異方導電性樹脂組成物、異方導電性部材、及びその実装方法、並びに電子機器
【課題】接続ピッチの微細化に対応可能な異方導電性樹脂組成物、及びこれを用いた異方導電性部材を提供すること。
【解決手段】本発明に係る異方導電性樹脂組成物は、棒状、かつ中空の導電性磁性粉体と、光重合性組成物を主成分とするバインダーとを含有し、光重合性組成物の活性光線照射前後の収縮率は、下記＜数１＞により算出した場合に７％以下のものとする。
＜数１＞ 収縮率（％）＝１００×（ｄｐ−ｄＭ）／ｄｐ
式中のｄｐは、活性光線照射後の光重合性組成物の密度、ｄＭは、活性光線照射前の光重合性組成物の密度を示す。
【解決手段】本発明に係る異方導電性樹脂組成物は、棒状、かつ中空の導電性磁性粉体と、光重合性組成物を主成分とするバインダーとを含有し、光重合性組成物の活性光線照射前後の収縮率は、下記＜数１＞により算出した場合に７％以下のものとする。
＜数１＞ 収縮率（％）＝１００×（ｄｐ−ｄＭ）／ｄｐ
式中のｄｐは、活性光線照射後の光重合性組成物の密度、ｄＭは、活性光線照射前の光重合性組成物の密度を示す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方導電性樹脂組成物に関する。また、異方導電性樹脂組成物により構成される異方導電性部材、及びその実装方法に関する。さらに、前記異方導電性部材を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の小型化、高性能化等が進んでおり、各種微細回路接続に、バインダー樹脂中に導電性粒子を分散させた異方導電性フィルムが多用されるようになってきた。近時においては、電子部品の軽薄短小化や高性能化が急速に進む中で、ベアチップをガラス基板上に直接接続するＣＯＧ（Chip on Glass）技術、若しくはプリント基板上に直接接続するＣＯＢ（Chip on Boad）技術等を、異方導電性部材を用いて行おうとする動きが強まってきている。
【０００３】
異方導電性フィルムは、導電性微粒子をバインダー樹脂中に所定量含有したものであり、相対峙させた電極間に挟持し、加熱圧着（例えば、１７０℃×５ｓ、５０−１５０ＭＰａ）することにより複数の電極を一括接続することが可能である。
【０００４】
従来より、加熱圧着タイプの異方導電性フィルムの特性向上の検討が精力的になされてきた（例えば、特許文献１）。異方導電性部材に使用される導電性微粒子としては、従来から、金属微粉末、めっき等で金属被覆を行った有機系、無機系の粒子などが用いられている。異方導電性部材の特性向上を目的として、表面に磁性及び導電性が付与された繊維を、導電性微粒子として用いることが提案されている（特許文献２、３）。また、本発明者らのグループは、先般、バインダー樹脂中に含有する導電性微粒子として、配向制御しやすく、かつ、金属又は金属合金に由来する導電性と強度を維持したまま、軽量化を実現できる導電性磁性粉体を提案した（特許文献４−６）。なお、特許文献７については、後述する。
【特許文献１】特開２００６−３３５９２６号公報
【特許文献２】特開２００１−２９１４３１号公報
【特許文献３】特開２００２−１２４３１８号公報
【特許文献４】特開２００５−２６４２１４号公報
【特許文献５】特開２００６−１５６１９６号公報
【特許文献６】特開２００８−２１５１３号公報
【特許文献７】ＷＯ２００５／０３３０６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
微細加工技術の著しい進展に伴って、接続ピッチの微細化や接続の細幅化が急速に進んできている。そのため、接続時の加熱により、各種材料の伸びのために接続部分にずれが生じたり、接続部分が細幅のため接続時の温度で周辺部材が熱的影響を受けたり、また、接続時の加熱により反りが発生したり、配線が断線したりするという問題等が生じてきた。近年においては、異方導電性部材を用いる用途、基材も多様化してきており、ＣＯＦ（Chip on Film）などフィルムに異方導電部材を用いる場合もある。このような場合には、接続時の加熱による反りの問題はより一層深刻となり、接続ピッチの微細化を実現することは困難である。このため、これらの問題を回避可能な技術が切望されている。
【０００６】
本発明は、上記背景に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、接続ピッチの微細化に対応可能な異方導電性樹脂組成物、及びこれを用いた異方導電性部材及び異方導電性部材の実装方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る異方導電性樹脂組成物は、棒状、かつ中空の導電性磁性粉体と、光重合性組成物を主成分とするバインダーとを含有し、前記光重合性組成物の活性光線照射前後の収縮率は、下記＜数１＞により算出した場合に７％以下のものである。
＜数１＞ 収縮率（％）＝１００×（ｄｐ−ｄＭ）／ｄｐ
式中のｄｐは、水中置換法（ＪＩＳ Ｋ７２３２−１９８２）による活性光線照射後の前記光重合性組成物の密度、ｄＭは、比重瓶法（ＪＩＳ Ｋ７１１２）による活性光線照射前の前記光重合性組成物の密度ものである。
【０００８】
本発明に係る異方導電性樹脂組成物によれば、光重合性組成物を主成分としているので、活性光線照射により異方導電性部材を形成することが可能である。このため、従来の加熱硬化型の異方導電性樹脂組成物に比して、加熱により生ずる問題点を解決することができる。すなわち、接続時の加熱により、各種材料の伸びのために接続部分にずれが生じたり、接続部分が細幅のため接続時の温度で周辺部材が熱的影響を受けたり、また、接続時の加熱により反りが発生したり、配線が断線するという問題や、残存した応力歪による経時破断の問題等を解決することができる。また、光重合性組成物の活性光線照射前後の収縮率を上記のものとすることにより寸法安定性に優れる。さらに、上記導電性磁性粉体を用いることにより、配向性を高め、かつ、分散性を高めることが可能となる。これらの結果、接続ピッチの微細化に対応可能な異方導電性樹脂組成物を提供することができる。
【０００９】
本発明の第1の態様に係る異方導電性部材の実装方法は、上記態様の異方導電性樹脂組成物の塗膜を支持体上に形成させ、前記導電性磁性粉体が所定の方向に配向するように磁場を印加し、前記導電性磁性粉体の配向状態を保持するように、活性光線を照射して前記塗膜を半硬化させ、前記半硬化させた塗膜を前記支持体から剥離して、電極間に挟持させて圧着し、前記塗膜に活性光線を照射するものである。
【００１０】
本発明の第２の態様に係る異方導電性部材の実装方法は、導電性磁性粉体と、光重合性組成物を主成分とするバインダーを含有する異方導電性樹脂組成物の塗膜を支持体上に形成させ、前記導電性磁性粉体が、前記塗膜の面内方向に一軸配向するように磁場を印加し、前記導電性磁性粉体の配向状態を保持するように、活性光線を照射して前記塗膜を半硬化させ、前記半硬化させた塗膜を前記支持体から剥離して、電極間に挟持させて圧着し、前記塗膜に活性光線を照射するものである。
【００１１】
本発明の第２の態様に係る異方導電性部材の実装方法は、導電性磁性粉体が、相対峙される電極面に対して略水平であって、かつ一軸配向している異方導電性部材を得ることができる。これにより、従来とは異なるニーズや用途への応用展開が可能である。
【００１２】
本発明の第１の態様に係る異方導電性部材は、上記態様の異方導電性樹脂組成物により構成される異方導電性部材であって、前記導電性磁性粉体は、相対峙される電極面に対して略垂直に、かつ、電極の長軸方向に配向しているものである。
【００１３】
本発明の第２の態様に係る異方導電性部材は、上記態様の異方導電性樹脂組成物により構成される異方導電性部材であって、前記導電性磁性粉体は、相対峙される電極面に対して略水平に、かつ、電極の長軸方向に配向しているものである。
【００１４】
本発明に係る電子機器は、上記態様の異方導電性部材を用いて、電子部品の接合が行われているものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、接続ピッチの微細化に対応可能な異方導電性樹脂組成物、及び異方導電性部材を提供することができるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。また、図中の各部材のサイズは、説明の便宜上のものであり実際とは異なる。
【００１７】
本実施形態１に係る電子機器は、例えば、半導体装置、プリント回路基板、液晶表示パネル、プラズマ表示パネル、エレクトロルミネッセンスパネル、又はフィールドエミッション表示パネルであり、本実施形態１に係る異方導電性部材を用いて電子部品の接合が行われているものである。本実施形態１においては、電子機器として液晶表示パネルを例として説明する。
【００１８】
図１は、本実施形態１に係る液晶表示パネルの要部の模式的側面図である。液晶表示パネル１００は、図１に示すように、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板１、対向基板２、偏光板３、シール材４、液晶５、ドライバＩＣ６、異方導電性フィルム１０等を備える。
【００１９】
液晶表示パネル１００は、図１に示すように、互いに対向配置されるＴＦＴアレイ基板１及び対向基板２と、両基板を接着するシール材４とで囲まれる空間に、液晶５が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１及び対向基板２としては、例えば、光透過性のあるガラス、ポリカーボネートなどの絶縁基板が用いられる。ＴＦＴアレイ基板１主面の端部近傍には、ドライバＩＣ６が直接実装されている。ドライバＩＣ６の近傍には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの配線基板（不図示）が外部配線として配設される。
【００２０】
ドライバＩＣ６は、ＣＯＧ（Chip On Glass）技術により、ＴＦＴアレイ基板１上に異方導電性フィルム１０を介して直接実装されている。異方導電性フィルム１０は、ＴＦＴアレイ基板１とドライバＩＣ６とを接着固定するとともに、ＴＦＴアレイ基板１に形成された複数の電極と、ドライバＩＣ６に形成された複数の電極とを一括して電気的に接続する役割を担う。なお、ＣＯＧ技術に代えて、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）によりドライバＩＣ６をＴＦＴアレイ基板１に接続してもよい。この場合にも、異方導電性フィルムを用いて、ＴＦＴアレイ基板１とＴＣＰとを接続固定することができる。外部からの各種信号は、外部配線を介してドライバＩＣ６に供給され、ドライバＩＣ６は、外部からの制御信号を異方導電性フィルム１０を介してＴＦＴアレイ基板１の走査信号線や表示信号線に供給する。
【００２１】
図２に、本実施形態１に係る異方導電性フィルム１０の模式的な斜視図を示す。異方導電性フィルム１０は、導電性磁性粉体１１と、光硬化性樹脂１２を備える。導電性磁性粉体１１は、異方導電性フィルム１０を介して相対峙される電極同士を電気的に接続する役割を担う。一方、光硬化性樹脂１２は、導電性磁性粉体１１の配向性を維持し、かつ導電性磁性粉体１１の異方的な導電性を発現させるための媒体としての役割を担う。また、相対峙する電極間の間隙を保持するスペーサとしての機能を果たす。
【００２２】
導電性磁性粉体１１は、図２に示すように棒状であって、導電性及び磁性を有するものを用いる。本実施形態１に係る導電性磁性粉体１１は、異方導電性フィルム１０の面に水平な方向に一軸配向している。この一軸配向の向きは、相対峙される電極（ＴＦＴアレイ基板１の電極と、ドライバＩＣ６の電極）の長軸方向と一致するように配設する。これにより、異方的導電性を発現することができる。光硬化性樹脂１２は、光重合性組成物に活性光線を照射することによって得られる。光硬化性樹脂の体積抵抗率は、１０９Ωｃｍ以上であることが好ましい。上限値は特に限定されないが、通常１０２０Ωｃｍ以下であり、より一般的には１０１５Ωｃｍ以下である。
【００２３】
次に、本実施形態１に係る異方導電性フィルム１０の製造方法について図３乃至図５の模式的な製造工程図を用いつつ説明する。まず、少なくとも光硬化性樹脂１２の前駆体となる光重合性組成物を主成分とするバインダー、導電性磁性粉体１１を含有する異方導電性樹脂組成物を用意する。光重合性組成物は、少なくとも、光重合性化合物と、光重合開始剤とを配合、又は混合することにより調製できる。光重合性化合物は、光重合性のモノマー、オリゴマー、又は／及びポリマーである。異方導電性樹脂組成物は、この光重合性組成物に、少なくとも導電性磁性粉体１１を配合又は混合することにより調製できる。後述する希釈剤（特に、非反応性希釈剤を含む希釈剤）に溶解（または懸濁）させることにより異方導電性樹脂組成物を調製してもよい。配合方法（混合方法）は、特に限定されず、慣用の方法を利用できる。
【００２４】
異方導電性樹脂組成物の粘度は、用途、塗布方式に応じて変動し得るが、通常は、１００〜１０，０００ｍＰａ・ｓとすることが好ましく、１０００〜４０００ｍＰａ・ｓとすることがより好ましい。粘度が１００未満の場合には、導電性磁性粉体とバインダーが比重さにより分離する場合があり、１０，０００を超えると、磁場印加による導電性磁性粉体の配向が抑制される恐れがある。
【００２５】
異方導電性組成物の塗膜形成を行う直前には、異方導電性樹脂組成物中に混入したゴミや、導電性磁性粉体１１の凝集物を除去するために、フィルターを用いて濾過を行うことが好ましい。これにより、異方導電性フィルム１０中に導電性磁性粉体１１の凝集物が生じたり、ゴミ等が混入したりすることを防ぐことができる。
【００２６】
濾過処理後、支持体２１上に異方導電性樹脂組成物の塗膜２０を支持体（基材）２１上に形成する。支持体２１としては、フィルム、シート、板状体等を用いることができる。ここでは、シート状の支持体２１を用いる。塗工方法については、公知の方法を利用することができる。例えば、スピンコート法、ローラコート法、バーコート法、ディップコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、ダイコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、ニーダーコート法、フローコーティング法、スクリーン印刷法、キャスト法などが挙げられる。特に、バーコート法、ダイコート法、若しくはグラビアコート法のうちのマイクログラビア法を好適に用いることができる。マイクログラビア法は、ロールを搬送方向に回転する塗工方式であり、回転数に応じて、簡便に膜厚を調整でき、均一な膜厚が得やすいという特徴を有する。グラビアロール径としては、ロールの交換を簡便に実施する観点から、２〜５ｃｍ程度のものを好適に用いることができる。
【００２７】
異方導電性樹脂の塗膜２０を形成後、慣用の方法により乾燥処理を行ってもよく、必要に応じて加熱により乾燥させてもよい。乾燥における加熱温度は、重合開始剤や希釈剤（非反応性希釈剤）の種類などに応じて、適宜選択でき、通常、４０〜２５０℃程度である。また、乾燥処理は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気中または空気中において行ってもよく、常圧下または減圧下で行ってもよい。
【００２８】
異方導電性樹脂の塗膜２０の厚みは、特に限定されないが、１〜５０μｍとすることが好ましく、２〜２５μｍとすることがより好ましい。１μｍ未満とすると導電性磁性粉体の配向が抑制されたり、自己支持性の異方導電性フィルムが得られなかったりする恐れがある。一方、塗膜の膜厚が５０μｍ以上であると、圧着による実装時に配向の乱れが生じる恐れがある。
【００２９】
次いで、塗膜２０が形成された支持体２１を磁場中に搬送する。磁場の形成方法は、公知の方法を利用することができる。本実施形態１においては、第1の磁石２２、第２の磁石２３を近接位置に対向配置させることにより磁場を発生させた。本実施形態１においては、第1の磁石２２のＮ極と、第２の磁石２３のＮ極とが互いに対向配置するように設置した。無論、Ｓ極同士を対向配置させるようにしてもよい。第1の磁石２２と第２の磁石２３とは、同極同士を対向配置させているため、磁石の端部においては、磁石の対向面に対して略水平な方向の磁力線が、磁石の中央領域においては、磁石の対向面に対して略垂直な方向の磁力線が発生する。
【００３０】
図４（ａ）に、塗膜２０が形成された支持体２１を磁場中に搬送した際の磁力線の方向を説明するための模式図を、図４（ｂ）に、塗膜２０中の導電性磁性粉体１１の配向方向を説明するための模式図を示す。図４（ａ）中の符号２４は、磁力線を示す。導電性磁性粉体１１は、未硬化の光重合性組成物中に分散されているので磁場中に搬送されると、ランダムな配向状態から磁力線の方向と平行に導電性磁性粉体の長軸が配向した状態となる。
【００３１】
第1の磁石２２と第２の磁石２３とは、磁石の端部においては、図４（ａ）に示すように磁石の対向面に対して略水平な方向の磁力線が、磁石の中央領域においては、磁石の対向面に対して略垂直な方向の磁力線が発生する。従って、図４（ａ）に示すように、点線Ａ１で囲まれた図中の磁石左側端部領域と対向する塗膜２０の導電性磁性粉体１１は、図４（ｂ）に示すように略水平方向に配列し、１点鎖線Ａ２で囲まれた磁石中央領域と対向する塗膜２０の導電性磁性粉体１１は、磁石面に対して略垂直方向に配列する。さらに、２点鎖線Ａ３で囲まれた図中の磁石右側端部領域と対向する塗膜２０の導電性磁性粉体１１は、再び略水平方向に配列する。
【００３２】
第1の磁石２２と第２の磁石２３とを通過した直後の導電性磁性粉体１１は、磁石端部の略水平方向の磁力線の影響を受けて、磁石面に対して略水平方向に、かつ搬送方向に配列する。この状態が保持されているタイミング（磁極間を通過中、若しくは通過後）にて活性光線を照射し（図３参照）、導電性磁性粉体１１の配向性が保持されるように光重合性組成物を半硬化させる。これにより、異方導電性樹脂組成物からなる半硬化膜３０が得られる。
【００３３】
光照射源としては、例えば、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、水素ランプ、重水素ランプ、蛍光灯、ハロゲンランプ、エキシマレーザー、窒素レーザー、色素レーザー、ヘリウム−カドミウムレーザーが例示できる。光照射エネルギー量は、用途、塗膜の膜厚などによって異なるが、通常、０．１〜１００００ｍＪ／ｃｍ２程度、好ましくは０．５〜２０００ｍＪ／ｃｍ２程度である。光照射強度は、通常、１〜１０００ｍＷ／ｃｍ２程度である。光照射の波長は、２００〜１１００ｎｍの範囲であり、２５０〜４００ｎｍの紫外線を好ましく用いることができる。活性光線が４００ｎｍを超える可視光領域のものを用いる場合、光重合性組成物の半硬化プロセスや半硬化後の実装プロセスにおいて、暗室下で行う必要が生じる。光照射は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気中、又は空気中において行ってもよく、また、常圧下、加圧下又は減圧下で行ってもよい。
【００３４】
導電性磁性粉体１１の一軸配向を良好に得るためには、磁場の大きさ、支持体２１の搬送速度、活性光線の照射タイミングが重要なファクターとなる。搬送速度が速すぎたり、活性光線の照射タイミングが遅すぎたりすると、導電性磁性粉体１１の配向度の低下を招来する。活性光線の照射タイミングは、磁石間を通過後でなく、磁石間の通過中とすることもできる。なお、「光重合性組成物を半硬化させる」とは、導電性磁性粉体１１の配向が保持でき、後述する支持体２１の剥離が可能であって、かつ、後述する圧着工程において導電性磁性粉体１１が半硬化膜３０をつきやぶって露出することができるものであればよい。
【００３５】
次いで、半硬化膜３０が積層された支持体２１を所望の大きさにカットする。そして、カットされた支持体２１をＴＦＴアレイ基板１の端部近傍のドライバＩＣ６を実装する位置に、半硬化膜３０がＴＦＴアレイ基板１のＴＦＴ側電極３１が形成されている面と接触するように載置する（図５（ａ）参照）。この際、ＴＦＴ側電極３１の電極の長軸方向と、半硬化膜３０の導電性磁性粉体１１の一軸配向方向が一致するように載置する。その後、支持体２１を剥離する。なお、支持体２１は、この剥離工程において、半硬化膜３０から良好に剥離可能なものを選定する。例えば、シリコーン樹脂やフッ素樹脂をコートした剥離性フィルム等を好適に用いることができる。
【００３６】
、
支持体２１を剥離後、半硬化膜３０上にドライバＩＣ６を実装する（図５（ｂ）参照）。この際、ドライバＩＣ６のドライバ側電極３２と、ＴＦＴ側電極３１とが相対峙される位置に配置する。次いで、図５（ｃ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１とドライバＩＣ６との圧着を行う。これにより、半硬化膜３０中に埋設されている導電性磁性粉体１１が、半硬化膜３０をつきやぶり、ＴＦＴ側電極３１若しくはドライバ側電極３２と接触する。また、分散されていた導電性磁性粉体１１を上下方向に圧縮させ、相互に接触せしめることができる。これにより、導電性磁性粉体１１が膜厚方向に導電パスを形成する。そして、相対峙される複数のＴＦＴ側電極３１と、ドライバ側電極３２とを導電性磁性粉体１１を介して一括して電気的に接続させることができる。導電性磁性粉体１１は、ＴＦＴ側電極３１、ドライバ側電極３２の長軸方向と一致させた方向に配向しているので、隣接する電極とは導通しない。
【００３７】
圧縮工程により導電性磁性粉体１１を介して相対峙される電極間が電気的に接続された状態にて、活性光線をＴＦＴアレイ基板側１から照射する。これにより、半硬化膜３０がさらに硬化せしめられる。これにより、ＴＦＴアレイ基板１上に形成されたＴＦＴ側電極３１と、ドライバＩＣ６上に形成されたドライバ側電極３２とが電気的に接続されるとともに、ＴＦＴアレイ基板１とドライバＩＣ６が異方導電性フィルム１０を介して固設される。
【００３８】
ＴＦＴ側電極３１は、ＩＴＯ等の透明性導電膜とすることが好ましい。これにより、電極形成部位と、非電極形成部位とで差異なく光重合性組成物の硬化を進行せしめることができる。また、ＩＴＯ等の透明性導電膜に代えてＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ等の金属膜を電極として用い、電極形成部位をデュアル硬化させてもよい。デュアル硬化とは、バインダー中に、光重合性組成物のみならず、熱重合開始剤、熱重合性組成物を予め添加しておき、光照射工程により発生する塗膜内の熱により熱重合を進行させる方法である。これにより、Ａｌ等の非透過性の電極を配設した場合においても、非透過部の光重合性組成物の硬化を進行せしめることができる。特に、電極ピッチが狭ピッチの場合により効果的に利用することができる。
【００３９】
なお、異方導電性フィルム１０中の光硬化性樹脂１２は、すべての領域において十分に硬化することは必ずしも必要ではなく、Ａｌ等の非透過性の電極にマスクされた光重合性組成物は、半硬化の状態であってもよい。電極が配設されていない光透過領域において、光重合性組成物を十分に硬化せしめることにより、光透過領域がスペーサのように機能して機械的強度を維持することが可能である。
【００４０】
次に、本実施形態１に好適に用いられる異方導電性樹脂組成物について説明する。本実施形態１に係る異方導電性樹脂組成物は、導電性磁性粉体１１と、活性光線の照射により光硬化性樹脂１２となる光重合性組成物を主成分とするバインダーを主要構成成分とする。
【００４１】
導電性磁性粉体１１は、棒状であって、磁性、及び導電性が付与されたものである。導電性磁性粉体１１のバインダーに対する添加量は、用いる用途、求められる性能により変動し得るが、通常は、バインダー１００重量部に対して、５〜４０重量部とすることが好ましく、８〜３０重量部とすることが更に好ましい。導電性磁性粉体１１の添加量が５重量部未満の場合には、導電性磁性粉体が少ないことに起因して、接続電極間の接続不良が生ずる場合があり、４０重量部を超える場合には、導電性磁性粉体が多いことに起因して、磁場による配向が起こりにくくなる場合がある。
【００４２】
導電性磁性粉体１１の主成分は、金属、金属合金又は金属酸化物とすることが好ましい。金属としては、特に限定されるものではないが、磁性を有する金属（ニッケル、コバルト、鉄等）が含まれるようにする。ニッケル、コバルト、鉄の他、金、銀、銅、アルミニウム、白金、鈴、鉛、亜鉛、チタン、クロム、マンガン、ジルコニウム、タングステン、インジウム等も好適な例として挙げることができる。上記金属の金属酸化物も好適な例として挙げることができる。上記金属、金属合金又は金属酸化物は、単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４３】
導電性磁性粉体１１の特に好ましい金属としては、加工性、導電性に優れ、磁化の保磁力が小さく、価格も安価なニッケルを挙げることができる。Ｎｉ化合物としては、Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ａｌ、Ｎｉ−Ｓｎ，Ｎｉ−Ａｕ等の各種Ｎｉ化合物を挙げることができる。中でも、Ｎｉ−Ｐは特に好ましい例として挙げることができる。Ｎｉ−Ｐを用いる場合、導電性磁性粉体中のリン含有量は２〜１５重量％とすることが好ましい。
【００４４】
導電性磁性粉体１１は、中空形状とすることが好ましい。中空形状とすることにより、金属又は金属合金に由来する導電性と強度を維持したまま軽量化を実現できる。軽量化の実現により、導電性磁性粉体がフィルム内に沈降することを抑制し、分散性を高めることができる。また、配向制御しやすい異方導電材料を得ることができる。中空形状の導電性磁性粉体は、例えば、上記特許文献４〜６に記載の方法により製造することができる。
【００４５】
導電性磁性粉体１１の保磁力は、１〜５００Ｏｅの範囲とすることが好ましく、１０〜３００Ｏｅとすることが更に好ましい。保磁力が１〜５００Ｏｅを超えた範囲においては、磁場を印加した際に、導電性磁性粉体の配向方向が不揃いとなる場合がある。導電性磁性粉体１１の飽和磁化は、０．１〜５５ｅｍｕ／ｇの範囲とすることが好ましく、５〜３０ｅｍｕ／ｇとすることが更に好ましい。飽和磁化が０．１ｅｍｕ／ｇ未満であると、磁場を印加しても導電性磁性粉体の配向を行うことができない場合がある。一方、５５ｅｍｕ／ｇを超えると、導電性磁性粉体の磁化が大きくなりすぎて、配向した粉体間の距離が大きくなり、異方導電材料の性能を低下させる場合がある。また、導電性磁性粉体１１の体積抵抗率は、１０−６〜１０２Ω・ｃｍとすることが好ましく、１０-５〜１０１Ω・ｃｍとすることがより好ましい。体積抵抗率が１０２Ω・ｃｍ未満であると、異方導電材料に電圧を印加すると抵抗加熱が起こる場合がある。
【００４６】
導電性磁性粉体１１の内径は、０．１〜１μｍの範囲とすることが好ましい。また、導電性磁性粉体１１の長さは、０．５〜２０μｍであることが好ましく、１〜１０μｍであることが更に好ましい。内径が０．１μｍ未満であると、中空形状として軽量化するという利点が得られにくくなり、一方、１μｍを超えると、強度が低下し、異方導電材料作製時に中空形状を維持できなくなる場合がある。また、長さが０．５μｍ未満であると、電気的な接続にムラができる場合があり、２０μｍを超えると、配向のモーメントが大きくなるため、大きな印加磁場が必要となる。このため、導電性磁性粉体の配向制御を行うのに必要な電磁石の電力量が多くなり、コストが高くなる場合がある。
【００４７】
導電性磁性粉体１１のアスペクト比（導電性磁性粉体の長さ／導電性磁性粉体の外径）は、２〜１００の範囲とすることが好ましく、５〜２０とすることが更に好ましい。アスペクト比が２未満であると、球形に近くなり、配向制御が困難となる場合がある。一方、アスペクト比が１００を超えると、配向のモーメントが大きくなり、エネルギー的に配向が困難となる場合がある。
【００４８】
導電性磁性粉体１１の肉厚は、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましく、２０ｎｍ〜１５０ｎｍとすることが更に好ましい。肉厚が１０ｎｍ未満であると、強度が低下する場合があり、一方、２００ｎｍを超えると、軽量化のメリットが得にくくなる場合がある。また、中空形状材料とするための鋳型除去が行えない場合がある。
【００４９】
バインダーの主成分である光重合性組成物は、前述したように、活性光線の照射により硬化せしめられて光硬化性樹脂となる。光重合性組成物は、光重合性のモノマー、オリゴマー又は／及びポリマーを主成分とする。また、光重合性組成物には、光重合開始剤等の添加剤も含まれる。前述のデュアル重合を行う場合には、バインダー中に熱重合開始剤（熱ラジカル重合剤等）や熱重合性化合物を添加する。
【００５０】
光重合性組成物としては、活性光線照射前後の収縮率が、下記＜数１＞により算出した場合に７％以下となるものを用いることが好ましい。
＜数１＞ 収縮率（％）＝１００×（ｄｐ−ｄＭ）／ｄｐ
式中のｄｐは、水中置換法（ＪＩＳ Ｋ７２３２−１９８２）による活性光線照射後の光重合性組成物の密度、ｄＭは、比重瓶法（ＪＩＳ Ｋ７１１２）による活性光線照射前の光重合性組成物の密度を示す。なお、ここで言う「活性光線照射後の光重合性組成物」とは、活性光線の照射により、実際に電子機器等において使用可能な状態となった光硬化性樹脂のことである。
【００５１】
光重合性組成物の活性光線照射前後の収縮率が７％以下のものを用いることにより、光硬化後に生ずる応力歪を低下させることができる。収縮率は、小さいほど好ましいので特にその下限は限定されないが、入手容易性の観点からは、０．５％以上とすることが好ましい。より好ましい範囲は、１〜４％の範囲のものである。
【００５２】
光重合性組成物は、フルオレン構造を含有する光重合性化合物を主成分とするものを好適な例として挙げることができる。また、アダマンチル基を含有する光重合性化合物も好適な例として挙げることができる。とりわけ、フルオレン構造を含有する光重合性化合物を主成分とする光重合性組成物は、導電性磁性粉体、特に前述した中空形状の導電性磁性粉体との分散性が良好であるので特に好ましい。これらの構造を採用することにより、光硬化前後の収縮率を低減させることができる。
【００５３】
特に好ましいフルオレン構造を有する光重合性化合物としては、下記一般式（１）で表わされるフルオレン構造を含有する（メタ）アクリレートを挙げることができる。
【化２】
式中、Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ２ａ及びＲ２ｂは置換基を示し、Ｒ３ａ及びＲ３ｂはアルキレン基を示し、Ｒ４ａ及びＲ４ｂは水素原子又はメチル基を示す。ｋ１及びｋ２は０〜４の整数を示し、ｍ１及びｍ２は０〜４の整数を示し、ｎ１及びｎ２は０又は１以上の整数を示し、ｐ１及びｐ２は１〜４の整数を示す。但し、ｍ１＋ｐ１及びｍ２＋ｐ２は、１〜５の整数である。上記一般式（１）の化合物は、上記特許文献７に従って製造することができる。
【００５４】
基Ｒ１ａ及びＲ１ｂで表される置換基としては、特に限定されないが、通常、アルキル基である場合が多い。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基などのＣ１−６アルキル基（例えば、Ｃ１−４アルキル基、特にメチル基）などが例示できる。基Ｒ１ａ及びＲ１ｂは互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。また、基Ｒ１ａ（又はＲ１ｂ）は、同一のベンゼン環において、異なっていてもよく、同一であってもよい。なお、フルオレン骨格を構成するベンゼン環に対する基Ｒ１ａ（又はＲ１ｂ）の結合位置（置換位置）は、特に限定されない。好ましい置換数ｋ１及びｋ２は、０又は１、特に、０である。なお、置換数ｋ１及びｋ２は、異なっていてもよいが、通常、同一である。
【００５５】
置換基Ｒ２ａ及びＲ２ｂとしては、アルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基などのＣ１−２０アルキル基、好ましくはＣ１−８アルキル基、さらに好ましくはＣ１−６アルキル基など）、シクロアルキル基（シクロペンチル基、シクロヘキシル基などのＣ５−１０シクロアルキル基、好ましくはＣ５−８シクロアルキル基、さらに好ましくはＣ５−６シクロアルキル基など）、アリール基［フェニル基、アルキルフェニル基（メチルフェニル基（トリル基）、ジメチルフェニル基（キシリル基）など）などのＣ６−１０アリール基、好ましくはＣ６−８アリール基、特にフェニル基など］、アラルキル基（ベンジル基、フェネチル基などのＣ６−１０アリール−Ｃ１−４アルキル基など）などの炭化水素基；アルコキシ基（メトキシ基などのＣ１−４アルコキシ基など）；ヒドロキシル基；ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基（ヒドロキシ（ポリ）Ｃ２−４アルキレンオキシ基など）；アシル基（アセチル基などのＣ１−６アシル基など）；アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニル基などのＣ１−４アルコキシカルボニル基など）；ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子など）；ニトロ基；シアノ基などが挙げられる。
【００５６】
なお、前記ヒドロキシル基又はヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基は、後述する多官能性（メタ）アクリレートの製造方法において、原料となる多価アルコールの残基（（メタ）アクリル酸又はその誘導体と反応しなかった基）である場合が多い。
【００５７】
好ましい置換基Ｒ２ａ（又はＲ２ｂ）は、アルキル基（Ｃ１−６アルキル基）、シクロアルキル基（Ｃ５−８シクロアルキル基）、アリール基（Ｃ６−１０アリール基）、アラルキル基（Ｃ６−８アリール−Ｃ１−２アルキル基）、ヒドロキシル基、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基（ヒドロキシ（ポリ）Ｃ２−４アルキレンオキシ基）である。これらのうち、特に、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ６−８アリール基が好ましい。置換基Ｒ２ａ（又はＲ２ｂ）は、単独で又は２種以上組み合わせてベンゼン環に置換していてもよい。また、基Ｒ２ａ及びＲ２ｂは互いに同一又は異なっていてもよいが、通常、同一である。また、基Ｒ２ａ（又はＲ２ｂ）は、同一のベンゼン環において、異なっていてもよく、同一であってもよい。
【００５８】
また、置換基Ｒ２ａ（又はＲ２ｂ）の置換位置は、特に限定されず、（メタ）アクリロイルオキシ基又は（メタ）アクリロイルオキシ（ポリ）アルコキシ基（以下、（メタ）アクリロイルオキシ基含有基と総称する場合がある）の置換位置に応じて、フェニル基の２〜６位（例えば、２位、５位、２，５−位など）に置換できる。
【００５９】
好ましい置換数ｍ１及びｍ２は、（メタ）アクリロイルオキシ基含有基の置換数にもよるが、０〜２、さらに好ましくは０〜１（特に０）である。なお、置換数ｍ１及びｍ２は、異なっていてもよいが、通常、同一である場合が多い。
【００６０】
Ｒ３ａ及びＲ３ｂで表されるアルキレン基としては、限定されないが、例えば、Ｃ２−４アルキレン基（エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、ブタン−１，２−ジイル基など）などが例示でき、特に、Ｃ２−３アルキレン基（特に、エチレン基、プロピレン基）が好ましい。なお、Ｒ３ａ及びＲ３ｂは互いに同一の又は異なるアルキレン基であってもよいが、通常、同一のアルキレン基である。
【００６１】
アルコキシ基の置換数（付加数）ｎ１及びｎ２は、同一又は異なって、０〜１５程度の範囲から選択でき、例えば、０〜１２（例えば、１〜１２）、好ましくは０〜８（例えば、１〜８）、さらに好ましくは０〜６（例えば、１〜６）、特に０〜４（例えば、１〜４）程度であってもよい。また、ｎ１とｎ２の和（ｎ１＋ｎ２）は、０〜３０程度の範囲から選択でき、例えば、０〜２４（例えば、２〜２４）、好ましくは０〜１６（例えば、２〜１２）、さらに好ましくは０〜１２（例えば、２〜１０）、特に０〜８（例えば、２〜８）程度であってもよい。なお、ｎ１（又はｎ２）が２以上の場合、ポリアルコキシ（ポリアルキレンオキシ）基は、同一のアルコキシ基で構成されていてもよく、異種のアルコキシ基（例えば、エトキシ基とプロピレンオキシ基）が混在して構成されていてもよいが、通常、同一のアルコキシ基で構成されている場合が多い。
【００６２】
（メタ）アクリロイルオキシ基含有基の置換数ｐ１及びｐ２は、１〜２が好ましく、特に１が好ましい。また、ｐ１とｐ２との和（ｐ１＋ｐ２）は、例えば、２〜８、好ましくは２〜４程度（特に２）であってもよい。なお、置換数ｐ１及びｐ２は、異なっていてもよいが、通常、同一である場合が多い。（メタ）アクリロイルオキシ基含有基の置換位置は、特に限定されず、ｐ１（又はｐ２）の数に応じて、フルオレンの９位に置換するフェニル基の２〜６位から選択でき、ｐ１（又はｐ２）が２の場合、例えば、３，４−位、３，５−位などであってもよい。１つの（メタ）アクリロイルオキシ基含有基が、通常、４位に置換していてもよい。
【００６３】
なお、同一のベンゼン環に置換する複数の（メタ）アクリロイルオキシ基含有基は、同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、複数の（メタ）アクリロイルオキシ基含有基が、（ｉ）ｎ１＝０（ｎ２＝０）である（メタ）アクリロイルオキシ基単独で構成されていてもよく、（ｉｉ）ｎ１＝０（ｎ２＝０）である（メタ）アクリロイルオキシ基とｎ１≠０（ｎ２≠０）である（メタ）アクリロイルオキシ（ポリ）アルコキシ基（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ基など）とで構成されていてもよく、（ｉｉｉ）ｎ１≠０（ｎ２≠０）である同一の（メタ）アクリロイルオキシ（ポリ）アルコキシ基単独で構成されていてもよく、（ｉｖ）ｎ１≠０（ｎ２≠０）である異なる（メタ）アクリロイルオキシ（ポリ）アルコキシ基［例えば、２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ基と２−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）エトキシ基］で構成されていてもよい。
【００６４】
前記式（１）で表される代表的な多官能性（メタ）アクリレートとしては、例えば、９，９−ビス（ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン類、９，９−ビス（トリ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン類、これらに対応する多価アルコール［９，９−ビス（ジ又はトリヒドロキシフェニル）フルオレン類］のアルキレンオキシド（Ｃ２−４アルキレンオキシド）付加体の（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
【００６５】
９，９−ビス（ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン類には、例えば、９，９−ビス（ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン［９，９−ビス（３，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（２，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（２，５−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレンなど］、置換基を有する９，９−ビス（ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン｛例えば、９，９−ビス（アルキル−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン［９，９−ビス（３，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシ５−メチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシ６−メチルフェニル）フルオレンなどの９，９−ビス（Ｃ１−４アルキル−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（２，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシ３，６−ジメチルフェニル）フルオレンなどの９，９−ビス
（ジＣ１−４アルキル−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレンなど］、９，９−ビス（アルコキシ−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン［例えば、９，９−ビス（３，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシ−５−メトキシフェニル）フルオレンなどの９，９−ビス（Ｃ１−４アルコキシ−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレンなど］、９，９−ビス（アリール−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン［例えば、９，９−ビス（３，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシ−５−フェニルフェニル）フルオレンなどの９，９−ビス（Ｃ６−８アリール−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレンなど］など｝などが含まれる。
【００６６】
９，９−ビス（トリ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン類には、上記９，９−ビス（ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン類に対応するフルオレン類、例えば、９，９−ビス（２，４，６−（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（２，４，５−トリ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３，４，５−トリ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレンなどの９，９−ビス（トリ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレンなどが含まれる。
【００６７】
９，９−ビス（ジヒドロキシフェニル）フルオレン類のアルキレンオキシド付加体の（メタ）アクリレートには、例えば、９，９−ビス［３，４−ジ（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレンなどの９，９−ビス［ジ（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−４アルコキシ）フェニル］フルオレン（ｎ１＝ｎ２＝１）、９，９−ビス｛３，４−ジ［２−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）エトキシ］フェニル｝フルオレンなどの９，９−ビス｛ジ［２−（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−４アルコキシ）Ｃ２−４アルコキシフェニル］フルオレン｝（ｎ１＝ｎ２＝２）などが含まれる。
【００６８】
９，９−ビス（トリヒドロキシフェニル）フルオレン類のアルキレンオキシド付加体の（メタ）アクリレートには、例えば、９，９−ビス［３，４，５−トリ（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレンなどの９，９−ビス［ジ（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−４アルコキシ）フェニル］フルオレン（ｎ１＝ｎ２＝１）、９，９−ビス｛３，４，５−トリ［２−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）エトキシ］フェニル｝フルオレンなどの９，９−ビス｛トリ［２−（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−４アルコキシ）Ｃ２−４アルコキシフェニル］フルオレン｝（ｎ１＝ｎ２＝２）などが含まれる。
【００６９】
これらの多官能性（メタ）アクリレートのうち、特に、９，９−ビス（ジヒドロキシフェニル）フルオレン類のＣ２−４アルキレンオキサイド付加体の（メタ）アクリレート｛例えば、９，９−ビス［ジ（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−３アルコキシ）フェニル］フルオレン、９，９−ビス｛ジ［２−（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−３アルコキシ）Ｃ２−３アルコキシ］フェニル｝フルオレンなど｝、９，９−ビス（トリヒドロキシフェニル）フルオレン類のＣ２−４アルキレンオキサイド付加体の（メタ）アクリレート｛例えば、９，９−ビス［トリ（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−３アルコキシ）フェニル］フルオレン、９，９−ビス｛トリ［２−（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−３アルコキシ）Ｃ２−３アルコキシ］フェニル｝フルオレンなど｝などが好ましい。
【００７０】
本発明の多官能性（メタ）アクリレートは、高反応性の（メタ）アクリロイルオキシ基含有基を多数有しているので、重合速度を向上できるとともに、硬化物の架橋密度を著しく大きくでき、高硬度の硬化物を効率よく得ることができる。
【００７１】
光重合性組成物中に含まれる光重合開始剤としては、公知の各種光重合開始剤を用いることができる。例えば、ベンゾイン類（ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルなどのベンゾインアルキルエーテル類など）、アセトフェノン類（アセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノンなど）、アミノアセトフェノン類｛２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノアミノプロパノン−１、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１など｝、アントラキノン類（アントラキノン、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノンなど）、チオキサントン類（２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントンなど）、ケタール類（アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタールなど）、ベンゾフェノン類（ベンゾフェノンなど）、キサントン類などが例示できる。これらの光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７２】
また、光重合開始剤は、光増感剤と組み合わせてもよい。光増感剤としては、第３級アミン類｛例えば、トリアルキルアミン、トリアルカノールアミン（トリエタノールアミンなど）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチル［ｐ−（ジメチルアミノ）安息香酸エチルなど］、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸アミル［ｐ−（ジメチルアミノ）安息香酸アミルなど］などのジアルキルアミノ安息香酸アルキルエステル、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン（ミヒラーズケトン）などのビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノン、４−（ジメチルアミノ）ベンゾフェノンなどのジアルキルアミノベンゾフェノンなど｝などの慣用の光増感剤などが挙げられる。光増感剤は、単独で又は２種以上組み合わせてもよい。
【００７３】
重合開始剤（及び光増感剤の総量）の使用量は、多官能性（メタ）アクリレート１００重量部に対して０．１〜３０重量部（例えば、１〜３０重量部）、好ましくは１〜２０重量部（例えば、５〜２５重量部）、さらに好ましくは１．５〜１０重量部程度であってもよい。光重合開始剤の使用量は、少なすぎると、組成物の重合性（又は光硬化性）が低下し、一方、多すぎると、光重合開始剤自身の吸収により、厚膜での光硬化性が低下する恐れがある。
【００７４】
また、光増感剤の使用量は、重合開始剤（光重合開始剤）１００重量部に対して、５〜２００重量部、好ましくは１０〜１５０重量部、さらに好ましくは２０〜１００重量部程度であってもよい。
【００７５】
なお、前述したように、光重合開始剤に加えて熱重合開始剤を添加してもよい。熱重合開始剤としては、公知のものを利用することができる。例えば、ジアルキルパーオキサイド類（ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイドなど）、ジアシルパーオキサイド類［ジアルカノイルパーオキサイド（ラウロイルパーオキサイドなど）、ジアロイルパーオキサイド（ベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイルトルイルパーオキサイド、トルイルパーオキサイドなど）など］を挙げることができる。
【００７６】
反応性希釈剤（重合性希釈剤）としては、単官能性モノマー、多官能性モノマーなどが挙げられる。単官能性モノマーとしては、（メタ）アクリル酸アルキル［（メタ）アクリル酸メチルなどの（メタ）アクリル酸Ｃ１−６アルキルなど］、（メタ）アクリル酸シクロアルキル［（メタ）アクリル酸シクロヘキシルなどの（メタ）アクリル酸Ｃ５−８シクロアルキル、（メタ）アクリル酸イソボルニルなどの（メタ）アクリル酸ジ乃至テトラシクロアルキルエステルなど］、（メタ）アクリル酸アリール［（メタ）アクリル酸フェニルなど］、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート［（２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシＣ２−１０アルキル（メタ）アクリレートなど］、（ポリ）オキシアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート（ジエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、メトキシテトラエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレートなどの（ポリ）オキシＣ２−６アルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート）、アルコキシアルキル（メタ）アクリレート［（メタ）アクリル酸２−メトキシエチル、（メタ）アクリル酸３−メトキシブチルなどの（メタ）アクリル酸Ｃ１−４アルコキシアルキルなど］、Ｎ−置換（メタ）アクリルアミド（Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミドなどのＮ，Ｎ−ジＣ１−４アルキル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミドなどのＮ−ヒドロキシＣ１−４アルキル（メタ）アクリルアミドなど）、アミノアルキル（メタ）アクリレート（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレートなど）、グリシジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル系モノマーなどが例示できる。
【００７７】
多官能性モノマーには、二官能性（メタ）アクリレート、多官能性（メタ）アクリレート、エポキシ基含有化合物（グリセリンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリグリシジルイソシアヌレートなどのポリグリシジルエーテル類など）のポリ（例えば、ジ乃至ペンタ）（メタ）アクリレート、メラミンアクリレートなどが含まれる。
【００７８】
二官能性（メタ）アクリレートとしては、アルキレングリコールジ（メタ）アクリレート［エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレートなどのＣ２−１０アルキレングリコールジ（メタ）アクリレートなど］、（ポリ）オキシアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート［ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレートなどの（ポリ）オキシＣ２−６アルキレングリコールジ（メタ）アクリレートなど］、ビスフェノールＡ（又はそのＣ２−３アルキレンオキシド付加体）のジ（メタ）アクリレート、多価アルコール（又はそのＣ２−３アルキレンオキシド付加体）のジ（メタ）アクリレート［例えば、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリス（ヒドロキシエチル）イソシアヌレートジ（メタ）アクリレートなどのトリオールのジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレートなどのテトラオールのジ（メタ）アクリレートなど］などが例示できる。
【００７９】
多官能性（メタ）アクリレートとしては、多価アルコール（又はそのＣ２−３アルキレンオキシド付加体）の三官能又は多官能性（メタ）アクリレート、例えば、グリセリントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリ（メタ）アクリレート、トリス（ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレートなどのトリオールのトリ（メタ）アクリレート；ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレートなどのテトラオールのトリ又はテトラ（メタ）アクリレート；ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート；ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート；ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどが例示できる。
【００８０】
反応性希釈剤は、単独で又は２種以上を組み合わせてもよい。反応性希釈剤の使用量は、多官能性（メタ）アクリレート１００重量部に対して、０〜１００重量部の範囲から選択でき、例えば、１〜１００重量部、好ましくは１〜５０重量部、さらに好ましくは１〜３０重量部程度であってもよい。
【００８１】
希釈剤には、非反応性希釈剤も含まれる。非反応性希釈剤を使用すると、重合性組成物の塗布性などを改善できる。非反応性希釈剤（又は溶剤）としては、有機溶剤、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカンなどの脂肪族炭化水素類；エチルメチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類；カルボン酸エステル（酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートなどの酢酸エステル、乳酸ブチルなど）、炭酸エステル（炭酸プロピレンなど）などのエステル類；石油エーテル、石油ナフサ、ソルベントナフサなどの石油系溶剤などが例示できる。非反応性希釈剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８２】
非反応性希釈剤の使用量（添加量）は、塗布方法などにより異なるが、多官能性（メタ）アクリレート１００重量部に対して、０〜５００重量部の範囲から選択でき、通常、１０〜４００重量部、好ましくは２０〜３００重量部、さらに好ましくは３０〜２００重量部程度であってもよい。
【００８３】
異方導電性樹脂組成物には、バインダー中において導電性磁性粉体の分散性を向上させる観点から、シリカ粒子を添加することができる。シリカ粒子は、バインダー１００重量部に対して、５部以上、３０部以下とすることが好ましい。５重量部未満の場合には、分散性向上に効果を示さない場合があり、一方、３０重量部を超えると、導電性磁性粉体の磁場による配向を阻害することがある。シリカ粒子の粒子径は、５０ｎｍ〜２μｍの範囲のものを好適に用いることができる。粒子径が５０ｎｍ未満の場合には、分散性に効果を示さない場合がある。一方、粒子径が２μｍを超えると、導電性磁性粉体の磁場による配向を阻害する場合がある。これらは１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【００８４】
また、異方導電性部材の接着性を向上させるために、接着性向上剤を添加することができる。例えば、有機ケイ素化合物、有機酸アリルエステル、エポキシ開環触媒、又は有機チタン化合物からなるもの等を挙げることができる。これらは１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【００８５】
さらに、異方導電性樹脂組成物には、必要に応じて、本来の特性を損なわない範囲で、慣用の添加剤、例えば、着色剤、安定剤（熱安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤など）、充填剤、帯電防止剤、難燃剤（有機リン化合物、無機リン化合物などのリン含有化合物、ハロゲン含有難燃剤、金属酸化物、金属水酸化物、金属硫化物など）、難燃助剤、レベリング剤、シランカップリング剤、重合禁止剤（又は熱重合禁止剤）などを含んでいてもよい。添加剤は、単独で又は２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００８６】
添加剤（難燃剤など）の割合は、添加剤の種類に応じて適宜選択でき、例えば、多官能性（メタ）アクリレート１００重量部に対して、０．５〜１００重量部、好ましくは１〜５０重量部、さらに好ましくは１〜２０重量部程度であってもよい。
【００８７】
本実施形態１によれば、異方導電性部材（異方導電性フィルム１０）の製造プロセスに、加熱工程を含まず、光照射によりバインダーを硬化せしめているので、従来の熱圧着により生じていた問題を解決することができる。すなわち、接続時の加熱により、各種材料の伸びのために接続部分にずれが生じたり、接続部分が細幅のため接続時の温度で周辺部材が熱的影響を受けたり、接続時の加熱により反りが発生したり、配線が断線したりするという問題等を解決することができる。また、加熱圧着時に、導電性磁性粉体の配向性が崩れるという問題もない。また、光硬化時に低収縮率なポリマーを用いることにより、寸法安定性の高い異方導電性樹脂組成物を提供することができる。これらの結果、接続ピッチの微細化に対応可能な異方導電性樹脂組成物、異方導電性部材を提供することができる。
【００８８】
また、中空形状の導電性磁性粉体を用いることにより、軽量化を実現できる。その結果、異方導電性樹脂組成物中の分散性を高め、かつ、磁場中に異方導電性樹脂組成物の塗膜を搬送した際の配向時間を短縮化することができる。
【００８９】
なお、本発明は、加熱工程を行わずに光照射工程により異方導電性部材を提供し得るものであるが、異方導電性フィルムを電子部品に固設する際に一切の加熱工程を排除するものではなく、用途や求められる性能等に応じては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において最小限の加熱工程を行ってもよい。
【００９０】
また、本発明に係る異方導電性部材とは、電極間に挟持して圧着し、硬化工程を経たものに限定されず、圧着工程を行う前の、導電性磁性粉体が所定の方向に配向し、かつその配向が保持される程度に半硬化された状態の半硬化膜も含むものとする。また、本実施形態１においては、導電性磁性粉体が塗膜の面内方向に一軸配向した例について説明したが、これに限定されるものではなく、所定の方向に導電性磁性粉体が一軸配向しているものも含む。
【００９１】
また、本実施形態１においては、異方導電性部材としてフィルムとした例について説明したが、シート、塗料、接着材、粘着材、ペースト、インク等の種々の形態としての利用が可能である。また、異方導電性部材を液晶表示パネルの電子部品の接合に利用した例について説明したが、これに限定されるものではなく、電子機器をはじめとした種々の電子部品の接合に利用することができる。
【００９２】
［実施形態２］
次に、上記実施形態１とは異なる構造の異方導電性フィルムの一例について説明する。なお、以降の説明において、上記実施形態と同一の要素部材は同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。本実施形態２に係る異方導電性フィルムは、下記に説明する点を除く基本的な構成、及び製造方法は上記実施形態１と同様である。
【００９３】
図６に、本実施形態２に係る異方導電性フィルム１０ａの模式的な斜視図を示す。異方導電性フィルム１０ａは、導電性磁性粉体１１ａと、光硬化性樹脂１２を備える。本実施形態２に係る導電性磁性粉体１１ａは、異方導電性フィルム１０aの面に垂直な方向に配向している。これにより、異方的導電性を発現することができる。
【００９４】
次に、本実施形態２に係る異方導電性フィルム１０ａの製造方法について、図７及び図８を用いつつ説明する。まず、上記実施形態１と同様に異方導電性樹脂組成物を用意する。そして、異方導電性樹脂組成物を濾過処理した後、支持体２１上に例えばバーコート法により異方導電性樹脂組成物を塗布して、塗膜２０ａを得る（図７参照）。次いで、塗膜２０ａが形成された支持体２１を磁場中に搬送する。
【００９５】
本実施形態２においては、第1の磁石２２のＮ極と、第２の磁石２３のＳ極とが互いに対向配置するように設置した。そして、第１の磁石２２と第２の磁石２３とを、金属製容器２５の中に設置した。これにより、横方向の磁力線の染出しを無くし、塗膜２０ａの法線方向に一致する磁力線を得ることができる。支持体２１の搬送は、連続的に行っても、搬送を断続的に行うステップ搬送方式により行ってもよい。ステップ搬送方式によれば、磁場を小さくしても一軸配向性を得ることができる。
【００９６】
金属製容器２５を通過した直後の導電性磁性粉体１１ａは、磁石面に対して略垂直方向に配列する。この状態が保持されているタイミングにて活性光線を照射し（図７参照）、導電性磁性粉体１１の配向性が保持されるように光重合性組成物を半硬化させる。これにより、異方導電性樹脂組成物からなる半硬化膜３０ａが得られる。
【００９７】
次いで、半硬化膜３０ａが積層された支持体２１を所望の大きさにカットする。そして、カットされた支持体２１をＴＦＴアレイ基板１の端部近傍のドライバＩＣ６を実装する位置に、半硬化膜３０ａがＴＦＴアレイ基板１のＴＦＴ側電極３１が形成されている面と接触するように載置する。その後、支持体２１を剥離する。
【００９８】
支持体２１を剥離後、半硬化膜３０上にドライバＩＣ６を実装する。この際、ドライバＩＣ６のドライバ側電極３２と、ＴＦＴ側電極３１とが相対峙される位置に配置する。次いで、ＴＦＴアレイ基板１とドライバＩＣ６との圧着を行う。これにより、半硬化膜３０中に埋設されている導電性磁性粉体１１が、半硬化膜３０をつきやぶり、ＴＦＴ側電極３１若しくはドライバ側電極３２と接触する。また、分散されていた導電性磁性粉体１１を上下方向に圧縮させ、相互に接触せしめることができる。これにより、導電性磁性粉体１１が膜面方向に対して垂直方向に導電パスを形成し、相対峙される複数のＴＦＴ側電極３１と、ドライバ側電極３２とを導電性磁性粉体１１を介して一括して電気的に接続させることができる（図８参照）。
【００９９】
圧縮工程により導電性磁性粉体１１を介して相対峙される電極間が電気的に接続された状態にて、活性光線をＴＦＴアレイ基板側１から照射する。これにより、半硬化膜３０ａがさらに硬化せしめられる。これにより、ＴＦＴアレイ基板１上に形成されたＴＦＴ側電極３１と、ドライバＩＣ６上に形成されたドライバ側電極３２とが電気的に接続されるとともに、ＴＦＴアレイ基板１とドライバＩＣ６が異方導電性フィルム１０を介して固設される。
【０１００】
本実施形態２に係る異方導電性樹脂組成物は、導電性磁性粉体１１と、活性光線の照射により光硬化性樹脂１２となる光重合性組成物を主成分とするバインダーを主要構成成分とする。導電性磁性粉体１１は、棒状かつ中空であって、磁性、及び導電性が付与されたものである。導電性磁性粉体１１の好ましい添加量や特性は、上記実施形態１で説明したとおりである。バインダーの主成分である光重合性組成物は、上記＜数１＞により算出した場合に７％以下となるものを用いる。これにより、寸法安定性を実現することができる。光重合性組成物は、上記実施形態１と同様にフルオレン構造を含有する光重合性化合物を主成分とするものを好適な例として挙げることができる。好ましい例は、上記実施形態１で説明したとおりである。
【０１０１】
異方導電性樹脂組成物は、希釈剤（反応性希釈剤、非反応性希釈剤）を含んでいてもよい。具体例や、好ましい使用量は、上記実施形態１と同様である。また、バインダー中において導電性磁性粉体の分散性を向上させる観点から、シリカ粒子を添加することができる。また、異方導電性部材の接着性を向上させるために、接着性向上剤を添加することができる。さらに、本実施形態２に係る異方導電性樹脂組成物においても、本来の特性を損なわない範囲で、上記実施形態１と同様に慣用の添加剤を加えることができる。
【０１０２】
本実施形態２によれば、異方導電性フィルム１０ａの製造プロセスに、加熱工程を含まず、光照射によりバインダーを硬化せしめているので、従来の熱圧着により生じていた問題を解決し、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【０１０３】
＜実施例＞
以下、本発明を具体的実施例によりさらに詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【０１０４】
（実施例１）
光重合性組成物５００ｍｇ（１００部）にトルエン６０ｍｇ（１２部）を加え、試験管ミキサーを用いて２８００ｒｐｍの条件下で１分間撹拌した。この溶液に導電性磁性粉体５０ｍｇ（１０部、９．１ｗｔ％）を加え、２８００ｒｐｍの条件下で５分間混合撹拌することにより異方導電性樹脂組成物を得た。光重合性組成物としては、フルオレン骨格を有するアクリレートを主成分とするオグソールEA-F5010（大阪ガスケミカル株式会社製）を用いた。導電性磁性粉体としては、中空形状のＮｉ−Ｐマイクロロッドを用いた。導電性磁性粉体の長さは、２．６μｍ、幅は０．３５μｍのものを用いた。
【０１０５】
導電性磁性粉体の製造方法については、上記特許文献４および特許文献６に記載の方法により調製した。本実施例１においては、導電性磁性粉体として、保磁力１６０ｋＯｅ，質量飽和磁化１３ｅｍｕ／ｇ、内径０．１５μｍ、肉厚０．１μｍ、導電性磁性粉体自体の体積抵抗率が１０１Ωｃｍのものを用いた。
【０１０６】
異方導電性樹脂組成物を調製後、目開き２０μｍのフィルター濾過を行った。その後、９μｍの溝深さを有するバーコータにより、剥離性フィルム上に異方導電性樹脂組成物の塗膜を形成した。この塗膜付き剥離性フィルムを、磁場０．３Ｔのサマコバ磁石間を２．４ｃｍ／ｓの速度で搬送させることにより、導電性磁性粉体を配向させた。磁石配置は、図３で説明したように、第1の磁石２２と第２の磁石２３とが、互いに同極（Ｎ極）が対向配置されるように配置した。
【０１０７】
対向配置させた磁石間を通過した直後の塗膜を、２．４ｃｍ／ｓの速度で搬送させつつＵＶ照射（水銀−キセノンランプ（San-ei Super Cure 203S）、４０ｍＷ／ｃｍ２＠３６５ｎｍ）を行い、塗膜中の光重合性化合物を半硬化させた。これにより、導電性磁性粉体が、塗膜の面内方向、かつ搬送方向に一軸配向した半硬化膜を得た。図９（ａ）に、搬送方向に切断した半硬化膜の切断面のＳＥＭ写真を、図９（ｂ）に、搬送方向に直交する方向に切断した半硬化膜の切断面のＳＥＭ写真を示す。同図に示すように、導電性磁性粉体１１は、搬送方向に一軸配向していることがわかる。
【０１０８】
その後、異方導電性フィルムを剥離性フィルムから剥離し、配線ピッチが１００μｍ（配線幅５０μｍ、配線間隔５０μｍ）のＩＴＯパターン電極付基板に挟持した。そして、基板の上下方向から圧着した後に、活性光線を照射した。これにより、異方導電性フィルム（膜厚７．６μｍ）付基板を作製した。
【０１０９】
（実施例２）
配線ピッチを４０μｍ（配線幅２０μｍ、配線間隔２０μｍ）とした以外は、上記実施例１と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚７．６μｍ）付基板を作製した。
【０１１０】
（実施例３）
配線ピッチを２０μｍ（配線幅１０μｍ、配線間隔１０μｍ）とした以外は、上記実施例１と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚１．９μｍ）付基板を作製した。
【０１１１】
（実施例４）
上記実施例１と同様の異方導電性樹脂組成物を用い、上記実施例１と同様の方法にて塗膜を形成した。この塗膜付き剥離性フィルムを、磁場０．３Ｔのヨーク付キューブ磁石間に搬送し、５０ｓ保持した。その後、再び、２．４ｃｍ／ｓの速度で搬送させ、磁石間を通過した直後の塗膜を、２．４ｃｍ／ｓの速度で搬送させつつＵＶ照射（（San-ei Super Cure 203S）、４０ｍＷ／ｃｍ２＠３６５ｎｍ）を行い、塗膜中の光重合性化合物を半硬化させた。その後、異方導電性フィルムを剥離性フィルムから剥離し、配線ピッチが１００μｍ（配線幅５０μｍ、配線間隔５０μｍ）のＩＴＯパターン電極付基板に挟持した。そして、基板の上下方向から圧着した後に、活性光線を照射した。これにより、異方導電性フィルム（膜厚９．５μｍ）付基板を作製した。
【０１１２】
（実施例５）
配線ピッチを４０μｍ（配線幅２０μｍ、配線間隔２０μｍ）とした以外は、上記実施例４と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚１１．４μｍ）付基板を作製した。
【０１１３】
（実施例６）
配線ピッチを２０μｍ（配線幅１０μｍ、配線間隔１０μｍ）とした以外は、上記実施例４と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚９．５μｍ）付基板を作製した。
【０１１４】
（実施例７）
光重合性組成物５００ｍｇ（１００部）にトルエン６０ｍｇ（１２部）、粒径２５０ｎｍの球形シリカ粒子５５．５ｍｇ（１１．１部）を加え、試験管ミキサーを用いて２８００ｒｐｍの条件下で１分間撹拌した以外は、上記実施例１と同様に異方導電性樹脂組成物を調製した。そして、上記実施例１と同様の方法にて塗膜を形成させ、上記実施例４と同様に塗膜中の光硬化性化合物を半硬化させた。その後、異方導電シートを剥離性フィルムから剥離し、配線ピッチが１００μｍ（配線幅５０μｍ、配線間隔５０μｍ）のＩＴＯパターン電極付基板に挟持した。そして、基板の上下方向から圧着した後に、活性光線を照射した。これにより、異方導電性フィルム（膜厚６．７μｍ）付基板を作製した。
【０１１５】
（実施例８）
配線ピッチを４０μｍ（配線幅２０μｍ、配線間隔２０μｍ）とした以外は、上記実施例７と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚８．６μｍ）付基板を作製した。
【０１１６】
（実施例９）
配線ピッチを２０μｍ（配線幅１０μｍ、配線間隔１０μｍ）とした以外は、上記実施例７と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚９．５μｍ）付基板を作製した。
【０１１７】
（実施例１０）
導電性磁性粉体１３４ｍｇ（２６．８部）を用いる以外は、上記実施例１と同様に異方導電性樹脂組成物を調製し、上記実施例１と同様の方法にて塗膜を形成させ、上記実施例４と同様に塗膜中の光硬化性化合物を半硬化させた。その後、異方導電シートを剥離性フィルムから剥離し、配線ピッチが１００μｍ（配線幅５０μｍ、配線間隔５０μｍ）のＩＴＯパターン電極付基板に挟持した。そして、基板の上下方向から圧着した後に、活性光線を照射した。これにより、異方導電性フィルム（膜厚１０．５μｍ）付基板を作製した。
【０１１８】
（実施例１１）
配線ピッチを４０μｍ（配線幅２０μｍ、配線間隔２０μｍ）とした以外は、上記実施例１０と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚１１．４μｍ）付基板を作製した。
【０１１９】
（実施例１２）
配線ピッチを２０μｍ（配線幅１０μｍ、配線間隔１０μｍ）とした以外は、上記実施例１０と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚６．７μｍ）付基板を作製した。
【０１２０】
（実施例１３）
上記実施例７と同様にシリカ粒子を含有させた光重合性組成物を調製し、導電性磁性粉体１３４ｍｇ（２６．８部）を用いる以外は、上記実施例１と同様に異方導電性樹脂組成物を調製し、上記実施例１と同様の方法にて塗膜を形成させ、上記実施例４と同様に塗膜中の光硬化性化合物を半硬化させた。その後、異方導電シートを剥離性フィルムから剥離し、配線ピッチが１００μｍ（配線幅５０μｍ、配線間隔５０μｍ）のＩＴＯパターン電極付基板に挟持した。そして、基板の上下方向から圧着した後に、活性光線を照射した。これにより、異方導電性フィルム（膜厚１０．５μｍ）付基板を作製した。
【０１２１】
（実施例１４）
配線ピッチを４０μｍ（配線幅２０μｍ、配線間隔２０μｍ）とした以外は、上記実施例１３と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚１２．４μｍ）付基板を作製した。
【０１２２】
（実施例１５）
配線ピッチを２０μｍ（配線幅１０μｍ、配線間隔１０μｍ）とした以外は、上記実施例１３と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚９．５μｍ）付基板を作製した。
【０１２３】
（比較例１）
導電性磁性粉体を含有させない以外は、上記実施例１と同様に樹脂組成物を得た。上記実施例１と同様に塗膜を形成させて、上記実施例４と同様に塗膜中の光硬化性化合物を半硬化させた。その後、半硬化させたシートを剥離性フィルムから剥離し、アルミ平板に付着させた。そして、活性光線を照射して、オグソールEA-F5010の光硬化フィルム（膜厚２０μｍ）を作製した。この硬化膜の体積抵抗率を、（株）ダイアインスツルメンツ社製のロレスタGPにより測定した。
【０１２４】
（比較例２）
磁場０．３Ｔのサマコバ磁石を用いない以外は、実施例１と同様に塗膜中の光硬化性化合物を半硬化させることにより、磁場により導電性磁性粉体を配向させていない無配向フィルム（膜厚９．５μｍ）付基板を作製した。また、別途、半硬化させたシートを剥離性フィルムから剥離し、アルミ平板に付着させて、活性光線を照射して、無配向フィルムを作製し、株式会社ダイアインスツルメンツ社製のロレスタGPによりこの硬化フィルムの体積抵抗率を測定した。
【０１２５】
（比較例３）
磁場０．３Ｔのサマコバ磁石を用いない以外は、実施例１０と同様に塗膜中の光硬化性化合物を半硬化させることにより、磁場により導電性磁性粉体を配向させていない無配向フィルム（膜厚９．５μｍ）付基板を作製した。また、別途、半硬化させたシートを剥離性フィルムから剥離し、アルミ平板に付着させて、活性光線を照射して、無配向フィルムを作製し、（株）ダイアインスツルメンツ社製のロレスタGPによりこの硬化フィルムの体積抵抗率を測定した。
【０１２６】
［物性評価］
実施例１〜１５及び比較例１〜３の異方導電フィルムの膜厚方向の抵抗、膜面方向の抵抗、膜厚方向の体積抵抗率、膜面方向の体積抵抗率、異方性比を求めた結果を図１０に示す。実施例１〜１５のいずれにおいても、ＩＴＯパターン電極において異方導電性を発現することを確認した。膜厚方向の体積抵抗率は、１０１〜１０４Ωｃｍの範囲であり、膜面方向の体積抵抗率は１０１１Ωｃｍであり、異方性比は１０６〜１０９であった。バインダー樹脂として熱硬化性樹脂に代えて光硬化性樹脂を用いた場合においても、良好な導電性が発現することを確認した。また、配線ピッチ２０μｍという狭ピッチな電極間においても、異方導電性を発現することができた。
【０１２７】
図１１（ａ）に実施例１、図１１（ｂ）に実施例２、図１１（ｃ）に実施例３の異方導電シート付基板の光学顕微鏡像を示す。また、図１２（ａ）に実施例４、図１２（ｂ）に実施例５、図１２（ｃ）に実施例６の異方導電シート付基板の光学顕微鏡像を示す。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】実施形態１に係る液晶表示パネルの構造を説明するための模式図。
【図２】実施形態１に係る異方導電性フィルムの模式的斜視図。
【図３】実施形態１に係る異方導電性フィルムの製造工程を説明するための模式図。
【図４】（ａ）は、実施形態１に係る磁場の磁力線を説明するための図であり、（ｂ）は、導電性磁性粉体の配向性を説明するための図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、実施形態１に係る異方導電性フィルムの製造工程を説明するための模式的な切断部断面図。
【図６】実施形態２に係る異方導電性フィルムの模式的斜視図。
【図７】実施形態２に係る異方導電性フィルムの製造工程を説明するための模式図。
【図８】実施形態２に係る異方導電性フィルムの切断部断面図。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、実施例１に係る半硬化膜（異方導電性フィルム）のＳＥＭ写真。
【図１０】実施例１〜１５、比較例１〜３に係る異方導電性フィルムの製造条件、物性測定値を示す表。
【図１１】（ａ）は実施例1、（ｂ）は実施例２、（ｃ）は実施例３に係る異方導電性フィルムとＩＴＯ基板との光学顕微鏡画像。
【図１２】（ａ）は実施例４、（ｂ）は実施例５、（ｃ）は実施例６に係る異方導電性フィルムとＩＴＯ基板との光学顕微鏡画像。
【符号の説明】
【０１２９】
１ ＴＦＴアレイ基板
２ 対向基板
３ 偏光板
４ シール材
５ 液晶
６ ドライバＩＣ
１０ 異方導電性フィルム
１１ 導電性磁性粉体
１２ バインダー
２０ 塗膜
２１ 支持体
２２ 第1の磁石
２３ 第２の磁石
３０ 半硬化膜
３１ ＴＦＴ側電極
３２ ドライバ側電極
１００ 液晶表示パネル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方導電性樹脂組成物に関する。また、異方導電性樹脂組成物により構成される異方導電性部材、及びその実装方法に関する。さらに、前記異方導電性部材を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の小型化、高性能化等が進んでおり、各種微細回路接続に、バインダー樹脂中に導電性粒子を分散させた異方導電性フィルムが多用されるようになってきた。近時においては、電子部品の軽薄短小化や高性能化が急速に進む中で、ベアチップをガラス基板上に直接接続するＣＯＧ（Chip on Glass）技術、若しくはプリント基板上に直接接続するＣＯＢ（Chip on Boad）技術等を、異方導電性部材を用いて行おうとする動きが強まってきている。
【０００３】
異方導電性フィルムは、導電性微粒子をバインダー樹脂中に所定量含有したものであり、相対峙させた電極間に挟持し、加熱圧着（例えば、１７０℃×５ｓ、５０−１５０ＭＰａ）することにより複数の電極を一括接続することが可能である。
【０００４】
従来より、加熱圧着タイプの異方導電性フィルムの特性向上の検討が精力的になされてきた（例えば、特許文献１）。異方導電性部材に使用される導電性微粒子としては、従来から、金属微粉末、めっき等で金属被覆を行った有機系、無機系の粒子などが用いられている。異方導電性部材の特性向上を目的として、表面に磁性及び導電性が付与された繊維を、導電性微粒子として用いることが提案されている（特許文献２、３）。また、本発明者らのグループは、先般、バインダー樹脂中に含有する導電性微粒子として、配向制御しやすく、かつ、金属又は金属合金に由来する導電性と強度を維持したまま、軽量化を実現できる導電性磁性粉体を提案した（特許文献４−６）。なお、特許文献７については、後述する。
【特許文献１】特開２００６−３３５９２６号公報
【特許文献２】特開２００１−２９１４３１号公報
【特許文献３】特開２００２−１２４３１８号公報
【特許文献４】特開２００５−２６４２１４号公報
【特許文献５】特開２００６−１５６１９６号公報
【特許文献６】特開２００８−２１５１３号公報
【特許文献７】ＷＯ２００５／０３３０６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
微細加工技術の著しい進展に伴って、接続ピッチの微細化や接続の細幅化が急速に進んできている。そのため、接続時の加熱により、各種材料の伸びのために接続部分にずれが生じたり、接続部分が細幅のため接続時の温度で周辺部材が熱的影響を受けたり、また、接続時の加熱により反りが発生したり、配線が断線したりするという問題等が生じてきた。近年においては、異方導電性部材を用いる用途、基材も多様化してきており、ＣＯＦ（Chip on Film）などフィルムに異方導電部材を用いる場合もある。このような場合には、接続時の加熱による反りの問題はより一層深刻となり、接続ピッチの微細化を実現することは困難である。このため、これらの問題を回避可能な技術が切望されている。
【０００６】
本発明は、上記背景に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、接続ピッチの微細化に対応可能な異方導電性樹脂組成物、及びこれを用いた異方導電性部材及び異方導電性部材の実装方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る異方導電性樹脂組成物は、棒状、かつ中空の導電性磁性粉体と、光重合性組成物を主成分とするバインダーとを含有し、前記光重合性組成物の活性光線照射前後の収縮率は、下記＜数１＞により算出した場合に７％以下のものである。
＜数１＞ 収縮率（％）＝１００×（ｄｐ−ｄＭ）／ｄｐ
式中のｄｐは、水中置換法（ＪＩＳ Ｋ７２３２−１９８２）による活性光線照射後の前記光重合性組成物の密度、ｄＭは、比重瓶法（ＪＩＳ Ｋ７１１２）による活性光線照射前の前記光重合性組成物の密度ものである。
【０００８】
本発明に係る異方導電性樹脂組成物によれば、光重合性組成物を主成分としているので、活性光線照射により異方導電性部材を形成することが可能である。このため、従来の加熱硬化型の異方導電性樹脂組成物に比して、加熱により生ずる問題点を解決することができる。すなわち、接続時の加熱により、各種材料の伸びのために接続部分にずれが生じたり、接続部分が細幅のため接続時の温度で周辺部材が熱的影響を受けたり、また、接続時の加熱により反りが発生したり、配線が断線するという問題や、残存した応力歪による経時破断の問題等を解決することができる。また、光重合性組成物の活性光線照射前後の収縮率を上記のものとすることにより寸法安定性に優れる。さらに、上記導電性磁性粉体を用いることにより、配向性を高め、かつ、分散性を高めることが可能となる。これらの結果、接続ピッチの微細化に対応可能な異方導電性樹脂組成物を提供することができる。
【０００９】
本発明の第1の態様に係る異方導電性部材の実装方法は、上記態様の異方導電性樹脂組成物の塗膜を支持体上に形成させ、前記導電性磁性粉体が所定の方向に配向するように磁場を印加し、前記導電性磁性粉体の配向状態を保持するように、活性光線を照射して前記塗膜を半硬化させ、前記半硬化させた塗膜を前記支持体から剥離して、電極間に挟持させて圧着し、前記塗膜に活性光線を照射するものである。
【００１０】
本発明の第２の態様に係る異方導電性部材の実装方法は、導電性磁性粉体と、光重合性組成物を主成分とするバインダーを含有する異方導電性樹脂組成物の塗膜を支持体上に形成させ、前記導電性磁性粉体が、前記塗膜の面内方向に一軸配向するように磁場を印加し、前記導電性磁性粉体の配向状態を保持するように、活性光線を照射して前記塗膜を半硬化させ、前記半硬化させた塗膜を前記支持体から剥離して、電極間に挟持させて圧着し、前記塗膜に活性光線を照射するものである。
【００１１】
本発明の第２の態様に係る異方導電性部材の実装方法は、導電性磁性粉体が、相対峙される電極面に対して略水平であって、かつ一軸配向している異方導電性部材を得ることができる。これにより、従来とは異なるニーズや用途への応用展開が可能である。
【００１２】
本発明の第１の態様に係る異方導電性部材は、上記態様の異方導電性樹脂組成物により構成される異方導電性部材であって、前記導電性磁性粉体は、相対峙される電極面に対して略垂直に、かつ、電極の長軸方向に配向しているものである。
【００１３】
本発明の第２の態様に係る異方導電性部材は、上記態様の異方導電性樹脂組成物により構成される異方導電性部材であって、前記導電性磁性粉体は、相対峙される電極面に対して略水平に、かつ、電極の長軸方向に配向しているものである。
【００１４】
本発明に係る電子機器は、上記態様の異方導電性部材を用いて、電子部品の接合が行われているものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、接続ピッチの微細化に対応可能な異方導電性樹脂組成物、及び異方導電性部材を提供することができるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。また、図中の各部材のサイズは、説明の便宜上のものであり実際とは異なる。
【００１７】
本実施形態１に係る電子機器は、例えば、半導体装置、プリント回路基板、液晶表示パネル、プラズマ表示パネル、エレクトロルミネッセンスパネル、又はフィールドエミッション表示パネルであり、本実施形態１に係る異方導電性部材を用いて電子部品の接合が行われているものである。本実施形態１においては、電子機器として液晶表示パネルを例として説明する。
【００１８】
図１は、本実施形態１に係る液晶表示パネルの要部の模式的側面図である。液晶表示パネル１００は、図１に示すように、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板１、対向基板２、偏光板３、シール材４、液晶５、ドライバＩＣ６、異方導電性フィルム１０等を備える。
【００１９】
液晶表示パネル１００は、図１に示すように、互いに対向配置されるＴＦＴアレイ基板１及び対向基板２と、両基板を接着するシール材４とで囲まれる空間に、液晶５が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１及び対向基板２としては、例えば、光透過性のあるガラス、ポリカーボネートなどの絶縁基板が用いられる。ＴＦＴアレイ基板１主面の端部近傍には、ドライバＩＣ６が直接実装されている。ドライバＩＣ６の近傍には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの配線基板（不図示）が外部配線として配設される。
【００２０】
ドライバＩＣ６は、ＣＯＧ（Chip On Glass）技術により、ＴＦＴアレイ基板１上に異方導電性フィルム１０を介して直接実装されている。異方導電性フィルム１０は、ＴＦＴアレイ基板１とドライバＩＣ６とを接着固定するとともに、ＴＦＴアレイ基板１に形成された複数の電極と、ドライバＩＣ６に形成された複数の電極とを一括して電気的に接続する役割を担う。なお、ＣＯＧ技術に代えて、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）によりドライバＩＣ６をＴＦＴアレイ基板１に接続してもよい。この場合にも、異方導電性フィルムを用いて、ＴＦＴアレイ基板１とＴＣＰとを接続固定することができる。外部からの各種信号は、外部配線を介してドライバＩＣ６に供給され、ドライバＩＣ６は、外部からの制御信号を異方導電性フィルム１０を介してＴＦＴアレイ基板１の走査信号線や表示信号線に供給する。
【００２１】
図２に、本実施形態１に係る異方導電性フィルム１０の模式的な斜視図を示す。異方導電性フィルム１０は、導電性磁性粉体１１と、光硬化性樹脂１２を備える。導電性磁性粉体１１は、異方導電性フィルム１０を介して相対峙される電極同士を電気的に接続する役割を担う。一方、光硬化性樹脂１２は、導電性磁性粉体１１の配向性を維持し、かつ導電性磁性粉体１１の異方的な導電性を発現させるための媒体としての役割を担う。また、相対峙する電極間の間隙を保持するスペーサとしての機能を果たす。
【００２２】
導電性磁性粉体１１は、図２に示すように棒状であって、導電性及び磁性を有するものを用いる。本実施形態１に係る導電性磁性粉体１１は、異方導電性フィルム１０の面に水平な方向に一軸配向している。この一軸配向の向きは、相対峙される電極（ＴＦＴアレイ基板１の電極と、ドライバＩＣ６の電極）の長軸方向と一致するように配設する。これにより、異方的導電性を発現することができる。光硬化性樹脂１２は、光重合性組成物に活性光線を照射することによって得られる。光硬化性樹脂の体積抵抗率は、１０９Ωｃｍ以上であることが好ましい。上限値は特に限定されないが、通常１０２０Ωｃｍ以下であり、より一般的には１０１５Ωｃｍ以下である。
【００２３】
次に、本実施形態１に係る異方導電性フィルム１０の製造方法について図３乃至図５の模式的な製造工程図を用いつつ説明する。まず、少なくとも光硬化性樹脂１２の前駆体となる光重合性組成物を主成分とするバインダー、導電性磁性粉体１１を含有する異方導電性樹脂組成物を用意する。光重合性組成物は、少なくとも、光重合性化合物と、光重合開始剤とを配合、又は混合することにより調製できる。光重合性化合物は、光重合性のモノマー、オリゴマー、又は／及びポリマーである。異方導電性樹脂組成物は、この光重合性組成物に、少なくとも導電性磁性粉体１１を配合又は混合することにより調製できる。後述する希釈剤（特に、非反応性希釈剤を含む希釈剤）に溶解（または懸濁）させることにより異方導電性樹脂組成物を調製してもよい。配合方法（混合方法）は、特に限定されず、慣用の方法を利用できる。
【００２４】
異方導電性樹脂組成物の粘度は、用途、塗布方式に応じて変動し得るが、通常は、１００〜１０，０００ｍＰａ・ｓとすることが好ましく、１０００〜４０００ｍＰａ・ｓとすることがより好ましい。粘度が１００未満の場合には、導電性磁性粉体とバインダーが比重さにより分離する場合があり、１０，０００を超えると、磁場印加による導電性磁性粉体の配向が抑制される恐れがある。
【００２５】
異方導電性組成物の塗膜形成を行う直前には、異方導電性樹脂組成物中に混入したゴミや、導電性磁性粉体１１の凝集物を除去するために、フィルターを用いて濾過を行うことが好ましい。これにより、異方導電性フィルム１０中に導電性磁性粉体１１の凝集物が生じたり、ゴミ等が混入したりすることを防ぐことができる。
【００２６】
濾過処理後、支持体２１上に異方導電性樹脂組成物の塗膜２０を支持体（基材）２１上に形成する。支持体２１としては、フィルム、シート、板状体等を用いることができる。ここでは、シート状の支持体２１を用いる。塗工方法については、公知の方法を利用することができる。例えば、スピンコート法、ローラコート法、バーコート法、ディップコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、ダイコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、ニーダーコート法、フローコーティング法、スクリーン印刷法、キャスト法などが挙げられる。特に、バーコート法、ダイコート法、若しくはグラビアコート法のうちのマイクログラビア法を好適に用いることができる。マイクログラビア法は、ロールを搬送方向に回転する塗工方式であり、回転数に応じて、簡便に膜厚を調整でき、均一な膜厚が得やすいという特徴を有する。グラビアロール径としては、ロールの交換を簡便に実施する観点から、２〜５ｃｍ程度のものを好適に用いることができる。
【００２７】
異方導電性樹脂の塗膜２０を形成後、慣用の方法により乾燥処理を行ってもよく、必要に応じて加熱により乾燥させてもよい。乾燥における加熱温度は、重合開始剤や希釈剤（非反応性希釈剤）の種類などに応じて、適宜選択でき、通常、４０〜２５０℃程度である。また、乾燥処理は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気中または空気中において行ってもよく、常圧下または減圧下で行ってもよい。
【００２８】
異方導電性樹脂の塗膜２０の厚みは、特に限定されないが、１〜５０μｍとすることが好ましく、２〜２５μｍとすることがより好ましい。１μｍ未満とすると導電性磁性粉体の配向が抑制されたり、自己支持性の異方導電性フィルムが得られなかったりする恐れがある。一方、塗膜の膜厚が５０μｍ以上であると、圧着による実装時に配向の乱れが生じる恐れがある。
【００２９】
次いで、塗膜２０が形成された支持体２１を磁場中に搬送する。磁場の形成方法は、公知の方法を利用することができる。本実施形態１においては、第1の磁石２２、第２の磁石２３を近接位置に対向配置させることにより磁場を発生させた。本実施形態１においては、第1の磁石２２のＮ極と、第２の磁石２３のＮ極とが互いに対向配置するように設置した。無論、Ｓ極同士を対向配置させるようにしてもよい。第1の磁石２２と第２の磁石２３とは、同極同士を対向配置させているため、磁石の端部においては、磁石の対向面に対して略水平な方向の磁力線が、磁石の中央領域においては、磁石の対向面に対して略垂直な方向の磁力線が発生する。
【００３０】
図４（ａ）に、塗膜２０が形成された支持体２１を磁場中に搬送した際の磁力線の方向を説明するための模式図を、図４（ｂ）に、塗膜２０中の導電性磁性粉体１１の配向方向を説明するための模式図を示す。図４（ａ）中の符号２４は、磁力線を示す。導電性磁性粉体１１は、未硬化の光重合性組成物中に分散されているので磁場中に搬送されると、ランダムな配向状態から磁力線の方向と平行に導電性磁性粉体の長軸が配向した状態となる。
【００３１】
第1の磁石２２と第２の磁石２３とは、磁石の端部においては、図４（ａ）に示すように磁石の対向面に対して略水平な方向の磁力線が、磁石の中央領域においては、磁石の対向面に対して略垂直な方向の磁力線が発生する。従って、図４（ａ）に示すように、点線Ａ１で囲まれた図中の磁石左側端部領域と対向する塗膜２０の導電性磁性粉体１１は、図４（ｂ）に示すように略水平方向に配列し、１点鎖線Ａ２で囲まれた磁石中央領域と対向する塗膜２０の導電性磁性粉体１１は、磁石面に対して略垂直方向に配列する。さらに、２点鎖線Ａ３で囲まれた図中の磁石右側端部領域と対向する塗膜２０の導電性磁性粉体１１は、再び略水平方向に配列する。
【００３２】
第1の磁石２２と第２の磁石２３とを通過した直後の導電性磁性粉体１１は、磁石端部の略水平方向の磁力線の影響を受けて、磁石面に対して略水平方向に、かつ搬送方向に配列する。この状態が保持されているタイミング（磁極間を通過中、若しくは通過後）にて活性光線を照射し（図３参照）、導電性磁性粉体１１の配向性が保持されるように光重合性組成物を半硬化させる。これにより、異方導電性樹脂組成物からなる半硬化膜３０が得られる。
【００３３】
光照射源としては、例えば、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、水素ランプ、重水素ランプ、蛍光灯、ハロゲンランプ、エキシマレーザー、窒素レーザー、色素レーザー、ヘリウム−カドミウムレーザーが例示できる。光照射エネルギー量は、用途、塗膜の膜厚などによって異なるが、通常、０．１〜１００００ｍＪ／ｃｍ２程度、好ましくは０．５〜２０００ｍＪ／ｃｍ２程度である。光照射強度は、通常、１〜１０００ｍＷ／ｃｍ２程度である。光照射の波長は、２００〜１１００ｎｍの範囲であり、２５０〜４００ｎｍの紫外線を好ましく用いることができる。活性光線が４００ｎｍを超える可視光領域のものを用いる場合、光重合性組成物の半硬化プロセスや半硬化後の実装プロセスにおいて、暗室下で行う必要が生じる。光照射は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気中、又は空気中において行ってもよく、また、常圧下、加圧下又は減圧下で行ってもよい。
【００３４】
導電性磁性粉体１１の一軸配向を良好に得るためには、磁場の大きさ、支持体２１の搬送速度、活性光線の照射タイミングが重要なファクターとなる。搬送速度が速すぎたり、活性光線の照射タイミングが遅すぎたりすると、導電性磁性粉体１１の配向度の低下を招来する。活性光線の照射タイミングは、磁石間を通過後でなく、磁石間の通過中とすることもできる。なお、「光重合性組成物を半硬化させる」とは、導電性磁性粉体１１の配向が保持でき、後述する支持体２１の剥離が可能であって、かつ、後述する圧着工程において導電性磁性粉体１１が半硬化膜３０をつきやぶって露出することができるものであればよい。
【００３５】
次いで、半硬化膜３０が積層された支持体２１を所望の大きさにカットする。そして、カットされた支持体２１をＴＦＴアレイ基板１の端部近傍のドライバＩＣ６を実装する位置に、半硬化膜３０がＴＦＴアレイ基板１のＴＦＴ側電極３１が形成されている面と接触するように載置する（図５（ａ）参照）。この際、ＴＦＴ側電極３１の電極の長軸方向と、半硬化膜３０の導電性磁性粉体１１の一軸配向方向が一致するように載置する。その後、支持体２１を剥離する。なお、支持体２１は、この剥離工程において、半硬化膜３０から良好に剥離可能なものを選定する。例えば、シリコーン樹脂やフッ素樹脂をコートした剥離性フィルム等を好適に用いることができる。
【００３６】
、
支持体２１を剥離後、半硬化膜３０上にドライバＩＣ６を実装する（図５（ｂ）参照）。この際、ドライバＩＣ６のドライバ側電極３２と、ＴＦＴ側電極３１とが相対峙される位置に配置する。次いで、図５（ｃ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１とドライバＩＣ６との圧着を行う。これにより、半硬化膜３０中に埋設されている導電性磁性粉体１１が、半硬化膜３０をつきやぶり、ＴＦＴ側電極３１若しくはドライバ側電極３２と接触する。また、分散されていた導電性磁性粉体１１を上下方向に圧縮させ、相互に接触せしめることができる。これにより、導電性磁性粉体１１が膜厚方向に導電パスを形成する。そして、相対峙される複数のＴＦＴ側電極３１と、ドライバ側電極３２とを導電性磁性粉体１１を介して一括して電気的に接続させることができる。導電性磁性粉体１１は、ＴＦＴ側電極３１、ドライバ側電極３２の長軸方向と一致させた方向に配向しているので、隣接する電極とは導通しない。
【００３７】
圧縮工程により導電性磁性粉体１１を介して相対峙される電極間が電気的に接続された状態にて、活性光線をＴＦＴアレイ基板側１から照射する。これにより、半硬化膜３０がさらに硬化せしめられる。これにより、ＴＦＴアレイ基板１上に形成されたＴＦＴ側電極３１と、ドライバＩＣ６上に形成されたドライバ側電極３２とが電気的に接続されるとともに、ＴＦＴアレイ基板１とドライバＩＣ６が異方導電性フィルム１０を介して固設される。
【００３８】
ＴＦＴ側電極３１は、ＩＴＯ等の透明性導電膜とすることが好ましい。これにより、電極形成部位と、非電極形成部位とで差異なく光重合性組成物の硬化を進行せしめることができる。また、ＩＴＯ等の透明性導電膜に代えてＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ等の金属膜を電極として用い、電極形成部位をデュアル硬化させてもよい。デュアル硬化とは、バインダー中に、光重合性組成物のみならず、熱重合開始剤、熱重合性組成物を予め添加しておき、光照射工程により発生する塗膜内の熱により熱重合を進行させる方法である。これにより、Ａｌ等の非透過性の電極を配設した場合においても、非透過部の光重合性組成物の硬化を進行せしめることができる。特に、電極ピッチが狭ピッチの場合により効果的に利用することができる。
【００３９】
なお、異方導電性フィルム１０中の光硬化性樹脂１２は、すべての領域において十分に硬化することは必ずしも必要ではなく、Ａｌ等の非透過性の電極にマスクされた光重合性組成物は、半硬化の状態であってもよい。電極が配設されていない光透過領域において、光重合性組成物を十分に硬化せしめることにより、光透過領域がスペーサのように機能して機械的強度を維持することが可能である。
【００４０】
次に、本実施形態１に好適に用いられる異方導電性樹脂組成物について説明する。本実施形態１に係る異方導電性樹脂組成物は、導電性磁性粉体１１と、活性光線の照射により光硬化性樹脂１２となる光重合性組成物を主成分とするバインダーを主要構成成分とする。
【００４１】
導電性磁性粉体１１は、棒状であって、磁性、及び導電性が付与されたものである。導電性磁性粉体１１のバインダーに対する添加量は、用いる用途、求められる性能により変動し得るが、通常は、バインダー１００重量部に対して、５〜４０重量部とすることが好ましく、８〜３０重量部とすることが更に好ましい。導電性磁性粉体１１の添加量が５重量部未満の場合には、導電性磁性粉体が少ないことに起因して、接続電極間の接続不良が生ずる場合があり、４０重量部を超える場合には、導電性磁性粉体が多いことに起因して、磁場による配向が起こりにくくなる場合がある。
【００４２】
導電性磁性粉体１１の主成分は、金属、金属合金又は金属酸化物とすることが好ましい。金属としては、特に限定されるものではないが、磁性を有する金属（ニッケル、コバルト、鉄等）が含まれるようにする。ニッケル、コバルト、鉄の他、金、銀、銅、アルミニウム、白金、鈴、鉛、亜鉛、チタン、クロム、マンガン、ジルコニウム、タングステン、インジウム等も好適な例として挙げることができる。上記金属の金属酸化物も好適な例として挙げることができる。上記金属、金属合金又は金属酸化物は、単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４３】
導電性磁性粉体１１の特に好ましい金属としては、加工性、導電性に優れ、磁化の保磁力が小さく、価格も安価なニッケルを挙げることができる。Ｎｉ化合物としては、Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ａｌ、Ｎｉ−Ｓｎ，Ｎｉ−Ａｕ等の各種Ｎｉ化合物を挙げることができる。中でも、Ｎｉ−Ｐは特に好ましい例として挙げることができる。Ｎｉ−Ｐを用いる場合、導電性磁性粉体中のリン含有量は２〜１５重量％とすることが好ましい。
【００４４】
導電性磁性粉体１１は、中空形状とすることが好ましい。中空形状とすることにより、金属又は金属合金に由来する導電性と強度を維持したまま軽量化を実現できる。軽量化の実現により、導電性磁性粉体がフィルム内に沈降することを抑制し、分散性を高めることができる。また、配向制御しやすい異方導電材料を得ることができる。中空形状の導電性磁性粉体は、例えば、上記特許文献４〜６に記載の方法により製造することができる。
【００４５】
導電性磁性粉体１１の保磁力は、１〜５００Ｏｅの範囲とすることが好ましく、１０〜３００Ｏｅとすることが更に好ましい。保磁力が１〜５００Ｏｅを超えた範囲においては、磁場を印加した際に、導電性磁性粉体の配向方向が不揃いとなる場合がある。導電性磁性粉体１１の飽和磁化は、０．１〜５５ｅｍｕ／ｇの範囲とすることが好ましく、５〜３０ｅｍｕ／ｇとすることが更に好ましい。飽和磁化が０．１ｅｍｕ／ｇ未満であると、磁場を印加しても導電性磁性粉体の配向を行うことができない場合がある。一方、５５ｅｍｕ／ｇを超えると、導電性磁性粉体の磁化が大きくなりすぎて、配向した粉体間の距離が大きくなり、異方導電材料の性能を低下させる場合がある。また、導電性磁性粉体１１の体積抵抗率は、１０−６〜１０２Ω・ｃｍとすることが好ましく、１０-５〜１０１Ω・ｃｍとすることがより好ましい。体積抵抗率が１０２Ω・ｃｍ未満であると、異方導電材料に電圧を印加すると抵抗加熱が起こる場合がある。
【００４６】
導電性磁性粉体１１の内径は、０．１〜１μｍの範囲とすることが好ましい。また、導電性磁性粉体１１の長さは、０．５〜２０μｍであることが好ましく、１〜１０μｍであることが更に好ましい。内径が０．１μｍ未満であると、中空形状として軽量化するという利点が得られにくくなり、一方、１μｍを超えると、強度が低下し、異方導電材料作製時に中空形状を維持できなくなる場合がある。また、長さが０．５μｍ未満であると、電気的な接続にムラができる場合があり、２０μｍを超えると、配向のモーメントが大きくなるため、大きな印加磁場が必要となる。このため、導電性磁性粉体の配向制御を行うのに必要な電磁石の電力量が多くなり、コストが高くなる場合がある。
【００４７】
導電性磁性粉体１１のアスペクト比（導電性磁性粉体の長さ／導電性磁性粉体の外径）は、２〜１００の範囲とすることが好ましく、５〜２０とすることが更に好ましい。アスペクト比が２未満であると、球形に近くなり、配向制御が困難となる場合がある。一方、アスペクト比が１００を超えると、配向のモーメントが大きくなり、エネルギー的に配向が困難となる場合がある。
【００４８】
導電性磁性粉体１１の肉厚は、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましく、２０ｎｍ〜１５０ｎｍとすることが更に好ましい。肉厚が１０ｎｍ未満であると、強度が低下する場合があり、一方、２００ｎｍを超えると、軽量化のメリットが得にくくなる場合がある。また、中空形状材料とするための鋳型除去が行えない場合がある。
【００４９】
バインダーの主成分である光重合性組成物は、前述したように、活性光線の照射により硬化せしめられて光硬化性樹脂となる。光重合性組成物は、光重合性のモノマー、オリゴマー又は／及びポリマーを主成分とする。また、光重合性組成物には、光重合開始剤等の添加剤も含まれる。前述のデュアル重合を行う場合には、バインダー中に熱重合開始剤（熱ラジカル重合剤等）や熱重合性化合物を添加する。
【００５０】
光重合性組成物としては、活性光線照射前後の収縮率が、下記＜数１＞により算出した場合に７％以下となるものを用いることが好ましい。
＜数１＞ 収縮率（％）＝１００×（ｄｐ−ｄＭ）／ｄｐ
式中のｄｐは、水中置換法（ＪＩＳ Ｋ７２３２−１９８２）による活性光線照射後の光重合性組成物の密度、ｄＭは、比重瓶法（ＪＩＳ Ｋ７１１２）による活性光線照射前の光重合性組成物の密度を示す。なお、ここで言う「活性光線照射後の光重合性組成物」とは、活性光線の照射により、実際に電子機器等において使用可能な状態となった光硬化性樹脂のことである。
【００５１】
光重合性組成物の活性光線照射前後の収縮率が７％以下のものを用いることにより、光硬化後に生ずる応力歪を低下させることができる。収縮率は、小さいほど好ましいので特にその下限は限定されないが、入手容易性の観点からは、０．５％以上とすることが好ましい。より好ましい範囲は、１〜４％の範囲のものである。
【００５２】
光重合性組成物は、フルオレン構造を含有する光重合性化合物を主成分とするものを好適な例として挙げることができる。また、アダマンチル基を含有する光重合性化合物も好適な例として挙げることができる。とりわけ、フルオレン構造を含有する光重合性化合物を主成分とする光重合性組成物は、導電性磁性粉体、特に前述した中空形状の導電性磁性粉体との分散性が良好であるので特に好ましい。これらの構造を採用することにより、光硬化前後の収縮率を低減させることができる。
【００５３】
特に好ましいフルオレン構造を有する光重合性化合物としては、下記一般式（１）で表わされるフルオレン構造を含有する（メタ）アクリレートを挙げることができる。
【化２】
式中、Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ２ａ及びＲ２ｂは置換基を示し、Ｒ３ａ及びＲ３ｂはアルキレン基を示し、Ｒ４ａ及びＲ４ｂは水素原子又はメチル基を示す。ｋ１及びｋ２は０〜４の整数を示し、ｍ１及びｍ２は０〜４の整数を示し、ｎ１及びｎ２は０又は１以上の整数を示し、ｐ１及びｐ２は１〜４の整数を示す。但し、ｍ１＋ｐ１及びｍ２＋ｐ２は、１〜５の整数である。上記一般式（１）の化合物は、上記特許文献７に従って製造することができる。
【００５４】
基Ｒ１ａ及びＲ１ｂで表される置換基としては、特に限定されないが、通常、アルキル基である場合が多い。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基などのＣ１−６アルキル基（例えば、Ｃ１−４アルキル基、特にメチル基）などが例示できる。基Ｒ１ａ及びＲ１ｂは互いに異なっていてもよく、同一であってもよい。また、基Ｒ１ａ（又はＲ１ｂ）は、同一のベンゼン環において、異なっていてもよく、同一であってもよい。なお、フルオレン骨格を構成するベンゼン環に対する基Ｒ１ａ（又はＲ１ｂ）の結合位置（置換位置）は、特に限定されない。好ましい置換数ｋ１及びｋ２は、０又は１、特に、０である。なお、置換数ｋ１及びｋ２は、異なっていてもよいが、通常、同一である。
【００５５】
置換基Ｒ２ａ及びＲ２ｂとしては、アルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基などのＣ１−２０アルキル基、好ましくはＣ１−８アルキル基、さらに好ましくはＣ１−６アルキル基など）、シクロアルキル基（シクロペンチル基、シクロヘキシル基などのＣ５−１０シクロアルキル基、好ましくはＣ５−８シクロアルキル基、さらに好ましくはＣ５−６シクロアルキル基など）、アリール基［フェニル基、アルキルフェニル基（メチルフェニル基（トリル基）、ジメチルフェニル基（キシリル基）など）などのＣ６−１０アリール基、好ましくはＣ６−８アリール基、特にフェニル基など］、アラルキル基（ベンジル基、フェネチル基などのＣ６−１０アリール−Ｃ１−４アルキル基など）などの炭化水素基；アルコキシ基（メトキシ基などのＣ１−４アルコキシ基など）；ヒドロキシル基；ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基（ヒドロキシ（ポリ）Ｃ２−４アルキレンオキシ基など）；アシル基（アセチル基などのＣ１−６アシル基など）；アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニル基などのＣ１−４アルコキシカルボニル基など）；ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子など）；ニトロ基；シアノ基などが挙げられる。
【００５６】
なお、前記ヒドロキシル基又はヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基は、後述する多官能性（メタ）アクリレートの製造方法において、原料となる多価アルコールの残基（（メタ）アクリル酸又はその誘導体と反応しなかった基）である場合が多い。
【００５７】
好ましい置換基Ｒ２ａ（又はＲ２ｂ）は、アルキル基（Ｃ１−６アルキル基）、シクロアルキル基（Ｃ５−８シクロアルキル基）、アリール基（Ｃ６−１０アリール基）、アラルキル基（Ｃ６−８アリール−Ｃ１−２アルキル基）、ヒドロキシル基、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基（ヒドロキシ（ポリ）Ｃ２−４アルキレンオキシ基）である。これらのうち、特に、Ｃ１−４アルキル基、Ｃ１−４アルコキシ基、Ｃ６−８アリール基が好ましい。置換基Ｒ２ａ（又はＲ２ｂ）は、単独で又は２種以上組み合わせてベンゼン環に置換していてもよい。また、基Ｒ２ａ及びＲ２ｂは互いに同一又は異なっていてもよいが、通常、同一である。また、基Ｒ２ａ（又はＲ２ｂ）は、同一のベンゼン環において、異なっていてもよく、同一であってもよい。
【００５８】
また、置換基Ｒ２ａ（又はＲ２ｂ）の置換位置は、特に限定されず、（メタ）アクリロイルオキシ基又は（メタ）アクリロイルオキシ（ポリ）アルコキシ基（以下、（メタ）アクリロイルオキシ基含有基と総称する場合がある）の置換位置に応じて、フェニル基の２〜６位（例えば、２位、５位、２，５−位など）に置換できる。
【００５９】
好ましい置換数ｍ１及びｍ２は、（メタ）アクリロイルオキシ基含有基の置換数にもよるが、０〜２、さらに好ましくは０〜１（特に０）である。なお、置換数ｍ１及びｍ２は、異なっていてもよいが、通常、同一である場合が多い。
【００６０】
Ｒ３ａ及びＲ３ｂで表されるアルキレン基としては、限定されないが、例えば、Ｃ２−４アルキレン基（エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、ブタン−１，２−ジイル基など）などが例示でき、特に、Ｃ２−３アルキレン基（特に、エチレン基、プロピレン基）が好ましい。なお、Ｒ３ａ及びＲ３ｂは互いに同一の又は異なるアルキレン基であってもよいが、通常、同一のアルキレン基である。
【００６１】
アルコキシ基の置換数（付加数）ｎ１及びｎ２は、同一又は異なって、０〜１５程度の範囲から選択でき、例えば、０〜１２（例えば、１〜１２）、好ましくは０〜８（例えば、１〜８）、さらに好ましくは０〜６（例えば、１〜６）、特に０〜４（例えば、１〜４）程度であってもよい。また、ｎ１とｎ２の和（ｎ１＋ｎ２）は、０〜３０程度の範囲から選択でき、例えば、０〜２４（例えば、２〜２４）、好ましくは０〜１６（例えば、２〜１２）、さらに好ましくは０〜１２（例えば、２〜１０）、特に０〜８（例えば、２〜８）程度であってもよい。なお、ｎ１（又はｎ２）が２以上の場合、ポリアルコキシ（ポリアルキレンオキシ）基は、同一のアルコキシ基で構成されていてもよく、異種のアルコキシ基（例えば、エトキシ基とプロピレンオキシ基）が混在して構成されていてもよいが、通常、同一のアルコキシ基で構成されている場合が多い。
【００６２】
（メタ）アクリロイルオキシ基含有基の置換数ｐ１及びｐ２は、１〜２が好ましく、特に１が好ましい。また、ｐ１とｐ２との和（ｐ１＋ｐ２）は、例えば、２〜８、好ましくは２〜４程度（特に２）であってもよい。なお、置換数ｐ１及びｐ２は、異なっていてもよいが、通常、同一である場合が多い。（メタ）アクリロイルオキシ基含有基の置換位置は、特に限定されず、ｐ１（又はｐ２）の数に応じて、フルオレンの９位に置換するフェニル基の２〜６位から選択でき、ｐ１（又はｐ２）が２の場合、例えば、３，４−位、３，５−位などであってもよい。１つの（メタ）アクリロイルオキシ基含有基が、通常、４位に置換していてもよい。
【００６３】
なお、同一のベンゼン環に置換する複数の（メタ）アクリロイルオキシ基含有基は、同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、複数の（メタ）アクリロイルオキシ基含有基が、（ｉ）ｎ１＝０（ｎ２＝０）である（メタ）アクリロイルオキシ基単独で構成されていてもよく、（ｉｉ）ｎ１＝０（ｎ２＝０）である（メタ）アクリロイルオキシ基とｎ１≠０（ｎ２≠０）である（メタ）アクリロイルオキシ（ポリ）アルコキシ基（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ基など）とで構成されていてもよく、（ｉｉｉ）ｎ１≠０（ｎ２≠０）である同一の（メタ）アクリロイルオキシ（ポリ）アルコキシ基単独で構成されていてもよく、（ｉｖ）ｎ１≠０（ｎ２≠０）である異なる（メタ）アクリロイルオキシ（ポリ）アルコキシ基［例えば、２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ基と２−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）エトキシ基］で構成されていてもよい。
【００６４】
前記式（１）で表される代表的な多官能性（メタ）アクリレートとしては、例えば、９，９−ビス（ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン類、９，９−ビス（トリ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン類、これらに対応する多価アルコール［９，９−ビス（ジ又はトリヒドロキシフェニル）フルオレン類］のアルキレンオキシド（Ｃ２−４アルキレンオキシド）付加体の（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
【００６５】
９，９−ビス（ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン類には、例えば、９，９−ビス（ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン［９，９−ビス（３，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（２，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（２，５−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレンなど］、置換基を有する９，９−ビス（ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン｛例えば、９，９−ビス（アルキル−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン［９，９−ビス（３，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシ５−メチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシ６−メチルフェニル）フルオレンなどの９，９−ビス（Ｃ１−４アルキル−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（２，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシ３，６−ジメチルフェニル）フルオレンなどの９，９−ビス
（ジＣ１−４アルキル−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレンなど］、９，９−ビス（アルコキシ−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン［例えば、９，９−ビス（３，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシ−５−メトキシフェニル）フルオレンなどの９，９−ビス（Ｃ１−４アルコキシ−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレンなど］、９，９−ビス（アリール−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン［例えば、９，９−ビス（３，４−ジ（メタ）アクリロイルオキシ−５−フェニルフェニル）フルオレンなどの９，９−ビス（Ｃ６−８アリール−ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレンなど］など｝などが含まれる。
【００６６】
９，９−ビス（トリ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン類には、上記９，９−ビス（ジ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン類に対応するフルオレン類、例えば、９，９−ビス（２，４，６−（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（２，４，５−トリ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３，４，５−トリ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレンなどの９，９−ビス（トリ（メタ）アクリロイルオキシフェニル）フルオレンなどが含まれる。
【００６７】
９，９−ビス（ジヒドロキシフェニル）フルオレン類のアルキレンオキシド付加体の（メタ）アクリレートには、例えば、９，９−ビス［３，４−ジ（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレンなどの９，９−ビス［ジ（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−４アルコキシ）フェニル］フルオレン（ｎ１＝ｎ２＝１）、９，９−ビス｛３，４−ジ［２−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）エトキシ］フェニル｝フルオレンなどの９，９−ビス｛ジ［２−（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−４アルコキシ）Ｃ２−４アルコキシフェニル］フルオレン｝（ｎ１＝ｎ２＝２）などが含まれる。
【００６８】
９，９−ビス（トリヒドロキシフェニル）フルオレン類のアルキレンオキシド付加体の（メタ）アクリレートには、例えば、９，９−ビス［３，４，５−トリ（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレンなどの９，９−ビス［ジ（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−４アルコキシ）フェニル］フルオレン（ｎ１＝ｎ２＝１）、９，９−ビス｛３，４，５−トリ［２−（２−（メタ）アクリロイルオキシエトキシ）エトキシ］フェニル｝フルオレンなどの９，９−ビス｛トリ［２−（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−４アルコキシ）Ｃ２−４アルコキシフェニル］フルオレン｝（ｎ１＝ｎ２＝２）などが含まれる。
【００６９】
これらの多官能性（メタ）アクリレートのうち、特に、９，９−ビス（ジヒドロキシフェニル）フルオレン類のＣ２−４アルキレンオキサイド付加体の（メタ）アクリレート｛例えば、９，９−ビス［ジ（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−３アルコキシ）フェニル］フルオレン、９，９−ビス｛ジ［２−（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−３アルコキシ）Ｃ２−３アルコキシ］フェニル｝フルオレンなど｝、９，９−ビス（トリヒドロキシフェニル）フルオレン類のＣ２−４アルキレンオキサイド付加体の（メタ）アクリレート｛例えば、９，９−ビス［トリ（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−３アルコキシ）フェニル］フルオレン、９，９−ビス｛トリ［２−（２−（メタ）アクリロイルオキシＣ２−３アルコキシ）Ｃ２−３アルコキシ］フェニル｝フルオレンなど｝などが好ましい。
【００７０】
本発明の多官能性（メタ）アクリレートは、高反応性の（メタ）アクリロイルオキシ基含有基を多数有しているので、重合速度を向上できるとともに、硬化物の架橋密度を著しく大きくでき、高硬度の硬化物を効率よく得ることができる。
【００７１】
光重合性組成物中に含まれる光重合開始剤としては、公知の各種光重合開始剤を用いることができる。例えば、ベンゾイン類（ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルなどのベンゾインアルキルエーテル類など）、アセトフェノン類（アセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノンなど）、アミノアセトフェノン類｛２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノアミノプロパノン−１、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１など｝、アントラキノン類（アントラキノン、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノンなど）、チオキサントン類（２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントンなど）、ケタール類（アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタールなど）、ベンゾフェノン類（ベンゾフェノンなど）、キサントン類などが例示できる。これらの光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７２】
また、光重合開始剤は、光増感剤と組み合わせてもよい。光増感剤としては、第３級アミン類｛例えば、トリアルキルアミン、トリアルカノールアミン（トリエタノールアミンなど）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチル［ｐ−（ジメチルアミノ）安息香酸エチルなど］、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸アミル［ｐ−（ジメチルアミノ）安息香酸アミルなど］などのジアルキルアミノ安息香酸アルキルエステル、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン（ミヒラーズケトン）などのビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノン、４−（ジメチルアミノ）ベンゾフェノンなどのジアルキルアミノベンゾフェノンなど｝などの慣用の光増感剤などが挙げられる。光増感剤は、単独で又は２種以上組み合わせてもよい。
【００７３】
重合開始剤（及び光増感剤の総量）の使用量は、多官能性（メタ）アクリレート１００重量部に対して０．１〜３０重量部（例えば、１〜３０重量部）、好ましくは１〜２０重量部（例えば、５〜２５重量部）、さらに好ましくは１．５〜１０重量部程度であってもよい。光重合開始剤の使用量は、少なすぎると、組成物の重合性（又は光硬化性）が低下し、一方、多すぎると、光重合開始剤自身の吸収により、厚膜での光硬化性が低下する恐れがある。
【００７４】
また、光増感剤の使用量は、重合開始剤（光重合開始剤）１００重量部に対して、５〜２００重量部、好ましくは１０〜１５０重量部、さらに好ましくは２０〜１００重量部程度であってもよい。
【００７５】
なお、前述したように、光重合開始剤に加えて熱重合開始剤を添加してもよい。熱重合開始剤としては、公知のものを利用することができる。例えば、ジアルキルパーオキサイド類（ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイドなど）、ジアシルパーオキサイド類［ジアルカノイルパーオキサイド（ラウロイルパーオキサイドなど）、ジアロイルパーオキサイド（ベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイルトルイルパーオキサイド、トルイルパーオキサイドなど）など］を挙げることができる。
【００７６】
反応性希釈剤（重合性希釈剤）としては、単官能性モノマー、多官能性モノマーなどが挙げられる。単官能性モノマーとしては、（メタ）アクリル酸アルキル［（メタ）アクリル酸メチルなどの（メタ）アクリル酸Ｃ１−６アルキルなど］、（メタ）アクリル酸シクロアルキル［（メタ）アクリル酸シクロヘキシルなどの（メタ）アクリル酸Ｃ５−８シクロアルキル、（メタ）アクリル酸イソボルニルなどの（メタ）アクリル酸ジ乃至テトラシクロアルキルエステルなど］、（メタ）アクリル酸アリール［（メタ）アクリル酸フェニルなど］、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート［（２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシＣ２−１０アルキル（メタ）アクリレートなど］、（ポリ）オキシアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート（ジエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、メトキシテトラエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレートなどの（ポリ）オキシＣ２−６アルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート）、アルコキシアルキル（メタ）アクリレート［（メタ）アクリル酸２−メトキシエチル、（メタ）アクリル酸３−メトキシブチルなどの（メタ）アクリル酸Ｃ１−４アルコキシアルキルなど］、Ｎ−置換（メタ）アクリルアミド（Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミドなどのＮ，Ｎ−ジＣ１−４アルキル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミドなどのＮ−ヒドロキシＣ１−４アルキル（メタ）アクリルアミドなど）、アミノアルキル（メタ）アクリレート（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレートなど）、グリシジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル系モノマーなどが例示できる。
【００７７】
多官能性モノマーには、二官能性（メタ）アクリレート、多官能性（メタ）アクリレート、エポキシ基含有化合物（グリセリンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリグリシジルイソシアヌレートなどのポリグリシジルエーテル類など）のポリ（例えば、ジ乃至ペンタ）（メタ）アクリレート、メラミンアクリレートなどが含まれる。
【００７８】
二官能性（メタ）アクリレートとしては、アルキレングリコールジ（メタ）アクリレート［エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレートなどのＣ２−１０アルキレングリコールジ（メタ）アクリレートなど］、（ポリ）オキシアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート［ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレートなどの（ポリ）オキシＣ２−６アルキレングリコールジ（メタ）アクリレートなど］、ビスフェノールＡ（又はそのＣ２−３アルキレンオキシド付加体）のジ（メタ）アクリレート、多価アルコール（又はそのＣ２−３アルキレンオキシド付加体）のジ（メタ）アクリレート［例えば、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリス（ヒドロキシエチル）イソシアヌレートジ（メタ）アクリレートなどのトリオールのジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレートなどのテトラオールのジ（メタ）アクリレートなど］などが例示できる。
【００７９】
多官能性（メタ）アクリレートとしては、多価アルコール（又はそのＣ２−３アルキレンオキシド付加体）の三官能又は多官能性（メタ）アクリレート、例えば、グリセリントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリ（メタ）アクリレート、トリス（ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレートなどのトリオールのトリ（メタ）アクリレート；ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレートなどのテトラオールのトリ又はテトラ（メタ）アクリレート；ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート；ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート；ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどが例示できる。
【００８０】
反応性希釈剤は、単独で又は２種以上を組み合わせてもよい。反応性希釈剤の使用量は、多官能性（メタ）アクリレート１００重量部に対して、０〜１００重量部の範囲から選択でき、例えば、１〜１００重量部、好ましくは１〜５０重量部、さらに好ましくは１〜３０重量部程度であってもよい。
【００８１】
希釈剤には、非反応性希釈剤も含まれる。非反応性希釈剤を使用すると、重合性組成物の塗布性などを改善できる。非反応性希釈剤（又は溶剤）としては、有機溶剤、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカンなどの脂肪族炭化水素類；エチルメチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類；カルボン酸エステル（酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートなどの酢酸エステル、乳酸ブチルなど）、炭酸エステル（炭酸プロピレンなど）などのエステル類；石油エーテル、石油ナフサ、ソルベントナフサなどの石油系溶剤などが例示できる。非反応性希釈剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８２】
非反応性希釈剤の使用量（添加量）は、塗布方法などにより異なるが、多官能性（メタ）アクリレート１００重量部に対して、０〜５００重量部の範囲から選択でき、通常、１０〜４００重量部、好ましくは２０〜３００重量部、さらに好ましくは３０〜２００重量部程度であってもよい。
【００８３】
異方導電性樹脂組成物には、バインダー中において導電性磁性粉体の分散性を向上させる観点から、シリカ粒子を添加することができる。シリカ粒子は、バインダー１００重量部に対して、５部以上、３０部以下とすることが好ましい。５重量部未満の場合には、分散性向上に効果を示さない場合があり、一方、３０重量部を超えると、導電性磁性粉体の磁場による配向を阻害することがある。シリカ粒子の粒子径は、５０ｎｍ〜２μｍの範囲のものを好適に用いることができる。粒子径が５０ｎｍ未満の場合には、分散性に効果を示さない場合がある。一方、粒子径が２μｍを超えると、導電性磁性粉体の磁場による配向を阻害する場合がある。これらは１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【００８４】
また、異方導電性部材の接着性を向上させるために、接着性向上剤を添加することができる。例えば、有機ケイ素化合物、有機酸アリルエステル、エポキシ開環触媒、又は有機チタン化合物からなるもの等を挙げることができる。これらは１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【００８５】
さらに、異方導電性樹脂組成物には、必要に応じて、本来の特性を損なわない範囲で、慣用の添加剤、例えば、着色剤、安定剤（熱安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤など）、充填剤、帯電防止剤、難燃剤（有機リン化合物、無機リン化合物などのリン含有化合物、ハロゲン含有難燃剤、金属酸化物、金属水酸化物、金属硫化物など）、難燃助剤、レベリング剤、シランカップリング剤、重合禁止剤（又は熱重合禁止剤）などを含んでいてもよい。添加剤は、単独で又は２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００８６】
添加剤（難燃剤など）の割合は、添加剤の種類に応じて適宜選択でき、例えば、多官能性（メタ）アクリレート１００重量部に対して、０．５〜１００重量部、好ましくは１〜５０重量部、さらに好ましくは１〜２０重量部程度であってもよい。
【００８７】
本実施形態１によれば、異方導電性部材（異方導電性フィルム１０）の製造プロセスに、加熱工程を含まず、光照射によりバインダーを硬化せしめているので、従来の熱圧着により生じていた問題を解決することができる。すなわち、接続時の加熱により、各種材料の伸びのために接続部分にずれが生じたり、接続部分が細幅のため接続時の温度で周辺部材が熱的影響を受けたり、接続時の加熱により反りが発生したり、配線が断線したりするという問題等を解決することができる。また、加熱圧着時に、導電性磁性粉体の配向性が崩れるという問題もない。また、光硬化時に低収縮率なポリマーを用いることにより、寸法安定性の高い異方導電性樹脂組成物を提供することができる。これらの結果、接続ピッチの微細化に対応可能な異方導電性樹脂組成物、異方導電性部材を提供することができる。
【００８８】
また、中空形状の導電性磁性粉体を用いることにより、軽量化を実現できる。その結果、異方導電性樹脂組成物中の分散性を高め、かつ、磁場中に異方導電性樹脂組成物の塗膜を搬送した際の配向時間を短縮化することができる。
【００８９】
なお、本発明は、加熱工程を行わずに光照射工程により異方導電性部材を提供し得るものであるが、異方導電性フィルムを電子部品に固設する際に一切の加熱工程を排除するものではなく、用途や求められる性能等に応じては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において最小限の加熱工程を行ってもよい。
【００９０】
また、本発明に係る異方導電性部材とは、電極間に挟持して圧着し、硬化工程を経たものに限定されず、圧着工程を行う前の、導電性磁性粉体が所定の方向に配向し、かつその配向が保持される程度に半硬化された状態の半硬化膜も含むものとする。また、本実施形態１においては、導電性磁性粉体が塗膜の面内方向に一軸配向した例について説明したが、これに限定されるものではなく、所定の方向に導電性磁性粉体が一軸配向しているものも含む。
【００９１】
また、本実施形態１においては、異方導電性部材としてフィルムとした例について説明したが、シート、塗料、接着材、粘着材、ペースト、インク等の種々の形態としての利用が可能である。また、異方導電性部材を液晶表示パネルの電子部品の接合に利用した例について説明したが、これに限定されるものではなく、電子機器をはじめとした種々の電子部品の接合に利用することができる。
【００９２】
［実施形態２］
次に、上記実施形態１とは異なる構造の異方導電性フィルムの一例について説明する。なお、以降の説明において、上記実施形態と同一の要素部材は同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。本実施形態２に係る異方導電性フィルムは、下記に説明する点を除く基本的な構成、及び製造方法は上記実施形態１と同様である。
【００９３】
図６に、本実施形態２に係る異方導電性フィルム１０ａの模式的な斜視図を示す。異方導電性フィルム１０ａは、導電性磁性粉体１１ａと、光硬化性樹脂１２を備える。本実施形態２に係る導電性磁性粉体１１ａは、異方導電性フィルム１０aの面に垂直な方向に配向している。これにより、異方的導電性を発現することができる。
【００９４】
次に、本実施形態２に係る異方導電性フィルム１０ａの製造方法について、図７及び図８を用いつつ説明する。まず、上記実施形態１と同様に異方導電性樹脂組成物を用意する。そして、異方導電性樹脂組成物を濾過処理した後、支持体２１上に例えばバーコート法により異方導電性樹脂組成物を塗布して、塗膜２０ａを得る（図７参照）。次いで、塗膜２０ａが形成された支持体２１を磁場中に搬送する。
【００９５】
本実施形態２においては、第1の磁石２２のＮ極と、第２の磁石２３のＳ極とが互いに対向配置するように設置した。そして、第１の磁石２２と第２の磁石２３とを、金属製容器２５の中に設置した。これにより、横方向の磁力線の染出しを無くし、塗膜２０ａの法線方向に一致する磁力線を得ることができる。支持体２１の搬送は、連続的に行っても、搬送を断続的に行うステップ搬送方式により行ってもよい。ステップ搬送方式によれば、磁場を小さくしても一軸配向性を得ることができる。
【００９６】
金属製容器２５を通過した直後の導電性磁性粉体１１ａは、磁石面に対して略垂直方向に配列する。この状態が保持されているタイミングにて活性光線を照射し（図７参照）、導電性磁性粉体１１の配向性が保持されるように光重合性組成物を半硬化させる。これにより、異方導電性樹脂組成物からなる半硬化膜３０ａが得られる。
【００９７】
次いで、半硬化膜３０ａが積層された支持体２１を所望の大きさにカットする。そして、カットされた支持体２１をＴＦＴアレイ基板１の端部近傍のドライバＩＣ６を実装する位置に、半硬化膜３０ａがＴＦＴアレイ基板１のＴＦＴ側電極３１が形成されている面と接触するように載置する。その後、支持体２１を剥離する。
【００９８】
支持体２１を剥離後、半硬化膜３０上にドライバＩＣ６を実装する。この際、ドライバＩＣ６のドライバ側電極３２と、ＴＦＴ側電極３１とが相対峙される位置に配置する。次いで、ＴＦＴアレイ基板１とドライバＩＣ６との圧着を行う。これにより、半硬化膜３０中に埋設されている導電性磁性粉体１１が、半硬化膜３０をつきやぶり、ＴＦＴ側電極３１若しくはドライバ側電極３２と接触する。また、分散されていた導電性磁性粉体１１を上下方向に圧縮させ、相互に接触せしめることができる。これにより、導電性磁性粉体１１が膜面方向に対して垂直方向に導電パスを形成し、相対峙される複数のＴＦＴ側電極３１と、ドライバ側電極３２とを導電性磁性粉体１１を介して一括して電気的に接続させることができる（図８参照）。
【００９９】
圧縮工程により導電性磁性粉体１１を介して相対峙される電極間が電気的に接続された状態にて、活性光線をＴＦＴアレイ基板側１から照射する。これにより、半硬化膜３０ａがさらに硬化せしめられる。これにより、ＴＦＴアレイ基板１上に形成されたＴＦＴ側電極３１と、ドライバＩＣ６上に形成されたドライバ側電極３２とが電気的に接続されるとともに、ＴＦＴアレイ基板１とドライバＩＣ６が異方導電性フィルム１０を介して固設される。
【０１００】
本実施形態２に係る異方導電性樹脂組成物は、導電性磁性粉体１１と、活性光線の照射により光硬化性樹脂１２となる光重合性組成物を主成分とするバインダーを主要構成成分とする。導電性磁性粉体１１は、棒状かつ中空であって、磁性、及び導電性が付与されたものである。導電性磁性粉体１１の好ましい添加量や特性は、上記実施形態１で説明したとおりである。バインダーの主成分である光重合性組成物は、上記＜数１＞により算出した場合に７％以下となるものを用いる。これにより、寸法安定性を実現することができる。光重合性組成物は、上記実施形態１と同様にフルオレン構造を含有する光重合性化合物を主成分とするものを好適な例として挙げることができる。好ましい例は、上記実施形態１で説明したとおりである。
【０１０１】
異方導電性樹脂組成物は、希釈剤（反応性希釈剤、非反応性希釈剤）を含んでいてもよい。具体例や、好ましい使用量は、上記実施形態１と同様である。また、バインダー中において導電性磁性粉体の分散性を向上させる観点から、シリカ粒子を添加することができる。また、異方導電性部材の接着性を向上させるために、接着性向上剤を添加することができる。さらに、本実施形態２に係る異方導電性樹脂組成物においても、本来の特性を損なわない範囲で、上記実施形態１と同様に慣用の添加剤を加えることができる。
【０１０２】
本実施形態２によれば、異方導電性フィルム１０ａの製造プロセスに、加熱工程を含まず、光照射によりバインダーを硬化せしめているので、従来の熱圧着により生じていた問題を解決し、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【０１０３】
＜実施例＞
以下、本発明を具体的実施例によりさらに詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【０１０４】
（実施例１）
光重合性組成物５００ｍｇ（１００部）にトルエン６０ｍｇ（１２部）を加え、試験管ミキサーを用いて２８００ｒｐｍの条件下で１分間撹拌した。この溶液に導電性磁性粉体５０ｍｇ（１０部、９．１ｗｔ％）を加え、２８００ｒｐｍの条件下で５分間混合撹拌することにより異方導電性樹脂組成物を得た。光重合性組成物としては、フルオレン骨格を有するアクリレートを主成分とするオグソールEA-F5010（大阪ガスケミカル株式会社製）を用いた。導電性磁性粉体としては、中空形状のＮｉ−Ｐマイクロロッドを用いた。導電性磁性粉体の長さは、２．６μｍ、幅は０．３５μｍのものを用いた。
【０１０５】
導電性磁性粉体の製造方法については、上記特許文献４および特許文献６に記載の方法により調製した。本実施例１においては、導電性磁性粉体として、保磁力１６０ｋＯｅ，質量飽和磁化１３ｅｍｕ／ｇ、内径０．１５μｍ、肉厚０．１μｍ、導電性磁性粉体自体の体積抵抗率が１０１Ωｃｍのものを用いた。
【０１０６】
異方導電性樹脂組成物を調製後、目開き２０μｍのフィルター濾過を行った。その後、９μｍの溝深さを有するバーコータにより、剥離性フィルム上に異方導電性樹脂組成物の塗膜を形成した。この塗膜付き剥離性フィルムを、磁場０．３Ｔのサマコバ磁石間を２．４ｃｍ／ｓの速度で搬送させることにより、導電性磁性粉体を配向させた。磁石配置は、図３で説明したように、第1の磁石２２と第２の磁石２３とが、互いに同極（Ｎ極）が対向配置されるように配置した。
【０１０７】
対向配置させた磁石間を通過した直後の塗膜を、２．４ｃｍ／ｓの速度で搬送させつつＵＶ照射（水銀−キセノンランプ（San-ei Super Cure 203S）、４０ｍＷ／ｃｍ２＠３６５ｎｍ）を行い、塗膜中の光重合性化合物を半硬化させた。これにより、導電性磁性粉体が、塗膜の面内方向、かつ搬送方向に一軸配向した半硬化膜を得た。図９（ａ）に、搬送方向に切断した半硬化膜の切断面のＳＥＭ写真を、図９（ｂ）に、搬送方向に直交する方向に切断した半硬化膜の切断面のＳＥＭ写真を示す。同図に示すように、導電性磁性粉体１１は、搬送方向に一軸配向していることがわかる。
【０１０８】
その後、異方導電性フィルムを剥離性フィルムから剥離し、配線ピッチが１００μｍ（配線幅５０μｍ、配線間隔５０μｍ）のＩＴＯパターン電極付基板に挟持した。そして、基板の上下方向から圧着した後に、活性光線を照射した。これにより、異方導電性フィルム（膜厚７．６μｍ）付基板を作製した。
【０１０９】
（実施例２）
配線ピッチを４０μｍ（配線幅２０μｍ、配線間隔２０μｍ）とした以外は、上記実施例１と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚７．６μｍ）付基板を作製した。
【０１１０】
（実施例３）
配線ピッチを２０μｍ（配線幅１０μｍ、配線間隔１０μｍ）とした以外は、上記実施例１と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚１．９μｍ）付基板を作製した。
【０１１１】
（実施例４）
上記実施例１と同様の異方導電性樹脂組成物を用い、上記実施例１と同様の方法にて塗膜を形成した。この塗膜付き剥離性フィルムを、磁場０．３Ｔのヨーク付キューブ磁石間に搬送し、５０ｓ保持した。その後、再び、２．４ｃｍ／ｓの速度で搬送させ、磁石間を通過した直後の塗膜を、２．４ｃｍ／ｓの速度で搬送させつつＵＶ照射（（San-ei Super Cure 203S）、４０ｍＷ／ｃｍ２＠３６５ｎｍ）を行い、塗膜中の光重合性化合物を半硬化させた。その後、異方導電性フィルムを剥離性フィルムから剥離し、配線ピッチが１００μｍ（配線幅５０μｍ、配線間隔５０μｍ）のＩＴＯパターン電極付基板に挟持した。そして、基板の上下方向から圧着した後に、活性光線を照射した。これにより、異方導電性フィルム（膜厚９．５μｍ）付基板を作製した。
【０１１２】
（実施例５）
配線ピッチを４０μｍ（配線幅２０μｍ、配線間隔２０μｍ）とした以外は、上記実施例４と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚１１．４μｍ）付基板を作製した。
【０１１３】
（実施例６）
配線ピッチを２０μｍ（配線幅１０μｍ、配線間隔１０μｍ）とした以外は、上記実施例４と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚９．５μｍ）付基板を作製した。
【０１１４】
（実施例７）
光重合性組成物５００ｍｇ（１００部）にトルエン６０ｍｇ（１２部）、粒径２５０ｎｍの球形シリカ粒子５５．５ｍｇ（１１．１部）を加え、試験管ミキサーを用いて２８００ｒｐｍの条件下で１分間撹拌した以外は、上記実施例１と同様に異方導電性樹脂組成物を調製した。そして、上記実施例１と同様の方法にて塗膜を形成させ、上記実施例４と同様に塗膜中の光硬化性化合物を半硬化させた。その後、異方導電シートを剥離性フィルムから剥離し、配線ピッチが１００μｍ（配線幅５０μｍ、配線間隔５０μｍ）のＩＴＯパターン電極付基板に挟持した。そして、基板の上下方向から圧着した後に、活性光線を照射した。これにより、異方導電性フィルム（膜厚６．７μｍ）付基板を作製した。
【０１１５】
（実施例８）
配線ピッチを４０μｍ（配線幅２０μｍ、配線間隔２０μｍ）とした以外は、上記実施例７と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚８．６μｍ）付基板を作製した。
【０１１６】
（実施例９）
配線ピッチを２０μｍ（配線幅１０μｍ、配線間隔１０μｍ）とした以外は、上記実施例７と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚９．５μｍ）付基板を作製した。
【０１１７】
（実施例１０）
導電性磁性粉体１３４ｍｇ（２６．８部）を用いる以外は、上記実施例１と同様に異方導電性樹脂組成物を調製し、上記実施例１と同様の方法にて塗膜を形成させ、上記実施例４と同様に塗膜中の光硬化性化合物を半硬化させた。その後、異方導電シートを剥離性フィルムから剥離し、配線ピッチが１００μｍ（配線幅５０μｍ、配線間隔５０μｍ）のＩＴＯパターン電極付基板に挟持した。そして、基板の上下方向から圧着した後に、活性光線を照射した。これにより、異方導電性フィルム（膜厚１０．５μｍ）付基板を作製した。
【０１１８】
（実施例１１）
配線ピッチを４０μｍ（配線幅２０μｍ、配線間隔２０μｍ）とした以外は、上記実施例１０と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚１１．４μｍ）付基板を作製した。
【０１１９】
（実施例１２）
配線ピッチを２０μｍ（配線幅１０μｍ、配線間隔１０μｍ）とした以外は、上記実施例１０と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚６．７μｍ）付基板を作製した。
【０１２０】
（実施例１３）
上記実施例７と同様にシリカ粒子を含有させた光重合性組成物を調製し、導電性磁性粉体１３４ｍｇ（２６．８部）を用いる以外は、上記実施例１と同様に異方導電性樹脂組成物を調製し、上記実施例１と同様の方法にて塗膜を形成させ、上記実施例４と同様に塗膜中の光硬化性化合物を半硬化させた。その後、異方導電シートを剥離性フィルムから剥離し、配線ピッチが１００μｍ（配線幅５０μｍ、配線間隔５０μｍ）のＩＴＯパターン電極付基板に挟持した。そして、基板の上下方向から圧着した後に、活性光線を照射した。これにより、異方導電性フィルム（膜厚１０．５μｍ）付基板を作製した。
【０１２１】
（実施例１４）
配線ピッチを４０μｍ（配線幅２０μｍ、配線間隔２０μｍ）とした以外は、上記実施例１３と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚１２．４μｍ）付基板を作製した。
【０１２２】
（実施例１５）
配線ピッチを２０μｍ（配線幅１０μｍ、配線間隔１０μｍ）とした以外は、上記実施例１３と同様の方法により異方導電性フィルム（膜厚９．５μｍ）付基板を作製した。
【０１２３】
（比較例１）
導電性磁性粉体を含有させない以外は、上記実施例１と同様に樹脂組成物を得た。上記実施例１と同様に塗膜を形成させて、上記実施例４と同様に塗膜中の光硬化性化合物を半硬化させた。その後、半硬化させたシートを剥離性フィルムから剥離し、アルミ平板に付着させた。そして、活性光線を照射して、オグソールEA-F5010の光硬化フィルム（膜厚２０μｍ）を作製した。この硬化膜の体積抵抗率を、（株）ダイアインスツルメンツ社製のロレスタGPにより測定した。
【０１２４】
（比較例２）
磁場０．３Ｔのサマコバ磁石を用いない以外は、実施例１と同様に塗膜中の光硬化性化合物を半硬化させることにより、磁場により導電性磁性粉体を配向させていない無配向フィルム（膜厚９．５μｍ）付基板を作製した。また、別途、半硬化させたシートを剥離性フィルムから剥離し、アルミ平板に付着させて、活性光線を照射して、無配向フィルムを作製し、株式会社ダイアインスツルメンツ社製のロレスタGPによりこの硬化フィルムの体積抵抗率を測定した。
【０１２５】
（比較例３）
磁場０．３Ｔのサマコバ磁石を用いない以外は、実施例１０と同様に塗膜中の光硬化性化合物を半硬化させることにより、磁場により導電性磁性粉体を配向させていない無配向フィルム（膜厚９．５μｍ）付基板を作製した。また、別途、半硬化させたシートを剥離性フィルムから剥離し、アルミ平板に付着させて、活性光線を照射して、無配向フィルムを作製し、（株）ダイアインスツルメンツ社製のロレスタGPによりこの硬化フィルムの体積抵抗率を測定した。
【０１２６】
［物性評価］
実施例１〜１５及び比較例１〜３の異方導電フィルムの膜厚方向の抵抗、膜面方向の抵抗、膜厚方向の体積抵抗率、膜面方向の体積抵抗率、異方性比を求めた結果を図１０に示す。実施例１〜１５のいずれにおいても、ＩＴＯパターン電極において異方導電性を発現することを確認した。膜厚方向の体積抵抗率は、１０１〜１０４Ωｃｍの範囲であり、膜面方向の体積抵抗率は１０１１Ωｃｍであり、異方性比は１０６〜１０９であった。バインダー樹脂として熱硬化性樹脂に代えて光硬化性樹脂を用いた場合においても、良好な導電性が発現することを確認した。また、配線ピッチ２０μｍという狭ピッチな電極間においても、異方導電性を発現することができた。
【０１２７】
図１１（ａ）に実施例１、図１１（ｂ）に実施例２、図１１（ｃ）に実施例３の異方導電シート付基板の光学顕微鏡像を示す。また、図１２（ａ）に実施例４、図１２（ｂ）に実施例５、図１２（ｃ）に実施例６の異方導電シート付基板の光学顕微鏡像を示す。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】実施形態１に係る液晶表示パネルの構造を説明するための模式図。
【図２】実施形態１に係る異方導電性フィルムの模式的斜視図。
【図３】実施形態１に係る異方導電性フィルムの製造工程を説明するための模式図。
【図４】（ａ）は、実施形態１に係る磁場の磁力線を説明するための図であり、（ｂ）は、導電性磁性粉体の配向性を説明するための図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、実施形態１に係る異方導電性フィルムの製造工程を説明するための模式的な切断部断面図。
【図６】実施形態２に係る異方導電性フィルムの模式的斜視図。
【図７】実施形態２に係る異方導電性フィルムの製造工程を説明するための模式図。
【図８】実施形態２に係る異方導電性フィルムの切断部断面図。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、実施例１に係る半硬化膜（異方導電性フィルム）のＳＥＭ写真。
【図１０】実施例１〜１５、比較例１〜３に係る異方導電性フィルムの製造条件、物性測定値を示す表。
【図１１】（ａ）は実施例1、（ｂ）は実施例２、（ｃ）は実施例３に係る異方導電性フィルムとＩＴＯ基板との光学顕微鏡画像。
【図１２】（ａ）は実施例４、（ｂ）は実施例５、（ｃ）は実施例６に係る異方導電性フィルムとＩＴＯ基板との光学顕微鏡画像。
【符号の説明】
【０１２９】
１ ＴＦＴアレイ基板
２ 対向基板
３ 偏光板
４ シール材
５ 液晶
６ ドライバＩＣ
１０ 異方導電性フィルム
１１ 導電性磁性粉体
１２ バインダー
２０ 塗膜
２１ 支持体
２２ 第1の磁石
２３ 第２の磁石
３０ 半硬化膜
３１ ＴＦＴ側電極
３２ ドライバ側電極
１００ 液晶表示パネル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
棒状、かつ中空の導電性磁性粉体と、
光重合性組成物を主成分とするバインダーとを含有し、
前記光重合性組成物の活性光線照射前後の収縮率は、下記＜数１＞により算出した場合に７％以下である異方導電性樹脂組成物。
＜数１＞ 収縮率（％）＝１００×（ｄｐ−ｄＭ）／ｄｐ
（式中のｄｐは、水中置換法（ＪＩＳ Ｋ７２３２−１９８２）による活性光線照射後の前記光重合性組成物の密度、ｄＭは、比重瓶法（ＪＩＳ Ｋ７１１２）による活性光線照射前の前記光重合性組成物の密度）
【請求項２】
前記光重合性組成物は、フルオレン構造を含有する光重合性化合物を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の異方導電性樹脂組成物。
【請求項３】
前記フルオレン構造を含有する光重合性化合物は、下記式（１）で表わされるフルオレン構造を含有する（メタ）アクリレートであることを特徴とする請求項２に記載の異方導電性樹脂組成物。
【化１】
（式中、Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ２ａ及びＲ２ｂは置換基を示し、Ｒ３ａ及びＲ３ｂはアルキレン基を示し、Ｒ４ａ及びＲ４ｂは水素原子又はメチル基を示す。ｋ１及びｋ２は０〜４の整数を示し、ｍ１及びｍ２は０〜４の整数を示し、ｎ１及びｎ２は０又は１以上の整数を示し、ｐ１及びｐ２は１〜４の整数を示す。但し、ｍ１＋ｐ１及びｍ２＋ｐ２は、１〜５の整数である）
【請求項４】
前記導電性磁性粉体は、Ｎｉを主成分とすることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の異方導電性樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方導電性樹脂組成物の塗膜を支持体上に形成させ、
前記導電性磁性粉体が所定の方向に配向するように磁場を印加し、
前記導電性磁性粉体の配向状態を保持するように、活性光線を照射して前記塗膜を半硬化させ、
前記半硬化させた塗膜を前記支持体から剥離して、電極間に挟持させて圧着し、
前記塗膜に活性光線を照射する異方導電性部材の実装方法。
【請求項６】
導電性磁性粉体と、光重合性組成物を主成分とするバインダーを含有する異方導電性樹脂組成物の塗膜を支持体上に形成させ、
前記導電性磁性粉体が、前記塗膜の面内方向に一軸配向するように磁場を印加し、
前記導電性磁性粉体の配向状態を保持するように、活性光線を照射して前記塗膜を半硬化させ、
前記半硬化させた塗膜を前記支持体から剥離して、電極間に挟持させて圧着し、
前記塗膜に活性光線を照射する異方導電性部材の実装方法。
【請求項７】
前記導電性磁性粉体が、前記塗膜の面内方向に一軸配向するように、反発磁極を間隙を持って対向配置させ、
当該磁極間に前記塗膜を搬送し、
前記磁極間を通過中若しくは通過後に、前記導電性磁性粉体の配向状態を保持するように前記光重合性組成物の活性光線を照射することを特徴とする請求項６に記載の異方導電性部材の実装方法。
【請求項８】
請求項６、７に記載の異方導電性部材の実装方法において、
前記異方導電性樹脂組成物として、請求項１〜４のいずれか1項に記載の異方導電性樹脂組成物を用いることを特徴とする異方導電性部材の実装方法。
【請求項９】
前記異方導電性樹脂組成物の塗膜を、前記支持体に連続的にコーティングすることを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の異方導電性部材の実装方法。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方導電性樹脂組成物より構成される異方導電性部材であって、
前記導電性磁性粉体は、相対峙される電極面に対して略垂直に配向している異方導電性部材。
【請求項１１】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方導電性樹脂組成物より構成される異方導電性部材であって、
前記導電性磁性粉体は、相対峙される電極面に対して略水平に、かつ、電極の長軸方向に配向している異方導電性部材。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の異方導電性部材を用いて、電子部品の接合が行われている電子機器。
【請求項１３】
前記電子部品が半導体素子、半導体装置、プリント回路基板、液晶表示パネル、プラズマ表示パネル、エレクトロルミネッセンスパネル又はフィールドエミッション表示パネルのいずれかである請求項１２に記載の電子機器。
【請求項１】
棒状、かつ中空の導電性磁性粉体と、
光重合性組成物を主成分とするバインダーとを含有し、
前記光重合性組成物の活性光線照射前後の収縮率は、下記＜数１＞により算出した場合に７％以下である異方導電性樹脂組成物。
＜数１＞ 収縮率（％）＝１００×（ｄｐ−ｄＭ）／ｄｐ
（式中のｄｐは、水中置換法（ＪＩＳ Ｋ７２３２−１９８２）による活性光線照射後の前記光重合性組成物の密度、ｄＭは、比重瓶法（ＪＩＳ Ｋ７１１２）による活性光線照射前の前記光重合性組成物の密度）
【請求項２】
前記光重合性組成物は、フルオレン構造を含有する光重合性化合物を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の異方導電性樹脂組成物。
【請求項３】
前記フルオレン構造を含有する光重合性化合物は、下記式（１）で表わされるフルオレン構造を含有する（メタ）アクリレートであることを特徴とする請求項２に記載の異方導電性樹脂組成物。
【化１】
（式中、Ｒ１ａ、Ｒ１ｂ、Ｒ２ａ及びＲ２ｂは置換基を示し、Ｒ３ａ及びＲ３ｂはアルキレン基を示し、Ｒ４ａ及びＲ４ｂは水素原子又はメチル基を示す。ｋ１及びｋ２は０〜４の整数を示し、ｍ１及びｍ２は０〜４の整数を示し、ｎ１及びｎ２は０又は１以上の整数を示し、ｐ１及びｐ２は１〜４の整数を示す。但し、ｍ１＋ｐ１及びｍ２＋ｐ２は、１〜５の整数である）
【請求項４】
前記導電性磁性粉体は、Ｎｉを主成分とすることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の異方導電性樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方導電性樹脂組成物の塗膜を支持体上に形成させ、
前記導電性磁性粉体が所定の方向に配向するように磁場を印加し、
前記導電性磁性粉体の配向状態を保持するように、活性光線を照射して前記塗膜を半硬化させ、
前記半硬化させた塗膜を前記支持体から剥離して、電極間に挟持させて圧着し、
前記塗膜に活性光線を照射する異方導電性部材の実装方法。
【請求項６】
導電性磁性粉体と、光重合性組成物を主成分とするバインダーを含有する異方導電性樹脂組成物の塗膜を支持体上に形成させ、
前記導電性磁性粉体が、前記塗膜の面内方向に一軸配向するように磁場を印加し、
前記導電性磁性粉体の配向状態を保持するように、活性光線を照射して前記塗膜を半硬化させ、
前記半硬化させた塗膜を前記支持体から剥離して、電極間に挟持させて圧着し、
前記塗膜に活性光線を照射する異方導電性部材の実装方法。
【請求項７】
前記導電性磁性粉体が、前記塗膜の面内方向に一軸配向するように、反発磁極を間隙を持って対向配置させ、
当該磁極間に前記塗膜を搬送し、
前記磁極間を通過中若しくは通過後に、前記導電性磁性粉体の配向状態を保持するように前記光重合性組成物の活性光線を照射することを特徴とする請求項６に記載の異方導電性部材の実装方法。
【請求項８】
請求項６、７に記載の異方導電性部材の実装方法において、
前記異方導電性樹脂組成物として、請求項１〜４のいずれか1項に記載の異方導電性樹脂組成物を用いることを特徴とする異方導電性部材の実装方法。
【請求項９】
前記異方導電性樹脂組成物の塗膜を、前記支持体に連続的にコーティングすることを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の異方導電性部材の実装方法。
【請求項１０】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方導電性樹脂組成物より構成される異方導電性部材であって、
前記導電性磁性粉体は、相対峙される電極面に対して略垂直に配向している異方導電性部材。
【請求項１１】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の異方導電性樹脂組成物より構成される異方導電性部材であって、
前記導電性磁性粉体は、相対峙される電極面に対して略水平に、かつ、電極の長軸方向に配向している異方導電性部材。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の異方導電性部材を用いて、電子部品の接合が行われている電子機器。
【請求項１３】
前記電子部品が半導体素子、半導体装置、プリント回路基板、液晶表示パネル、プラズマ表示パネル、エレクトロルミネッセンスパネル又はフィールドエミッション表示パネルのいずれかである請求項１２に記載の電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図１０】
【図９】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図１０】
【図９】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００９−２２１３６０（Ｐ２００９−２２１３６０Ａ）
【公開日】平成２１年１０月１日（２００９．１０．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−６７７１８（Ｐ２００８−６７７１８）
【出願日】平成２０年３月１７日（２００８．３．１７）
【出願人】（３０４０２１４１７）国立大学法人東京工業大学 (1,821)
【出願人】（００００００２８４）大阪瓦斯株式会社 (2,453)
【出願人】（５９５０３８１９８）株式会社ラボ (1)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月１日（２００９．１０．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月１７日（２００８．３．１７）
【出願人】（３０４０２１４１７）国立大学法人東京工業大学 (1,821)
【出願人】（００００００２８４）大阪瓦斯株式会社 (2,453)
【出願人】（５９５０３８１９８）株式会社ラボ (1)
【Ｆターム（参考）】
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