表示パネル及び表示基板の製造方法
【課題】接着力を向上することができる表示パネル及び表示基板の製造方法を提供する。
【解決手段】表示パネルは、画素部及び画素部に接続された駆動部を含む第１基板、画素部、及び駆動部に形成された薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ上に形成された有機膜、第１基板と対向する第２基板、有機膜が形成された第１基板と第２基板との間であって画素部の周辺領域に配置され第１基板と第２基板を結合するシールライン及びシールラインと、有機膜間の少なくとも一部領域に配置される導電性パターンとを含み、導電性パターンが、シールラインと有機膜間の接着力を向上させ、導電性パターンを金属または金属酸化物で形成することによって、第１基板と第２基板間の分離を防止し、駆動部の侵食及び腐食を防止することができる。
【解決手段】表示パネルは、画素部及び画素部に接続された駆動部を含む第１基板、画素部、及び駆動部に形成された薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ上に形成された有機膜、第１基板と対向する第２基板、有機膜が形成された第１基板と第２基板との間であって画素部の周辺領域に配置され第１基板と第２基板を結合するシールライン及びシールラインと、有機膜間の少なくとも一部領域に配置される導電性パターンとを含み、導電性パターンが、シールラインと有機膜間の接着力を向上させ、導電性パターンを金属または金属酸化物で形成することによって、第１基板と第２基板間の分離を防止し、駆動部の侵食及び腐食を防止することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示パネル及び表示基板の製造方法に関し、より詳細には、第１基板と第２基板間の分離を防止し、金属の腐食を防止することができる表示パネル及び表示基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、画像を表示する表示パネルは、多数の画素を独立して駆動するために画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された第１基板と、液晶層を挟んで前記第１基板と対向する第２基板を含む。
表示パネルは、実質的に画像を表示する表示領域と実質的に画像を表示しない周辺領域とに区分されるが、第１基板の表示領域にはゲートライン、データライン、及び薄膜トランジスタ等を含む画素部が形成され、周辺領域にはゲートラインにゲート信号を印加するためのゲート駆動部が形成される。
【０００３】
最近、画素部及びゲート駆動部に形成された金属の侵食及び腐食を防止するために、画素部及びゲート駆動部上に厚い有機膜を形成する耐腐食構造についての研究が進行している。また、表示パネルの面積を減少させるために、第２基板の周辺領域に形成されるブラックマトリックスと、第１基板と第２基板とを接着するシールラインの幅を最大限減少させる構造についての研究が進行している。
【０００４】
しかし、シールラインの下部に有機膜が残留する構造でシールラインの幅を減少させる場合、シールラインと有機膜間の接着力が低下し、第１基板と第２基板が分離するという問題が発生するおそれがある。また、ゲート金属とデータ金属が直接接触される金属接触部分が多いゲート駆動部の場合、金属接触のためのゲート絶縁膜及び有機膜のコンタクトホール領域で金属の侵食及び腐食が発生され表示不良を誘発するという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明はこのような問題点を勘案したもので、本発明は第１基板と第２基板間の分離を防止し、ゲート駆動部の侵食及び腐食を防止して表示品質を向上することができる表示パネルを提供する。
また、本発明は、前記表示パネルの製造方法を提供する。
また、本発明は、前記表示パネルの製造に使用される表示基板用母基板を提供する。
【０００６】
また、本発明は、ゲート駆動部の侵食及び腐食を防止しながら、製造過程で発生される静電気問題を防止することができる表示基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一特徴による表示パネルは、画素部及び前記画素部に接続された駆動部を含む第１基板、前記画素部及び前記駆動部に形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタ上に形成された有機膜、前記第１基板と対向する第２基板、前記有機膜が形成された第１基板と前記第２基板間であって前記画素部の周辺領域に配置され前記第１基板と前記第２基板を結合するシールライン及び前記シールラインと前記有機膜間の少なくとも一部領域に配置される導電性パターンを含む。
【０００８】
前記導電性パターンは金属または金属酸化物で形成される。例えば、前記導電性パターンは、前記画素部で前記有機膜上に形成された画素電極と同一層に同一物質で形成される。
前記導電性パターンは、前記シールラインの全体領域に形成することができる。これと異なり、前記導電性パターンは、前記駆動部領域にのみ形成することができる。
【０００９】
本発明の一特徴による表示パネルの製造方法によると、第１基板の画素部及び前記画素部に接続された駆動部に薄膜トランジスタを形成する。以後、前記薄膜トランジスタ上に有機膜を形成する。以後、前記有機膜上の少なくとも一部領域に導電性パターンを形成する。以後、前記第１基板と対向するように第２基板を配置する。以後、少なくとも一部領域が前記導電性パターンと重なるように前記第１基板と前記第２基板間であって画素部の周辺領域にシールラインを形成して前記第１基板と前記第２基板を接着する。
【００１０】
本発明の一特徴による表示基板用母基板は、画素部及び前記画素部に接続された駆動部を含む多数の表示基板領域を含む基板、前記画素部及び前記駆動部に形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタ上に形成された有機膜、及び前記有機膜上に形成され、前記駆動部領域に配置される導電性パターン及び互いに異なる前記表示基板領域に形成され互いに隣接する前記導電性パターンをリング形状に接続する第１連結部を含むガイドリングを含む。
【００１１】
本発明の一特徴による表示基板の製造方法によると、多数の表示基板領域を含む基板上に、それぞれの前記表示基板領域に含まれる画素部及び前記画素部に接続された駆動部に薄膜トランジスタを形成する。以後、前記薄膜トランジスタ上に有機膜を形成する。以後、前記有機膜上に、前記駆動部領域に配置される導電性パターン及び互いに異なる前記表示基板領域に形成され互いに隣接する前記導電性パターンをリング形状に接続する第１連結部を含むガイドリングを形成する。
【００１２】
このような表示パネル及び表示基板の製造方法によると、第１基板と第２基板間の分離を防止し、ゲート駆動部の侵食及び腐食を防止し、第１基板の製造過程で発生される静電気問題を解消することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例をより詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例による表示パネルを示す平面図で、図２は、図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。
図１及び図２に示すように、本発明の一実施例による表示パネル１００は、第１基板２００、薄膜トランジスタ２２０、有機膜２３０、シールライン４００、及び導電性パターン６００を含む。
【００１４】
表示パネル１００は、実質的に画像を表示する表示領域ＤＡと表示領域ＤＡを取り囲む周辺領域ＰＡを含む。
第１基板２００は、第１透明基板２１０上の表示領域ＤＡに形成された画素部２２２及び周辺領域ＰＡに形成され画素部２２２に接続された駆動部２２４を含む。
薄膜トランジスタ２２０は、画素部２２２及び駆動部２２４に形成される。
【００１５】
画素部２２２は、表示領域ＤＡを多数の画素に区分して各画素を個別的に駆動して画像を表示する。このため、画素部２２２は、薄膜形成工程を通じて形成されるゲートライン、ゲート絶縁膜を通じてゲートラインと絶縁され交差するデータライン、ゲートライン及びデータラインに接続された薄膜トランジスタ、及びデータラインと薄膜トランジスタをカバーする保護膜等を含むように構成できる。
【００１６】
駆動部２２４は、画素部２２２に形成された薄膜トランジスタを駆動するために、ゲートラインにゲート信号を順に出力するゲート駆動部を含むことができる。駆動部２２４は、画素部２２２を形成する薄膜形成工程を通じて同時に形成することができる。駆動部２２４は、ゲートラインの両端部または一端部に形成することができる。
有機膜２３０は、薄膜トランジスタ２２０上に形成される。有機膜２３０は第１基板２００の平坦度を向上させ、薄膜トランジスタ２２０内に形成された金属配線の腐食を防止するために、比較的厚く形成することが好ましい。例えば、有機膜２３０は、約２．０μｍ〜３．０μｍの厚みに形成できる。
【００１７】
有機膜２３０は、光が透過できるように透明な有機物で形成される。これと異なり、有機膜２３０は、第２基板３００に形成されたカラーフィルタ層を省略するために、赤色、緑色、及び青色等の色を有するカラーフォトレジストで形成することができる。
第１基板２００は、表示領域ＤＡで有機膜２３０上に形成された画素電極２４０を更に含むことができる。画素電極２４０は、画素部２２２の各画素に対応するようにパターニングされ、画素毎に形成された薄膜トランジスタと接続される。
【００１８】
画素電極２４０は、光が透過されることができる透明な導電性物質で形成される。例えば、画素電極２４０は、インジウムティンオキサイド（以下、ＩＴＯ）またはインジウムジンクオキサイド（以下、ＩＺＯ）で形成される。
一方、表示パネル１００が半透過製品である場合、第１基板２００は光の反射のために画素電極２４０上に形成される反射電極（図示せず）を更に含むことができる。
【００１９】
第２基板３００は、第２透明基板３１０上に形成されたブラックマトリックス３２０及び共通電極３３０を含むことができる。
ブラックマトリックス３２０は、表示領域ＤＡの周辺に位置する周辺領域ＰＡに形成される。ブラックマトリックス３２０は、表示領域ＤＡを除いた周辺領域ＰＡに光が透過することを遮断し、周辺領域ＰＡに形成されたシールライン４００及び駆動部２２４が画面上に投影されることを防止する。このため、ブラックマトリックス３２０は、少なくともシールライン４００及び駆動部２２４をカバーすることができる幅に形成される。ブラックマトリックス３２０の幅が大きくなるほど、表示パネル１００のサイズを大きくすることができるので、できればブラックマトリックス３２０の幅は小さく形成することが好ましい。例えば、ブラックマトリックス３２０は約１ｍｍの幅に形成される。
【００２０】
共通電極３３０は、ブラックマトリックス３２０が形成された第２透明基板３１０上に画素電極２４０と対向するように形成される。共通電極３３０は、表示領域ＤＡのみならず、周辺領域ＰＡまで延長されるように形成することができる。共通電極３３０は、画素電極２４０と同様に光を透過することができる透明な導電性物質で形成される。例えば、共通電極３３０は、インジウムティンオキサイド（以下、ＩＴＯ）またはインジウムジンクオキサイド（以下、ＩＺＯ）で形成される。
【００２１】
一方、第２基板３００は、カラーを具現するために、赤色、緑色、及び青色等の色を有するカラーフィルタ層（図示せず）を更に含むことができる。
シールライン４００は、第１基板２００と第２基板３００間であって画素部２２２の周辺に位置する領域、即ち、周辺領域ＰＡに配置され第１基板２００と第２基板３００を接着する。シールライン４００は、例えば、熱によって硬化する熱硬化性樹脂または紫外線等の光によって硬化する光硬化性樹脂で形成される。
【００２２】
シールライン４００は、ブラックマトリックス３２０によってカバーできるようにブラックマトリックス３２０より小さい幅に形成することが好ましい。例えば、シールライン４００は約０．５ｍｍの幅に形成される。また、シールライン４００は駆動部２２４の腐食防止効果をより向上させるために、駆動部２２４と重なるように形成することが好ましい。
【００２３】
表示パネル１００は、液晶層５００を更に含むことができる。液晶層５００は、第１基板２００と第２基板３００間に配置され、シールライン４００によって密封される。液晶層５００は、画素電極２４０と共通電極３３０に印加される電圧によって液晶の配列が変化され光の透過率を制御する。
導電性パターン６００は、シールライン４００と有機膜２３０間の少なくとも一部領域に配置されシールライン４００と有機膜２３０間の接着力を向上させる。シールライン４００の幅が小さくなるほど、シールライン４００と有機膜２３０間の接着力は劣化される。従って、有機膜２３０よりシールライン４００との接着力に優れた導電性パターン６００をシールライン４００と有機膜２３０間に形成することにより、シールライン４００と有機膜２３０間の分離を防止することができる。導電性パターン６００は、シールライン４００と有機膜２３０間の分離を防止するために、シールライン４００の全体領域と接触するように形成することが好ましい。
【００２４】
導電性パターン６００は、シールライン４００との接着力が有機膜２３０より優れた物質で形成される。例えば、導電性パターン６００は、金属または金属酸化物で形成される。また、導電性パターン６００は、工程の単純化のために、表示領域ＤＡに形成される画素電極２４０と同一層に同一物質で形成されることが好ましい。例えば、導電性パターン６００は、画素電極２４０と同様なＩＴＯまたはＩＺＯで形成されることができる。これと異なり、導電性パターン６００は、反射電極が使用される半透過モードの場合、反射電極と同じ物質で形成することができる。
【００２５】
従って、シールライン４００の下部面は、金属または金属酸化物で形成された導電性パターン６００と接触し、シールライン４００の上部面はＩＴＯまたはＩＺＯで形成された共通電極３３０と接触するので、第１基板２００と第２基板３００は安定的に結合することができる。一方、ブラックマトリックス３２０が有機物でない金属または金属酸化物で形成された場合、シールライン４００の上部面はブラックマトリックス３２０と直接接触するように形成することができる。
【００２６】
導電性パターン６００は、シールライン４００と有機膜２３０間の接着力を向上させると同時に、駆動部２２４の腐食を防止する役割を行う。このため、導電性パターン６００は、駆動部２２４と重なるように形成される。駆動部２２４と重なるようにシールライン４００を形成した場合、導電性パターン６００は自動的に駆動部２２４と重なることになる。
【００２７】
駆動部２２４内には、ゲート配線とデータ配線がゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて直接接続されるメタルコンタクト領域が相当部分存在することになるが、以後の工程である画素電極２４０をエッチングする時、有機膜２３０に形成された微細ホール等の欠陥によって駆動部２２４内のメタルコンタクト領域に侵食及び腐食が発生するおそれがある。従って、画素電極２４０を形成する時、駆動部２２４と重なるように導電性パターン６００を形成することにより、駆動部２２４の侵食及び腐食を防止することができる。
【００２８】
図３は、図１に図示された導電性パターンの他の実施例を示す平面図である。
図３に示すように、導電性パターン６００は、シールライン４００の全体領域と重なるように形成するのではなく、駆動部２２４領域にのみ形成することができる。このように、導電性パターン６００が駆動部２２４領域にのみ形成されても、駆動部２２４の侵食及び腐食を防止してシールライン４００と有機膜２３０間の接着力を向上することができる。
【００２９】
一方、導電性パターン６００は、駆動部２２４のうち、ゲート金属とデータ金属が直接接触するメタルコンタクト領域に対応するように部分的に形成することができる。
図４は、図２に図示された表示パネルの他の実施例を示す断面図である。
図４に示すように、製品の特性によって、有機膜２３０は、駆動部２２４領域に形成されたホール２３２を含むことができる。
【００３０】
有機膜２３０にホール２３２が形成された場合、シールライン４００は駆動部２２４の上部まで延長され、導電性パターン６００は、ホール２３２領域でシールライン４００と駆動部２２４との間に形成される。駆動部２２４の最上層には酸化シリコン（ＳｉＯｘ）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる保護膜が形成されているので、導電性パターン６００は、シールライン４００と保護膜間の接着力を向上し、駆動部２２４内に形成された金属配線の侵食及び腐食を防止する。
【００３１】
以下、図１及び図２を参照して、本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を説明する。
図１及び図２に示すように、第１基板２００の画素部２２２及び駆動部２２４に薄膜トランジスタ２２０を形成する。
以後、薄膜トランジスタ２２０上に有機膜２３０を形成する。
【００３２】
以後、有機膜２３０上の少なくとも一部領域に導電性パターン６００を形成する。導電性パターン６００は、第１基板２００の画素部２２２で有機膜２３０上に形成される画素電極２４０と同一層に同一物質で同時に形成することができる。
この後、第１基板２００と対向するように第２基板３００を配置する。
次に、少なくとも一部領域が導電性パターン６００と重なるように第１基板２００と第２基板３００間であって画素部２２２の周辺領域にシールライン４００を形成して第１基板２００と第２基板３００を接着する。
【００３３】
図５は、図１及び図２に図示された第１基板を製造するための表示基板用母基板を示す平面図である。
図２及び図５に示すように、表示基板用母基板は、画素部２２２及び画素部２２２に接続された駆動部２２４を含む多数の表示基板領域ＤＳＡを含む母基板１１０、画素部２２２、及び駆動部２２４に形成された薄膜トランジスタ２２０、薄膜トランジスタ２２０上に形成された有機膜２３０、及び有機膜２３０上に形成されたガイドリング６５０を含む。
【００３４】
ガイドリング６５０は、駆動部２２４領域に配置される導電性パターン６００及び互いに異なる表示基板領域ＤＳＡに形成され互いに隣接する導電性パターン６００をリング形状に接続する第１連結部６１０を含む。
ガイドリング６５０は、画素部２２２で有機膜２３０上に形成された画素電極２４０と同一層に同一物質で形成することができる。例えば、ガイドリング６５０はＩＴＯまたはＩＺＯで形成される。
【００３５】
表示基板用母基板は、表示基板領域ＤＳＡ間で第１連結部６１０と交差するように延長され、第１連結部６１０と電気的に接続される第２連結部６２０を更に含むことができる。第２連結部６２０は、ガイドリング６５０と同一層に同一物質で形成することができる。
図６は、図５に図示された第２連結部の他の実施例を示す平面図である。
【００３６】
図２及び図６に示すように、第２連結部６２０は、薄膜トランジスタ２２０の形成と同時に形成される金属で形成することができる。例えば、第２連結部６２０は、薄膜トランジスタ２２０に含まれたゲート配線またはデータ配線と同一層に同一物質で形成される。
ガイドリング６５０と第２連結部６２０は、有機膜２３０を挟んで互いに異なる層に形成されるので、有機膜２３０に形成されたコンタクトホールＣＮＴ領域でガイドリング６５０と第２連結部６２０とを接続することができる。
【００３７】
以下、図２、図５、及び図６を参照して、図１及び図２に図示された第１基板に対応される表示基板の製造方法を説明する。
図２及び図５に示すように、多数の表示基板領域ＤＳＡを含む母基板１１０上に、それぞれの表示基板領域ＤＳＡに含まれる画素部２２２及び駆動部２２４に薄膜トランジスタ２２０を形成する。
【００３８】
以後、薄膜トランジスタ２２０が形成された母基板１１０上に有機膜２３０を形成する。
以後、有機膜２３０上にガイドリング６５０を形成する。ガイドリング６５０は、互いに隣接した表示基板領域ＤＳＡ間に形成される。ガイドリング６５０は、金属または金属酸化物で形成される。また、ガイドリング６５０は、工程の単純化のために、表示領域ＤＡに形成される画素電極２４０と同時に同一物質で形成されることが好ましい。例えば、ガイドリング６５０は、画素電極２４０と同じＩＴＯまたはＩＺＯで形成される。
【００３９】
ガイドリング６５０は、駆動部２２４領域に配置される導電性パターン６００及び互いに異なる表示基板領域ＤＳＡに形成され、互いに隣接する導電性パターン６００をリング形状に接続する第１連結部６１０を含む。このように、金属または金属酸化物をリング形状に形成することにより、以後進行される配向膜のラビング工程等で発生する静電気を効果的に分散させることができる。
【００４０】
一方、第１連結部６１０と接続される第２連結部６２０を更に形成することができる。第２連結部６２０は、表示基板領域ＤＳＡ間で第１連結部６１０と交差するように形成される。第２連結部６２０はガイドリング６５０を形成する時に同時に同一物質で形成される。図示されていないが、第２連結部６２０のエンド端はグラウンド端子と接地されることが好ましい。このように、ガイドリング６５０と共に、ガイドリング６５０と接続された第２連結部６２０を形成することにより、静電気分散及び防止効果をより向上させることができる。
【００４１】
以後、画素電極２４０及びガイドリング６５０が形成された母基板１１０上に配向膜を形成してラビング工程を進行することができる。
第１基板２００を形成するための全ての工程が終わると、母基板１１０を切断線ＣＬに沿って表示基板領域ＤＳＡ別に切断して第１基板２００を完成する。母基板１１０の切断によって、導電性パターン６００と第２連結部６２０との間に位置する第１連結部６１０が切断されることになる。従って、完成された第１基板２００に残留される導電性パターン６００は、フローティング状態を維持することになる。
【００４２】
以後、シールライン４００を通じて第１基板２００と第２基板３００を結合して表示パネル１００を製作する。
本実施例では、母基板１１０から第１基板２００を切断した後、第２基板３００と合着して表示パネル１００を製作したが、これと異なり、多数の第１基板２００が形成された表示基板用母基板と多数の第２基板３００が形成された対向基板用母基板を結合した後、領域別に切断して表示パネル１００を製作することもできる。
【００４３】
一方、静電気の分散及び防止のためのガイドリング６５０と第２連結部６２０は、図６に示すように、互いに異なる層に形成されることができる。例えば、第２連結部６２０は、薄膜トランジスタ２２０の形成と同時に形成される金属で形成され、ガイドリング６５０は画素電極２４０の形成と同時に形成することができる。従って、ガイドリング６５０と第２連結部６２０は有機膜２３０を挟んで互いに異なる層に形成されるので、有機膜２３０にコンタクトホールＣＮＴを形成してガイドリング６５０と第２連結部６２０を接続することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
このような表示パネル及び表示基板の製造方法によると、シールラインと有機膜との間の少なくとも一部領域に金属または金属酸化物からなる導電性パターンを形成することにより、表示基板と第２基板間の分離を防止することができる。
また、画素電極を形成する時、駆動部と重なるように導電性パターンを形成することにより、有機膜の欠陥による駆動部の侵食及び腐食を防止することができる。
【００４５】
また、表示基板の製造過程で、母基板上に形成される導電性パターンを互いに隣接した表示基板領域間にリング形状に形成することにより、以後進行する配向膜のラビング工程等で発生する静電気を効果的に分散及び防止させることができる。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施例による表示パネルを示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。
【図３】図１に図示された導電性パターンの他の実施例を示す平面図である。
【図４】図２に図示された表示パネルの他の実施例を示す断面図である。
【図５】図１及び図２に図示された第１基板を製造するための表示基板用母基板を示す平面図である。
【図６】図５に図示された第２連結部の他の実施例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１００ 表示パネル
２００ 第１基板
２２０ 薄膜トランジスタ
２２２ 画素部
２２４ 駆動部
２３０ 有機膜
２４０ 画素電極
３００ 第２基板
３２０ ブラックマトリックス
３３０ 共通電極
４００ シールライン
５００ 液晶層
６００ 導電性パターン
６１０ 第１連結部
６２０ 第２連結部
６５０ ガイドリング
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示パネル及び表示基板の製造方法に関し、より詳細には、第１基板と第２基板間の分離を防止し、金属の腐食を防止することができる表示パネル及び表示基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、画像を表示する表示パネルは、多数の画素を独立して駆動するために画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された第１基板と、液晶層を挟んで前記第１基板と対向する第２基板を含む。
表示パネルは、実質的に画像を表示する表示領域と実質的に画像を表示しない周辺領域とに区分されるが、第１基板の表示領域にはゲートライン、データライン、及び薄膜トランジスタ等を含む画素部が形成され、周辺領域にはゲートラインにゲート信号を印加するためのゲート駆動部が形成される。
【０００３】
最近、画素部及びゲート駆動部に形成された金属の侵食及び腐食を防止するために、画素部及びゲート駆動部上に厚い有機膜を形成する耐腐食構造についての研究が進行している。また、表示パネルの面積を減少させるために、第２基板の周辺領域に形成されるブラックマトリックスと、第１基板と第２基板とを接着するシールラインの幅を最大限減少させる構造についての研究が進行している。
【０００４】
しかし、シールラインの下部に有機膜が残留する構造でシールラインの幅を減少させる場合、シールラインと有機膜間の接着力が低下し、第１基板と第２基板が分離するという問題が発生するおそれがある。また、ゲート金属とデータ金属が直接接触される金属接触部分が多いゲート駆動部の場合、金属接触のためのゲート絶縁膜及び有機膜のコンタクトホール領域で金属の侵食及び腐食が発生され表示不良を誘発するという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明はこのような問題点を勘案したもので、本発明は第１基板と第２基板間の分離を防止し、ゲート駆動部の侵食及び腐食を防止して表示品質を向上することができる表示パネルを提供する。
また、本発明は、前記表示パネルの製造方法を提供する。
また、本発明は、前記表示パネルの製造に使用される表示基板用母基板を提供する。
【０００６】
また、本発明は、ゲート駆動部の侵食及び腐食を防止しながら、製造過程で発生される静電気問題を防止することができる表示基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一特徴による表示パネルは、画素部及び前記画素部に接続された駆動部を含む第１基板、前記画素部及び前記駆動部に形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタ上に形成された有機膜、前記第１基板と対向する第２基板、前記有機膜が形成された第１基板と前記第２基板間であって前記画素部の周辺領域に配置され前記第１基板と前記第２基板を結合するシールライン及び前記シールラインと前記有機膜間の少なくとも一部領域に配置される導電性パターンを含む。
【０００８】
前記導電性パターンは金属または金属酸化物で形成される。例えば、前記導電性パターンは、前記画素部で前記有機膜上に形成された画素電極と同一層に同一物質で形成される。
前記導電性パターンは、前記シールラインの全体領域に形成することができる。これと異なり、前記導電性パターンは、前記駆動部領域にのみ形成することができる。
【０００９】
本発明の一特徴による表示パネルの製造方法によると、第１基板の画素部及び前記画素部に接続された駆動部に薄膜トランジスタを形成する。以後、前記薄膜トランジスタ上に有機膜を形成する。以後、前記有機膜上の少なくとも一部領域に導電性パターンを形成する。以後、前記第１基板と対向するように第２基板を配置する。以後、少なくとも一部領域が前記導電性パターンと重なるように前記第１基板と前記第２基板間であって画素部の周辺領域にシールラインを形成して前記第１基板と前記第２基板を接着する。
【００１０】
本発明の一特徴による表示基板用母基板は、画素部及び前記画素部に接続された駆動部を含む多数の表示基板領域を含む基板、前記画素部及び前記駆動部に形成された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタ上に形成された有機膜、及び前記有機膜上に形成され、前記駆動部領域に配置される導電性パターン及び互いに異なる前記表示基板領域に形成され互いに隣接する前記導電性パターンをリング形状に接続する第１連結部を含むガイドリングを含む。
【００１１】
本発明の一特徴による表示基板の製造方法によると、多数の表示基板領域を含む基板上に、それぞれの前記表示基板領域に含まれる画素部及び前記画素部に接続された駆動部に薄膜トランジスタを形成する。以後、前記薄膜トランジスタ上に有機膜を形成する。以後、前記有機膜上に、前記駆動部領域に配置される導電性パターン及び互いに異なる前記表示基板領域に形成され互いに隣接する前記導電性パターンをリング形状に接続する第１連結部を含むガイドリングを形成する。
【００１２】
このような表示パネル及び表示基板の製造方法によると、第１基板と第２基板間の分離を防止し、ゲート駆動部の侵食及び腐食を防止し、第１基板の製造過程で発生される静電気問題を解消することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例をより詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例による表示パネルを示す平面図で、図２は、図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。
図１及び図２に示すように、本発明の一実施例による表示パネル１００は、第１基板２００、薄膜トランジスタ２２０、有機膜２３０、シールライン４００、及び導電性パターン６００を含む。
【００１４】
表示パネル１００は、実質的に画像を表示する表示領域ＤＡと表示領域ＤＡを取り囲む周辺領域ＰＡを含む。
第１基板２００は、第１透明基板２１０上の表示領域ＤＡに形成された画素部２２２及び周辺領域ＰＡに形成され画素部２２２に接続された駆動部２２４を含む。
薄膜トランジスタ２２０は、画素部２２２及び駆動部２２４に形成される。
【００１５】
画素部２２２は、表示領域ＤＡを多数の画素に区分して各画素を個別的に駆動して画像を表示する。このため、画素部２２２は、薄膜形成工程を通じて形成されるゲートライン、ゲート絶縁膜を通じてゲートラインと絶縁され交差するデータライン、ゲートライン及びデータラインに接続された薄膜トランジスタ、及びデータラインと薄膜トランジスタをカバーする保護膜等を含むように構成できる。
【００１６】
駆動部２２４は、画素部２２２に形成された薄膜トランジスタを駆動するために、ゲートラインにゲート信号を順に出力するゲート駆動部を含むことができる。駆動部２２４は、画素部２２２を形成する薄膜形成工程を通じて同時に形成することができる。駆動部２２４は、ゲートラインの両端部または一端部に形成することができる。
有機膜２３０は、薄膜トランジスタ２２０上に形成される。有機膜２３０は第１基板２００の平坦度を向上させ、薄膜トランジスタ２２０内に形成された金属配線の腐食を防止するために、比較的厚く形成することが好ましい。例えば、有機膜２３０は、約２．０μｍ〜３．０μｍの厚みに形成できる。
【００１７】
有機膜２３０は、光が透過できるように透明な有機物で形成される。これと異なり、有機膜２３０は、第２基板３００に形成されたカラーフィルタ層を省略するために、赤色、緑色、及び青色等の色を有するカラーフォトレジストで形成することができる。
第１基板２００は、表示領域ＤＡで有機膜２３０上に形成された画素電極２４０を更に含むことができる。画素電極２４０は、画素部２２２の各画素に対応するようにパターニングされ、画素毎に形成された薄膜トランジスタと接続される。
【００１８】
画素電極２４０は、光が透過されることができる透明な導電性物質で形成される。例えば、画素電極２４０は、インジウムティンオキサイド（以下、ＩＴＯ）またはインジウムジンクオキサイド（以下、ＩＺＯ）で形成される。
一方、表示パネル１００が半透過製品である場合、第１基板２００は光の反射のために画素電極２４０上に形成される反射電極（図示せず）を更に含むことができる。
【００１９】
第２基板３００は、第２透明基板３１０上に形成されたブラックマトリックス３２０及び共通電極３３０を含むことができる。
ブラックマトリックス３２０は、表示領域ＤＡの周辺に位置する周辺領域ＰＡに形成される。ブラックマトリックス３２０は、表示領域ＤＡを除いた周辺領域ＰＡに光が透過することを遮断し、周辺領域ＰＡに形成されたシールライン４００及び駆動部２２４が画面上に投影されることを防止する。このため、ブラックマトリックス３２０は、少なくともシールライン４００及び駆動部２２４をカバーすることができる幅に形成される。ブラックマトリックス３２０の幅が大きくなるほど、表示パネル１００のサイズを大きくすることができるので、できればブラックマトリックス３２０の幅は小さく形成することが好ましい。例えば、ブラックマトリックス３２０は約１ｍｍの幅に形成される。
【００２０】
共通電極３３０は、ブラックマトリックス３２０が形成された第２透明基板３１０上に画素電極２４０と対向するように形成される。共通電極３３０は、表示領域ＤＡのみならず、周辺領域ＰＡまで延長されるように形成することができる。共通電極３３０は、画素電極２４０と同様に光を透過することができる透明な導電性物質で形成される。例えば、共通電極３３０は、インジウムティンオキサイド（以下、ＩＴＯ）またはインジウムジンクオキサイド（以下、ＩＺＯ）で形成される。
【００２１】
一方、第２基板３００は、カラーを具現するために、赤色、緑色、及び青色等の色を有するカラーフィルタ層（図示せず）を更に含むことができる。
シールライン４００は、第１基板２００と第２基板３００間であって画素部２２２の周辺に位置する領域、即ち、周辺領域ＰＡに配置され第１基板２００と第２基板３００を接着する。シールライン４００は、例えば、熱によって硬化する熱硬化性樹脂または紫外線等の光によって硬化する光硬化性樹脂で形成される。
【００２２】
シールライン４００は、ブラックマトリックス３２０によってカバーできるようにブラックマトリックス３２０より小さい幅に形成することが好ましい。例えば、シールライン４００は約０．５ｍｍの幅に形成される。また、シールライン４００は駆動部２２４の腐食防止効果をより向上させるために、駆動部２２４と重なるように形成することが好ましい。
【００２３】
表示パネル１００は、液晶層５００を更に含むことができる。液晶層５００は、第１基板２００と第２基板３００間に配置され、シールライン４００によって密封される。液晶層５００は、画素電極２４０と共通電極３３０に印加される電圧によって液晶の配列が変化され光の透過率を制御する。
導電性パターン６００は、シールライン４００と有機膜２３０間の少なくとも一部領域に配置されシールライン４００と有機膜２３０間の接着力を向上させる。シールライン４００の幅が小さくなるほど、シールライン４００と有機膜２３０間の接着力は劣化される。従って、有機膜２３０よりシールライン４００との接着力に優れた導電性パターン６００をシールライン４００と有機膜２３０間に形成することにより、シールライン４００と有機膜２３０間の分離を防止することができる。導電性パターン６００は、シールライン４００と有機膜２３０間の分離を防止するために、シールライン４００の全体領域と接触するように形成することが好ましい。
【００２４】
導電性パターン６００は、シールライン４００との接着力が有機膜２３０より優れた物質で形成される。例えば、導電性パターン６００は、金属または金属酸化物で形成される。また、導電性パターン６００は、工程の単純化のために、表示領域ＤＡに形成される画素電極２４０と同一層に同一物質で形成されることが好ましい。例えば、導電性パターン６００は、画素電極２４０と同様なＩＴＯまたはＩＺＯで形成されることができる。これと異なり、導電性パターン６００は、反射電極が使用される半透過モードの場合、反射電極と同じ物質で形成することができる。
【００２５】
従って、シールライン４００の下部面は、金属または金属酸化物で形成された導電性パターン６００と接触し、シールライン４００の上部面はＩＴＯまたはＩＺＯで形成された共通電極３３０と接触するので、第１基板２００と第２基板３００は安定的に結合することができる。一方、ブラックマトリックス３２０が有機物でない金属または金属酸化物で形成された場合、シールライン４００の上部面はブラックマトリックス３２０と直接接触するように形成することができる。
【００２６】
導電性パターン６００は、シールライン４００と有機膜２３０間の接着力を向上させると同時に、駆動部２２４の腐食を防止する役割を行う。このため、導電性パターン６００は、駆動部２２４と重なるように形成される。駆動部２２４と重なるようにシールライン４００を形成した場合、導電性パターン６００は自動的に駆動部２２４と重なることになる。
【００２７】
駆動部２２４内には、ゲート配線とデータ配線がゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じて直接接続されるメタルコンタクト領域が相当部分存在することになるが、以後の工程である画素電極２４０をエッチングする時、有機膜２３０に形成された微細ホール等の欠陥によって駆動部２２４内のメタルコンタクト領域に侵食及び腐食が発生するおそれがある。従って、画素電極２４０を形成する時、駆動部２２４と重なるように導電性パターン６００を形成することにより、駆動部２２４の侵食及び腐食を防止することができる。
【００２８】
図３は、図１に図示された導電性パターンの他の実施例を示す平面図である。
図３に示すように、導電性パターン６００は、シールライン４００の全体領域と重なるように形成するのではなく、駆動部２２４領域にのみ形成することができる。このように、導電性パターン６００が駆動部２２４領域にのみ形成されても、駆動部２２４の侵食及び腐食を防止してシールライン４００と有機膜２３０間の接着力を向上することができる。
【００２９】
一方、導電性パターン６００は、駆動部２２４のうち、ゲート金属とデータ金属が直接接触するメタルコンタクト領域に対応するように部分的に形成することができる。
図４は、図２に図示された表示パネルの他の実施例を示す断面図である。
図４に示すように、製品の特性によって、有機膜２３０は、駆動部２２４領域に形成されたホール２３２を含むことができる。
【００３０】
有機膜２３０にホール２３２が形成された場合、シールライン４００は駆動部２２４の上部まで延長され、導電性パターン６００は、ホール２３２領域でシールライン４００と駆動部２２４との間に形成される。駆動部２２４の最上層には酸化シリコン（ＳｉＯｘ）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる保護膜が形成されているので、導電性パターン６００は、シールライン４００と保護膜間の接着力を向上し、駆動部２２４内に形成された金属配線の侵食及び腐食を防止する。
【００３１】
以下、図１及び図２を参照して、本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を説明する。
図１及び図２に示すように、第１基板２００の画素部２２２及び駆動部２２４に薄膜トランジスタ２２０を形成する。
以後、薄膜トランジスタ２２０上に有機膜２３０を形成する。
【００３２】
以後、有機膜２３０上の少なくとも一部領域に導電性パターン６００を形成する。導電性パターン６００は、第１基板２００の画素部２２２で有機膜２３０上に形成される画素電極２４０と同一層に同一物質で同時に形成することができる。
この後、第１基板２００と対向するように第２基板３００を配置する。
次に、少なくとも一部領域が導電性パターン６００と重なるように第１基板２００と第２基板３００間であって画素部２２２の周辺領域にシールライン４００を形成して第１基板２００と第２基板３００を接着する。
【００３３】
図５は、図１及び図２に図示された第１基板を製造するための表示基板用母基板を示す平面図である。
図２及び図５に示すように、表示基板用母基板は、画素部２２２及び画素部２２２に接続された駆動部２２４を含む多数の表示基板領域ＤＳＡを含む母基板１１０、画素部２２２、及び駆動部２２４に形成された薄膜トランジスタ２２０、薄膜トランジスタ２２０上に形成された有機膜２３０、及び有機膜２３０上に形成されたガイドリング６５０を含む。
【００３４】
ガイドリング６５０は、駆動部２２４領域に配置される導電性パターン６００及び互いに異なる表示基板領域ＤＳＡに形成され互いに隣接する導電性パターン６００をリング形状に接続する第１連結部６１０を含む。
ガイドリング６５０は、画素部２２２で有機膜２３０上に形成された画素電極２４０と同一層に同一物質で形成することができる。例えば、ガイドリング６５０はＩＴＯまたはＩＺＯで形成される。
【００３５】
表示基板用母基板は、表示基板領域ＤＳＡ間で第１連結部６１０と交差するように延長され、第１連結部６１０と電気的に接続される第２連結部６２０を更に含むことができる。第２連結部６２０は、ガイドリング６５０と同一層に同一物質で形成することができる。
図６は、図５に図示された第２連結部の他の実施例を示す平面図である。
【００３６】
図２及び図６に示すように、第２連結部６２０は、薄膜トランジスタ２２０の形成と同時に形成される金属で形成することができる。例えば、第２連結部６２０は、薄膜トランジスタ２２０に含まれたゲート配線またはデータ配線と同一層に同一物質で形成される。
ガイドリング６５０と第２連結部６２０は、有機膜２３０を挟んで互いに異なる層に形成されるので、有機膜２３０に形成されたコンタクトホールＣＮＴ領域でガイドリング６５０と第２連結部６２０とを接続することができる。
【００３７】
以下、図２、図５、及び図６を参照して、図１及び図２に図示された第１基板に対応される表示基板の製造方法を説明する。
図２及び図５に示すように、多数の表示基板領域ＤＳＡを含む母基板１１０上に、それぞれの表示基板領域ＤＳＡに含まれる画素部２２２及び駆動部２２４に薄膜トランジスタ２２０を形成する。
【００３８】
以後、薄膜トランジスタ２２０が形成された母基板１１０上に有機膜２３０を形成する。
以後、有機膜２３０上にガイドリング６５０を形成する。ガイドリング６５０は、互いに隣接した表示基板領域ＤＳＡ間に形成される。ガイドリング６５０は、金属または金属酸化物で形成される。また、ガイドリング６５０は、工程の単純化のために、表示領域ＤＡに形成される画素電極２４０と同時に同一物質で形成されることが好ましい。例えば、ガイドリング６５０は、画素電極２４０と同じＩＴＯまたはＩＺＯで形成される。
【００３９】
ガイドリング６５０は、駆動部２２４領域に配置される導電性パターン６００及び互いに異なる表示基板領域ＤＳＡに形成され、互いに隣接する導電性パターン６００をリング形状に接続する第１連結部６１０を含む。このように、金属または金属酸化物をリング形状に形成することにより、以後進行される配向膜のラビング工程等で発生する静電気を効果的に分散させることができる。
【００４０】
一方、第１連結部６１０と接続される第２連結部６２０を更に形成することができる。第２連結部６２０は、表示基板領域ＤＳＡ間で第１連結部６１０と交差するように形成される。第２連結部６２０はガイドリング６５０を形成する時に同時に同一物質で形成される。図示されていないが、第２連結部６２０のエンド端はグラウンド端子と接地されることが好ましい。このように、ガイドリング６５０と共に、ガイドリング６５０と接続された第２連結部６２０を形成することにより、静電気分散及び防止効果をより向上させることができる。
【００４１】
以後、画素電極２４０及びガイドリング６５０が形成された母基板１１０上に配向膜を形成してラビング工程を進行することができる。
第１基板２００を形成するための全ての工程が終わると、母基板１１０を切断線ＣＬに沿って表示基板領域ＤＳＡ別に切断して第１基板２００を完成する。母基板１１０の切断によって、導電性パターン６００と第２連結部６２０との間に位置する第１連結部６１０が切断されることになる。従って、完成された第１基板２００に残留される導電性パターン６００は、フローティング状態を維持することになる。
【００４２】
以後、シールライン４００を通じて第１基板２００と第２基板３００を結合して表示パネル１００を製作する。
本実施例では、母基板１１０から第１基板２００を切断した後、第２基板３００と合着して表示パネル１００を製作したが、これと異なり、多数の第１基板２００が形成された表示基板用母基板と多数の第２基板３００が形成された対向基板用母基板を結合した後、領域別に切断して表示パネル１００を製作することもできる。
【００４３】
一方、静電気の分散及び防止のためのガイドリング６５０と第２連結部６２０は、図６に示すように、互いに異なる層に形成されることができる。例えば、第２連結部６２０は、薄膜トランジスタ２２０の形成と同時に形成される金属で形成され、ガイドリング６５０は画素電極２４０の形成と同時に形成することができる。従って、ガイドリング６５０と第２連結部６２０は有機膜２３０を挟んで互いに異なる層に形成されるので、有機膜２３０にコンタクトホールＣＮＴを形成してガイドリング６５０と第２連結部６２０を接続することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
このような表示パネル及び表示基板の製造方法によると、シールラインと有機膜との間の少なくとも一部領域に金属または金属酸化物からなる導電性パターンを形成することにより、表示基板と第２基板間の分離を防止することができる。
また、画素電極を形成する時、駆動部と重なるように導電性パターンを形成することにより、有機膜の欠陥による駆動部の侵食及び腐食を防止することができる。
【００４５】
また、表示基板の製造過程で、母基板上に形成される導電性パターンを互いに隣接した表示基板領域間にリング形状に形成することにより、以後進行する配向膜のラビング工程等で発生する静電気を効果的に分散及び防止させることができる。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施例による表示パネルを示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。
【図３】図１に図示された導電性パターンの他の実施例を示す平面図である。
【図４】図２に図示された表示パネルの他の実施例を示す断面図である。
【図５】図１及び図２に図示された第１基板を製造するための表示基板用母基板を示す平面図である。
【図６】図５に図示された第２連結部の他の実施例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１００ 表示パネル
２００ 第１基板
２２０ 薄膜トランジスタ
２２２ 画素部
２２４ 駆動部
２３０ 有機膜
２４０ 画素電極
３００ 第２基板
３２０ ブラックマトリックス
３３０ 共通電極
４００ シールライン
５００ 液晶層
６００ 導電性パターン
６１０ 第１連結部
６２０ 第２連結部
６５０ ガイドリング
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部及び前記画素部に接続された駆動部を含む第１基板と、
前記画素部及び前記駆動部に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機膜と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板間であって前記画素部の周辺領域に配置され前記第１基板と前記第２基板を接着するシールラインと、
前記シールラインと前記有機膜間に配置される導電性パターンと、
を含む表示パネル。
【請求項２】
前記導電性パターンは、前記シールラインに対して前記有機膜より強い接着力を有する物質を含むことを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項３】
前記導電性パターンは、金属または金属酸化物で形成されることを特徴とする請求項２記載の表示パネル。
【請求項４】
前記第１基板は前記画素部で前記有機膜上に形成された画素電極を更に含み、前記導電性パターンは前記画素電極と同一層に同一物質で形成されることを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項５】
前記導電性パターンは、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）またはインジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）で形成されることを特徴とする請求項４記載の表示パネル。
【請求項６】
前記導電性パターンは、前記シールラインの全体領域に形成されることを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項７】
前記導電性パターンは、前記駆動部領域に形成されることを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項８】
前記駆動部は、前記画素部に形成された前記薄膜トランジスタを駆動させるゲート駆動部を含み、前記シールラインと重なることを特徴とする請求項７記載の表示パネル。
【請求項９】
前記有機膜は前記駆動部領域に形成されたホールを含み、前記導電性パターンは前記ホール領域で前記シールラインと前記駆動部との間に配置されることを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記シールラインによって密封される液晶層を更に含むことを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記第２基板は、
少なくとも前記シールライン及び前記駆動部をカバーするように形成されたブラックマトリックスと、
前記画素電極と対向する共通電極と、
を含むことを特徴とする請求項４記載の表示パネル。
【請求項１２】
第１基板の画素部及び前記画素部に接続された駆動部に薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタ上に有機膜を形成する段階と、
前記有機膜上に導電性パターンを形成する段階と、
前記第１基板と対向するように第２基板を配置する段階と、
少なくとも一部領域が前記導電性パターンと重なるように前記第１基板と前記第２基板との間の前記画素部の周辺領域にシールラインを形成して前記第１基板と前記第２基板を接着する段階と、
を含む表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記導電性パターンは、前記第１基板の前記画素部で前記有機膜上に形成される画素電極と同一層に同一物質で形成されることを特徴とする請求項１２記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１４】
画素部及び前記画素部に接続された駆動部を含む多数の表示基板領域を含む基板と、
前記画素部及び前記駆動部に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機膜と、
前記有機膜上に形成され、前記駆動部領域に配置される導電性パターン及び互いに異なる前記表示基板領域に形成され互いに隣接する前記導電性パターンをリング形状に接続する第１連結部を含むガイドリングと、
を含む表示基板用母基板。
【請求項１５】
前記画素部で前記有機膜上に形成された画素電極を更に含み、前記ガイドリングは前記画素電極と同一層に同一物質で形成されることを特徴とする請求項１４記載の表示基板用母基板。
【請求項１６】
前記表示基板領域間で前記第１連結部と交差するように延長され、前記第１連結部と電気的に接続された第２連結部を更に含むことを特徴とする請求項１４記載の表示基板用母基板。
【請求項１７】
前記第２連結部は、前記ガイドリングと同一層に同一物質で形成されることを特徴とする請求項１６記載の表示基板用母基板。
【請求項１８】
前記第２連結部は、前記薄膜トランジスタの形成と同時に形成される金属で形成されることを特徴とする請求項１６記載の表示基板用母基板。
【請求項１９】
母基板の画素部及び前記画素部に接続された駆動部に薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタ上に有機膜を形成する段階と、
前記有機膜上に、前記駆動部領域に配置される導電性パターン及び互いに異なる前記表示基板領域に形成され互いに隣接する前記導電性パターンをリング形状に接続する第１連結部を含むガイドリングを形成する段階と、
を含む表示基板の製造方法。
【請求項２０】
前記ガイドリングは、金属または金属酸化物で形成されることを特徴とする請求項１９記載の表示基板の製造方法。
【請求項２１】
前記ガイドリングは、前記画素部で前記有機膜上に形成される画素電極と同一層に同一物質で形成されることを特徴とする請求項１９記載の表示基板の製造方法。
【請求項２２】
前記ガイドリングは、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）またはインジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）で形成されることを特徴とする請求項２１記載の表示基板の製造方法。
【請求項２３】
前記ガイドリングを形成する段階において、前記第１連結部は前記表示基板領域間で前記第１連結部と交差するように延長された第２連結部と連結されることを特徴とする請求項１９記載の表示基板の製造方法。
【請求項２４】
前記第２連結部は、前記ガイドリングと同時に同一物質で形成されることを特徴とする請求項２３記載の表示基板の製造方法。
【請求項２５】
前記第２連結部は、前記薄膜トランジスタの形成と同時に形成される金属で形成されることを特徴とする請求項２３記載の表示基板の製造方法。
【請求項１】
画素部及び前記画素部に接続された駆動部を含む第１基板と、
前記画素部及び前記駆動部に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機膜と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板間であって前記画素部の周辺領域に配置され前記第１基板と前記第２基板を接着するシールラインと、
前記シールラインと前記有機膜間に配置される導電性パターンと、
を含む表示パネル。
【請求項２】
前記導電性パターンは、前記シールラインに対して前記有機膜より強い接着力を有する物質を含むことを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項３】
前記導電性パターンは、金属または金属酸化物で形成されることを特徴とする請求項２記載の表示パネル。
【請求項４】
前記第１基板は前記画素部で前記有機膜上に形成された画素電極を更に含み、前記導電性パターンは前記画素電極と同一層に同一物質で形成されることを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項５】
前記導電性パターンは、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）またはインジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）で形成されることを特徴とする請求項４記載の表示パネル。
【請求項６】
前記導電性パターンは、前記シールラインの全体領域に形成されることを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項７】
前記導電性パターンは、前記駆動部領域に形成されることを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項８】
前記駆動部は、前記画素部に形成された前記薄膜トランジスタを駆動させるゲート駆動部を含み、前記シールラインと重なることを特徴とする請求項７記載の表示パネル。
【請求項９】
前記有機膜は前記駆動部領域に形成されたホールを含み、前記導電性パターンは前記ホール領域で前記シールラインと前記駆動部との間に配置されることを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記シールラインによって密封される液晶層を更に含むことを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記第２基板は、
少なくとも前記シールライン及び前記駆動部をカバーするように形成されたブラックマトリックスと、
前記画素電極と対向する共通電極と、
を含むことを特徴とする請求項４記載の表示パネル。
【請求項１２】
第１基板の画素部及び前記画素部に接続された駆動部に薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタ上に有機膜を形成する段階と、
前記有機膜上に導電性パターンを形成する段階と、
前記第１基板と対向するように第２基板を配置する段階と、
少なくとも一部領域が前記導電性パターンと重なるように前記第１基板と前記第２基板との間の前記画素部の周辺領域にシールラインを形成して前記第１基板と前記第２基板を接着する段階と、
を含む表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記導電性パターンは、前記第１基板の前記画素部で前記有機膜上に形成される画素電極と同一層に同一物質で形成されることを特徴とする請求項１２記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１４】
画素部及び前記画素部に接続された駆動部を含む多数の表示基板領域を含む基板と、
前記画素部及び前記駆動部に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された有機膜と、
前記有機膜上に形成され、前記駆動部領域に配置される導電性パターン及び互いに異なる前記表示基板領域に形成され互いに隣接する前記導電性パターンをリング形状に接続する第１連結部を含むガイドリングと、
を含む表示基板用母基板。
【請求項１５】
前記画素部で前記有機膜上に形成された画素電極を更に含み、前記ガイドリングは前記画素電極と同一層に同一物質で形成されることを特徴とする請求項１４記載の表示基板用母基板。
【請求項１６】
前記表示基板領域間で前記第１連結部と交差するように延長され、前記第１連結部と電気的に接続された第２連結部を更に含むことを特徴とする請求項１４記載の表示基板用母基板。
【請求項１７】
前記第２連結部は、前記ガイドリングと同一層に同一物質で形成されることを特徴とする請求項１６記載の表示基板用母基板。
【請求項１８】
前記第２連結部は、前記薄膜トランジスタの形成と同時に形成される金属で形成されることを特徴とする請求項１６記載の表示基板用母基板。
【請求項１９】
母基板の画素部及び前記画素部に接続された駆動部に薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記薄膜トランジスタ上に有機膜を形成する段階と、
前記有機膜上に、前記駆動部領域に配置される導電性パターン及び互いに異なる前記表示基板領域に形成され互いに隣接する前記導電性パターンをリング形状に接続する第１連結部を含むガイドリングを形成する段階と、
を含む表示基板の製造方法。
【請求項２０】
前記ガイドリングは、金属または金属酸化物で形成されることを特徴とする請求項１９記載の表示基板の製造方法。
【請求項２１】
前記ガイドリングは、前記画素部で前記有機膜上に形成される画素電極と同一層に同一物質で形成されることを特徴とする請求項１９記載の表示基板の製造方法。
【請求項２２】
前記ガイドリングは、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）またはインジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）で形成されることを特徴とする請求項２１記載の表示基板の製造方法。
【請求項２３】
前記ガイドリングを形成する段階において、前記第１連結部は前記表示基板領域間で前記第１連結部と交差するように延長された第２連結部と連結されることを特徴とする請求項１９記載の表示基板の製造方法。
【請求項２４】
前記第２連結部は、前記ガイドリングと同時に同一物質で形成されることを特徴とする請求項２３記載の表示基板の製造方法。
【請求項２５】
前記第２連結部は、前記薄膜トランジスタの形成と同時に形成される金属で形成されることを特徴とする請求項２３記載の表示基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−２０３８４５（Ｐ２００８−２０３８４５Ａ）
【公開日】平成２０年９月４日（２００８．９．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２５０５６（Ｐ２００８−２５０５６）
【出願日】平成２０年２月５日（２００８．２．５）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月４日（２００８．９．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月５日（２００８．２．５）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
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