放射線画像変換パネルの製造方法
【課題】 鮮鋭性に優れる放射線画像変換パネルの製造。
【解決手段】 真空チャンバー内で、支持体（基板）上にハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を蒸着法により蒸着する工程を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、基板の中央部をゲル状の両面粘着性物質で基板ホルダーに密着させて、基板表面温度の変動幅を抑える。
【解決手段】 真空チャンバー内で、支持体（基板）上にハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を蒸着法により蒸着する工程を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、基板の中央部をゲル状の両面粘着性物質で基板ホルダーに密着させて、基板表面温度の変動幅を抑える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は医療用の鮮鋭性に優れた放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発されている。
【０００３】
即ち、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、しかる後この蛍光体をある種のエネルギーで励起してこの蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を検出して画像化する方法が開示されている。
【０００４】
具体的な方法としては、支持体上に輝尽性蛍光体層を設けたパネルを用い、励起エネルギーとして可視光線及び赤外線の一方又は両方を用いる放射線像変換方法が知られている（米国特許第３，８５９，５２７号参照）。
【０００５】
より高輝度、高感度の輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換方法として、例えば特開昭５９-７５２００号等に記載されているＢａＦＸ：Ｅｕ2+系（Ｘ：Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）蛍光体を用いた放射線像変換方法、同６１-７２０８７号等に記載されているようなアルカリハライド蛍光体を用いた放射線像変換方法が開発されており、又、同６１-７３７８６号、同６１-７３７８７号等に記載のように、共賦活剤としてＴｌ+及びＣｅ3+、Ｓｍ3+、Ｅｕ3+、Ｙ3＋、Ａｇ+、Ｍｇ2+、Ｐｂ2+、Ｉｎ3+の金属を含有するアルカリハライド蛍光体も開発されている。
【０００６】
更に、近年診断画像の解析において、より高鮮鋭性の放射線像変換パネルが要求されている。
【０００７】
鮮鋭性改善の為の手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。
【０００８】
これらの試みの１つの方法として、例えば特開昭６１-１４２４９７号等に記載されている微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法がある。
【０００９】
また、特開昭６１-１４２５００号に記載のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２-３９７３７号に記載されている支持体上に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２-１１０２００号に記載に記載されているように、支持体上に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法等が提案されている。
【００１０】
更に、特開平２-５８０００号には、真空蒸着膜形成方法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルが記載されている。
【００１１】
また、最近、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換パネルが提案され、特にＥｕを賦活剤とすることで従来不可能であったＸ線変換効率の向上が可能になると期待されていた。
【００１２】
しかしながら、Ｅｕは熱による拡散が顕著で、真空下における蒸気圧も高いという性質を有するため、母体中で離散しやすく、Ｅｕが母体中に、遍在して存在するという問題が発生した。その結果、Ｅｕを用いて賦活させ、高Ｘ線変換効率を得ることが難しく、市場での実用化には至らなかった。
【００１３】
また、高Ｘ線変換効率が得られる希土類元素の賦活剤においては真空蒸着膜形成方法は蒸着時の加熱が基板の輻射熱となり、基盤の熱分布に影響を与える。
【００１４】
この熱分布は真空度によっても変化し、熱分布によって結晶成長が不均一となり輝度、鮮鋭性に急激な乱れを生じさせ、真空蒸着形成方法では、これらの性能を制御することが難しい問題であった。
【００１５】
従って、真空蒸着膜形成方法は、特に、Ｅｕ等の希土類元素を用いる場合、蒸気圧特性を制御するだけでは、高Ｘ線変換効率を達成することが困難であった。
【００１６】
また、真空蒸着膜形成方法は、原材料利用効率が数％〜１０％にすぎず、利用効率の低さから高価なものとなり汎用性に欠けていた。（例えば、特許文献１、２を参照）
一方、塗布型輝尽性蛍光体層中に、従来実用化されていた化合物として、ＢＦＸ：Ｅｕ（Ｘ＝ハロゲン原子）等のバリウムヨウ化物があり、安価であるが、該化合物は発光領域３９０〜４１０ｎｍでの透明性が悪く、粒子表面における散乱が顕著となり、鮮鋭性を低下させるという問題があった。
【００１７】
一方、特にマンモグラフィー用途に利用される場合には、高鮮鋭性が要求されるため、蛍光体層を薄膜にした放射線画像変換パネル用いる必要があり、真空蒸着膜形成方法（蒸着プレート法）で薄膜を形成し、アルカリハライド結晶を柱状化させようとすると結晶の形状が基板側で細くなり、表面側で太くなり、三角錐上の結晶が得られ、該結晶は特に１２０μｍ未満の膜厚では、蛍光体層中の蛍光体の充填率が低く、鮮鋭性、Ｘ線吸収量が極めて悪いことがわかった。（例えば、特許文献１、２を参照）
従って、市場では、輝度、鮮鋭性及びＸ線変換効率（Ｘ線吸収量）、特に鮮鋭性に優れる方射線画像変換パネルの製造方法が求められていた。
【特許文献１】特開平１０−１４０１４８号公報
【特許文献２】特開平１０−２６５７７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、特に鮮鋭性に優れる放射線画像変換パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の上記目的は以下の構成により達成される。
【００２０】
（請求項１）
真空チャンバー内で、支持体（基板）上にハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を蒸着法により蒸着する工程を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、該基板の中央部を両面粘着性物質で基板ホルダーに密着させて、輝尽性蛍光体層を蒸着法により設けることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【００２１】
（請求項２）
前記両面粘着性物質がゲル状であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００２２】
（請求項３）
前記ハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体が下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００２３】
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′・ｂＭ3Ｘ″：ｅＡ
〔式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′、Ｘ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。〕
【発明の効果】
【００２４】
本発明による放射線画像変換パネルの製造方法は特に鮮鋭性に優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明を更に詳細に述べる。
【００２６】
本発明は、蒸着チャンバー内で、支持体（基板）上にハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を蒸着法により蒸着する工程を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、該基板の中央部を両面粘着性物質で基板ホルダーに密着させて、輝尽性蛍光体層を蒸着法により設けることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法であり、これらの構成により本発明の目的を達成することができたのである。
【００２７】
上記、両面粘着性物質がゲル状であることが、本発明の効果をより奏する点から好ましい。
【００２８】
本発明いうゲル状とは、固体と液体の丁度中間的な状態で、ゲルの分子構造は大きな網目状なっていて、その網目の中に液体が閉じこめられている状態のことをいう。
【００２９】
常温でゲル状を呈するものであれば、化合物として特に限定されるものではなく、各種の化合物等用いることができるが、本発明においては、シリコーンゲル、エポキシ樹脂等の樹脂材料等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性、耐薬品性、耐久性に優れるシリコーンゲルが特に好ましい。
【００３０】
また、本発明のゲル状は流動性を示さないグリース状、ゼリー状のものも含む。
【００３１】
両面粘着性物質としては、例えば不織布又はフィルムのような基材の両面に接着剤を挟み込んだもの、基材のない粘着剤転写テープ等が挙げられ、それらの、粘着剤はゲル状のであることが好ましい。
【００３２】
厚みとしては、０．０３ｍｍの薄いテープ状のものから、５ｍｍ程度のシートものが好ましい。
【００３３】
また、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成させることも可能である。更に、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器或いは電子線銃を用いて共蒸着し、支持体上で目的とする器蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成させることも可能である。
【００３４】
また、蒸着法においては、蒸着時必要に応じて、被蒸着体（支持体、保護層又は中間層）を加熱しても良い。
【００３５】
また、蒸着法においては必要に応じＯ2、Ｈ2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行っても良い。
【００３６】
本発明において、前記一般式（Ｉ）で表される輝尽性蛍光体は、その母体成分Ｍ1Ｘよりも賦活剤成分Ｅｕの方が蒸気圧が顕著に高いために、蒸着開始直後の蒸発流は殆ど母体成分であり、逆に蒸着終了直前には賦活剤成分Ｅｕの濃度が当初の蛍光体組成比よりも高くなる傾向にある。よって、シャッタ７を一定時間閉じて蒸着開始直後の蒸発流を使用しないことにより、得られる蒸着膜中の賦活剤Ｅｕ濃度の分布（ムラ）を低減することもできる。
【００３７】
このようにして、輝尽性蛍光体からなる柱状結晶がほぼ厚み方向に成長した層が得られる。蛍光体層の層厚は、通常は５０〜１０００μｍの範囲にあり、好ましくは２００μｍ〜７００ｍｍの範囲にある。
【００３８】
なお、上記本発明の製造方法に用いられる蒸着装置は、図１に示した装置に限定されるものではなく、あるいは、上記輝尽性蛍光体からなる蒸着膜を形成するに先立って、蛍光体母体成分のみからなる蒸着膜を形成してもよい。
【００３９】
これによって、柱状結晶性の良好な蒸着膜を得ることができる。なお、蛍光体からなる蒸着膜中の賦活剤など微量成分は、特に蒸着時の加熱および／または蒸着後の加熱処理によって、蛍光体母体からなる蒸着膜中に拡散するために、両者の境界は必ずしも明確ではない。
【００４０】
次に、本発明に好ましく用いられる前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体について説明する。
【００４１】
前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、Ｍ1は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、更に好ましくはＣｓ原子である。
【００４２】
Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。
【００４３】
Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
【００４４】
ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１の金属原子であり、好ましくはＥｕ金属原子でる。
【００４５】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲンで原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が更に好ましい。
【００４６】
一般式（１）で表される化合物において、ａは０≦ａ＜０．５、好ましくは０≦ａ＜０．０１、ｂは０≦ｂ＜０．５、好ましくは０≦ｂ≦１０-2、ｅは０＜ｅ≦０．２、好ましくは０＜ｅ≦０．１である。
【００４７】
蛍光体原料としては、
（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種の化合物が用いられる。
【００４８】
（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣＩ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ２、ＢａＦ2、ＢａＣｌ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2の化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物が用いられる。
【００４９】
（ｃ）Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子を有するハロゲン化合物が用いられる。
【００５０】
（ｄ）賦活剤の原料としては、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。
【００５１】
一般式（１）において、前記ａ、ｂ、ｃの数値範囲の混合組成になるように前記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を秤量し、純水にて溶解する。
【００５２】
上記の数値範囲の混合組成になるように前記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を秤量し、純水にて溶解する。
【００５３】
この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合しても良い。
【００５４】
次に、得られた水溶液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【００５５】
また、本発明の輝尽性蛍光体層は保護層を有していても良い。
【００５６】
保護層は保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手段を取ってもよい。
【００５７】
保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化-塩化エチレン、四フッ化エチレン-六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン-塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン-アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層としてもちいることもできる。これらの保護層の層厚は０．１〜２０００μｍが好ましい。
【００５８】
また、光エネルギーで励起する際、輝尽励起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放出される発光を受光する光電変換器は一般に６００ｎｍ以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなるという理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったものが望ましい。
【００５９】
本発明の輝尽性蛍光体の発光波長域は３００〜５００ｎｍであり、一方輝尽励起波長域は５００〜９００ｎｍであるので前記の条件を同時に満たすが、最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射線像変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出力で、且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザが好まれ、そのレーザ光の波長は６８０ｎｍであることが好ましく、本発明の放射線像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体は、６８０ｎｍの励起波長を用いた時に、極めて良好な鮮鋭性を示すものである。
【００６０】
即ち、本発明の輝尽性蛍光体はいずれも５００ｎｍ以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を高めることができる。
【００６１】
輝尽励起光源としては、放射線像変換パネルに使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長を含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると光学系が簡単になり、また輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝尽発光効率をあげることができ、より好ましい結果が得られる。
【００６２】
レーザとしては、例えば、Ｈｅ-Ｎｅレーザ、Ｈｅ-Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、Ｎ2レーザ、ＹＡＧレーザ及びその第２高調波、ルビーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常はＨｅ-ＮｅレーザやＡｒイオンレーザのような連続発振のレーザが望ましいが、パネル１画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザを用いることもできる。
【００６３】
また、フィルタを用いずに特開昭５９-２２０４６号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザを用いて変調するよりもパルス発振のレーザを用いる方が好ましい。
【００６４】
上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レーザは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。
【００６５】
フィルタとしては放射線像変換パネルから放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光をカットするものであるから、これは放射線像変換パネルに含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励起光源の波長の組合わせによって決定される。
【００６６】
例えば、輝尽励起波長が５００〜９００ｎｍで輝尽発光波長が３００〜５００ｎｍにあるような実用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては例えば東芝社製Ｃ-３９、Ｃ-４０、Ｖ-４０、Ｖ-４２、Ｖ-４４、コーニング社製７-５４、７-５９、スペクトロフィルム社製ＢＧ-１、ＢＧ-３、ＢＧ-２５、ＢＧ-３７、ＢＧ-３８等の紫〜青色ガラスフィルタを用いることができる。又、干渉フィルタを用いると、ある程度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。光電変換装置２５としては、光電管、光電子倍増管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変換し得るものなら何れでもよい。
【実施例】
【００６７】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、ほんっは爪医の実施態様はこれらに限定されるものではない。
【００６８】
（放射線画像パネルの作製）
基板ホルダーに辺押さえをして保持された基板アルミニウムからなる支持体の片面上に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００２Ｅｕ）を図１に示す蒸着装置１を使用して蒸着させ輝尽性蛍光体層を形成した。
【００６９】
先ず、上記輝尽性蛍光体の原料を蒸着源として蒸発源ボートに充填し。また、回転する支持体ホルダ４に支持体１１を設置し、支持体１１と蒸発源３との間を４００ｍｍに調節した。
【００７０】
続いて蒸着装置１内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．１Ｐａに真空度をを調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体１１を回転させながら支持体温度を１００℃に保持した。
【００７１】
次に、蒸発源ボートを加熱して所定時間が経過した所で輝尽性蛍光体を蒸着し、輝尽性蛍光体層の膜厚が５００μｍとなった所で蒸着を終了させた。
【００７２】
ついで、乾燥空気内で輝尽性蛍光体層を保護層袋に入れ、輝尽性蛍光体層が密封された放射線画像変換パネル（試料）１を得た。
【００７３】
放射線画像変換パネル（試料）１の作製において、表１に示す条件を変更した以外は同様にして、放射線画像変換パネル（試料）２〜放射線画像変換パネル（試料）６を作製した。
【００７４】
得られた、各試料について以下のような評価を行った。
【００７５】
（基板温度の面内変動幅）
各試料の各測定点における最大温度の最大値、最小値の幅を１２点の測定点の平均値で表したものである。
【００７６】
（鮮鋭性）
各放射線画像変換パネル（試料）１〜６にＣＴＦチャートを貼り付けた後、菅電圧８０ｋＶＰ・ＰのＸ線を１０ｍＲ（管球からパネルまでの距離：１．５ｍ）で照射した後、半導体レーザ光（発振波長：７８０ｎｍ、ビーム径：１００μｍ）で走査して輝尽励起し、ＣＴＦチャート像を輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光として、読み取り、光検出器（被価値電子増倍菅）で光電変換して画像信号を得た。この信号により、画像の変調伝達関数（ＭＴＦ）を調べ、比較例１を１００とし相対値で示した。尚、ＭＴＦは、空間周波数が１サイクル／ｍｍの時の値である。
【００７７】
（支持体ホルダーからの取り外し性）
人が放射線画像変換パルを取り出す時間で評価した。
【００７８】
◎：３分未満
○：３〜５分未満
△：８〜１０分未満
×：１０分以上
【００７９】
【表１】
【００８０】
表から明らかなように本発明の試料が比較に比して鮮鋭性点で特に優れていることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の輝尽性蛍光体層を形成するのに用いられる蒸着装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００８２】
１ 蒸着装置
２ 真空容器
３ 蒸発源源
４ 支持体ホルダー
５ 支持体回転機構
６ 真空ポンプ
７ シャッタ
１１ 支持体
【技術分野】
【０００１】
本発明は医療用の鮮鋭性に優れた放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方法が開発されている。
【０００３】
即ち、被写体を透過した放射線を蛍光体に吸収させ、しかる後この蛍光体をある種のエネルギーで励起してこの蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を検出して画像化する方法が開示されている。
【０００４】
具体的な方法としては、支持体上に輝尽性蛍光体層を設けたパネルを用い、励起エネルギーとして可視光線及び赤外線の一方又は両方を用いる放射線像変換方法が知られている（米国特許第３，８５９，５２７号参照）。
【０００５】
より高輝度、高感度の輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換方法として、例えば特開昭５９-７５２００号等に記載されているＢａＦＸ：Ｅｕ2+系（Ｘ：Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）蛍光体を用いた放射線像変換方法、同６１-７２０８７号等に記載されているようなアルカリハライド蛍光体を用いた放射線像変換方法が開発されており、又、同６１-７３７８６号、同６１-７３７８７号等に記載のように、共賦活剤としてＴｌ+及びＣｅ3+、Ｓｍ3+、Ｅｕ3+、Ｙ3＋、Ａｇ+、Ｍｇ2+、Ｐｂ2+、Ｉｎ3+の金属を含有するアルカリハライド蛍光体も開発されている。
【０００６】
更に、近年診断画像の解析において、より高鮮鋭性の放射線像変換パネルが要求されている。
【０００７】
鮮鋭性改善の為の手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。
【０００８】
これらの試みの１つの方法として、例えば特開昭６１-１４２４９７号等に記載されている微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法がある。
【０００９】
また、特開昭６１-１４２５００号に記載のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２-３９７３７号に記載されている支持体上に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２-１１０２００号に記載に記載されているように、支持体上に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法等が提案されている。
【００１０】
更に、特開平２-５８０００号には、真空蒸着膜形成方法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルが記載されている。
【００１１】
また、最近、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換パネルが提案され、特にＥｕを賦活剤とすることで従来不可能であったＸ線変換効率の向上が可能になると期待されていた。
【００１２】
しかしながら、Ｅｕは熱による拡散が顕著で、真空下における蒸気圧も高いという性質を有するため、母体中で離散しやすく、Ｅｕが母体中に、遍在して存在するという問題が発生した。その結果、Ｅｕを用いて賦活させ、高Ｘ線変換効率を得ることが難しく、市場での実用化には至らなかった。
【００１３】
また、高Ｘ線変換効率が得られる希土類元素の賦活剤においては真空蒸着膜形成方法は蒸着時の加熱が基板の輻射熱となり、基盤の熱分布に影響を与える。
【００１４】
この熱分布は真空度によっても変化し、熱分布によって結晶成長が不均一となり輝度、鮮鋭性に急激な乱れを生じさせ、真空蒸着形成方法では、これらの性能を制御することが難しい問題であった。
【００１５】
従って、真空蒸着膜形成方法は、特に、Ｅｕ等の希土類元素を用いる場合、蒸気圧特性を制御するだけでは、高Ｘ線変換効率を達成することが困難であった。
【００１６】
また、真空蒸着膜形成方法は、原材料利用効率が数％〜１０％にすぎず、利用効率の低さから高価なものとなり汎用性に欠けていた。（例えば、特許文献１、２を参照）
一方、塗布型輝尽性蛍光体層中に、従来実用化されていた化合物として、ＢＦＸ：Ｅｕ（Ｘ＝ハロゲン原子）等のバリウムヨウ化物があり、安価であるが、該化合物は発光領域３９０〜４１０ｎｍでの透明性が悪く、粒子表面における散乱が顕著となり、鮮鋭性を低下させるという問題があった。
【００１７】
一方、特にマンモグラフィー用途に利用される場合には、高鮮鋭性が要求されるため、蛍光体層を薄膜にした放射線画像変換パネル用いる必要があり、真空蒸着膜形成方法（蒸着プレート法）で薄膜を形成し、アルカリハライド結晶を柱状化させようとすると結晶の形状が基板側で細くなり、表面側で太くなり、三角錐上の結晶が得られ、該結晶は特に１２０μｍ未満の膜厚では、蛍光体層中の蛍光体の充填率が低く、鮮鋭性、Ｘ線吸収量が極めて悪いことがわかった。（例えば、特許文献１、２を参照）
従って、市場では、輝度、鮮鋭性及びＸ線変換効率（Ｘ線吸収量）、特に鮮鋭性に優れる方射線画像変換パネルの製造方法が求められていた。
【特許文献１】特開平１０−１４０１４８号公報
【特許文献２】特開平１０−２６５７７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、特に鮮鋭性に優れる放射線画像変換パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の上記目的は以下の構成により達成される。
【００２０】
（請求項１）
真空チャンバー内で、支持体（基板）上にハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を蒸着法により蒸着する工程を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、該基板の中央部を両面粘着性物質で基板ホルダーに密着させて、輝尽性蛍光体層を蒸着法により設けることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【００２１】
（請求項２）
前記両面粘着性物質がゲル状であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００２２】
（請求項３）
前記ハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体が下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００２３】
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′・ｂＭ3Ｘ″：ｅＡ
〔式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′、Ｘ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。〕
【発明の効果】
【００２４】
本発明による放射線画像変換パネルの製造方法は特に鮮鋭性に優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明を更に詳細に述べる。
【００２６】
本発明は、蒸着チャンバー内で、支持体（基板）上にハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を蒸着法により蒸着する工程を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、該基板の中央部を両面粘着性物質で基板ホルダーに密着させて、輝尽性蛍光体層を蒸着法により設けることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法であり、これらの構成により本発明の目的を達成することができたのである。
【００２７】
上記、両面粘着性物質がゲル状であることが、本発明の効果をより奏する点から好ましい。
【００２８】
本発明いうゲル状とは、固体と液体の丁度中間的な状態で、ゲルの分子構造は大きな網目状なっていて、その網目の中に液体が閉じこめられている状態のことをいう。
【００２９】
常温でゲル状を呈するものであれば、化合物として特に限定されるものではなく、各種の化合物等用いることができるが、本発明においては、シリコーンゲル、エポキシ樹脂等の樹脂材料等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性、耐薬品性、耐久性に優れるシリコーンゲルが特に好ましい。
【００３０】
また、本発明のゲル状は流動性を示さないグリース状、ゼリー状のものも含む。
【００３１】
両面粘着性物質としては、例えば不織布又はフィルムのような基材の両面に接着剤を挟み込んだもの、基材のない粘着剤転写テープ等が挙げられ、それらの、粘着剤はゲル状のであることが好ましい。
【００３２】
厚みとしては、０．０３ｍｍの薄いテープ状のものから、５ｍｍ程度のシートものが好ましい。
【００３３】
また、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成させることも可能である。更に、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器或いは電子線銃を用いて共蒸着し、支持体上で目的とする器蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成させることも可能である。
【００３４】
また、蒸着法においては、蒸着時必要に応じて、被蒸着体（支持体、保護層又は中間層）を加熱しても良い。
【００３５】
また、蒸着法においては必要に応じＯ2、Ｈ2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行っても良い。
【００３６】
本発明において、前記一般式（Ｉ）で表される輝尽性蛍光体は、その母体成分Ｍ1Ｘよりも賦活剤成分Ｅｕの方が蒸気圧が顕著に高いために、蒸着開始直後の蒸発流は殆ど母体成分であり、逆に蒸着終了直前には賦活剤成分Ｅｕの濃度が当初の蛍光体組成比よりも高くなる傾向にある。よって、シャッタ７を一定時間閉じて蒸着開始直後の蒸発流を使用しないことにより、得られる蒸着膜中の賦活剤Ｅｕ濃度の分布（ムラ）を低減することもできる。
【００３７】
このようにして、輝尽性蛍光体からなる柱状結晶がほぼ厚み方向に成長した層が得られる。蛍光体層の層厚は、通常は５０〜１０００μｍの範囲にあり、好ましくは２００μｍ〜７００ｍｍの範囲にある。
【００３８】
なお、上記本発明の製造方法に用いられる蒸着装置は、図１に示した装置に限定されるものではなく、あるいは、上記輝尽性蛍光体からなる蒸着膜を形成するに先立って、蛍光体母体成分のみからなる蒸着膜を形成してもよい。
【００３９】
これによって、柱状結晶性の良好な蒸着膜を得ることができる。なお、蛍光体からなる蒸着膜中の賦活剤など微量成分は、特に蒸着時の加熱および／または蒸着後の加熱処理によって、蛍光体母体からなる蒸着膜中に拡散するために、両者の境界は必ずしも明確ではない。
【００４０】
次に、本発明に好ましく用いられる前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体について説明する。
【００４１】
前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、Ｍ1は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、更に好ましくはＣｓ原子である。
【００４２】
Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。
【００４３】
Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
【００４４】
ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１の金属原子であり、好ましくはＥｕ金属原子でる。
【００４５】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲンで原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が更に好ましい。
【００４６】
一般式（１）で表される化合物において、ａは０≦ａ＜０．５、好ましくは０≦ａ＜０．０１、ｂは０≦ｂ＜０．５、好ましくは０≦ｂ≦１０-2、ｅは０＜ｅ≦０．２、好ましくは０＜ｅ≦０．１である。
【００４７】
蛍光体原料としては、
（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種の化合物が用いられる。
【００４８】
（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣＩ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ２、ＢａＦ2、ＢａＣｌ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2の化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物が用いられる。
【００４９】
（ｃ）Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子を有するハロゲン化合物が用いられる。
【００５０】
（ｄ）賦活剤の原料としては、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。
【００５１】
一般式（１）において、前記ａ、ｂ、ｃの数値範囲の混合組成になるように前記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を秤量し、純水にて溶解する。
【００５２】
上記の数値範囲の混合組成になるように前記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を秤量し、純水にて溶解する。
【００５３】
この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合しても良い。
【００５４】
次に、得られた水溶液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【００５５】
また、本発明の輝尽性蛍光体層は保護層を有していても良い。
【００５６】
保護層は保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手段を取ってもよい。
【００５７】
保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化-塩化エチレン、四フッ化エチレン-六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン-塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン-アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層としてもちいることもできる。これらの保護層の層厚は０．１〜２０００μｍが好ましい。
【００５８】
また、光エネルギーで励起する際、輝尽励起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放出される発光を受光する光電変換器は一般に６００ｎｍ以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなるという理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったものが望ましい。
【００５９】
本発明の輝尽性蛍光体の発光波長域は３００〜５００ｎｍであり、一方輝尽励起波長域は５００〜９００ｎｍであるので前記の条件を同時に満たすが、最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射線像変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出力で、且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザが好まれ、そのレーザ光の波長は６８０ｎｍであることが好ましく、本発明の放射線像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体は、６８０ｎｍの励起波長を用いた時に、極めて良好な鮮鋭性を示すものである。
【００６０】
即ち、本発明の輝尽性蛍光体はいずれも５００ｎｍ以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を高めることができる。
【００６１】
輝尽励起光源としては、放射線像変換パネルに使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長を含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると光学系が簡単になり、また輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝尽発光効率をあげることができ、より好ましい結果が得られる。
【００６２】
レーザとしては、例えば、Ｈｅ-Ｎｅレーザ、Ｈｅ-Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、Ｎ2レーザ、ＹＡＧレーザ及びその第２高調波、ルビーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常はＨｅ-ＮｅレーザやＡｒイオンレーザのような連続発振のレーザが望ましいが、パネル１画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザを用いることもできる。
【００６３】
また、フィルタを用いずに特開昭５９-２２０４６号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザを用いて変調するよりもパルス発振のレーザを用いる方が好ましい。
【００６４】
上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レーザは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。
【００６５】
フィルタとしては放射線像変換パネルから放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光をカットするものであるから、これは放射線像変換パネルに含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励起光源の波長の組合わせによって決定される。
【００６６】
例えば、輝尽励起波長が５００〜９００ｎｍで輝尽発光波長が３００〜５００ｎｍにあるような実用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては例えば東芝社製Ｃ-３９、Ｃ-４０、Ｖ-４０、Ｖ-４２、Ｖ-４４、コーニング社製７-５４、７-５９、スペクトロフィルム社製ＢＧ-１、ＢＧ-３、ＢＧ-２５、ＢＧ-３７、ＢＧ-３８等の紫〜青色ガラスフィルタを用いることができる。又、干渉フィルタを用いると、ある程度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。光電変換装置２５としては、光電管、光電子倍増管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変換し得るものなら何れでもよい。
【実施例】
【００６７】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、ほんっは爪医の実施態様はこれらに限定されるものではない。
【００６８】
（放射線画像パネルの作製）
基板ホルダーに辺押さえをして保持された基板アルミニウムからなる支持体の片面上に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００２Ｅｕ）を図１に示す蒸着装置１を使用して蒸着させ輝尽性蛍光体層を形成した。
【００６９】
先ず、上記輝尽性蛍光体の原料を蒸着源として蒸発源ボートに充填し。また、回転する支持体ホルダ４に支持体１１を設置し、支持体１１と蒸発源３との間を４００ｍｍに調節した。
【００７０】
続いて蒸着装置１内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．１Ｐａに真空度をを調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体１１を回転させながら支持体温度を１００℃に保持した。
【００７１】
次に、蒸発源ボートを加熱して所定時間が経過した所で輝尽性蛍光体を蒸着し、輝尽性蛍光体層の膜厚が５００μｍとなった所で蒸着を終了させた。
【００７２】
ついで、乾燥空気内で輝尽性蛍光体層を保護層袋に入れ、輝尽性蛍光体層が密封された放射線画像変換パネル（試料）１を得た。
【００７３】
放射線画像変換パネル（試料）１の作製において、表１に示す条件を変更した以外は同様にして、放射線画像変換パネル（試料）２〜放射線画像変換パネル（試料）６を作製した。
【００７４】
得られた、各試料について以下のような評価を行った。
【００７５】
（基板温度の面内変動幅）
各試料の各測定点における最大温度の最大値、最小値の幅を１２点の測定点の平均値で表したものである。
【００７６】
（鮮鋭性）
各放射線画像変換パネル（試料）１〜６にＣＴＦチャートを貼り付けた後、菅電圧８０ｋＶＰ・ＰのＸ線を１０ｍＲ（管球からパネルまでの距離：１．５ｍ）で照射した後、半導体レーザ光（発振波長：７８０ｎｍ、ビーム径：１００μｍ）で走査して輝尽励起し、ＣＴＦチャート像を輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光として、読み取り、光検出器（被価値電子増倍菅）で光電変換して画像信号を得た。この信号により、画像の変調伝達関数（ＭＴＦ）を調べ、比較例１を１００とし相対値で示した。尚、ＭＴＦは、空間周波数が１サイクル／ｍｍの時の値である。
【００７７】
（支持体ホルダーからの取り外し性）
人が放射線画像変換パルを取り出す時間で評価した。
【００７８】
◎：３分未満
○：３〜５分未満
△：８〜１０分未満
×：１０分以上
【００７９】
【表１】
【００８０】
表から明らかなように本発明の試料が比較に比して鮮鋭性点で特に優れていることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の輝尽性蛍光体層を形成するのに用いられる蒸着装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００８２】
１ 蒸着装置
２ 真空容器
３ 蒸発源源
４ 支持体ホルダー
５ 支持体回転機構
６ 真空ポンプ
７ シャッタ
１１ 支持体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバー内で、支持体（基板）上にハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を蒸着法により蒸着する工程を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、該基板の中央部を両面粘着性物質で基板ホルダーに密着させて、輝尽性蛍光体層を蒸着法により設けることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記両面粘着性物質がゲル状であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
前記ハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体が下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′・ｂＭ3Ｘ″：ｅＡ
〔式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′、Ｘ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。〕
【請求項１】
真空チャンバー内で、支持体（基板）上にハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体を蒸着法により蒸着する工程を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、該基板の中央部を両面粘着性物質で基板ホルダーに密着させて、輝尽性蛍光体層を蒸着法により設けることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記両面粘着性物質がゲル状であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
前記ハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体が下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′・ｂＭ3Ｘ″：ｅＡ
〔式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′、Ｘ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。〕
【図１】
【公開番号】特開２００６−６４４３３（Ｐ２００６−６４４３３Ａ）
【公開日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２４４７６５（Ｐ２００４−２４４７６５）
【出願日】平成１６年８月２５日（２００４．８．２５）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月９日（２００６．３．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年８月２５日（２００４．８．２５）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
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