平板表示装置および有機電界発光表示装置
【課題】Ｒ，Ｇ，Ｂ画素別に画素電極の下部に形成された絶縁膜を選択的に除去することにより，色座標変形を防止しかつ消費電力を減少させることが可能な有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機電界発光表示装置は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極と，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ駆動するためのＲ，Ｇ，Ｂ駆動素子と，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ駆動素子と前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極との間に形成される絶縁膜とを含み，前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つを除いた基板上に形成される。
【解決手段】有機電界発光表示装置は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極と，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ駆動するためのＲ，Ｇ，Ｂ駆動素子と，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ駆動素子と前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極との間に形成される絶縁膜とを含み，前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つを除いた基板上に形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，平板表示装置に係り，より具体的には，画素電極の下部に形成される絶縁膜がＲ，Ｇ，Ｂ画素別に選択的に形成された有機電界発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光表示装置は基板上に多数の画素がマトリックス状に配列され，各画素はＲ，Ｇ，Ｂ単位画素を備える。各Ｒ，Ｇ，Ｂ単位画素は，アノード電極，カソード電極，及びアノード電極とカソード電極との間に形成される発光層を含むＥＬ素子と，前記ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタとを備える。前記アノード電極と前記カソード電極に印加される電圧を応じて，発光層から発光した光が基板方向または基板反対方向に放出されて画像を表示する。
【０００３】
一般に，有機発光層から発光した光が基板方向に放出される背面発光型有機電界発光表示装置において，有機発光層から発光する光は，有機発光層の下部に存在する，保護膜，層間絶縁膜，ゲート絶縁膜及びバッファ層のような絶縁膜を介して基板に放出される。したがって，有機発光層から基板へ放出される光の色座標が不均一である。
【０００４】
通常，薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いるアクティブマトリックス有機電界発光表示装置は多数の画素が基板上にマトリックス状に配列され，各画素はＲ，Ｇ，Ｂ画素を備える。各Ｒ，Ｇ，Ｇ画素は少なくとも２つの薄膜トランジスタ，例えば一つのスイッチング薄膜トランジスタ及び一つの駆動薄膜トランジスタと，一つのキャパシタ及び有機電界発光素子ＥＬを備える。
【０００５】
図１は従来の薄膜トランジスタを備えた有機電界発光表示装置の断面図である。図１は，有機電界発光表示装置において，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素の中の有機電界発光素子と，有機電界発光素子を駆動するための駆動薄膜トランジスタに限定して示した。
【０００６】
図１を参照すると，基板１００は，Ｒ画素領域１００Ｒ，Ｇ画素領域１００Ｇ及びＢ画素領域１００Ｂを備える。Ｒ画素領域１００Ｒ上にはＲ画素１０Ｒが形成され，Ｇ画素領域１００Ｇ上にはＧ画素１０Ｇが形成され，Ｂ領域１００Ｂ上にはＢ画素１０Ｂが形成される。
【０００７】
Ｒ画素１０ＲはＲ_ＥＬ素子と，Ｒ_ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタとを備える。前記Ｒ画素１０Ｒの薄膜トランジスタは，バッファ１０５上に形成され，ソース／ドレイン領域１１２，１１３を備えた半導体層１１１と，ゲート絶縁膜１２０上に形成されたゲート電極１２１と，層間絶縁膜１３０上に形成され，コンタクトホール１３２，１３３を介して前記ソース／ドレイン領域１１２，１１３に連結されるソース／ドレイン電極１４２，１４３とを備える。
【０００８】
前記Ｒ_ＥＬ素子は，保護膜１５０上に形成され，前記ソース／ドレイン電極１４２，１４３の中のドレイン電極１４３とビアホール１５１を介して連結される画素電極のアノード電極１６１と，画素分離膜１７０の開口部１７１を介して露出するアノード電極１６１上に形成された有機膜層１８１と，基板の全面に形成されたカソード電極１９０とを備える。
【０００９】
Ｇ画素１０Ｇは，Ｇ_ＥＬ素子と，Ｇ_ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタとを備える。前記Ｇ画素１０Ｇの薄膜トランジスタは，バッファ層１０５上に形成され，ソース／ドレイン領域１１５，１１６を備えた半導体層１１４と，ゲート絶縁膜１２０上に形成されたゲート電極１２４と，層間絶縁膜１３０上に形成され，コンタクトホール１３５，１３６を介して前記ソース／ドレイン領域１１５，１１６に連結されるソース／ドレイン電極１４５，１４６とを備える。
【００１０】
前記Ｇ_ＥＬ素子は，保護層１５０上に形成され，前記ソース／ドレイン電極１４５，１４６の中のドレイン電極１４６とビアホール１５４を介して連結される画素電極のアノード電極１６４と，画素分離膜１７０の開口部１７４を介して露出するアノード電極１６４上に形成された有機膜層１８４と，基板の全面に形成されたカソード電極１９０とを備える。
【００１１】
Ｂ画素１０Ｂは，Ｂ_ＥＬ素子と，Ｂ_ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタとを備える。前記Ｂ画素１０Ｂの薄膜トランジスタは，バッファ層１０５上に形成され，ソース／ドレイン領域１１８，１１９を備えた半導体層１１７と，ゲート絶縁膜１２０上に形成されたゲート電極１２７と，層間絶縁膜１３０上に形成され，コンタクトホール１３８，１３９を介して前記ソース／ドレイン領域１１８，１１９に連結されるソース／ドレイン電極１４８，１４９とを備える。
【００１２】
前記Ｂ_ＥＬ素子は，保護膜１５０上に形成され，前記ソース／ドレイン電極１４８，１４９の中のドレイン電極１４９とビアホール１５７を介して連結される画素電極のアノード電極１６７と，画素分離膜１７０の開口部１７７を介して露出するアノード電極１６７上に形成された有機膜層１８７と，基板の全面に形成されたカソード電極１９０とを備える。
【００１３】
前記のような構成を有する従来の有機電界発光表示装置は，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各画素電極１６１，１６４及び１６７の下部に保護膜１５０が形成されるが，前記保護膜１５０は基板の全面にわたって均一な厚さを持つように形成される。
【００１４】
前記有機電界発光表示装置のように保護膜１５０が基板の全面に均一に形成される場合には，Ｂ色の色座標が悪くて色面積が良くない。一方，保護膜１５０が形成されない場合には，Ｂ色の色座標は良くなるが，Ｇ色の色座標は悪くなってあまり色面積が増加しないという問題点があった。
【００１５】
特許文献１は，有機発光層から発光する光の光学特性を向上させるための有機電界発光表示装置を開示した。前記有機電界発光表示装置は，基板上にマトリックス状に配列された多数の画素を備える。前記基板は，表示素子のＥＬ素子が配列される開口領域と，前記ＥＬ素子を駆動するためのＴＦＴが配列される非開口領域とを含む。画素電極の下部に配列される絶縁膜，例えばゲート絶縁膜と層間絶縁膜の光放出領域の開口領域に対応する部分を除去して開口領域における屈折率を基板の屈折率に近接させることにより，開口領域における光学特性を向上させた。
【００１６】
上述した従来の有機電界発光表示装置は，開口領域に配列されるゲート絶縁膜と層間絶縁膜を除去して開口領域における光学特性を改善することができたが，全てのＲ，Ｇ，Ｂ単位画素で有機膜層から発光する光が直ちに基板を介して放出されるように，開口領域における画素電極の下部に配列されるゲート絶縁膜と層間絶縁膜を除去することにより，各Ｒ，Ｇ，Ｂ単位画素別に光経路を調節させることができないという問題点があった。
【００１７】
一方，特許文献２は，有機発光層から発光する光の最適化された色座標を得るために，画素電極であるアノード電極の下部に形成される絶縁膜，例えばバッファ層，ゲート絶縁膜，層間絶縁膜及び保護膜などの全厚を最適化させた背面発光型有機電界発光表示装置を開示した。
【００１８】
【特許文献１】米国特許第６６７４１０６号明細書
【特許文献２】韓国公開特許第２００３−７０７２６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら，前記有機電界発光表示装置は，アノード電極の下部に存在する絶縁膜の厚さを２５００〜３５００Åに形成して，有機発光層から発光する光の色座標を最適化させることができた。ところが，前記有機電界発光表示装置は，アノード電極の下部に形成される絶縁膜が基板の全面に均一な厚さに形成され，全てのＲ，Ｇ，Ｂ単位画素において有機膜層から発光する光が同一の光学経路を経て基板に放出されるため，各Ｒ，Ｇ，Ｂ単位画素別に光経路を調節させることができないという問題点があった。
【００２０】
そこで，本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素別に画素電極の下部に形成された絶縁膜を選択的に除去することにより，色座標変形を防止することが可能な有機電界発光表示装置を提供することにある。
【００２１】
本発明の他の目的は，Ｒ，Ｇ，Ｂ単位画素別に画素電極の下部に形成された絶縁膜の厚さを調節して色面積を増大させることにより，消費電力を減少させることが可能な有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，それぞれお互い異なる所定色の光を放出する画素が形成される多数の画素領域を備え，前記各画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記多数の画素領域それぞれの前記非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成される多数の駆動素子と，前記多数の画素領域それぞれの前記発光領域に形成されて前記駆動素子にそれぞれ連結される多数の画素電極と，前記多数の画素電極の真下に形成される絶縁膜とを含んでなり，前記絶縁膜は前記多数の画素領域の発光領域の中の少なくとも一つを除いた基板上に形成される，平板表示装置を提供する。
【００２３】
また，前記多数の画素領域は，Ｒ色の光を放出するためのＲ画素が形成されるＲ画素領域と，Ｇ色の光を放出するためのＧ画素が形成されるＧ画素領域と，Ｂ色の光を放出するためのＢ画素が形成されるＢ画素領域とを含み，前記絶縁膜は，Ｂ画素領域の発光領域を除いた基板の全面に形成されるか，またはＲ画素領域及びＧ画素領域の発光領域にのみ選択的に形成される。前記絶縁膜は，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含む。
【００２４】
また，本発明は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ駆動するためのＲ，Ｇ，Ｂ駆動素子と，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ駆動素子と前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極との間に形成される絶縁膜とを含み，前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中の少なくとも１つを除いた基板上に形成される，平板表示装置を提供する。
【００２５】
また，本発明は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ駆動するための駆動電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ駆動素子と，基板上に形成され，その上面に駆動電極が形成される絶縁膜とを含み，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極は前記絶縁膜上に形成されて前記駆動電極に連結され，前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中の少なくとも一つを除いた基板上に形成される，平板表示装置を提供する。
【００２６】
また，本発明は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，それぞれ半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタぞれぞれのソース／ドレイン電極のいずれか一方をそれぞれ露出させるＲ，Ｇ，Ｂビアホールを備えた絶縁膜と，前記絶縁膜のＲ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂビアホールを介して前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのいずれか一つの電極に連結されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えるＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子とを含み，前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つを除いた基板上に形成された，有機電界発光表示装置を提供する。
【００２７】
また，本発明は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，それぞれ半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極のいずれか一方にそれぞれ連結されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えるＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子と，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域のＲ，Ｇ，Ｂ画素電極の中の一部画素電極の下部にのみ選択的に形成された絶縁膜とを含む，有機電界発光表示装置を提供する。
【００２８】
また，本発明は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極のいずれか一方に連結されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えたＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子と，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の下部に形成された絶縁膜とを含み，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極は前記絶縁膜に形成されて前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのいずれか一つの電極に連結され，前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つのみを除いた基板上に形成された，有機電界発光表示装置を提供する。
【００２９】
また，本発明は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えたＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子と，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の下部に形成された絶縁膜とを含み，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極は前記絶縁膜に前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタぞれぞれのソース／ドレイン電極のいずれか一方から延設され，前記絶縁膜は前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つを除いた基板上に形成された，有機電界発光表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の実施形態に係るアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置によれば，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素別に画素電極の下部に形成された絶縁膜を選択的に除去することにより，優れたＲ，Ｇ，Ｂ色座標を得ることができ，これにより消費電力を減少させることができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３２】
図２Ａは，本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。図２Ａは本発明の有機電界発光表示装置において，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素中のＥＬ素子とＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタとに限定して示した。
【００３３】
図２Ａを参照すると，本発明の有機電界発光表示装置は，基板２００上にマトリックス状に配列される多数の画素を備える。各画素は，Ｒ色を表示するＲ画素２０Ｒ，Ｇ色を表示するＧ画素２０Ｇ，及びＢ色を表示するＢ画素２０Ｂを備える。前記基板２００は，Ｒ画素が形成されるＲ画素領域２００Ｒ，Ｇ画素が形成されるＧ画素領域２００Ｇ，及びＢ画素が形成されるＢ画素領域２００Ｂを備える。
【００３４】
Ｒ画素領域２００Ｒ，Ｇ画素領域２００Ｇ及びＢ画素領域２００Ｂはそれぞれ発光領域と非発光領域を含む。Ｒ画素領域２００Ｒの発光領域とは，Ｒ画素領域２００ＲのＲ_ＥＬ素子が形成されてＲ_ＥＬ素子から光が放出される部分をいい，非発光領域とは，Ｒ画素領域２００Ｒの前記Ｒ_ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタが形成される部分をいう。これと同様に，Ｇ画素領域２００Ｇの発光領域とは，Ｇ画素領域２００ＧのＧ_ＥＬ素子が形成されてＧ_ＥＬ素子から光が放出される部分をいい，非発光領域とは，Ｇ画素領域２００Ｇの前記Ｇ_ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタが形成される部分をいう。また，Ｂ画素領域２００Ｂの発光領域とは，Ｂ画素領域２００Ｂ中のＢ_ＥＬ素子が形成されてＢ_ＥＬ素子から光が放出される部分をいい，非発光領域とは，Ｂ画素領域２００Ｂの前記Ｂ_ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタが形成される部分をいう。
【００３５】
前記基板２００上にバッファ層２０５が形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂの非発光領域に対応する前記バッファ層２０５上には半導体層２１１，２１４及び２１７がそれぞれ形成される。前記半導体層２１１は，Ｒ画素２０Ｒの薄膜トランジスタのためのもので，所定の導電型，例えばｐ型のソース／ドレイン領域２１２，２１３を備える。前記半導体層２１４は，Ｇ画素２０Ｇの薄膜トランジスタのためのもので，ｐ型のソース／ドレイン領域２１５，２１６を備える。前記半導体層２１７は，Ｂ画素２０Ｂの薄膜トランジスタのためのもので，ｐ型のソース／ドレイン領域２１８，２１９を備える。
【００３６】
半導体層２１１，２１４及び２１７と基板２００上にゲート絶縁膜２２０が形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂのゲート絶縁膜２２０上にそれぞれＲ，Ｇ，Ｂ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの薄膜トランジスタのゲート電極２２１，２２４及び２２７が形成される。前記ゲート電極２２１，２２４及び２２７とゲート絶縁膜２２０上に層間絶縁膜２３０が形成される。
【００３７】
前記層間絶縁膜２３０は，前記Ｒ画素２０Ｒの半導体層２１１に形成されたソース／ドレイン領域２１２，２１３の一部分を露出させるコンタクトホール２３２，２３３と，前記Ｇ画素２０Ｇの半導体層２１４に形成されたソース／ドレイン領域２１５，２１６の一部分を露出させるコンタクトホール２３５，２３６と，前記Ｂ画素２０Ｂの半導体層２１７に形成されたソース／ドレイン領域２１８，２１９の一部分を露出させるコンタクトホール２３８，２３９とを備える。
【００３８】
前記層間絶縁膜２３０上には，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素２０Ｒ，２０Ｇ及び２０Ｂの薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極２４２，２４３と２４５，２４６と２４８，２４９が形成される。Ｒ画素２０Ｒのソース／ドレイン電極２４２，２４３は，前記半導体層２１１に形成されたソース／ドレイン領域２１２，２１３とコンタクトホール２３２，２３３を介してそれぞれ連結される。前記Ｇ画素２０Ｇのソース／ドレイン電極２４５，２４６は，半導体層２１４に形成されたソース／ドレイン領域２１５，２１６と前記コンタクトホール２３５，２３６を介して連結される。前記Ｂ画素２０Ｂのソース／ドレイン電極２４８，２４９は，前記半導体層２１７に形成されたソース／ドレイン領域２１８，２１９と前記コンタクトホール２３８，２３９を介して連結される。
【００３９】
基板上に，窒化膜からなる保護膜２５０が形成される。前記保護膜２５０は，前記Ｒ画素２０Ｒのソース／ドレイン電極２４２，２４３の中のドレイン電極２４３の一部分を露出させるビアホール２５１と，前記Ｇ画素２０Ｇのソース／ドレイン電極２４５，２４６の中のドレイン電極２４６の一部分を露出させるビアホール２５４と，前記Ｂ画素２０Ｂのソース／ドレイン電極２４８，２４９の中のドレイン電極２４９の一部分を露出させるビアホール２５７とを備える。また，保護膜２５０は，前記Ｂ画素領域２００Ｂの発光領域に対応する部分に開口部２５９を備える。
【００４０】
前記保護膜２５０上に，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの画素電極であるアノード電極２６１，２６４及び２６７が形成される。前記Ｒ画素２０Ｒのアノード電極２６１は，前記Ｒ画素領域２００Ｒの発光領域に対応する保護膜２５０上に形成され，ビアホール２５１を介して前記ドレイン電極２４３に連結される。前記Ｇ画素２０Ｇのアノード電極２６４は，前記Ｇ画素領域２００Ｇの発光領域に対応する保護膜２５０上に形成され，ビアホール２５４を介して前記ドレイン電極２４６に連結される。前記Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７は，前記Ｂ画素領域２００Ｂの発光領域に対応する保護膜２５０上に形成されて前記ドレイン電極２４９に連結されるが，特に保護膜２５０の開口部２５９に形成される。
【００４１】
本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置は，追加のマスク工程なしで製造することができるが，保護膜２５０にビアホール２５１，２５４，２５７を形成するための保護膜２５０のエッチング工程の際にＢ画素領域２００Ｂの発光領域に対応する部分の保護膜と共にエッチングして保護膜２５０に開口部２５９を形成することが可能である。したがって，保護膜２５０がＲ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂの発光領域に選択的に形成される。
【００４２】
基板上に画素分離膜２７０が形成される。前記画素分離膜２７０は，前記Ｒ画素領域２００Ｒの発光領域に形成されたＲ画素２０Ｒのアノード電極２６１の一部分を露出させる開口部２７１と，前記Ｇ画素領域２００Ｇの発光領域に形成されたＧ画素２０Ｇのアノード電極２６４の一部分を露出させる開口部２７４と，前記Ｂ画素領域２００Ｂの発光領域に形成されたＢ画素２０Ｂのアノード電極２６７の一部分を露出させる開口部２７７とを備える。
【００４３】
前記Ｒ画素領域２００Ｒの開口部２７１によって露出したＲ画素２０Ｒのアノード電極２６１上に有機膜層２８１が形成され，前記Ｇ画素領域２００Ｇの開口部２７４によって露出したＧ画素２０Ｇのアノード電極２６４上に有機膜層２８４が形成され，前記Ｂ画素領域２００Ｂの開口部２７７によって露出したＢ画素２０Ｂのアノード電極２６７上に有機膜層２８７が形成される。基板上に上部電極としてカソード電極２９０が形成される。
【００４４】
前記有機膜層２８１は，Ｒ画素２０Ｒのためのもので，正孔注入層，正孔輸送層，Ｒ発光層，電子輸送層，電子注入層及び正孔障壁層から選択される１つ以上の有機膜を含む。前記有機膜層２８４は，Ｇ画素２０Ｇのためのもので，正孔注入層，正孔輸送層，Ｇ発光層，電子輸送層，電子注入層及び正孔障壁層から選択される１つ以上の有機膜層を含む。前記有機膜層２８７は，Ｂ画素２０Ｂのためのもので，正孔注入層，正孔輸送層，Ｂ発光層，電子輸送層，電子注入層及び正孔障壁層から選択される１つ以上の有機膜層を含む。
【００４５】
上述したように，本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置は，Ｒ画素領域２００Ｒに，Ｒ_ＥＬ素子と薄膜トランジスタを備えたＲ画素２０Ｒが配列される。前記Ｒ画素２０ＲのＲ_ＥＬ素子は，発光領域の保護膜２５０上に形成されたアノード電極２６１，有機膜層２８１及びカソード電極２９０を備える。前記Ｒ画素２０Ｒの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層２１１，ゲート電極２２１及びソース／ドレイン電極２４２，２４３を備え，前記Ｒ_ＥＬ素子のアノード電極２６１にドレイン電極２４３が連結される。
【００４６】
これと同様に，Ｇ画素領域２００Ｇに，Ｇ_ＥＬ素子と薄膜トランジスタを備えたＧ画素２０Ｇが配列される。前記Ｇ画素２０ＧのＧ_ＥＬ素子は，発光領域の保護膜２５０上に形成されたアノード電極２６４，有機膜層２８４及びカソード電極２９０を備える。前記Ｇ画素２０Ｇの薄膜トランジスタは非発光領域の基板上に形成された半導体層２１４，ゲート電極２２４及びソース／ドレイン電極２４５，２４６を備える。前記Ｇ_ＥＬ素子のアノード電極２６４にドレイン電極２４６が連結される。
【００４７】
また，Ｂ画素領域２００Ｂに，Ｂ_ＥＬ素子と薄膜トランジスタを備えたＢ画素２０Ｂが配列される。前記Ｂ画素２０ＢのＢ_ＥＬ素子は，発光領域の保護膜２５０の開口部２５９に形成されたアノード電極２６７，有機膜層２８７及びカソード電極２９０を備える。前記Ｂ画素２０Ｂの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層２１７，ゲート電極２２７及びソース／ドレイン電極２４８，２４９を備え，前記Ｂ_ＥＬ素子のアノード電極２６７にドレイン電極２４９が連結される。
【００４８】
したがって，１つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂのうち，Ｒ画素２０Ｒのアノード電極２６１はＲ画素領域２００Ｒの発光領域に該当する保護膜２５０上に形成され，Ｇ画素２０Ｇのアノード電極２６４はＧ画素領域２００Ｇの発光領域に該当する保護膜２５０上に形成される。一方，前記Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７は，Ｂ画素領域２００Ｂの発光領域に形成されるが，Ｒ画素２０Ｒ及びＧ画素２０Ｇとは異なり，保護膜２５０の開口部２５９に形成される。すなわち，Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７の有機膜２８７に対応する部分は前記開口部２５９によって露出する層間絶縁膜２３０上に形成される。
【００４９】
よって，Ｒ画素２０Ｒ及びＧ画素２０Ｇでは，有機膜層２８１，２８４から発光する光が保護膜２５０を通過して基板２００側へ放出されるが，Ｂ画素２０Ｂでは，有機膜層２８７から発光する光が保護膜２５０の開口部２５９を介して基板側に放出されるので，保護膜２５０を通過せずに放出される。
【００５０】
表１はＲ，Ｇ，Ｂ画素に全て保護膜が形成された有機電界発光表示装置とＲ，Ｇ，Ｂ画素に全て保護膜が形成されていない有機電界発光表示装置におけるＸ及びＹの色座標値を示す。
【００５１】
図６はＲ，Ｇ，Ｂ画素に全て保護膜が形成された有機電界発光表示装置と，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素に全て保護膜が形成されていない有機電界発光表装置の色座標を示す。
【００５２】
表１及び図６の色座標より，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂに保護膜２５０が６０００Åの厚さに形成された有機電界発光表示装置と，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂに保護膜２５０が形成されていない有機電界発光表示装置とを比較するとき，Ｒ色の色座標は保護膜２５０の有無を問わずに色座標に変化がないことが分かる。
【００５３】
また，Ｇ色の場合は，保護膜の形成された場合の色座標値が保護膜の形成されていない場合の色座標値に比べて優れることが分かる。一方，Ｂ色の場合は，保護膜の形成されていない場合の色座標値が保護膜の形成された場合の色座標値に比べて優れることが分かる。
【００５４】
上述したように，Ｇ画素領域２００Ｇには保護膜を形成し，Ｂ画素領域２００Ｂには保護膜を形成しない方がより優れた色座標を得ることができ，これにより色面積を増大させることができる。
【００５５】
【表１】
【００５６】
したがって，本発明のように，保護膜がアノード電極の下部に存在する場合，優れた色座標を得ることが可能なＲ画素２０Ｒ及びＧ画素２０Ｇでは，アノード電極の下部に保護膜２５０を残し，保護膜がアノード電極の下部に存在する場合，色座標が悪くなるＢ画素２０Ｂでは，アノード電極の下部から保護膜２５０を除去する。このようにＲ，Ｇ，Ｂ画素のアノード電極２６１，２６４，２６７の下部に保護膜を選択的に形成することにより，色面積を増大せることができる。
【００５７】
本発明の第１実施形態では，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂのうち，Ｂ画素領域２００Ｂにのみ保護膜２５０を形成せず，残りの領域には同一の厚さを有する保護膜２５０を形成することを例示したが，Ｒ画素領域２００ＲとＧ画素領域２００Ｇにお互い異なる厚さの保護膜２５０を形成して色面積を増大させることができる。
【００５８】
図２Ｂは本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面構造図である。図２Ｂは有機電界発光表示装置の一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素のＥＬ素子と薄膜トランジスタに限定して示した。図２Ｂに示した有機電界発光表示装置は，保護膜が２層構造で出来ている以外は，図２Ａに示した有機電界発光表示装置と同一の断面構造をもつ。
【００５９】
図２Ｂを参照すると，１つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが基板２００のＲ画素領域２００Ｒ，Ｇ画素領域２００Ｇ及びＢ画素領域２００Ｂにそれぞれ形成される。
【００６０】
Ｒ画素領域２００Ｒに形成されたＲ画素は，基板２００の非発光領域に形成された半導体層２１１，ゲート電極２２１及びソース／ドレイン電極２４２，２４３を備える薄膜トランジスタと，保護膜２５０の発光領域に形成されたアノード電極２６１，有機膜層２８１及びカソード電極２９０を備えるＲ_ＥＬ素子とを含む。
【００６１】
Ｇ画素領域２００Ｇに形成されたＧ画素は，基板２００の非発光領域に形成された半導体層２１４，ゲート電極２２４及びソース／ドレイン電極２４５，２４６を備える薄膜トランジスタと，保護膜２５０の発光領域に形成されたアノード電極２６４，有機膜層２８４及びカソード電極２９０を備えるＧ_ＥＬ素子とを含む。
【００６２】
Ｂ画素領域２００Ｒに形成されたＢ画素は，基板２００の非発光領域に形成された半導体層２１７，ゲート電極２２７及びソース／ドレイン電極２４８，２４９を備える薄膜トランジスタと，保護膜２５０の発光領域に形成されたアノード電極２６７，有機膜層２８７及びカソード電極２９０を備えるＢ_ＥＬ素子とを含む。
【００６３】
前記ＥＬ素子と薄膜トランジスタとの間に形成される保護膜２５０は，層間絶縁膜２３０上に形成される第１保護膜２５２と，前記第１保護膜２５２上に形成され，前記Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７に対応する部分に開口部２５８が形成された第２保護膜２５３とを備える。前記第１保護膜２５２は酸化膜のような絶縁膜であり，前記第２保護膜２５３は窒化膜のような絶縁膜である。
【００６４】
一つの画素を備えるＲ，Ｇ，Ｂ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂのうち，Ｒ画素２０Ｒのアノード電極２６１の下部には，第１保護膜２５２と第２保護膜２５３からなる保護膜２５０が形成され，Ｇ画素２０Ｇのアノード電極２６４の下部には，第１保護膜２５２と第２保護膜２５３からなる保護膜２５０が形成される。一方，Ｂ画素領域２００Ｂには，第１保護膜２５２と，前記Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７に対応する部分に開口部２５８を備える第２保護膜２５３とからなる保護膜２５０が形成される。保護膜２５０の第２保護膜２５３がＲ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ及び２００Ｂの発光領域に選択的に形成される。
【００６５】
したがって，Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７は，Ｂ画素領域２００Ｂの発光領域に形成されるが，Ｒ画素２０Ｒ及びＧ画素２０Ｇとは異なり，保護膜２５０の開口部２５８に形成される。すなわち，Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７の有機膜層２８７に対応する部分は第１保護膜２５２上に形成される。
【００６６】
よって，Ｒ画素２０Ｒ及びＧ画素２０Ｇでは，有機膜層２８１，２８４から発光する光が第１保護膜２５２と第２保護膜２５３を通過して基板２００側に放出されるが，Ｂ画素２０Ｂでは，有機膜層２８７から発光する光が保護膜２５０の第１保護膜２５２を介して基板側に放出されるので，第２保護膜２５３を通過せずに放出される。
【００６７】
図２Ｂに示した有機電界発光表示装置において，Ｒ及びＧ画素２０Ｒ，２０Ｇでは保護膜２５０が第１保護膜２５２と第２保護膜２５３の積層膜から構成され，Ｂ画素２０Ｂでは保護膜２５０の第２保護膜２５３にのみ開口部２５８が形成される構造を例示したが，Ｂ画素２０Ｂにおいて第１及び第２保護膜２５２，２５３にわたって開口部２５８が形成される構造を持つこともできる。
【００６８】
本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置は，追加のマスク工程なしで製造することができるが，保護膜２５０にビアホール２５１，２５４，２５７を形成するための第１保護膜２５２と第２保護膜２５３のエッチング工程の際に保護膜２５０に開口部２５８を同時に形成し，あるいはハーフトーンマスクなどを用いてビアホール２５１，２５４，２５７とＢ画素領域２００Ｂの第２保護膜２５３の開口部２５８を同時に形成することが可能である。
【００６９】
図３Ａは本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。図３Ａは，本発明の有機電界発光表示装置において，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素中のＥＬ素子及び薄膜トランジスタに限定して示した。
【００７０】
本発明の第１実施形態は，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素別に保護膜を選択的に除去して優れた色座標を得る構造であるが，これに対し，本発明の第２実施形態は，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素別に保護膜を選択的に形成して優れた色座標を得る構造である。
【００７１】
図３Ａを参照すると，本発明の有機電界発光表示装置は，基板３００上にマトリックス状に配列される多数の画素を備える。各画素は，Ｒ色を表示するＲ画素３０Ｒ，Ｇ色を表示するＧ画素３０Ｇ，及びＢ色を表示するＢ画素３０Ｂを備える。前記基板３００は，Ｒ画素３０Ｒが形成されるＲ画素領域３００Ｒ，Ｇ画素３０Ｇが形成されるＧ画素領域３００Ｇ，及びＢ画素３０Ｂが形成されるＢ画素領域３００Ｂを備える。前記Ｒ画素領域３００Ｒ，Ｇ画素領域３００Ｇ及びＢ画素領域３００Ｂはそれぞれ発光領域と非発光領域を備える。
【００７２】
前記基板３００上にバッファ層３０５が形成され，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂの非発光領域の前記バッファ層３０５上に半導体層３１１，３１４及び３１７がそれぞれ形成される。前記半導体層３１１，３１４及び３１７はそれぞれＲ，Ｇ及びＢ画素３０Ｒ，３０Ｇ及び３０Ｂの薄膜トランジスタのためのもので，それぞれｐ型のソース／ドレイン領域３１２，３１３と３１５，３１６と３１８，３１９を備える。
【００７３】
基板上にゲート絶縁膜３２０が形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂのゲート絶縁膜３２０上にそれぞれＲ，Ｇ，Ｂ画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのゲート電極３２１，３２４及び３２７が形成される。基板上に層間絶縁膜３３０を形成する。前記層間絶縁膜３３０は，前記Ｒ画素３０Ｒの半導体層３１１に形成されたソース／ドレイン領域３１２，３１３の一部分を露出させるコンタクトホール３３２，３３３と，前記Ｇ画素３０Ｇの半導体層３１４に形成されたソース／ドレイン領域３１５，３１６の一部分を露出させるコンタクトホール３３５，３３６と，前記Ｂ画素３０Ｂの半導体層３１７に形成されたソース／ドレイン領域３１８，３１９の一部分を露出させるコンタクトホール３３８，３３９を備える。
【００７４】
前記層間絶縁膜３３０上にＲ，Ｇ，Ｂ画素３０Ｒ，３０Ｇ及び３０Ｂのソース／ドレイン電極３４２，３４３と３４５，３４６と３４８，３４９が形成される。前記Ｒ画素３０Ｒのソース／ドレイン電極３４２，３４３は，前記半導体層３１１に形成されたソース／ドレイン領域３１２，３１３とコンタクトホール３３２，３３３を介してそれぞれ連結される。前記Ｇ画素３０Ｇのソース／ドレイン電極３４５，３４６は，半導体層３１４に形成されたソース／ドレイン領域３１５，３１６と前記コンタクトホール３３５，３３６を介してそれぞれ形成される。前記Ｂ画素３０Ｂのソース／ドレイン電極３４８，３４９は，前記半導体層３１７に形成されたソース／ドレイン領域３１８，３１９と前記コンタクトホール３３８，３３９を介してそれぞれ連結される。
【００７５】
Ｒ画素領域３００ＲとＧ画素領域３００Ｇの層間絶縁膜３３０上に絶縁膜パターン３５１，３５４がそれぞれ形成される。絶縁膜パターン３５１は，Ｒ画素領域３００Ｒの発光領域に対応する層間絶縁膜３３０上に形成され，前記Ｒ画素３０Ｒから発生するＲ色の色座標を調整するためのものである。前記絶縁膜パターン３５４は，Ｇ画素領域３００Ｇの発光領域に対応する層間絶縁膜３３０上に形成され，前記Ｇ画素３０Ｇから発生するＧ色の色座標を調整するためのものである。
【００７６】
前記Ｒ画素領域３００Ｒの前記絶縁膜パターン３５１上にはＲ画素３０Ｒのアノード電極３６１が形成され，このアノード電極３６１がＲ画素３０Ｒのソース／ドレイン電極３４２，３４３の中のドレイン電極３４３に連結される。また，Ｇ画素領域３００Ｇの前記絶縁膜パターン３５４上にはＧ画素３０Ｇのアノード電極３６４が形成され，このアノード電極３６４がＧ画素３０Ｇのソース／ドレイン電極３４５，３４６の中のドレイン電極３４６に連結される。
【００７７】
一方，Ｂ画素領域３００Ｂでは，前記層間絶縁膜３３０上に前記Ｂ画素３０Ｂのアノード電極３６７が形成され，このアノード電極３６７がＢ画素３０Ｂの前記ソース／ドレイン電極３４８，３４９の中のドレイン電極３４９に連結される。この際，前記絶縁膜パターン３５１，３５４は，第１実施形態の保護膜２５０と同一の物質，例えば窒化膜から構成されてもよく，保護膜２５０とは異なる物質で構成されてもよい。
【００７８】
次いで，基板上に画素分離膜３７０が形成される。前記画素分離膜３７０は，前記Ｒ画素領域３００Ｒの発光領域に形成されたＲ画素３０Ｒのアノード電極３６１の一部分を露出させる開口部３７１と，前記Ｇ画素３００Ｇの発光領域に形成されたＧ画素３０Ｇのアノード電極３６４の一部分を露出させる開口部３７４と，前記Ｂ画素領域３００Ｂの発光領域に形成されたＢ画素３０Ｂのアノード電極３６７の一部分を露出させる開口部３７７とを備える。
【００７９】
前記Ｒ画素領域３００Ｒの開口部３７１によって露出したＲ画素３０Ｒのアノード電極３６１上に有機膜層３８１が形成され，前記Ｇ画素領域３００Ｇの開口部３７４によって露出したＧ画素３０Ｇのアノード電極３６４上に有機膜層３８４が形成され，前記Ｂ画素領域３００Ｂの開口部３７７によって露出したＢ画素３０Ｂのアノード電極３６７上に有機膜層３８７が形成される。その後，基板上に上部電極としてカソード電極３９０が形成される。
【００８０】
前記有機膜層３８，３８４及び３８７は，それぞれＲ，Ｇ，Ｂ画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのためのもので，正孔注入層，正孔輸送層，Ｒ，Ｇ及びＢ発光層，電子輸送層，電子注入層，及び正孔障壁層から選択されるいずれか一つ以上の有機膜を含む。
【００８１】
上述した本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置は，Ｒ画素領域３００Ｒに，Ｒ_ＥＬ素子と薄膜トランジスタを備えたＲ画素３０Ｒが配列される。前記Ｒ画素３０ＲのＲ_ＥＬ素子は，発光領域の絶縁膜パターン３５１上に形成されたアノード電極３６１，有機膜層３８１及びカソード電極３９０を備える。前記薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層３１１，ゲート電極３２１及びソース／ドレイン電極３４２，３４３を備え，前記Ｒ_ＥＬ素子のアノード電極３６１にドレイン電極３４３が連結される。
【００８２】
これと同様に，Ｇ画素領域３００Ｇには，Ｇ_ＥＬ素子と薄膜トランジスタを備えたＧ画素３０Ｇが配列される。前記Ｇ画素３０ＧのＧ_ＥＬ素子は，発光領域の絶縁膜パターン３５４上に形成されたアノード電極３６４，有機膜層３８４及びカソード電極３９０を備える。前記Ｇ画素３０Ｇの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層３１４，ゲート電極３２４及びソース／ドレイン電極３４５，３４６を備える。前記Ｇ_ＥＬ素子のアノード電極３６４にドレイン電極３４６が連結される。
【００８３】
また，Ｂ画素領域３００Ｂには，Ｂ_ＥＬ素子と薄膜トランジスタを備えたＢ画素３０ｂが配列される。前記Ｂ画素３０ＢのＢ_ＥＬ素子は，発光領域の層間絶縁膜３３０上に形成されたアノード電極３６７，有機膜層３８７及びカソード電極３９０を備える。前記Ｂ画素３０Ｂの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層３１７，ゲート電極３２７及びソース／ドレイン電極３４８，３４９を備え，前記Ｂ_ＥＬ素子のアノード電極３６７にドレイン電極３４９が連結される。
【００８４】
したがって，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのうち，Ｒ画素３０Ｒのアノード電極３６１とＧ画素３０Ｇのアノード電極３６４は絶縁膜パターン３５１，３５４上にそれぞれ形成され，前記Ｂ画素３０Ｂのアノード電極３６７はＢ画素領域３００Ｂの発光領域に該当する層間絶縁膜３３０上に形成される。
【００８５】
それ故に，Ｒ画素３０Ｒ及びＧ画素３０Ｇでは，有機膜層３８１，３８４から発光する光がそれぞれの絶縁膜パターン３５１，３５４を通過して基板３００側に放出されるが，Ｂ画素３０Ｂでは，有機膜層３８７から発光する光が絶縁膜パターンを通過せずに基板側に放出される。したがって，Ｒ画素３０Ｒ及びＧ画素３０Ｇのアノード電極３６１，３６４の下部にのみ絶縁膜パターン３５１，３５４を選択的に形成することにより，色面積を増大させることができる。
【００８６】
本発明の第２実施形態では，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂの中のＲ画素領域３００ＲとＧ画素領域３００Ｇにのみ選択的に同一厚さの絶縁パターン３５１，３５４を形成することを例示したが，Ｒ画素領域３００ＲとＧ画素領域３００Ｇにお互い異なる厚さの絶縁パターン３５１，３５４を形成して色面積を増大せることもできる。
【００８７】
図３Ｂは本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面構造図である。図３Ｂは有機電界発光表示装置の一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素中のＥＬ素子及び薄膜トランジスタに限定して示した。図３Ｂに示した有機電界発光表示装置は，絶縁膜パターンが２層構造で出来ている以外は，図３Ａに示した有機電界発光表示装置と同様の断面構造をもつ。
【００８８】
図３Ｂを参照すると，１つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂが基板３００のＲ画素領域３００Ｒ，Ｇ画素領域３００Ｇ，及びＢ画素領域３００Ｂにそれぞれ形成される。
【００８９】
Ｒ画素領域３００Ｒに形成されたＲ画素は，基板３００の非発光領域に形成された半導体層３１１，ゲート電極３２１及びソース／ドレイン電極３４２，３４３を備える薄膜トランジスタと，Ｒ画素領域３００Ｒの発光領域に配列された絶縁膜パターン３５１上に形成されたアノード電極３６１，有機膜層３８１及びカソード電極３９０を備えるＲ_ＥＬ素子とを含む。
【００９０】
Ｇ画素領域３００Ｇに形成されたＧ画素は，基板３００の非発光領域に形成された半導体層３１４，ゲート電極３２４及びソース／ドレイン電極３４５，３４６を備える薄膜トランジスタと，Ｇ画素領域３００Ｇの発光領域に配列された絶縁膜パターン３５４上に形成されたアノード電極３６４，有機膜層３８４及びカソード電極３９０を備えるＧ_ＥＬ素子を含む。
【００９１】
Ｂ画素領域３００Ｂに形成されたＢ画素は，基板３００の非発光領域に形成された半導体層３１７，ゲート電極３２７及びソース／ドレイン電極３４８，３４９を備える薄膜トランジスタと，Ｒ画素領域３００Ｂの発光領域に配列された絶縁膜パターン３５７上に形成されたアノード電極３６７，有機膜層３８７及びカソード電極３９０を備えるＢ_ＥＬ素子とを含む。
【００９２】
前記Ｒ画素３０Ｒのアノード電極３６１の下部に形成される絶縁膜パターン３５１は，層間絶縁膜３３０上に形成される第１絶縁膜３５２と，前記第１絶縁膜３５２上に形成される第２絶縁膜３５３とを含む。また，前記Ｇ画素３０Ｇのアノード電極３６４の下部に形成される絶縁膜パターン３５４は，層間絶縁膜３３０上に形成される第１絶縁膜３５５と前記第１絶縁膜３５５上に形成される第２絶縁膜３５６とを含む。一方，前記Ｂ画素３０Ｂの絶縁膜パターン３５７は，第１絶縁膜の単一膜から構成される。前記第１絶縁膜３５２，３５５，３５７は酸化膜のような絶縁膜であり，前記第２絶縁膜３５３，３５６は窒化膜のような絶縁膜である。
【００９３】
一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのうち，Ｒ画素３０Ｒ及びＧ画素３０Ｂのアノード電極３６１，３６４の下部にそれぞれ形成された絶縁膜パターン３５１，３５４は第１絶縁膜と第２絶縁膜の積層膜から構成され，前記Ｂ画素３０Ｂのアノード電極３６７の下部に形成された絶縁膜パターン３５７は単一の第１絶縁膜から構成される。
【００９４】
したがって，Ｒ画素３０Ｒ及びＧ画素３０Ｇでは，有機膜層３８１，３８４から発光する光が第１絶縁膜と第２絶縁膜の絶縁膜パターン３５１，３５４を通過してそれぞれ基板３００側へ放出されるが，Ｂ画素３０Ｂでは，有機膜層３８７から発光する光が第１絶縁膜からなる絶縁膜パターン３５７を介して基板側へ放出される。
【００９５】
図３Ｂに示した有機電界発光表示装置においては，Ｒ及びＧ画素３０Ｒ，３０Ｇの絶縁膜パターン３５１，３５４は第１絶縁膜３５２，３５５と第２絶縁膜３５３，３５６の積層膜からそれぞれ構成され，Ｂ画素３０Ｂでは単一の第１絶縁膜が形成される構造を例示したが，Ｂ画素３０Ｂでは絶縁膜パターン３５７が形成されずにアノード電極３６７が層間絶縁膜３３０上に形成されてもよい。
【００９６】
本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置は，追加のマスク工程なしで製造することができる。すなわち，通常の有機電界発光表示装置においてビアホールを形成するマスク工程の代わりに，絶縁膜パターンを形成するためのマスク工程を行うことにより，別途のマスク工程が要求されない。また，前記絶縁膜パターンの形成時にハーフトーンマスクを用いると，図３Ｂに示すように，２層膜の絶縁膜パターン３５１，３５４と単一層の絶縁膜パターン３５７を１回のマスク工程で形成することができる。
【００９７】
図４Ａは本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。図４Ａは，本発明の有機電界発光表示装置において，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素のＥＬ素子とＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタに限定して示した。
【００９８】
本発明の第２実施形態は，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素別に保護膜を選択的に形成して優れた色座標を得る構造であるが，これに対し，本発明の第３実施形態は，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素別に層間絶縁膜を選択的に形成して優れた色座標を得る構造である。
【００９９】
図４Ａを参照すると，本発明の有機電界発光表示装置は，基板４００上にマトリックス状に配列される多数の画素を備える。各画素は，Ｒ画素４０Ｒ，Ｇ画素４０Ｇ及びＢ画素４０Ｂを備え，Ｒ画素４０Ｒ，Ｇ画素４０Ｇ及びＢ画素４０Ｂは基板４００のＲ画素領域４００Ｒ，Ｇ画素領域４００Ｇ及びＢ画素領域４００Ｂにそれぞれ形成される。Ｒ画素領域４００Ｒ，Ｇ画素領域４００Ｇ及びＢ画素領域４００Ｂは，それぞれＥＬ素子が配列される発光領域と，薄膜トランジスタが配列される非発光領域とを含んでなる。
【０１００】
前記基板４００のバッファ層４０５のＲ，Ｇ，Ｂ画素領域４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂの非発光領域に対応する部分には，Ｒ画素４０Ｒ，Ｇ画素４０Ｇ及びＢ画素４０Ｂの薄膜トランジスタ用半導体層４１１，４１４，４１７がそれぞれ形成される。前記半導体層４１１，４１４，４１７はそれぞれｐ型のソース／ドレイン領域４１２，４１３と４１５，４１６と４１８，４１９を備える。
【０１０１】
基板４００上にゲート絶縁膜４２０が形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂのゲート絶縁膜４２０上にそれぞれＲ，Ｇ，Ｂ画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂのゲート電極４２１，４２４，４２７が形成される。基板上に層間絶縁膜４３０が形成される。前記層間絶縁膜４３０は酸化膜または窒化膜のような絶縁膜である。
【０１０２】
前記層間絶縁膜４３０は，前記Ｒ画素４０Ｒのソース／ドレイン領域４１２，４１３の一部分を露出させるコンタクトホール４３２，４３３と，前記Ｇ画素４０Ｇのソース／ドレイン領域４１５，４１６の一部分を露出させるコンタクトホール４３５，４３６と，前記Ｂ画素４０Ｂのソース／ドレイン領域４１８，４１９の一部分を露出させるコンタクトホール４３０ｂ，４３０ａとを備える。また，前記層間絶縁膜４３０は，Ｂ画素領域４００Ｂの発光領域に対応する部分に，ゲート絶縁膜４２０の一部分を露出させる開口部４３９を備える。
【０１０３】
前記層間絶縁膜４３０上には，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素４０Ｒ，４０Ｇ及び４０Ｂのソース／ドレイン電極４４２，４４３と４４５，４４６と４４８，４４９が形成される。前記Ｒ画素４０Ｒのソース／ドレイン電極４４２，４４３は，前記半導体層４１１に形成されたソース／ドレイン領域４１２，４１３とコンタクトホール４３２，４３３を介してそれぞれ連結される。前記Ｇ画素４０Ｇのソース／ドレイン電極４４５，４４６は，半導体層４１４に形成されたソース／ドレイン領域４１５，４１６と前記コンタクトホール４３５，４３６を介してそれぞれ連結される。前記Ｂ画素４０Ｂのソース／ドレイン電極４４８，４４９は，前記半導体層４１７に形成されたソース／ドレイン領域４１８，４１９と前記コンタクトホール４３０ｂ，４３０ａを介してそれぞれ連結される。
【０１０４】
前記層間絶縁膜４３０上に，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの画素電極であるアノード電極４６１，４６４，４６７を形成する。前記Ｒ画素４０Ｒの画素電極４６１は，前記ソース／ドレイン電極４４２，４４３の中のドレイン電極４４３に連結されるように層間絶縁膜４３０上に形成される。前記Ｇ画素４０Ｇの画素電極４６４は，ソース／ドレイン電極４４５，４４６の中のドレイン電極４４６に連結されるように層間絶縁膜４３０上に形成される。また，前記Ｂ画素４０Ｂの画素電極４６７は，前記ソース／ドレイン電極４４８，４４９の中のドレイン電極４４９に連結されるように層間絶縁膜４３０の開口部４３９に形成される。
【０１０５】
次いで，基板上に画素分離膜４７０が形成される。前記画素分離膜４７０は，前記Ｒ画素領域４００Ｒの発光領域に形成されたＲ画素４０Ｒのアノード電極４６１の一部分を露出させる開口部４７１と，前記Ｇ画素領域４００Ｇの発光領域に形成されたＧ画素４０Ｇのアノード電極４６４の一部分を露出させる開口部４７４と，前記Ｂ画素領域４００Ｂの発光領域に形成されたＢ画素４０Ｂのアノード電極４６７の一部分を露出させる開口部４７７とを備える。
【０１０６】
前記Ｒ画素領域４００Ｒの開口部４７１によって露出したＲ画素４０Ｒのアノード電極４６１上に有機膜層４８１が形成され，前記Ｇ画素領域４００Ｇの開口部４７４によって露出したＧ画素４０Ｇのアノード電極４６４上に有機膜層４８４が形成され，前記Ｂ画素領域４００Ｂの開口部４７７によって露出したＢ画素４０Ｂのアノード電極４６７上に有機膜層４８７が形成される。その後，基板上に上部電極としてカソード電極４９０が形成される。
【０１０７】
前記有機膜層４８１，４８４及び４８７は，それぞれ正孔注入層，正孔輸送層，Ｒ，Ｇ及びＢ発光層，電子輸送層，電子注入層及び正孔障壁層から選択されるいずれか１つ以上の有機膜を含む。
【０１０８】
上述したように，本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置では，前記Ｒ画素４０ＲのＲ_ＥＬ素子は，Ｒ画素領域４００Ｒの発光領域の層間絶縁膜４３０上に形成されたアノード電極４６１，有機膜層４８１及びカソード電極４９０を備え，前記Ｒ画素４０Ｒの薄膜トランジスタは，Ｒ画素領域４００Ｒの非発光領域の基板上に形成された半導体層４１１，ゲート電極４２１，及びソース／ドレイン電極４４２，４４３を備え，前記Ｒ_ＥＬ素子のアノード電極４６１にドレイン電極４４３が連結される。
【０１０９】
これと同様に，前記Ｇ画素４０ＧのＧ_ＥＬ素子は，Ｇ画素領域４００Ｇの発光領域の層間絶縁膜４３０上に形成されたアノード電極４６４，有機膜層４８４及びカソード電極４９０を備える。前記Ｇ画素４０Ｇの薄膜トランジスタは，Ｇ画素領域４００Ｇの非発光領域の基板上に形成された半導体層４１４，ゲート電極４２４及びソース／ドレイン電極４４５，４４６を備え，前記Ｇ_ＥＬ素子のアノード電極４６４にドレイン電極４４６が連結される。
【０１１０】
一方，前記Ｂ画素４０ＢのＢ_ＥＬ素子は，Ｂ画素領域４００Ｂの発光領域の層間絶縁膜４３０の開口部４３９によって露出したゲート絶縁膜４２０上に形成されたアノード電極４６７，有機膜層４８７及びカソード電極４９０を備える。前記Ｂ画素４０Ｂの薄膜トランジスタは，Ｂ画素領域４００Ｂの非発光領域の基板上に形成された半導体層４１７，ゲート電極４２７及びソース／ドレイン電極４４８，４４９を備える。前記Ｂ_ＥＬ素子のアノード電極４６７にドレイン電極４４９が連結される。
【０１１１】
したがって，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂのうち，Ｒ画素４０Ｒ及びＧ画素４０Ｇのアノード電極４６１，４６４はそれぞれＲ画素領域４００Ｒ及びＧ画素領域４００Ｇの発光領域に該当する層間絶縁膜４３０上に形成され，Ｂ画素４０Ｂのアノード電極４６７はＢ画素領域４００Ｂの発光領域に該当する層間絶縁膜４３０の開口部４３９，すなわちゲート絶縁膜４２０上に形成される。
【０１１２】
それ故に，Ｒ画素４０Ｒ及びＧ画素４０Ｇでは，有機膜層４８１，４８４から発光する光が層間絶縁膜４３０を通過して基板４００側へ放出されるが，Ｂ画素４０Ｂでは，有機膜層４８７から発光する光が層間絶縁膜４３０の開口部４３９を介して基板側へ放出されるので，層間絶縁膜４３０を通過せずに放出される。
【０１１３】
図４Ｂは本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面構造図である。図４Ｂは，有機電界発光表示装置の一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素のＥＬ素子及び薄膜トランジスタに限定して示した。図４Ｂに示した有機電界発光表示装置は，層間絶縁膜が２層構造で出来ている以外は，図４Ａに示した有機電界発光表示装置と同様の断面構造をもつ。
【０１１４】
本発明の第３実施形態では，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂの中のＢ画素領域４００Ｂにのみ層間絶縁膜４３０を形成せず，残りの領域には同一厚さの層間絶縁膜４３０を形成することを例示したが，Ｒ画素領域４００ＲとＧ画素領域４００Ｇにお互い異なる厚さの層間絶縁膜４３０を形成して色面積を増大させることもできる。
【０１１５】
図４Ｂを参照すると，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂが基板４００のＲ画素領域４００Ｒ，Ｇ画素領域４００Ｇ及びＢ画素領域４００Ｂにそれぞれ形成される。
【０１１６】
Ｒ画素領域４００Ｒに形成されたＲ画素は，基板４００の非発光領域に形成された半導体層４１１，ゲート電極４２１及びソース／ドレイン電極４４２，４４３を備える薄膜トランジスタと，層間絶縁膜４３０の発光領域に形成されて前記ドレイン電極４４３に連結されたアノード電極４６１，有機膜層４８１及びカソード電極４９０を備えるＲ_ＥＬ素子とを含む。
【０１１７】
Ｇ画素領域４００Ｇに形成されたＧ画素４０Ｇは，基板４００の非発光領域に形成された半導体層４１４，ゲート電極４２４及びソース／ドレイン電極４４５，４４６を備える薄膜トランジスタと，層間絶縁膜４３０の発光領域に形成されて前記ドレイン電極４４６に連結されたアノード電極４６４，有機膜層４８４及びカソード電極４９０を備えるＲ_ＥＬ素子とを含む。
【０１１８】
Ｂ画素領域４００Ｂに形成されたＢ画素４０Ｂは，基板４００の非発光領域に形成された半導体層４１７，ゲート電極４２７及びソース／ドレイン電極４４８，４４９を備える薄膜トランジスタと，発光領域の層間絶縁膜４３０の開口部４３８によって露出したゲート絶縁膜４２０上に形成されて前記ドレイン電極４４９に連結されたアノード電極４６７，有機膜層４８７及びカソード電極４９０を備えるＢ_ＥＬ素子とを含む。
【０１１９】
前記層間絶縁膜４３０は，前記ゲート絶縁膜４２０上に形成される第１層間絶縁膜４３１ａと，前記第１層間絶縁膜４３１ａ上に形成される第２層間絶縁膜４３１ｂとから構成される。前記第１層間絶縁膜４３１ａは酸化膜のような絶縁膜からなり，前記第２層間絶縁膜４３１ｂは窒化膜のような絶縁膜からなり，前記Ｂ画素のアノード電極４６７の下部に形成された開口部４３８を備える。
【０１２０】
本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置は，追加のマスク工程なしで製造することができるが，層間絶縁膜４３０にコンタクトホールを形成するとき，前記層間絶縁膜４３０に開口部４３８を同時に形成することが可能であり，あるいはハーフトーンマスクなどを用いて層間絶縁膜４３０にコンタクトホール，第２層間絶縁膜４３１ｂに開口部４３８を形成することが可能である。
【０１２１】
一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂのうち，Ｒ画素４０Ｒ及びＧ画素４０Ｇでは，アノード電極４６１，４６４の下部に，第１層間絶縁膜４３１ａと第２層間絶縁膜４３１ｂからなる層間絶縁膜４３０が形成される。一方，Ｂ画素領域４００Ｂでは，第１層間絶縁膜４３１ａと前記Ｂ画素４０Ｂのアノード電極４６７に対応する部分に開口部４３８を備える第２層間絶縁膜４３１ｂとからなる層間絶縁膜４３０が形成される。
【０１２２】
Ｂ画素４０Ｂのアノード電極４６７は，Ｂ画素領域４００Ｂの発光領域に形成されるが，Ｒ画素４０Ｒ及びＧ画素４０Ｇとは異なり，層間絶縁膜４３０の開口部４３８に形成される。すなわち，Ｂ画素４０Ｂのアノード電極４６７の有機膜層４８７に対応する部分は第１層間絶縁膜４３１ａ上に形成される。
【０１２３】
したがって，Ｒ画素４０Ｒ及びＧ画素４０Ｇでは，有機膜層４８１，４８４から発光する光が第１層間絶縁膜４３１ａと第２層間絶縁膜４３１ｂを通過して基板４００側へ放出されるが，Ｂ画素４０Ｂでは，有機膜層４８７から発光する光が層間絶縁膜４３０の第１層間絶縁膜４３１ａを介して基板側へ放出されるので，第２層間絶縁膜４３１ｂを通過せずに放出される。
【０１２４】
図４Ｂに示した有機電界発光表示装置においては，Ｂ画素４０Ｂでは，層間絶縁膜４３０の第２層間絶縁膜４３１ｂにのみ開口部４３８が形成される構造を例示したが，第１及び第２層間絶縁膜４３１ａ，４３１ｂにわたって開口部４３０ｂが形成される構造を持つこともできる。
【０１２５】
図５Ａは本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面構造図である。図５Ａは本発明の有機電界発光表示装置において，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素のＥＬ素子及び薄膜トランジスタに限定して示したものである。
【０１２６】
本発明の第２実施形態では，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素別に保護膜を選択的に形成して優れた色座標を得る構造であるが，これに対し，本発明の第４実施形態では，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素別に層間絶縁膜を選択的に形成して優れた色座標を得る構造である。
【０１２７】
図５Ａを参照すると，本発明の有機電界発光表示装置は，基板５００上にマトリックス状に配列される多数の画素を備える。各画素を構成するＲ画素５０Ｒ，Ｇ画素５０Ｇ及びＢ画素５０Ｂは，基板５００のＲ画素領域５００Ｒ，Ｇ画素領域５００Ｇ及びＢ画素領域５００Ｂに形成される。Ｒ画素領域５００Ｒ，Ｇ画素領域５００Ｇ及びＢ画素領域５００Ｂはそれぞれ発光領域と非発光領域を含む。
【０１２８】
前記基板５００のバッファ層５０５のＲ，Ｇ，Ｂ画素領域５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂの非発光領域に半導体層５１１，５１４及び５１７がそれぞれ形成される。前記半導体層５１１，５１４及び５１７はそれぞれＲ，Ｇ及びＢ画素５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの薄膜トランジスタのためのものであって，それぞれｐ型のソース／ドレイン領域５１２，５１３と５１５，５１６と５１８，５１９を備える。
【０１２９】
基板上にゲート絶縁膜５２０が形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂのゲート絶縁膜５２０上にそれぞれＲ，Ｇ，Ｂ画素５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂのゲート電極５２１，５２４及び５２７が形成される。基板上に層間絶縁膜５３０が形成される。前記層間絶縁膜５３０は酸化膜または窒化膜のような絶縁膜である。
【０１３０】
前記層間絶縁膜５３０は，前記Ｒ画素５０Ｒの半導体層５１１に形成されたソース／ドレイン領域５１２，５１３の一部分を露出させるコンタクトホール５３２，５３３と，前記Ｇ画素５０Ｇの半導体層５１４に形成されたソース／ドレイン領域５１５，５１６の一部分を露出させるコンタクトホール５３５，５３６と，前記Ｂ画素５０Ｂの半導体層５１７に形成されたソース／ドレイン領域５１８，５１９の一部分を露出させるコンタクトホール５３０ｂ，５３０ａとを備える。
【０１３１】
前記層間絶縁膜５３０上にＲ，Ｇ，Ｂ画素５０Ｒ，５０Ｇ及び５０Ｂのソース／ドレイン電極５４２，５４３と５４５，５４６と５４８，５４９が形成される。前記Ｒ画素５０Ｒのソース／ドレイン電極５４２，５４３は，前記半導体層５１１に形成されたソース／ドレイン領域５１２，５１３とコンタクトホール５３２，５３３を介してそれぞれ連結される。前記Ｇ画素５０Ｇのソース／ドレイン電極５４５，５４６は，半導体層５１４に形成されたソース／ドレイン領域５１５，５１６と前記コンタクトホール５３５，５３６を介してそれぞれ連結される。前記Ｂ画素５０Ｂのソース／ドレイン電極５４８，５４９は，前記半導体層５１７に形成されたソース／ドレイン領域５１８，５１９と前記コンタクトホール５３０ｂ，５３０ａを介してそれぞれ連結される。
【０１３２】
Ｒ画素領域５００Ｒ，Ｇ画素領域５００Ｇ及びＢ画素領域５００Ｂの層間絶縁膜５３０上にＲ画素５０Ｒ，Ｇ画素５０Ｇ及びＢ画素５０Ｂの画素電極であるアノード電極５６１，５６４，５６７をそれぞれ形成する。この際，前記画素電極５６１，５６４，５６７は，ドレイン電極５４３，５４６，５４９と同一の物質から構成され，背面発光型有機電界発光表示装置なので，前記ドレイン電極は，例えば透明導電物質などからなる透明電極を含む。前記ドレイン電極５４３，５４６，５４９は，ソース電極５４２，５４５，５４８と同一の物質からなり，あるいはお互い異なる物質からなる。
【０１３３】
前記Ｒ画素５０Ｒのアノード電極５６１は前記ソース／ドレイン電極５４２，５４３の中のドレイン電極５４３から延設され，前記Ｇ画素５０Ｇのアノード電極５６４は前記ソース／ドレイン電極５４５，５４６の中のドレイン電極５４６から延設され，前記Ｂ画素５０Ｂのアノード電極５６７は前記ソース／ドレイン電極５４８，５４９の中のドレイン電極５４９から延設される。
【０１３４】
次いで，基板上に画素分離膜５７０が形成される。前記画素分離膜５７０は，前記Ｒ画素領域５００Ｒの発光領域に形成されたＲ画素５０Ｒのアノード電極５６１の一部分を露出させる開口部５７１と，前記Ｇ画素領域５００Ｇの発光領域に形成されたＧ画素５０Ｇのアノード電極５６４の一部分を露出させる開口部５７４と，前記Ｂ画素領域５００Ｂの発光領域に形成されたＢ画素５０Ｂのアノード電極５６７の一部分を露出させる開口部５７７とを備える。
【０１３５】
前記Ｒ画素領域５００Ｒの開口部５７１によって露出したＲ画素５０Ｒのアノード電極５６１上に有機膜層５８１が形成され，前記Ｇ画素領域５００Ｇの開口部５７４によって露出したＧ画素５０Ｇのアノード電極５６４上に有機膜層５８４が形成され，前記Ｂ画素領域５００Ｂの開口部５７７によって露出したＢ画素５０Ｂのアノード電極５６７上に有機膜層５８７が形成される。その後，基板上に上部電極としてカソード電極５９０が形成される。
【０１３６】
前記有機膜層５８１，５８４及び５８７は，それぞれＲ，Ｇ，Ｂ画素５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂのためのもので，正孔注入層，正孔輸送層，Ｒ，Ｇ及びＢ発光層，電子輸送層，電子注入層及び正孔障壁層から選択されるいずれか一つ以上の有機膜を含む。
【０１３７】
上述した本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置では，Ｒ画素領域５００Ｒに配列されるＲ画素５０ＲのＲ_ＥＬ素子は，層間絶縁膜５３０上に前記ドレイン電極５４３から延設されたアノード電極５６１，有機膜層５８１及びカソード電極５９０を備え，前記Ｒ画素５０Ｒの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層５１１，ゲート電極５２１及びソース／ドレイン電極５４２，５４３を備える。
【０１３８】
これと同様に，Ｇ画素領域５００Ｇに配列されたＧ画素５０ＧのＧ_ＥＬ素子は，層間絶縁膜５３０上に前記ドレイン電極５４６から延設されたアノード電極５６４，有機膜層５８４及びカソード電極５９０を備える。前記Ｇ画素５０Ｇの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層５１４，ゲート電極５２４及びソース／ドレイン電極５４５，５４６を備える。
【０１３９】
また，Ｂ画素領域５００Ｂに配列されたＢ画素５０ＢのＢ_ＥＬ素子は，発光領域の層間絶縁膜５３０の開口部５３９によって露出したゲート絶縁膜５２０上に形成されたアノード電極５６７，有機膜層５８７及びカソード電極５９０を備える。前記Ｂ画素５０Ｂの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層５１７，ゲート電極５２７及びソース／ドレイン電極５４８，５４９を備える。
【０１４０】
したがって，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂのうち，前記Ｒ画素５０Ｒのアノード電極５６１とＧ画素５０Ｇのアノード電５６４は，層間絶縁膜５３０上にそれぞれ形成され，前記Ｂ画素５０Ｂのアノード電極５６７は，Ｂ画素領域５００Ｂの発光領域に対応する層間絶縁膜５３０の開口部５３９によって露出するゲート絶縁膜５２０上に形成される。
【０１４１】
したがって，Ｒ画素５０Ｒ及びＧ画素５０Ｇでは，有機膜層５８１，５８４から発光する光が層間絶縁膜５３０を通過して基板５００側へ放出されるが，Ｂ画素５０Ｂでは，有機膜層５８７から発光する光が層間絶縁膜５３０の開口部５３９を介して基板側へ放出される。
【０１４２】
本発明の第４実施形態では，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂの中のＢ画素領域５００Ｂにのみ層間絶縁膜５３０を形成せず，残りの領域には同一厚さの層間絶縁膜５３０を形成することを例示したが，Ｒ画素領域５００ＲとＧ画素領域５００Ｇにお互い異なる厚さの層間絶縁膜５３０を形成して色面積を増大させることもできる。
【０１４３】
図５Ｂは本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面構造図である。図５Ｂは有機電界発光表示装置の一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素のＥＬ素子及び薄膜トランジスタに限定して示した。図５Ｂに示した有機電界発光表示装置は，層間絶縁膜が２層構造で出来ている以外は，図５Ａに示した有機電界発光表示装置と同一の断面構造をもつ。
【０１４４】
図５Ｂを参照すると，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂが基板５００のＲ画素領域５００Ｒ，Ｇ画素領域５００Ｇ及びＢ画素領域５００Ｂにそれぞれ形成される。
【０１４５】
Ｒ画素領域５００Ｒに形成されたＲ画素は，基板５００の非発光領域に形成された半導体層５１１，ゲート電極５２１及びソース／ドレイン電極５４２，５４３を備える薄膜トランジスタと，層間絶縁膜５３０上に前記ドレイン電極５４３から延設されたアノード電極５６１，有機膜層５８１及びカソード電極５９０を備えるＲ_ＥＬ素子とを含む。
【０１４６】
Ｇ画素領域５００Ｇに形成されたＧ画素は，基板５００の非発光領域に形成された半導体層５１４，ゲート電極５２４及びソース／ドレイン電極５４５，５４６を備える薄膜トランジスタと，層間絶縁膜５３０上に前記ドレイン電極５４６から延設されたアノード電極５６４，有機膜層５８４及びカソード電極５９０を備えるＧ_ＥＬ素子とを含む。
【０１４７】
Ｂ画素領域５００Ｂに形成されたＲ画素は，基板５００の非発光領域に形成された半導体層５１７，ゲート電極５２７及びソース／ドレイン電極５４８，５４９を備える薄膜トランジスタと，層間絶縁膜５３０のＢ画素領域５００Ｂの発光領域に該当する開口部５３８に前記ドレイン電極５４９から延設されたアノード電極５６７，有機膜層５８７及びカソード電極５９０を備えるＢ_ＥＬ素子とを含む。
【０１４８】
前記層間絶縁膜５３０は，ゲート絶縁膜５２０上に形成された第１層間絶縁膜５３１ａと，前記第１層間絶縁膜５３１ａ上に形成された第２層間絶縁膜５３１ｂとから構成される。前記第２層間絶縁膜５３１ｂは，Ｂ画素領域５００Ｂの発光領域に該当する部分に開口部５３８を備える。前記第１層間絶縁膜５３１ａは酸化膜のような絶縁膜であり，前記第２層間絶縁膜５３１ｂは窒化膜のような絶縁膜である。
【０１４９】
一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂのうち，Ｒ画素５０Ｒ及びＧ画素５０Ｂのアノード電極５６１，５６４の下部にそれぞれ形成された層間絶縁膜は，第１層間絶縁膜５３１ａと第２層間絶縁膜５３１ｂの積層膜から構成され，前記Ｂ画素５０Ｂのアノード電極５６７の下部に形成された層間絶縁膜５３０は，第１層間絶縁膜５３１ａと，前記有機膜層５８７に対応する部分に開口部５３８を備えた第２層間絶縁膜５３１ｂとから構成される。
【０１５０】
したがって，Ｒ画素５０Ｒ及びＧ画素５０Ｇでは，有機膜層５８１，５８４から発光する光が第１層間絶縁膜５３１ａと第２層間絶縁膜５３１ｂを通過して基板５００側へ放出されるが，Ｂ画素５０Ｂでは，有機膜層５８７から発光する光が第１層間絶縁膜５３１ａを介して基板側へ放出される。
【０１５１】
図５Ｂに示した有機電界発光表示装置においては，Ｂ画素５０Ｂでは，第２層間絶縁膜５３１ｂにのみ開口部５３８が形成されたが，第１層間絶縁膜５３１ａと第２層間絶縁膜５３１ｂにわたって開口部５３８が形成されてもよい。
【０１５２】
本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置は，追加のマスク工程なしで製造することができるが，前記層間絶縁膜５３０にコンタクトホールを形成するときにＢ画素領域５００Ｂに開口部５３９を形成し，あるいはハーフトーンマスクなどを用いて層間絶縁膜５３０にコンタクトホールを形成するときに層間絶縁膜５３０の第２層間絶縁膜５３１ｂ上にのみ開口部５３８を形成することもできる。
【０１５３】
本発明の実施形態では，保護膜が単一層または２層構造を有する場合に限定して説明したが，保護膜が多層膜からなる場合でも，優れた色座標が得られるようにＲ，Ｇ，Ｂ画素別に選択的に保護膜を形成し，或いは多層膜中の一部のみをＲ，Ｇ，Ｂ画素別に選択的に形成することもできる。
【０１５４】
また，本発明の実施形態では，保護膜が，酸化膜からなる第１保護膜と，窒化膜からなる第２保護膜との積層膜を備える場合を例示したが，必ずしもこれに局限されず，第１保護膜が窒化膜からなり，第２保護膜が酸化膜からなる場合にも適用可能であるうえ，第１保護膜と第２保護膜のいずれか一つが有機絶縁膜からなり，もう一つが無機絶縁膜からなる場合にも適用可能である。
【０１５５】
また，本発明の実施形態では，ＥＬ素子を駆動する駆動素子としての薄膜トランジスタをｐ型薄膜トランジスタとしたが，ｎ型薄膜トランジスタだけでなく，他のスイッチング素子を適用することもできる。
【０１５６】
また，本発明の実施形態では，画素電極のアノード電極の下部に形成された絶縁膜，例えば層間絶縁膜または保護膜をＲ，Ｇ，Ｂ画素別に選択的に形成することにより，優れた色座標を得ようとしたが，アノード電極の下部に形成される全ての絶縁膜，例えば層間絶縁膜，保護膜，ゲート絶縁膜及びバッファ層を選択的に形成し，あるいはこれらの中の一部を選択的に形成することも可能である。
【０１５７】
また，本発明の実施形態は，表示素子として有機電界発光素子（ＥＬ）を備え，前記表示素子を駆動するための駆動素子として薄膜トランジスタを備えるアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置について説明したが，表示素子として液晶表示素子（ＬＣＤ）を備え，前記液晶表示素子を駆動するための駆動素子として薄膜トランジスタを備えるアクティブマトリックス型液晶表示装置において，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素の画素電極の下部に形成される絶縁膜を選択的に除去することにより改善することができる。
【０１５８】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１５９】
本発明は，表示素子として有機電荷発光素子（ＥＬ）を備え，前記表示素子を駆動するための駆動素子として薄膜トランジスタを備えるアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置だけでなく，表示素子として液晶表示素子（ＬＣＤ）を備え，前記液晶表示素子を駆動するための駆動素子として薄膜トランジスタを備えるアクティブマトリックス型液晶表示装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】従来の有機電界発光表示装置の断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。
【図３Ｂ】本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。
【図４Ｂ】本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面図である。
【図５Ａ】本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。
【図５Ｂ】本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面図である。
【図６】保護膜の有無による有機電界発光表示装置の色座標を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１６１】
２００ 基板
２０Ｒ Ｒ画素
２０Ｇ Ｇ画素
２０Ｂ Ｂ画素
２００Ｒ Ｒ画素領域
２００Ｇ Ｇ画素領域
２００Ｂ Ｂ画素領域
２０５ バッファ層
２１１，２１４，２１７ 半導体層
２１２，２１５，２１８ ソース領域
２１３，２１６，２１９ ドレイン領域
２２１，２２４，２２７ ゲート電極
２３０ 層間絶縁膜
２３２，２３３，２３５，２３６，２３８，２３９ コンタクトホール
２４２，２４５，２４８ ソース電極
２４３，２４６，２４９ ドレイン電極
２５０ 保護膜
２５１，２５４，２５７ ビアホール
２６１，２６４，２６７ アノード電極
２７０ 画素分離膜
２７１，２７４，２７７ 開口部
２８１，２８４，２８７ 有機膜層
２９０ カソード電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は，平板表示装置に係り，より具体的には，画素電極の下部に形成される絶縁膜がＲ，Ｇ，Ｂ画素別に選択的に形成された有機電界発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光表示装置は基板上に多数の画素がマトリックス状に配列され，各画素はＲ，Ｇ，Ｂ単位画素を備える。各Ｒ，Ｇ，Ｂ単位画素は，アノード電極，カソード電極，及びアノード電極とカソード電極との間に形成される発光層を含むＥＬ素子と，前記ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタとを備える。前記アノード電極と前記カソード電極に印加される電圧を応じて，発光層から発光した光が基板方向または基板反対方向に放出されて画像を表示する。
【０００３】
一般に，有機発光層から発光した光が基板方向に放出される背面発光型有機電界発光表示装置において，有機発光層から発光する光は，有機発光層の下部に存在する，保護膜，層間絶縁膜，ゲート絶縁膜及びバッファ層のような絶縁膜を介して基板に放出される。したがって，有機発光層から基板へ放出される光の色座標が不均一である。
【０００４】
通常，薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いるアクティブマトリックス有機電界発光表示装置は多数の画素が基板上にマトリックス状に配列され，各画素はＲ，Ｇ，Ｂ画素を備える。各Ｒ，Ｇ，Ｇ画素は少なくとも２つの薄膜トランジスタ，例えば一つのスイッチング薄膜トランジスタ及び一つの駆動薄膜トランジスタと，一つのキャパシタ及び有機電界発光素子ＥＬを備える。
【０００５】
図１は従来の薄膜トランジスタを備えた有機電界発光表示装置の断面図である。図１は，有機電界発光表示装置において，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素の中の有機電界発光素子と，有機電界発光素子を駆動するための駆動薄膜トランジスタに限定して示した。
【０００６】
図１を参照すると，基板１００は，Ｒ画素領域１００Ｒ，Ｇ画素領域１００Ｇ及びＢ画素領域１００Ｂを備える。Ｒ画素領域１００Ｒ上にはＲ画素１０Ｒが形成され，Ｇ画素領域１００Ｇ上にはＧ画素１０Ｇが形成され，Ｂ領域１００Ｂ上にはＢ画素１０Ｂが形成される。
【０００７】
Ｒ画素１０ＲはＲ_ＥＬ素子と，Ｒ_ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタとを備える。前記Ｒ画素１０Ｒの薄膜トランジスタは，バッファ１０５上に形成され，ソース／ドレイン領域１１２，１１３を備えた半導体層１１１と，ゲート絶縁膜１２０上に形成されたゲート電極１２１と，層間絶縁膜１３０上に形成され，コンタクトホール１３２，１３３を介して前記ソース／ドレイン領域１１２，１１３に連結されるソース／ドレイン電極１４２，１４３とを備える。
【０００８】
前記Ｒ_ＥＬ素子は，保護膜１５０上に形成され，前記ソース／ドレイン電極１４２，１４３の中のドレイン電極１４３とビアホール１５１を介して連結される画素電極のアノード電極１６１と，画素分離膜１７０の開口部１７１を介して露出するアノード電極１６１上に形成された有機膜層１８１と，基板の全面に形成されたカソード電極１９０とを備える。
【０００９】
Ｇ画素１０Ｇは，Ｇ_ＥＬ素子と，Ｇ_ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタとを備える。前記Ｇ画素１０Ｇの薄膜トランジスタは，バッファ層１０５上に形成され，ソース／ドレイン領域１１５，１１６を備えた半導体層１１４と，ゲート絶縁膜１２０上に形成されたゲート電極１２４と，層間絶縁膜１３０上に形成され，コンタクトホール１３５，１３６を介して前記ソース／ドレイン領域１１５，１１６に連結されるソース／ドレイン電極１４５，１４６とを備える。
【００１０】
前記Ｇ_ＥＬ素子は，保護層１５０上に形成され，前記ソース／ドレイン電極１４５，１４６の中のドレイン電極１４６とビアホール１５４を介して連結される画素電極のアノード電極１６４と，画素分離膜１７０の開口部１７４を介して露出するアノード電極１６４上に形成された有機膜層１８４と，基板の全面に形成されたカソード電極１９０とを備える。
【００１１】
Ｂ画素１０Ｂは，Ｂ_ＥＬ素子と，Ｂ_ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタとを備える。前記Ｂ画素１０Ｂの薄膜トランジスタは，バッファ層１０５上に形成され，ソース／ドレイン領域１１８，１１９を備えた半導体層１１７と，ゲート絶縁膜１２０上に形成されたゲート電極１２７と，層間絶縁膜１３０上に形成され，コンタクトホール１３８，１３９を介して前記ソース／ドレイン領域１１８，１１９に連結されるソース／ドレイン電極１４８，１４９とを備える。
【００１２】
前記Ｂ_ＥＬ素子は，保護膜１５０上に形成され，前記ソース／ドレイン電極１４８，１４９の中のドレイン電極１４９とビアホール１５７を介して連結される画素電極のアノード電極１６７と，画素分離膜１７０の開口部１７７を介して露出するアノード電極１６７上に形成された有機膜層１８７と，基板の全面に形成されたカソード電極１９０とを備える。
【００１３】
前記のような構成を有する従来の有機電界発光表示装置は，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各画素電極１６１，１６４及び１６７の下部に保護膜１５０が形成されるが，前記保護膜１５０は基板の全面にわたって均一な厚さを持つように形成される。
【００１４】
前記有機電界発光表示装置のように保護膜１５０が基板の全面に均一に形成される場合には，Ｂ色の色座標が悪くて色面積が良くない。一方，保護膜１５０が形成されない場合には，Ｂ色の色座標は良くなるが，Ｇ色の色座標は悪くなってあまり色面積が増加しないという問題点があった。
【００１５】
特許文献１は，有機発光層から発光する光の光学特性を向上させるための有機電界発光表示装置を開示した。前記有機電界発光表示装置は，基板上にマトリックス状に配列された多数の画素を備える。前記基板は，表示素子のＥＬ素子が配列される開口領域と，前記ＥＬ素子を駆動するためのＴＦＴが配列される非開口領域とを含む。画素電極の下部に配列される絶縁膜，例えばゲート絶縁膜と層間絶縁膜の光放出領域の開口領域に対応する部分を除去して開口領域における屈折率を基板の屈折率に近接させることにより，開口領域における光学特性を向上させた。
【００１６】
上述した従来の有機電界発光表示装置は，開口領域に配列されるゲート絶縁膜と層間絶縁膜を除去して開口領域における光学特性を改善することができたが，全てのＲ，Ｇ，Ｂ単位画素で有機膜層から発光する光が直ちに基板を介して放出されるように，開口領域における画素電極の下部に配列されるゲート絶縁膜と層間絶縁膜を除去することにより，各Ｒ，Ｇ，Ｂ単位画素別に光経路を調節させることができないという問題点があった。
【００１７】
一方，特許文献２は，有機発光層から発光する光の最適化された色座標を得るために，画素電極であるアノード電極の下部に形成される絶縁膜，例えばバッファ層，ゲート絶縁膜，層間絶縁膜及び保護膜などの全厚を最適化させた背面発光型有機電界発光表示装置を開示した。
【００１８】
【特許文献１】米国特許第６６７４１０６号明細書
【特許文献２】韓国公開特許第２００３−７０７２６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら，前記有機電界発光表示装置は，アノード電極の下部に存在する絶縁膜の厚さを２５００〜３５００Åに形成して，有機発光層から発光する光の色座標を最適化させることができた。ところが，前記有機電界発光表示装置は，アノード電極の下部に形成される絶縁膜が基板の全面に均一な厚さに形成され，全てのＲ，Ｇ，Ｂ単位画素において有機膜層から発光する光が同一の光学経路を経て基板に放出されるため，各Ｒ，Ｇ，Ｂ単位画素別に光経路を調節させることができないという問題点があった。
【００２０】
そこで，本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素別に画素電極の下部に形成された絶縁膜を選択的に除去することにより，色座標変形を防止することが可能な有機電界発光表示装置を提供することにある。
【００２１】
本発明の他の目的は，Ｒ，Ｇ，Ｂ単位画素別に画素電極の下部に形成された絶縁膜の厚さを調節して色面積を増大させることにより，消費電力を減少させることが可能な有機電界発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，それぞれお互い異なる所定色の光を放出する画素が形成される多数の画素領域を備え，前記各画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記多数の画素領域それぞれの前記非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成される多数の駆動素子と，前記多数の画素領域それぞれの前記発光領域に形成されて前記駆動素子にそれぞれ連結される多数の画素電極と，前記多数の画素電極の真下に形成される絶縁膜とを含んでなり，前記絶縁膜は前記多数の画素領域の発光領域の中の少なくとも一つを除いた基板上に形成される，平板表示装置を提供する。
【００２３】
また，前記多数の画素領域は，Ｒ色の光を放出するためのＲ画素が形成されるＲ画素領域と，Ｇ色の光を放出するためのＧ画素が形成されるＧ画素領域と，Ｂ色の光を放出するためのＢ画素が形成されるＢ画素領域とを含み，前記絶縁膜は，Ｂ画素領域の発光領域を除いた基板の全面に形成されるか，またはＲ画素領域及びＧ画素領域の発光領域にのみ選択的に形成される。前記絶縁膜は，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含む。
【００２４】
また，本発明は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ駆動するためのＲ，Ｇ，Ｂ駆動素子と，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ駆動素子と前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極との間に形成される絶縁膜とを含み，前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中の少なくとも１つを除いた基板上に形成される，平板表示装置を提供する。
【００２５】
また，本発明は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ駆動するための駆動電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ駆動素子と，基板上に形成され，その上面に駆動電極が形成される絶縁膜とを含み，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極は前記絶縁膜上に形成されて前記駆動電極に連結され，前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中の少なくとも一つを除いた基板上に形成される，平板表示装置を提供する。
【００２６】
また，本発明は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，それぞれ半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタぞれぞれのソース／ドレイン電極のいずれか一方をそれぞれ露出させるＲ，Ｇ，Ｂビアホールを備えた絶縁膜と，前記絶縁膜のＲ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂビアホールを介して前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのいずれか一つの電極に連結されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えるＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子とを含み，前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つを除いた基板上に形成された，有機電界発光表示装置を提供する。
【００２７】
また，本発明は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，それぞれ半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極のいずれか一方にそれぞれ連結されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えるＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子と，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域のＲ，Ｇ，Ｂ画素電極の中の一部画素電極の下部にのみ選択的に形成された絶縁膜とを含む，有機電界発光表示装置を提供する。
【００２８】
また，本発明は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極のいずれか一方に連結されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えたＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子と，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の下部に形成された絶縁膜とを含み，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極は前記絶縁膜に形成されて前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのいずれか一つの電極に連結され，前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つのみを除いた基板上に形成された，有機電界発光表示装置を提供する。
【００２９】
また，本発明は，Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えたＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子と，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の下部に形成された絶縁膜とを含み，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極は前記絶縁膜に前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタぞれぞれのソース／ドレイン電極のいずれか一方から延設され，前記絶縁膜は前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つを除いた基板上に形成された，有機電界発光表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の実施形態に係るアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置によれば，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素別に画素電極の下部に形成された絶縁膜を選択的に除去することにより，優れたＲ，Ｇ，Ｂ色座標を得ることができ，これにより消費電力を減少させることができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３２】
図２Ａは，本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。図２Ａは本発明の有機電界発光表示装置において，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素中のＥＬ素子とＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタとに限定して示した。
【００３３】
図２Ａを参照すると，本発明の有機電界発光表示装置は，基板２００上にマトリックス状に配列される多数の画素を備える。各画素は，Ｒ色を表示するＲ画素２０Ｒ，Ｇ色を表示するＧ画素２０Ｇ，及びＢ色を表示するＢ画素２０Ｂを備える。前記基板２００は，Ｒ画素が形成されるＲ画素領域２００Ｒ，Ｇ画素が形成されるＧ画素領域２００Ｇ，及びＢ画素が形成されるＢ画素領域２００Ｂを備える。
【００３４】
Ｒ画素領域２００Ｒ，Ｇ画素領域２００Ｇ及びＢ画素領域２００Ｂはそれぞれ発光領域と非発光領域を含む。Ｒ画素領域２００Ｒの発光領域とは，Ｒ画素領域２００ＲのＲ_ＥＬ素子が形成されてＲ_ＥＬ素子から光が放出される部分をいい，非発光領域とは，Ｒ画素領域２００Ｒの前記Ｒ_ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタが形成される部分をいう。これと同様に，Ｇ画素領域２００Ｇの発光領域とは，Ｇ画素領域２００ＧのＧ_ＥＬ素子が形成されてＧ_ＥＬ素子から光が放出される部分をいい，非発光領域とは，Ｇ画素領域２００Ｇの前記Ｇ_ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタが形成される部分をいう。また，Ｂ画素領域２００Ｂの発光領域とは，Ｂ画素領域２００Ｂ中のＢ_ＥＬ素子が形成されてＢ_ＥＬ素子から光が放出される部分をいい，非発光領域とは，Ｂ画素領域２００Ｂの前記Ｂ_ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタが形成される部分をいう。
【００３５】
前記基板２００上にバッファ層２０５が形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂの非発光領域に対応する前記バッファ層２０５上には半導体層２１１，２１４及び２１７がそれぞれ形成される。前記半導体層２１１は，Ｒ画素２０Ｒの薄膜トランジスタのためのもので，所定の導電型，例えばｐ型のソース／ドレイン領域２１２，２１３を備える。前記半導体層２１４は，Ｇ画素２０Ｇの薄膜トランジスタのためのもので，ｐ型のソース／ドレイン領域２１５，２１６を備える。前記半導体層２１７は，Ｂ画素２０Ｂの薄膜トランジスタのためのもので，ｐ型のソース／ドレイン領域２１８，２１９を備える。
【００３６】
半導体層２１１，２１４及び２１７と基板２００上にゲート絶縁膜２２０が形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂのゲート絶縁膜２２０上にそれぞれＲ，Ｇ，Ｂ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの薄膜トランジスタのゲート電極２２１，２２４及び２２７が形成される。前記ゲート電極２２１，２２４及び２２７とゲート絶縁膜２２０上に層間絶縁膜２３０が形成される。
【００３７】
前記層間絶縁膜２３０は，前記Ｒ画素２０Ｒの半導体層２１１に形成されたソース／ドレイン領域２１２，２１３の一部分を露出させるコンタクトホール２３２，２３３と，前記Ｇ画素２０Ｇの半導体層２１４に形成されたソース／ドレイン領域２１５，２１６の一部分を露出させるコンタクトホール２３５，２３６と，前記Ｂ画素２０Ｂの半導体層２１７に形成されたソース／ドレイン領域２１８，２１９の一部分を露出させるコンタクトホール２３８，２３９とを備える。
【００３８】
前記層間絶縁膜２３０上には，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素２０Ｒ，２０Ｇ及び２０Ｂの薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極２４２，２４３と２４５，２４６と２４８，２４９が形成される。Ｒ画素２０Ｒのソース／ドレイン電極２４２，２４３は，前記半導体層２１１に形成されたソース／ドレイン領域２１２，２１３とコンタクトホール２３２，２３３を介してそれぞれ連結される。前記Ｇ画素２０Ｇのソース／ドレイン電極２４５，２４６は，半導体層２１４に形成されたソース／ドレイン領域２１５，２１６と前記コンタクトホール２３５，２３６を介して連結される。前記Ｂ画素２０Ｂのソース／ドレイン電極２４８，２４９は，前記半導体層２１７に形成されたソース／ドレイン領域２１８，２１９と前記コンタクトホール２３８，２３９を介して連結される。
【００３９】
基板上に，窒化膜からなる保護膜２５０が形成される。前記保護膜２５０は，前記Ｒ画素２０Ｒのソース／ドレイン電極２４２，２４３の中のドレイン電極２４３の一部分を露出させるビアホール２５１と，前記Ｇ画素２０Ｇのソース／ドレイン電極２４５，２４６の中のドレイン電極２４６の一部分を露出させるビアホール２５４と，前記Ｂ画素２０Ｂのソース／ドレイン電極２４８，２４９の中のドレイン電極２４９の一部分を露出させるビアホール２５７とを備える。また，保護膜２５０は，前記Ｂ画素領域２００Ｂの発光領域に対応する部分に開口部２５９を備える。
【００４０】
前記保護膜２５０上に，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの画素電極であるアノード電極２６１，２６４及び２６７が形成される。前記Ｒ画素２０Ｒのアノード電極２６１は，前記Ｒ画素領域２００Ｒの発光領域に対応する保護膜２５０上に形成され，ビアホール２５１を介して前記ドレイン電極２４３に連結される。前記Ｇ画素２０Ｇのアノード電極２６４は，前記Ｇ画素領域２００Ｇの発光領域に対応する保護膜２５０上に形成され，ビアホール２５４を介して前記ドレイン電極２４６に連結される。前記Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７は，前記Ｂ画素領域２００Ｂの発光領域に対応する保護膜２５０上に形成されて前記ドレイン電極２４９に連結されるが，特に保護膜２５０の開口部２５９に形成される。
【００４１】
本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置は，追加のマスク工程なしで製造することができるが，保護膜２５０にビアホール２５１，２５４，２５７を形成するための保護膜２５０のエッチング工程の際にＢ画素領域２００Ｂの発光領域に対応する部分の保護膜と共にエッチングして保護膜２５０に開口部２５９を形成することが可能である。したがって，保護膜２５０がＲ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂの発光領域に選択的に形成される。
【００４２】
基板上に画素分離膜２７０が形成される。前記画素分離膜２７０は，前記Ｒ画素領域２００Ｒの発光領域に形成されたＲ画素２０Ｒのアノード電極２６１の一部分を露出させる開口部２７１と，前記Ｇ画素領域２００Ｇの発光領域に形成されたＧ画素２０Ｇのアノード電極２６４の一部分を露出させる開口部２７４と，前記Ｂ画素領域２００Ｂの発光領域に形成されたＢ画素２０Ｂのアノード電極２６７の一部分を露出させる開口部２７７とを備える。
【００４３】
前記Ｒ画素領域２００Ｒの開口部２７１によって露出したＲ画素２０Ｒのアノード電極２６１上に有機膜層２８１が形成され，前記Ｇ画素領域２００Ｇの開口部２７４によって露出したＧ画素２０Ｇのアノード電極２６４上に有機膜層２８４が形成され，前記Ｂ画素領域２００Ｂの開口部２７７によって露出したＢ画素２０Ｂのアノード電極２６７上に有機膜層２８７が形成される。基板上に上部電極としてカソード電極２９０が形成される。
【００４４】
前記有機膜層２８１は，Ｒ画素２０Ｒのためのもので，正孔注入層，正孔輸送層，Ｒ発光層，電子輸送層，電子注入層及び正孔障壁層から選択される１つ以上の有機膜を含む。前記有機膜層２８４は，Ｇ画素２０Ｇのためのもので，正孔注入層，正孔輸送層，Ｇ発光層，電子輸送層，電子注入層及び正孔障壁層から選択される１つ以上の有機膜層を含む。前記有機膜層２８７は，Ｂ画素２０Ｂのためのもので，正孔注入層，正孔輸送層，Ｂ発光層，電子輸送層，電子注入層及び正孔障壁層から選択される１つ以上の有機膜層を含む。
【００４５】
上述したように，本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置は，Ｒ画素領域２００Ｒに，Ｒ_ＥＬ素子と薄膜トランジスタを備えたＲ画素２０Ｒが配列される。前記Ｒ画素２０ＲのＲ_ＥＬ素子は，発光領域の保護膜２５０上に形成されたアノード電極２６１，有機膜層２８１及びカソード電極２９０を備える。前記Ｒ画素２０Ｒの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層２１１，ゲート電極２２１及びソース／ドレイン電極２４２，２４３を備え，前記Ｒ_ＥＬ素子のアノード電極２６１にドレイン電極２４３が連結される。
【００４６】
これと同様に，Ｇ画素領域２００Ｇに，Ｇ_ＥＬ素子と薄膜トランジスタを備えたＧ画素２０Ｇが配列される。前記Ｇ画素２０ＧのＧ_ＥＬ素子は，発光領域の保護膜２５０上に形成されたアノード電極２６４，有機膜層２８４及びカソード電極２９０を備える。前記Ｇ画素２０Ｇの薄膜トランジスタは非発光領域の基板上に形成された半導体層２１４，ゲート電極２２４及びソース／ドレイン電極２４５，２４６を備える。前記Ｇ_ＥＬ素子のアノード電極２６４にドレイン電極２４６が連結される。
【００４７】
また，Ｂ画素領域２００Ｂに，Ｂ_ＥＬ素子と薄膜トランジスタを備えたＢ画素２０Ｂが配列される。前記Ｂ画素２０ＢのＢ_ＥＬ素子は，発光領域の保護膜２５０の開口部２５９に形成されたアノード電極２６７，有機膜層２８７及びカソード電極２９０を備える。前記Ｂ画素２０Ｂの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層２１７，ゲート電極２２７及びソース／ドレイン電極２４８，２４９を備え，前記Ｂ_ＥＬ素子のアノード電極２６７にドレイン電極２４９が連結される。
【００４８】
したがって，１つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂのうち，Ｒ画素２０Ｒのアノード電極２６１はＲ画素領域２００Ｒの発光領域に該当する保護膜２５０上に形成され，Ｇ画素２０Ｇのアノード電極２６４はＧ画素領域２００Ｇの発光領域に該当する保護膜２５０上に形成される。一方，前記Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７は，Ｂ画素領域２００Ｂの発光領域に形成されるが，Ｒ画素２０Ｒ及びＧ画素２０Ｇとは異なり，保護膜２５０の開口部２５９に形成される。すなわち，Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７の有機膜２８７に対応する部分は前記開口部２５９によって露出する層間絶縁膜２３０上に形成される。
【００４９】
よって，Ｒ画素２０Ｒ及びＧ画素２０Ｇでは，有機膜層２８１，２８４から発光する光が保護膜２５０を通過して基板２００側へ放出されるが，Ｂ画素２０Ｂでは，有機膜層２８７から発光する光が保護膜２５０の開口部２５９を介して基板側に放出されるので，保護膜２５０を通過せずに放出される。
【００５０】
表１はＲ，Ｇ，Ｂ画素に全て保護膜が形成された有機電界発光表示装置とＲ，Ｇ，Ｂ画素に全て保護膜が形成されていない有機電界発光表示装置におけるＸ及びＹの色座標値を示す。
【００５１】
図６はＲ，Ｇ，Ｂ画素に全て保護膜が形成された有機電界発光表示装置と，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素に全て保護膜が形成されていない有機電界発光表装置の色座標を示す。
【００５２】
表１及び図６の色座標より，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂに保護膜２５０が６０００Åの厚さに形成された有機電界発光表示装置と，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂに保護膜２５０が形成されていない有機電界発光表示装置とを比較するとき，Ｒ色の色座標は保護膜２５０の有無を問わずに色座標に変化がないことが分かる。
【００５３】
また，Ｇ色の場合は，保護膜の形成された場合の色座標値が保護膜の形成されていない場合の色座標値に比べて優れることが分かる。一方，Ｂ色の場合は，保護膜の形成されていない場合の色座標値が保護膜の形成された場合の色座標値に比べて優れることが分かる。
【００５４】
上述したように，Ｇ画素領域２００Ｇには保護膜を形成し，Ｂ画素領域２００Ｂには保護膜を形成しない方がより優れた色座標を得ることができ，これにより色面積を増大させることができる。
【００５５】
【表１】
【００５６】
したがって，本発明のように，保護膜がアノード電極の下部に存在する場合，優れた色座標を得ることが可能なＲ画素２０Ｒ及びＧ画素２０Ｇでは，アノード電極の下部に保護膜２５０を残し，保護膜がアノード電極の下部に存在する場合，色座標が悪くなるＢ画素２０Ｂでは，アノード電極の下部から保護膜２５０を除去する。このようにＲ，Ｇ，Ｂ画素のアノード電極２６１，２６４，２６７の下部に保護膜を選択的に形成することにより，色面積を増大せることができる。
【００５７】
本発明の第１実施形態では，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂのうち，Ｂ画素領域２００Ｂにのみ保護膜２５０を形成せず，残りの領域には同一の厚さを有する保護膜２５０を形成することを例示したが，Ｒ画素領域２００ＲとＧ画素領域２００Ｇにお互い異なる厚さの保護膜２５０を形成して色面積を増大させることができる。
【００５８】
図２Ｂは本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面構造図である。図２Ｂは有機電界発光表示装置の一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素のＥＬ素子と薄膜トランジスタに限定して示した。図２Ｂに示した有機電界発光表示装置は，保護膜が２層構造で出来ている以外は，図２Ａに示した有機電界発光表示装置と同一の断面構造をもつ。
【００５９】
図２Ｂを参照すると，１つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが基板２００のＲ画素領域２００Ｒ，Ｇ画素領域２００Ｇ及びＢ画素領域２００Ｂにそれぞれ形成される。
【００６０】
Ｒ画素領域２００Ｒに形成されたＲ画素は，基板２００の非発光領域に形成された半導体層２１１，ゲート電極２２１及びソース／ドレイン電極２４２，２４３を備える薄膜トランジスタと，保護膜２５０の発光領域に形成されたアノード電極２６１，有機膜層２８１及びカソード電極２９０を備えるＲ_ＥＬ素子とを含む。
【００６１】
Ｇ画素領域２００Ｇに形成されたＧ画素は，基板２００の非発光領域に形成された半導体層２１４，ゲート電極２２４及びソース／ドレイン電極２４５，２４６を備える薄膜トランジスタと，保護膜２５０の発光領域に形成されたアノード電極２６４，有機膜層２８４及びカソード電極２９０を備えるＧ_ＥＬ素子とを含む。
【００６２】
Ｂ画素領域２００Ｒに形成されたＢ画素は，基板２００の非発光領域に形成された半導体層２１７，ゲート電極２２７及びソース／ドレイン電極２４８，２４９を備える薄膜トランジスタと，保護膜２５０の発光領域に形成されたアノード電極２６７，有機膜層２８７及びカソード電極２９０を備えるＢ_ＥＬ素子とを含む。
【００６３】
前記ＥＬ素子と薄膜トランジスタとの間に形成される保護膜２５０は，層間絶縁膜２３０上に形成される第１保護膜２５２と，前記第１保護膜２５２上に形成され，前記Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７に対応する部分に開口部２５８が形成された第２保護膜２５３とを備える。前記第１保護膜２５２は酸化膜のような絶縁膜であり，前記第２保護膜２５３は窒化膜のような絶縁膜である。
【００６４】
一つの画素を備えるＲ，Ｇ，Ｂ画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂのうち，Ｒ画素２０Ｒのアノード電極２６１の下部には，第１保護膜２５２と第２保護膜２５３からなる保護膜２５０が形成され，Ｇ画素２０Ｇのアノード電極２６４の下部には，第１保護膜２５２と第２保護膜２５３からなる保護膜２５０が形成される。一方，Ｂ画素領域２００Ｂには，第１保護膜２５２と，前記Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７に対応する部分に開口部２５８を備える第２保護膜２５３とからなる保護膜２５０が形成される。保護膜２５０の第２保護膜２５３がＲ，Ｇ，Ｂ画素領域２００Ｒ，２００Ｇ及び２００Ｂの発光領域に選択的に形成される。
【００６５】
したがって，Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７は，Ｂ画素領域２００Ｂの発光領域に形成されるが，Ｒ画素２０Ｒ及びＧ画素２０Ｇとは異なり，保護膜２５０の開口部２５８に形成される。すなわち，Ｂ画素２０Ｂのアノード電極２６７の有機膜層２８７に対応する部分は第１保護膜２５２上に形成される。
【００６６】
よって，Ｒ画素２０Ｒ及びＧ画素２０Ｇでは，有機膜層２８１，２８４から発光する光が第１保護膜２５２と第２保護膜２５３を通過して基板２００側に放出されるが，Ｂ画素２０Ｂでは，有機膜層２８７から発光する光が保護膜２５０の第１保護膜２５２を介して基板側に放出されるので，第２保護膜２５３を通過せずに放出される。
【００６７】
図２Ｂに示した有機電界発光表示装置において，Ｒ及びＧ画素２０Ｒ，２０Ｇでは保護膜２５０が第１保護膜２５２と第２保護膜２５３の積層膜から構成され，Ｂ画素２０Ｂでは保護膜２５０の第２保護膜２５３にのみ開口部２５８が形成される構造を例示したが，Ｂ画素２０Ｂにおいて第１及び第２保護膜２５２，２５３にわたって開口部２５８が形成される構造を持つこともできる。
【００６８】
本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置は，追加のマスク工程なしで製造することができるが，保護膜２５０にビアホール２５１，２５４，２５７を形成するための第１保護膜２５２と第２保護膜２５３のエッチング工程の際に保護膜２５０に開口部２５８を同時に形成し，あるいはハーフトーンマスクなどを用いてビアホール２５１，２５４，２５７とＢ画素領域２００Ｂの第２保護膜２５３の開口部２５８を同時に形成することが可能である。
【００６９】
図３Ａは本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。図３Ａは，本発明の有機電界発光表示装置において，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素中のＥＬ素子及び薄膜トランジスタに限定して示した。
【００７０】
本発明の第１実施形態は，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素別に保護膜を選択的に除去して優れた色座標を得る構造であるが，これに対し，本発明の第２実施形態は，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素別に保護膜を選択的に形成して優れた色座標を得る構造である。
【００７１】
図３Ａを参照すると，本発明の有機電界発光表示装置は，基板３００上にマトリックス状に配列される多数の画素を備える。各画素は，Ｒ色を表示するＲ画素３０Ｒ，Ｇ色を表示するＧ画素３０Ｇ，及びＢ色を表示するＢ画素３０Ｂを備える。前記基板３００は，Ｒ画素３０Ｒが形成されるＲ画素領域３００Ｒ，Ｇ画素３０Ｇが形成されるＧ画素領域３００Ｇ，及びＢ画素３０Ｂが形成されるＢ画素領域３００Ｂを備える。前記Ｒ画素領域３００Ｒ，Ｇ画素領域３００Ｇ及びＢ画素領域３００Ｂはそれぞれ発光領域と非発光領域を備える。
【００７２】
前記基板３００上にバッファ層３０５が形成され，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂの非発光領域の前記バッファ層３０５上に半導体層３１１，３１４及び３１７がそれぞれ形成される。前記半導体層３１１，３１４及び３１７はそれぞれＲ，Ｇ及びＢ画素３０Ｒ，３０Ｇ及び３０Ｂの薄膜トランジスタのためのもので，それぞれｐ型のソース／ドレイン領域３１２，３１３と３１５，３１６と３１８，３１９を備える。
【００７３】
基板上にゲート絶縁膜３２０が形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂのゲート絶縁膜３２０上にそれぞれＲ，Ｇ，Ｂ画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのゲート電極３２１，３２４及び３２７が形成される。基板上に層間絶縁膜３３０を形成する。前記層間絶縁膜３３０は，前記Ｒ画素３０Ｒの半導体層３１１に形成されたソース／ドレイン領域３１２，３１３の一部分を露出させるコンタクトホール３３２，３３３と，前記Ｇ画素３０Ｇの半導体層３１４に形成されたソース／ドレイン領域３１５，３１６の一部分を露出させるコンタクトホール３３５，３３６と，前記Ｂ画素３０Ｂの半導体層３１７に形成されたソース／ドレイン領域３１８，３１９の一部分を露出させるコンタクトホール３３８，３３９を備える。
【００７４】
前記層間絶縁膜３３０上にＲ，Ｇ，Ｂ画素３０Ｒ，３０Ｇ及び３０Ｂのソース／ドレイン電極３４２，３４３と３４５，３４６と３４８，３４９が形成される。前記Ｒ画素３０Ｒのソース／ドレイン電極３４２，３４３は，前記半導体層３１１に形成されたソース／ドレイン領域３１２，３１３とコンタクトホール３３２，３３３を介してそれぞれ連結される。前記Ｇ画素３０Ｇのソース／ドレイン電極３４５，３４６は，半導体層３１４に形成されたソース／ドレイン領域３１５，３１６と前記コンタクトホール３３５，３３６を介してそれぞれ形成される。前記Ｂ画素３０Ｂのソース／ドレイン電極３４８，３４９は，前記半導体層３１７に形成されたソース／ドレイン領域３１８，３１９と前記コンタクトホール３３８，３３９を介してそれぞれ連結される。
【００７５】
Ｒ画素領域３００ＲとＧ画素領域３００Ｇの層間絶縁膜３３０上に絶縁膜パターン３５１，３５４がそれぞれ形成される。絶縁膜パターン３５１は，Ｒ画素領域３００Ｒの発光領域に対応する層間絶縁膜３３０上に形成され，前記Ｒ画素３０Ｒから発生するＲ色の色座標を調整するためのものである。前記絶縁膜パターン３５４は，Ｇ画素領域３００Ｇの発光領域に対応する層間絶縁膜３３０上に形成され，前記Ｇ画素３０Ｇから発生するＧ色の色座標を調整するためのものである。
【００７６】
前記Ｒ画素領域３００Ｒの前記絶縁膜パターン３５１上にはＲ画素３０Ｒのアノード電極３６１が形成され，このアノード電極３６１がＲ画素３０Ｒのソース／ドレイン電極３４２，３４３の中のドレイン電極３４３に連結される。また，Ｇ画素領域３００Ｇの前記絶縁膜パターン３５４上にはＧ画素３０Ｇのアノード電極３６４が形成され，このアノード電極３６４がＧ画素３０Ｇのソース／ドレイン電極３４５，３４６の中のドレイン電極３４６に連結される。
【００７７】
一方，Ｂ画素領域３００Ｂでは，前記層間絶縁膜３３０上に前記Ｂ画素３０Ｂのアノード電極３６７が形成され，このアノード電極３６７がＢ画素３０Ｂの前記ソース／ドレイン電極３４８，３４９の中のドレイン電極３４９に連結される。この際，前記絶縁膜パターン３５１，３５４は，第１実施形態の保護膜２５０と同一の物質，例えば窒化膜から構成されてもよく，保護膜２５０とは異なる物質で構成されてもよい。
【００７８】
次いで，基板上に画素分離膜３７０が形成される。前記画素分離膜３７０は，前記Ｒ画素領域３００Ｒの発光領域に形成されたＲ画素３０Ｒのアノード電極３６１の一部分を露出させる開口部３７１と，前記Ｇ画素３００Ｇの発光領域に形成されたＧ画素３０Ｇのアノード電極３６４の一部分を露出させる開口部３７４と，前記Ｂ画素領域３００Ｂの発光領域に形成されたＢ画素３０Ｂのアノード電極３６７の一部分を露出させる開口部３７７とを備える。
【００７９】
前記Ｒ画素領域３００Ｒの開口部３７１によって露出したＲ画素３０Ｒのアノード電極３６１上に有機膜層３８１が形成され，前記Ｇ画素領域３００Ｇの開口部３７４によって露出したＧ画素３０Ｇのアノード電極３６４上に有機膜層３８４が形成され，前記Ｂ画素領域３００Ｂの開口部３７７によって露出したＢ画素３０Ｂのアノード電極３６７上に有機膜層３８７が形成される。その後，基板上に上部電極としてカソード電極３９０が形成される。
【００８０】
前記有機膜層３８，３８４及び３８７は，それぞれＲ，Ｇ，Ｂ画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのためのもので，正孔注入層，正孔輸送層，Ｒ，Ｇ及びＢ発光層，電子輸送層，電子注入層，及び正孔障壁層から選択されるいずれか一つ以上の有機膜を含む。
【００８１】
上述した本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置は，Ｒ画素領域３００Ｒに，Ｒ_ＥＬ素子と薄膜トランジスタを備えたＲ画素３０Ｒが配列される。前記Ｒ画素３０ＲのＲ_ＥＬ素子は，発光領域の絶縁膜パターン３５１上に形成されたアノード電極３６１，有機膜層３８１及びカソード電極３９０を備える。前記薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層３１１，ゲート電極３２１及びソース／ドレイン電極３４２，３４３を備え，前記Ｒ_ＥＬ素子のアノード電極３６１にドレイン電極３４３が連結される。
【００８２】
これと同様に，Ｇ画素領域３００Ｇには，Ｇ_ＥＬ素子と薄膜トランジスタを備えたＧ画素３０Ｇが配列される。前記Ｇ画素３０ＧのＧ_ＥＬ素子は，発光領域の絶縁膜パターン３５４上に形成されたアノード電極３６４，有機膜層３８４及びカソード電極３９０を備える。前記Ｇ画素３０Ｇの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層３１４，ゲート電極３２４及びソース／ドレイン電極３４５，３４６を備える。前記Ｇ_ＥＬ素子のアノード電極３６４にドレイン電極３４６が連結される。
【００８３】
また，Ｂ画素領域３００Ｂには，Ｂ_ＥＬ素子と薄膜トランジスタを備えたＢ画素３０ｂが配列される。前記Ｂ画素３０ＢのＢ_ＥＬ素子は，発光領域の層間絶縁膜３３０上に形成されたアノード電極３６７，有機膜層３８７及びカソード電極３９０を備える。前記Ｂ画素３０Ｂの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層３１７，ゲート電極３２７及びソース／ドレイン電極３４８，３４９を備え，前記Ｂ_ＥＬ素子のアノード電極３６７にドレイン電極３４９が連結される。
【００８４】
したがって，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのうち，Ｒ画素３０Ｒのアノード電極３６１とＧ画素３０Ｇのアノード電極３６４は絶縁膜パターン３５１，３５４上にそれぞれ形成され，前記Ｂ画素３０Ｂのアノード電極３６７はＢ画素領域３００Ｂの発光領域に該当する層間絶縁膜３３０上に形成される。
【００８５】
それ故に，Ｒ画素３０Ｒ及びＧ画素３０Ｇでは，有機膜層３８１，３８４から発光する光がそれぞれの絶縁膜パターン３５１，３５４を通過して基板３００側に放出されるが，Ｂ画素３０Ｂでは，有機膜層３８７から発光する光が絶縁膜パターンを通過せずに基板側に放出される。したがって，Ｒ画素３０Ｒ及びＧ画素３０Ｇのアノード電極３６１，３６４の下部にのみ絶縁膜パターン３５１，３５４を選択的に形成することにより，色面積を増大させることができる。
【００８６】
本発明の第２実施形態では，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂの中のＲ画素領域３００ＲとＧ画素領域３００Ｇにのみ選択的に同一厚さの絶縁パターン３５１，３５４を形成することを例示したが，Ｒ画素領域３００ＲとＧ画素領域３００Ｇにお互い異なる厚さの絶縁パターン３５１，３５４を形成して色面積を増大せることもできる。
【００８７】
図３Ｂは本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面構造図である。図３Ｂは有機電界発光表示装置の一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素中のＥＬ素子及び薄膜トランジスタに限定して示した。図３Ｂに示した有機電界発光表示装置は，絶縁膜パターンが２層構造で出来ている以外は，図３Ａに示した有機電界発光表示装置と同様の断面構造をもつ。
【００８８】
図３Ｂを参照すると，１つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂが基板３００のＲ画素領域３００Ｒ，Ｇ画素領域３００Ｇ，及びＢ画素領域３００Ｂにそれぞれ形成される。
【００８９】
Ｒ画素領域３００Ｒに形成されたＲ画素は，基板３００の非発光領域に形成された半導体層３１１，ゲート電極３２１及びソース／ドレイン電極３４２，３４３を備える薄膜トランジスタと，Ｒ画素領域３００Ｒの発光領域に配列された絶縁膜パターン３５１上に形成されたアノード電極３６１，有機膜層３８１及びカソード電極３９０を備えるＲ_ＥＬ素子とを含む。
【００９０】
Ｇ画素領域３００Ｇに形成されたＧ画素は，基板３００の非発光領域に形成された半導体層３１４，ゲート電極３２４及びソース／ドレイン電極３４５，３４６を備える薄膜トランジスタと，Ｇ画素領域３００Ｇの発光領域に配列された絶縁膜パターン３５４上に形成されたアノード電極３６４，有機膜層３８４及びカソード電極３９０を備えるＧ_ＥＬ素子を含む。
【００９１】
Ｂ画素領域３００Ｂに形成されたＢ画素は，基板３００の非発光領域に形成された半導体層３１７，ゲート電極３２７及びソース／ドレイン電極３４８，３４９を備える薄膜トランジスタと，Ｒ画素領域３００Ｂの発光領域に配列された絶縁膜パターン３５７上に形成されたアノード電極３６７，有機膜層３８７及びカソード電極３９０を備えるＢ_ＥＬ素子とを含む。
【００９２】
前記Ｒ画素３０Ｒのアノード電極３６１の下部に形成される絶縁膜パターン３５１は，層間絶縁膜３３０上に形成される第１絶縁膜３５２と，前記第１絶縁膜３５２上に形成される第２絶縁膜３５３とを含む。また，前記Ｇ画素３０Ｇのアノード電極３６４の下部に形成される絶縁膜パターン３５４は，層間絶縁膜３３０上に形成される第１絶縁膜３５５と前記第１絶縁膜３５５上に形成される第２絶縁膜３５６とを含む。一方，前記Ｂ画素３０Ｂの絶縁膜パターン３５７は，第１絶縁膜の単一膜から構成される。前記第１絶縁膜３５２，３５５，３５７は酸化膜のような絶縁膜であり，前記第２絶縁膜３５３，３５６は窒化膜のような絶縁膜である。
【００９３】
一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂのうち，Ｒ画素３０Ｒ及びＧ画素３０Ｂのアノード電極３６１，３６４の下部にそれぞれ形成された絶縁膜パターン３５１，３５４は第１絶縁膜と第２絶縁膜の積層膜から構成され，前記Ｂ画素３０Ｂのアノード電極３６７の下部に形成された絶縁膜パターン３５７は単一の第１絶縁膜から構成される。
【００９４】
したがって，Ｒ画素３０Ｒ及びＧ画素３０Ｇでは，有機膜層３８１，３８４から発光する光が第１絶縁膜と第２絶縁膜の絶縁膜パターン３５１，３５４を通過してそれぞれ基板３００側へ放出されるが，Ｂ画素３０Ｂでは，有機膜層３８７から発光する光が第１絶縁膜からなる絶縁膜パターン３５７を介して基板側へ放出される。
【００９５】
図３Ｂに示した有機電界発光表示装置においては，Ｒ及びＧ画素３０Ｒ，３０Ｇの絶縁膜パターン３５１，３５４は第１絶縁膜３５２，３５５と第２絶縁膜３５３，３５６の積層膜からそれぞれ構成され，Ｂ画素３０Ｂでは単一の第１絶縁膜が形成される構造を例示したが，Ｂ画素３０Ｂでは絶縁膜パターン３５７が形成されずにアノード電極３６７が層間絶縁膜３３０上に形成されてもよい。
【００９６】
本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置は，追加のマスク工程なしで製造することができる。すなわち，通常の有機電界発光表示装置においてビアホールを形成するマスク工程の代わりに，絶縁膜パターンを形成するためのマスク工程を行うことにより，別途のマスク工程が要求されない。また，前記絶縁膜パターンの形成時にハーフトーンマスクを用いると，図３Ｂに示すように，２層膜の絶縁膜パターン３５１，３５４と単一層の絶縁膜パターン３５７を１回のマスク工程で形成することができる。
【００９７】
図４Ａは本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。図４Ａは，本発明の有機電界発光表示装置において，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素のＥＬ素子とＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタに限定して示した。
【００９８】
本発明の第２実施形態は，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素別に保護膜を選択的に形成して優れた色座標を得る構造であるが，これに対し，本発明の第３実施形態は，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素別に層間絶縁膜を選択的に形成して優れた色座標を得る構造である。
【００９９】
図４Ａを参照すると，本発明の有機電界発光表示装置は，基板４００上にマトリックス状に配列される多数の画素を備える。各画素は，Ｒ画素４０Ｒ，Ｇ画素４０Ｇ及びＢ画素４０Ｂを備え，Ｒ画素４０Ｒ，Ｇ画素４０Ｇ及びＢ画素４０Ｂは基板４００のＲ画素領域４００Ｒ，Ｇ画素領域４００Ｇ及びＢ画素領域４００Ｂにそれぞれ形成される。Ｒ画素領域４００Ｒ，Ｇ画素領域４００Ｇ及びＢ画素領域４００Ｂは，それぞれＥＬ素子が配列される発光領域と，薄膜トランジスタが配列される非発光領域とを含んでなる。
【０１００】
前記基板４００のバッファ層４０５のＲ，Ｇ，Ｂ画素領域４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂの非発光領域に対応する部分には，Ｒ画素４０Ｒ，Ｇ画素４０Ｇ及びＢ画素４０Ｂの薄膜トランジスタ用半導体層４１１，４１４，４１７がそれぞれ形成される。前記半導体層４１１，４１４，４１７はそれぞれｐ型のソース／ドレイン領域４１２，４１３と４１５，４１６と４１８，４１９を備える。
【０１０１】
基板４００上にゲート絶縁膜４２０が形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂのゲート絶縁膜４２０上にそれぞれＲ，Ｇ，Ｂ画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂのゲート電極４２１，４２４，４２７が形成される。基板上に層間絶縁膜４３０が形成される。前記層間絶縁膜４３０は酸化膜または窒化膜のような絶縁膜である。
【０１０２】
前記層間絶縁膜４３０は，前記Ｒ画素４０Ｒのソース／ドレイン領域４１２，４１３の一部分を露出させるコンタクトホール４３２，４３３と，前記Ｇ画素４０Ｇのソース／ドレイン領域４１５，４１６の一部分を露出させるコンタクトホール４３５，４３６と，前記Ｂ画素４０Ｂのソース／ドレイン領域４１８，４１９の一部分を露出させるコンタクトホール４３０ｂ，４３０ａとを備える。また，前記層間絶縁膜４３０は，Ｂ画素領域４００Ｂの発光領域に対応する部分に，ゲート絶縁膜４２０の一部分を露出させる開口部４３９を備える。
【０１０３】
前記層間絶縁膜４３０上には，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素４０Ｒ，４０Ｇ及び４０Ｂのソース／ドレイン電極４４２，４４３と４４５，４４６と４４８，４４９が形成される。前記Ｒ画素４０Ｒのソース／ドレイン電極４４２，４４３は，前記半導体層４１１に形成されたソース／ドレイン領域４１２，４１３とコンタクトホール４３２，４３３を介してそれぞれ連結される。前記Ｇ画素４０Ｇのソース／ドレイン電極４４５，４４６は，半導体層４１４に形成されたソース／ドレイン領域４１５，４１６と前記コンタクトホール４３５，４３６を介してそれぞれ連結される。前記Ｂ画素４０Ｂのソース／ドレイン電極４４８，４４９は，前記半導体層４１７に形成されたソース／ドレイン領域４１８，４１９と前記コンタクトホール４３０ｂ，４３０ａを介してそれぞれ連結される。
【０１０４】
前記層間絶縁膜４３０上に，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの画素電極であるアノード電極４６１，４６４，４６７を形成する。前記Ｒ画素４０Ｒの画素電極４６１は，前記ソース／ドレイン電極４４２，４４３の中のドレイン電極４４３に連結されるように層間絶縁膜４３０上に形成される。前記Ｇ画素４０Ｇの画素電極４６４は，ソース／ドレイン電極４４５，４４６の中のドレイン電極４４６に連結されるように層間絶縁膜４３０上に形成される。また，前記Ｂ画素４０Ｂの画素電極４６７は，前記ソース／ドレイン電極４４８，４４９の中のドレイン電極４４９に連結されるように層間絶縁膜４３０の開口部４３９に形成される。
【０１０５】
次いで，基板上に画素分離膜４７０が形成される。前記画素分離膜４７０は，前記Ｒ画素領域４００Ｒの発光領域に形成されたＲ画素４０Ｒのアノード電極４６１の一部分を露出させる開口部４７１と，前記Ｇ画素領域４００Ｇの発光領域に形成されたＧ画素４０Ｇのアノード電極４６４の一部分を露出させる開口部４７４と，前記Ｂ画素領域４００Ｂの発光領域に形成されたＢ画素４０Ｂのアノード電極４６７の一部分を露出させる開口部４７７とを備える。
【０１０６】
前記Ｒ画素領域４００Ｒの開口部４７１によって露出したＲ画素４０Ｒのアノード電極４６１上に有機膜層４８１が形成され，前記Ｇ画素領域４００Ｇの開口部４７４によって露出したＧ画素４０Ｇのアノード電極４６４上に有機膜層４８４が形成され，前記Ｂ画素領域４００Ｂの開口部４７７によって露出したＢ画素４０Ｂのアノード電極４６７上に有機膜層４８７が形成される。その後，基板上に上部電極としてカソード電極４９０が形成される。
【０１０７】
前記有機膜層４８１，４８４及び４８７は，それぞれ正孔注入層，正孔輸送層，Ｒ，Ｇ及びＢ発光層，電子輸送層，電子注入層及び正孔障壁層から選択されるいずれか１つ以上の有機膜を含む。
【０１０８】
上述したように，本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置では，前記Ｒ画素４０ＲのＲ_ＥＬ素子は，Ｒ画素領域４００Ｒの発光領域の層間絶縁膜４３０上に形成されたアノード電極４６１，有機膜層４８１及びカソード電極４９０を備え，前記Ｒ画素４０Ｒの薄膜トランジスタは，Ｒ画素領域４００Ｒの非発光領域の基板上に形成された半導体層４１１，ゲート電極４２１，及びソース／ドレイン電極４４２，４４３を備え，前記Ｒ_ＥＬ素子のアノード電極４６１にドレイン電極４４３が連結される。
【０１０９】
これと同様に，前記Ｇ画素４０ＧのＧ_ＥＬ素子は，Ｇ画素領域４００Ｇの発光領域の層間絶縁膜４３０上に形成されたアノード電極４６４，有機膜層４８４及びカソード電極４９０を備える。前記Ｇ画素４０Ｇの薄膜トランジスタは，Ｇ画素領域４００Ｇの非発光領域の基板上に形成された半導体層４１４，ゲート電極４２４及びソース／ドレイン電極４４５，４４６を備え，前記Ｇ_ＥＬ素子のアノード電極４６４にドレイン電極４４６が連結される。
【０１１０】
一方，前記Ｂ画素４０ＢのＢ_ＥＬ素子は，Ｂ画素領域４００Ｂの発光領域の層間絶縁膜４３０の開口部４３９によって露出したゲート絶縁膜４２０上に形成されたアノード電極４６７，有機膜層４８７及びカソード電極４９０を備える。前記Ｂ画素４０Ｂの薄膜トランジスタは，Ｂ画素領域４００Ｂの非発光領域の基板上に形成された半導体層４１７，ゲート電極４２７及びソース／ドレイン電極４４８，４４９を備える。前記Ｂ_ＥＬ素子のアノード電極４６７にドレイン電極４４９が連結される。
【０１１１】
したがって，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂのうち，Ｒ画素４０Ｒ及びＧ画素４０Ｇのアノード電極４６１，４６４はそれぞれＲ画素領域４００Ｒ及びＧ画素領域４００Ｇの発光領域に該当する層間絶縁膜４３０上に形成され，Ｂ画素４０Ｂのアノード電極４６７はＢ画素領域４００Ｂの発光領域に該当する層間絶縁膜４３０の開口部４３９，すなわちゲート絶縁膜４２０上に形成される。
【０１１２】
それ故に，Ｒ画素４０Ｒ及びＧ画素４０Ｇでは，有機膜層４８１，４８４から発光する光が層間絶縁膜４３０を通過して基板４００側へ放出されるが，Ｂ画素４０Ｂでは，有機膜層４８７から発光する光が層間絶縁膜４３０の開口部４３９を介して基板側へ放出されるので，層間絶縁膜４３０を通過せずに放出される。
【０１１３】
図４Ｂは本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面構造図である。図４Ｂは，有機電界発光表示装置の一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素のＥＬ素子及び薄膜トランジスタに限定して示した。図４Ｂに示した有機電界発光表示装置は，層間絶縁膜が２層構造で出来ている以外は，図４Ａに示した有機電界発光表示装置と同様の断面構造をもつ。
【０１１４】
本発明の第３実施形態では，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域４００Ｒ，４００Ｇ，４００Ｂの中のＢ画素領域４００Ｂにのみ層間絶縁膜４３０を形成せず，残りの領域には同一厚さの層間絶縁膜４３０を形成することを例示したが，Ｒ画素領域４００ＲとＧ画素領域４００Ｇにお互い異なる厚さの層間絶縁膜４３０を形成して色面積を増大させることもできる。
【０１１５】
図４Ｂを参照すると，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂが基板４００のＲ画素領域４００Ｒ，Ｇ画素領域４００Ｇ及びＢ画素領域４００Ｂにそれぞれ形成される。
【０１１６】
Ｒ画素領域４００Ｒに形成されたＲ画素は，基板４００の非発光領域に形成された半導体層４１１，ゲート電極４２１及びソース／ドレイン電極４４２，４４３を備える薄膜トランジスタと，層間絶縁膜４３０の発光領域に形成されて前記ドレイン電極４４３に連結されたアノード電極４６１，有機膜層４８１及びカソード電極４９０を備えるＲ_ＥＬ素子とを含む。
【０１１７】
Ｇ画素領域４００Ｇに形成されたＧ画素４０Ｇは，基板４００の非発光領域に形成された半導体層４１４，ゲート電極４２４及びソース／ドレイン電極４４５，４４６を備える薄膜トランジスタと，層間絶縁膜４３０の発光領域に形成されて前記ドレイン電極４４６に連結されたアノード電極４６４，有機膜層４８４及びカソード電極４９０を備えるＲ_ＥＬ素子とを含む。
【０１１８】
Ｂ画素領域４００Ｂに形成されたＢ画素４０Ｂは，基板４００の非発光領域に形成された半導体層４１７，ゲート電極４２７及びソース／ドレイン電極４４８，４４９を備える薄膜トランジスタと，発光領域の層間絶縁膜４３０の開口部４３８によって露出したゲート絶縁膜４２０上に形成されて前記ドレイン電極４４９に連結されたアノード電極４６７，有機膜層４８７及びカソード電極４９０を備えるＢ_ＥＬ素子とを含む。
【０１１９】
前記層間絶縁膜４３０は，前記ゲート絶縁膜４２０上に形成される第１層間絶縁膜４３１ａと，前記第１層間絶縁膜４３１ａ上に形成される第２層間絶縁膜４３１ｂとから構成される。前記第１層間絶縁膜４３１ａは酸化膜のような絶縁膜からなり，前記第２層間絶縁膜４３１ｂは窒化膜のような絶縁膜からなり，前記Ｂ画素のアノード電極４６７の下部に形成された開口部４３８を備える。
【０１２０】
本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置は，追加のマスク工程なしで製造することができるが，層間絶縁膜４３０にコンタクトホールを形成するとき，前記層間絶縁膜４３０に開口部４３８を同時に形成することが可能であり，あるいはハーフトーンマスクなどを用いて層間絶縁膜４３０にコンタクトホール，第２層間絶縁膜４３１ｂに開口部４３８を形成することが可能である。
【０１２１】
一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂのうち，Ｒ画素４０Ｒ及びＧ画素４０Ｇでは，アノード電極４６１，４６４の下部に，第１層間絶縁膜４３１ａと第２層間絶縁膜４３１ｂからなる層間絶縁膜４３０が形成される。一方，Ｂ画素領域４００Ｂでは，第１層間絶縁膜４３１ａと前記Ｂ画素４０Ｂのアノード電極４６７に対応する部分に開口部４３８を備える第２層間絶縁膜４３１ｂとからなる層間絶縁膜４３０が形成される。
【０１２２】
Ｂ画素４０Ｂのアノード電極４６７は，Ｂ画素領域４００Ｂの発光領域に形成されるが，Ｒ画素４０Ｒ及びＧ画素４０Ｇとは異なり，層間絶縁膜４３０の開口部４３８に形成される。すなわち，Ｂ画素４０Ｂのアノード電極４６７の有機膜層４８７に対応する部分は第１層間絶縁膜４３１ａ上に形成される。
【０１２３】
したがって，Ｒ画素４０Ｒ及びＧ画素４０Ｇでは，有機膜層４８１，４８４から発光する光が第１層間絶縁膜４３１ａと第２層間絶縁膜４３１ｂを通過して基板４００側へ放出されるが，Ｂ画素４０Ｂでは，有機膜層４８７から発光する光が層間絶縁膜４３０の第１層間絶縁膜４３１ａを介して基板側へ放出されるので，第２層間絶縁膜４３１ｂを通過せずに放出される。
【０１２４】
図４Ｂに示した有機電界発光表示装置においては，Ｂ画素４０Ｂでは，層間絶縁膜４３０の第２層間絶縁膜４３１ｂにのみ開口部４３８が形成される構造を例示したが，第１及び第２層間絶縁膜４３１ａ，４３１ｂにわたって開口部４３０ｂが形成される構造を持つこともできる。
【０１２５】
図５Ａは本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面構造図である。図５Ａは本発明の有機電界発光表示装置において，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素のＥＬ素子及び薄膜トランジスタに限定して示したものである。
【０１２６】
本発明の第２実施形態では，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素別に保護膜を選択的に形成して優れた色座標を得る構造であるが，これに対し，本発明の第４実施形態では，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素別に層間絶縁膜を選択的に形成して優れた色座標を得る構造である。
【０１２７】
図５Ａを参照すると，本発明の有機電界発光表示装置は，基板５００上にマトリックス状に配列される多数の画素を備える。各画素を構成するＲ画素５０Ｒ，Ｇ画素５０Ｇ及びＢ画素５０Ｂは，基板５００のＲ画素領域５００Ｒ，Ｇ画素領域５００Ｇ及びＢ画素領域５００Ｂに形成される。Ｒ画素領域５００Ｒ，Ｇ画素領域５００Ｇ及びＢ画素領域５００Ｂはそれぞれ発光領域と非発光領域を含む。
【０１２８】
前記基板５００のバッファ層５０５のＲ，Ｇ，Ｂ画素領域５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂの非発光領域に半導体層５１１，５１４及び５１７がそれぞれ形成される。前記半導体層５１１，５１４及び５１７はそれぞれＲ，Ｇ及びＢ画素５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの薄膜トランジスタのためのものであって，それぞれｐ型のソース／ドレイン領域５１２，５１３と５１５，５１６と５１８，５１９を備える。
【０１２９】
基板上にゲート絶縁膜５２０が形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂのゲート絶縁膜５２０上にそれぞれＲ，Ｇ，Ｂ画素５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂのゲート電極５２１，５２４及び５２７が形成される。基板上に層間絶縁膜５３０が形成される。前記層間絶縁膜５３０は酸化膜または窒化膜のような絶縁膜である。
【０１３０】
前記層間絶縁膜５３０は，前記Ｒ画素５０Ｒの半導体層５１１に形成されたソース／ドレイン領域５１２，５１３の一部分を露出させるコンタクトホール５３２，５３３と，前記Ｇ画素５０Ｇの半導体層５１４に形成されたソース／ドレイン領域５１５，５１６の一部分を露出させるコンタクトホール５３５，５３６と，前記Ｂ画素５０Ｂの半導体層５１７に形成されたソース／ドレイン領域５１８，５１９の一部分を露出させるコンタクトホール５３０ｂ，５３０ａとを備える。
【０１３１】
前記層間絶縁膜５３０上にＲ，Ｇ，Ｂ画素５０Ｒ，５０Ｇ及び５０Ｂのソース／ドレイン電極５４２，５４３と５４５，５４６と５４８，５４９が形成される。前記Ｒ画素５０Ｒのソース／ドレイン電極５４２，５４３は，前記半導体層５１１に形成されたソース／ドレイン領域５１２，５１３とコンタクトホール５３２，５３３を介してそれぞれ連結される。前記Ｇ画素５０Ｇのソース／ドレイン電極５４５，５４６は，半導体層５１４に形成されたソース／ドレイン領域５１５，５１６と前記コンタクトホール５３５，５３６を介してそれぞれ連結される。前記Ｂ画素５０Ｂのソース／ドレイン電極５４８，５４９は，前記半導体層５１７に形成されたソース／ドレイン領域５１８，５１９と前記コンタクトホール５３０ｂ，５３０ａを介してそれぞれ連結される。
【０１３２】
Ｒ画素領域５００Ｒ，Ｇ画素領域５００Ｇ及びＢ画素領域５００Ｂの層間絶縁膜５３０上にＲ画素５０Ｒ，Ｇ画素５０Ｇ及びＢ画素５０Ｂの画素電極であるアノード電極５６１，５６４，５６７をそれぞれ形成する。この際，前記画素電極５６１，５６４，５６７は，ドレイン電極５４３，５４６，５４９と同一の物質から構成され，背面発光型有機電界発光表示装置なので，前記ドレイン電極は，例えば透明導電物質などからなる透明電極を含む。前記ドレイン電極５４３，５４６，５４９は，ソース電極５４２，５４５，５４８と同一の物質からなり，あるいはお互い異なる物質からなる。
【０１３３】
前記Ｒ画素５０Ｒのアノード電極５６１は前記ソース／ドレイン電極５４２，５４３の中のドレイン電極５４３から延設され，前記Ｇ画素５０Ｇのアノード電極５６４は前記ソース／ドレイン電極５４５，５４６の中のドレイン電極５４６から延設され，前記Ｂ画素５０Ｂのアノード電極５６７は前記ソース／ドレイン電極５４８，５４９の中のドレイン電極５４９から延設される。
【０１３４】
次いで，基板上に画素分離膜５７０が形成される。前記画素分離膜５７０は，前記Ｒ画素領域５００Ｒの発光領域に形成されたＲ画素５０Ｒのアノード電極５６１の一部分を露出させる開口部５７１と，前記Ｇ画素領域５００Ｇの発光領域に形成されたＧ画素５０Ｇのアノード電極５６４の一部分を露出させる開口部５７４と，前記Ｂ画素領域５００Ｂの発光領域に形成されたＢ画素５０Ｂのアノード電極５６７の一部分を露出させる開口部５７７とを備える。
【０１３５】
前記Ｒ画素領域５００Ｒの開口部５７１によって露出したＲ画素５０Ｒのアノード電極５６１上に有機膜層５８１が形成され，前記Ｇ画素領域５００Ｇの開口部５７４によって露出したＧ画素５０Ｇのアノード電極５６４上に有機膜層５８４が形成され，前記Ｂ画素領域５００Ｂの開口部５７７によって露出したＢ画素５０Ｂのアノード電極５６７上に有機膜層５８７が形成される。その後，基板上に上部電極としてカソード電極５９０が形成される。
【０１３６】
前記有機膜層５８１，５８４及び５８７は，それぞれＲ，Ｇ，Ｂ画素５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂのためのもので，正孔注入層，正孔輸送層，Ｒ，Ｇ及びＢ発光層，電子輸送層，電子注入層及び正孔障壁層から選択されるいずれか一つ以上の有機膜を含む。
【０１３７】
上述した本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置では，Ｒ画素領域５００Ｒに配列されるＲ画素５０ＲのＲ_ＥＬ素子は，層間絶縁膜５３０上に前記ドレイン電極５４３から延設されたアノード電極５６１，有機膜層５８１及びカソード電極５９０を備え，前記Ｒ画素５０Ｒの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層５１１，ゲート電極５２１及びソース／ドレイン電極５４２，５４３を備える。
【０１３８】
これと同様に，Ｇ画素領域５００Ｇに配列されたＧ画素５０ＧのＧ_ＥＬ素子は，層間絶縁膜５３０上に前記ドレイン電極５４６から延設されたアノード電極５６４，有機膜層５８４及びカソード電極５９０を備える。前記Ｇ画素５０Ｇの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層５１４，ゲート電極５２４及びソース／ドレイン電極５４５，５４６を備える。
【０１３９】
また，Ｂ画素領域５００Ｂに配列されたＢ画素５０ＢのＢ_ＥＬ素子は，発光領域の層間絶縁膜５３０の開口部５３９によって露出したゲート絶縁膜５２０上に形成されたアノード電極５６７，有機膜層５８７及びカソード電極５９０を備える。前記Ｂ画素５０Ｂの薄膜トランジスタは，非発光領域の基板上に形成された半導体層５１７，ゲート電極５２７及びソース／ドレイン電極５４８，５４９を備える。
【０１４０】
したがって，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂのうち，前記Ｒ画素５０Ｒのアノード電極５６１とＧ画素５０Ｇのアノード電５６４は，層間絶縁膜５３０上にそれぞれ形成され，前記Ｂ画素５０Ｂのアノード電極５６７は，Ｂ画素領域５００Ｂの発光領域に対応する層間絶縁膜５３０の開口部５３９によって露出するゲート絶縁膜５２０上に形成される。
【０１４１】
したがって，Ｒ画素５０Ｒ及びＧ画素５０Ｇでは，有機膜層５８１，５８４から発光する光が層間絶縁膜５３０を通過して基板５００側へ放出されるが，Ｂ画素５０Ｂでは，有機膜層５８７から発光する光が層間絶縁膜５３０の開口部５３９を介して基板側へ放出される。
【０１４２】
本発明の第４実施形態では，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域５００Ｒ，５００Ｇ，５００Ｂの中のＢ画素領域５００Ｂにのみ層間絶縁膜５３０を形成せず，残りの領域には同一厚さの層間絶縁膜５３０を形成することを例示したが，Ｒ画素領域５００ＲとＧ画素領域５００Ｇにお互い異なる厚さの層間絶縁膜５３０を形成して色面積を増大させることもできる。
【０１４３】
図５Ｂは本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面構造図である。図５Ｂは有機電界発光表示装置の一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素のＥＬ素子及び薄膜トランジスタに限定して示した。図５Ｂに示した有機電界発光表示装置は，層間絶縁膜が２層構造で出来ている以外は，図５Ａに示した有機電界発光表示装置と同一の断面構造をもつ。
【０１４４】
図５Ｂを参照すると，一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂが基板５００のＲ画素領域５００Ｒ，Ｇ画素領域５００Ｇ及びＢ画素領域５００Ｂにそれぞれ形成される。
【０１４５】
Ｒ画素領域５００Ｒに形成されたＲ画素は，基板５００の非発光領域に形成された半導体層５１１，ゲート電極５２１及びソース／ドレイン電極５４２，５４３を備える薄膜トランジスタと，層間絶縁膜５３０上に前記ドレイン電極５４３から延設されたアノード電極５６１，有機膜層５８１及びカソード電極５９０を備えるＲ_ＥＬ素子とを含む。
【０１４６】
Ｇ画素領域５００Ｇに形成されたＧ画素は，基板５００の非発光領域に形成された半導体層５１４，ゲート電極５２４及びソース／ドレイン電極５４５，５４６を備える薄膜トランジスタと，層間絶縁膜５３０上に前記ドレイン電極５４６から延設されたアノード電極５６４，有機膜層５８４及びカソード電極５９０を備えるＧ_ＥＬ素子とを含む。
【０１４７】
Ｂ画素領域５００Ｂに形成されたＲ画素は，基板５００の非発光領域に形成された半導体層５１７，ゲート電極５２７及びソース／ドレイン電極５４８，５４９を備える薄膜トランジスタと，層間絶縁膜５３０のＢ画素領域５００Ｂの発光領域に該当する開口部５３８に前記ドレイン電極５４９から延設されたアノード電極５６７，有機膜層５８７及びカソード電極５９０を備えるＢ_ＥＬ素子とを含む。
【０１４８】
前記層間絶縁膜５３０は，ゲート絶縁膜５２０上に形成された第１層間絶縁膜５３１ａと，前記第１層間絶縁膜５３１ａ上に形成された第２層間絶縁膜５３１ｂとから構成される。前記第２層間絶縁膜５３１ｂは，Ｂ画素領域５００Ｂの発光領域に該当する部分に開口部５３８を備える。前記第１層間絶縁膜５３１ａは酸化膜のような絶縁膜であり，前記第２層間絶縁膜５３１ｂは窒化膜のような絶縁膜である。
【０１４９】
一つの画素を構成するＲ，Ｇ，Ｂ画素５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂのうち，Ｒ画素５０Ｒ及びＧ画素５０Ｂのアノード電極５６１，５６４の下部にそれぞれ形成された層間絶縁膜は，第１層間絶縁膜５３１ａと第２層間絶縁膜５３１ｂの積層膜から構成され，前記Ｂ画素５０Ｂのアノード電極５６７の下部に形成された層間絶縁膜５３０は，第１層間絶縁膜５３１ａと，前記有機膜層５８７に対応する部分に開口部５３８を備えた第２層間絶縁膜５３１ｂとから構成される。
【０１５０】
したがって，Ｒ画素５０Ｒ及びＧ画素５０Ｇでは，有機膜層５８１，５８４から発光する光が第１層間絶縁膜５３１ａと第２層間絶縁膜５３１ｂを通過して基板５００側へ放出されるが，Ｂ画素５０Ｂでは，有機膜層５８７から発光する光が第１層間絶縁膜５３１ａを介して基板側へ放出される。
【０１５１】
図５Ｂに示した有機電界発光表示装置においては，Ｂ画素５０Ｂでは，第２層間絶縁膜５３１ｂにのみ開口部５３８が形成されたが，第１層間絶縁膜５３１ａと第２層間絶縁膜５３１ｂにわたって開口部５３８が形成されてもよい。
【０１５２】
本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置は，追加のマスク工程なしで製造することができるが，前記層間絶縁膜５３０にコンタクトホールを形成するときにＢ画素領域５００Ｂに開口部５３９を形成し，あるいはハーフトーンマスクなどを用いて層間絶縁膜５３０にコンタクトホールを形成するときに層間絶縁膜５３０の第２層間絶縁膜５３１ｂ上にのみ開口部５３８を形成することもできる。
【０１５３】
本発明の実施形態では，保護膜が単一層または２層構造を有する場合に限定して説明したが，保護膜が多層膜からなる場合でも，優れた色座標が得られるようにＲ，Ｇ，Ｂ画素別に選択的に保護膜を形成し，或いは多層膜中の一部のみをＲ，Ｇ，Ｂ画素別に選択的に形成することもできる。
【０１５４】
また，本発明の実施形態では，保護膜が，酸化膜からなる第１保護膜と，窒化膜からなる第２保護膜との積層膜を備える場合を例示したが，必ずしもこれに局限されず，第１保護膜が窒化膜からなり，第２保護膜が酸化膜からなる場合にも適用可能であるうえ，第１保護膜と第２保護膜のいずれか一つが有機絶縁膜からなり，もう一つが無機絶縁膜からなる場合にも適用可能である。
【０１５５】
また，本発明の実施形態では，ＥＬ素子を駆動する駆動素子としての薄膜トランジスタをｐ型薄膜トランジスタとしたが，ｎ型薄膜トランジスタだけでなく，他のスイッチング素子を適用することもできる。
【０１５６】
また，本発明の実施形態では，画素電極のアノード電極の下部に形成された絶縁膜，例えば層間絶縁膜または保護膜をＲ，Ｇ，Ｂ画素別に選択的に形成することにより，優れた色座標を得ようとしたが，アノード電極の下部に形成される全ての絶縁膜，例えば層間絶縁膜，保護膜，ゲート絶縁膜及びバッファ層を選択的に形成し，あるいはこれらの中の一部を選択的に形成することも可能である。
【０１５７】
また，本発明の実施形態は，表示素子として有機電界発光素子（ＥＬ）を備え，前記表示素子を駆動するための駆動素子として薄膜トランジスタを備えるアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置について説明したが，表示素子として液晶表示素子（ＬＣＤ）を備え，前記液晶表示素子を駆動するための駆動素子として薄膜トランジスタを備えるアクティブマトリックス型液晶表示装置において，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素の画素電極の下部に形成される絶縁膜を選択的に除去することにより改善することができる。
【０１５８】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１５９】
本発明は，表示素子として有機電荷発光素子（ＥＬ）を備え，前記表示素子を駆動するための駆動素子として薄膜トランジスタを備えるアクティブマトリックス型有機電界発光表示装置だけでなく，表示素子として液晶表示素子（ＬＣＤ）を備え，前記液晶表示素子を駆動するための駆動素子として薄膜トランジスタを備えるアクティブマトリックス型液晶表示装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】従来の有機電界発光表示装置の断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。
【図３Ｂ】本発明の第２実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。
【図４Ｂ】本発明の第３実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面図である。
【図５Ａ】本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置の断面図である。
【図５Ｂ】本発明の第４実施形態に係る有機電界発光表示装置の変形例を示す断面図である。
【図６】保護膜の有無による有機電界発光表示装置の色座標を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１６１】
２００ 基板
２０Ｒ Ｒ画素
２０Ｇ Ｇ画素
２０Ｂ Ｂ画素
２００Ｒ Ｒ画素領域
２００Ｇ Ｇ画素領域
２００Ｂ Ｂ画素領域
２０５ バッファ層
２１１，２１４，２１７ 半導体層
２１２，２１５，２１８ ソース領域
２１３，２１６，２１９ ドレイン領域
２２１，２２４，２２７ ゲート電極
２３０ 層間絶縁膜
２３２，２３３，２３５，２３６，２３８，２３９ コンタクトホール
２４２，２４５，２４８ ソース電極
２４３，２４６，２４９ ドレイン電極
２５０ 保護膜
２５１，２５４，２５７ ビアホール
２６１，２６４，２６７ アノード電極
２７０ 画素分離膜
２７１，２７４，２７７ 開口部
２８１，２８４，２８７ 有機膜層
２９０ カソード電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれお互い異なる所定色の光を放出する画素が形成される多数の画素領域を備え，前記各画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記多数の画素領域それぞれの前記非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成される多数の駆動素子と，
前記多数の画素領域それぞれの前記発光領域に形成されて前記駆動素子にそれぞれ連結される多数の画素電極と，
前記多数の画素電極の真下に形成される絶縁膜とを含んでなり，
前記絶縁膜は前記多数の画素領域の発光領域の中の少なくとも一つを除いた基板上に形成されることを特徴とする，平板表示装置。
【請求項２】
前記絶縁膜は，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項３】
前記多数の画素領域は，Ｒ色の光を放出するためのＲ画素が形成されるＲ画素領域と，Ｇ色の光を放出するためのＧ画素が形成されるＧ画素領域と，Ｂ色の光を放出するためのＢ画素が形成されるＢ画素領域とを含み，
前記絶縁膜は前記Ｂ画素領域の発光領域を除いた基板の全面に形成されることを特徴とする，請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項３に記載の平板表示装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は，
基板の全面に形成された第１絶縁膜と，
前記Ｂ画素領域の発光領域に対応する部分を除いた前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を含むことを特徴とする，請求項３に記載の平板表示装置。
【請求項６】
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項５に記載の平板表示装置。
【請求項７】
前記多数の画素領域は，Ｒ色の光を放出するためのＲ画素が形成されるＲ画素領域と，Ｇ色の光を放出するためのＧ画素が形成されるＧ画素領域と，Ｂ色の光を放出するためのＢ画素が形成されるＢ画素領域とを含み，
前記絶縁膜は前記Ｒ画素領域及び前記Ｇ画素領域の発光領域にのみ選択的に形成される絶縁パターンであることを特徴とする，請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項８】
前記絶縁膜は，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項７に記載の平板表示装置。
【請求項９】
前記絶縁パターンは，
前記Ｒ画素領域の発光領域と前記Ｇ画素領域の発光領域に形成された第１絶縁膜と，
前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含むことを特徴とする，請求項７に記載の平板表示装置。
【請求項１０】
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項９に記載の平板表示装置。
【請求項１１】
前記第１絶縁膜は前記Ｂ画素領域の発光領域にも形成されることを特徴とする，請求項１０に記載の平板表示装置。
【請求項１２】
前記駆動素子は，前記画素電極を駆動するための駆動薄膜トランジスタを含むことを特徴とする，請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項１３】
Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ駆動するためのＲ，Ｇ，Ｂ駆動素子と，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ駆動素子と前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極との間に形成される絶縁膜とを含み，
前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中の少なくとも１つを除いた基板上に形成されることを特徴とする，平板表示装置。
【請求項１４】
前記絶縁膜は，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項１５】
前記絶縁膜は，Ｂ画素領域の発光領域を除いた基板の全面に形成されることを特徴とする，請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項１６】
前記絶縁膜は，
基板の全面に形成された第１絶縁膜と，
前記Ｂ画素領域の発光領域に対応する部分を除いた前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を含むことを特徴とする，請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項１７】
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項１６に記載の平板表示装置。
【請求項１８】
前記絶縁膜は，Ｒ画素領域の発光領域とＧ画素領域の発光領域に形成される絶縁パターンであることを特徴とする，請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項１９】
前記絶縁パターンは，
前記Ｒ画素領域の発光領域と前記Ｇ画素領域の発光領域に形成された第１絶縁膜と，
前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含むことを特徴とする，請求項１８に記載の平板表示装置。
【請求項２０】
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項１９に記載の平板表示装置。
【請求項２１】
前記第１絶縁膜は前記Ｂ画素領域の発光領域にも形成されることを特徴とする，請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項２２】
Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ駆動するための駆動電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ駆動素子と，
基板上に形成され，その上面に駆動電極が形成される絶縁膜とを含み，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極は前記絶縁膜上に形成されて前記駆動電極に連結され，
前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中の少なくとも一つを除いた基板上に形成されることを特徴とする，平板表示装置。
【請求項２３】
前記絶縁膜は，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のＢ画素領域の発光領域を除いた基板の全面に形成されることを特徴とする，請求項２２に記載の平板表示装置。
【請求項２４】
前記絶縁膜は，
基板の全面に形成された第１絶縁膜と，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のＢ画素領域の発光領域に対応する部分を除いた前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含むことを特徴とする，請求項２２に記載の平板表示装置。
【請求項２５】
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項２４に記載の平板表示装置。
【請求項２６】
前記絶縁膜は，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項２２に記載の平板表示装置。
【請求項２７】
Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，それぞれ半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタぞれぞれのソース／ドレイン電極のいずれか一方をそれぞれ露出させるＲ，Ｇ，Ｂビアホールを備えた絶縁膜と，
前記絶縁膜のＲ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂビアホールを介して前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのいずれか一つの電極に連結されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えるＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子とを含み，
前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つを除いた基板上に形成されたことを特徴とする，有機電界発光表示装置。
【請求項２８】
前記絶縁膜はＢ画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた基板の全面に形成され，
前記絶縁膜は窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項２７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２９】
前記絶縁膜は，
基板の全面に形成された第１絶縁膜と，前記Ｂ画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含み，
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項２７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３０】
Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，それぞれ半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極のいずれか一方にそれぞれ連結されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えるＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子と，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域のＲ，Ｇ，Ｂ画素電極の中の一部画素電極の下部にのみ選択的に形成された絶縁膜とを含むことを特徴とする，有機電界発光表示装置。
【請求項３１】
前記絶縁膜は前記Ｒ画素領域の発光領域と前記Ｂ画素領域の発光領域に形成されたＲ及びＧ画素電極の下部にのみ選択的に形成され，
前記絶縁膜は窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項３０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３２】
前記絶縁膜は，
前記Ｒ画素電極及びＧ画素電極の下部の前記Ｒ画素領域の発光領域と前記Ｇ画素領域の発光領域に形成された第１絶縁膜と，前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含み，
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項３０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３３】
Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極のいずれか一方に連結されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えたＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子と，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の下部に形成された絶縁膜とを含み，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極は前記絶縁膜に形成されて前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのいずれか一つの電極に連結され，
前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つのみを除いた基板上に形成されたことを特徴とする，有機電界発光表示装置。
【請求項３４】
前記絶縁膜は，前記Ｂ画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた基板の全面に形成され，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項３３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３５】
前記絶縁膜は，
基板の全面に形成された第１絶縁膜と，前記Ｂ画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含み，
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項３３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３６】
Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えたＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子と，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の下部に形成された絶縁膜とを含み，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極は前記絶縁膜に前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタぞれぞれのソース／ドレイン電極のいずれか一方から延設され，
前記絶縁膜は前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つを除いた基板上に形成されたことを特徴とする，有機電界発光表示装置。
【請求項３７】
前記絶縁膜は，Ｂ画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた基板の全面に形成され，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項３６に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３８】
前記絶縁膜は，
基板の全面に形成された第１絶縁膜と，前記Ｂ画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含み，
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項３６に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１】
それぞれお互い異なる所定色の光を放出する画素が形成される多数の画素領域を備え，前記各画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記多数の画素領域それぞれの前記非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成される多数の駆動素子と，
前記多数の画素領域それぞれの前記発光領域に形成されて前記駆動素子にそれぞれ連結される多数の画素電極と，
前記多数の画素電極の真下に形成される絶縁膜とを含んでなり，
前記絶縁膜は前記多数の画素領域の発光領域の中の少なくとも一つを除いた基板上に形成されることを特徴とする，平板表示装置。
【請求項２】
前記絶縁膜は，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項３】
前記多数の画素領域は，Ｒ色の光を放出するためのＲ画素が形成されるＲ画素領域と，Ｇ色の光を放出するためのＧ画素が形成されるＧ画素領域と，Ｂ色の光を放出するためのＢ画素が形成されるＢ画素領域とを含み，
前記絶縁膜は前記Ｂ画素領域の発光領域を除いた基板の全面に形成されることを特徴とする，請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項３に記載の平板表示装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は，
基板の全面に形成された第１絶縁膜と，
前記Ｂ画素領域の発光領域に対応する部分を除いた前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を含むことを特徴とする，請求項３に記載の平板表示装置。
【請求項６】
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項５に記載の平板表示装置。
【請求項７】
前記多数の画素領域は，Ｒ色の光を放出するためのＲ画素が形成されるＲ画素領域と，Ｇ色の光を放出するためのＧ画素が形成されるＧ画素領域と，Ｂ色の光を放出するためのＢ画素が形成されるＢ画素領域とを含み，
前記絶縁膜は前記Ｒ画素領域及び前記Ｇ画素領域の発光領域にのみ選択的に形成される絶縁パターンであることを特徴とする，請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項８】
前記絶縁膜は，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項７に記載の平板表示装置。
【請求項９】
前記絶縁パターンは，
前記Ｒ画素領域の発光領域と前記Ｇ画素領域の発光領域に形成された第１絶縁膜と，
前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含むことを特徴とする，請求項７に記載の平板表示装置。
【請求項１０】
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項９に記載の平板表示装置。
【請求項１１】
前記第１絶縁膜は前記Ｂ画素領域の発光領域にも形成されることを特徴とする，請求項１０に記載の平板表示装置。
【請求項１２】
前記駆動素子は，前記画素電極を駆動するための駆動薄膜トランジスタを含むことを特徴とする，請求項１に記載の平板表示装置。
【請求項１３】
Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ駆動するためのＲ，Ｇ，Ｂ駆動素子と，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ駆動素子と前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極との間に形成される絶縁膜とを含み，
前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中の少なくとも１つを除いた基板上に形成されることを特徴とする，平板表示装置。
【請求項１４】
前記絶縁膜は，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項１５】
前記絶縁膜は，Ｂ画素領域の発光領域を除いた基板の全面に形成されることを特徴とする，請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項１６】
前記絶縁膜は，
基板の全面に形成された第１絶縁膜と，
前記Ｂ画素領域の発光領域に対応する部分を除いた前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜を含むことを特徴とする，請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項１７】
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項１６に記載の平板表示装置。
【請求項１８】
前記絶縁膜は，Ｒ画素領域の発光領域とＧ画素領域の発光領域に形成される絶縁パターンであることを特徴とする，請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項１９】
前記絶縁パターンは，
前記Ｒ画素領域の発光領域と前記Ｇ画素領域の発光領域に形成された第１絶縁膜と，
前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含むことを特徴とする，請求項１８に記載の平板表示装置。
【請求項２０】
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項１９に記載の平板表示装置。
【請求項２１】
前記第１絶縁膜は前記Ｂ画素領域の発光領域にも形成されることを特徴とする，請求項１３に記載の平板表示装置。
【請求項２２】
Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ駆動するための駆動電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ駆動素子と，
基板上に形成され，その上面に駆動電極が形成される絶縁膜とを含み，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極は前記絶縁膜上に形成されて前記駆動電極に連結され，
前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中の少なくとも一つを除いた基板上に形成されることを特徴とする，平板表示装置。
【請求項２３】
前記絶縁膜は，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のＢ画素領域の発光領域を除いた基板の全面に形成されることを特徴とする，請求項２２に記載の平板表示装置。
【請求項２４】
前記絶縁膜は，
基板の全面に形成された第１絶縁膜と，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のＢ画素領域の発光領域に対応する部分を除いた前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含むことを特徴とする，請求項２２に記載の平板表示装置。
【請求項２５】
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項２４に記載の平板表示装置。
【請求項２６】
前記絶縁膜は，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項２２に記載の平板表示装置。
【請求項２７】
Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，それぞれ半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタぞれぞれのソース／ドレイン電極のいずれか一方をそれぞれ露出させるＲ，Ｇ，Ｂビアホールを備えた絶縁膜と，
前記絶縁膜のＲ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂビアホールを介して前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのいずれか一つの電極に連結されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えるＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子とを含み，
前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つを除いた基板上に形成されたことを特徴とする，有機電界発光表示装置。
【請求項２８】
前記絶縁膜はＢ画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた基板の全面に形成され，
前記絶縁膜は窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項２７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２９】
前記絶縁膜は，
基板の全面に形成された第１絶縁膜と，前記Ｂ画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含み，
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項２７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３０】
Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，それぞれ半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極のいずれか一方にそれぞれ連結されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えるＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子と，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域のＲ，Ｇ，Ｂ画素電極の中の一部画素電極の下部にのみ選択的に形成された絶縁膜とを含むことを特徴とする，有機電界発光表示装置。
【請求項３１】
前記絶縁膜は前記Ｒ画素領域の発光領域と前記Ｂ画素領域の発光領域に形成されたＲ及びＧ画素電極の下部にのみ選択的に形成され，
前記絶縁膜は窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項３０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３２】
前記絶縁膜は，
前記Ｒ画素電極及びＧ画素電極の下部の前記Ｒ画素領域の発光領域と前記Ｇ画素領域の発光領域に形成された第１絶縁膜と，前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含み，
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項３０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３３】
Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極のいずれか一方に連結されるＲ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えたＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子と，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の下部に形成された絶縁膜とを含み，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極は前記絶縁膜に形成されて前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのいずれか一つの電極に連結され，
前記絶縁膜はＲ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つのみを除いた基板上に形成されたことを特徴とする，有機電界発光表示装置。
【請求項３４】
前記絶縁膜は，前記Ｂ画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた基板の全面に形成され，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項３３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３５】
前記絶縁膜は，
基板の全面に形成された第１絶縁膜と，前記Ｂ画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含み，
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項３３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３６】
Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域を備え，各Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域は発光領域と非発光領域に分けられる基板と，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の非発光領域に対応する基板上にそれぞれ形成され，半導体層，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を備えるＲ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタと，
前記Ｒ画素領域，Ｇ画素領域及びＢ画素領域の発光領域にそれぞれ形成され，Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極をそれぞれ備えたＲ，Ｇ，Ｂ_ＥＬ素子と，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極の下部に形成された絶縁膜とを含み，
前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素電極は前記絶縁膜に前記Ｒ，Ｇ，Ｂ薄膜トランジスタぞれぞれのソース／ドレイン電極のいずれか一方から延設され，
前記絶縁膜は前記Ｒ，Ｇ，Ｂ画素領域の発光領域の中のいずれか一つを除いた基板上に形成されたことを特徴とする，有機電界発光表示装置。
【請求項３７】
前記絶縁膜は，Ｂ画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた基板の全面に形成され，窒化膜または酸化膜からなる単一膜または多層膜を含むことを特徴とする，請求項３６に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３８】
前記絶縁膜は，
基板の全面に形成された第１絶縁膜と，前記Ｂ画素領域の発光領域に形成された画素電極の下部を除いた前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含み，
前記第１絶縁膜は酸化膜を含み，前記第２絶縁膜は窒化膜を含むことを特徴とする，請求項３６に記載の有機電界発光表示装置。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【公開番号】特開２００６−１４６１３５（Ｐ２００６−１４６１３５Ａ）
【公開日】平成１８年６月８日（２００６．６．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１３０２５０（Ｐ２００５−１３０２５０）
【出願日】平成１７年４月２７日（２００５．４．２７）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月８日（２００６．６．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月２７日（２００５．４．２７）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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