囲むスクライブライン領域９で樹脂が充填されなかった領域に樹脂を充填するように隣接ショット領域をインプリントする第２のインプリント工程に該当する。
【００２９】
最初のショット領域やレイアウト端部のショット領域は、上記一連のインプリント処理では樹脂で覆われない部分が発生する。しかしながら、先にも述べたように全面が同一条件でなければ、後のエッチング工程で場所依存が発生してしまう。そこでウエハ端は、欠けショットとしてインプリント処理する可能性があり、その際に同様にして未充填領域にインプリント処理を行う。
【００３０】
以上のように、本手法では、実素子パターンをインプリント処理する際に位置合わせに用いる基板側マークに対してインプリント処理せず、隣接するショット領域をインプリント処理する際に前記基板側マークに対してインプリント処理する。そして、そうすることで、高精度なアライメントと、基板面内における樹脂のインプリント状態の均一化を両立することができる。
【００３１】
なお、揮発性が低い樹脂を基板の全面に塗布した場合、基板面に樹脂層は構成されるが、薄い樹脂層の厚みをインプリント部分と合わすため、インプリント工程は必要であり、本手法は有効である。また、本実施形態では、各ショット領域の周囲４辺に構成した基板側マーク６を観察することで、計測精度を向上させるとともにショット領域の大きさやひずみなども計測することを念頭に置いた。しかし、ショット領域のＸＹ方向の位置ずれだけを検出するのでよければ、ショット領域の１辺に構成した基板側マーク６のみを観察するだけで良いため、図９のように丸枠を付したマークでよい。図９では、図７と同様の手順でインプリントを進めるが、図中、各ショット領域の下辺のマークのみを計測してインプリント処理を進めるため、単純な型形状で実施可能である。
【００３２】
［物品の製造方法］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを転写（形成）する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを転写された基板を加工する他の処理を含みうる。以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、型、インプリント方法及び物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケ−ルの微細パタ−ンの転写を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスを量産するためのナノリソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。インプリント技術では、電子線描画装置等の装置を用いて微細パタ−ンが形成された型を原版としてシリコン基板やガラスプレ−ト等の基板上に微細パタ−ンが形成される。この微細パタ−ンは、基板上に樹脂を塗布し、その樹脂を介して基板に型のパタ−ンを押し付けた状態でその樹脂を硬化させることによって形成される。現時点において実用化されているインプリント技術としては、熱サイクル法及び光硬化法がある。
【０００３】
熱サイクル法では、熱可塑性樹脂をガラス転移温度以上の温度に加熱し、樹脂の流動性を高めた状態で樹脂を介して基板に型を押し付け、冷却した後に樹脂から型を引き離すことによりパタ−ンが形成される。光硬化法では、紫外線硬化樹脂を使用し、樹脂を介して基板に型を押し付けた状態で紫外線を照射して樹脂を硬化させた後、硬化した樹脂から型を引き離すことによりパタ−ンが形成される。熱サイクル法は、温度制御による転写時間の増大及び温度変化による寸法精度の低下を伴うが、光硬化法には、そのような問題が存在しないため、現時点においては、光硬化法がナノスケ−ルの半導体デバイスの量産において有利である。
【０００４】
これまで樹脂の硬化方法や用途に応じて多様なインプリント装置が実現されてきた。半導体デバイス等の量産向け装置を前提とした場合、ステップアンドフラッシュ式インプリントリソグラフィ（以下、ＳＦＩＬ）を応用したインプリント装置が有効である。ＳＦＩＬに適合したインプリント装置が特許文献１に開示されている。このようなインプリント装置は、基板ステ−ジ、樹脂の塗布機構、インプリントヘッド、光照射系及び位置決めマ−ク検出機構を有する。上記のようなインプリント装置では、基板と型とを位置合わせするための計測は、型を基板に押し付けたときに型側マークと基板側マークをショット領域ごとに光学的に同時に観察し、ずれ量を補正して硬化させるいわゆるダイバイダイ方式を採用していた。
【０００５】
ダイバイダイ方式では、インプリント処理の際に型側マークに樹脂が充填されてしまう。型を形成する石英は樹脂とほぼ同等の屈折率であるため、そこに樹脂が充填されると検出に十分なコントラストが得られなくなってしまう。そこで、特許文献１では、インプリント処理時にも型側マークに樹脂が充填されないような工夫を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００８−５０９８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
インプリント処理を行うときに、型と基板を接触させて押し付け合っても、型と基板との間には微小な間隔が残る。この間隔に樹脂が入るため、パターンの有る無しに関わらずインプリント処理がなされた基板上には、形成されたパターンと同時に、樹脂の薄膜が一面に構成される。この薄膜のことを残膜と呼ぶことがある。
しかし、特許文献１に記載されるように、マーク部に樹脂を充填しない構造では、マーク部に樹脂の薄膜が形成されないため、インプリント処理後のエッチング工程などにおいて、実素子パターン部とマーク部でエッチング状態の差が出てしまう。
【０００８】
そこで、本発明は、ショット領域と型との位置合わせとインプリント処理後のエッチング処理との双方を円滑に行うために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの側面は、パターンが形成され、基板に塗布された樹脂にインプリント処理によって前記パターンを転写するためのインプリント装置用の型であって、前記型の前記基板側の表面は、前記パターンを有する中央領域と一対の第１周辺領域とを含み、前記中央領域は、ｘｙｚ座標系のｘ軸に平行な一対の辺とｙ軸に平行な一対の辺とを含む境界を有し、前記一対の第１周辺領域は、前記中央領域の前記ｙ軸に平行な一対の辺を含み、前記中央領域の外側に配置され、前記一対の第１周辺領域は、型側マークが形成され、インプリント処理のときに前記型と前記基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填されない第１領域と、型側マークが形成されず、インプリント処理のときに前記型と前記基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填される第２領域と、からなり、前記第２領域は、前記中央領域の中心を通り前記ｙ軸に平行な直線に対して前記第１領域と線対称な領域を含む、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ショット領域と型との位置合わせとインプリント処理後のエッチング処理との双方を円滑に行うインプリント装置用の型に有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】インプリント装置を示した図である。
【図２】型側マークおよび基板側マークを示した図である。
【図３】従来のインプリント装置とインプリント方法を示した図である。
【図４】従来のインプリント装置の変形例とインプリント方法を示した図である。
【図５】従来のインプリント方法を示した図である。
【図６】本発明の型とインプリント方法を示した図である。
【図７】本発明のインプリント方法を示した図である。
【図８】本発明のインプリント方法を示した図である。
【図９】本発明のインプリント方法の別例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１３】
〔第１実施形態〕
インプリント装置は、図１に示すように、基板ステージ１に支持された基板２上のショット領域と型３との位置合わせを行うため、型３を支持する支持体（ヘッド）４に検出器（スコープ）５を固定している。スコープ５は、基板２上の各ショット領域に構成された位置合わせを行うための指標となる基板側マーク６と型３に形成された型側マーク７とを近接させて観察することで、基板２と型３との相対位置を計測する。塗布機構8は揮発性が高い樹脂を用いる場合、ショット領域毎に又は数ショット領域毎に、インプリント処理を行うべきショット領域に樹脂を塗布する。なお、揮発性が低い樹脂を用いる場合は、基板２の全面に樹脂を塗布した後でインプリント処理を行っても良い。インプリント装置は、樹脂を塗布し、塗布された樹脂に型３を押し付けた状態で樹脂を硬化させるインプリント動作を基板２のショット領域毎に行う。
【００１４】
図２を用いて、モアレ模様を用いた型側マークと基板側マークとの相対位置を計測する手法を説明する。図２ａ、図２ｂに示される、ピッチの異なる２種類の格子マーク７，６を型３と基板２とにそれぞれ構成する。これらの型側マーク７と基板側マーク６とを重ねると、図２ｃのように、明暗の縞模様が生じる。この縞模様がモアレ模様である。モアレ模様は、型側マーク７と基板側マーク６の相対位置関係によって明暗の位置が変化する。例えば、２つのマーク７，６の片方を少しだけ右へずらしてやると、図２ｃに示されるモアレ模様は、図２ｄのようなモアレ模様に変化する。このモアレ模様は、２つのマーク７，６間の実際のずれ量を拡大し大きな明暗縞として発生するため、スコープ５の解像力が低くても精度良く２つのマーク７，６の相対位置関係を計測することができる。これを利用して、型３と基板２の相対位置を算出する。なお、モアレ信号にこだわることはなく、例えば型側マーク７と基板側マーク６とを結像光学系で同時に計測し、その相対位置を計測することでも可能である。
【００１５】
ダイバイダイ計測を行うため、型３の実素子領域を基板２のインプリント位置へ樹脂を介して接触させた状態で基板側マーク６と型側マーク７との相対位置計測を行う。そこで算出した値を用いて型３と基板２との相対位置を補正し、正しい重ね合わせ位置に来たときに紫外線や熱により樹脂を硬化させて型３のパターンを基板２に転写する。
【００１６】
図３はインプリント部分を拡大した模式図である。基板２上のショット領域間のスクライブライン９上に、アライメントマーク（基板側マーク）６が構成されている。型３の中央領域１１に形成されたパターンを基板２上の所望の実素子領域１０へ転写する。パターンとは、実際のデバイスに組み込まれるパターンのことを指す。このとき、スコープ５を用いて基板側マーク６と型側マーク７とを観察し、それらの相対位置を算出する。なお、中央領域１１のみを樹脂１２に接触させるため、中央領域１１を型の中で少し凸部にしている。図３中のこの凸部１４をメサと呼ぶ。
【００１７】
算出された相対位置情報に基づいて、型３もしくは基板２の位置を補正し、押印することで型３の中央領域１１のパターンを実素子領域１０へ重ね合わせ精度よく転写する。このとき特に工夫をしていない場合、図３ｂに示されるように、インプリント処理時に型側マーク７に樹脂が充填されてしまう。型３を通して、基板側マーク６と型側マーク７とを同時計測する場合、型３は石英のような光透過性の物質を用いる。この場合、型３と樹脂１２との屈折率がほぼ同じであるため、型側マーク７が見えないもしくは著しくコントラストが低下し、接液した状態での相対位置計測ができなくなる。
【００１８】
そこで、インプリント処理時にも型側マーク７に樹脂が充填されない工夫を３つあげる。
（１）図４ａの型３は、型側マーク７の周辺に溝１３を構成し、樹脂を実素子領域１０のみに塗布することで、樹脂１２が型側マーク７へ流れ込んでこないように構成されている。これによると、インプリント処理の際に基板２上の樹脂１２は広がるが、溝１３でせき止められるため、図４ｂのように、樹脂１２が型側マーク７に流れ込んでくるのを抑制する。
（２）図４ｃの型３では、型側マーク７がメサ部１４と完全に分離して構成されている。型側マーク７は、図４ａの例よりもさらにメサ部１４と分離しているため、実素子領域１０へ塗布された樹脂１２は、図４ｄに示されるように、型側マーク７へ流れ込むことはない。
（３）図４ｅの型３では、メサ内の型側マーク７を形成する凸構造を中央領域１１より低くすることで、樹脂１２と型側マーク７とが接しないように構成された例である。樹脂１２と型側マーク７が接しないため、図４ｆのように、型側マーク７内に樹脂１２が充填されることはない。
【００１９】
以上のように、インプリント処理で型側マーク７内に樹脂１２が充填されないようにする工夫は可能であり、樹脂１２が型側マーク７内に充填されなければ、型側マーク７を検出できなくなることはなくなる。しかし、樹脂１２が型側マーク７に充填されなければ基板側マーク６は樹脂に覆われることなく、残ってしまう。
【００２０】
図４ａ、図４ｃ又は図４ｅの型３を用いてインプリント処理を行った結果を図５に示す。図５ａは、インプリント処理される基板２の下地に基板側マーク６のパターンが入った基板である。図５ｂは、型３を示している。図５ｃは、図５ｂのＸ−Ｘのラインの断面構造である。ここでは、一例として、図４ｅの型構造にした。図５ｄは、図５ａの基板２に、図５ｂの型３をインプリント処理したあとの基板２の様子を示している。当然ながら、インプリント処理時に型側マーク７に樹脂が充填されないような構造になっているため、基板２のハッチング部には樹脂が存在しているが基板側マーク６の部分には樹脂が存在していない。この状態では、次工程で基板２の全面を一律にエッチングする際に、樹脂の存在しない部分と樹脂の存在する部分（ハッチング部分）とでエッチングに差が出てしまい、製品の品質に関わる不具合となる。
【００２１】
そこで、本発明では、インプリント装置用の型として、以下のような型３を使用する。図６ｂに、型３の上面図を示し、図中Ｘ−Ｘ’ラインでの断面構造を図６ｃに示す。また、図６ａは、基板２上の１つのショット領域の近傍を示している。基板２の表面は、図６ａに示されるように、型３のパターンが転写される実素子領域１０と、それを取り囲むスクライブライン領域９とを含む。スクライブライン領域９は、ショット領域の外側に形成された複数の基板側マークの領域を構成している。スクライブライン領域９は、ｘｙｚ座標系のｙ軸に平行な方向に沿って延びる第１スクライブライン領域９ａとｘ軸に平行な方向に沿って延びる第２スクライブライン領域９ｂとを含む。
【００２２】
型３の基板側の表面は、実素子領域１０に転写するパターンを有する中央領域１１と一対の第１周辺領域１５と、一対の第２周辺領域１６とを有する。中央領域１１は、ｘ軸に平行な一対の辺とｙ軸に平行な一対の辺とを含む境界を有する。一対の第１周辺領域１５は、ｙ軸に平行な方向に沿って延びる第１スクライブライン領域９ａに対応して、中央領域１１のｙ軸に平行な一対の辺を含む一対の直線のそれぞれの外側に中央領域１１を挟むように配置される。第１周辺領域１５は、第１領域１５ａと第２領域１５ｂとからなる。第１領域１５ａには、型側マーク７が形成され、インプリント処理のときに型３と第１スクライブライン領域９ａに形成された基板側マーク６との間に樹脂が充填されない。第２領域１５ｂには、型側マーク７が形成されず、インプリント処理のときに型３と第１スクライブライン領域９ａに形成された基板側マーク６との間に樹脂が充填される。
【００２３】
一対の第２周辺領域１６は、ｘ軸に平行な方向に沿って延びる第２スクライブライン領域９ｂに対応して、中央領域１１のｘ軸に平行な一対の辺を含む一対の直線のそれぞれの外側に中央領域１１を挟むように配置される。第２周辺領域１６は、第３領域１６ａと第４領域１６ｂとからなる。第３領域１６ａには、型側マーク７が形成され、インプリント処理のときに型３と第２スクライブライン領域９ｂに形成された基板側マーク６との間に樹脂が充填されない。第４領域１６ｂには、型側マーク７が形成されず、インプリント処理のときに型３と第２スクライブライン領域９ｂに形成された基板側マーク６との間に樹脂が充填される。
【００２４】
図６ｄは、図６ａに示されたあるショット領域に対してインプリント処理がなされた後の基板上の様子を示している。インプリント処理が行われたショット領域のうち、実素子領域１０と、スクライブライン領域９の中で型３の第２領域１５ｂ及び第４領域１６ｂの直下に位置した領域には樹脂の層が形成される。一方、スクライブライン領域９のうち、型３の第１領域１５ａ及び第３領域１６ａの直下に位置した領域には、当該ショット領域に対するインプリント処理では樹脂が塗布されない。図６ｂには、第１領域１５ａと第２領域１５ｂとが互いにｙ軸に対して平行な直線に対して線対称の関係にあり、また、第３領域１６ａと第４領域１６ｂとが互いにｘ軸に対して平行な直線に対して線対称の関係にある。しかし、第２領域１５ｂは、そのすべてがｙ軸に平行な直線に対して第１領域１５ａと線対称の関係にある必要はなく、第１領域１５ａと線対称な領域を含めばよい。また、第２領域１５ｂが第１領域１５ａと線対称な領域を含めば、第４領域１６ｂは第３領域１６ａと線対称な領域を含まなくてもよい。
【００２５】
図６ｂ、図６ｃにおいて、型側マーク７はインプリント時にも樹脂が充填されない構造を有している。型側マーク７の構成された第１領域１５ａとショット領域の中心を通ってＹ軸と対称な領域１５ｂ（図６ｂのハッチング部分である第２領域）が形成されている。第２領域１５ｂは、中央領域１１のパターンを形成するための凸部の表面と同じ高さで平坦に形成されている。同様に、型側マーク７の構成された第３領域１６ａとショット領域の中心を通ってＸ軸と対称な領域１６ｂ（図６ｂのハッチング部分である第４領域）が形成されている。第４領域１６ｂは、パターンを形成するための凸部の表面と同じ高さで平坦に形成されている。図６ｄのスクライブライン９の領域のうちハッチング部分には、当該領域に対向する型３の第２領域１５ｂ、第３領域１６ｂに型側マーク７が形成されておらず、薄い樹脂層しか形成されないため、薄い樹脂層の下のマーク６を観察することは容易である。
【００２６】
このようなインプリント処理をショットレイアウトにしたがって繰り返し実行した模式図のうち、基板２の上面図が図７で、基板２及び型３のＸ−Ｘ’の位置での断面図が図８である。図７、図８は、図７ａ中の４つのショット領域をショット領域Ａからショット領域Ｄの順にインプリント処理する様子を示している。なお、ショット領域Ａに来るまでに、図中矢印の順でインプリント処理が行われてきたものとする。塗布機構８を用いてショット領域Ａのインプリントする領域に樹脂を塗布する(図８ａ)。インプリント装置は、ショット領域Ａにインプリント処理を行う（図７ｂ、図８ｂ）。基板側マーク６Ａ２と基板側マーク６Ａ３は、そのまま観察でき、且つインプリント処理時にそれぞれの基板側マーク６Ａ２，６Ａ３と位置合わせされる型側マーク７には樹脂が充填されないため、コントラスト良く高精度に相対位置計測を行うことができる。また、基板側マーク６Ａ１、６Ａ４の上面は、すでにインプリント処理されているが、前述したように薄い樹脂層が形成されているだけであるため、そこを通しての観察は可能である。樹脂の光透過率が低い場合など、樹脂が被っているために基板側マーク６Ａ１、６Ａ４が観察できない場合には、インプリント処理がなされない基板側マーク６Ａ２、６Ａ３を用いて位置合わせを行う。
【００２７】
続いて、インプリント装置は、塗布機構８を用いて隣接するショット領域Ｂのインプリント処理を行う領域に樹脂を塗布する(図８ｃ)。そして、インプリント装置は、隣接するショット領域Ｂをインプリント処理する（図７ｃ、図８ｄ）。ショット領域Ｂをインプリント処理するとき、基板側マーク６Ｂ２，６Ｂ３は、樹脂が被っておらずそのまま観察でき、且つインプリント処理時に基板側マーク６Ｂ２，６Ｂ３と位置合わせを行う型側マーク7には樹脂が充填されない。そのため、基板側マーク６Ｂ２，６Ｂ３と型側マーク7とを用いてコントラスト良く高精度に相対位置計測を行うことができる。この際、基板側マーク６Ｂ１、６Ｂ４に対して、すでにインプリント処理されているが、前述したように薄い樹脂層が形成されているだけである。そのため、薄い樹脂層を通して基板側マーク６Ｂ１、６Ｂ４の観察は可能であり、かつ、薄い樹脂層はすでに硬化しているため、型側マーク７に樹脂が充填されることはない。ショット領域Ａのインプリント処理時に、インプリント処理されなかった基板側マーク６Ａ２は、隣接するショット領域Ｂがインプリント処理されるときに、樹脂で覆われる(図７ｃ)。
【００２８】
このようにして、残りのショット領域Ｃおよびショット領域Ｄをインプリント処理した結果の基板２の状態を示すのが図７ｄと図７ｅである。ショット領域Ａをインプリント処理した際に、インプリント処理されなかった基板側マーク６Ａ３は、隣接するショット領域Ｄをインプリント処理する際に樹脂で覆われる様子が分かる。ショット領域Ａに着目すると、ショット領域Ａに対して行うインプリント工程が、ショット領域Ａを囲むスクライブライン領域９に、樹脂が充填されない領域と樹脂が充填される領域とを形成するようにインプリントする第１のインプリント工程で該当する。また、ショット領域Ａに隣接するショット領域Ｂ等に対して行うインプリント工程が、ショット領域Ａを囲むスクライブライン領域９で樹脂が充填されなかった領域に樹脂を充填するように隣接ショット領域をインプリントする第２のインプリント工程に該当する。
【００２９】
最初のショット領域やレイアウト端部のショット領域は、上記一連のインプリント処理では樹脂で覆われない部分が発生する。しかしながら、先にも述べたように全面が同一条件でなければ、後のエッチング工程で場所依存が発生してしまう。そこでウエハ端は、欠けショットとしてインプリント処理する可能性があり、その際に同様にして未充填領域にインプリント処理を行う。
【００３０】
以上のように、本手法では、実素子パターンをインプリント処理する際に位置合わせに用いる基板側マークに対してインプリント処理せず、隣接するショット領域をインプリント処理する際に前記基板側マークに対してインプリント処理する。そして、そうすることで、高精度なアライメントと、基板面内における樹脂のインプリント状態の均一化を両立することができる。
【００３１】
なお、揮発性が低い樹脂を基板の全面に塗布した場合、基板面に樹脂層は構成されるが、薄い樹脂層の厚みをインプリント部分と合わすため、インプリント工程は必要であり、本手法は有効である。また、本実施形態では、各ショット領域の周囲４辺に構成した基板側マーク６を観察することで、計測精度を向上させるとともにショット領域の大きさやひずみなども計測することを念頭に置いた。しかし、ショット領域のＸＹ方向の位置ずれだけを検出するのでよければ、ショット領域の１辺に構成した基板側マーク６のみを観察するだけで良いため、図９のように丸枠を付したマークでよい。図９では、図７と同様の手順でインプリントを進めるが、図中、各ショット領域の下辺のマークのみを計測してインプリント処理を進めるため、単純な型形状で実施可能である。
【００３２】
［物品の製造方法］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを転写（形成）する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを転写された基板を加工する他の処理を含みうる。以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成され、基板に塗布された樹脂にインプリント処理によって前記パターンを転写するためのインプリント装置用の型であって、
前記型の前記基板側の表面は、前記パターンを有する中央領域と一対の第１周辺領域とを含み、
前記中央領域は、ｘｙｚ座標系のｘ軸に平行な一対の辺とｙ軸に平行な一対の辺とを含む境界を有し、
前記一対の第１周辺領域は、前記中央領域の前記ｙ軸に平行な一対の辺を含み、前記中央領域の外側に配置され、
前記一対の第１周辺領域は、
型側マークが形成され、インプリント処理のときに前記型と前記基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填されない第１領域と、
型側マークが形成されず、インプリント処理のときに前記型と前記基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填される第２領域と、
からなり、
前記第２領域は、前記中央領域の中心を通り前記ｙ軸に平行な直線に対して前記第１領域と線対称な領域を含む、
ことを特徴とする型。
【請求項２】
前記型の前記基板側の表面は、一対の第２周辺領域を含み、
前記一対の第２周辺領域は、前記中央領域の前記ｘ軸に平行な一対の辺を含み、前記中央領域の外側に配置され、
前記一対の第２周辺領域は、
型側マークが形成され、インプリント処理のときに前記型と前記基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填されない第３領域と、
型側マークが形成されず、インプリント処理のときに前記型と前記基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填される第４領域と、
からなり、
前記第４領域は、前記中央領域の中心を通り前記ｘ軸に平行な直線に対して前記第３領域と線対称な領域を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の型。
【請求項３】
前記型側マークは、前記基板側マークとの相対位置が計測できる位置に形成されている、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の型。
【請求項４】
前記第２領域及び前記第４領域は、前記中央領域の表面と同じ高さ位置で平坦に形成されている、ことを特徴とする請求項２に記載の型。
【請求項５】
請求項１に記載の型を基板に塗布された樹脂と接触させて該樹脂を硬化させるインプリント処理を前記基板のショット領域毎に行うインプリント方法であって、
前記第１領域の直下に位置して樹脂が充填されない基板側マークと前記第１領域に形成された型側マークとを観察することによって、インプリント処理を行うべきショット領域と前記型とを位置合わせする工程と、
前記位置合わせされたショット領域における前記第１領域の直下の第１スクライブライン領域には樹脂を充填することなくインプリント処理する工程と、
をショット領域ごとに実行し、
あるショット領域のインプリント処理を行うときに前記第１領域の直下に位置して樹脂が充填されなかった第１スクライブライン領域は、当該あるショット領域に隣接するショット領域のインプリント処理を行うときに、前記第２領域の直下に位置して樹脂が充填される、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項６】
請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の型を基板に塗布された樹脂と接触させて該樹脂を硬化させるインプリント処理を前記基板のショット領域毎に行う請求項５に記載のインプリント方法であって、
前記位置合わせする工程で、前記第３領域の直下に位置して樹脂が充填されない基板側マークと前記第３領域に形成された型側マークとをさらに観察し、
前記インプリント処理する工程で、前記位置合わせされたショット領域における前記第３領域の直下の第２スクライブライン領域に樹脂を充填せず、
あるショット領域のインプリント処理を行うときに前記第３領域の直下に位置して樹脂が充填されなかった第２スクライブライン領域は、当該あるショット領域に隣接するショット領域のインプリント処理を行うときに、前記第４領域の直下に位置して樹脂が充填される、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項７】
前記位置合わせする工程で、未だ樹脂で覆われていない基板側マークと前記型側マークとを観察することによって、前記インプリント処理を行うべきショット領域と前記型とを位置合わせする、ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記位置合わせする工程で、他のショット領域におけるインプリント処理によって既に充填されて硬化した樹脂で覆われた基板側マークと前記型側マークとを観察することによって、前記インプリント処理を行うべきショット領域と前記型とを位置合わせする、ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載のインプリント方法。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いてパタ−ンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パタ−ンを形成された基板を加工する工程と、
を含む物品の製造方法。
【請求項１０】
基板上に塗布された樹脂とパターンが形成された型とを接触させることで前記基板上のショット領域に前記パターンを形成するインプリント方法であって、
前記ショット領域の外側に形成された複数の基板側マークの領域に、前記型と前記基板の間に樹脂が充填されない領域と、前記型と前記基板の間に樹脂が充填される領域とを形成するように、前記ショット領域をインプリントする第１のインプリント工程と、
前記樹脂が充填されない領域に、前記樹脂が充填されるように、前記ショット領域に隣接するショット領域をインプリントする第２のインプリント工程と、
を有し、
前記第１のインプリント工程で、前記樹脂が充填されない領域の基板側マークと前記型に形成された型側マークとを観察することによって、前記基板上の前記ショット領域と前記型に形成された前記パターンとを位置合わせを行う、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１】
パターンが形成され、基板に塗布された樹脂にインプリント処理によって前記パターンを転写するためのインプリント装置用の型であって、
前記型の前記基板側の表面は、前記パターンを有する中央領域と一対の第１周辺領域とを含み、
前記中央領域は、ｘｙｚ座標系のｘ軸に平行な一対の辺とｙ軸に平行な一対の辺とを含む境界を有し、
前記一対の第１周辺領域は、前記中央領域の前記ｙ軸に平行な一対の辺を含み、前記中央領域の外側に配置され、
前記一対の第１周辺領域は、
型側マークが形成され、インプリント処理のときに前記型と前記基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填されない第１領域と、
型側マークが形成されず、インプリント処理のときに前記型と前記基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填される第２領域と、
からなり、
前記第２領域は、前記中央領域の中心を通り前記ｙ軸に平行な直線に対して前記第１領域と線対称な領域を含む、
ことを特徴とする型。
【請求項２】
前記型の前記基板側の表面は、一対の第２周辺領域を含み、
前記一対の第２周辺領域は、前記中央領域の前記ｘ軸に平行な一対の辺を含み、前記中央領域の外側に配置され、
前記一対の第２周辺領域は、
型側マークが形成され、インプリント処理のときに前記型と前記基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填されない第３領域と、
型側マークが形成されず、インプリント処理のときに前記型と前記基板上に形成された基板側マークとの間に樹脂が充填される第４領域と、
からなり、
前記第４領域は、前記中央領域の中心を通り前記ｘ軸に平行な直線に対して前記第３領域と線対称な領域を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の型。
【請求項３】
前記型側マークは、前記基板側マークとの相対位置が計測できる位置に形成されている、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の型。
【請求項４】
前記第２領域及び前記第４領域は、前記中央領域の表面と同じ高さ位置で平坦に形成されている、ことを特徴とする請求項２に記載の型。
【請求項５】
請求項１に記載の型を基板に塗布された樹脂と接触させて該樹脂を硬化させるインプリント処理を前記基板のショット領域毎に行うインプリント方法であって、
前記第１領域の直下に位置して樹脂が充填されない基板側マークと前記第１領域に形成された型側マークとを観察することによって、インプリント処理を行うべきショット領域と前記型とを位置合わせする工程と、
前記位置合わせされたショット領域における前記第１領域の直下の第１スクライブライン領域には樹脂を充填することなくインプリント処理する工程と、
をショット領域ごとに実行し、
あるショット領域のインプリント処理を行うときに前記第１領域の直下に位置して樹脂が充填されなかった第１スクライブライン領域は、当該あるショット領域に隣接するショット領域のインプリント処理を行うときに、前記第２領域の直下に位置して樹脂が充填される、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項６】
請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の型を基板に塗布された樹脂と接触させて該樹脂を硬化させるインプリント処理を前記基板のショット領域毎に行う請求項５に記載のインプリント方法であって、
前記位置合わせする工程で、前記第３領域の直下に位置して樹脂が充填されない基板側マークと前記第３領域に形成された型側マークとをさらに観察し、
前記インプリント処理する工程で、前記位置合わせされたショット領域における前記第３領域の直下の第２スクライブライン領域に樹脂を充填せず、
あるショット領域のインプリント処理を行うときに前記第３領域の直下に位置して樹脂が充填されなかった第２スクライブライン領域は、当該あるショット領域に隣接するショット領域のインプリント処理を行うときに、前記第４領域の直下に位置して樹脂が充填される、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項７】
前記位置合わせする工程で、未だ樹脂で覆われていない基板側マークと前記型側マークとを観察することによって、前記インプリント処理を行うべきショット領域と前記型とを位置合わせする、ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記位置合わせする工程で、他のショット領域におけるインプリント処理によって既に充填されて硬化した樹脂で覆われた基板側マークと前記型側マークとを観察することによって、前記インプリント処理を行うべきショット領域と前記型とを位置合わせする、ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載のインプリント方法。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いてパタ−ンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パタ−ンを形成された基板を加工する工程と、
を含む物品の製造方法。
【請求項１０】
基板上に塗布された樹脂とパターンが形成された型とを接触させることで前記基板上のショット領域に前記パターンを形成するインプリント方法であって、
前記ショット領域の外側に形成された複数の基板側マークの領域に、前記型と前記基板の間に樹脂が充填されない領域と、前記型と前記基板の間に樹脂が充填される領域とを形成するように、前記ショット領域をインプリントする第１のインプリント工程と、
前記樹脂が充填されない領域に、前記樹脂が充填されるように、前記ショット領域に隣接するショット領域をインプリントする第２のインプリント工程と、
を有し、
前記第１のインプリント工程で、前記樹脂が充填されない領域の基板側マークと前記型に形成された型側マークとを観察することによって、前記基板上の前記ショット領域と前記型に形成された前記パターンとを位置合わせを行う、
ことを特徴とするインプリント方法。
【図１】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【公開番号】特開２０１２−１６４８３２（Ｐ２０１２−１６４８３２Ａ）
【公開日】平成２４年８月３０日（２０１２．８．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４４３７（Ｐ２０１１−２４４３７）
【出願日】平成２３年２月７日（２０１１．２．７）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月３０日（２０１２．８．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月７日（２０１１．２．７）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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