基板洗浄処理装置
【課題】高い洗浄能力を維持し煩瑣な作業を伴うことなく、かつ、基板上に成膜されたトランジスタ素子等の静電破壊を引き起こすことなく効果的な洗浄処理を行うことができる基板洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】搬送される基板Ｗに対して水洗処理を行う直水洗室２０内に、２流体スプレーノズル２４と、２流体スプレーノズル２４の基板搬送方向上流側および下流側にそれぞれ配設されるスプレーノズル３６、３８とを備え、純水タンク２２に貯留された純水を高圧送液ポンプ３４により２流体スプレーノズル２４およびスプレーノズル３６、３８へ供給する装置であって、２流体スプレーノズル２４は、純水をＳＵＳ製のノズル部２４ｂから基板の上面に高速で吐出することにより基板Ｗを正に帯電させ、スプレーノズル３６、３８は、純水をＰＶＤＦ製のノズル部３６ｂ、３８ｂから基板の上面に吐出することにより基板Ｗを負に帯電させて、基板Ｗの電位を中和する。
【解決手段】搬送される基板Ｗに対して水洗処理を行う直水洗室２０内に、２流体スプレーノズル２４と、２流体スプレーノズル２４の基板搬送方向上流側および下流側にそれぞれ配設されるスプレーノズル３６、３８とを備え、純水タンク２２に貯留された純水を高圧送液ポンプ３４により２流体スプレーノズル２４およびスプレーノズル３６、３８へ供給する装置であって、２流体スプレーノズル２４は、純水をＳＵＳ製のノズル部２４ｂから基板の上面に高速で吐出することにより基板Ｗを正に帯電させ、スプレーノズル３６、３８は、純水をＰＶＤＦ製のノズル部３６ｂ、３８ｂから基板の上面に吐出することにより基板Ｗを負に帯電させて、基板Ｗの電位を中和する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）用、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）用、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）用、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）用、真空蛍光ディスプレイ（ＶＦＤ）用、太陽電池パネル用等のガラス基板、磁気／光ディスク用のガラス／セラミック基板、半導体ウエハ、電子デバイス基板等の各種の基板に対して、洗浄処理を行う基板洗浄処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＣＤ、ＰＤＰ等のデバイスの製造プロセスにおいて、基板の主面へ各種薬液を供給してレジスト剥離処理、エッチング処理等の薬液処理を行った後に、基板を水洗処理する場合、置換水洗室と水洗室と直水洗室（新水水洗処理部）とを設置し、まず、置換水洗室において、薬液処理直後の基板の主面へ洗浄水を供給して基板上の薬液を洗浄水で置換した後、水洗室において、直水洗室で使用された水を循環水タンクに回収してそれを洗浄水として使用し、主面上の薬液が洗浄水で置換された基板を水洗処理し、最後に、直水洗室において基板の主面へ純水を供給して基板を仕上げ水洗する装置が使用されている（特許文献１参照）。
【０００３】
この直水洗室内において、仕上げ水洗効果を高めるため、気体及び液体からなる２流体を基板に対して吐出する２流体スプレーノズル等の高圧スプレーノズルが設けられる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２８４３７９号公報（第３−４頁、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図６に、従来の基板洗浄装置の概略構成の１例を示す。図６は、基板洗浄処理装置３００を模式的に示したものである。
【０００６】
この基板洗浄処理装置３００は、直水洗室（新水水洗処理部）２０と、この直水洗室２０内へ搬入されてきた基板Ｗを直水洗室２０内において水平方向へ搬送する複数の搬送ローラ（図示せず）と、直水洗室２０内において水平方向へ搬送される基板Ｗの上面へ気体の圧力で純水をミスト化して吐出する２流体スプレーノズル２４と、基板Ｗの上・下両面へそれぞれ純水を吐出する上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８と、純水を貯留する純水タンク２２と、純水タンク２２の底部に介設された高圧送液ポンプ３４とを備えている。
【０００７】
２流体スプレーノズル２４は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部２４ａに、その長手方向に沿って一列に互いに近接してＳＵＳ（ステンレス鋼）製の複数のノズル部２４ｂが形設され、その各ノズル部２４ｂの吐出口からそれぞれエアー等の気体の圧力で純水をミスト化して基板Ｗの上面に吐出する。このスプレーノズル２４のスプレーパイプ部２４ａには、高圧送液ポンプ３４に流路接続された純水供給路３０が連通接続されるとともに、エアー供給源に流路接続されたエアー供給路４０が連通接続される。
【０００８】
上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８は、基板搬送方向に沿ってかつ互いに平行にそれぞれ複数本設けられ、各スプレーノズル２６、２８には、基板搬送方向に複数個のノズル部が一列に形設されている。上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８には、純水供給源に流路接続された純水供給路３２がそれぞれ連通接続されている。
【０００９】
高圧送液ポンプ３４は、純水タンク２２に貯留された純水を純水供給路３０を介して２流体スプレーノズル２４へ高圧で送液する。
【００１０】
従来の基板洗浄処理装置では、スプレーパイプ２４ａに形設されたＳＵＳ製の複数のノズル部２４ｂの吐出口からそれぞれ、気体と純水とが混合されて微小な水粒子が高速で基板上面に吐出されることにより、基板上面に付着するパーティクル等を高い洗浄能力で効果的に除去できるが、基板Ｗを正に帯電させ、場合によっては基板上に成膜されたトランジスタ素子等を破壊してしまうことがある。このトランジスタ素子等の静電破壊の原因につながる基板Ｗの正帯電現象は、２流体スプレーノズルに限らず洗浄用の高圧スプレーノズルのノズル部として特定の材質を選択し、当該ノズル部の吐出口から基板Ｗの上面に比抵抗値が高い液体である純水を高速で吐出する場合に発生することが本願発明者の実験により確認された。
【００１１】
図７は、２流体スプレーノズルのスプレーパイプ部や純水のみの１流体を吐出する高圧スプレーノズルのスプレーパイプ部に形設すべきノズル部として種々の材質を選択し、それぞれのノズル部から、基板の上面に純水を高速で吐出した場合に基板Ｗに発生する帯電量について、本願発明者によって行われた実験結果に関するグラフをそれぞれ示す図である。
【００１２】
図７において、縦軸はノズル部の材質の種類、横軸は帯電量（Ｖ）を示し、グラフＡ〜Ｃは、ノズル部の材質としてＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）を、Ｄ〜ＦはＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）を、ＧおよびＨはＰＰ（ポリプロピレン）を、Ｉ〜ＫはＳＵＳを、それぞれ選択した場合の帯電量を示す。高圧送液ポンプによる純水のスプレーノズルへの送液圧力に関しては、グラフＡ〜Ｃでは０．８５ＭＰａ、グラフＤ〜Ｈでは０．９２ＭＰａ、Ｉ〜Ｋでは０．９５ＭＰａをそれぞれ設定し、また、吐出される純水の比抵抗値に関しては、グラフＡでは５．０ＭΩ・ｃｍ、グラフＢでは４．４ＭΩ・ｃｍ、グラフＣでは、３．７ＭΩ・ｃｍ、グラフＤでは４．６ＭΩ・ｃｍ、グラフＥでは４．４ＭΩ・ｃｍ、グラフＦでは３．６ＭΩ・ｃｍ、グラフＧでは４．８ＭΩ・ｃｍ、グラフＨおよびＪでは４．１ＭΩ・ｃｍ、グラフＩでは、５．８ＭΩ・ｃｍ、グラフＫでは３．５ＭΩ・ｃｍの純水を使用した場合の結果をそれぞれ示している。
【００１３】
なお、各ノズル部の吐出口から基板上面までの距離については、Ａ〜Ｋのいずれも５０ｍｍに設定した。
【００１４】
図７から明らかなとおり、スプレーノズルのノズル部の材質としてＳＵＳを選択したグラフＩ〜Ｋは、大きな正の帯電量を示している。一方、スプレーノズルのノズル部の材質としてＰＶＤＦを選択したグラフＡ〜Ｃは、負の帯電量を示している。
【００１５】
したがって、従来から、ＳＵＳ製のノズル部を有する２流体スプレーノズルや高圧スプレーノズルから高圧で純水を吐出する場合には、高い洗浄能力を維持しかつ基板上に成膜されたトランジスタ素子等の静電破壊を防止するために、二酸化炭素等の不純物を純水に混入して純水の比抵抗値を低下させたり、あるいはまた、高圧送液ポンプによるスプレーノズルからの純水吐出圧を下げたりする必要があり、煩瑣な作業が付随していた。
【００１６】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、気体及び液体からなる２流体を基板に対して吐出する２流体スプレーノズルや純水のみの１流体を基板に対して吐出する高圧スプレーノズルを用いて基板を洗浄処理する場合に、高い洗浄能力を維持し煩瑣な作業を伴うことなく、しかも基板上に成膜されたトランジスタ素子等の静電破壊を引き起こすことなく効果的な洗浄処理を行うことができる基板洗浄処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
請求項１に係る発明は、基板に対して水洗処理を行う新水水洗処理部と、前記新水水洗処理部内に配設されて基板を前記新水水洗処理部内において水平方向へ搬送する基板搬送手段と、前記新水水洗処理部内に配設され、前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ高速で純水を吐出する第１純水吐出手段と、前記新水水洗処理部内において前記第１純水吐出手段に近接して配設され、前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ純水を吐出する第２純水吐出手段と、純水を貯留する純水タンクと、前記純水タンクに貯留された純水を前記第１および第２純水吐出手段へ供給する送液ポンプと、を備えた基板洗浄処理装置であって、前記第１純水吐出手段は、前記送液ポンプによって供給される純水を基板の主面に高速で吐出することにより基板を正に帯電させ、前記第２純水吐出手段は、前記送液ポンプによって供給される純水を基板の主面に吐出することにより基板を負に帯電させて、前記第１純水吐出手段からの純水の吐出により発生した基板の正の帯電を相殺して基板の電位を中和することを特徴とする。
【００１８】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部によって構成されることを特徴とする。
【００１９】
請求項３に係る発明は、請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、前記第２純水吐出手段は、前記第１純水吐出手段の基板搬送方向下流側において前記第１純水吐出手段に近接して配設されかつ基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に、当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部によって構成されることを特徴とする。
【００２０】
請求項４に係る発明は、請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、前記第１および第２純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列にそれぞれ一つずつ交互に近接して形設される複数のノズル部によって構成されることを特徴とする。
【００２１】
請求項５に係る発明は、請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って形設される複数のノズル部によって構成され、前記第２純水吐出手段は、前記スプレーパイプ部の長手方向に沿って、前記第１純水吐出手段を構成する前記複数のノズル部の２つの間に少なくとも２つ連設して形設されるノズル部を含む複数のノズル部によって構成されることを特徴とする。
【００２２】
請求項６に係る発明は、請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置され前記送液ポンプから純水が供給されるとともに気体供給源から気体が供給される２流体スプレーノズルのスプレーパイプ部に、当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部、によって構成され、当該複数のノズル部の吐出口からそれぞれ気体の圧力で純水をミスト化して基板の主面に吐出することを特徴とする。
【００２３】
請求項７に係る発明は、請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置され前記送液ポンプから純水が供給される高圧スプレーノズルのスプレーパイプ部に、当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部によって構成され、当該複数のノズル部の吐出口から純水のみの１流体を高速で基板の主面に吐出することを特徴とする。
【００２４】
請求項８に係る発明は、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板洗浄処理装置において、前記第１純水吐出手段を構成する複数のノズル部の材質は、ＰＶＣ、ＰＰおよびＳＵＳから成るグループから選ばれた１つであることを特徴とする。
【００２５】
請求項９に係る発明は、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板洗浄処理装置において、前記第２純水吐出手段を構成する複数のノズル部の材質は、ＳＵＳであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
請求項１ないし請求項３ならびに請求項６ないし請求項９に係る発明の基板処理装置においては、送液タンクから供給された純水が第１純水吐出手段によって基板の主面に高速で吐出されることにより、基板が正に帯電されるが、第１純水吐出手段に近接して配設された第２純水吐出手段によって純水が基板の主面に吐出されることにより、基板が負に帯電され、第１純水吐出手段からの純水の吐出により発生した基板の正の帯電が相殺されて結果として基板の電位が中和される。したがって、二酸化炭素等の不純物を純水に混入して純水の比抵抗値を低下させたり、送液ポンプによる第１純水吐出手段からの純水吐出圧を下げたりするといったような煩瑣な作業を必要とせずに、高い洗浄能力を維持しつつしかも基板上に成膜されたトランジスタ素子等の静電破壊を引き起こすことなく効果的な洗浄処理を行うことができる。
【００２７】
請求項４および請求項５に係る発明の基板洗浄処理装置においては、上記の効果に加えて、第１および第２純水吐出手段の両方が、基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って形設される複数のノズル部によって構成されるので、スプレーパイプ部の部品点数を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態に係る基板洗浄処理装置２００を模式的に示す概略構成図である。
【図２】本発明の実施形態の第１の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。
【図３】本発明の実施形態の第２の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。
【図４】本発明の実施形態の第３の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。
【図５】本発明の実施形態の第４の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。
【図６】従来の基板洗浄処理装置３００を模式的に示した概略構成図である。
【図７】ノズル部の材質と帯電量との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３０】
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置２００を模式的に示したものである。なお、図６において示した構成要素および部材と同一または対応する構成要素および部材については、図１においても同一の符号を使用する。
【００３１】
この基板洗浄処理装置２００は、直水洗室（新水水洗処理部）２０と、この直水洗室２０内へ搬入されてきた基板Ｗを直水洗室２０内において水平方向へ搬送する複数の搬送ローラ（図示せず）と、直水洗室２０内において水平方向へ搬送される基板Ｗの上面へ気体の圧力で純水をミスト化して吐出する２流体スプレーノズル２４と、この２流体スプレーノズル２４の基板搬送方向における上流側および下流側において２流体スプレーノズル２４と近接してそれぞれ配設されたスプレーノズル３６、３８と、基板Ｗの上・下両面へそれぞれ純水を吐出する上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８と、純水を貯留する純水タンク２２と、純水タンク２２の底部に介設された高圧送液ポンプ３４とを備えている。
【００３２】
２流体スプレーノズル２４は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部２４ａに、その長手方向に沿って一列に互いに近接してＳＵＳ製の複数のノズル部２４ｂが形設され、その各ノズル部２４ｂの吐出口からそれぞれエアー等の気体の圧力で純水をミスト化して基板Ｗの上面に吐出する。
【００３３】
このスプレーノズル２４のスプレーパイプ部２４ａには、高圧送液ポンプ３４に流路接続された純水供給路３０が連通接続されるとともに、エアー供給源に流路接続されたエアー供給路４０が連通接続される。純水供給路３０には、スプレーパイプ部２４ａへ供給される純水の流量調節用バルブ（図示せず）が設けられている。２流体スプレーノズル２４は、例えば、そのノズル部２４ｂの吐出口から基板Ｗの上面までの距離が１０ｍｍ〜１００ｍｍとなるような高さ位置に設置され、複数のノズル部２４ｂは、例えば２０ｍｍ〜１００ｍｍのピッチで設けられる。この２流体スプレーノズル２４は、基板Ｗの上面と平行に、かつ、基板搬送方向に対して直交するように配置される。このノズル部２４ｂの吐出口からは、搬送される基板Ｗの上面へ高圧送液ポンプ３４により高圧、例えば０．４ＭＰａの圧力の純水が基板Ｗの幅方向全体にわたって吐出される。
【００３４】
スプレーノズル３６、３８には、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部３６ａ、３８ａに、その長手方向に沿って一列に互いに近接してＰＶＤＦ製の複数のノズル部３６ｂ、３８ｂがそれぞれ形設され、その各ノズル部３６ｂ、３８ｂの吐出口からそれぞれ扇状に純水が吐出される。このスプレーノズル３６、３８のスプレーパイプ部３６ａ、３８ａは、純水供給路３０が連通接続され、純水供給路３０には、スプレーパイプ部３６ａ、３８ａへ供給されるそれぞれの純水の流量調節用バルブ（図示せず）が設けられている。スプレーノズル３６、３８は、例えば、そのノズル部３６ｂ、３８ｂの吐出口から基板Ｗの上面までの距離が１０ｍｍ〜３００ｍｍとなるような高さ位置に設置され、複数のノズル部３６ｂ、３８ｂは、例えば２０ｍｍ〜２００ｍｍのピッチで設けられる。
【００３５】
このようなスプレーノズル３６、３８は、基板Ｗの上面と平行に、かつ、基板搬送方向に対して直交するように配置される。このノズル部３６ｂ、３８ｂの吐出口からは、搬送される基板Ｗの上面へ高圧送液ポンプ３４により高圧、例えば０．８５ＭＰａの圧力の純水が基板Ｗの幅方向全体にわたって吐出される。
【００３６】
上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８は、基板搬送方向に沿ってかつ互いに平行にそれぞれ複数本設けられ、各スプレーノズル２６、２８には、基板搬送方向に複数個のノズル部が一列に形設されている。上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８には、純水供給源に流路接続された純水供給路３２がそれぞれ連通接続されている。
【００３７】
高圧送液ポンプ３４は、純水タンク２２に貯留された純水を、純水供給路３０を介して２流体スプレーノズル２４、スプレーノズル３６、３８へ送液する。
【００３８】
上記した構成を備えた基板洗浄処理装置２００では、直水洗室２０内へ搬入されてきた基板Ｗは、搬送ローラにより直水洗室２０内において水平方向へ搬送されながら、スプレーノズル３６のスプレーパイプ部３６ａに形設されたＰＶＤＦ製のノズル部３６ｂから純水が基板上面に吐出され、次に、２流体スプレーノズル２４のスプレーパイプ部２４ａに形設されたＳＵＳ製の複数のノズル部２４ｂの吐出口からそれぞれ、気体と純水とが混合された微小な水粒子が高速で基板上面に吐出され、さらにスプレーノズル３８のスプレーパイプ部３８ａに形設されたＰＶＤＦ製のノズル部３８ｂから純水が基板上面に吐出され、最後に上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８の各ノズル部から純水が基板上面に吐出されることにより基板Ｗの仕上げ水洗が行われる。
【００３９】
ここで、図７に示されるように、基板Ｗでは、ＳＵＳ製のノズル部２４ｂからの微小水粒子吐出により正帯電が、ＰＶＤＦ製のノズル部３６ｂ、３８ｂからの純水吐出によりこれとは逆極性の負帯電が、それぞれ発生する。したがって、正負両極性の帯電量が相殺されるようにそれぞれの発生帯電量を調節することにより、結果として基板Ｗの電位を中和することができる。この発生帯電量の調節は、設定された高圧送液ポンプ３４による送液圧力に加えて、各ノズル部２４ｂ、３６ｂ、３８ｂの吐出口から基板Ｗの上面までの距離の調節、純水供給路３０に設けられた各流量調節用バルブの調節等により行う。
【００４０】
このように、ＳＵＳ製のノズル部２４ｂを備えた２流体スプレーノズル２４を用いても、基板Ｗの電位が中和されることにより、成膜されたトランジスタ素子等の静電破壊を引き起こすことなく、基板上面に付着するパーティクル等を高い洗浄能力で効果的に除去できる。
【００４１】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、さらに様々な変形が可能である。
【００４２】
例えば、上記実施形態では、基板に正の帯電現象を発生させる２流体スプレーノズル２４の基板搬送方向上流側および下流側に、２流体スプレーノズルに近接して負の帯電現象を発生させるＰＶＤＦ製のノズル部を備えた２つのスプレーノズル３６、３８をそれぞれ配設し、正負両極性の帯電量を相殺して基板Ｗの電位を中和するように構成したが、図２に示すように、２流体スプレーノズル２４の基板搬送方向下流側にこれと近接してスプレーノズル３８のみを配置しても良い。図２は、本発明の実施形態の第１の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。この場合、スプレーノズル３８（ノズル部３８ｂ）によって発生する基板Ｗの負の帯電量は、２流体スプレーノズル２４（ノズル部２４ｂ）によって基板Ｗに発生する正の帯電量と絶対量として等しくなるように調節される。
【００４３】
また、図３に示すように、２流体スプレーノズル２４の基板搬送方向上流側および下流側に配設された２つのスプレーノズル３６、３８に加えて、スプレーノズル３８の基板搬送方向下流側に、ＰＶＤＦ製のノズル部４２ｂが形設され基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部４２ａを有するもう１つのスプレーノズル４２を配設し、各スプレーノズル３６、３８、４２（ノズル部３６ｂ、３８ｂ、４２ｂ）によって基板Ｗに発生する正の帯電量の総量が、絶対量として２流体スプレーノズル２４（ノズル部２４ｂ）によって基板Ｗに発生する正の帯電量と等しくなるようにしてもよい。図３は、本発明の実施形態の第２の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。
【００４４】
さらにまた、図４に示すように、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部５０ａに、その長手方向に沿って一列に互いに近接して、複数のＳＵＳ製のノズル部５０ｂ１と複数のＰＶＤＦ製のノズル部５０ｂ２とをそれぞれ一つずつ交互に形設して２流体スプレーノズル５０を構成しても良い。図４は、本発明の実施形態の第３の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。この場合も、複数のＳＵＳ製のノズル部５０ｂ１によって基板Ｗに発生する正の帯電量の総量が、複数のＰＶＤＦ製のノズル部５０ｂ２によって基板Ｗに発生する負の帯電量と、絶対量として等しくなって両極性の帯電量が相殺されるように設定すればよい。この図４図示の変形例では、スプレーパイプ部の部品点数を低減することができる。
【００４５】
また、図５に示すように、複数のＳＵＳ製のノズル部５０ｂ１と複数のＰＶＤＦ製のノズル部５０ｂ２とをそれぞれ一つずつ交互に形設して２流体スプレーノズル５０を構成する代わりに、２つのＳＵＳ製のノズル部５０ｂ１の間に、複数の、例えば２つのＰＶＤＦ製のノズル部５０ｂ２を連設して２流体スプレーノズル５０を構成しても良い。図５は、本発明の実施形態の第４の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。この場合も、複数のＳＵＳ製のノズル部５０ｂ１によって基板Ｗに発生する正の帯電量の総量が、複数のＰＶＤＦ製のノズル部５０ｂ２によって基板Ｗに発生する負の帯電量と、絶対量として等しくなって両極性の帯電量が相殺されるように設定すればよい。この図５図示の変形例でも、スプレーパイプ部の部品点数を低減することができる。
【００４６】
また、上記実施形態および変形例では、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部の長手方向に沿って形設されたＳＵＳ製の複数のノズル部、を有する２流体スプレーノズルを用いて、その複数のノズル部の吐出口からそれぞれエアー等の気体の圧力で純水をミスト化して基板Ｗの上面に吐出することにより基板上面に付着するパーティクル等を洗浄除去する洗浄処理装置について説明したが、２流体スプレーノズルを用いる代わりに、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部の長手方向に沿って形設されたＳＵＳ製の複数のノズル部を有する高圧スプレーノズルを用いて、その複数のノズル部の吐出口から純水のみの１流体を基板に対して高速で吐出する高圧スプレーノズルを備えた基板洗浄処理装置にも適用できる。
【００４７】
また、２流体スプレーノズルや高圧スプレーノズルのノズル部の材質としては、ＳＵＳ製に限らず、ＰＶＣ、ＰＰなど、純水を高速で吐出することにより基板Ｗに正帯電を発生させる材質のノズル部を有するスプレーノズルを備えた基板洗浄処理装置にも適用できる。
【００４８】
さらに、純水吐出に伴って基板に負の帯電を発生させるノズル部の材質としては、ＰＶＤＦに限らず、他の、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素系樹脂でもよい。
【符号の説明】
【００４９】
２０ 直水洗室（新水水洗処理部）
２２ 純水タンク
２４、５０ ２流体スプレーノズル
２４ａ、３６ａ、３８ａ、４２ａ、５０ａ スプレーパイプ部
２４ｂ 、３６ｂ、３８ｂ、４２ｂ、５０ｂ１、５０ｂ２ ノズル部
２６ 上部スプレーノズル
２８ 下部スプレーノズル
３０、３２ 純水供給路
３４ 高圧送液ポンプ
３６、３８、４２ スプレーノズル
２００、３００ 基板洗浄処理装置
Ｗ 基板
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）用、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）用、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）用、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）用、真空蛍光ディスプレイ（ＶＦＤ）用、太陽電池パネル用等のガラス基板、磁気／光ディスク用のガラス／セラミック基板、半導体ウエハ、電子デバイス基板等の各種の基板に対して、洗浄処理を行う基板洗浄処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＣＤ、ＰＤＰ等のデバイスの製造プロセスにおいて、基板の主面へ各種薬液を供給してレジスト剥離処理、エッチング処理等の薬液処理を行った後に、基板を水洗処理する場合、置換水洗室と水洗室と直水洗室（新水水洗処理部）とを設置し、まず、置換水洗室において、薬液処理直後の基板の主面へ洗浄水を供給して基板上の薬液を洗浄水で置換した後、水洗室において、直水洗室で使用された水を循環水タンクに回収してそれを洗浄水として使用し、主面上の薬液が洗浄水で置換された基板を水洗処理し、最後に、直水洗室において基板の主面へ純水を供給して基板を仕上げ水洗する装置が使用されている（特許文献１参照）。
【０００３】
この直水洗室内において、仕上げ水洗効果を高めるため、気体及び液体からなる２流体を基板に対して吐出する２流体スプレーノズル等の高圧スプレーノズルが設けられる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２８４３７９号公報（第３−４頁、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図６に、従来の基板洗浄装置の概略構成の１例を示す。図６は、基板洗浄処理装置３００を模式的に示したものである。
【０００６】
この基板洗浄処理装置３００は、直水洗室（新水水洗処理部）２０と、この直水洗室２０内へ搬入されてきた基板Ｗを直水洗室２０内において水平方向へ搬送する複数の搬送ローラ（図示せず）と、直水洗室２０内において水平方向へ搬送される基板Ｗの上面へ気体の圧力で純水をミスト化して吐出する２流体スプレーノズル２４と、基板Ｗの上・下両面へそれぞれ純水を吐出する上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８と、純水を貯留する純水タンク２２と、純水タンク２２の底部に介設された高圧送液ポンプ３４とを備えている。
【０００７】
２流体スプレーノズル２４は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部２４ａに、その長手方向に沿って一列に互いに近接してＳＵＳ（ステンレス鋼）製の複数のノズル部２４ｂが形設され、その各ノズル部２４ｂの吐出口からそれぞれエアー等の気体の圧力で純水をミスト化して基板Ｗの上面に吐出する。このスプレーノズル２４のスプレーパイプ部２４ａには、高圧送液ポンプ３４に流路接続された純水供給路３０が連通接続されるとともに、エアー供給源に流路接続されたエアー供給路４０が連通接続される。
【０００８】
上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８は、基板搬送方向に沿ってかつ互いに平行にそれぞれ複数本設けられ、各スプレーノズル２６、２８には、基板搬送方向に複数個のノズル部が一列に形設されている。上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８には、純水供給源に流路接続された純水供給路３２がそれぞれ連通接続されている。
【０００９】
高圧送液ポンプ３４は、純水タンク２２に貯留された純水を純水供給路３０を介して２流体スプレーノズル２４へ高圧で送液する。
【００１０】
従来の基板洗浄処理装置では、スプレーパイプ２４ａに形設されたＳＵＳ製の複数のノズル部２４ｂの吐出口からそれぞれ、気体と純水とが混合されて微小な水粒子が高速で基板上面に吐出されることにより、基板上面に付着するパーティクル等を高い洗浄能力で効果的に除去できるが、基板Ｗを正に帯電させ、場合によっては基板上に成膜されたトランジスタ素子等を破壊してしまうことがある。このトランジスタ素子等の静電破壊の原因につながる基板Ｗの正帯電現象は、２流体スプレーノズルに限らず洗浄用の高圧スプレーノズルのノズル部として特定の材質を選択し、当該ノズル部の吐出口から基板Ｗの上面に比抵抗値が高い液体である純水を高速で吐出する場合に発生することが本願発明者の実験により確認された。
【００１１】
図７は、２流体スプレーノズルのスプレーパイプ部や純水のみの１流体を吐出する高圧スプレーノズルのスプレーパイプ部に形設すべきノズル部として種々の材質を選択し、それぞれのノズル部から、基板の上面に純水を高速で吐出した場合に基板Ｗに発生する帯電量について、本願発明者によって行われた実験結果に関するグラフをそれぞれ示す図である。
【００１２】
図７において、縦軸はノズル部の材質の種類、横軸は帯電量（Ｖ）を示し、グラフＡ〜Ｃは、ノズル部の材質としてＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）を、Ｄ〜ＦはＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）を、ＧおよびＨはＰＰ（ポリプロピレン）を、Ｉ〜ＫはＳＵＳを、それぞれ選択した場合の帯電量を示す。高圧送液ポンプによる純水のスプレーノズルへの送液圧力に関しては、グラフＡ〜Ｃでは０．８５ＭＰａ、グラフＤ〜Ｈでは０．９２ＭＰａ、Ｉ〜Ｋでは０．９５ＭＰａをそれぞれ設定し、また、吐出される純水の比抵抗値に関しては、グラフＡでは５．０ＭΩ・ｃｍ、グラフＢでは４．４ＭΩ・ｃｍ、グラフＣでは、３．７ＭΩ・ｃｍ、グラフＤでは４．６ＭΩ・ｃｍ、グラフＥでは４．４ＭΩ・ｃｍ、グラフＦでは３．６ＭΩ・ｃｍ、グラフＧでは４．８ＭΩ・ｃｍ、グラフＨおよびＪでは４．１ＭΩ・ｃｍ、グラフＩでは、５．８ＭΩ・ｃｍ、グラフＫでは３．５ＭΩ・ｃｍの純水を使用した場合の結果をそれぞれ示している。
【００１３】
なお、各ノズル部の吐出口から基板上面までの距離については、Ａ〜Ｋのいずれも５０ｍｍに設定した。
【００１４】
図７から明らかなとおり、スプレーノズルのノズル部の材質としてＳＵＳを選択したグラフＩ〜Ｋは、大きな正の帯電量を示している。一方、スプレーノズルのノズル部の材質としてＰＶＤＦを選択したグラフＡ〜Ｃは、負の帯電量を示している。
【００１５】
したがって、従来から、ＳＵＳ製のノズル部を有する２流体スプレーノズルや高圧スプレーノズルから高圧で純水を吐出する場合には、高い洗浄能力を維持しかつ基板上に成膜されたトランジスタ素子等の静電破壊を防止するために、二酸化炭素等の不純物を純水に混入して純水の比抵抗値を低下させたり、あるいはまた、高圧送液ポンプによるスプレーノズルからの純水吐出圧を下げたりする必要があり、煩瑣な作業が付随していた。
【００１６】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、気体及び液体からなる２流体を基板に対して吐出する２流体スプレーノズルや純水のみの１流体を基板に対して吐出する高圧スプレーノズルを用いて基板を洗浄処理する場合に、高い洗浄能力を維持し煩瑣な作業を伴うことなく、しかも基板上に成膜されたトランジスタ素子等の静電破壊を引き起こすことなく効果的な洗浄処理を行うことができる基板洗浄処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
請求項１に係る発明は、基板に対して水洗処理を行う新水水洗処理部と、前記新水水洗処理部内に配設されて基板を前記新水水洗処理部内において水平方向へ搬送する基板搬送手段と、前記新水水洗処理部内に配設され、前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ高速で純水を吐出する第１純水吐出手段と、前記新水水洗処理部内において前記第１純水吐出手段に近接して配設され、前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ純水を吐出する第２純水吐出手段と、純水を貯留する純水タンクと、前記純水タンクに貯留された純水を前記第１および第２純水吐出手段へ供給する送液ポンプと、を備えた基板洗浄処理装置であって、前記第１純水吐出手段は、前記送液ポンプによって供給される純水を基板の主面に高速で吐出することにより基板を正に帯電させ、前記第２純水吐出手段は、前記送液ポンプによって供給される純水を基板の主面に吐出することにより基板を負に帯電させて、前記第１純水吐出手段からの純水の吐出により発生した基板の正の帯電を相殺して基板の電位を中和することを特徴とする。
【００１８】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部によって構成されることを特徴とする。
【００１９】
請求項３に係る発明は、請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、前記第２純水吐出手段は、前記第１純水吐出手段の基板搬送方向下流側において前記第１純水吐出手段に近接して配設されかつ基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に、当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部によって構成されることを特徴とする。
【００２０】
請求項４に係る発明は、請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、前記第１および第２純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列にそれぞれ一つずつ交互に近接して形設される複数のノズル部によって構成されることを特徴とする。
【００２１】
請求項５に係る発明は、請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って形設される複数のノズル部によって構成され、前記第２純水吐出手段は、前記スプレーパイプ部の長手方向に沿って、前記第１純水吐出手段を構成する前記複数のノズル部の２つの間に少なくとも２つ連設して形設されるノズル部を含む複数のノズル部によって構成されることを特徴とする。
【００２２】
請求項６に係る発明は、請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置され前記送液ポンプから純水が供給されるとともに気体供給源から気体が供給される２流体スプレーノズルのスプレーパイプ部に、当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部、によって構成され、当該複数のノズル部の吐出口からそれぞれ気体の圧力で純水をミスト化して基板の主面に吐出することを特徴とする。
【００２３】
請求項７に係る発明は、請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置され前記送液ポンプから純水が供給される高圧スプレーノズルのスプレーパイプ部に、当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部によって構成され、当該複数のノズル部の吐出口から純水のみの１流体を高速で基板の主面に吐出することを特徴とする。
【００２４】
請求項８に係る発明は、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板洗浄処理装置において、前記第１純水吐出手段を構成する複数のノズル部の材質は、ＰＶＣ、ＰＰおよびＳＵＳから成るグループから選ばれた１つであることを特徴とする。
【００２５】
請求項９に係る発明は、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板洗浄処理装置において、前記第２純水吐出手段を構成する複数のノズル部の材質は、ＳＵＳであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
請求項１ないし請求項３ならびに請求項６ないし請求項９に係る発明の基板処理装置においては、送液タンクから供給された純水が第１純水吐出手段によって基板の主面に高速で吐出されることにより、基板が正に帯電されるが、第１純水吐出手段に近接して配設された第２純水吐出手段によって純水が基板の主面に吐出されることにより、基板が負に帯電され、第１純水吐出手段からの純水の吐出により発生した基板の正の帯電が相殺されて結果として基板の電位が中和される。したがって、二酸化炭素等の不純物を純水に混入して純水の比抵抗値を低下させたり、送液ポンプによる第１純水吐出手段からの純水吐出圧を下げたりするといったような煩瑣な作業を必要とせずに、高い洗浄能力を維持しつつしかも基板上に成膜されたトランジスタ素子等の静電破壊を引き起こすことなく効果的な洗浄処理を行うことができる。
【００２７】
請求項４および請求項５に係る発明の基板洗浄処理装置においては、上記の効果に加えて、第１および第２純水吐出手段の両方が、基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って形設される複数のノズル部によって構成されるので、スプレーパイプ部の部品点数を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態に係る基板洗浄処理装置２００を模式的に示す概略構成図である。
【図２】本発明の実施形態の第１の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。
【図３】本発明の実施形態の第２の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。
【図４】本発明の実施形態の第３の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。
【図５】本発明の実施形態の第４の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。
【図６】従来の基板洗浄処理装置３００を模式的に示した概略構成図である。
【図７】ノズル部の材質と帯電量との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３０】
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置２００を模式的に示したものである。なお、図６において示した構成要素および部材と同一または対応する構成要素および部材については、図１においても同一の符号を使用する。
【００３１】
この基板洗浄処理装置２００は、直水洗室（新水水洗処理部）２０と、この直水洗室２０内へ搬入されてきた基板Ｗを直水洗室２０内において水平方向へ搬送する複数の搬送ローラ（図示せず）と、直水洗室２０内において水平方向へ搬送される基板Ｗの上面へ気体の圧力で純水をミスト化して吐出する２流体スプレーノズル２４と、この２流体スプレーノズル２４の基板搬送方向における上流側および下流側において２流体スプレーノズル２４と近接してそれぞれ配設されたスプレーノズル３６、３８と、基板Ｗの上・下両面へそれぞれ純水を吐出する上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８と、純水を貯留する純水タンク２２と、純水タンク２２の底部に介設された高圧送液ポンプ３４とを備えている。
【００３２】
２流体スプレーノズル２４は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部２４ａに、その長手方向に沿って一列に互いに近接してＳＵＳ製の複数のノズル部２４ｂが形設され、その各ノズル部２４ｂの吐出口からそれぞれエアー等の気体の圧力で純水をミスト化して基板Ｗの上面に吐出する。
【００３３】
このスプレーノズル２４のスプレーパイプ部２４ａには、高圧送液ポンプ３４に流路接続された純水供給路３０が連通接続されるとともに、エアー供給源に流路接続されたエアー供給路４０が連通接続される。純水供給路３０には、スプレーパイプ部２４ａへ供給される純水の流量調節用バルブ（図示せず）が設けられている。２流体スプレーノズル２４は、例えば、そのノズル部２４ｂの吐出口から基板Ｗの上面までの距離が１０ｍｍ〜１００ｍｍとなるような高さ位置に設置され、複数のノズル部２４ｂは、例えば２０ｍｍ〜１００ｍｍのピッチで設けられる。この２流体スプレーノズル２４は、基板Ｗの上面と平行に、かつ、基板搬送方向に対して直交するように配置される。このノズル部２４ｂの吐出口からは、搬送される基板Ｗの上面へ高圧送液ポンプ３４により高圧、例えば０．４ＭＰａの圧力の純水が基板Ｗの幅方向全体にわたって吐出される。
【００３４】
スプレーノズル３６、３８には、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部３６ａ、３８ａに、その長手方向に沿って一列に互いに近接してＰＶＤＦ製の複数のノズル部３６ｂ、３８ｂがそれぞれ形設され、その各ノズル部３６ｂ、３８ｂの吐出口からそれぞれ扇状に純水が吐出される。このスプレーノズル３６、３８のスプレーパイプ部３６ａ、３８ａは、純水供給路３０が連通接続され、純水供給路３０には、スプレーパイプ部３６ａ、３８ａへ供給されるそれぞれの純水の流量調節用バルブ（図示せず）が設けられている。スプレーノズル３６、３８は、例えば、そのノズル部３６ｂ、３８ｂの吐出口から基板Ｗの上面までの距離が１０ｍｍ〜３００ｍｍとなるような高さ位置に設置され、複数のノズル部３６ｂ、３８ｂは、例えば２０ｍｍ〜２００ｍｍのピッチで設けられる。
【００３５】
このようなスプレーノズル３６、３８は、基板Ｗの上面と平行に、かつ、基板搬送方向に対して直交するように配置される。このノズル部３６ｂ、３８ｂの吐出口からは、搬送される基板Ｗの上面へ高圧送液ポンプ３４により高圧、例えば０．８５ＭＰａの圧力の純水が基板Ｗの幅方向全体にわたって吐出される。
【００３６】
上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８は、基板搬送方向に沿ってかつ互いに平行にそれぞれ複数本設けられ、各スプレーノズル２６、２８には、基板搬送方向に複数個のノズル部が一列に形設されている。上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８には、純水供給源に流路接続された純水供給路３２がそれぞれ連通接続されている。
【００３７】
高圧送液ポンプ３４は、純水タンク２２に貯留された純水を、純水供給路３０を介して２流体スプレーノズル２４、スプレーノズル３６、３８へ送液する。
【００３８】
上記した構成を備えた基板洗浄処理装置２００では、直水洗室２０内へ搬入されてきた基板Ｗは、搬送ローラにより直水洗室２０内において水平方向へ搬送されながら、スプレーノズル３６のスプレーパイプ部３６ａに形設されたＰＶＤＦ製のノズル部３６ｂから純水が基板上面に吐出され、次に、２流体スプレーノズル２４のスプレーパイプ部２４ａに形設されたＳＵＳ製の複数のノズル部２４ｂの吐出口からそれぞれ、気体と純水とが混合された微小な水粒子が高速で基板上面に吐出され、さらにスプレーノズル３８のスプレーパイプ部３８ａに形設されたＰＶＤＦ製のノズル部３８ｂから純水が基板上面に吐出され、最後に上部スプレーノズル２６および下部スプレーノズル２８の各ノズル部から純水が基板上面に吐出されることにより基板Ｗの仕上げ水洗が行われる。
【００３９】
ここで、図７に示されるように、基板Ｗでは、ＳＵＳ製のノズル部２４ｂからの微小水粒子吐出により正帯電が、ＰＶＤＦ製のノズル部３６ｂ、３８ｂからの純水吐出によりこれとは逆極性の負帯電が、それぞれ発生する。したがって、正負両極性の帯電量が相殺されるようにそれぞれの発生帯電量を調節することにより、結果として基板Ｗの電位を中和することができる。この発生帯電量の調節は、設定された高圧送液ポンプ３４による送液圧力に加えて、各ノズル部２４ｂ、３６ｂ、３８ｂの吐出口から基板Ｗの上面までの距離の調節、純水供給路３０に設けられた各流量調節用バルブの調節等により行う。
【００４０】
このように、ＳＵＳ製のノズル部２４ｂを備えた２流体スプレーノズル２４を用いても、基板Ｗの電位が中和されることにより、成膜されたトランジスタ素子等の静電破壊を引き起こすことなく、基板上面に付着するパーティクル等を高い洗浄能力で効果的に除去できる。
【００４１】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、さらに様々な変形が可能である。
【００４２】
例えば、上記実施形態では、基板に正の帯電現象を発生させる２流体スプレーノズル２４の基板搬送方向上流側および下流側に、２流体スプレーノズルに近接して負の帯電現象を発生させるＰＶＤＦ製のノズル部を備えた２つのスプレーノズル３６、３８をそれぞれ配設し、正負両極性の帯電量を相殺して基板Ｗの電位を中和するように構成したが、図２に示すように、２流体スプレーノズル２４の基板搬送方向下流側にこれと近接してスプレーノズル３８のみを配置しても良い。図２は、本発明の実施形態の第１の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。この場合、スプレーノズル３８（ノズル部３８ｂ）によって発生する基板Ｗの負の帯電量は、２流体スプレーノズル２４（ノズル部２４ｂ）によって基板Ｗに発生する正の帯電量と絶対量として等しくなるように調節される。
【００４３】
また、図３に示すように、２流体スプレーノズル２４の基板搬送方向上流側および下流側に配設された２つのスプレーノズル３６、３８に加えて、スプレーノズル３８の基板搬送方向下流側に、ＰＶＤＦ製のノズル部４２ｂが形設され基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部４２ａを有するもう１つのスプレーノズル４２を配設し、各スプレーノズル３６、３８、４２（ノズル部３６ｂ、３８ｂ、４２ｂ）によって基板Ｗに発生する正の帯電量の総量が、絶対量として２流体スプレーノズル２４（ノズル部２４ｂ）によって基板Ｗに発生する正の帯電量と等しくなるようにしてもよい。図３は、本発明の実施形態の第２の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。
【００４４】
さらにまた、図４に示すように、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部５０ａに、その長手方向に沿って一列に互いに近接して、複数のＳＵＳ製のノズル部５０ｂ１と複数のＰＶＤＦ製のノズル部５０ｂ２とをそれぞれ一つずつ交互に形設して２流体スプレーノズル５０を構成しても良い。図４は、本発明の実施形態の第３の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。この場合も、複数のＳＵＳ製のノズル部５０ｂ１によって基板Ｗに発生する正の帯電量の総量が、複数のＰＶＤＦ製のノズル部５０ｂ２によって基板Ｗに発生する負の帯電量と、絶対量として等しくなって両極性の帯電量が相殺されるように設定すればよい。この図４図示の変形例では、スプレーパイプ部の部品点数を低減することができる。
【００４５】
また、図５に示すように、複数のＳＵＳ製のノズル部５０ｂ１と複数のＰＶＤＦ製のノズル部５０ｂ２とをそれぞれ一つずつ交互に形設して２流体スプレーノズル５０を構成する代わりに、２つのＳＵＳ製のノズル部５０ｂ１の間に、複数の、例えば２つのＰＶＤＦ製のノズル部５０ｂ２を連設して２流体スプレーノズル５０を構成しても良い。図５は、本発明の実施形態の第４の変形例に係る基板洗浄処理装置の要部を模式的に示す図である。この場合も、複数のＳＵＳ製のノズル部５０ｂ１によって基板Ｗに発生する正の帯電量の総量が、複数のＰＶＤＦ製のノズル部５０ｂ２によって基板Ｗに発生する負の帯電量と、絶対量として等しくなって両極性の帯電量が相殺されるように設定すればよい。この図５図示の変形例でも、スプレーパイプ部の部品点数を低減することができる。
【００４６】
また、上記実施形態および変形例では、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部の長手方向に沿って形設されたＳＵＳ製の複数のノズル部、を有する２流体スプレーノズルを用いて、その複数のノズル部の吐出口からそれぞれエアー等の気体の圧力で純水をミスト化して基板Ｗの上面に吐出することにより基板上面に付着するパーティクル等を洗浄除去する洗浄処理装置について説明したが、２流体スプレーノズルを用いる代わりに、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部の長手方向に沿って形設されたＳＵＳ製の複数のノズル部を有する高圧スプレーノズルを用いて、その複数のノズル部の吐出口から純水のみの１流体を基板に対して高速で吐出する高圧スプレーノズルを備えた基板洗浄処理装置にも適用できる。
【００４７】
また、２流体スプレーノズルや高圧スプレーノズルのノズル部の材質としては、ＳＵＳ製に限らず、ＰＶＣ、ＰＰなど、純水を高速で吐出することにより基板Ｗに正帯電を発生させる材質のノズル部を有するスプレーノズルを備えた基板洗浄処理装置にも適用できる。
【００４８】
さらに、純水吐出に伴って基板に負の帯電を発生させるノズル部の材質としては、ＰＶＤＦに限らず、他の、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素系樹脂でもよい。
【符号の説明】
【００４９】
２０ 直水洗室（新水水洗処理部）
２２ 純水タンク
２４、５０ ２流体スプレーノズル
２４ａ、３６ａ、３８ａ、４２ａ、５０ａ スプレーパイプ部
２４ｂ 、３６ｂ、３８ｂ、４２ｂ、５０ｂ１、５０ｂ２ ノズル部
２６ 上部スプレーノズル
２８ 下部スプレーノズル
３０、３２ 純水供給路
３４ 高圧送液ポンプ
３６、３８、４２ スプレーノズル
２００、３００ 基板洗浄処理装置
Ｗ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して水洗処理を行う新水水洗処理部と、
前記新水水洗処理部内に配設されて基板を前記新水水洗処理部内において水平方向へ搬送する基板搬送手段と、
前記新水水洗処理部内に配設され、前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ高速で純水を吐出する第１純水吐出手段と、
前記新水水洗処理部内において前記第１純水吐出手段に近接して配設され、前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ純水を吐出する第２純水吐出手段と、
純水を貯留する純水タンクと、
前記純水タンクに貯留された純水を前記第１および第２純水吐出手段へ供給する送液ポンプと、
を備えた基板洗浄処理装置であって、
前記第１純水吐出手段は、前記送液ポンプによって供給される純水を基板の主面に高速で吐出することにより基板を正に帯電させ、
前記第２純水吐出手段は、前記送液ポンプによって供給される純水を基板の主面に吐出することにより基板を負に帯電させて、前記第１純水吐出手段からの純水の吐出により発生した基板の正の帯電を相殺して基板の電位を中和することを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、
前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部によって構成されることを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、
前記第２純水吐出手段は、前記第１純水吐出手段の基板搬送方向下流側において前記第１純水吐出手段に近接して配設されかつ基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に、当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部によって構成されることを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、
前記第１および第２純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列にそれぞれ一つずつ交互に近接して形設される複数のノズル部によって構成されることを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、
前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って形設される複数のノズル部によって構成され、
前記第２純水吐出手段は、前記スプレーパイプ部の長手方向に沿って、前記第１純水吐出手段を構成する前記複数のノズル部の２つの間に少なくとも２つ連設して形設されるノズル部を含む複数のノズル部によって構成されることを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、
前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置され前記送液ポンプから純水が供給されるとともに気体供給源から気体が供給される２流体スプレーノズルのスプレーパイプ部に、当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部、によって構成され、当該複数のノズル部の吐出口からそれぞれ気体の圧力で純水をミスト化して基板の主面に吐出することを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項７】
請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、
前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置され前記送液ポンプから純水が供給される高圧スプレーノズルのスプレーパイプ部に、当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部、によって構成され、当該複数のノズル部の吐出口から純水のみの１流体を高速で基板の主面に吐出することを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板洗浄処理装置において、
前記第１純水吐出手段を構成する複数のノズル部の材質は、ＰＶＣ、ＰＰおよびＳＵＳから成るグループから選ばれた１つであることを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板洗浄処理装置において、
前記第２純水吐出手段を構成する複数のノズル部の材質は、ＳＵＳであることを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項１】
基板に対して水洗処理を行う新水水洗処理部と、
前記新水水洗処理部内に配設されて基板を前記新水水洗処理部内において水平方向へ搬送する基板搬送手段と、
前記新水水洗処理部内に配設され、前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ高速で純水を吐出する第１純水吐出手段と、
前記新水水洗処理部内において前記第１純水吐出手段に近接して配設され、前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ純水を吐出する第２純水吐出手段と、
純水を貯留する純水タンクと、
前記純水タンクに貯留された純水を前記第１および第２純水吐出手段へ供給する送液ポンプと、
を備えた基板洗浄処理装置であって、
前記第１純水吐出手段は、前記送液ポンプによって供給される純水を基板の主面に高速で吐出することにより基板を正に帯電させ、
前記第２純水吐出手段は、前記送液ポンプによって供給される純水を基板の主面に吐出することにより基板を負に帯電させて、前記第１純水吐出手段からの純水の吐出により発生した基板の正の帯電を相殺して基板の電位を中和することを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、
前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置されるスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部によって構成されることを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、
前記第２純水吐出手段は、前記第１純水吐出手段の基板搬送方向下流側において前記第１純水吐出手段に近接して配設されかつ基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に、当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部によって構成されることを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、
前記第１および第２純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列にそれぞれ一つずつ交互に近接して形設される複数のノズル部によって構成されることを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、
前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置される少なくとも１本のスプレーパイプ部に当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って形設される複数のノズル部によって構成され、
前記第２純水吐出手段は、前記スプレーパイプ部の長手方向に沿って、前記第１純水吐出手段を構成する前記複数のノズル部の２つの間に少なくとも２つ連設して形設されるノズル部を含む複数のノズル部によって構成されることを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、
前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置され前記送液ポンプから純水が供給されるとともに気体供給源から気体が供給される２流体スプレーノズルのスプレーパイプ部に、当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部、によって構成され、当該複数のノズル部の吐出口からそれぞれ気体の圧力で純水をミスト化して基板の主面に吐出することを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項７】
請求項１に記載の基板洗浄処理装置において、
前記第１純水吐出手段は、基板搬送方向に対して交差する方向に配置され前記送液ポンプから純水が供給される高圧スプレーノズルのスプレーパイプ部に、当該スプレーパイプ部の長手方向に沿って一列に互いに近接して形設される複数のノズル部、によって構成され、当該複数のノズル部の吐出口から純水のみの１流体を高速で基板の主面に吐出することを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板洗浄処理装置において、
前記第１純水吐出手段を構成する複数のノズル部の材質は、ＰＶＣ、ＰＰおよびＳＵＳから成るグループから選ばれた１つであることを特徴とする基板洗浄処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の基板洗浄処理装置において、
前記第２純水吐出手段を構成する複数のノズル部の材質は、ＳＵＳであることを特徴とする基板洗浄処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−１４３３２０（Ｐ２０１１−１４３３２０Ａ）
【公開日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−３５７４（Ｐ２０１０−３５７４）
【出願日】平成２２年１月１２日（２０１０．１．１２）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月１２日（２０１０．１．１２）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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