表示装置
【課題】暗画像を挿入して擬似的にインパルス駆動に近づける方法において、消費電力の
増大や、発光時の負荷の増大などの問題が低減された表示装置およびその駆動方法を提供
することを課題とする。
【解決手段】1フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割して階調を表現する表示装
置であって、1フレーム期間は、少なくとも第1のサブフレーム期間と、第2のサブフレ
ーム期間とに分割され、最大の階調を表示するときの第1のサブフレーム期間における輝
度をLmax1とし、最大の階調を表示するときの第2のサブフレーム期間における輝度
をLmax2としたとき、1フレーム期間において、(1/2)Lmax2<Lmax1
<(9/10)Lmax2を満たすように設ける。
増大や、発光時の負荷の増大などの問題が低減された表示装置およびその駆動方法を提供
することを課題とする。
【解決手段】1フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割して階調を表現する表示装
置であって、1フレーム期間は、少なくとも第1のサブフレーム期間と、第2のサブフレ
ーム期間とに分割され、最大の階調を表示するときの第1のサブフレーム期間における輝
度をLmax1とし、最大の階調を表示するときの第2のサブフレーム期間における輝度
をLmax2としたとき、1フレーム期間において、(1/2)Lmax2<Lmax1
<(9/10)Lmax2を満たすように設ける。
Notice: Undefined index: DEJ in /mnt/www/gzt_disp.php on line 298
【特許請求の範囲】
【請求項1】
1フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割して階調を表現する表示装置であって、
前記1フレーム期間は、少なくとも第1のサブフレーム期間と、第2のサブフレーム期間とに分割され、表示できる階調は、分割されたn個(nは2以上の整数)の階調領域で構成され、
前記階調領域のそれぞれが、前記第1のサブフレーム期間と、前記第2のサブフレーム期間のいずれか一方において、階調変化に対する輝度変化が一定、又は前記第1のサブフレーム期間における第1の輝度と、前記第2のサブフレーム期間における第2の輝度との比が、階調に対して一定であることを特徴とする表示装置。
【請求項2】
複数の表示素子を並置して画像を表示する表示装置の駆動方法であって、
1フレーム期間は、第1のサブフレーム期間と、第2のサブフレーム期間と、に分割され、
表示できる階調は、分割されたn個(nは2以上の整数)の階調領域で構成され、
前記n個に分割された階調領域のそれぞれが、前記第1のサブフレーム期間と、前記第2のサブフレーム期間のいずれか一方において、階調変化に対する輝度変化が一定、又は、前記第1のサブフレーム期間における第1の輝度と、前記第2のサブフレーム期間における第2の輝度との比が、階調に対して一定であることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項1】
1フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割して階調を表現する表示装置であって、
前記1フレーム期間は、少なくとも第1のサブフレーム期間と、第2のサブフレーム期間とに分割され、表示できる階調は、分割されたn個(nは2以上の整数)の階調領域で構成され、
前記階調領域のそれぞれが、前記第1のサブフレーム期間と、前記第2のサブフレーム期間のいずれか一方において、階調変化に対する輝度変化が一定、又は前記第1のサブフレーム期間における第1の輝度と、前記第2のサブフレーム期間における第2の輝度との比が、階調に対して一定であることを特徴とする表示装置。
【請求項2】
複数の表示素子を並置して画像を表示する表示装置の駆動方法であって、
1フレーム期間は、第1のサブフレーム期間と、第2のサブフレーム期間と、に分割され、
表示できる階調は、分割されたn個(nは2以上の整数)の階調領域で構成され、
前記n個に分割された階調領域のそれぞれが、前記第1のサブフレーム期間と、前記第2のサブフレーム期間のいずれか一方において、階調変化に対する輝度変化が一定、又は、前記第1のサブフレーム期間における第1の輝度と、前記第2のサブフレーム期間における第2の輝度との比が、階調に対して一定であることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【公開番号】特開2013−29859(P2013−29859A)
【公開日】平成25年2月7日(2013.2.7)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−224026(P2012−224026)
【出願日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【分割の表示】特願2007−132159(P2007−132159)の分割
【原出願日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年2月7日(2013.2.7)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年10月9日(2012.10.9)
【分割の表示】特願2007−132159(P2007−132159)の分割
【原出願日】平成19年5月17日(2007.5.17)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
[ Back to top ]