説明

投写型表示装置および画像形成装置

【課題】小型で消費電力の少ない投射型表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板の表面に2次元状に配列させた複数の発光素子と、前記複数の発光素子のうち、第1の方向に配列させた発光素子を選択的に駆動する駆動部と、前記第1の方向と略直交する第2の方向に配列させた発光素子を選択的に駆動する駆動部を有し、入力された画像信号に基づいて画像を形成する画像形成部と、画像系西部により形成さえた画像を投射する投射レンズを備える構造とした。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、スクリーンなどに画像を投射させて表示する投射型表示装置、および、画像形成装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、この種の表示装置は、光源と、光源から出射された光を画像信号を用いて画素毎に透過・遮断させる液晶パネル、あるいは、画素毎に反射方向を変えるデジタルマイクロミラーデバイスのような光変調素子と、変調された光を投射する投射レンズとを有しており、光源としてはハロゲンランプなどの放電型ランプやLED等が用いられていた。
【0003】
(例えば、特許文献1を参照。)
【特許文献1】特開2002−369050号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、従来の投射型表示装置は、スクリーン上に画像を表示させるために光源を常に点灯させておかなければならず、消費電力や発熱が大きいという問題点があった。
【0005】
本発明は上述の課題を解決するためになされたもので、小型で消費電力の少ない投射型表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するため、本発明に係る投射型表示装置では、入力された画像情報に基づいて画像を形成する画像形成部と、該画像形成部により形成された画像を投射する投射レンズとを備え、前記画像形成部は、基板と、該基板の表面に2次元状に配列させた複数の発光素子と、前記複数の発光素子のうち、第1の方向に配列させた発光素子を選択的に駆動する第1の駆動素子と、前記第1の方向と略直交する第2の方向に配列させた発光素子を選択的に駆動する第2の駆動素子を有することを特徴とする。
【0007】
本発明に係る画像形成装置は、基板と、各々所定数のLEDを含み、個々のLEDが素子分離された複数枚の半導体薄膜と、第1の駆動素子と、第2の駆動素子とを備え、前記複数の半導体薄膜は、前記基板の表面に2次元状にLEDが配列するよう前記基板と分子間力により固着され、前記第1の駆動素子は、複数の前記LEDのうち、第1の方向に配列させた複数のLEDを選択的に駆動し、前記第2の駆動素子は、複数の前記LEDのうち、前記第1の方向と略直交する第2の方向に配列させた複数のLEDを選択的に駆動することを特徴とする。
【発明の効果】
【0008】
本発明の投射型表示装置によれば、2次元状に配列させた複数の発光素子を選択的に駆動し、これにより得られた画像を投射するよう構成したので投射型表示装置の消費電力を少なくすることができる。
【0009】
複数のLEDを形成した半導体薄膜を基板に固着して2次元状に配列させたため、画像形成装置を小型にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
以下に発明を実施するための最良の形態を示す。
【実施例1】
【0011】
(構成)
図1は、実施例1で用いる投射型表示装置100の構造を説明する配置図である。
【0012】
2は、外光を遮断すると共に、内部の光が漏れないよう光を通さない物質で形成された筐体である。
【0013】
5は制御部であって、画像信号の蓄積および変換を行う部分である。
【0014】
10は画像形成部としてのLED(Light Emitting Diode)アレイパネルであって、制御部5により変換された画像信号を用いて画像を形成する。
【0015】
3は投射レンズであり、LEDアレイパネル10により形成された画像を投射するものである。
【0016】
4はスクリーンであり、LEDアレイパネル10から投射レンズ3を介した画像が投射されるものである。ここで、スクリーン4に投射された画像は、スクリーンの投射面の反対側から観察者により観察される構造をとっている。
【0017】
図2は投射型表示装置100の機能を説明するブロック図である。
【0018】
画像入力部8は、外部装置(例えば、DVDプレーヤーなどの動画再生装置)から画像信号を受け入れる部分である。
【0019】
制御部5は、画像入力部8から入力された画像信号をLEDアレイパネル10で形成可能な形式に変換し、制御信号とともに出力する画像制御部6と、画像信号を記憶する記憶部7とからなる。
【0020】
LEDアレイパネル10は、画像制御部6により変換された画像信号を用いて被駆動素子であるLEDを駆動する駆動部12、駆動部13と、薄膜状に形成されたLEDを多数配列させた薄膜LEDアレイ群11とを含む。
【0021】
駆動部12(アノードドライバ)は、画像制御部6から入力された画像信号に応じて接続された薄膜LEDアレイ群11に備えられた各LEDに電流を供給する機能を備えており、例えば、シフトレジスタ回路、ラッチ回路、定電流回路、増幅回路などで構成される。
【0022】
駆動部13(カソードドライバ)は、画像制御部6から入力された制御信号に応じて、接続された薄膜LEDアレイ群11に備えられた各LEDを走査する機能を備えており、選択回路などで構成される。
【0023】
図3は、LEDアレイパネル10の構造を説明する断面図である。
【0024】
基板20は、駆動部12、駆動部13、薄膜LEDアレイ11などの部品が実装される基体となるものであり、シリコン、石英、ガラスもしくはセラミックなどを材料とする。ここで、基板20の部品実装面側には、ポリイミド膜などの有機材料もしくは無機材料を用いて形成された絶縁膜21が形成されており、部品の搭載面が数十ナノメートル以下に平坦化されている。
【0025】
冷却手段としてのヒートシンク22は、薄膜LEDアレイ11や駆動部12、駆動部13が発し、基板20を介して伝わった熱を放散するためのものである。ここでは、ヒートシンク22の形状をフィンを有するものとしたが、発熱量に応じて適宜形状を決めればよい。
【0026】
薄膜LEDアレイ(群)11は、駆動部12(および図示せぬ駆動部13)により駆動されると基板20の部品搭載面と略垂直方向(図3の矢印Aの方向)に光を発する。
【0027】
図4は、薄膜LEDアレイ11の構造を説明する断面図である。
【0028】
薄膜LEDアレイ11は、これに含まれるLEDの発光波長により、赤色(波長620〜710ナノメートル)に発光するもの(11−R)、緑色(波長500〜580ナノメートル)に発光するもの(11−G)、および、青色(波長450〜500ナノメートル)に発光するもの(11−B)の3種類を用いるが、ここでは、赤色に発光するものを例にとって説明する。
【0029】
23は、半絶縁性、あるいは、ノンドープのGaAsから成る半導体層である。
【0030】
24は、n型不純物をドープしたAlGaAsから成るn型半導体層である。
【0031】
25は、n型半導体層24の表面側からp型不純物(例えば、Zn)を拡散させて形成したp型半導体領域である。ここでn型半導体層24とp型半導体領域との界面にpn接合が形成され、LEDとして機能する。
【0032】
26は、隣り合うp型半導体領域を電気的に分離するための素子分離領域であり、半導体層23に達する分離溝をエッチングにより形成したものである。なお、この後、平坦化のため絶縁材料を充填したものであってもよい。
【0033】
27はp側電極であり、複数のp型半導体領域25の各々に対応させて設けられており、対応するp型半導体領域25と電気的に接続されている。
【0034】
28はn側電極であり、素子分離領域26により分離された複数のn型半導体層24の領域の各々に対応させて設けられており、対応するn型半導体層24の領域と電気的に接続されている。
【0035】
以上の説明では、赤色に発光する薄膜LEDアレイ11−Rの構造を説明したが、緑色に発光するものとしては、AlGaInPもしくはGaPを用い、青色に発光するものとしては、GaNもしくはInGaNを用いることができる。
【0036】
また、LEDを形成する半導体層に、ヘテロ構造もしくはダブルへテロ構造を持たせた方がより好ましい。
【0037】
図5は、薄膜LEDアレイ11の製造工程を説明する説明図である。
【0038】
以下、図5の(a)から(d)まで順を追って説明する。なお、ここでも赤色に発光する薄膜LEDアレイ11−Rを例にとって説明する。
(a)GaAsを材料とする母材30の上に、AlAsを材料とする犠牲層31を形成する。ここで、母材30は、前述の基板20とは異なるものである。
(b)次に、AlGaAs等を材料とし、MOCVD法などの気相成長法によりエピタキシャル成長させて積層された半導体薄膜32を形成する。
(c)積層された半導体薄膜32上に、pn接合を形成して複数のLEDを形成する。
(d)エッチング液に燐酸過水などを用い、図5における奥行き方向には、発光領域(図4におけるp型半導体領域25に相当し、例えば20μm角)より広い幅で、かつ、図5における横方向には、所定数個(図5では3つ)の発光領域が含まれる長さの短冊状にホトリソエッチング技術を用いてエッチングする。その後、弗化水素液もしくは塩酸液などの剥離エッチング液に母材30ごと浸漬させることにより、犠牲層31がエッチング除去され、複数のLEDが形成された半導体薄膜32と母材30とが分離される。。
(e)母材30から分離された半導体薄膜32は、基板20(表面に形成された絶縁膜21)に押圧されることにより、基板20の表面と固着される。ここで、絶縁膜21により基板20の表面を平坦化したことは、水素結合を代表とする分子間力による基板20と薄膜LEDアレイ11との固着を容易にしている。
(f)基板20と固着された薄膜LEDアレイ層は、例えばエッチング液として燐酸過水を用いて、ホトリソエッチング法により各LED素子に分離される。この後、各LED素子にp側電極27とn側電極28を蒸着/ホトリソエッチング法もしくはリフトオフ法を用いて形成することにより、図4に示した薄膜LEDアレイ11(11−R)が完成する。
【0039】
図6は、LEDアレイパネル10の構造を説明する平面図である。
【0040】
基板20上には、列方向(図6の上下方向)に同じ色に発光する薄膜LEDアレイ11(11−R、11−G、11−B)が配置されている。また、行方向(図6の左右方向)には、隣り合う薄膜LEDアレイが異なる色に発光するものになるよう配置されている。
【0041】
14(14−R1、14−G1、14−B1、14−R2、14−G2、14−B2)はアノード配線であり、駆動部12(アノードドライバ)と、薄膜LEDアレイ11上の各LED素子のp側電極27と接続されている。
【0042】
15(15−1〜15−6)はカソード配線であり、駆動部13(カソードドライバ)と、薄膜LEDアレイ11上の各LED素子のn側電極28と接続されている。
【0043】
アノード配線14、カソード配線15は、蒸着/ホトリソエッチング法もしくはリフトオフ法により、Au、Al、もしく、はこれらの金属とNi、Tiなどの金属材料が薄膜積層されて形成されたものである。アノード配線14およびカソード配線15は、前述のp側電極27とn側電極28と同じ工程で形成してもよい。
(動作)
次に、図2および図6を参照して投射型表示装置100の表示動作を説明する。
【0044】
まず、画像入力部8から入力された画像信号は、画像制御部6を介して画像データとして一旦記憶部7に蓄積される。なお、ここでは、画像蓄積型として説明するが、入力された画像信号を直接画像データ、制御信号に変換して出力してもよい。
【0045】
画像制御部6は、記憶部7に蓄積された画像データを読出し、所定の制御信号とともに、駆動部12および駆動部13に出力する。
【0046】
次に、駆動部12(アノードドライバ)は、画像制御部6から入力された画像データを1走査線分(図6では横に配列された1行分で、カソード配線15−1が共通に接続されているLED素子に対応)シフトレジスタに順次格納する。ここで、画像データは、対応するLED素子を発光させるか否かを示すデータである。
【0047】
シフトレジスタに格納されると、1走査線分の画像データは、ラッチ回路に移される。
【0048】
次に、駆動部13は、画像制御部6から受け入れた制御信号により、カソードライン15−1を選択(導通)させる。ここで、駆動部12のラッチ回路の中で対応するLEDを発光させるデータが格納されているものは、駆動部12の定電流回路、増幅回路から対応するLED素子のp側電極(アノード)、n側電極(カソード)を介して、カソードライン15−1に流れ、対応するLED素子が発光する。
【0049】
以下、1本のカソードライン15に共通接続されているLED素子に対応する1走査線分画像データの格納、対応する1本のカソードライン15の選択を繰り返し、全ての走査線の選択が成されると1画面分のLED素子による発光が終了する。
【0050】
走査線毎の光は、投射レンズ3によりスクリーン4上に投射され1画面分の表示がなされる。
【0051】
以上の説明では、説明の簡略化のためLEDアレイパネル10に配列させるLED素子の数を6×6(36個)としたが、任意の数に変えることができる。
【0052】
また、各発光部の形状、縦横比、配置も、薄膜LEDアレイ11を形成する際に任意の形状にすることができる。例えば、本実施例のように3色(R、G、B)のLED素子を用いる場合は、R、G、Bの3つの画素を合わせた領域の形状が正方形になるようにするとよい。また、形状もダイヤ状、楕円状など任意の形状をとることができる。
【0053】
さらに、上述の説明では、基板20上に薄膜LEDアレイ11を平面状に配列させたが、これに限らず、異なる薄膜LEDアレイ11を互いのLED素子の発光領域が隠れないよう積層して接合させてもよい。
(投射型表示装置としての別の実施形態1)
図7は、投射型表示装置としての別の実施形態を説明する配置図である。
【0054】
図7における投射型表示装置200は、図1の筐体2を筐体33に、図1のスクリーン4の代りにズームレンズ9を設けたものである。
【0055】
この形態では、LEDアレイパネル10により形成された画像は、投射レンズ3、ズームレンズ9を介して、投射型表示装置200の外部に設置された図示せぬスクリーンに投射するよう構成されている。このように構成すると、投射型表示装置200とスクリーン間の距離、ズームレンズ9の調整により、任意の拡大表示を行うことができる。
(投射型表示装置としての別の実施形態2)
図8は、投射型表示装置としての別の実施形態を説明する配置図である。
【0056】
なお、本図では筐体は省略している。
【0057】
図8における投射型表示装置300は、光路切替部としてのプリズム34と、撮像素子としてのCCD(Charge−Coupled Device)35を設けた点が図7の投射型表示装置200と異なる。ここでプリズム34は、光の入射方向により反射するか透過されるか選択されるハーフミラーとしての機能を備えている。
【0058】
投射型表示装置300の表示機能としては、LEDアレイパネル10から矢印F方向に出射された画像がプリズム34の反射面で略直角方向に反射されて投射レンズ3に導かれる点を除き、投射型表示装置100、200と同様である。
【0059】
撮像機能としては、ズームレンズ9から入射された画像が、投射レンズ3を介してプリズム34を透過し、矢印G方向に向かい、CCD35上に達する。ここで、CCD35は、図示せぬ記憶部に記憶される。この記憶部は、図2の記憶部と共用としてもよい。
【0060】
以上のように、光路切替部と撮像素子を設けたことにより、小型の構造で投射表示機能と撮像機能とを併せ持つ投射型表示装置が得られる。
(実施例1の効果)
以上のように、実施例1の投射型表示装置によれば、2次元状に配列させた複数の発光素子と、配列させた複数の発光素子を選択的に駆動する駆動部とを有する画像形成部により形成した画像を投射レンズにより投射する構成としたので、光源を常時点灯させておく必要がなく、消費電力の少ない投射型表示装置が得られる。
【0061】
また、実施例1の画像形成装置によれば、複数のLED素子を有する半導体薄膜を、複数枚基板上に固着配列させた構成としたので、薄型で高精細な画像形成装置が得られる。
【実施例2】
【0062】
(構成)
図9は実施例2で用いる投射型表示装置400の構造を説明する配置図である。
【0063】
本図では、筐体は省略している。
【0064】
50はLEDアレイパネルであり、各々に含まれるLEDの発光色により50−R(赤色発光)、50−G(緑色発光)、および、50−B(青色発光)と表記する。
【0065】
51は、画像合成手段としてのプリズムであり、LEDアレイパネル50−R、50−G、50−Bの各々から入射した画像を合成し、投射レンズ3へ出力するものである。
【0066】
ここで、LEDアレイパネル50−R(矢印B方向)から入射した画像(赤色画像)は、略直角方向に反射され、矢印E方向に出射される。
【0067】
LEDアレイパネル50−G(矢印C方向)から入射した画像(緑色画像)は、略直進し、矢印E方向に出射される。
【0068】
LEDアレイパネル50−B(矢印D方向)から入射した画像(青色画像)は、略直角方向に反射され、矢印E方向に出射される。
【0069】
図10は、LEDアレイパネル50(50−R)の構造を説明する平面図である。
【0070】
本実施例のLEDアレイパネル50は、図6に示したLEDアレイパネル10に対して、基板20に固着された薄膜LEDアレイ11(11−R)の発光色が一色(本図では赤色発光)のみである点が異なり、電極と駆動部12、駆動部13との配線は変わらないものである。
【0071】
同様にLEDパネル50−Gは薄膜LEDアレイ11(11−G)の発光色が緑色のみ、LEDパネル50−Bは薄膜LEDアレイ11(11−B)の発光色が青色のみとしている。
(動作)
図9および図10を参照して、投射型表示装置400の動作を説明する。
【0072】
画像の入力から各LEDアレイパネル50により画像を形成する動作は、実施例1のLEDアレイパネル10と同様であるため、3色のLEDアレイパネルのそれぞれにより形成された画像が合成される動作のみ説明する。
【0073】
LEDアレイパネル50−Rの1走査線分(カソード配線15−1に共通接続されている)LEDの発光に同期させて、LEDアレイパネル50−Gの対応する1走査線分のLED、および、LEDアレイパネル50−Bの対応する1走査線分のLEDが発光するよう駆動部13(カソードドライバ)が制御される。
【0074】
LEDアレイパネル50−R、50−B、50−Bから出射された画像は、プリズム51により合成され矢印E方向に向かい、投射レンズ3、ズームレンズ9を介して図示せぬスクリーン上に投射される。
【0075】
以下、走査線をカソード配線15−2、15−3、・・・、15−6と順次切り替え、1画面分の画像をスクリーン上に表示させる。
【0076】
以上の説明では、3色のLEDアレイパネルを用いて説明したが、これに限らず2色あるいは4色以上のLEDアレイパネルを用いてもよい。この場合、プリズムの代りにダイクロイックミラーを用いるとよい。
(実施例2の効果)
以上のように、実施例2の投射型表示装置によれば、互いに異なる発光色をもつ複数のLEDアレイパネルにより形成された画像を画像合成手段により合成して投射するよう構成したので、実施例1で得られる効果に加え、高精細なカラー画像が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0077】
【図1】実施例1で用いる投写型表示装置の構造を説明する配置図である。
【図2】投射型表示装置の機能を説明するブロック図である。
【図3】LEDアレイパネルの構造を説明する断面図である。
【図4】薄膜LEDアレイの構造を説明する断面図である。
【図5】薄膜LEDアレイの製造工程を説明する説明図である。
【図6】LEDアレイパネルの構造を説明する平面図である。
【図7】投射型表示装置の別の形態を説明する配置図である。
【図8】投射型表示装置の別の形態を説明する要部配置図である。
【図9】実施例2で用いる投写型表示装置の構造を説明する要部配置図である。
【図10】LEDアレイパネルの構造を説明する平面図である。
【符号の説明】
【0078】
3 投射レンズ
5 制御部
10、50 LEDアレイパネル
11 薄膜LEDアレイ
12、13 駆動部
20 基板
21 絶縁膜
30 母材
100、200、300、400 投射型表示装置

【特許請求の範囲】
【請求項1】
入力された画像情報に基づいて画像を形成する画像形成部と、該画像形成部により形成された画像を投射する投射レンズとを備え、
前記画像形成部は、基板と、該基板の表面に2次元状に配列させた複数の発光素子と、前記複数の発光素子のうち、第1の方向に配列させた発光素子を選択的に駆動する第1の駆動素子と、前記第1の方向と略直交する第2の方向に配列させた発光素子を選択的に駆動する第2の駆動素子を有することを特徴とする投射型表示装置。
【請求項2】
前記画像形成部は、前記複数の発光素子を冷却する冷却手段を備えることを特徴とする請求項1記載の投射型表示装置。
【請求項3】
前記複数の発光素子は、少なくとも3つの異なる波長で発光する発光素子を含み、同じ波長で発光する発光素子は、前記第1の方向または前記第2の方向の何れか一方向に配列されたことを特徴とする請求項1記載の投射型表示装置。
【請求項4】
複数の前記画像形成部と、各々の画像形成部で形成された画像を合成する画像合成手段を備え、複数の前記画像形成装置はそれぞれ発光波長を同じくする複数の発光素子を含み、異なる画像形成装置間では、発光素子の発光波長が異なることを特徴とする請求項1記載の投射型表示装置。
【請求項5】
前記投射レンズにより投射された画像を受けるスクリーンをさらに備え、該スクリーンは、前記画像形成部から投射される面の裏側から観察者により観察されるよう配置されたことを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載された投射型表示装置。
【請求項6】
前記複数の発光素子は積層形成された半導体薄膜上に所定数単位で形成され、互いに素子分離されたLEDであり、前記半導体薄膜と前記基板とは分子間力により固着されたことを特徴とする請求項1に記載の投射型表示装置。
【請求項7】
前記基板は、該基板における前記半導体薄膜の固着面を平坦化するための絶縁膜が形成されてなることを特徴とする請求項6記載の投射型表示装置。
【請求項8】
撮像素子と、選択的に光路を切り替える光路切替部とをさらに備え、
該光路切替部は、前記画像形成部により形成された画像を前記投射レンズに導くか、前記投射レンズから入射された画像を前記撮像素子に導くか何れかを切り替えることを特徴とする請求項1記載の投射型表示装置。
【請求項9】
請求項1記載の投射型表示装置に用いられる画像形成装置であって、
基板と、
各々所定数のLEDを含み、個々のLEDが素子分離された複数枚の半導体薄膜と、
第1の駆動素子と、
第2の駆動素子とを備え、
前記複数の半導体薄膜は、前記基板の表面に2次元状にLEDが配列するよう前記基板と分子間力により固着され、
前記第1の駆動素子は、複数の前記LEDのうち、第1の方向に配列させた複数のLEDを選択的に駆動し、
前記第2の駆動素子は、複数の前記LEDのうち、前記第1の方向と略直交する第2の方向に配列させた複数のLEDを選択的に駆動することを特徴とする画像形成装置。
【請求項10】
前記基板は、該基板の前記半導体薄膜が固着される面を平坦化するための絶縁膜が形成されなることを特徴とする請求項9記載の画像形成装置。
【請求項11】
前記複数の半導体薄膜は、これに含まれるLEDの発光波長が異なる複数の種類を有し、発光波長の異なる半導体薄膜は隣接して配置されることを特徴とする請求項9記載の画像形成装置。
【請求項12】
前記半導体薄膜は、前記基板とは異なる母材上に犠牲層を介して形成され、該犠牲層をエッチング除去することにより剥離されたものであることを特徴とする請求項9記載の画像形成装置。
【請求項13】
基板と、
各々所定数のLEDを含み、個々のLEDが素子分離された複数枚の半導体薄膜と、
第1の駆動素子と、
第2の駆動素子とを備え、
前記複数の半導体薄膜は、前記基板の表面に2次元状にLEDが配列するよう前記基板と分子間力により固着され、
前記第1の駆動素子は、複数の前記LEDのうち、第1の方向に配列させた複数のLEDを選択的に駆動し、
前記第2の駆動素子は、複数の前記LEDのうち、前記第1の方向と略直交する第2の方向に配列させた複数のLEDを選択的に駆動することを特徴とする画像形成装置。
【請求項14】
前記基板は、該基板の前記半導体薄膜が固着される面を平坦化するための絶縁膜が形成されなることを特徴とする請求項13記載の画像形成装置。
【請求項15】
前記複数の半導体薄膜は、これに含まれるLEDの発光波長が異なる複数の種類を有し、発光波長の異なる半導体薄膜は隣接して配置されることを特徴とする請求項13記載の画像形成装置。
【請求項16】
前記半導体薄膜は、前記基板とは異なる母材上に犠牲層を介して形成され、該犠牲層をエッチング除去することにより剥離されたものであることを特徴とする請求項13記載の画像形成装置。





【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【公開番号】特開2008−58535(P2008−58535A)
【公開日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−234483(P2006−234483)
【出願日】平成18年8月30日(2006.8.30)
【出願人】(591044164)株式会社沖データ (2,444)
【出願人】(000000295)沖電気工業株式会社 (6,645)
【出願人】(500002571)株式会社沖デジタルイメージング (186)
【Fターム(参考)】