底面電極部品の取り外し方法
【課題】熱ダメージを与えることなく底面電極部品を取り外すこと。
【解決手段】初期状態Ｓ１０では、ＢＧＡ３１を有する底面電極部品２１が基板１０に取り付けられている。底面電極部品２１と基板１０との間に低融点半田などの伝熱材４１を充填し（Ｓ１１）、伝熱材４１と底面電極であるＢＧＡ３１とを加熱する（Ｓ１２）。この加熱によって伝熱材４１とＢＧＡ３１とを溶融し、底面電極部品２１を基板１０から取り外す（Ｓ１３）。
【解決手段】初期状態Ｓ１０では、ＢＧＡ３１を有する底面電極部品２１が基板１０に取り付けられている。底面電極部品２１と基板１０との間に低融点半田などの伝熱材４１を充填し（Ｓ１１）、伝熱材４１と底面電極であるＢＧＡ３１とを加熱する（Ｓ１２）。この加熱によって伝熱材４１とＢＧＡ３１とを溶融し、底面電極部品２１を基板１０から取り外す（Ｓ１３）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、底面電極部品の取り外し方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、部品の高密度化や高機能化が進み、電子部品の電極形態としてＢＧＡ（Ball grid array）などの底面電極が広く用いられている。加えて、電子部品と基板との間に樹脂などを充填し、電子部品を接着固定して動作の信頼性を向上する技術も知られている。
【０００３】
また、サーバや基幹装置は高価であり、ＢＧＡや電源モジュール等の底面電極部品においてバージョンアップや部品不良、実装不良等が発生した場合にユニットを捨てることなく解析や再利用を行なうことが求められている。
【０００４】
このため、サーバや基幹装置では部品を取り外す作業や新たな部品を取り付ける作業が発生する。
【０００５】
底面電極部品は半田ゴテなどを用いた接続部の直接加熱による溶融ができない。そこで、熱風式のリワーク装置を用いて部品や基板を全体的に加熱し、半田融点以上の熱を加えて部品底面の接合部を溶融させて部品取り外しや取り付けを行っていた。接合部を溶融させるためには、半田がＳｎＰｂ系ならば１９０度以上、ＳＡＣ系ならば２２５度以上に加熱することが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１６３２７０号公報
【特許文献２】特開２００３−２４６８２８号公報
【特許文献３】特開平１１−１６８１５６号公報
【特許文献４】特開２００６−０１９４５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
電子部品には、その動作を保証するため、所定温度以上の加熱を許容する回数が耐熱回数として定められている。例えば、耐熱回数が２回の電子部品の場合、従来の技術では、最初の取り付け時に１回目の熱ダメージが発生し、取り外しの際に２回目の熱ダメージが発生する。取り外した部品を再度基板に取り付けると、熱ダメージが３回目となり、耐熱回数を越える。
【０００８】
また、底面電極部品を実装し、熱風式のリワーク装置によって部品の除去や取り付けを行なう場合に対象となる部品と周囲の部品との間隔が狭いと、周囲の部品まで熱による影響を受ける場合があった。周辺の電子部品への熱ダメージの発生を回避するため、部品の間隔を広くすると、高密度実装の妨げとなる。
【０００９】
特に近年、接合部の鉛フリーが求められており、ＢＧＡは融点が１９０度程度の共晶から融点２２５度程度のＳＡＣへ置換えられ、半田融点約３５℃上昇している。従来は、１９０度程度の加熱で電子部品の実装や除去を行なうことを前提に、周囲の部品に熱ダメージを与えないよう部品間隔を設計していた。しかし、半田融点の上昇に伴い、実装時や除去時の熱風温度が高く、長時間加熱することとなり、周辺の部品に対する熱の影響が大きくなる。ＳＡＣへの置換に合せて設計変更を変更すると、設計のやり直しによるコスト増大や実装密度の低下が問題となる。
【００１０】
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、電子部品の取り外しを行なう際の熱ダメージを抑える底面電極部品の取り外し方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願の開示する底面電極部品の取り外し方法は、底面電極によって基板に半田付けされた底面電極部品と基板との間に伝熱材を充填し、伝熱材と底面電極と一体化して加熱し、取り外す。
【発明の効果】
【００１２】
本願の開示する底面電極部品の取り外し方法によれば、電子部品の取り外しを行なう際の熱ダメージを抑える底面電極部品の取り外し方法を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本実施例に係る底面電極部品の取り外し方法の説明図である。
【図２】図２は、図１に示したニクロム線５１による加熱についての説明図である。
【図３】図３は、リフロー装置を用いた底面電極部品の除去と実装の比較例の説明図である。
【図４】図４は、小型の電子部品の除去の比較例についての説明図である。
【図５】図５は、小型の電子部品の再実装の比較例についての説明図である。
【図６】図６は、本実施例に係るリフローによる底面電極部品の除去についての説明図である。
【図７】図７は、伝熱材４１の充填についての説明図である。
【図８】図８は、スルーホールを有する基板からの底面電極部品の除去についての説明図である。（その１）
【図９】図９は、スルーホールを有する基板からの底面電極部品の除去についての説明図である。（その２）
【図１０】図１０は、スルーホールを有する基板からの底面電極部品の除去についての説明図である。（その３）
【図１１】図１１は、ＢＧＡと伝熱材との混合についての説明図である。
【図１２】図１２は、混合半田の融点についての説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本願の開示する底面電極部品の取り外し方法を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の具体的な実施例に本発明を限定するものではない。
【実施例】
【００１５】
図１は、本実施例に係る底面電極部品の取り外し方法の説明図である。図１に示したように、初期状態Ｓ１０では、ＢＧＡ３１を有する底面電極部品２１が基板１０に取り付けられている。
【００１６】
本実施例にかかる底面電極部品の取り外し方法では、まず、底面電極部品２１と基板１０との間に伝熱材４１を充填する（Ｓ１１）。そして、伝熱材４１と底面電極であるＢＧＡ３１とを加熱する（Ｓ１２）。この加熱によって伝熱材４１とＢＧＡ３１とを溶融し、底面電極部品２１を基板１０から取り外す（Ｓ１３）。
【００１７】
伝熱材４１は、ＢＧＡ３１に比して融点の低い低融点半田を用いることが好ましい。また、伝熱材４１とＢＧＡ３１とを加熱するステップでは、一例として、伝熱材４１とＢＧＡ３１とが一体となった領域に加熱部材としてニクロム線５１を接触させ、熱伝導で加熱する。
【００１８】
図２は、ニクロム線５１による加熱についての説明図である。図に示した例では、基板上に底面電極部品２１〜２７を配置している。底面電極部品２１は、４辺のうち３辺に底面電極部品２２，２３，２６が隣接しており、残りの１辺には、実装面積に余裕がある。この実装面積に余裕のある１辺にニクロム線５１を加熱する発熱装置５０を配置し、ニクロム線５１で伝熱材４１とＢＧＡ３１とが一体となった領域を囲んで加熱することで、底面電極部品２１を加熱することが出来る。
【００１９】
このようにニクロム線５１からの熱伝導で加熱することで、底面電極部品２１と底面電極部品２２，２３，２６との間隔が１〜３ｍｍ程度であったとしても、底面電極部品２２，２３，２６に熱ダメージを与えることなく底面電極部品２１を取り外すことが出来る。また、電極部分を局所的に加熱するので、底面電極部品２１自体に対する熱ダメージも抑えることが出来る。
【００２０】
図３は、リフロー装置を用いた底面電極部品の除去と実装の比較例の説明図である。図３に示した例では、大型の底面電極部品も小型の底面電極部品も全てリワーク時の隣接部品熱影響を考慮した間隙での設計とし、各底面電極部品の耐熱回数は２回とする。一般的な電子部品の保証は、耐熱は１５０度以下レベル、１５０度以上の耐熱回数（熱カウント）は２回以下である。
【００２１】
図３に示したＳ２１では、大型の底面電極部品２８にアーム部６１を接触させるとともにリフロー装置６０を被せ、底面電極部品２８に熱風を吹き付けてＢＧＡを溶融させている。ＢＧＡの接合部を２３０度程度まで加熱して溶融させるため、リフロー装置６０に加えて基板１０の反対側にリフロー装置６２を配置するとともに、加熱板６３によって基板１０全体を温める。この時、リフロー装置６０，６２から吹き付ける熱風Ａ１，Ａ２は、３００度近い温度となる。
【００２２】
Ｓ２１に示した構成では、底面電極部品２８と隣接する底面電極部品２３，２４の間に１０ｍｍ以上の間隙を設けた設計としている。この間隙に、リフロー装置６０からの熱風を避ける防風部材６４を配置することで、底面電極部品２８の取り外し時に底面電極部品２３，２４が熱の影響を受けることを防ぐことができる。
【００２３】
しかし、このように部品間の間隙を大きくし、防風部材６４を配置可能とする設計では実装密度が低下する。また、底面電極部品２８に部品耐熱以上の熱風を加えるため、底面電極部品２８が壊れ、不良解析等が困難になる可能性がある。
【００２４】
Ｓ２２に示した構成では、底面電極部品２８と底面電極部品２３，２４との間隙を小さくし、実装密度を向上している。このＳ２２に示した構成では、底面電極部品２８を除去する際に、底面電極部品２３，２４に熱ダメージが発生する。底面電極部品２３，２４自身の取り付け時に熱ダメージが１回発生しているので、底面電極部品２８の除去の時点で底面電極部品２３，２４の熱ダメージは２回となる。従って、底面電極部品２８を除去した後に新たに底面電極部品を取り付けた場合に、底面電極部品２３，２４に加わる熱ダメージは３回目となり、底面電極部品２３，２４が破壊される可能性がある。
【００２５】
底面電極部品２８のように大型の電子部品は、単体でリフロー装置による加熱の対象となるが、小型の電子部品では、複数の電子部品が一括してリフロー装置による加熱の対象となる場合がある。
【００２６】
図４および図５は、小型の電子部品の除去と実装の比較例についての説明図である。なお、図４および図５では、リフロー装置６２や加熱板６３の図示および説明を省略する。図４に示したＳ３１では、基板１０に小型の底面電極部品２１〜２３が、底面電極部品２２、底面電極部品２１、底面電極部品２３の順に実装されている。底面電極部品２１〜２３は、実装時の加熱によって、熱ダメージが１回発生している。
【００２７】
底面電極部品２１を除去する際、リフロー装置６０を底面電極部品２１〜２３に被せて底面電極部品２１にアーム部６１を接触させ、熱風Ａ１によって加熱してＢＧＡ３１を溶融させ、底面電極部品２１を除去する（Ｓ３２）。
【００２８】
この結果、Ｓ３３に示すように、底面電極部品２１が除去され、底面電極部品２２，２３の熱ダメージは２回となる。
【００２９】
図５に示したように、Ｓ３３の状態から、底面電極部品２２，２３の間に新たに底面電極部品２９を載せ、リフロー装置６０を底面電極部品２２，２３，２９に被せて熱風Ａ３によって加熱してＢＧＡを溶融させることで、底面電極部品２９が実装される（Ｓ３４）。この結果、Ｓ３５に示したように、底面電極部品２２，２３の熱ダメージが３回目となり、破損する可能性がある。
【００３０】
このように、比較例として示した底面電極部品の除去方法では、周辺の部品の熱ダメージが１回分加算されていた。一般的な部品のリフローに対する耐熱回数は２回であり、組立時のリフローで１回熱ダメージがカウントされるので、猶予は１回である。比較例のようにリワーク（除去）で周辺の部品に２回目の熱ダメージが加わると次の部品の実装時に熱ダメージのカウントが３回目となる。これを回避するために部品の間隙をあけると１０ｍｍ以上の間隔を設けることとなり、高密度化が阻害される。
【００３１】
また、共晶ボールのＢＧＡ部品間隙は最低１０ｍｍで設計されていたが、鉛フリー化の推進で共晶をＳＡＣに変更した場合、共晶を前提とした設計では周辺部品への熱ダメージの発生を回避できなくなるので、間隙を増大して設計を変更することとなる。
【００３２】
そして、除去した部品についても、除去時に熱ダメージを発生させると実装時と除去時で２回の熱ダメージを受けて破壊され、解析や再利用を行うことが出来なかった。
【００３３】
一例として、ＢＧＡの耐熱保証は２４０℃〜２６０℃程度であり、リフロー装置でＢＧＡ接合部を溶融温度である２３０度にして除去するために、ＢＧＡの上部から３００度以上の熱風を吹き付けるとＢＧＡ内部素子の温度は２６０度以上となり破壊される。
【００３４】
この比較例に対して、本実施例が開示する方法では、除去対象の底面電極部品の接合部の隙間に低融点半田、例えば半田粉や半田ペースト、溶融半田を注入し、ＢＧＡのボール間を短絡（ショート）させ、接合部の周囲を発熱体で取り囲む。このように接合部を直接加熱することで、隣接部品に熱の影響を与えることなく、底面電極部品を取り外すことができる。
【００３５】
また、接合部を直接加熱することで、底面電極部品の内部素子の温度上昇を抑え、破壊を防ぐことが出来る。すなわち、開示の方法では、対象部品についても周辺部品についても除去時の熱ダメージの発生を回避可能である。また、部品間の間隙は１〜３ｍｍ程度を実現することができる。このため、実装密度の向上が実現でき、また既存の設計を利用しつつＳＡＣを半田として用いて鉛フリー化を実現することが出来る。
【００３６】
なお、伝熱材４１として、ＢＧＡ３１に比して融点の低い低融点半田を用い、ＢＧＡ３１の接合部分と半田を混合させることで、除去時の加熱温度を下げることが出来る。
【００３７】
半田の混合による融点変化について説明する。原子の移動は、温度の上昇とともに起こりやすくなり、拡散現象が発生する。この拡散の速度と量は温度と時間に依存する。異種金属同士が物理的に接触している時には、異種金属原子同士が互いに移動する互拡散現象が発生する。拡散現象は、金属が固体同士の状態でも発生する。いわゆる固相拡散である。
【００３８】
そして、温度が一方の金属の融点に達して液体になれば、拡散の速度が固相拡散に比して速い液相拡散が発生する。金属同士の接触部で液相拡散が起これば、相互の原子が混ざり合うとともに、合金組成としての融点で溶けている状態が急速に拡がる。この結果、単体では高い融点の金属も、より低い温度で液体(液相)の中に取り込まれ、全体として低融点での溶融状態で一体化する。
【００３９】
したがって、伝熱材４１としてＢＧＡ３１に比して融点の低い低融点半田を用いて加熱することで、ＢＧＡ３１自体の融点よりも低い、ＢＧＡ３１と伝熱材４１の合金としての融点で底面電極部品２１を除去することが可能となる。
【００４０】
従って、上述したようにニクロム線５１などによる熱伝導による加熱に限らず、リフローを用いた場合であっても除去時の熱ダメージの発生を抑えることが出来る。図６は、本実施例に係るリフローによる底面電極部品の除去についての説明図である。
【００４１】
図６の例では、基板１０に底面電極部品２１〜２３を底面電極部品２２、底面電極部品２１、底面電極部品２３の順に実装した状態で、底面電極部品２１を除去する場合について説明する。
【００４２】
まず、除去の対象である底面電極部品２１と基板１０との間に伝熱材４１を充填する（Ｓ４１）。そして、リフロー装置６０を底面電極部品２１〜２３に被せて底面電極部品２１にアーム部６１を接触させ、熱風Ａ１によって加熱してＢＧＡ３１を伝熱材４１とともに溶融させ、底面電極部品２１を除去する（Ｓ４２）。
【００４３】
除去時の加熱温度は、ＢＧＡ３１が伝熱材４１と混合して融点が下がることから、底面電極部品２１〜２３に熱ダメージを発生させない温度とすることが出来る。このため、底面電極部品２１を除去した後の状態（Ｓ４３）において、底面電極部品２２，２３の熱ダメージは１回のままである。また、除去した底面電極部品２１についても熱ダメージは１回のままである。従って、底面電極部品２２，２３の間に新たに部品を実装しても、底面電極部品２２，２３の動作を保証することが出来る。同様に、除去した底面電極部品２１についても解析や再利用が可能となる。
【００４４】
なお、ニクロム線５１などの熱伝導による加熱と、リフロー装置６０，６２の熱風による加熱、加熱板６３による加熱は組み合わせて用いることも出来る。例えば、リフロー装置６０，６２および加熱板６３によって、ユニット全体を部品保証内温度、一例として１５０度以下で温める。これによって、底面電極部品２１と基板１０との隙間に注入した低融点半田は溶融し、ＢＧＡ接合部全体が一体化する。
【００４５】
そして、低融点半田で一体化した接合部に対し、さらにニクロム線５１で直接加熱を行う。この時、ニクロム線５１は、例えば２００度程度まで加熱する。この加熱によって、低融点半田の温度が上昇し、ＢＧＡ３１の半田ボールが溶けこむ。
【００４６】
ＢＧＡ３１の半田ボールが溶けこんで接合部エリア全体が溶融すると、底面電極部品２１を取り去ることができる。なお、ＢＧＡ３１の半田ボールと低融点半田の混合時の融点は、低融点半田としてＳｎＩｎを使用した場合に１５５度程度、ＳｎＢｉを使用した場合に１７０度程度である。
【００４７】
底面電極部品２１を外した後は、接合部に残留した半田を除去し、クリーニングする。以降は、通常のリワーク方法にて新たに電子部品を実装可能である。
【００４８】
図７は、伝熱材４１の充填についての説明図である。伝熱材４１は、例えば図７に示したように、ペースト状の低融点半田をインジェクタ４０によって注入すればよい。また、基板が貫通孔、すなわちスルーホールを有する場合には、スルーホールを介して伝熱材４１を注入することも出来る。
【００４９】
図８，図９，図１０は、スルーホールを有する基板からの底面電極部品の除去についての説明図である。まず、図８のＳ５１に示したように、底面電極部品２１を搭載した基板１１は、ＢＧＡ３１のランド間にスルーホール１２を形成している。
【００５０】
この底面電極部品２１のＢＧＡ３１接合部に糸状半田４２を巻き、後述する半田粉４３が漏れないように基板１１とＢＧＡ３１の隙間を塞ぐ（Ｓ５１）。糸状半田４２の融点はＢＧＡ３１の融点以下、例えばインジウム半田等の１５０度程度の低温融点半田が望ましい。
【００５１】
次に、２辺、または４辺に金属の爪部７１を有し、ヒータ７２を内蔵した加熱治具７０を底面電極部品２１の上部に密着させ、爪部７１を底面電極部品２１の接合部の隙間にひっかけ、糸状半田４２に押し当てて固定する（Ｓ５２）。なお、加熱治具７０としては、例えばセラミックヒータ等をもちいればよい。
【００５２】
次に、図９の底面電極部品２１が重力に対して下側となるように基板１１を配置し、スルーホール１２から半田粉４３をＢＧＡ３１の間に注入する（Ｓ５３）。この半田粉４３の注入は、例えば漏斗状の器具を使用して行えばよい。また、半田粉４３についても糸状半田４２と同様、融点１５０度以下の低温半田であることが望ましい。
【００５３】
つぎに、基板１１に対して底面電極部品２１の反対側に配置した加熱板６５から部品や基板の耐熱保証に支障のない温度、例えば１５０度程度で加熱しつつ、加熱治具７０の爪部７１からＢＧＡ３１の融点以上、一例として２２５℃以上に加熱する（Ｓ５４）。
【００５４】
この加熱によって、図１０に示したように、ＢＧＡ３１の接合部に充填された低融点半田（糸状半田４２，半田粉４３）が１５０度程度で溶融し、ＢＧＡ３１のボール部は連結状態となる。連結状態となって一体化することで、ＢＧＡ３１に対する熱の供給を均一かつ効率的なものとすることができる。そして、ＢＧＡ３１が融点に達するとＢＧＡ３１と低融点半田とが混合半田４４となり、加熱治具７０の重さで底面電極部品２１は自重で落下する（Ｓ５５）。このため、周囲の部品や基板に熱影響を及ぼすこと無く底面電極部品２１を除去することができる。
【００５５】
なお、ここでは重力によって底面電極部品２１を外す場合を例に説明したが、例えば加熱治具７０に弾性体などを設け、底面電極部品２１に対して基板１１から取り外す方向の力を加えてもよい。
【００５６】
図１１は、ＢＧＡと伝熱材との混合についての説明図である。図１１に示した例では、底面電極部品２１のＢＧＡ３１のボール径と高さは０．４ｍｍ、ＢＧＡ３１のボールピッチは１ｍｍである。この場合、ＢＧＡ３１の接合部の体積は０．０５０２４ｍｍ３、伝熱材４１の体積は０．３４９７６ｍｍ３となる。伝熱材４１は、溶融後に体積が６０％、０．２０９８６ｍｍ３となる。したがって、溶融後の体積の割合は、
ＢＧＡ３１接合部：伝熱材４１
＝０．０５：０．２０
＝１：４
である。
【００５７】
図１２は、混合半田の融点についての説明図である。ＢＧＡ３１としてＳＡＣ半田、伝熱材４１としてＳｎＩｎを用いる場合、体積比では、ＳＡＣが２０．０００％、ＳｎＩｎが８０．０００％であるから、質量比ではＳＡＣが１９．８３８％、ＳｎＩｎが８０．１６２％となる。
【００５８】
元素比重[g/cm3]と混合組成比[wt%]は、Ｓｎ（錫）が７．２８ｇ／ｃｍ３、６０．８２８ｗｔ％であり、Ａｇ（銀）が１０．４９ｇ／ｃｍ３、０．５９５ｗｔ％である。そして、Ｃｕ（銅）が８．９２ｇ／ｃｍ３、０．０９９ｗｔ％であり、Ｉｎ（インジウム）が７．２８ｇ／ｃｍ３、３８．４７８ｗｔ％である。Ｓｎ−４８Ｉｎの共晶融点が１１７度であることから、Ｓｎ−Ｉｎ二元状態図より推定される推定液相線温度は、１５５度となる。
【００５９】
ＢＧＡ３１としてＳＡＣ半田、伝熱材４１としてＳｎＢｉを用いる場合、体積比では、ＳＡＣが２０．０００％、ＳｎＢｉが８０．０００％であるから、質量比ではＳＡＣが２２．５３２％、ＳｎＢｉが７７．４６８％となる。
【００６０】
元素比重[g/cm3]と混合組成比[wt%]は、Ｓｎ（錫）が７．２８ｇ／ｃｍ３、５４．２８０ｗｔ％であり、Ａｇ（銀）が１０．４９ｇ／ｃｍ３、０．６７６ｗｔ％である。そして、Ｃｕ（銅）が８．９２ｇ／ｃｍ３、０．１１３ｗｔ％であり、Ｂｉ（ビスマス）が９．８ｇ／ｃｍ３、４４．９３１ｗｔ％である。Ｓｎ−５８Ｂｉの共晶融点が１３９度であることから、Ｓｎ−Ｂｉ二元状態図より推定される推定液相線温度は、１７０度となる。
【００６１】
上述してきたように、本実施例に係る底面電極部品の取り外し方法では、底面電極によって基板に半田付けされた底面電極部品と基板との間に伝熱材を充填し、伝熱材と底面電極と一体化して加熱し、取り外す。
【００６２】
このため、取り外す対象の部品や周囲の部品に対して熱ダメージを与えることなく取り外すことができ、部品の取り替えや再利用、解析が可能である。また、実装密度を向上し、鉛フリー化に伴う設計変更が不要となる。
【００６３】
なお、本実施例はあくまで一例であり、底面電極部品の種類や形状、電極の素材や形状、伝熱材の素材、加熱方法などを適宜変更して実施することが出来る。
【符号の説明】
【００６４】
１０〜１１ 基板
１２ スルーホール
２１〜２９ 底面電極部品
３１ ＢＧＡ
４０ インジェクタ
４１ 伝熱材
４２ 糸状半田
４３ 半田粉
４４ 混合半田
５０ 発熱装置
５１ ニクロム線
６０，６２ リフロー装置
６１ アーム部
６３，６５ 加熱板
６４ 防風部材
７０ 加熱治具
７１ 爪部
７２ ヒータ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、底面電極部品の取り外し方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、部品の高密度化や高機能化が進み、電子部品の電極形態としてＢＧＡ（Ball grid array）などの底面電極が広く用いられている。加えて、電子部品と基板との間に樹脂などを充填し、電子部品を接着固定して動作の信頼性を向上する技術も知られている。
【０００３】
また、サーバや基幹装置は高価であり、ＢＧＡや電源モジュール等の底面電極部品においてバージョンアップや部品不良、実装不良等が発生した場合にユニットを捨てることなく解析や再利用を行なうことが求められている。
【０００４】
このため、サーバや基幹装置では部品を取り外す作業や新たな部品を取り付ける作業が発生する。
【０００５】
底面電極部品は半田ゴテなどを用いた接続部の直接加熱による溶融ができない。そこで、熱風式のリワーク装置を用いて部品や基板を全体的に加熱し、半田融点以上の熱を加えて部品底面の接合部を溶融させて部品取り外しや取り付けを行っていた。接合部を溶融させるためには、半田がＳｎＰｂ系ならば１９０度以上、ＳＡＣ系ならば２２５度以上に加熱することが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１６３２７０号公報
【特許文献２】特開２００３−２４６８２８号公報
【特許文献３】特開平１１−１６８１５６号公報
【特許文献４】特開２００６−０１９４５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
電子部品には、その動作を保証するため、所定温度以上の加熱を許容する回数が耐熱回数として定められている。例えば、耐熱回数が２回の電子部品の場合、従来の技術では、最初の取り付け時に１回目の熱ダメージが発生し、取り外しの際に２回目の熱ダメージが発生する。取り外した部品を再度基板に取り付けると、熱ダメージが３回目となり、耐熱回数を越える。
【０００８】
また、底面電極部品を実装し、熱風式のリワーク装置によって部品の除去や取り付けを行なう場合に対象となる部品と周囲の部品との間隔が狭いと、周囲の部品まで熱による影響を受ける場合があった。周辺の電子部品への熱ダメージの発生を回避するため、部品の間隔を広くすると、高密度実装の妨げとなる。
【０００９】
特に近年、接合部の鉛フリーが求められており、ＢＧＡは融点が１９０度程度の共晶から融点２２５度程度のＳＡＣへ置換えられ、半田融点約３５℃上昇している。従来は、１９０度程度の加熱で電子部品の実装や除去を行なうことを前提に、周囲の部品に熱ダメージを与えないよう部品間隔を設計していた。しかし、半田融点の上昇に伴い、実装時や除去時の熱風温度が高く、長時間加熱することとなり、周辺の部品に対する熱の影響が大きくなる。ＳＡＣへの置換に合せて設計変更を変更すると、設計のやり直しによるコスト増大や実装密度の低下が問題となる。
【００１０】
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、電子部品の取り外しを行なう際の熱ダメージを抑える底面電極部品の取り外し方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願の開示する底面電極部品の取り外し方法は、底面電極によって基板に半田付けされた底面電極部品と基板との間に伝熱材を充填し、伝熱材と底面電極と一体化して加熱し、取り外す。
【発明の効果】
【００１２】
本願の開示する底面電極部品の取り外し方法によれば、電子部品の取り外しを行なう際の熱ダメージを抑える底面電極部品の取り外し方法を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本実施例に係る底面電極部品の取り外し方法の説明図である。
【図２】図２は、図１に示したニクロム線５１による加熱についての説明図である。
【図３】図３は、リフロー装置を用いた底面電極部品の除去と実装の比較例の説明図である。
【図４】図４は、小型の電子部品の除去の比較例についての説明図である。
【図５】図５は、小型の電子部品の再実装の比較例についての説明図である。
【図６】図６は、本実施例に係るリフローによる底面電極部品の除去についての説明図である。
【図７】図７は、伝熱材４１の充填についての説明図である。
【図８】図８は、スルーホールを有する基板からの底面電極部品の除去についての説明図である。（その１）
【図９】図９は、スルーホールを有する基板からの底面電極部品の除去についての説明図である。（その２）
【図１０】図１０は、スルーホールを有する基板からの底面電極部品の除去についての説明図である。（その３）
【図１１】図１１は、ＢＧＡと伝熱材との混合についての説明図である。
【図１２】図１２は、混合半田の融点についての説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本願の開示する底面電極部品の取り外し方法を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の具体的な実施例に本発明を限定するものではない。
【実施例】
【００１５】
図１は、本実施例に係る底面電極部品の取り外し方法の説明図である。図１に示したように、初期状態Ｓ１０では、ＢＧＡ３１を有する底面電極部品２１が基板１０に取り付けられている。
【００１６】
本実施例にかかる底面電極部品の取り外し方法では、まず、底面電極部品２１と基板１０との間に伝熱材４１を充填する（Ｓ１１）。そして、伝熱材４１と底面電極であるＢＧＡ３１とを加熱する（Ｓ１２）。この加熱によって伝熱材４１とＢＧＡ３１とを溶融し、底面電極部品２１を基板１０から取り外す（Ｓ１３）。
【００１７】
伝熱材４１は、ＢＧＡ３１に比して融点の低い低融点半田を用いることが好ましい。また、伝熱材４１とＢＧＡ３１とを加熱するステップでは、一例として、伝熱材４１とＢＧＡ３１とが一体となった領域に加熱部材としてニクロム線５１を接触させ、熱伝導で加熱する。
【００１８】
図２は、ニクロム線５１による加熱についての説明図である。図に示した例では、基板上に底面電極部品２１〜２７を配置している。底面電極部品２１は、４辺のうち３辺に底面電極部品２２，２３，２６が隣接しており、残りの１辺には、実装面積に余裕がある。この実装面積に余裕のある１辺にニクロム線５１を加熱する発熱装置５０を配置し、ニクロム線５１で伝熱材４１とＢＧＡ３１とが一体となった領域を囲んで加熱することで、底面電極部品２１を加熱することが出来る。
【００１９】
このようにニクロム線５１からの熱伝導で加熱することで、底面電極部品２１と底面電極部品２２，２３，２６との間隔が１〜３ｍｍ程度であったとしても、底面電極部品２２，２３，２６に熱ダメージを与えることなく底面電極部品２１を取り外すことが出来る。また、電極部分を局所的に加熱するので、底面電極部品２１自体に対する熱ダメージも抑えることが出来る。
【００２０】
図３は、リフロー装置を用いた底面電極部品の除去と実装の比較例の説明図である。図３に示した例では、大型の底面電極部品も小型の底面電極部品も全てリワーク時の隣接部品熱影響を考慮した間隙での設計とし、各底面電極部品の耐熱回数は２回とする。一般的な電子部品の保証は、耐熱は１５０度以下レベル、１５０度以上の耐熱回数（熱カウント）は２回以下である。
【００２１】
図３に示したＳ２１では、大型の底面電極部品２８にアーム部６１を接触させるとともにリフロー装置６０を被せ、底面電極部品２８に熱風を吹き付けてＢＧＡを溶融させている。ＢＧＡの接合部を２３０度程度まで加熱して溶融させるため、リフロー装置６０に加えて基板１０の反対側にリフロー装置６２を配置するとともに、加熱板６３によって基板１０全体を温める。この時、リフロー装置６０，６２から吹き付ける熱風Ａ１，Ａ２は、３００度近い温度となる。
【００２２】
Ｓ２１に示した構成では、底面電極部品２８と隣接する底面電極部品２３，２４の間に１０ｍｍ以上の間隙を設けた設計としている。この間隙に、リフロー装置６０からの熱風を避ける防風部材６４を配置することで、底面電極部品２８の取り外し時に底面電極部品２３，２４が熱の影響を受けることを防ぐことができる。
【００２３】
しかし、このように部品間の間隙を大きくし、防風部材６４を配置可能とする設計では実装密度が低下する。また、底面電極部品２８に部品耐熱以上の熱風を加えるため、底面電極部品２８が壊れ、不良解析等が困難になる可能性がある。
【００２４】
Ｓ２２に示した構成では、底面電極部品２８と底面電極部品２３，２４との間隙を小さくし、実装密度を向上している。このＳ２２に示した構成では、底面電極部品２８を除去する際に、底面電極部品２３，２４に熱ダメージが発生する。底面電極部品２３，２４自身の取り付け時に熱ダメージが１回発生しているので、底面電極部品２８の除去の時点で底面電極部品２３，２４の熱ダメージは２回となる。従って、底面電極部品２８を除去した後に新たに底面電極部品を取り付けた場合に、底面電極部品２３，２４に加わる熱ダメージは３回目となり、底面電極部品２３，２４が破壊される可能性がある。
【００２５】
底面電極部品２８のように大型の電子部品は、単体でリフロー装置による加熱の対象となるが、小型の電子部品では、複数の電子部品が一括してリフロー装置による加熱の対象となる場合がある。
【００２６】
図４および図５は、小型の電子部品の除去と実装の比較例についての説明図である。なお、図４および図５では、リフロー装置６２や加熱板６３の図示および説明を省略する。図４に示したＳ３１では、基板１０に小型の底面電極部品２１〜２３が、底面電極部品２２、底面電極部品２１、底面電極部品２３の順に実装されている。底面電極部品２１〜２３は、実装時の加熱によって、熱ダメージが１回発生している。
【００２７】
底面電極部品２１を除去する際、リフロー装置６０を底面電極部品２１〜２３に被せて底面電極部品２１にアーム部６１を接触させ、熱風Ａ１によって加熱してＢＧＡ３１を溶融させ、底面電極部品２１を除去する（Ｓ３２）。
【００２８】
この結果、Ｓ３３に示すように、底面電極部品２１が除去され、底面電極部品２２，２３の熱ダメージは２回となる。
【００２９】
図５に示したように、Ｓ３３の状態から、底面電極部品２２，２３の間に新たに底面電極部品２９を載せ、リフロー装置６０を底面電極部品２２，２３，２９に被せて熱風Ａ３によって加熱してＢＧＡを溶融させることで、底面電極部品２９が実装される（Ｓ３４）。この結果、Ｓ３５に示したように、底面電極部品２２，２３の熱ダメージが３回目となり、破損する可能性がある。
【００３０】
このように、比較例として示した底面電極部品の除去方法では、周辺の部品の熱ダメージが１回分加算されていた。一般的な部品のリフローに対する耐熱回数は２回であり、組立時のリフローで１回熱ダメージがカウントされるので、猶予は１回である。比較例のようにリワーク（除去）で周辺の部品に２回目の熱ダメージが加わると次の部品の実装時に熱ダメージのカウントが３回目となる。これを回避するために部品の間隙をあけると１０ｍｍ以上の間隔を設けることとなり、高密度化が阻害される。
【００３１】
また、共晶ボールのＢＧＡ部品間隙は最低１０ｍｍで設計されていたが、鉛フリー化の推進で共晶をＳＡＣに変更した場合、共晶を前提とした設計では周辺部品への熱ダメージの発生を回避できなくなるので、間隙を増大して設計を変更することとなる。
【００３２】
そして、除去した部品についても、除去時に熱ダメージを発生させると実装時と除去時で２回の熱ダメージを受けて破壊され、解析や再利用を行うことが出来なかった。
【００３３】
一例として、ＢＧＡの耐熱保証は２４０℃〜２６０℃程度であり、リフロー装置でＢＧＡ接合部を溶融温度である２３０度にして除去するために、ＢＧＡの上部から３００度以上の熱風を吹き付けるとＢＧＡ内部素子の温度は２６０度以上となり破壊される。
【００３４】
この比較例に対して、本実施例が開示する方法では、除去対象の底面電極部品の接合部の隙間に低融点半田、例えば半田粉や半田ペースト、溶融半田を注入し、ＢＧＡのボール間を短絡（ショート）させ、接合部の周囲を発熱体で取り囲む。このように接合部を直接加熱することで、隣接部品に熱の影響を与えることなく、底面電極部品を取り外すことができる。
【００３５】
また、接合部を直接加熱することで、底面電極部品の内部素子の温度上昇を抑え、破壊を防ぐことが出来る。すなわち、開示の方法では、対象部品についても周辺部品についても除去時の熱ダメージの発生を回避可能である。また、部品間の間隙は１〜３ｍｍ程度を実現することができる。このため、実装密度の向上が実現でき、また既存の設計を利用しつつＳＡＣを半田として用いて鉛フリー化を実現することが出来る。
【００３６】
なお、伝熱材４１として、ＢＧＡ３１に比して融点の低い低融点半田を用い、ＢＧＡ３１の接合部分と半田を混合させることで、除去時の加熱温度を下げることが出来る。
【００３７】
半田の混合による融点変化について説明する。原子の移動は、温度の上昇とともに起こりやすくなり、拡散現象が発生する。この拡散の速度と量は温度と時間に依存する。異種金属同士が物理的に接触している時には、異種金属原子同士が互いに移動する互拡散現象が発生する。拡散現象は、金属が固体同士の状態でも発生する。いわゆる固相拡散である。
【００３８】
そして、温度が一方の金属の融点に達して液体になれば、拡散の速度が固相拡散に比して速い液相拡散が発生する。金属同士の接触部で液相拡散が起これば、相互の原子が混ざり合うとともに、合金組成としての融点で溶けている状態が急速に拡がる。この結果、単体では高い融点の金属も、より低い温度で液体(液相)の中に取り込まれ、全体として低融点での溶融状態で一体化する。
【００３９】
したがって、伝熱材４１としてＢＧＡ３１に比して融点の低い低融点半田を用いて加熱することで、ＢＧＡ３１自体の融点よりも低い、ＢＧＡ３１と伝熱材４１の合金としての融点で底面電極部品２１を除去することが可能となる。
【００４０】
従って、上述したようにニクロム線５１などによる熱伝導による加熱に限らず、リフローを用いた場合であっても除去時の熱ダメージの発生を抑えることが出来る。図６は、本実施例に係るリフローによる底面電極部品の除去についての説明図である。
【００４１】
図６の例では、基板１０に底面電極部品２１〜２３を底面電極部品２２、底面電極部品２１、底面電極部品２３の順に実装した状態で、底面電極部品２１を除去する場合について説明する。
【００４２】
まず、除去の対象である底面電極部品２１と基板１０との間に伝熱材４１を充填する（Ｓ４１）。そして、リフロー装置６０を底面電極部品２１〜２３に被せて底面電極部品２１にアーム部６１を接触させ、熱風Ａ１によって加熱してＢＧＡ３１を伝熱材４１とともに溶融させ、底面電極部品２１を除去する（Ｓ４２）。
【００４３】
除去時の加熱温度は、ＢＧＡ３１が伝熱材４１と混合して融点が下がることから、底面電極部品２１〜２３に熱ダメージを発生させない温度とすることが出来る。このため、底面電極部品２１を除去した後の状態（Ｓ４３）において、底面電極部品２２，２３の熱ダメージは１回のままである。また、除去した底面電極部品２１についても熱ダメージは１回のままである。従って、底面電極部品２２，２３の間に新たに部品を実装しても、底面電極部品２２，２３の動作を保証することが出来る。同様に、除去した底面電極部品２１についても解析や再利用が可能となる。
【００４４】
なお、ニクロム線５１などの熱伝導による加熱と、リフロー装置６０，６２の熱風による加熱、加熱板６３による加熱は組み合わせて用いることも出来る。例えば、リフロー装置６０，６２および加熱板６３によって、ユニット全体を部品保証内温度、一例として１５０度以下で温める。これによって、底面電極部品２１と基板１０との隙間に注入した低融点半田は溶融し、ＢＧＡ接合部全体が一体化する。
【００４５】
そして、低融点半田で一体化した接合部に対し、さらにニクロム線５１で直接加熱を行う。この時、ニクロム線５１は、例えば２００度程度まで加熱する。この加熱によって、低融点半田の温度が上昇し、ＢＧＡ３１の半田ボールが溶けこむ。
【００４６】
ＢＧＡ３１の半田ボールが溶けこんで接合部エリア全体が溶融すると、底面電極部品２１を取り去ることができる。なお、ＢＧＡ３１の半田ボールと低融点半田の混合時の融点は、低融点半田としてＳｎＩｎを使用した場合に１５５度程度、ＳｎＢｉを使用した場合に１７０度程度である。
【００４７】
底面電極部品２１を外した後は、接合部に残留した半田を除去し、クリーニングする。以降は、通常のリワーク方法にて新たに電子部品を実装可能である。
【００４８】
図７は、伝熱材４１の充填についての説明図である。伝熱材４１は、例えば図７に示したように、ペースト状の低融点半田をインジェクタ４０によって注入すればよい。また、基板が貫通孔、すなわちスルーホールを有する場合には、スルーホールを介して伝熱材４１を注入することも出来る。
【００４９】
図８，図９，図１０は、スルーホールを有する基板からの底面電極部品の除去についての説明図である。まず、図８のＳ５１に示したように、底面電極部品２１を搭載した基板１１は、ＢＧＡ３１のランド間にスルーホール１２を形成している。
【００５０】
この底面電極部品２１のＢＧＡ３１接合部に糸状半田４２を巻き、後述する半田粉４３が漏れないように基板１１とＢＧＡ３１の隙間を塞ぐ（Ｓ５１）。糸状半田４２の融点はＢＧＡ３１の融点以下、例えばインジウム半田等の１５０度程度の低温融点半田が望ましい。
【００５１】
次に、２辺、または４辺に金属の爪部７１を有し、ヒータ７２を内蔵した加熱治具７０を底面電極部品２１の上部に密着させ、爪部７１を底面電極部品２１の接合部の隙間にひっかけ、糸状半田４２に押し当てて固定する（Ｓ５２）。なお、加熱治具７０としては、例えばセラミックヒータ等をもちいればよい。
【００５２】
次に、図９の底面電極部品２１が重力に対して下側となるように基板１１を配置し、スルーホール１２から半田粉４３をＢＧＡ３１の間に注入する（Ｓ５３）。この半田粉４３の注入は、例えば漏斗状の器具を使用して行えばよい。また、半田粉４３についても糸状半田４２と同様、融点１５０度以下の低温半田であることが望ましい。
【００５３】
つぎに、基板１１に対して底面電極部品２１の反対側に配置した加熱板６５から部品や基板の耐熱保証に支障のない温度、例えば１５０度程度で加熱しつつ、加熱治具７０の爪部７１からＢＧＡ３１の融点以上、一例として２２５℃以上に加熱する（Ｓ５４）。
【００５４】
この加熱によって、図１０に示したように、ＢＧＡ３１の接合部に充填された低融点半田（糸状半田４２，半田粉４３）が１５０度程度で溶融し、ＢＧＡ３１のボール部は連結状態となる。連結状態となって一体化することで、ＢＧＡ３１に対する熱の供給を均一かつ効率的なものとすることができる。そして、ＢＧＡ３１が融点に達するとＢＧＡ３１と低融点半田とが混合半田４４となり、加熱治具７０の重さで底面電極部品２１は自重で落下する（Ｓ５５）。このため、周囲の部品や基板に熱影響を及ぼすこと無く底面電極部品２１を除去することができる。
【００５５】
なお、ここでは重力によって底面電極部品２１を外す場合を例に説明したが、例えば加熱治具７０に弾性体などを設け、底面電極部品２１に対して基板１１から取り外す方向の力を加えてもよい。
【００５６】
図１１は、ＢＧＡと伝熱材との混合についての説明図である。図１１に示した例では、底面電極部品２１のＢＧＡ３１のボール径と高さは０．４ｍｍ、ＢＧＡ３１のボールピッチは１ｍｍである。この場合、ＢＧＡ３１の接合部の体積は０．０５０２４ｍｍ３、伝熱材４１の体積は０．３４９７６ｍｍ３となる。伝熱材４１は、溶融後に体積が６０％、０．２０９８６ｍｍ３となる。したがって、溶融後の体積の割合は、
ＢＧＡ３１接合部：伝熱材４１
＝０．０５：０．２０
＝１：４
である。
【００５７】
図１２は、混合半田の融点についての説明図である。ＢＧＡ３１としてＳＡＣ半田、伝熱材４１としてＳｎＩｎを用いる場合、体積比では、ＳＡＣが２０．０００％、ＳｎＩｎが８０．０００％であるから、質量比ではＳＡＣが１９．８３８％、ＳｎＩｎが８０．１６２％となる。
【００５８】
元素比重[g/cm3]と混合組成比[wt%]は、Ｓｎ（錫）が７．２８ｇ／ｃｍ３、６０．８２８ｗｔ％であり、Ａｇ（銀）が１０．４９ｇ／ｃｍ３、０．５９５ｗｔ％である。そして、Ｃｕ（銅）が８．９２ｇ／ｃｍ３、０．０９９ｗｔ％であり、Ｉｎ（インジウム）が７．２８ｇ／ｃｍ３、３８．４７８ｗｔ％である。Ｓｎ−４８Ｉｎの共晶融点が１１７度であることから、Ｓｎ−Ｉｎ二元状態図より推定される推定液相線温度は、１５５度となる。
【００５９】
ＢＧＡ３１としてＳＡＣ半田、伝熱材４１としてＳｎＢｉを用いる場合、体積比では、ＳＡＣが２０．０００％、ＳｎＢｉが８０．０００％であるから、質量比ではＳＡＣが２２．５３２％、ＳｎＢｉが７７．４６８％となる。
【００６０】
元素比重[g/cm3]と混合組成比[wt%]は、Ｓｎ（錫）が７．２８ｇ／ｃｍ３、５４．２８０ｗｔ％であり、Ａｇ（銀）が１０．４９ｇ／ｃｍ３、０．６７６ｗｔ％である。そして、Ｃｕ（銅）が８．９２ｇ／ｃｍ３、０．１１３ｗｔ％であり、Ｂｉ（ビスマス）が９．８ｇ／ｃｍ３、４４．９３１ｗｔ％である。Ｓｎ−５８Ｂｉの共晶融点が１３９度であることから、Ｓｎ−Ｂｉ二元状態図より推定される推定液相線温度は、１７０度となる。
【００６１】
上述してきたように、本実施例に係る底面電極部品の取り外し方法では、底面電極によって基板に半田付けされた底面電極部品と基板との間に伝熱材を充填し、伝熱材と底面電極と一体化して加熱し、取り外す。
【００６２】
このため、取り外す対象の部品や周囲の部品に対して熱ダメージを与えることなく取り外すことができ、部品の取り替えや再利用、解析が可能である。また、実装密度を向上し、鉛フリー化に伴う設計変更が不要となる。
【００６３】
なお、本実施例はあくまで一例であり、底面電極部品の種類や形状、電極の素材や形状、伝熱材の素材、加熱方法などを適宜変更して実施することが出来る。
【符号の説明】
【００６４】
１０〜１１ 基板
１２ スルーホール
２１〜２９ 底面電極部品
３１ ＢＧＡ
４０ インジェクタ
４１ 伝熱材
４２ 糸状半田
４３ 半田粉
４４ 混合半田
５０ 発熱装置
５１ ニクロム線
６０，６２ リフロー装置
６１ アーム部
６３，６５ 加熱板
６４ 防風部材
７０ 加熱治具
７１ 爪部
７２ ヒータ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面電極によって基板に半田付けされた底面電極部品と前記基板との間に伝熱材を充填するステップと、
前記伝熱材と前記底面電極とを加熱するステップと、
前記底面電極部品を前記基板から取り外すステップと
を含んだことを特徴とする底面電極部品の取り外し方法。
【請求項２】
前記伝熱材は、前記底面電極に比して融点の低い低融点半田であることを特徴とする請求項１に記載の底面電極部品の取り外し方法。
【請求項３】
前記加熱するステップは、前記伝熱材と前記底面電極とが一体となった領域に接触し、熱伝導で加熱する加熱部材を用いて前記加熱を行なうことを特徴とする請求項１または２に記載の底面電極部品の取り外し方法。
【請求項４】
前記加熱部材は、前記底面電極部品に掛かる爪部を有し、前記爪部から熱伝導で前記領域を加熱するとともに前記底面電極部品に対して前記基板から取り外す方向の力を加えることを特徴とする請求項３に記載の底面電極部品の取り外し方法。
【請求項５】
前記基板は底面電極近傍に貫通孔を有し、前記充填するステップは、前記貫通孔から前記伝熱材を充填することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の底面電極部品の取り外し方法。
【請求項１】
底面電極によって基板に半田付けされた底面電極部品と前記基板との間に伝熱材を充填するステップと、
前記伝熱材と前記底面電極とを加熱するステップと、
前記底面電極部品を前記基板から取り外すステップと
を含んだことを特徴とする底面電極部品の取り外し方法。
【請求項２】
前記伝熱材は、前記底面電極に比して融点の低い低融点半田であることを特徴とする請求項１に記載の底面電極部品の取り外し方法。
【請求項３】
前記加熱するステップは、前記伝熱材と前記底面電極とが一体となった領域に接触し、熱伝導で加熱する加熱部材を用いて前記加熱を行なうことを特徴とする請求項１または２に記載の底面電極部品の取り外し方法。
【請求項４】
前記加熱部材は、前記底面電極部品に掛かる爪部を有し、前記爪部から熱伝導で前記領域を加熱するとともに前記底面電極部品に対して前記基板から取り外す方向の力を加えることを特徴とする請求項３に記載の底面電極部品の取り外し方法。
【請求項５】
前記基板は底面電極近傍に貫通孔を有し、前記充填するステップは、前記貫通孔から前記伝熱材を充填することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の底面電極部品の取り外し方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１１−２１６６８２（Ｐ２０１１−２１６６８２Ａ）
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−８３７８２（Ｐ２０１０−８３７８２）
【出願日】平成２２年３月３１日（２０１０．３．３１）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月３１日（２０１０．３．３１）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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