欠陥画素マップ作成方法、欠陥画素マップ作成システム、コンソールおよび放射線画像撮影装置
【課題】放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素を補正できる欠陥画素マップを作成する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線の線質を変更し、放射線画像撮影装置１が、欠陥画素マップの作成のためのマップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質毎に生成し、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、欠陥画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを作成することを特徴とする。
【解決手段】放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線の線質を変更し、放射線画像撮影装置１が、欠陥画素マップの作成のためのマップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質毎に生成し、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、欠陥画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを作成することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、欠陥画素マップ作成方法、欠陥画素マップ作成システム、コンソールおよび放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
病気診断等を目的として、Ｘ線画像に代表される放射線を用いて撮影された放射線画像が広く用いられている。こうした医療用の放射線画像は、従来からスクリーンフィルムを用いて撮影されていたが、放射線画像のデジタル化を図るために輝尽性蛍光体シートを用いたＣＲ（Computed Radiography）装置が開発され、最近では、照射された放射線を、二次元状に配置された放射線検出素子で検出して、デジタル画像データとして取得する放射線画像撮影装置が開発されている。
【０００３】
このような放射線画像撮影装置としては、照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換された電磁波のエネルギーに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
【０００４】
このタイプの放射線画像撮影装置は、通常、複数の放射線検出素子が二次元状に配列されたセンサパネルを備えており、ＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られている。従来は、センサパネルが支持台に一体的に形成されていたが（例えば特許文献１参照）、近年、センサパネルを筐体内に収納して持ち運びできるようにした可搬型の放射線画像撮影装置が開発されている（例えば特許文献２参照）。
【０００５】
ＦＰＤ型の放射線画像撮影装置では、センサパネル上に放射線検出素子を積層して製造する際に放射線検出素子中に不純物が混入する等して、恒常的に或いは一定の確率で異常な画像データを出力する画素（以下「欠陥画素」という。）が生じる場合がある。
【０００６】
このような欠陥画素が存在すると、その部分に画像の欠損が生じ、高精細な画像を得ることができない。
そのため、通常、放射線画像撮影装置により撮影された放射線画像を表示等する前に、欠陥画素の近傍の正常画素の画素値を単純平均する単純平均補間や、センサパネルの特性等に従って重み付け平均する重み付け平均補間などの手法により欠陥画素の画素値を補間する等の欠陥画素補正処理が行われている。
【０００７】
欠陥画素補正処理を行うためには、欠陥画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを予め作成しておく必要がある。欠陥画素でない画素が誤って欠陥画素と判定されたり、欠陥画素である画素なのに欠陥画素と判定されなかったりして、欠陥画素の判定が正確に行われないと、正確な欠陥画素マップが作成されず、欠陥画素の補正を的確に行うことができなくなってしまう。欠陥画素の補正が的確に行われないと、放射線画像の画質が低下してしまうので、このような放射線画像を用いて診断を行った場合、病変部を見落としたり、正常な部分を病変部と見誤ったりして誤診が生じる等の不都合が生じてしまう虞がある。
そこで、欠陥画素の判定を正確に行うために、放射線の照射量を変更し、それぞれの照射量での撮影にて得られる撮影画像を用いて欠陥画素位置情報の抽出を行うことが可能な画像処理装置が提案されている（例えば特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平９−７３１４４号公報
【特許文献２】特開平７−２４６１９９号公報
【特許文献３】特開２００１−４２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、欠陥画素の中には、放射線の照射量を変更しても位置情報を抽出できないものがある。このような欠陥画素としては、例えば、センサパネルを筐体内に収納する際等に筐体内に混入した異物の影響で生じる欠陥画素が挙げられる。
【００１０】
例えば、放射線画像撮影装置に照射された放射線が透過できない異物が筐体内に混入しており、当該異物が邪魔になって当該異物の下方にあるシンチレータ（直接型の放射線画像撮影装置の場合は検出素子）に十分な線量の放射線が入射しない場合、当該異物の位置に対応する画素は欠陥画素になる。
一方、筐体内に異物が混入していたとしても、放射線画像撮影装置に照射された放射線が当該異物を透過可能であり、当該異物の下方にあるシンチレータに十分な線量の放射線が入射する場合、当該異物の位置に対応する画素は欠陥画素にならない。
【００１１】
言い換えれば、筐体内に混入している異物に対する放射線の透過率が変化すると、その異物の位置に対応する画素は欠陥画素になったり欠陥画素にならなかったりする。
なお、異物に対する放射線の透過率は、放射線の線質に応じて変化する。そして、放射線画像撮影装置に照射される放射線の線質は、撮影部位等に応じて変更される撮影条件、具体的には放射線画像撮影装置に対して放射線を照射する放射線発生装置の管電圧により変化する。また、放射線画像撮影装置に照射される放射線の線質は、被写体の有無や被写体の体型などによっても変化する。
【００１２】
筐体内に混入している異物に起因する欠陥画素が発生しても、その欠陥画素の位置情報が登録されている欠陥画素マップを用いれば、その欠陥画素を補正することは可能である。
しかしながら、従来の欠陥画素マップは、放射線画像撮影装置に照射される放射線の線質を変更して作成されたものではなく、線質を変更せずに線質を一定にして作成されたものである。そのため、管電圧の変更や被写体の有無などによって、欠陥画素マップ作成時の放射線の線質と実際の撮影時（被写体撮影時）の放射線の線質とが異なり、異物の位置に対応する画素のうち、欠陥画素マップ作成時には欠陥画素と判定されなかった画素が実際の撮影時には欠陥画素になる場合や、欠陥画素マップ作成時には欠陥画素と判定された画素が実際の撮影時には欠陥画素にならない場合がある。したがって、放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素は、線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行っても補正できない場合があり、このような場合、適切な画質の放射線画像を取得できない可能性が高くなる。
【００１３】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素を補正できる欠陥画素マップを作成可能な欠陥画素マップ作成方法、放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素を補正できる欠陥画素マップを作成可能な欠陥画素マップ作成システム、当該欠陥画素マップを用いて放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素を補正可能なコンソールおよび放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の問題を解決するために、本発明の欠陥画素マップ作成方法は、
放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに含まれる欠陥画素を補正する際に使用する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成方法において、
前記放射線画像撮影装置に対して照射する放射線の線質を変更する変更ステップと、
前記放射線画像撮影装置が、前記欠陥画素マップの作成のためのマップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質毎に生成する生成ステップと、
前記放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、前記欠陥画素の位置情報が登録された前記欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成ステップと、
を有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の欠陥画素マップ作成システムは、
放射線画像撮影を行う放射線画像撮影装置と、前記放射線画像撮影装置に対して放射線を照射する放射線発生装置と、前記放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに含まれる欠陥画素を補正する際に使用する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成装置と、を備える欠陥画素マップ作成システムにおいて、
前記放射線発生装置は、前記放射線画像撮影装置に対して照射する放射線の線質を変更可能であり、
前記放射線画像撮影装置は、前記欠陥画素マップの作成のためのマップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質毎に生成する生成手段を備え、
前記欠陥画素マップ作成装置は、前記放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、前記欠陥画素の位置情報が登録された前記欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成手段を備えることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明のコンソールは、
前記放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに対して所定の画像処理を行うコンソールにおいて、
本発明の欠陥画素マップ作成システムが備える欠陥画素マップ作成装置により作成された欠陥画素マップを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている欠陥画素マップに基づいて、前記放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに対して欠陥画素補正処理を行う欠陥画素補正手段と、
を備えることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の放射線画像撮影装置は、
二次元状に配列された複数の放射線検出素子を備えるセンサパネルと、
前記放射線検出素子から電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を電気信号に変換し画像データとして出力する読み出し回路と、
本発明の欠陥画素マップ作成システムが備える欠陥画素マップ作成装置により作成された欠陥画素マップを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている欠陥画素マップに基づいて、前記読み出し回路により出力された画像データに対して欠陥画素補正処理を行う欠陥画素補正手段と、
を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の欠陥画素マップ作成方法および欠陥画素マップ作成システムにおいて作成される欠陥画素マップは、放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質を変更して作成された欠陥画素マップであるので、筐体内に混入している異物に起因する欠陥画素等の放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素の位置情報も登録されている。したがって、当該欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行えば、放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素も補正できるので、放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行う場合よりも適切な画質の放射線画像を取得することが可能となる。
【００１９】
また、本発明のコンソールおよび放射線画像撮影装置によれば、放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質を変更して作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行うので、放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素も補正することが可能となる。したがって、放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行う場合よりも適切な画質の放射線画像を取得することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態に係る放射線画像撮影装置を示す外観斜視図である。
【図２】図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】放射線画像撮影装置の基板の構成を示す平面図である。
【図４】図３の基板上の小領域に形成された放射線検出素子やＴＦＴなどの構成を示す拡大図である。
【図５】図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【図６】ＣＯＦやプリント基板などが取り付けられた基板を説明する側面図である。
【図７】放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。
【図８】本実施形態に係る放射線画像撮影システムの全体構成を示す図である。
【図９】本実施形態に係る欠陥画素マップ作成システムの全体構成を示す図である。
【図１０】本実施形態に係る欠陥画素マップ作成方法について説明するためのフローチャートである。
【図１１】図１１（Ａ）は放射線発生装置の管電圧が所定の第１検査用電圧である場合の欠陥画素について説明するための図であり、図１１（Ｂ）は放射線発生装置の管電圧が所定の第２検査用電圧である場合の欠陥画素について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。ただし、本発明を適用可能な実施形態はこれに限定されるものではなく、また、本発明は図示例に限定されるものでもない。
【００２２】
［放射線画像撮影装置］
まず、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の構成について説明する。
なお、以下では、放射線画像撮影装置として、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して照射し、放射線検出素子で電気信号である画像データに変換する、いわゆる間接型の放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレータ等を介さずに放射線を放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。
また、放射線画像撮影装置が可搬型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、支持台等と一体的に形成された固定型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。
【００２３】
図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の外観斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
放射線画像撮影装置１は、いわゆるフラットパネルディテクタ（以下「ＦＰＤ」という。）を可搬型に構成したカセッテ型ＦＰＤであり、放射線画像撮影に用いられ、放射線を検出して当該放射線の線量に応じた画像データを生成して取得するものである。
放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体２内にシンチレータ３や基板４などで構成されるセンサパネルＳＰが収納されて構成されている。
【００２４】
筐体２は、少なくとも放射線の照射を受ける側の面Ｒ（以下「放射線入射面Ｒ」という。）が放射線を透過するカーボン板やプラスチックなどの材料で形成されている。
なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板２Ａとバック板２Ｂとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、これに限定されることはなく、例えば、筐体２を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態においては、筐体２の側面部分に、電源スイッチ３６や、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ３７や、バッテリ４１（後述する図７参照）の交換等のために開閉可能とされた蓋部材３８などが配置されている。また、本実施形態においては、蓋部材３８の側面部に、画像データを、後述する欠陥画素マップ作成装置１０１やコンソール５８などの外部装置に無線で転送するための通信手段であるアンテナ装置３９が埋め込まれている。なお、画像データを外部装置に有線方式で転送するように構成することも可能であり、その場合は、例えば、通信手段として、ケーブル等を差し込むなどして接続するための接続端子等が放射線画像撮影装置１の側面部等に設けられる。
【００２６】
図２に示すように、筐体２の内部には、センサパネルＳＰが収納されている。センサパネルＳＰは、基板４とこれに積層されるシンチレータ３とを備えており、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒ側には、それらを保護するためのガラス基板３５が配設されている。
また、基板４の下方側には図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたプリント基板３３や緩衝部材３４などが取り付けられている。
【００２７】
シンチレータ３は、基板４の検出部Ｐ（後述）に貼り合わされている。本実施形態において、シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。
具体的には、本実施形態において、シンチレータ３は、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の各種高分子材料により形成された支持膜の上に、例えば気相成長法により蛍光体を成長させて形成されたものであり、蛍光体の柱状結晶からなっている。気相成長法としては、蒸着法やスパッタ法などが好ましく用いられる。
【００２８】
本実施形態において、基板４は、ガラス基板で構成されており、図３に示すように、基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６とにより区画された各小領域ｒには、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。
【００２９】
このように、走査線５と信号線６とで区画された各小領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７が設けられた領域全体、すなわち図３に一点鎖線で示される領域がセンサパネルＳＰの検出部Ｐとされている。
【００３０】
本実施形態においては、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。
各放射線検出素子７は、図３や図３の拡大図である図４に示すように、スイッチ素子である薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下「ＴＦＴ」という。）８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。
【００３１】
そして、ＴＦＴ８は、走査駆動手段１５（後述）から走査線５を介してゲート電極８ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子７内に蓄積されている電荷を当該放射線検出素子７から信号線６に放出させるように構成されている。
また、ＴＦＴ８は、接続された走査線５を介してゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内で発生した電荷を当該放射線検出素子７内に保持して蓄積させるように構成されている。
【００３２】
ここで、本実施形態における放射線検出素子７やＴＦＴ８の構造について、図５に示す断面図を用いて簡単に説明する。図５は、図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【００３３】
図５に示すように、基板４の面４ａ上には、ＡｌやＣｒなどからなるＴＦＴ８のゲート電極８ｇが走査線５と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極８ｇ上および面４ａ上に積層された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁層８１上のゲート電極８ｇの上方部分に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなる半導体層８２を介して、放射線検出素子７の第１電極７４と接続されたソース電極８ｓと、信号線６と一体的に形成されるドレイン電極８ｄとが積層されて形成されている。
【００３４】
ソース電極８ｓとドレイン電極８ｄとは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第１パッシベーション層８３によって分割されており、さらに第１パッシベーション層８３は両電極８ｓ、８ｄを上側から被覆している。また、半導体層８２とソース電極８ｓやドレイン電極８ｄとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたオーミックコンタクト層８４ａ、８４ｂがそれぞれ積層されている。以上のようにしてＴＦＴ８が形成されている。
【００３５】
また、放射線検出素子７の部分では、基板４の面４ａ上にゲート絶縁層８１と一体的に形成される絶縁層７１の上にＡｌやＣｒなどが積層されて補助電極７２が形成されており、補助電極７２上に第１パッシベーション層８３と一体的に形成される絶縁層７３を挟んでＡｌやＣｒやＭｏなどからなる第１電極７４が積層されている。第１電極７４は、第１パッシベーション層８３に形成されたホールＨを介してＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。なお、補助電極７２は必ずしも設けられなくてもよい。
【００３６】
第１電極７４の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたｎ層７５、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるｉ層７６、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてｐ型に形成されたｐ層７７が下方から順に積層されて形成されている。
【００３７】
そして、放射線画像撮影時に、放射線画像撮影装置１に対して照射された放射線が筐体２の放射線入射面Ｒから入射し、シンチレータ３で可視光等の電磁波に変換され、変換された電磁波が図中上方から照射されると、電磁波は放射線検出素子７のｉ層７６に到達して、ｉ層７６内で電子正孔対が発生する。放射線検出素子７は、このようにして、シンチレータ３から照射された電磁波を電荷（電子正孔対）に変換するようになっている。
【００３８】
また、ｐ層７７の上には、ＩＴＯ等の透明電極とされた第２電極７８が積層されて形成されており、照射された電磁波がｉ層７６等に到達するように構成されている。本実施形態においては、以上のようにして放射線検出素子７が形成されている。なお、ｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の積層の順番は上下逆であってもよい。また、本実施形態においては、放射線検出素子７として、上記のようにｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の順に積層されて形成されたいわゆるｐｉｎ型の放射線検出素子を用いる場合が説明されているが、これに限定されない。
【００３９】
放射線検出素子７の第２電極７８の上面には、第２電極７８を介して放射線検出素子７にバイアス電圧を印加するバイアス線９が接続されている。なお、放射線検出素子７の第２電極７８、バイアス線９、ＴＦＴ８側に延出された第１電極７４、ＴＦＴ８の第１パッシベーション層８３等、すなわち放射線検出素子７とＴＦＴ８の上面部分は、その上方側から窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第２パッシベーション層７９で被覆されている。
【００４０】
図３や図４に示すように、本実施形態では、列状に配置された複数の放射線検出素子７にそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に平行に配設されている。また、図３に示すように、各バイアス線９は、基板４の検出部Ｐの外側の位置で結線１０に結束されている。
【００４１】
また、本実施形態において、各走査線５や各信号線６やバイアス線９の結線１０は、それぞれ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（パッドともいう）１１に接続されている。各入出力端子１１には、図６に示すように、ＩＣ１２ａ等のチップが組み込まれたＣＯＦ（Chip On Film）１２が、異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）などの異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
【００４２】
また、ＣＯＦ１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側でプリント基板３３に接続されている。このようにして、放射線画像撮影装置１のセンサパネルＳＰの基板４部分が形成されている。なお、図６では、電子部品３２等の図示が省略されている。
【００４３】
ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。
図７は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１のセンサパネルＳＰの等価回路図である。
【００４４】
各放射線検出素子７の一方の電極（第２電極７８）にはそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７８それぞれにバイアス電圧（本実施形態では逆バイアス電圧）を印加する。
また、バイアス電源１４は、制御手段２２（後述）に接続されており、制御手段２２によって、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧が制御されるように構成されている。
【００４５】
また、各放射線検出素子７の他方の電極（第１電極７４）はそれぞれＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図７中ではＳと表記されている。）に接続されており、各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇ（図７中ではＧと表記されている。）は、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから延びる走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにそれぞれ接続されている。また、各ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄ（図７中ではＤと表記されている。）は、各信号線６にそれぞれ接続されている。
【００４６】
本実施形態において、走査駆動手段１５は、配線１５ｃを介してゲートドライバ１５ｂにオン電圧やオフ電圧を供給する電源回路１５ａと、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるゲートドライバ１５ｂとを備えている。
ゲートドライバ１５ｂは、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘを介してＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて、各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを制御する。
【００４７】
また、各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。
読み出しＩＣ１６は、増幅回路１８や相関二重サンプリング（Correlated Double Sampling）回路１９からなる読み出し回路１７、アナログマルチプレクサ２１、Ａ／Ｄ変換器２０等で構成されている。
【００４８】
例えば、放射線画像撮影で被写体を介して放射線画像撮影装置１に放射線が照射され、シンチレータ３で放射線が他の波長の電磁波に変換されて、その直下の放射線検出素子７に照射される。そして、放射線検出素子７で照射された放射線の線量（電磁波の光量）に応じて電荷が発生する。
【００４９】
各放射線検出素子７からの電荷の読み出し処理においては、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘを介してゲート電極８ｇにオン電圧が印加されたＴＦＴ８がオン状態となり、放射線検出素子７から信号線６に電荷が放出される。
そして、放射線検出素子７から放出された電荷量に応じて読み出し回路１７の増幅回路１８から電圧値が出力され、それを読み出し回路１７の相関二重サンプリング回路１９で相関二重サンプリングしてアナログ値の画像データがアナログマルチプレクサ２１に出力される。アナログマルチプレクサ２１から順次出力された画像データは、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データに変換され、記憶手段４０に出力されて順次保存される。
すなわち、読み出し回路１７は、放射線検出素子７から電荷を読み出し、放射線検出素子７ごとに当該電荷を電気信号に変換し画像データとして出力する。
【００５０】
制御手段２２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を備えたマイクロコンピュータや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）などによって構成されている。
なお、ＲＯＭやＲＡＭは、制御手段２２ではなく、制御手段２２に接続された記憶手段４０に備えられていてもよい。また、制御手段２２は、専用の制御回路で構成されていてもよい。
【００５１】
本実施形態において、制御手段２２には、アンテナ装置３９と、不揮発性の記憶手段４０と、放射線画像撮影装置１の各機能部に電力を供給するバッテリ４１と、が接続されている。バッテリ４１には、クレードル５５（後述する図８参照）等の充電装置からバッテリ４１に電力を供給してバッテリ４１を充電する際の接続端子４２が取り付けられている。
また、制御手段２２には、図７では図示を省略するが、電源スイッチ３６やインジケータ３７などが接続されている。
【００５２】
制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各機能部の動作等を制御する。
具体的には、例えば、制御手段２２は、バイアス電源１４を制御して各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧を制御したり、走査駆動手段１５を制御して信号読み出し用の電圧を印加する走査線５を切り替えたり、或いは、読み出し回路１７（具体的には、増幅回路１８や相関二重サンプリング回路１９）等を制御して各放射線検出素子７からの画像データの読み出しを行う等の各種の処理を実行するように構成されている。
【００５３】
［放射線画像撮影システム］
次に、本実施形態に係る放射線画像撮影システム５０の構成について説明する。
放射線画像撮影システム５０は、例えば、病院や医院内で行われる放射線画像撮影を想定したシステムであり、放射線画像として医療用の診断画像を撮影するシステムとして採用することができるが、必ずしもこれに限定されない。
【００５４】
図８は、放射線画像撮影システム５０の全体構成を示す図である。
放射線画像撮影システム５０は、図８に示すように、放射線を照射して患者の一部である被写体（患者の撮影対象部位）の撮影を行う撮影室Ｒ１と、撮影室Ｒ１に隣接し放射線技師等の操作者が被写体に照射する放射線の制御等の種々の操作を行う前室Ｒ２と、それらの外部とに配置される。
【００５５】
撮影室Ｒ１には、例えば、放射線画像撮影装置１を装填可能なブッキー装置５１と、被写体に照射する放射線を発生させるＸ線管球を備えた放射線源（図示省略）を備える放射線発生装置５２と、無線アンテナ５３を備え放射線画像撮影装置１とコンソール５８等の外部装置との間の通信を中継する基地局５４とが設けられている。
【００５６】
なお、図８では、可搬型の放射線画像撮影装置１を、ブッキー装置５１のカセッテ保持部５１ａに装填した状態で用いる場合と、ブッキー装置５１に装填されない単独の状態で用いる場合、具体的には臥位撮影用のブッキー装置５１Ｂの上面側に配置してその放射線入射面Ｒ上に被写体である患者の手等を載置して用いる場合等とが示されているが、放射線画像撮影装置１はブッキー装置５１や支持台などと一体的に形成されたものであってもよい。
ここで、可搬型の放射線画像撮影装置１をブッキー装置５１に装填されない単独の状態で用いる場合、臥位撮影用のブッキー装置５１Ｂの上面側に配置してその放射線入射面Ｒ上に被写体である患者の手等を載置して用いる他に、例えば撮影室Ｒ１内に設けられたベッド等の上面側に配置してその放射線入射面Ｒ上に被写体である患者の手等を載置したり、或いは、例えばベッドの上に横臥した患者の腰や足などとベッドとの間に差し込んだりして用いることも可能である。
【００５７】
また、図８では、放射線画像撮影装置１と基地局５４とを無線接続し、放射線画像撮影装置１と外部装置との間の通信を、基地局５４を介して無線方式で行うことができるように構成した場合が示されているが、放射線画像撮影装置１と基地局５４とをＬＡＮ（Local Area Network）ケーブル等で有線接続し、放射線画像撮影装置１と外部装置との間の通信を、基地局５４を介して有線方式で行うことができるように構成することも可能である。
また、図８では、ブッキー装置５１と基地局５４とを有線接続し、ブッキー装置５１に装填されている放射線画像撮影装置１と外部装置との間の通信を、基地局５４を介して有線方式で行うことができるように構成した場合が示されているが、これに限定されることはなく、ブッキー装置５１と基地局５４とは有線接続されていなくてもよい。
【００５８】
また、図８では、撮影室Ｒ１内に、ブッキー装置５１として、立位撮影用のブッキー装置５１Ａと臥位撮影用のブッキー装置５１Ｂとが１個ずつ設けられている場合が示されているが、撮影室Ｒ１内に設けられるブッキー装置５１の個数や種類は特に限定されない。
また、図８では、撮影室Ｒ１内に、放射線発生装置５２として、ブッキー装置５１に対応付けられた放射線発生装置５２Ａと、ポータブルの放射線発生装置５２Ｂとが１個ずつ設けられている場合が示されているが、撮影室Ｒ１内に設けられる放射線発生装置５２の個数や種類は特に限定されない。
【００５９】
また、図８に示すように、本実施形態において、撮影室Ｒ１には、放射線画像撮影装置１が挿入されると、放射線画像撮影装置１から当該放射線画像撮影装置１を識別するためのカセッテＩＤを読み取り、基地局５４を介してコンソール５８に通知するクレードル５５が備えられている。なお、このクレードル５５で放射線画像撮影装置１の充電等を行うように構成することも可能である。
【００６０】
［放射線発生装置］
撮影室Ｒ１には、放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射する放射線発生装置５２が設けられている。
そして、本実施形態においては、撮影室Ｒ１に隣接する前室Ｒ２に、放射線発生装置５２の操作卓５７が設けられており、操作卓５７には、放射線技師等の操作者が放射線発生装置５２に対して放射線の照射開始等を指示する際に操作するための操作スイッチ５６が設けられている。
【００６１】
また、放射線発生装置５２は、放射線技師等の操作者が操作卓５７を操作して或いは手動で、放射線画像撮影装置１に対して放射線が適切に照射されるように放射線照射方向を調整したり、放射線画像撮影装置１の所定の領域内に放射線が照射されるように絞りを調整したり、適切な線量や適切な線質の放射線が照射されるように放射線源を調整したりすることができるように構成されている。
【００６２】
［コンソール］
コンソール５８は、図８に示すように、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）やＬＣＤ（Liquid Crystal Display）などからなる表示部５８ａと、コンソール５８の各機能部の動作等を制御する制御部５８ｂと、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等からなる記憶手段５９と、ＬＡＮケーブル等によって基地局５４と接続され放射線画像撮影装置１等の他の装置との間で通信を行うための通信部（図示省略）と、キーボードやマウスなどからなる入力部（図示省略）とを備えて構成されるコンピュータである。
【００６３】
なお、図８では、コンソール５８が撮影室Ｒ１や前室Ｒ２の外側に設けられている場合が示されているが、コンソール５８は、例えば前室Ｒ２に設けられていてもよい。
また、図８では、コンソール５８に記憶手段５９が接続されている場合が示されているが、記憶手段５９はコンソール５８に内蔵されていてもよい。
【００６４】
コンソール５８の制御部５８ｂは、通信部が基地局５４を介して、放射線画像撮影装置１により生成された放射線画像の画像データを当該放射線画像撮影装置１から受信すると、当該画像データに伸長処理、オフセット補正処理、ゲイン補正処理、欠陥画素補正処理等の所定の画像処理を施して、診断用の画像データを作成する。
そして、コンソール５８の制御部５８ｂは、操作者により操作された入力部等からの指示に従って、当該診断用の画像データに基づく放射線画像を表示部５８ａに表示したり、当該診断用の画像データを通信部等から出力してイメージャやデータ管理サーバなどの他の装置（図示省略）に送信したりする。
【００６５】
なお、本実施形態では、オフセット補正処理やゲイン補正処理などを、コンソール５８が行うように構成したが、これに限定されることはなく、例えば、放射線画像撮影装置１がオフセット補正処理やゲイン補正処理などを行うように構成することも可能である。
【００６６】
ここで、本実施形態において、記憶手段５９は、欠陥画素マップ作成装置１０１（後述）により作成された欠陥画素マップを記憶している。
欠陥画素マップは、センサパネルＳＰ上に二次元状に配列された複数の放射線検出素子７に対応する各画素のうちの欠陥画素の画素位置を示すマップであり、コンソール５８の制御部５８ｂが放射線画像撮影装置１により生成された放射線画像の画像データに含まれる欠陥画素を補正する際に使用する。
すなわち、コンソール５８の制御部５８ｂは、記憶手段５９に記憶されている欠陥画素マップに基づいて、放射線画像撮影装置１により生成された放射線画像の画像データに対して欠陥画素補正処理を行う欠陥画素補正手段として機能する。
【００６７】
センサパネルＳＰは、複数の放射線検出素子７を備えており、これら放射線検出素子７の中には製造当初から出力が異常を示すものが含まれている。放射線検出素子７の出力異常としては、放射線の照射にもかかわらず全く電荷を出力しないもの、放射線の線量変化にかかわらず一定の出力しか行わないもの、一定線量の放射線の入射に対して毎回出力が異なり法則性を示さないもの等が挙げられる。
このような出力異常を示す異常な放射線検出素子７が存在すると、当該放射線検出素子７に対応する画素部分に画像の欠損が生じ、適切な画質の放射線画像を取得できなくなってしまう。そのため、異常な放射線検出素子７に起因する欠陥画素は補正する必要がある。
【００６８】
また、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に金属片やシンチレータ片などの異物が混入していると、当該異物が邪魔になって、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶のうち当該異物の下方にある蛍光体の柱状結晶に十分な線量の放射線が入射しなくなる場合がある。このような場合、当該異物の下方にある蛍光体の柱状結晶の直下の放射線検出素子７は、当該放射線検出素子７が正常であっても、放射線の照射にもかかわらず全く電荷を出力しなかったり、放射線の線量変化にかかわらず一定の出力しか行わなかったりして、前述した出力異常の場合と同様の出力を示す場合がある。
そのため、筐体２内に混入している異物、具体的にはセンサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物に起因する欠陥画素も補正する必要がある。
【００６９】
また、シンチレータ３は、複数の蛍光体の柱状結晶からなっており、これら蛍光体の柱状結晶それぞれにおいて、放射線画像撮影装置１に対して照射された放射線を電磁波に変換して照射するように構成されている。適切な画質の放射線画像を取得するには、蛍光体の柱状結晶から照射される電磁波の輝度が所定の許容範囲内に収まる必要があるが、これら蛍光体の柱状結晶から照射される電磁波の輝度には製造当初からばらつきがあり、これら蛍光体の柱状結晶のうち何れかから上限値を上回る輝度の電磁波や下限値を下回る輝度の電磁波が照射される場合がある。また、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に異物としてシンチレータ片が混入していると、当該シンチレータ片から照射される電磁波の輝度の影響で、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶のうち当該シンチレータ片の近傍にある蛍光体の柱状結晶から許容範囲外の輝度の電磁波が照射される場合がある。
シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶の中にこのような許容範囲外の輝度の電磁波を照射する蛍光体の柱状結晶が存在すると、当該蛍光体の柱状結晶に対応する画素部分に画像の白とびや黒つぶれが生じ、適切な画質の放射線画像を取得できなくなってしまう。そのため、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶から照射される電磁波の輝度に起因する欠陥画素も補正する必要がある。
【００７０】
なお、本実施形態では、欠陥画素マップに欠陥画素の位置情報（位置座標）のみを登録することとして説明するが、欠陥画素マップは、欠陥画素の位置情報と正常画素の位置情報との双方が登録されたマップであってもよい。
【００７１】
［欠陥画素マップ作成システム］
次に、本実施形態に係る欠陥画素マップ作成システム１００の構成について説明する。
欠陥画素マップ作成システム１００は、例えば、放射線画像撮影装置１の出荷前に行う出荷検査時に、放射線照射を伴う検査を実施することで欠陥画素を判定して欠陥画素マップを作成するシステムである。
【００７２】
図９は、欠陥画素マップ作成システム１００の全体構成を示す図である。
欠陥画素マップ作成システム１００は、図９に示すように、製造された放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射して当該放射線画像撮影装置１の検査を行う検査室Ｒ３と、検査室Ｒ３に隣接し検査者等の操作者が放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線の制御等の種々の操作を行う操作室Ｒ４と、それらの外部とに配置される。
【００７３】
具体的には、欠陥画素マップ作成システム１００は、図９に示すように、放射線画像撮影を行う放射線画像撮影装置１、放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射する放射線発生装置５２、放射線画像撮影装置１により生成された放射線画像の画像データに含まれる欠陥画素を補正する際に使用する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成装置１０１等を備えて構成される。
【００７４】
検査室Ｒ３には、例えば、放射線画像撮影装置１を装填可能なブッキー装置５１と、放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線を発生させるＸ線管球を備えた放射線源（図示省略）を備える放射線発生装置５２と、ブッキー装置５１に装填された放射線画像撮影装置１と欠陥画素マップ作成装置１０１等の外部装置との間の通信を中継する中継器１０３とが設けられている。
【００７５】
なお、図９では、可搬型の放射線画像撮影装置１を、ブッキー装置５１のカセッテ保持部５１ａに装填した状態で検査する場合が示されているが、これに限定されることはなく、例えば、放射線画像撮影装置１をブッキー装置５１に装填されない単独の状態で検査するように構成することも可能である。
【００７６】
また、図９では、ブッキー装置５１と中継器１０３とを有線接続し、ブッキー装置５１に装填されている放射線画像撮影装置１と外部装置との間の通信を、中継器１０３を介して有線方式で行うことができるように構成した場合が示されているが、これに限定されることはなく、ブッキー装置５１と中継器１０３とは有線接続されていなくてもよい。
このようにブッキー装置５１と中継器１０３とが有線接続されていない場合は、例えば、中継器１０３に無線アンテナを備えて、放射線画像撮影装置１と中継器１０３とを無線接続し、放射線画像撮影装置１と外部装置との間の通信を、中継器１０３を介して無線方式で行うことができるように構成することも可能であるし、放射線画像撮影装置１と中継器１０３とをＬＡＮケーブル等で有線接続し、放射線画像撮影装置１と外部装置との間の通信を、中継器１０３を介して有線方式で行うことができるように構成することも可能である。
【００７７】
また、図９では、検査室Ｒ３内に、ブッキー装置５１として、立位撮影用のブッキー装置５１Ａが１個設けられている場合が示されているが、検査室Ｒ３内に設けられるブッキー装置５１の個数や種類は特に限定されない。
また、図９では、検査室Ｒ３内に、放射線発生装置５２として、ブッキー装置５１に対応付けられた放射線発生装置５２Ａが１個設けられている場合が示されているが、検査室Ｒ３内に設けられる放射線発生装置５２の個数や種類は特に限定されない。
【００７８】
なお、欠陥画素マップ作成システム１００が備える放射線発生装置５２、操作卓５７および操作スイッチ５６の構成は、前述した放射線画像撮影システム５０が備える放射線発生装置５２、操作卓５７および操作スイッチ５６の構成とそれぞれ同一であるため、詳細な説明は省略する。
【００７９】
［欠陥画素マップ作成装置］
欠陥画素マップ作成装置１０１は、図９に示すように、ＣＲＴやＬＣＤなどからなる表示部１０１ａと、欠陥画素マップ作成装置１０１の各機能部の動作等を制御する制御部１０１ｂと、ＨＤＤ等からなる記憶手段１０２と、ＬＡＮケーブル等によって中継器１０３と接続され放射線画像撮影装置１等の他の装置との間で通信を行うための通信部（図示省略）と、キーボードやマウスなどからなる入力部（図示省略）とを備えて構成されるコンピュータである。
【００８０】
なお、図９では、欠陥画素マップ作成装置１０１が検査室Ｒ３や操作室Ｒ４の外側に設けられている場合が示されているが、欠陥画素マップ作成装置１０１は、例えば操作室Ｒ４に設けられていてもよい。
また、図９では、欠陥画素マップ作成装置１０１に記憶手段１０２が接続されている場合が示されているが、記憶手段１０２は欠陥画素マップ作成装置１０１に内蔵されていてもよい。
【００８１】
欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂは、通信部が中継器１０３を介して、放射線画像撮影装置１により生成されたマップ作成用画像データを当該放射線画像撮影装置１から受信すると、当該マップ作成用画像データに基づいて欠陥画素を判定し、当該欠陥画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを作成する。
そして、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂは、操作者により操作された入力部等からの指示に従って、当該欠陥画素マップに基づくマップ画像を表示部５８ａに表示したり、当該欠陥画素マップを記憶手段１０２に記憶したり、当該欠陥画素マップを通信部等から出力してデータ管理サーバなどの他の装置（図示省略）に送信したりする。
【００８２】
ここで、「マップ作成用画像データ」は、欠陥画素マップの作成のために生成された放射線画像の画像データである。当該放射線画像は、被写体を介さない状態で、放射線発生装置５２の管電圧を切り替えながら撮影される。
すなわち、放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、マップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質毎に生成する生成手段として機能する。
【００８３】
そして、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂは、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データそれぞれについて、当該マップ作成用画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録された線質別マップを作成し、当該作成した各線質別マップを論理和合成して欠陥画素マップを作成する。
すなわち、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂは、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、欠陥画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成手段として機能する。
【００８４】
［欠陥画素マップ作成方法］
次に、本実施形態に係る欠陥画素マップ作成方法について、図１０のフローチャートを参照して説明する。
【００８５】
まず、検査者等の操作者が操作室Ｒ４内の操作卓５７を操作して或いは手動で、検査室Ｒ３内の放射線発生装置５２の管電圧として所定の第１検査用電圧を設定し、当該放射線発生装置５２から放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射する（ステップＳ１）。
【００８６】
なお、本実施形態では、検査者等の操作者が操作卓５７を操作して或いは手動で、放射線発生装置５２（具体的には、放射線源）の管電圧を設定するように構成したが、これに限定されることはない。例えば、欠陥画素マップ作成装置１０１と操作卓５７とを有線接続（或いは、無線接続であってもよい）し、検査者等の操作者が欠陥画素マップ作成装置１０１の入力部等を操作して、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂに操作卓５７を介して放射線発生装置５２の管電圧を設定する制御を行うよう指示する構成とすることも可能であるし、また、欠陥画素マップ作成装置１０１と放射線発生装置５２とを直接接続し、検査者等の操作者が欠陥画素マップ作成装置１０１の入力部等を操作して、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂに放射線発生装置５２の管電圧を設定する制御を行うよう指示する構成とすることも可能である。
【００８７】
放射線発生装置５２から放射線画像撮影装置１に対して放射線が照射されると、当該放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、当該放射線画像撮影装置１の各機能部を制御し、読み出し回路１７により各放射線検出素子７から画像データを読み出すことによって、第１検査用電圧に対応するマップ作成用画像データを生成する（ステップＳ２；生成ステップ）。そして、当該生成したマップ作成用画像データを、中継器１０３を介して欠陥画素マップ作成装置１０１に対して送信する。
【００８８】
放射線画像撮影装置１から送信されたマップ作成用画像データを受信すると、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂは、当該受信したマップ作成用画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録された線質別マップを作成する（ステップＳ３；線質別マップ作成ステップ（欠陥画素マップ作成ステップ））。
【００８９】
具体的には、本実施形態において、制御部１０１ｂは、例えば、当該受信したマップ作成用画像データに基づいて、各放射線検出素子７からの画像データの平均値（μ）と標準偏差（σ）とを算出する。そして、欠陥画素判定のための上限の閾値をμ＋５σ、下限の閾値をμ−５σとする設定を行い、各放射線検出素子７からの画像データの中から、値が上限の閾値（μ＋５σ）を上回る画像データと、値が下限の閾値（μ−５σ）を下回る画像データとを判別する。そして、センサパネルＳＰ上に二次元状に配列された複数の放射線検出素子７に対応する各画素のうち、値が上限の閾値（μ＋５σ）を上回る画像データ又は値が下限の閾値（μ−５σ）を下回る画像データを出力した放射線検出素子７に対応する画素を欠陥画素と判定する。
なお、標準偏差（σ）の係数は「５」に限ることはなく任意であり、また、標準偏差（σ）の係数を任意に設定入力可能としてもよい。
また、上限の閾値や下限の閾値そのものを任意に設定入力可能としてもよい。
【００９０】
次いで、検査者等の操作者が操作室Ｒ４内の操作卓５７を操作して或いは手動で、検査室Ｒ３内の放射線発生装置５２の管電圧として所定の第２検査用電圧を設定することにより、放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線の線質を変更し（ステップＳ４；変更ステップ）、当該放射線発生装置５２から放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射する（ステップＳ５）。
【００９１】
放射線発生装置５２から放射線画像撮影装置１に対して放射線が照射されると、当該放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、当該放射線画像撮影装置１の各機能部を制御し、読み出し回路１７により各放射線検出素子７から画像データを読み出すことによって、第２検査用電圧に対応するマップ作成用画像データを生成する（ステップＳ６；生成ステップ）。そして、当該生成したマップ作成用画像データを、中継器１０３を介して欠陥画素マップ作成装置１０１に対して送信する。
【００９２】
放射線画像撮影装置１から送信されたマップ作成用画像データを受信すると、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂは、当該受信したマップ作成用画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録された線質別マップを作成する（ステップＳ７；線質別マップ作成ステップ（欠陥画素マップ作成ステップ））。
なお、ステップＳ３やステップＳ７で作成した線質別マップに基づくマップ画像を、欠陥画素マップ作成装置１０１の表示部５８ａに表示するように構成することも可能である。
【００９３】
次いで、制御部１０１ｂは、ステップＳ３で作成した線質別マップと、ステップＳ７で作成した線質別マップとを論理和合成して、欠陥画素マップを作成する（ステップＳ８；合成ステップ（欠陥画素マップ作成ステップ））。
このようにして、欠陥画素マップ作成システム１００が備える欠陥画素マップ作成装置１０１により欠陥画素マップが作成される。
【００９４】
本実施形態において、欠陥画素マップは、第１検査用電圧に対応する線質別マップと第２検査用電圧に対応する線質別マップとを論理和合成して作成されたものである。そのため、当該欠陥画素マップにおいては、放射線発生装置５２の管電圧が第１検査用電圧である場合と第２検査用電圧である場合との双方で欠陥画素となった画素の位置情報と、放射線発生装置５２の管電圧が第１検査用電圧である場合と第２検査用電圧である場合との何れか一方で欠陥画素となった画素の位置情報とが、欠陥画素の位置情報として登録されている。
【００９５】
前述したように、異常な放射線検出素子７に対応する画素の他に、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物の位置に対応する画素も欠陥画素になり得る。
センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物の位置に対応する画素が欠陥画素になるのは、放射線画像撮影装置１に照射された放射線の当該異物に対する透過率が低く、当該異物が邪魔になって、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶のうち当該異物の下方にある蛍光体の柱状結晶に十分な線量の放射線が入射しなくなる場合である。したがって、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に異物が混入していたとしても、放射線画像撮影装置１に照射された放射線の当該異物に対する透過率が高く、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶のうち当該異物の下方にある蛍光体の柱状結晶に十分な線量の放射線が入射する場合は、当該異物の位置に対応する画素は欠陥画素にならない。
【００９６】
すなわち、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質が変化して、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物に対する当該放射線の透過率が変化すると、当該異物の位置に対応する画素が欠陥画素になったり欠陥画素にならなかったりする場合がある。
【００９７】
ここで、放射線画像撮影装置１に照射される放射線の線質は、撮影部位等に応じて変更される撮影条件、具体的には放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射する放射線発生装置５２の管電圧により変化する。また、放射線画像撮影装置１に照射される放射線の線質は、被写体の有無や被写体の体型などによっても変化する。
したがって、例えば、放射線発生装置５２の管電圧を変更すると、欠陥画素であった画素が欠陥画素でなくなったり、欠陥画素でなかった画素が欠陥画素になったりする場合がある。
また、例えば、被写体が細い人から太い人に入れ替わると、欠陥画素であった画素が欠陥画素でなくなったり、欠陥画素でなかった画素が欠陥画素になったりする場合がある。
【００９８】
また、１つの異物においても、当該１つの異物のうち或る部分とその他の部分とで材質等が異なり、放射線の透過率が或る部分とその他の部分とで異なる場合、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質が変化すると、欠陥画素の範囲が拡大したり縮小したりする場合がある。
【００９９】
具体的には、図１１に示すように、例えば、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に、内側部分と外側部分とで材質が異なる異物Ｍが混入しているとする。そして、当該内側部分には、管電圧が８０ｋＶに設定された放射線発生装置５２から照射される放射線も、管電圧が５０ｋＶに設定された放射線発生装置５２から照射される放射線も透過せず、当該外側部分には、管電圧が８０ｋＶに設定された放射線発生装置５２から照射される放射線は十分に透過するが、管電圧が５０ｋＶに設定された放射線発生装置５２から照射される放射線は透過しないとする。
この場合、被写体を介さない状態で放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射すると、放射線発生装置５２の管電圧が８０ｋＶに設定されている場合には、例えば、図１１（Ａ）に示すように、異物Ｍの位置に対応する画素のうち内側部分（一点鎖線で囲まれた部分）の位置に対応する画素のみが欠陥画素になる。一方、放射線発生装置５２の管電圧が５０ｋＶに設定されている場合には、例えば、図１１（Ｂ）に示すように、異物Ｍの内側部分の位置に対応する画素に加えて、異物Ｍの外側部分（二点鎖線で囲まれた部分のうち一点鎖線で囲まれた部分以外の部分）の位置に対応する画素も欠陥画素になり、管電圧が８０ｋＶの場合と比較して、欠陥画素の範囲が拡大する。
なお、図１１（Ａ），（Ｂ）においては、水玉パターンで塗り潰した画素が欠陥画素を示す。
【０１００】
このようなセンサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物に起因する欠陥画素が発生しても、その欠陥画素の位置情報が登録されている欠陥画素マップを用いれば、その欠陥画素を補正することは可能である。
しかしながら、従来の欠陥画素マップは、放射線画像撮影装置１に照射される放射線の線質を変更して作成されたものではなく、線質を変更せずに線質を一定にして作成されたものである。そのため、管電圧の変更や被写体の有無などによって、欠陥画素マップ作成時の放射線の線質と実際の撮影時（被写体撮影時）の放射線の線質とが異なり、異物の位置に対応する画素のうち、欠陥画素マップ作成時には欠陥画素でなかった画素が実際の撮影時には欠陥画素になる場合や、欠陥画素マップ作成時には欠陥画素であった画素が実際の撮影時には欠陥画素にならない場合がある。したがって、放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素は、線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行っても補正できない場合があり、このような場合、適切な画質の放射線画像を取得できない可能性が高くなる。
【０１０１】
また、前述したように、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶のうち、許容範囲外の輝度の電磁波を照射する蛍光体の柱状結晶の位置に対応する画素も欠陥画素になる。
シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶から照射される電磁波の輝度は、放射線画像撮影装置１に照射される放射線の線質によって変化する。したがって、放射線発生装置５２の管電圧を変更すると、輝度が許容範囲外から許容範囲内に移行して欠陥画素であった画素が欠陥画素でなくなったり、輝度が許容範囲内から許容範囲外に移行して欠陥画素でなかった画素が欠陥画素になったりする場合がある。また、被写体が細い人から太い人に入れ替わると、輝度が許容範囲外から許容範囲内に移行して欠陥画素であった画素が欠陥画素でなくなったり、輝度が許容範囲内から許容範囲外に移行して欠陥画素でなかった画素が欠陥画素になったりする場合がある。
【０１０２】
このように、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶から照射される電磁波の輝度に起因する欠陥画素も、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物に起因する欠陥画素と同様、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する。
そのため、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶から照射される電磁波の輝度に起因する欠陥画素も、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行っても補正できない場合がある。
【０１０３】
これに対し、本実施形態において作成される欠陥画素マップは、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更して作成された欠陥画素マップである。具体的には、本実施形態においては、放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線の線質を変更し、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質毎に欠陥画素を判定し、そして、少なくとも何れか１つの線質において欠陥画素と判定された画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを作成するように構成されている。したがって、当該欠陥画素マップには、異常な放射線検出素子７に起因する欠陥画素の位置情報だけでなく、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物に起因する欠陥画素や、シンチレータ３から照射される電磁波の輝度に起因する欠陥画素などの放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素の位置情報も登録されている。そのため、本実施形態における欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行えば、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素も補正することが可能となる。
【０１０４】
［欠陥画素補正処理］
次に、本実施形態に係るコンソール５８が行う欠陥画素補正処理について説明する。
ここで、コンソール５８の記憶手段５９等には、予め、放射線画像撮影装置１を識別するためのカセッテＩＤと、欠陥画素マップ作成装置１０１により作成された欠陥画素マップのうち当該放射線画像撮影装置１用の欠陥画素マップとが対応付けて記憶されていることとする。
【０１０５】
なお、コンソール５８の記憶手段５９等に予め記憶されている欠陥画素マップは、前述の欠陥画素マップ作成方法で作成した欠陥画素マップであってもよいし、前述の欠陥画素マップ作成方法で作成した欠陥画素マップとその他のマップとを論理和合成して作成した欠陥画素マップであってもよい。ここで、その他のマップとしては、例えば、放射線が照射されない状態で放射線画像撮影装置１において生成された画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録されたマップ等が挙げられる。
【０１０６】
まず、放射線画像撮影装置１から送信された、当該放射線画像撮影装置１により生成された放射線画像の画像データを受信すると、コンソール５８の制御部５８ｂは、記憶手段５９等に記憶されている欠陥画素マップの中から、当該放射線画像撮影装置１のカセッテＩＤに対応する欠陥画素マップを取得する。
【０１０７】
次いで、制御部５８ｂは、当該取得した欠陥画素マップに基づいて、当該受信した放射線画像の画像データに対して欠陥画素補正処理を行う。
具体的には、制御部５８ｂは、例えば、当該取得した欠陥画素マップを参照して欠陥画素を特定し、当該特定した欠陥画素の周囲にある正常画素の画像データを当該受信した放射線画像の画像データから抽出する。そして、当該抽出した画像データを用いて、単純平均補間や重み付け平均補間などの手法により補間を行って補正画像データを算出する。そして、当該受信した放射線画像の画像データに含まれる当該特定した欠陥画素の画像データを、当該算出した補正画像データで置換する。
このようにして、放射線画像撮影システム１００が備えるコンソール５８により欠陥画素補正処理が行われる。
【０１０８】
以上説明した本実施形態に係る欠陥画素マップ作成方法および欠陥画素マップ作成システム１００によれば、放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線の線質を変更し、放射線画像撮影装置１が、欠陥画素マップの作成のためのマップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質毎に生成し、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、欠陥画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを作成するように構成されている。
【０１０９】
すなわち、本実施形態において作成される欠陥画素マップは、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更して作成された欠陥画素マップであるので、異常な放射線検出素子７に起因する欠陥画素の位置情報に加えて、筐体２内に混入している異物（具体的には、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物）に起因する欠陥画素や、シンチレータ３から照射される電磁波の輝度に起因する欠陥画素などの放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素の位置情報も登録されている。したがって、当該欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行えば、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素も補正できるので、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行う場合よりも適切な画質の放射線画像を取得することが可能となる。
【０１１０】
また、以上説明した本実施形態に係る欠陥画素マップ作成方法および欠陥画素マップ作成システムによれば、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データそれぞれについて、当該マップ作成用画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録された線質別マップを作成し、当該作成された各線質別マップを論理和合成して欠陥画素マップを作成するように構成されている。
【０１１１】
すなわち、本実施形態において作成される欠陥画素マップは、放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線の線質を変更し、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質毎に欠陥画素を判定し、そして、少なくとも何れか１つの線質において欠陥画素と判定された画素の位置情報が登録された欠陥画素マップである。したがって、当該欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行えば、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素を的確に補正することが可能となる。
【０１１２】
また、以上説明した本実施形態に係るコンソール５８によれば、本実施形態において作成された欠陥画素マップを記憶し、当該記憶している欠陥画素マップに基づいて、放射線画像撮影装置１により生成された放射線画像の画像データに対して欠陥画素補正処理を行うように構成されている。
【０１１３】
すなわち、コンソール５８は、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更して作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行うので、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素も補正することが可能となる。したがって、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行う場合よりも適切な画質の放射線画像を取得することが可能となる。
【０１１４】
なお、本発明は上記の実施形態に限定されず、本発明の趣旨から逸脱しない限り、適宜変更可能であることはいうまでもない。
【０１１５】
例えば、上記実施形態では、コンソール５８が欠陥画素補正処理を行うように構成したが、これに限定されることはなく、放射線画像撮影装置１が欠陥画素補正処理を行うように構成することも可能である。
この場合、放射線画像撮影装置１の記憶手段４０が、欠陥画素マップ作成システム１００が備える欠陥画素マップ作成装置１０１により作成された欠陥画素マップを記憶する記憶手段として記憶し、放射線画像撮影装置１の制御手段２２が、記憶手段４０に記憶されている欠陥画素マップに基づいて、読み出し回路１７により出力された画像データに対して欠陥画素補正処理を行う欠陥画素補正処理として機能する。
【０１１６】
また、例えば、上記実施形態では、欠陥画素マップを作成する際、放射線発生装置５２の管電圧を変化させることによって、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更するように構成したが、これに限定されることはなく、例えば、放射線発生装置５２と、放射線画像撮影装置１の放射線入射面Ｒとの間に所定のフィルターを配置して、当該フィルターにより放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更するように構成することも可能である。
【０１１７】
また、例えば、上記実施形態では、欠陥画素マップを作成する際、放射線発生装置５２の管電圧として第１検査用電圧と第２検査用電圧との２つの電圧値を設定するように構成したが、これに限定されることはなく、欠陥画素マップを作成する際に放射線発生装置５２の管電圧として複数の電圧値が設定されるのであれば、設定される電圧値の個数は任意である。
【０１１８】
また、欠陥画素マップ作成時に設定する放射線発生装置５２の管電圧は、放射線画像撮影装置１毎に変更してもよい。
具体的には、例えば、第２検査用電圧として第１検査用電圧よりも小さい電圧値を設定する。そして、第１検査用電圧に対応する線質別マップと、第２検査用電圧に対応する線質別マップとを比較し、第２検査用電圧に対応する線質別マップに登録されている欠陥画素の位置情報の個数の方が多い放射線画像撮影装置１の場合は、放射線発生装置５２の管電圧をさらに小さくすれば欠陥画素の個数が増える可能性が高いと判断し、放射線発生装置５２の管電圧として第２検査用電圧よりも小さい電圧を設定して、当該第２検査用電圧よりも小さい電圧に対応する線質別マップを作成し、当該第２検査用電圧よりも小さい電圧に対応する線質別マップと、第１検査用電圧に対応する線質別マップと、第２検査用電圧に対応する線質別マップとを論理和合成することによって欠陥画素マップを作成する。一方、第１検査用電圧に対応する線質別マップに登録されている欠陥画素の位置情報の個数の方が多い放射線画像撮影装置１の場合は、放射線発生装置５２の管電圧をさらに大きくすれば欠陥画素の個数が増える可能性が高いと判断し、放射線発生装置５２の管電圧として第１検査用電圧よりも大きい電圧を設定して、当該第１検査用電圧よりも大きい電圧に対応する線質別マップを作成し、当該第１検査用電圧よりも大きい電圧に対応する線質別マップと、第１検査用電圧に対応する線質別マップと、第２検査用電圧に対応する線質別マップとを論理和合成することによって欠陥画素マップを作成するように構成することも可能である。
【０１１９】
また、例えば、上記実施形態では、放射線画像撮影装置１がマップ作成用画像データを作成する度に、当該作成したマップ作成用画像データに基づいて線質別マップを作成するように構成したが、これに限定されることはなく、例えば、放射線画像撮影装置１が当該放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データを作成した後に、各マップ作成用画像データに基づいて各線質別マップを作成するように構成することも可能である。
【０１２０】
また、例えば、上記実施形態では、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類の線質別マップを作成し、当該作成した各線質別マップを論理和合成して欠陥画素マップを作成するように構成したが、これに限定されることはなく、例えば、線質別マップを作成せずに欠陥画素マップを作成するように構成することも可能である。具体的には、例えば、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データそれぞれについて、当該マップ作成用画像データから欠陥画素を判定し、当該判定した欠陥画素の位置情報を欠陥画素マップに順次登録することによって、欠陥画素マップを作成するように構成することも可能である。
【０１２１】
また、例えば、上記実施形態では、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類の線質別マップを作成し、当該作成した各線質別マップを論理和合成して欠陥画素マップを作成するように構成したが、これに限定されることはなく、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、欠陥画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを作成できるのであれば、例えば、作成した複数種類の線質別マップのうち、登録されている欠陥画素の位置情報の個数が最も多い線質別マップを欠陥画素マップとして選択するように構成することも可能である。
【０１２２】
また、例えば、欠陥画素マップを、欠陥画素マップ作成システム１００だけでなく、放射線画像撮影システム５０でも作成できるように構成することも可能である。
具体的には、コンソール５８に欠陥画素マップ作成装置１０１と同等の欠陥画素マップ作成機能を備え、放射線画像撮影システム５０で運用されている放射線画像撮影装置１をキャリブレーション等する際に、コンソール５８の制御部５８ｂが、欠陥画素マップを作成して、当該作成した欠陥画素マップでコンソール５８の記憶手段５９等に記憶されている欠陥画素マップを更新するように構成することも可能である。
この場合、放射線画像撮影システム５０が、欠陥画素マップ作成システムとして機能し、コンソール５８が、欠陥画素マップ作成装置として機能し、コンソール５８の制御部５８ｂが、欠陥画素マップ作成手段として機能する。
【０１２３】
また、例えば、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類の線質別マップに基づいて、筐体２内に混入している異物を検出するように構成することも可能である。
具体的には、例えば、第１検査用電圧に対応する線質別マップに登録されている欠陥画素の位置や個数と、第２検査用電圧に対応する線質別マップに登録されている欠陥画素の位置や個数とが異なる場合、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に異物が混入している可能性が高い。したがって、このような場合、例えば、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂが、筐体２内に異物が混入していると判定して、その旨を欠陥画素マップ作成装置１０１の表示部１０１ａに表示等して報知するように構成することも可能である。これにより、センサパネルＳＰの放射線入射面Ｒ側の面を拭く等して筐体２内に混入している異物を除くことができるので、筐体２内に混入している異物が除かれた放射線画像撮影装置１を出荷することが可能となる。なお、放射線画像撮影装置１の筐体２内に混入している異物を除いた場合、再度、当該放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射して、当該放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類の線質別マップを作成し、当該作成した線質別マップに基づき欠陥画素マップを作成することが好ましい。
【符号の説明】
【０１２４】
１ 放射線画像撮影装置
１７ 読み出し回路
２２ 制御手段（生成手段、欠陥画素補正手段）
４０ 記憶手段
５２ 放射線発生装置
５８ コンソール
５８ｂ 制御部（欠陥画素補正手段）
５９ 記憶手段
１００ 欠陥画素マップ作成システム
１０１ 欠陥画素マップ作成装置
１０１ｂ 制御部（欠陥画素マップ作成手段）
ＳＰ センサパネル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、欠陥画素マップ作成方法、欠陥画素マップ作成システム、コンソールおよび放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
病気診断等を目的として、Ｘ線画像に代表される放射線を用いて撮影された放射線画像が広く用いられている。こうした医療用の放射線画像は、従来からスクリーンフィルムを用いて撮影されていたが、放射線画像のデジタル化を図るために輝尽性蛍光体シートを用いたＣＲ（Computed Radiography）装置が開発され、最近では、照射された放射線を、二次元状に配置された放射線検出素子で検出して、デジタル画像データとして取得する放射線画像撮影装置が開発されている。
【０００３】
このような放射線画像撮影装置としては、照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換された電磁波のエネルギーに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
【０００４】
このタイプの放射線画像撮影装置は、通常、複数の放射線検出素子が二次元状に配列されたセンサパネルを備えており、ＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られている。従来は、センサパネルが支持台に一体的に形成されていたが（例えば特許文献１参照）、近年、センサパネルを筐体内に収納して持ち運びできるようにした可搬型の放射線画像撮影装置が開発されている（例えば特許文献２参照）。
【０００５】
ＦＰＤ型の放射線画像撮影装置では、センサパネル上に放射線検出素子を積層して製造する際に放射線検出素子中に不純物が混入する等して、恒常的に或いは一定の確率で異常な画像データを出力する画素（以下「欠陥画素」という。）が生じる場合がある。
【０００６】
このような欠陥画素が存在すると、その部分に画像の欠損が生じ、高精細な画像を得ることができない。
そのため、通常、放射線画像撮影装置により撮影された放射線画像を表示等する前に、欠陥画素の近傍の正常画素の画素値を単純平均する単純平均補間や、センサパネルの特性等に従って重み付け平均する重み付け平均補間などの手法により欠陥画素の画素値を補間する等の欠陥画素補正処理が行われている。
【０００７】
欠陥画素補正処理を行うためには、欠陥画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを予め作成しておく必要がある。欠陥画素でない画素が誤って欠陥画素と判定されたり、欠陥画素である画素なのに欠陥画素と判定されなかったりして、欠陥画素の判定が正確に行われないと、正確な欠陥画素マップが作成されず、欠陥画素の補正を的確に行うことができなくなってしまう。欠陥画素の補正が的確に行われないと、放射線画像の画質が低下してしまうので、このような放射線画像を用いて診断を行った場合、病変部を見落としたり、正常な部分を病変部と見誤ったりして誤診が生じる等の不都合が生じてしまう虞がある。
そこで、欠陥画素の判定を正確に行うために、放射線の照射量を変更し、それぞれの照射量での撮影にて得られる撮影画像を用いて欠陥画素位置情報の抽出を行うことが可能な画像処理装置が提案されている（例えば特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平９−７３１４４号公報
【特許文献２】特開平７−２４６１９９号公報
【特許文献３】特開２００１−４２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、欠陥画素の中には、放射線の照射量を変更しても位置情報を抽出できないものがある。このような欠陥画素としては、例えば、センサパネルを筐体内に収納する際等に筐体内に混入した異物の影響で生じる欠陥画素が挙げられる。
【００１０】
例えば、放射線画像撮影装置に照射された放射線が透過できない異物が筐体内に混入しており、当該異物が邪魔になって当該異物の下方にあるシンチレータ（直接型の放射線画像撮影装置の場合は検出素子）に十分な線量の放射線が入射しない場合、当該異物の位置に対応する画素は欠陥画素になる。
一方、筐体内に異物が混入していたとしても、放射線画像撮影装置に照射された放射線が当該異物を透過可能であり、当該異物の下方にあるシンチレータに十分な線量の放射線が入射する場合、当該異物の位置に対応する画素は欠陥画素にならない。
【００１１】
言い換えれば、筐体内に混入している異物に対する放射線の透過率が変化すると、その異物の位置に対応する画素は欠陥画素になったり欠陥画素にならなかったりする。
なお、異物に対する放射線の透過率は、放射線の線質に応じて変化する。そして、放射線画像撮影装置に照射される放射線の線質は、撮影部位等に応じて変更される撮影条件、具体的には放射線画像撮影装置に対して放射線を照射する放射線発生装置の管電圧により変化する。また、放射線画像撮影装置に照射される放射線の線質は、被写体の有無や被写体の体型などによっても変化する。
【００１２】
筐体内に混入している異物に起因する欠陥画素が発生しても、その欠陥画素の位置情報が登録されている欠陥画素マップを用いれば、その欠陥画素を補正することは可能である。
しかしながら、従来の欠陥画素マップは、放射線画像撮影装置に照射される放射線の線質を変更して作成されたものではなく、線質を変更せずに線質を一定にして作成されたものである。そのため、管電圧の変更や被写体の有無などによって、欠陥画素マップ作成時の放射線の線質と実際の撮影時（被写体撮影時）の放射線の線質とが異なり、異物の位置に対応する画素のうち、欠陥画素マップ作成時には欠陥画素と判定されなかった画素が実際の撮影時には欠陥画素になる場合や、欠陥画素マップ作成時には欠陥画素と判定された画素が実際の撮影時には欠陥画素にならない場合がある。したがって、放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素は、線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行っても補正できない場合があり、このような場合、適切な画質の放射線画像を取得できない可能性が高くなる。
【００１３】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素を補正できる欠陥画素マップを作成可能な欠陥画素マップ作成方法、放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素を補正できる欠陥画素マップを作成可能な欠陥画素マップ作成システム、当該欠陥画素マップを用いて放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素を補正可能なコンソールおよび放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の問題を解決するために、本発明の欠陥画素マップ作成方法は、
放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに含まれる欠陥画素を補正する際に使用する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成方法において、
前記放射線画像撮影装置に対して照射する放射線の線質を変更する変更ステップと、
前記放射線画像撮影装置が、前記欠陥画素マップの作成のためのマップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質毎に生成する生成ステップと、
前記放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、前記欠陥画素の位置情報が登録された前記欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成ステップと、
を有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の欠陥画素マップ作成システムは、
放射線画像撮影を行う放射線画像撮影装置と、前記放射線画像撮影装置に対して放射線を照射する放射線発生装置と、前記放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに含まれる欠陥画素を補正する際に使用する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成装置と、を備える欠陥画素マップ作成システムにおいて、
前記放射線発生装置は、前記放射線画像撮影装置に対して照射する放射線の線質を変更可能であり、
前記放射線画像撮影装置は、前記欠陥画素マップの作成のためのマップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質毎に生成する生成手段を備え、
前記欠陥画素マップ作成装置は、前記放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、前記欠陥画素の位置情報が登録された前記欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成手段を備えることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明のコンソールは、
前記放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに対して所定の画像処理を行うコンソールにおいて、
本発明の欠陥画素マップ作成システムが備える欠陥画素マップ作成装置により作成された欠陥画素マップを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている欠陥画素マップに基づいて、前記放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに対して欠陥画素補正処理を行う欠陥画素補正手段と、
を備えることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の放射線画像撮影装置は、
二次元状に配列された複数の放射線検出素子を備えるセンサパネルと、
前記放射線検出素子から電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を電気信号に変換し画像データとして出力する読み出し回路と、
本発明の欠陥画素マップ作成システムが備える欠陥画素マップ作成装置により作成された欠陥画素マップを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている欠陥画素マップに基づいて、前記読み出し回路により出力された画像データに対して欠陥画素補正処理を行う欠陥画素補正手段と、
を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の欠陥画素マップ作成方法および欠陥画素マップ作成システムにおいて作成される欠陥画素マップは、放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質を変更して作成された欠陥画素マップであるので、筐体内に混入している異物に起因する欠陥画素等の放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素の位置情報も登録されている。したがって、当該欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行えば、放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素も補正できるので、放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行う場合よりも適切な画質の放射線画像を取得することが可能となる。
【００１９】
また、本発明のコンソールおよび放射線画像撮影装置によれば、放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質を変更して作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行うので、放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素も補正することが可能となる。したがって、放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行う場合よりも適切な画質の放射線画像を取得することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施形態に係る放射線画像撮影装置を示す外観斜視図である。
【図２】図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】放射線画像撮影装置の基板の構成を示す平面図である。
【図４】図３の基板上の小領域に形成された放射線検出素子やＴＦＴなどの構成を示す拡大図である。
【図５】図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【図６】ＣＯＦやプリント基板などが取り付けられた基板を説明する側面図である。
【図７】放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。
【図８】本実施形態に係る放射線画像撮影システムの全体構成を示す図である。
【図９】本実施形態に係る欠陥画素マップ作成システムの全体構成を示す図である。
【図１０】本実施形態に係る欠陥画素マップ作成方法について説明するためのフローチャートである。
【図１１】図１１（Ａ）は放射線発生装置の管電圧が所定の第１検査用電圧である場合の欠陥画素について説明するための図であり、図１１（Ｂ）は放射線発生装置の管電圧が所定の第２検査用電圧である場合の欠陥画素について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。ただし、本発明を適用可能な実施形態はこれに限定されるものではなく、また、本発明は図示例に限定されるものでもない。
【００２２】
［放射線画像撮影装置］
まず、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の構成について説明する。
なお、以下では、放射線画像撮影装置として、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して照射し、放射線検出素子で電気信号である画像データに変換する、いわゆる間接型の放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレータ等を介さずに放射線を放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。
また、放射線画像撮影装置が可搬型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、支持台等と一体的に形成された固定型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。
【００２３】
図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の外観斜視図であり、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
放射線画像撮影装置１は、いわゆるフラットパネルディテクタ（以下「ＦＰＤ」という。）を可搬型に構成したカセッテ型ＦＰＤであり、放射線画像撮影に用いられ、放射線を検出して当該放射線の線量に応じた画像データを生成して取得するものである。
放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体２内にシンチレータ３や基板４などで構成されるセンサパネルＳＰが収納されて構成されている。
【００２４】
筐体２は、少なくとも放射線の照射を受ける側の面Ｒ（以下「放射線入射面Ｒ」という。）が放射線を透過するカーボン板やプラスチックなどの材料で形成されている。
なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板２Ａとバック板２Ｂとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、これに限定されることはなく、例えば、筐体２を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態においては、筐体２の側面部分に、電源スイッチ３６や、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ３７や、バッテリ４１（後述する図７参照）の交換等のために開閉可能とされた蓋部材３８などが配置されている。また、本実施形態においては、蓋部材３８の側面部に、画像データを、後述する欠陥画素マップ作成装置１０１やコンソール５８などの外部装置に無線で転送するための通信手段であるアンテナ装置３９が埋め込まれている。なお、画像データを外部装置に有線方式で転送するように構成することも可能であり、その場合は、例えば、通信手段として、ケーブル等を差し込むなどして接続するための接続端子等が放射線画像撮影装置１の側面部等に設けられる。
【００２６】
図２に示すように、筐体２の内部には、センサパネルＳＰが収納されている。センサパネルＳＰは、基板４とこれに積層されるシンチレータ３とを備えており、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒ側には、それらを保護するためのガラス基板３５が配設されている。
また、基板４の下方側には図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたプリント基板３３や緩衝部材３４などが取り付けられている。
【００２７】
シンチレータ３は、基板４の検出部Ｐ（後述）に貼り合わされている。本実施形態において、シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。
具体的には、本実施形態において、シンチレータ３は、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の各種高分子材料により形成された支持膜の上に、例えば気相成長法により蛍光体を成長させて形成されたものであり、蛍光体の柱状結晶からなっている。気相成長法としては、蒸着法やスパッタ法などが好ましく用いられる。
【００２８】
本実施形態において、基板４は、ガラス基板で構成されており、図３に示すように、基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６とにより区画された各小領域ｒには、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。
【００２９】
このように、走査線５と信号線６とで区画された各小領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７が設けられた領域全体、すなわち図３に一点鎖線で示される領域がセンサパネルＳＰの検出部Ｐとされている。
【００３０】
本実施形態においては、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。
各放射線検出素子７は、図３や図３の拡大図である図４に示すように、スイッチ素子である薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下「ＴＦＴ」という。）８のソース電極８ｓに接続されている。また、ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは信号線６に接続されている。
【００３１】
そして、ＴＦＴ８は、走査駆動手段１５（後述）から走査線５を介してゲート電極８ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子７内に蓄積されている電荷を当該放射線検出素子７から信号線６に放出させるように構成されている。
また、ＴＦＴ８は、接続された走査線５を介してゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子７から信号線６への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内で発生した電荷を当該放射線検出素子７内に保持して蓄積させるように構成されている。
【００３２】
ここで、本実施形態における放射線検出素子７やＴＦＴ８の構造について、図５に示す断面図を用いて簡単に説明する。図５は、図４におけるＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【００３３】
図５に示すように、基板４の面４ａ上には、ＡｌやＣｒなどからなるＴＦＴ８のゲート電極８ｇが走査線５と一体的に積層されて形成されており、ゲート電極８ｇ上および面４ａ上に積層された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁層８１上のゲート電極８ｇの上方部分に、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなる半導体層８２を介して、放射線検出素子７の第１電極７４と接続されたソース電極８ｓと、信号線６と一体的に形成されるドレイン電極８ｄとが積層されて形成されている。
【００３４】
ソース電極８ｓとドレイン電極８ｄとは、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第１パッシベーション層８３によって分割されており、さらに第１パッシベーション層８３は両電極８ｓ、８ｄを上側から被覆している。また、半導体層８２とソース電極８ｓやドレイン電極８ｄとの間には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたオーミックコンタクト層８４ａ、８４ｂがそれぞれ積層されている。以上のようにしてＴＦＴ８が形成されている。
【００３５】
また、放射線検出素子７の部分では、基板４の面４ａ上にゲート絶縁層８１と一体的に形成される絶縁層７１の上にＡｌやＣｒなどが積層されて補助電極７２が形成されており、補助電極７２上に第１パッシベーション層８３と一体的に形成される絶縁層７３を挟んでＡｌやＣｒやＭｏなどからなる第１電極７４が積層されている。第１電極７４は、第１パッシベーション層８３に形成されたホールＨを介してＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。なお、補助電極７２は必ずしも設けられなくてもよい。
【００３６】
第１電極７４の上には、水素化アモルファスシリコンにVI族元素をドープしてｎ型に形成されたｎ層７５、水素化アモルファスシリコンで形成された変換層であるｉ層７６、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてｐ型に形成されたｐ層７７が下方から順に積層されて形成されている。
【００３７】
そして、放射線画像撮影時に、放射線画像撮影装置１に対して照射された放射線が筐体２の放射線入射面Ｒから入射し、シンチレータ３で可視光等の電磁波に変換され、変換された電磁波が図中上方から照射されると、電磁波は放射線検出素子７のｉ層７６に到達して、ｉ層７６内で電子正孔対が発生する。放射線検出素子７は、このようにして、シンチレータ３から照射された電磁波を電荷（電子正孔対）に変換するようになっている。
【００３８】
また、ｐ層７７の上には、ＩＴＯ等の透明電極とされた第２電極７８が積層されて形成されており、照射された電磁波がｉ層７６等に到達するように構成されている。本実施形態においては、以上のようにして放射線検出素子７が形成されている。なお、ｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の積層の順番は上下逆であってもよい。また、本実施形態においては、放射線検出素子７として、上記のようにｐ層７７、ｉ層７６、ｎ層７５の順に積層されて形成されたいわゆるｐｉｎ型の放射線検出素子を用いる場合が説明されているが、これに限定されない。
【００３９】
放射線検出素子７の第２電極７８の上面には、第２電極７８を介して放射線検出素子７にバイアス電圧を印加するバイアス線９が接続されている。なお、放射線検出素子７の第２電極７８、バイアス線９、ＴＦＴ８側に延出された第１電極７４、ＴＦＴ８の第１パッシベーション層８３等、すなわち放射線検出素子７とＴＦＴ８の上面部分は、その上方側から窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる第２パッシベーション層７９で被覆されている。
【００４０】
図３や図４に示すように、本実施形態では、列状に配置された複数の放射線検出素子７にそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９はそれぞれ信号線６に平行に配設されている。また、図３に示すように、各バイアス線９は、基板４の検出部Ｐの外側の位置で結線１０に結束されている。
【００４１】
また、本実施形態において、各走査線５や各信号線６やバイアス線９の結線１０は、それぞれ基板４の端縁部付近に設けられた入出力端子（パッドともいう）１１に接続されている。各入出力端子１１には、図６に示すように、ＩＣ１２ａ等のチップが組み込まれたＣＯＦ（Chip On Film）１２が、異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）などの異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
【００４２】
また、ＣＯＦ１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側でプリント基板３３に接続されている。このようにして、放射線画像撮影装置１のセンサパネルＳＰの基板４部分が形成されている。なお、図６では、電子部品３２等の図示が省略されている。
【００４３】
ここで、放射線画像撮影装置１の回路構成について説明する。
図７は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１のセンサパネルＳＰの等価回路図である。
【００４４】
各放射線検出素子７の一方の電極（第２電極７８）にはそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９は結線１０に結束されてバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、結線１０および各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７８それぞれにバイアス電圧（本実施形態では逆バイアス電圧）を印加する。
また、バイアス電源１４は、制御手段２２（後述）に接続されており、制御手段２２によって、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧が制御されるように構成されている。
【００４５】
また、各放射線検出素子７の他方の電極（第１電極７４）はそれぞれＴＦＴ８のソース電極８ｓ（図７中ではＳと表記されている。）に接続されており、各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇ（図７中ではＧと表記されている。）は、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから延びる走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにそれぞれ接続されている。また、各ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄ（図７中ではＤと表記されている。）は、各信号線６にそれぞれ接続されている。
【００４６】
本実施形態において、走査駆動手段１５は、配線１５ｃを介してゲートドライバ１５ｂにオン電圧やオフ電圧を供給する電源回路１５ａと、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるゲートドライバ１５ｂとを備えている。
ゲートドライバ１５ｂは、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘを介してＴＦＴ８のゲート電極８ｇに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて、各ＴＦＴ８のオン状態とオフ状態とを制御する。
【００４７】
また、各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。
読み出しＩＣ１６は、増幅回路１８や相関二重サンプリング（Correlated Double Sampling）回路１９からなる読み出し回路１７、アナログマルチプレクサ２１、Ａ／Ｄ変換器２０等で構成されている。
【００４８】
例えば、放射線画像撮影で被写体を介して放射線画像撮影装置１に放射線が照射され、シンチレータ３で放射線が他の波長の電磁波に変換されて、その直下の放射線検出素子７に照射される。そして、放射線検出素子７で照射された放射線の線量（電磁波の光量）に応じて電荷が発生する。
【００４９】
各放射線検出素子７からの電荷の読み出し処理においては、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘを介してゲート電極８ｇにオン電圧が印加されたＴＦＴ８がオン状態となり、放射線検出素子７から信号線６に電荷が放出される。
そして、放射線検出素子７から放出された電荷量に応じて読み出し回路１７の増幅回路１８から電圧値が出力され、それを読み出し回路１７の相関二重サンプリング回路１９で相関二重サンプリングしてアナログ値の画像データがアナログマルチプレクサ２１に出力される。アナログマルチプレクサ２１から順次出力された画像データは、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データに変換され、記憶手段４０に出力されて順次保存される。
すなわち、読み出し回路１７は、放射線検出素子７から電荷を読み出し、放射線検出素子７ごとに当該電荷を電気信号に変換し画像データとして出力する。
【００５０】
制御手段２２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を備えたマイクロコンピュータや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）などによって構成されている。
なお、ＲＯＭやＲＡＭは、制御手段２２ではなく、制御手段２２に接続された記憶手段４０に備えられていてもよい。また、制御手段２２は、専用の制御回路で構成されていてもよい。
【００５１】
本実施形態において、制御手段２２には、アンテナ装置３９と、不揮発性の記憶手段４０と、放射線画像撮影装置１の各機能部に電力を供給するバッテリ４１と、が接続されている。バッテリ４１には、クレードル５５（後述する図８参照）等の充電装置からバッテリ４１に電力を供給してバッテリ４１を充電する際の接続端子４２が取り付けられている。
また、制御手段２２には、図７では図示を省略するが、電源スイッチ３６やインジケータ３７などが接続されている。
【００５２】
制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各機能部の動作等を制御する。
具体的には、例えば、制御手段２２は、バイアス電源１４を制御して各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧を制御したり、走査駆動手段１５を制御して信号読み出し用の電圧を印加する走査線５を切り替えたり、或いは、読み出し回路１７（具体的には、増幅回路１８や相関二重サンプリング回路１９）等を制御して各放射線検出素子７からの画像データの読み出しを行う等の各種の処理を実行するように構成されている。
【００５３】
［放射線画像撮影システム］
次に、本実施形態に係る放射線画像撮影システム５０の構成について説明する。
放射線画像撮影システム５０は、例えば、病院や医院内で行われる放射線画像撮影を想定したシステムであり、放射線画像として医療用の診断画像を撮影するシステムとして採用することができるが、必ずしもこれに限定されない。
【００５４】
図８は、放射線画像撮影システム５０の全体構成を示す図である。
放射線画像撮影システム５０は、図８に示すように、放射線を照射して患者の一部である被写体（患者の撮影対象部位）の撮影を行う撮影室Ｒ１と、撮影室Ｒ１に隣接し放射線技師等の操作者が被写体に照射する放射線の制御等の種々の操作を行う前室Ｒ２と、それらの外部とに配置される。
【００５５】
撮影室Ｒ１には、例えば、放射線画像撮影装置１を装填可能なブッキー装置５１と、被写体に照射する放射線を発生させるＸ線管球を備えた放射線源（図示省略）を備える放射線発生装置５２と、無線アンテナ５３を備え放射線画像撮影装置１とコンソール５８等の外部装置との間の通信を中継する基地局５４とが設けられている。
【００５６】
なお、図８では、可搬型の放射線画像撮影装置１を、ブッキー装置５１のカセッテ保持部５１ａに装填した状態で用いる場合と、ブッキー装置５１に装填されない単独の状態で用いる場合、具体的には臥位撮影用のブッキー装置５１Ｂの上面側に配置してその放射線入射面Ｒ上に被写体である患者の手等を載置して用いる場合等とが示されているが、放射線画像撮影装置１はブッキー装置５１や支持台などと一体的に形成されたものであってもよい。
ここで、可搬型の放射線画像撮影装置１をブッキー装置５１に装填されない単独の状態で用いる場合、臥位撮影用のブッキー装置５１Ｂの上面側に配置してその放射線入射面Ｒ上に被写体である患者の手等を載置して用いる他に、例えば撮影室Ｒ１内に設けられたベッド等の上面側に配置してその放射線入射面Ｒ上に被写体である患者の手等を載置したり、或いは、例えばベッドの上に横臥した患者の腰や足などとベッドとの間に差し込んだりして用いることも可能である。
【００５７】
また、図８では、放射線画像撮影装置１と基地局５４とを無線接続し、放射線画像撮影装置１と外部装置との間の通信を、基地局５４を介して無線方式で行うことができるように構成した場合が示されているが、放射線画像撮影装置１と基地局５４とをＬＡＮ（Local Area Network）ケーブル等で有線接続し、放射線画像撮影装置１と外部装置との間の通信を、基地局５４を介して有線方式で行うことができるように構成することも可能である。
また、図８では、ブッキー装置５１と基地局５４とを有線接続し、ブッキー装置５１に装填されている放射線画像撮影装置１と外部装置との間の通信を、基地局５４を介して有線方式で行うことができるように構成した場合が示されているが、これに限定されることはなく、ブッキー装置５１と基地局５４とは有線接続されていなくてもよい。
【００５８】
また、図８では、撮影室Ｒ１内に、ブッキー装置５１として、立位撮影用のブッキー装置５１Ａと臥位撮影用のブッキー装置５１Ｂとが１個ずつ設けられている場合が示されているが、撮影室Ｒ１内に設けられるブッキー装置５１の個数や種類は特に限定されない。
また、図８では、撮影室Ｒ１内に、放射線発生装置５２として、ブッキー装置５１に対応付けられた放射線発生装置５２Ａと、ポータブルの放射線発生装置５２Ｂとが１個ずつ設けられている場合が示されているが、撮影室Ｒ１内に設けられる放射線発生装置５２の個数や種類は特に限定されない。
【００５９】
また、図８に示すように、本実施形態において、撮影室Ｒ１には、放射線画像撮影装置１が挿入されると、放射線画像撮影装置１から当該放射線画像撮影装置１を識別するためのカセッテＩＤを読み取り、基地局５４を介してコンソール５８に通知するクレードル５５が備えられている。なお、このクレードル５５で放射線画像撮影装置１の充電等を行うように構成することも可能である。
【００６０】
［放射線発生装置］
撮影室Ｒ１には、放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射する放射線発生装置５２が設けられている。
そして、本実施形態においては、撮影室Ｒ１に隣接する前室Ｒ２に、放射線発生装置５２の操作卓５７が設けられており、操作卓５７には、放射線技師等の操作者が放射線発生装置５２に対して放射線の照射開始等を指示する際に操作するための操作スイッチ５６が設けられている。
【００６１】
また、放射線発生装置５２は、放射線技師等の操作者が操作卓５７を操作して或いは手動で、放射線画像撮影装置１に対して放射線が適切に照射されるように放射線照射方向を調整したり、放射線画像撮影装置１の所定の領域内に放射線が照射されるように絞りを調整したり、適切な線量や適切な線質の放射線が照射されるように放射線源を調整したりすることができるように構成されている。
【００６２】
［コンソール］
コンソール５８は、図８に示すように、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）やＬＣＤ（Liquid Crystal Display）などからなる表示部５８ａと、コンソール５８の各機能部の動作等を制御する制御部５８ｂと、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等からなる記憶手段５９と、ＬＡＮケーブル等によって基地局５４と接続され放射線画像撮影装置１等の他の装置との間で通信を行うための通信部（図示省略）と、キーボードやマウスなどからなる入力部（図示省略）とを備えて構成されるコンピュータである。
【００６３】
なお、図８では、コンソール５８が撮影室Ｒ１や前室Ｒ２の外側に設けられている場合が示されているが、コンソール５８は、例えば前室Ｒ２に設けられていてもよい。
また、図８では、コンソール５８に記憶手段５９が接続されている場合が示されているが、記憶手段５９はコンソール５８に内蔵されていてもよい。
【００６４】
コンソール５８の制御部５８ｂは、通信部が基地局５４を介して、放射線画像撮影装置１により生成された放射線画像の画像データを当該放射線画像撮影装置１から受信すると、当該画像データに伸長処理、オフセット補正処理、ゲイン補正処理、欠陥画素補正処理等の所定の画像処理を施して、診断用の画像データを作成する。
そして、コンソール５８の制御部５８ｂは、操作者により操作された入力部等からの指示に従って、当該診断用の画像データに基づく放射線画像を表示部５８ａに表示したり、当該診断用の画像データを通信部等から出力してイメージャやデータ管理サーバなどの他の装置（図示省略）に送信したりする。
【００６５】
なお、本実施形態では、オフセット補正処理やゲイン補正処理などを、コンソール５８が行うように構成したが、これに限定されることはなく、例えば、放射線画像撮影装置１がオフセット補正処理やゲイン補正処理などを行うように構成することも可能である。
【００６６】
ここで、本実施形態において、記憶手段５９は、欠陥画素マップ作成装置１０１（後述）により作成された欠陥画素マップを記憶している。
欠陥画素マップは、センサパネルＳＰ上に二次元状に配列された複数の放射線検出素子７に対応する各画素のうちの欠陥画素の画素位置を示すマップであり、コンソール５８の制御部５８ｂが放射線画像撮影装置１により生成された放射線画像の画像データに含まれる欠陥画素を補正する際に使用する。
すなわち、コンソール５８の制御部５８ｂは、記憶手段５９に記憶されている欠陥画素マップに基づいて、放射線画像撮影装置１により生成された放射線画像の画像データに対して欠陥画素補正処理を行う欠陥画素補正手段として機能する。
【００６７】
センサパネルＳＰは、複数の放射線検出素子７を備えており、これら放射線検出素子７の中には製造当初から出力が異常を示すものが含まれている。放射線検出素子７の出力異常としては、放射線の照射にもかかわらず全く電荷を出力しないもの、放射線の線量変化にかかわらず一定の出力しか行わないもの、一定線量の放射線の入射に対して毎回出力が異なり法則性を示さないもの等が挙げられる。
このような出力異常を示す異常な放射線検出素子７が存在すると、当該放射線検出素子７に対応する画素部分に画像の欠損が生じ、適切な画質の放射線画像を取得できなくなってしまう。そのため、異常な放射線検出素子７に起因する欠陥画素は補正する必要がある。
【００６８】
また、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に金属片やシンチレータ片などの異物が混入していると、当該異物が邪魔になって、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶のうち当該異物の下方にある蛍光体の柱状結晶に十分な線量の放射線が入射しなくなる場合がある。このような場合、当該異物の下方にある蛍光体の柱状結晶の直下の放射線検出素子７は、当該放射線検出素子７が正常であっても、放射線の照射にもかかわらず全く電荷を出力しなかったり、放射線の線量変化にかかわらず一定の出力しか行わなかったりして、前述した出力異常の場合と同様の出力を示す場合がある。
そのため、筐体２内に混入している異物、具体的にはセンサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物に起因する欠陥画素も補正する必要がある。
【００６９】
また、シンチレータ３は、複数の蛍光体の柱状結晶からなっており、これら蛍光体の柱状結晶それぞれにおいて、放射線画像撮影装置１に対して照射された放射線を電磁波に変換して照射するように構成されている。適切な画質の放射線画像を取得するには、蛍光体の柱状結晶から照射される電磁波の輝度が所定の許容範囲内に収まる必要があるが、これら蛍光体の柱状結晶から照射される電磁波の輝度には製造当初からばらつきがあり、これら蛍光体の柱状結晶のうち何れかから上限値を上回る輝度の電磁波や下限値を下回る輝度の電磁波が照射される場合がある。また、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に異物としてシンチレータ片が混入していると、当該シンチレータ片から照射される電磁波の輝度の影響で、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶のうち当該シンチレータ片の近傍にある蛍光体の柱状結晶から許容範囲外の輝度の電磁波が照射される場合がある。
シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶の中にこのような許容範囲外の輝度の電磁波を照射する蛍光体の柱状結晶が存在すると、当該蛍光体の柱状結晶に対応する画素部分に画像の白とびや黒つぶれが生じ、適切な画質の放射線画像を取得できなくなってしまう。そのため、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶から照射される電磁波の輝度に起因する欠陥画素も補正する必要がある。
【００７０】
なお、本実施形態では、欠陥画素マップに欠陥画素の位置情報（位置座標）のみを登録することとして説明するが、欠陥画素マップは、欠陥画素の位置情報と正常画素の位置情報との双方が登録されたマップであってもよい。
【００７１】
［欠陥画素マップ作成システム］
次に、本実施形態に係る欠陥画素マップ作成システム１００の構成について説明する。
欠陥画素マップ作成システム１００は、例えば、放射線画像撮影装置１の出荷前に行う出荷検査時に、放射線照射を伴う検査を実施することで欠陥画素を判定して欠陥画素マップを作成するシステムである。
【００７２】
図９は、欠陥画素マップ作成システム１００の全体構成を示す図である。
欠陥画素マップ作成システム１００は、図９に示すように、製造された放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射して当該放射線画像撮影装置１の検査を行う検査室Ｒ３と、検査室Ｒ３に隣接し検査者等の操作者が放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線の制御等の種々の操作を行う操作室Ｒ４と、それらの外部とに配置される。
【００７３】
具体的には、欠陥画素マップ作成システム１００は、図９に示すように、放射線画像撮影を行う放射線画像撮影装置１、放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射する放射線発生装置５２、放射線画像撮影装置１により生成された放射線画像の画像データに含まれる欠陥画素を補正する際に使用する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成装置１０１等を備えて構成される。
【００７４】
検査室Ｒ３には、例えば、放射線画像撮影装置１を装填可能なブッキー装置５１と、放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線を発生させるＸ線管球を備えた放射線源（図示省略）を備える放射線発生装置５２と、ブッキー装置５１に装填された放射線画像撮影装置１と欠陥画素マップ作成装置１０１等の外部装置との間の通信を中継する中継器１０３とが設けられている。
【００７５】
なお、図９では、可搬型の放射線画像撮影装置１を、ブッキー装置５１のカセッテ保持部５１ａに装填した状態で検査する場合が示されているが、これに限定されることはなく、例えば、放射線画像撮影装置１をブッキー装置５１に装填されない単独の状態で検査するように構成することも可能である。
【００７６】
また、図９では、ブッキー装置５１と中継器１０３とを有線接続し、ブッキー装置５１に装填されている放射線画像撮影装置１と外部装置との間の通信を、中継器１０３を介して有線方式で行うことができるように構成した場合が示されているが、これに限定されることはなく、ブッキー装置５１と中継器１０３とは有線接続されていなくてもよい。
このようにブッキー装置５１と中継器１０３とが有線接続されていない場合は、例えば、中継器１０３に無線アンテナを備えて、放射線画像撮影装置１と中継器１０３とを無線接続し、放射線画像撮影装置１と外部装置との間の通信を、中継器１０３を介して無線方式で行うことができるように構成することも可能であるし、放射線画像撮影装置１と中継器１０３とをＬＡＮケーブル等で有線接続し、放射線画像撮影装置１と外部装置との間の通信を、中継器１０３を介して有線方式で行うことができるように構成することも可能である。
【００７７】
また、図９では、検査室Ｒ３内に、ブッキー装置５１として、立位撮影用のブッキー装置５１Ａが１個設けられている場合が示されているが、検査室Ｒ３内に設けられるブッキー装置５１の個数や種類は特に限定されない。
また、図９では、検査室Ｒ３内に、放射線発生装置５２として、ブッキー装置５１に対応付けられた放射線発生装置５２Ａが１個設けられている場合が示されているが、検査室Ｒ３内に設けられる放射線発生装置５２の個数や種類は特に限定されない。
【００７８】
なお、欠陥画素マップ作成システム１００が備える放射線発生装置５２、操作卓５７および操作スイッチ５６の構成は、前述した放射線画像撮影システム５０が備える放射線発生装置５２、操作卓５７および操作スイッチ５６の構成とそれぞれ同一であるため、詳細な説明は省略する。
【００７９】
［欠陥画素マップ作成装置］
欠陥画素マップ作成装置１０１は、図９に示すように、ＣＲＴやＬＣＤなどからなる表示部１０１ａと、欠陥画素マップ作成装置１０１の各機能部の動作等を制御する制御部１０１ｂと、ＨＤＤ等からなる記憶手段１０２と、ＬＡＮケーブル等によって中継器１０３と接続され放射線画像撮影装置１等の他の装置との間で通信を行うための通信部（図示省略）と、キーボードやマウスなどからなる入力部（図示省略）とを備えて構成されるコンピュータである。
【００８０】
なお、図９では、欠陥画素マップ作成装置１０１が検査室Ｒ３や操作室Ｒ４の外側に設けられている場合が示されているが、欠陥画素マップ作成装置１０１は、例えば操作室Ｒ４に設けられていてもよい。
また、図９では、欠陥画素マップ作成装置１０１に記憶手段１０２が接続されている場合が示されているが、記憶手段１０２は欠陥画素マップ作成装置１０１に内蔵されていてもよい。
【００８１】
欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂは、通信部が中継器１０３を介して、放射線画像撮影装置１により生成されたマップ作成用画像データを当該放射線画像撮影装置１から受信すると、当該マップ作成用画像データに基づいて欠陥画素を判定し、当該欠陥画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを作成する。
そして、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂは、操作者により操作された入力部等からの指示に従って、当該欠陥画素マップに基づくマップ画像を表示部５８ａに表示したり、当該欠陥画素マップを記憶手段１０２に記憶したり、当該欠陥画素マップを通信部等から出力してデータ管理サーバなどの他の装置（図示省略）に送信したりする。
【００８２】
ここで、「マップ作成用画像データ」は、欠陥画素マップの作成のために生成された放射線画像の画像データである。当該放射線画像は、被写体を介さない状態で、放射線発生装置５２の管電圧を切り替えながら撮影される。
すなわち、放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、マップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質毎に生成する生成手段として機能する。
【００８３】
そして、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂは、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データそれぞれについて、当該マップ作成用画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録された線質別マップを作成し、当該作成した各線質別マップを論理和合成して欠陥画素マップを作成する。
すなわち、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂは、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、欠陥画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成手段として機能する。
【００８４】
［欠陥画素マップ作成方法］
次に、本実施形態に係る欠陥画素マップ作成方法について、図１０のフローチャートを参照して説明する。
【００８５】
まず、検査者等の操作者が操作室Ｒ４内の操作卓５７を操作して或いは手動で、検査室Ｒ３内の放射線発生装置５２の管電圧として所定の第１検査用電圧を設定し、当該放射線発生装置５２から放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射する（ステップＳ１）。
【００８６】
なお、本実施形態では、検査者等の操作者が操作卓５７を操作して或いは手動で、放射線発生装置５２（具体的には、放射線源）の管電圧を設定するように構成したが、これに限定されることはない。例えば、欠陥画素マップ作成装置１０１と操作卓５７とを有線接続（或いは、無線接続であってもよい）し、検査者等の操作者が欠陥画素マップ作成装置１０１の入力部等を操作して、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂに操作卓５７を介して放射線発生装置５２の管電圧を設定する制御を行うよう指示する構成とすることも可能であるし、また、欠陥画素マップ作成装置１０１と放射線発生装置５２とを直接接続し、検査者等の操作者が欠陥画素マップ作成装置１０１の入力部等を操作して、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂに放射線発生装置５２の管電圧を設定する制御を行うよう指示する構成とすることも可能である。
【００８７】
放射線発生装置５２から放射線画像撮影装置１に対して放射線が照射されると、当該放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、当該放射線画像撮影装置１の各機能部を制御し、読み出し回路１７により各放射線検出素子７から画像データを読み出すことによって、第１検査用電圧に対応するマップ作成用画像データを生成する（ステップＳ２；生成ステップ）。そして、当該生成したマップ作成用画像データを、中継器１０３を介して欠陥画素マップ作成装置１０１に対して送信する。
【００８８】
放射線画像撮影装置１から送信されたマップ作成用画像データを受信すると、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂは、当該受信したマップ作成用画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録された線質別マップを作成する（ステップＳ３；線質別マップ作成ステップ（欠陥画素マップ作成ステップ））。
【００８９】
具体的には、本実施形態において、制御部１０１ｂは、例えば、当該受信したマップ作成用画像データに基づいて、各放射線検出素子７からの画像データの平均値（μ）と標準偏差（σ）とを算出する。そして、欠陥画素判定のための上限の閾値をμ＋５σ、下限の閾値をμ−５σとする設定を行い、各放射線検出素子７からの画像データの中から、値が上限の閾値（μ＋５σ）を上回る画像データと、値が下限の閾値（μ−５σ）を下回る画像データとを判別する。そして、センサパネルＳＰ上に二次元状に配列された複数の放射線検出素子７に対応する各画素のうち、値が上限の閾値（μ＋５σ）を上回る画像データ又は値が下限の閾値（μ−５σ）を下回る画像データを出力した放射線検出素子７に対応する画素を欠陥画素と判定する。
なお、標準偏差（σ）の係数は「５」に限ることはなく任意であり、また、標準偏差（σ）の係数を任意に設定入力可能としてもよい。
また、上限の閾値や下限の閾値そのものを任意に設定入力可能としてもよい。
【００９０】
次いで、検査者等の操作者が操作室Ｒ４内の操作卓５７を操作して或いは手動で、検査室Ｒ３内の放射線発生装置５２の管電圧として所定の第２検査用電圧を設定することにより、放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線の線質を変更し（ステップＳ４；変更ステップ）、当該放射線発生装置５２から放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射する（ステップＳ５）。
【００９１】
放射線発生装置５２から放射線画像撮影装置１に対して放射線が照射されると、当該放射線画像撮影装置１の制御手段２２は、当該放射線画像撮影装置１の各機能部を制御し、読み出し回路１７により各放射線検出素子７から画像データを読み出すことによって、第２検査用電圧に対応するマップ作成用画像データを生成する（ステップＳ６；生成ステップ）。そして、当該生成したマップ作成用画像データを、中継器１０３を介して欠陥画素マップ作成装置１０１に対して送信する。
【００９２】
放射線画像撮影装置１から送信されたマップ作成用画像データを受信すると、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂは、当該受信したマップ作成用画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録された線質別マップを作成する（ステップＳ７；線質別マップ作成ステップ（欠陥画素マップ作成ステップ））。
なお、ステップＳ３やステップＳ７で作成した線質別マップに基づくマップ画像を、欠陥画素マップ作成装置１０１の表示部５８ａに表示するように構成することも可能である。
【００９３】
次いで、制御部１０１ｂは、ステップＳ３で作成した線質別マップと、ステップＳ７で作成した線質別マップとを論理和合成して、欠陥画素マップを作成する（ステップＳ８；合成ステップ（欠陥画素マップ作成ステップ））。
このようにして、欠陥画素マップ作成システム１００が備える欠陥画素マップ作成装置１０１により欠陥画素マップが作成される。
【００９４】
本実施形態において、欠陥画素マップは、第１検査用電圧に対応する線質別マップと第２検査用電圧に対応する線質別マップとを論理和合成して作成されたものである。そのため、当該欠陥画素マップにおいては、放射線発生装置５２の管電圧が第１検査用電圧である場合と第２検査用電圧である場合との双方で欠陥画素となった画素の位置情報と、放射線発生装置５２の管電圧が第１検査用電圧である場合と第２検査用電圧である場合との何れか一方で欠陥画素となった画素の位置情報とが、欠陥画素の位置情報として登録されている。
【００９５】
前述したように、異常な放射線検出素子７に対応する画素の他に、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物の位置に対応する画素も欠陥画素になり得る。
センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物の位置に対応する画素が欠陥画素になるのは、放射線画像撮影装置１に照射された放射線の当該異物に対する透過率が低く、当該異物が邪魔になって、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶のうち当該異物の下方にある蛍光体の柱状結晶に十分な線量の放射線が入射しなくなる場合である。したがって、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に異物が混入していたとしても、放射線画像撮影装置１に照射された放射線の当該異物に対する透過率が高く、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶のうち当該異物の下方にある蛍光体の柱状結晶に十分な線量の放射線が入射する場合は、当該異物の位置に対応する画素は欠陥画素にならない。
【００９６】
すなわち、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質が変化して、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物に対する当該放射線の透過率が変化すると、当該異物の位置に対応する画素が欠陥画素になったり欠陥画素にならなかったりする場合がある。
【００９７】
ここで、放射線画像撮影装置１に照射される放射線の線質は、撮影部位等に応じて変更される撮影条件、具体的には放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射する放射線発生装置５２の管電圧により変化する。また、放射線画像撮影装置１に照射される放射線の線質は、被写体の有無や被写体の体型などによっても変化する。
したがって、例えば、放射線発生装置５２の管電圧を変更すると、欠陥画素であった画素が欠陥画素でなくなったり、欠陥画素でなかった画素が欠陥画素になったりする場合がある。
また、例えば、被写体が細い人から太い人に入れ替わると、欠陥画素であった画素が欠陥画素でなくなったり、欠陥画素でなかった画素が欠陥画素になったりする場合がある。
【００９８】
また、１つの異物においても、当該１つの異物のうち或る部分とその他の部分とで材質等が異なり、放射線の透過率が或る部分とその他の部分とで異なる場合、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質が変化すると、欠陥画素の範囲が拡大したり縮小したりする場合がある。
【００９９】
具体的には、図１１に示すように、例えば、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に、内側部分と外側部分とで材質が異なる異物Ｍが混入しているとする。そして、当該内側部分には、管電圧が８０ｋＶに設定された放射線発生装置５２から照射される放射線も、管電圧が５０ｋＶに設定された放射線発生装置５２から照射される放射線も透過せず、当該外側部分には、管電圧が８０ｋＶに設定された放射線発生装置５２から照射される放射線は十分に透過するが、管電圧が５０ｋＶに設定された放射線発生装置５２から照射される放射線は透過しないとする。
この場合、被写体を介さない状態で放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射すると、放射線発生装置５２の管電圧が８０ｋＶに設定されている場合には、例えば、図１１（Ａ）に示すように、異物Ｍの位置に対応する画素のうち内側部分（一点鎖線で囲まれた部分）の位置に対応する画素のみが欠陥画素になる。一方、放射線発生装置５２の管電圧が５０ｋＶに設定されている場合には、例えば、図１１（Ｂ）に示すように、異物Ｍの内側部分の位置に対応する画素に加えて、異物Ｍの外側部分（二点鎖線で囲まれた部分のうち一点鎖線で囲まれた部分以外の部分）の位置に対応する画素も欠陥画素になり、管電圧が８０ｋＶの場合と比較して、欠陥画素の範囲が拡大する。
なお、図１１（Ａ），（Ｂ）においては、水玉パターンで塗り潰した画素が欠陥画素を示す。
【０１００】
このようなセンサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物に起因する欠陥画素が発生しても、その欠陥画素の位置情報が登録されている欠陥画素マップを用いれば、その欠陥画素を補正することは可能である。
しかしながら、従来の欠陥画素マップは、放射線画像撮影装置１に照射される放射線の線質を変更して作成されたものではなく、線質を変更せずに線質を一定にして作成されたものである。そのため、管電圧の変更や被写体の有無などによって、欠陥画素マップ作成時の放射線の線質と実際の撮影時（被写体撮影時）の放射線の線質とが異なり、異物の位置に対応する画素のうち、欠陥画素マップ作成時には欠陥画素でなかった画素が実際の撮影時には欠陥画素になる場合や、欠陥画素マップ作成時には欠陥画素であった画素が実際の撮影時には欠陥画素にならない場合がある。したがって、放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素は、線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行っても補正できない場合があり、このような場合、適切な画質の放射線画像を取得できない可能性が高くなる。
【０１０１】
また、前述したように、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶のうち、許容範囲外の輝度の電磁波を照射する蛍光体の柱状結晶の位置に対応する画素も欠陥画素になる。
シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶から照射される電磁波の輝度は、放射線画像撮影装置１に照射される放射線の線質によって変化する。したがって、放射線発生装置５２の管電圧を変更すると、輝度が許容範囲外から許容範囲内に移行して欠陥画素であった画素が欠陥画素でなくなったり、輝度が許容範囲内から許容範囲外に移行して欠陥画素でなかった画素が欠陥画素になったりする場合がある。また、被写体が細い人から太い人に入れ替わると、輝度が許容範囲外から許容範囲内に移行して欠陥画素であった画素が欠陥画素でなくなったり、輝度が許容範囲内から許容範囲外に移行して欠陥画素でなかった画素が欠陥画素になったりする場合がある。
【０１０２】
このように、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶から照射される電磁波の輝度に起因する欠陥画素も、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物に起因する欠陥画素と同様、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する。
そのため、シンチレータ３を構成する蛍光体の柱状結晶から照射される電磁波の輝度に起因する欠陥画素も、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行っても補正できない場合がある。
【０１０３】
これに対し、本実施形態において作成される欠陥画素マップは、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更して作成された欠陥画素マップである。具体的には、本実施形態においては、放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線の線質を変更し、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質毎に欠陥画素を判定し、そして、少なくとも何れか１つの線質において欠陥画素と判定された画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを作成するように構成されている。したがって、当該欠陥画素マップには、異常な放射線検出素子７に起因する欠陥画素の位置情報だけでなく、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物に起因する欠陥画素や、シンチレータ３から照射される電磁波の輝度に起因する欠陥画素などの放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素の位置情報も登録されている。そのため、本実施形態における欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行えば、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素も補正することが可能となる。
【０１０４】
［欠陥画素補正処理］
次に、本実施形態に係るコンソール５８が行う欠陥画素補正処理について説明する。
ここで、コンソール５８の記憶手段５９等には、予め、放射線画像撮影装置１を識別するためのカセッテＩＤと、欠陥画素マップ作成装置１０１により作成された欠陥画素マップのうち当該放射線画像撮影装置１用の欠陥画素マップとが対応付けて記憶されていることとする。
【０１０５】
なお、コンソール５８の記憶手段５９等に予め記憶されている欠陥画素マップは、前述の欠陥画素マップ作成方法で作成した欠陥画素マップであってもよいし、前述の欠陥画素マップ作成方法で作成した欠陥画素マップとその他のマップとを論理和合成して作成した欠陥画素マップであってもよい。ここで、その他のマップとしては、例えば、放射線が照射されない状態で放射線画像撮影装置１において生成された画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録されたマップ等が挙げられる。
【０１０６】
まず、放射線画像撮影装置１から送信された、当該放射線画像撮影装置１により生成された放射線画像の画像データを受信すると、コンソール５８の制御部５８ｂは、記憶手段５９等に記憶されている欠陥画素マップの中から、当該放射線画像撮影装置１のカセッテＩＤに対応する欠陥画素マップを取得する。
【０１０７】
次いで、制御部５８ｂは、当該取得した欠陥画素マップに基づいて、当該受信した放射線画像の画像データに対して欠陥画素補正処理を行う。
具体的には、制御部５８ｂは、例えば、当該取得した欠陥画素マップを参照して欠陥画素を特定し、当該特定した欠陥画素の周囲にある正常画素の画像データを当該受信した放射線画像の画像データから抽出する。そして、当該抽出した画像データを用いて、単純平均補間や重み付け平均補間などの手法により補間を行って補正画像データを算出する。そして、当該受信した放射線画像の画像データに含まれる当該特定した欠陥画素の画像データを、当該算出した補正画像データで置換する。
このようにして、放射線画像撮影システム１００が備えるコンソール５８により欠陥画素補正処理が行われる。
【０１０８】
以上説明した本実施形態に係る欠陥画素マップ作成方法および欠陥画素マップ作成システム１００によれば、放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線の線質を変更し、放射線画像撮影装置１が、欠陥画素マップの作成のためのマップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質毎に生成し、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、欠陥画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを作成するように構成されている。
【０１０９】
すなわち、本実施形態において作成される欠陥画素マップは、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更して作成された欠陥画素マップであるので、異常な放射線検出素子７に起因する欠陥画素の位置情報に加えて、筐体２内に混入している異物（具体的には、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に混入している異物）に起因する欠陥画素や、シンチレータ３から照射される電磁波の輝度に起因する欠陥画素などの放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素の位置情報も登録されている。したがって、当該欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行えば、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素も補正できるので、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行う場合よりも適切な画質の放射線画像を取得することが可能となる。
【０１１０】
また、以上説明した本実施形態に係る欠陥画素マップ作成方法および欠陥画素マップ作成システムによれば、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データそれぞれについて、当該マップ作成用画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録された線質別マップを作成し、当該作成された各線質別マップを論理和合成して欠陥画素マップを作成するように構成されている。
【０１１１】
すなわち、本実施形態において作成される欠陥画素マップは、放射線画像撮影装置１に対して照射する放射線の線質を変更し、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質毎に欠陥画素を判定し、そして、少なくとも何れか１つの線質において欠陥画素と判定された画素の位置情報が登録された欠陥画素マップである。したがって、当該欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行えば、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素を的確に補正することが可能となる。
【０１１２】
また、以上説明した本実施形態に係るコンソール５８によれば、本実施形態において作成された欠陥画素マップを記憶し、当該記憶している欠陥画素マップに基づいて、放射線画像撮影装置１により生成された放射線画像の画像データに対して欠陥画素補正処理を行うように構成されている。
【０１１３】
すなわち、コンソール５８は、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更して作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行うので、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質の違いにより発生する欠陥画素も補正することが可能となる。したがって、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更せずに作成された欠陥画素マップを用いて欠陥画素補正処理を行う場合よりも適切な画質の放射線画像を取得することが可能となる。
【０１１４】
なお、本発明は上記の実施形態に限定されず、本発明の趣旨から逸脱しない限り、適宜変更可能であることはいうまでもない。
【０１１５】
例えば、上記実施形態では、コンソール５８が欠陥画素補正処理を行うように構成したが、これに限定されることはなく、放射線画像撮影装置１が欠陥画素補正処理を行うように構成することも可能である。
この場合、放射線画像撮影装置１の記憶手段４０が、欠陥画素マップ作成システム１００が備える欠陥画素マップ作成装置１０１により作成された欠陥画素マップを記憶する記憶手段として記憶し、放射線画像撮影装置１の制御手段２２が、記憶手段４０に記憶されている欠陥画素マップに基づいて、読み出し回路１７により出力された画像データに対して欠陥画素補正処理を行う欠陥画素補正処理として機能する。
【０１１６】
また、例えば、上記実施形態では、欠陥画素マップを作成する際、放射線発生装置５２の管電圧を変化させることによって、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更するように構成したが、これに限定されることはなく、例えば、放射線発生装置５２と、放射線画像撮影装置１の放射線入射面Ｒとの間に所定のフィルターを配置して、当該フィルターにより放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質を変更するように構成することも可能である。
【０１１７】
また、例えば、上記実施形態では、欠陥画素マップを作成する際、放射線発生装置５２の管電圧として第１検査用電圧と第２検査用電圧との２つの電圧値を設定するように構成したが、これに限定されることはなく、欠陥画素マップを作成する際に放射線発生装置５２の管電圧として複数の電圧値が設定されるのであれば、設定される電圧値の個数は任意である。
【０１１８】
また、欠陥画素マップ作成時に設定する放射線発生装置５２の管電圧は、放射線画像撮影装置１毎に変更してもよい。
具体的には、例えば、第２検査用電圧として第１検査用電圧よりも小さい電圧値を設定する。そして、第１検査用電圧に対応する線質別マップと、第２検査用電圧に対応する線質別マップとを比較し、第２検査用電圧に対応する線質別マップに登録されている欠陥画素の位置情報の個数の方が多い放射線画像撮影装置１の場合は、放射線発生装置５２の管電圧をさらに小さくすれば欠陥画素の個数が増える可能性が高いと判断し、放射線発生装置５２の管電圧として第２検査用電圧よりも小さい電圧を設定して、当該第２検査用電圧よりも小さい電圧に対応する線質別マップを作成し、当該第２検査用電圧よりも小さい電圧に対応する線質別マップと、第１検査用電圧に対応する線質別マップと、第２検査用電圧に対応する線質別マップとを論理和合成することによって欠陥画素マップを作成する。一方、第１検査用電圧に対応する線質別マップに登録されている欠陥画素の位置情報の個数の方が多い放射線画像撮影装置１の場合は、放射線発生装置５２の管電圧をさらに大きくすれば欠陥画素の個数が増える可能性が高いと判断し、放射線発生装置５２の管電圧として第１検査用電圧よりも大きい電圧を設定して、当該第１検査用電圧よりも大きい電圧に対応する線質別マップを作成し、当該第１検査用電圧よりも大きい電圧に対応する線質別マップと、第１検査用電圧に対応する線質別マップと、第２検査用電圧に対応する線質別マップとを論理和合成することによって欠陥画素マップを作成するように構成することも可能である。
【０１１９】
また、例えば、上記実施形態では、放射線画像撮影装置１がマップ作成用画像データを作成する度に、当該作成したマップ作成用画像データに基づいて線質別マップを作成するように構成したが、これに限定されることはなく、例えば、放射線画像撮影装置１が当該放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データを作成した後に、各マップ作成用画像データに基づいて各線質別マップを作成するように構成することも可能である。
【０１２０】
また、例えば、上記実施形態では、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類の線質別マップを作成し、当該作成した各線質別マップを論理和合成して欠陥画素マップを作成するように構成したが、これに限定されることはなく、例えば、線質別マップを作成せずに欠陥画素マップを作成するように構成することも可能である。具体的には、例えば、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データそれぞれについて、当該マップ作成用画像データから欠陥画素を判定し、当該判定した欠陥画素の位置情報を欠陥画素マップに順次登録することによって、欠陥画素マップを作成するように構成することも可能である。
【０１２１】
また、例えば、上記実施形態では、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類の線質別マップを作成し、当該作成した各線質別マップを論理和合成して欠陥画素マップを作成するように構成したが、これに限定されることはなく、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、欠陥画素の位置情報が登録された欠陥画素マップを作成できるのであれば、例えば、作成した複数種類の線質別マップのうち、登録されている欠陥画素の位置情報の個数が最も多い線質別マップを欠陥画素マップとして選択するように構成することも可能である。
【０１２２】
また、例えば、欠陥画素マップを、欠陥画素マップ作成システム１００だけでなく、放射線画像撮影システム５０でも作成できるように構成することも可能である。
具体的には、コンソール５８に欠陥画素マップ作成装置１０１と同等の欠陥画素マップ作成機能を備え、放射線画像撮影システム５０で運用されている放射線画像撮影装置１をキャリブレーション等する際に、コンソール５８の制御部５８ｂが、欠陥画素マップを作成して、当該作成した欠陥画素マップでコンソール５８の記憶手段５９等に記憶されている欠陥画素マップを更新するように構成することも可能である。
この場合、放射線画像撮影システム５０が、欠陥画素マップ作成システムとして機能し、コンソール５８が、欠陥画素マップ作成装置として機能し、コンソール５８の制御部５８ｂが、欠陥画素マップ作成手段として機能する。
【０１２３】
また、例えば、放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類の線質別マップに基づいて、筐体２内に混入している異物を検出するように構成することも可能である。
具体的には、例えば、第１検査用電圧に対応する線質別マップに登録されている欠陥画素の位置や個数と、第２検査用電圧に対応する線質別マップに登録されている欠陥画素の位置や個数とが異なる場合、センサパネルＳＰと筐体２の放射線入射面Ｒとの間に異物が混入している可能性が高い。したがって、このような場合、例えば、欠陥画素マップ作成装置１０１の制御部１０１ｂが、筐体２内に異物が混入していると判定して、その旨を欠陥画素マップ作成装置１０１の表示部１０１ａに表示等して報知するように構成することも可能である。これにより、センサパネルＳＰの放射線入射面Ｒ側の面を拭く等して筐体２内に混入している異物を除くことができるので、筐体２内に混入している異物が除かれた放射線画像撮影装置１を出荷することが可能となる。なお、放射線画像撮影装置１の筐体２内に混入している異物を除いた場合、再度、当該放射線画像撮影装置１に対して放射線を照射して、当該放射線画像撮影装置１に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類の線質別マップを作成し、当該作成した線質別マップに基づき欠陥画素マップを作成することが好ましい。
【符号の説明】
【０１２４】
１ 放射線画像撮影装置
１７ 読み出し回路
２２ 制御手段（生成手段、欠陥画素補正手段）
４０ 記憶手段
５２ 放射線発生装置
５８ コンソール
５８ｂ 制御部（欠陥画素補正手段）
５９ 記憶手段
１００ 欠陥画素マップ作成システム
１０１ 欠陥画素マップ作成装置
１０１ｂ 制御部（欠陥画素マップ作成手段）
ＳＰ センサパネル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに含まれる欠陥画素を補正する際に使用する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成方法において、
前記放射線画像撮影装置に対して照射する放射線の線質を変更する変更ステップと、
前記放射線画像撮影装置が、前記欠陥画素マップの作成のためのマップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質毎に生成する生成ステップと、
前記放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、前記欠陥画素の位置情報が登録された前記欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成ステップと、
を有することを特徴とする欠陥画素マップ作成方法。
【請求項２】
前記欠陥画素マップ作成ステップは、
前記複数種類のマップ作成用画像データそれぞれについて、当該マップ作成用画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録された線質別マップを作成する線質別マップ作成ステップと、
前記線質別マップ作成ステップで作成された各線質別マップを論理和合成して前記欠陥画素マップを作成する合成ステップと、
を有することを特徴とする請求項１に記載の欠陥画素マップ作成方法。
【請求項３】
放射線画像撮影を行う放射線画像撮影装置と、前記放射線画像撮影装置に対して放射線を照射する放射線発生装置と、前記放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに含まれる欠陥画素を補正する際に使用する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成装置と、を備える欠陥画素マップ作成システムにおいて、
前記放射線発生装置は、前記放射線画像撮影装置に対して照射する放射線の線質を変更可能であり、
前記放射線画像撮影装置は、前記欠陥画素マップの作成のためのマップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質毎に生成する生成手段を備え、
前記欠陥画素マップ作成装置は、前記放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、前記欠陥画素の位置情報が登録された前記欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成手段を備えることを特徴とする欠陥画素マップ作成システム。
【請求項４】
前記欠陥画素マップ作成手段は、
前記複数種類のマップ作成用画像データそれぞれについて、当該マップ作成用画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録された線質別マップを作成し、
当該作成した各線質別マップを論理和合成して前記欠陥画素マップを作成することを特徴とする請求項３に記載の欠陥画素マップ作成システム。
【請求項５】
前記放射線発生装置の管電圧を変化させることによって、前記放射線の線質を変更することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の欠陥画素マップ作成システム。
【請求項６】
前記放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに対して所定の画像処理を行うコンソールにおいて、
請求項３から請求項５の何れか一項に記載の欠陥画素マップ作成システムが備える欠陥画素マップ作成装置により作成された欠陥画素マップを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている欠陥画素マップに基づいて、前記放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに対して欠陥画素補正処理を行う欠陥画素補正手段と、
を備えることを特徴とするコンソール。
【請求項７】
二次元状に配列された複数の放射線検出素子を備えるセンサパネルと、
前記放射線検出素子から電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を電気信号に変換し画像データとして出力する読み出し回路と、
請求項３から請求項５の何れか一項に記載の欠陥画素マップ作成システムが備える欠陥画素マップ作成装置により作成された欠陥画素マップを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている欠陥画素マップに基づいて、前記読み出し回路により出力された画像データに対して欠陥画素補正処理を行う欠陥画素補正手段と、
を備えることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１】
放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに含まれる欠陥画素を補正する際に使用する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成方法において、
前記放射線画像撮影装置に対して照射する放射線の線質を変更する変更ステップと、
前記放射線画像撮影装置が、前記欠陥画素マップの作成のためのマップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質毎に生成する生成ステップと、
前記放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、前記欠陥画素の位置情報が登録された前記欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成ステップと、
を有することを特徴とする欠陥画素マップ作成方法。
【請求項２】
前記欠陥画素マップ作成ステップは、
前記複数種類のマップ作成用画像データそれぞれについて、当該マップ作成用画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録された線質別マップを作成する線質別マップ作成ステップと、
前記線質別マップ作成ステップで作成された各線質別マップを論理和合成して前記欠陥画素マップを作成する合成ステップと、
を有することを特徴とする請求項１に記載の欠陥画素マップ作成方法。
【請求項３】
放射線画像撮影を行う放射線画像撮影装置と、前記放射線画像撮影装置に対して放射線を照射する放射線発生装置と、前記放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに含まれる欠陥画素を補正する際に使用する欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成装置と、を備える欠陥画素マップ作成システムにおいて、
前記放射線発生装置は、前記放射線画像撮影装置に対して照射する放射線の線質を変更可能であり、
前記放射線画像撮影装置は、前記欠陥画素マップの作成のためのマップ作成用画像データを、当該放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質毎に生成する生成手段を備え、
前記欠陥画素マップ作成装置は、前記放射線画像撮影装置に対して照射される放射線の線質に応じた複数種類のマップ作成用画像データに基づいて、前記欠陥画素の位置情報が登録された前記欠陥画素マップを作成する欠陥画素マップ作成手段を備えることを特徴とする欠陥画素マップ作成システム。
【請求項４】
前記欠陥画素マップ作成手段は、
前記複数種類のマップ作成用画像データそれぞれについて、当該マップ作成用画像データに含まれる欠陥画素の位置情報が登録された線質別マップを作成し、
当該作成した各線質別マップを論理和合成して前記欠陥画素マップを作成することを特徴とする請求項３に記載の欠陥画素マップ作成システム。
【請求項５】
前記放射線発生装置の管電圧を変化させることによって、前記放射線の線質を変更することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の欠陥画素マップ作成システム。
【請求項６】
前記放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに対して所定の画像処理を行うコンソールにおいて、
請求項３から請求項５の何れか一項に記載の欠陥画素マップ作成システムが備える欠陥画素マップ作成装置により作成された欠陥画素マップを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている欠陥画素マップに基づいて、前記放射線画像撮影装置により生成された放射線画像の画像データに対して欠陥画素補正処理を行う欠陥画素補正手段と、
を備えることを特徴とするコンソール。
【請求項７】
二次元状に配列された複数の放射線検出素子を備えるセンサパネルと、
前記放射線検出素子から電荷を読み出し、前記放射線検出素子ごとに前記電荷を電気信号に変換し画像データとして出力する読み出し回路と、
請求項３から請求項５の何れか一項に記載の欠陥画素マップ作成システムが備える欠陥画素マップ作成装置により作成された欠陥画素マップを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている欠陥画素マップに基づいて、前記読み出し回路により出力された画像データに対して欠陥画素補正処理を行う欠陥画素補正手段と、
を備えることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−１３４７８１（Ｐ２０１２−１３４７８１Ａ）
【公開日】平成２４年７月１２日（２０１２．７．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２８５３２２（Ｐ２０１０−２８５３２２）
【出願日】平成２２年１２月２２日（２０１０．１２．２２）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月１２日（２０１２．７．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月２２日（２０１０．１２．２２）
【出願人】（３０３０００４２０）コニカミノルタエムジー株式会社 (2,950)
【Ｆターム（参考）】
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