貼りあわせ方法、貼りあわせ装置、半導体装置の作製方法及び半導体装置の製造装置
【課題】異なる配置密度または配置間隔を有する複数の部品の貼りあわせ方法、及び貼りあわせ装置において、タクトタイムを短くすることが可能な貼りあわせ方法、及び貼りあわせ装置を提案する。また、低コストの半導体装置の作製方法及び低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の部品をｘ方向の配置間隔を変更しながら第１のフレキシブル基板に仮着した後、第１の部品のｙ方向の配置間隔を変更しながら第２のフレキシブル基板上の第２の部品に第１の部品を接続させ、異なる配置密度の部品を同時に複数組ずつ貼りあわせをする。
【解決手段】第１の部品をｘ方向の配置間隔を変更しながら第１のフレキシブル基板に仮着した後、第１の部品のｙ方向の配置間隔を変更しながら第２のフレキシブル基板上の第２の部品に第１の部品を接続させ、異なる配置密度の部品を同時に複数組ずつ貼りあわせをする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフレキシブル（可撓性を有する）基板上に設けられた回路（または素子）に対して半導体集積回路を電気的に接続する半導体装置の作製方法に関する。特に、ロールｔｏロール方式を用いる半導体装置の作製方法に関する。フレキシブル基板上に形成されたアンテナに対して半導体集積回路を電気的に接続する半導体装置の作製方法に関する。アンテナを介した無線通信によりデータの入出力を行う半導体装置の作製方法に関する。また、半導体装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アンテナと当該アンテナと電気的に接続された半導体集積回路とを有する半導体装置は、ＲＦＩＤタグとして注目されている。ＲＦＩＤタグは、ＩＣタグ、ＩＤタグ、トランスポンダ、ＩＣチップ、ＩＤチップとも呼ばれる。フレキシブル基板上に複数のアンテナを設け、当該複数のアンテナに対して１つずつ半導体集積回路を電気的に接続するＲＦＩＤタグの作製方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、１枚の基板（以下、素子基板ともいう）に複数の半導体集積回路を形成し、複数の半導体集積回路を１つずつ取り出し、取り出した半導体集積回路を素子基板とは別の基板上に実装する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−１１５６４６号公報
【特許文献２】特開２０００−２９９５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
第１のフレキシブル基板上に配列された半導体集積回路と、第２のフレキシブル基板上に配列されたアンテナとを再配列することなく直接接続させるとタクトタイムを短くすることができる。
【０００５】
しかしながら、コストを低減するため、複数の半導体集積回路は素子基板上に高集積化して形成するのが好ましい。また、半導体集積回路の面積も小さくすることが好ましい。一方、アンテナは所定の周波数の電磁波を受信するために所定の形状及び大きさとする必要がある。そのため、半導体集積回路及びアンテナの大きさが異なってしまい、配置密度が異なる。この場合、再配列せずに、フレキシブル基板上の複数のアンテナに素子基板上に形成された複数の半導体集積回路を同時に電気的に接続することはできなかった。
【０００６】
そのため、例えば特許文献２に記載されたような方法を用いて、素子基板上に形成された複数の半導体集積回路のうちの１つを取り出し、フレキシブル基板上の複数のアンテナのうち１つのアンテナに、接続する動作を、素子基板上に形成された全ての半導体集積回路に対して繰り返さなければならなかった。それ故、タクトタイムが長く、半導体装置の製造コストを高くしていた。
【０００７】
上記の実情を鑑み、本発明では、異なる配置密度または配置間隔を有する複数の部品の貼りあわせ方法、及び貼りあわせ装置において、タクトタイムを短くすることが可能な貼りあわせ方法、及び貼りあわせ装置を提案する。また、低コストの半導体装置の作製方法及び低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一は、第１の部品をＸ方向の配置間隔を変更しながら第１のフレキシブル基板に仮着した後、第１の部品のＹ方向の配置間隔を変更しながら第２のフレキシブル基板上の第２の部品に第１の部品を接続させ、異なる配置密度の部品を同時に複数組ずつ貼りあわせすることを特徴とする。
【０００９】
代表的には、支持手段上に、Ｘ方向において間隔ｘ（ｘ＞０）、Ｙ方向において間隔ｙ（ｙ＞０）となるようにマトリクス状に複数の第１の部品を配置し、第１の部品をＸ方向の配置間隔をｘからａに変更しながら第１のフレキシブル基板に仮着した後、Ｙ方向の配置間隔をｙからｂに変更しながら第２のフレキシブル基板上の第２の部品に接続させ、連続的に異なる配置密度の部品を貼りあわせることを特徴とする。
【００１０】
なお、間隔ａは、第１のフレキシブル基板を供給するロール及び第１のフレキシブル基板を回収するロール各々の回転速度、並びに第１の部品を第１のフレキシブル基板に仮着する周期で制御することができる。また、間隔ｂは、第１のフレキシブル基板を供給するロール及び第１のフレキシブル基板を回収するロール、並びに第２のフレキシブル基板を供給するロール及び第２のフレキシブル基板を回収するロール各々の回転速度、並びに第１の部品を第２のフレキシブル基板に仮着する周期で制御することができる。
【００１１】
また、Ｘ方向及びＹ方向がなす角度θは、０度より大きく１８０度より小さい。また、角度θは９０度でもよい。さらには、Ｘ方向及びＹ方向がなす角度を９０度とし、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺がなす角度を０度より大きく９０度より小さい、または９０度より大きく１８０度より小さい角度にしてもよい。
【００１２】
また、第１のフレキシブル基板の幅及び第２のフレキシブル基板の幅は同一でもよい。また、異なっていても良い。
【００１３】
また、本発明の一の半導体装置の作製方法は、支持手段上に、行間隔がｘ（ｘ＞０）で列間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置する。複数の半導体集積回路を１行ずつ、列間隔を変えず、行間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させる。第２のフレキシブル基板上に、列間隔がａとなり行間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となるように、マトリクス状に複数のアンテナを配置する。第１のフレキシブル基板の複数の半導体集積回路の行方向に交差するように、第２のフレキシブル基板を複数のアンテナの行方向に移動させて、複数のアンテナのうちの１つに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの１つを、接続することを特徴とする。
【００１４】
なお、第２のフレキシブル基板を複数のアンテナの行方向に移動させるだけでなく、当該行方向と交差するように第１のフレキシブル基板を複数の半導体集積回路の行方向に移動させてもよい。こうして、複数のアンテナのうちの１つに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの１つを接続してもよい。
【００１５】
本発明の半導体装置の作製方法は、支持手段上に、行間隔がｘ（ｘ＞０）で列間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにｍ（ｍは自然数）行ｎ（ｎは自然数）列のマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置する。複数の半導体集積回路を１行ずつ、列間隔を変えず、行間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させる。第２のフレキシブル基板上に、列間隔がａとなり行間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となるように、且つ行方向に対して平行な直線上に接続部が配置されるように、ｑ（ｑはｐ以上の自然数）行ｐ（ｐは自然数）列のマトリクス状に複数のアンテナを配置する。複数のアンテナのうち、第ｊ（ｊは１以上ｐ以下の自然数）行のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち第ｊ列の半導体集積回路を接続することを特徴とする。
【００１６】
特に、複数のアンテナのうち第ｊ（ｊは１以上ｑより小さい自然数）行第ｉ（ｉは１以上ｐ以下の自然数）列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの第ｉ行第ｊ列の半導体集積回路を接続してもよい。複数のアンテナのうち第ｊ行の全てのアンテナの接続部に半導体集積回路を電気的に接続した後、前記第２のフレキシブル基板を前記複数のアンテナの行方向に移動させる。その後、複数のアンテナのうち第（ｊ＋１）行第ｉ列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの第ｉ行第（ｊ＋１）列の半導体集積回路を接続する。
【００１７】
本発明の半導体装置の作製方法は、支持手段上に、行間隔がｘ（ｘ＞０）で列間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにｍ（ｍは自然数）行ｎ（ｎは自然数）列のマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置する。複数の半導体集積回路を１行ずつ、列間隔を変えず、行間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させる。第２のフレキシブル基板上に、列間隔が前記ａとなり行間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となり、且つ列方向に対してａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）の角度を有する直線上に接続部が配置されるように、ｑ（ｑはｐ以上の自然数）行ｐ（ｐはｍ以下の自然数）列のマトリクス状に複数のアンテナを配置する。若しくは、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺を、ａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）の角度で交差させる。複数のアンテナのうち第ｊ（ｊは１以上ｐ以下の自然数）行のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち第ｊ列の半導体集積回路を接続することを特徴とする。
【００１８】
特に、複数のアンテナのうち、第ｊ（ｊは１以上ｑより小さい自然数）行第ｉ（ｉは１以上ｐより小さい自然数）列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち第ｉ行第ｊ列の半導体集積回路を接続してもよい。複数のアンテナのうち第ｊ行の全てのアンテナの接続部に半導体集積回路を接続した後、第１のフレキシブル基板を複数の半導体集積回路の行方向に移動させ、且つ、当該行方向と直交するように第２のフレキシブル基板を複数のアンテナの行方向に移動させる。その後、複数のアンテナのうち第（ｊ＋１）行第ｉ列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの第（ｉ＋１）行第ｊ列の半導体集積回路を接続する。
【００１９】
なお、複数のアンテナのうち１行のアンテナに対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を同時に接続してもよいし、連続して順に接続してもよい。
【００２０】
また、複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を接続する工程において、アンテナと半導体集積回路とを電気的に接続しても良い。複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を仮接続した後、複数のアンテナと第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路とを圧着、加熱等を行うことによって電気的に本接続してもよい。複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を仮接続した後に行う圧着や加熱等の工程は、第２のフレキシブル基板上に配置された全てのアンテナに対して同時に行うこともできる。
【００２１】
また、本発明の一の貼りあわせ装置は、ピックアップ手段と、第１の基板搬送手段と、第２の基板搬送手段と、制御手段と、ボンディング手段とを有することを特徴とする。ピックアップ手段は、複数の第１の部品が配置された支持手段上から、複数の第１の部品のＸ方向の間隔をｘからａに変えながら１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させる。第１の基板搬送手段は、第１のフレキシブル基板上の複数の第１の部品のＸ方向に、第１のフレキシブル基板を移動させる。第２の基板搬送手段は、マトリクス状に複数の第２の部品が配置された第２のフレキシブル基板を、複数の第１の部品のＹ方向に移動させる。制御手段は、複数の第２の部品の１つに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の第１の部品の１つが対応して重なるように、ピックアップ手段、第１の基板搬送手段、ボンディング手段、及び第２の基板搬送手段を制御する。ボンディング手段は、複数の第１の部品と重なった複数の第２の部品を接続する。
【００２２】
本発明の一の半導体装置の製造装置は、ピックアップ手段と、第１の基板搬送手段と、第２の基板搬送手段と、制御手段と、ボンディング手段とを有することを特徴とする。ピックアップ手段は、マトリクス状に複数の半導体集積回路が配置された支持手段上から、複数の半導体集積回路を１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させる。第１の基板搬送手段は、第１のフレキシブル基板上の複数の半導体集積回路の行方向に、第１のフレキシブル基板を移動させる。第２の基板搬送手段は、マトリクス状に複数のアンテナが配置された第２のフレキシブル基板を、複数のアンテナの行方向で且つ第１のフレキシブル基板の移動方向と交差する方向に移動させる。制御手段は、複数のアンテナのうちの１つの接続部に対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路の１つが対応して重なるように、ピックアップ手段、第１の基板搬送手段、ボンディング手段、及び第２の基板搬送手段を制御する。ボンディング手段は、複数のアンテナの接続部と重なった複数の半導体集積回路を当該アンテナの接続部に接続する。
【００２３】
なお、ボンディング手段は、複数のアンテナのうち１行のアンテナに対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を同時に接続する構成としてもよいし、連続して順に接続する構成としてもよい。
【００２４】
また、ボンディング手段は、アンテナ及び半導体集積回路を電気的に接続する構成としてもよい。または、ボンディング手段は、複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を仮接続する第１の構成と、複数のアンテナと第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路とを圧着、加熱等を行うことによって電気的に本接続する第２の構成とを有していてもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の貼りあわせ方法は、第１の部品をＸ方向の配置間隔を変更しながら第１のフレキシブル基板に仮着した後、第１の部品のＹ方向の配置間隔を変更しながら第２のフレキシブル基板上の第２の部品に第１の部品を接続させ、異なる配置密度の部品同士を連続的に貼りあわせすることができる。代表的には、支持手段上に、Ｘ方向において間隔ｘ（ｘ＞０）、Ｙ方向において間隔ｙ（ｘ＞０）となるようにマトリクス状に複数の第１の部品を配置し、第１の部品をＸ方向の配置間隔をｘからａに変更しながら第１のフレキシブル基板に仮着した後、Ｙ方向の配置間隔をｙからｂに変更しながら第２のフレキシブル基板上の第２の部品に接続させ、連続的に異なる配置密度の部品を貼りあわせることができる。また、同時に複数組の部品を貼りあわせることができる。このため、貼りあわせ工程のタクトタイムを短縮することができる。
【００２６】
また、本発明の半導体装置の作製方法は、支持手段上にマトリクス状に配置された複数の半導体集積回路を、行間隔を大きくして第１のフレキシブル基板上に仮着させる。そのため、第１のフレキシブル基板上の複数の半導体集積回路の行間隔を第２のフレキシブル基板上の複数のアンテナの列間隔に合わせることができる。そして、第１のフレキシブル基板の複数の半導体集積回路の行方向に直交するように、第２のフレキシブル基板を複数のアンテナの行方向に移動させる。こうして、複数のアンテナの各列に対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路の各行を対応させることができる。そのため、複数のアンテナの１行に対して、当該１行に対応する複数の半導体集積回路の位置合わせを同時に行うことができる。このように第１のフレキシブル基板に対して第２のフレキシブル基板を移動させ、複数のアンテナのうちの１つに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの１つを接続する。こうして、複数のアンテナの１行と、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち当該１行に対応する複数の半導体集積回路とを同時にまたは連続して接続することができる。
【００２７】
また、第２のフレキシブル基板を複数のアンテナの行方向に移動させるだけでなく、当該行方向と直交するように第１のフレキシブル基板を複数の半導体集積回路の行方向に移動させてもよい。こうして、支持手段上に配置された複数の半導体集積回路の行数が第２のフレキシブル基板の複数のアンテナの列数よりも大きい場合においても、複数の半導体集積回路の各行を複数のアンテナの各列に対応させることができる。
【００２８】
特に、第２のフレキシブル基板上の複数のアンテナの配置の仕方を、列間隔がａとなり行間隔がｂとなるように、且つ行方向に対して平行な直線上に接続部が配置されるようにする。そして、複数のアンテナのうち、各行の第ｊ行のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち第ｊ列の半導体集積回路を接続する。こうして、１つのアンテナに対して１つの半導体集積回路を対応させ、複数のアンテナの１行と第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路の１列とを同時にまたは連続して接続することができる。
【００２９】
また、複数のアンテナのうち第ｊ行第ｉ列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの第ｉ行第ｊ列の半導体集積回路を接続してもよい。複数のアンテナのうち第ｊ行の全てのアンテナの接続部に半導体集積回路を接続した後、前記第２のフレキシブル基板を前記複数のアンテナの行方向に移動させる。その後、複数のアンテナのうち第（ｊ＋１）行第ｉ列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの第ｉ行第（ｊ＋１）列の半導体集積回路を接続する。こうして、複数のアンテナの各行のアンテナに対して、半導体集積回路を接続することができる。
【００３０】
特に、第２のフレキシブル基板上の複数のアンテナの配置の仕方を、列間隔がａとなり行間隔がｂとなり、且つ行方向に対してａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）の角度を有する直線上に接続部が配置されるようにする。そして、複数のアンテナのうち各列の第ｊ行のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち対角線上に配置された半導体集積回路を接続する。こうして、１つのアンテナに対して１つの半導体集積回路を対応させ、複数のアンテナの１行と第１のフレキシブル基板上においてａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）の角度を有する直線上に並んだ半導体集積回路とを同時にまたは連続して接続することができる。
【００３１】
さらに、複数のアンテナのうち、第ｊ行第ｉ列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち第ｉ行第ｊ列の半導体集積回路を接続してもよい。複数のアンテナのうち第ｊ行の全てのアンテナの接続部に半導体集積回路を接続した後、第１のフレキシブル基板を複数の半導体集積回路の行方向に移動させ、且つ、当該行方向と直交するように第２のフレキシブル基板を複数のアンテナの行方向に移動させる。その後、複数のアンテナのうち第（ｊ＋１）行第ｉ列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの第（ｉ＋１）行第ｊ列の半導体集積回路を接続する。こうして、複数のアンテナの各行のアンテナに対して半導体集積回路を接続することができる。
【００３２】
また、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路にアンテナを接続する工程において、複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を仮接続する工程（以下、仮接続という）と、複数のアンテナと第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路とを圧着、加熱等を行うことによって電気的に接続する工程（以下、本接続という）とを分けてもよい。仮接続では、本接続に対して、圧力や加熱の条件を制御する必要が少ないので、位置合わせの精度を高めやすい。こうして、複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を精度よく接続することができ、アンテナと半導体集積回路を電気的により確実に接続することができる。
【００３３】
以上によって、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストの半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００３４】
本発明の半導体装置の製造装置は、ピックアップ手段と、第１の基板搬送手段と、第２の基板搬送手段と、制御手段と、ボンディング手段とを有する。ピックアップ手段は、マトリクス状に複数の半導体集積回路が配置された支持手段上から、複数の半導体集積回路を１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させる。第１の基板搬送手段は、マトリクス状に複数のアンテナが配置された第２のフレキシブル基板を、複数のアンテナの行方向で且つ第１のフレキシブル基板の移動方向と交差する方向に移動させる。第２の基板搬送手段は、第１のフレキシブル基板上の複数の半導体集積回路の行方向に直交するように、第１のフレキシブル基板を移動させる。制御手段は、複数のアンテナのうちの１つの接続部に対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路の１つが対応して重なるように、ピックアップ手段、第１の基板搬送手段、ボンディング手段、及び第２の基板搬送手段を制御する。ボンディング手段は、複数のアンテナの接続部と重なった複数の半導体集積回路を当該アンテナの接続部に接続する。こうして、複数のアンテナの１行と、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち当該１行に対応する複数の半導体集積回路とを同時にまたは連続して接続することができる。
【００３５】
また、ボンディング手段は、仮接着を行う構成に加えて、本接着を行う構成を有していてもよい。こうして、複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を精度よく接続することができ、アンテナと半導体集積回路を電気的により確実に接続することができる。
【００３６】
以上によって、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更しうることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。
【００３８】
（実施の形態１）
本発明の半導体装置の作製方法について説明する。説明には図１乃至１０を用いる。
【００３９】
図１に本発明の貼りあわせ装置及び半導体装置の製造装置の一形態を示す。貼りあわせ装置は、第１の部品が配置された支持手段、第１の部品を保持する第１のフレキシブル基板、支持手段上に配置された第１の部品を第１のフレキシブル基板に仮着させるピックアップ手段を有する。また、第２の部品が配置された第２のフレキシブル基板、第２の部品に第１の部品を接続するボンディング手段を有する。また、第１のフレキシブル基板を供給する（繰り出す）第１の供給部、及び第１のフレキシブル基板を回収する（繰り込む）第１の回収部で構成される第１の基板搬送手段を有する。また、第２のフレキシブル基板を供給する（繰り出す）第２の供給部、第２のフレキシブル基板を回収する（繰り込む）第２の回収部で構成される第２の基板搬送手段を有する。第２の供給部の動作、第２の回収部の動作、及びローラーの回転速度により、第２のフレキシブル基板の移動タイミング及び移動速度を制御することができる。
【００４０】
以下に、第１の部品として半導体集積回路を用い、第２の部品としてアンテナを用いた半導体装置の製造装置の形態について示す。なお、第１の部品として、半導体集積回路の代わりに、アンテナ、第２の半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、表示装置、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ、マイクロマシン）等を適宜用いることができる。また、第２の部品として、アンテナの代わりに、半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、表示装置、ＭＥＭＳ等を適宜用いることができる。
【００４１】
半導体装置の製造装置は、半導体集積回路２４が配置された支持手段２０、半導体集積回路２４を保持する第１のフレキシブル基板２３、支持手段２０上に配置された半導体集積回路２４を第１のフレキシブル基板２３に仮着させるピックアップ手段２１を有する。また、アンテナ２６が形成された第２のフレキシブル基板２５、アンテナ２６に半導体集積回路２４を接続するボンディング手段２２を有する。また、第１のフレキシブル基板２３の移動を制御するローラー３０、第２のフレキシブル基板２５の移動を制御するローラー３１を有してもよい。
【００４２】
図１（Ｂ）に、図１（Ａ）のＡ−Ｂの断面図を示す。なお、図１のＡ−Ｂは半導体集積回路の列方向の断面図である。図１（Ｂ）に一形態を示すように、支持手段２０上の半導体集積回路２４上に、一定の間隔を置いて第１のフレキシブル基板２３が配置される。さらには、第１のフレキシブル基板２３上には、一定の間隔を置いてピックアップ手段２１が配置される。ピックアップ手段２１は押圧部３４を有する。さらには、支持手段２０及びピックアップ手段２１の位置が第１のフレキシブル基板２３及び半導体集積回路２４を介して反対に設けてもよい。
【００４３】
図１（Ｃ）に図１（Ａ）のＣ−Ｄの断面図を示す。なお、図１（Ａ）のＣ−Ｄはアンテナの列方向の断面図である。アンテナの各行間隔はａである。図１（Ｃ）に一形態を示すように、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路２４と一定の間隔を置いて、第２のフレキシブル基板２５上のアンテナ２６が対向する。また、第２のフレキシブル基板２５と一定の間隔をおいて、ボンディング手段２２が配置される。ボンディング手段２２は押圧部３３を有する。さらには、第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５を介してボンディング手段２２の反対側に、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路２４及び第２のフレキシブル基板２５上のアンテナ２６の接続を促すため、即ちボンディング手段２２の加圧をしやすくするため、基板３２を設けてもよい。さらには、基板３２及びボンディング手段２２の位置が第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５を介して反対に設けてもよい。
【００４４】
また、図示しないが、第１のフレキシブル基板２３を供給する（繰り出す）第１の供給部、第１のフレキシブル基板を回収する（繰り込む）第１の回収部で構成される第１の基板搬送手段を有する。第１の供給部の動作、第１の回収部の動作、及びローラー３０の回転速度により、第１のフレキシブル基板２３の繰り出しタイミング及び移動速度を制御することができる。また、第２のフレキシブル基板２５を供給する（繰り出す）第２の供給部、第２のフレキシブル基板２５を回収する（繰り込む）第２の回収部で構成される第２の基板搬送手段を有する。第２の供給部の動作、第２の回収部の動作、及びローラー３１の回転速度により、第２のフレキシブル基板２５の移動タイミング及び移動速度を制御することができる。
【００４５】
また、支持手段２０、ピックアップ手段２１、ボンディング手段２２、第１の基板搬送手段、第２の基板搬送手段、ローラー３０、３１等の動作を制御する制御装置を有する。
【００４６】
本半導体装置の製造装置においては、図２（Ａ）に一形態を示すように、支持手段２０上に半導体集積回路２４がｍ行ｎ列のマトリクス状に配置される。このときの半導体集積回路の行間隔をｘ、列間隔をｙとする。なお、ここでは、半導体集積回路の行間隔及び列間隔は、隣接する半導体集積回路の中心間の距離とする。さらには、第１のフレキシブル基板２３が移動する矢印３７と平行な方向を、マトリクス状に配置された半導体集積回路の行方向とする。半導体集積回路の各々の内部には、アライメントマークが設けてあることが好ましい。
【００４７】
本半導体装置の製造装置においては、図２（Ｂ）に一形態を示すように、第２のフレキシブル基板２５上にアンテナ２６がｑ行ｐ列のマトリクス状に配置される。このときの隣接するアンテナの接続部２９の行間隔をｂ、列間隔をａとする。なお、ここでは、アンテナの接続部の行間隔及び列間隔は、隣接するアンテナの接続部の中心間の距離とする。さらには、第２のフレキシブル基板２５が移動する矢印３５と平行な方向を、マトリクス状に配置されたアンテナの行方向とする。アンテナの各々の内部には、アライメントマークが設けてあることが好ましい。または、第２のフレキシブル基板には、アライメントマークが設けてあることが好ましい。アンテナと半導体集積回路を接続させるとき、それぞれのアライメントマークをそろえることで、歩留まり高く接続させることができる。
【００４８】
なお、ここでは、アンテナ２６の接続部２９は、半導体集積回路２４と同様の面積の形態について説明する。また、アンテナ２６の接続部２９及び半導体集積回路２４の面積が異なっていても良い。即ち、半導体装置の作製装置の位置合わせ精度によって、アンテナ２６の接続部２９及び半導体集積回路２４が完全に重畳せず若干ずれることもあるが、半導体集積回路２４の接続端子及びアンテナ２６が電気的に接続されていればよい。
【００４９】
支持手段２０は、半導体集積回路２４を搭載するステージやトレイ、ＵＶシートが張られたエキスパンドリング等がある。また、支持手段２０は移動装置に設けられていてもよい。移動装置としては、水平移動（ｘｙ方向）が可能なベルトコンベヤー、昇降及び水平移動（ｘｙｚ方向）が可能なロボットアームやステージ等がある。
【００５０】
ピックアップ手段２１は、押圧部３４を有する。また、ピックアップ手段２１には、ロボットアーム、ヘッド、ローラー等の移動装置が接続されている。このような移動装置が設けられることにより、ピックアップ手段の昇降及び水平移動（ｘｙｚ方向）を自由に行うことが可能である。ピックアップ手段２１は、第１のフレキシブル基板２３及び半導体集積回路２４を圧着し、支持手段２０から第１のフレキシブル基板２３へ半導体集積回路２４を移動させることができる。押圧部３４は、半導体集積回路ごとに設けられてもよい。また、押圧する領域全体に一つの押圧部３４を設けてもよい。ここでは、半導体集積回路ことに押圧部３４が設けられている形態を示す。なお、押圧部３４は１０ｇ〜１００ｋｇ、好ましくは５０ｇ〜５０ｋｇの荷重が可能であることが好ましい。
【００５１】
半導体集積回路２４は、複数の半導体素子により回路が構成されるものであり、代表的には、複数の半導体素子が形成されるシリコンチップや、複数の薄膜半導体素子を有するチップ等がある。
【００５２】
複数の半導体素子が形成されるシリコンチップの作製方法の代表例としては、シリコンウエハの表面にＭＯＳトランジスタや、容量、抵抗、ダイオード等を形成する。次に、シリコンウエハの裏面をバックグラインドと呼ばれる研磨処理行い、シリコンウエハの厚さを３０〜２５０μｍ、好ましくは５０〜１００μｍにする。この後、ダイサーで矩形状にシリコンウエハを分割したチップである。
【００５３】
複数の薄膜半導体素子を有するチップの代表例としては、薄膜トランジスタ、容量、抵抗、薄膜ダイオード等を有する層である。薄膜半導体素子を有するチップの作製方法の代表例としては、基板上に、薄膜トランジスタ、容量、抵抗、薄膜ダイオード等を有する層を形成し、当該層を基板から剥離し、矩形状に分断することにより形成される。
【００５４】
第１のフレキシブル基板２３は、表面において半導体集積回路２４を保持するため、表面に粘着層を有する可撓性を有する基板（以下、粘着層を有するフィルムとも示す。）が好ましい。粘着層を有するフィルムとしては、紫外線硬化型粘着フィルム（ＵＶフィルム、ＵＶテープ、ＵＶシートともいう。）や、圧力が加わることにより粘着力が変化する感圧フィルム（感圧フィルム、感圧テープ、感圧シートともいう。）、熱硬化型粘着フィルム（熱硬化型粘着テープ、熱硬化型粘着シートともいう。）等がある。さらには、粘着層を有するフィルムはエキスパンドタイプの伸縮可能なものであってもよい。
【００５５】
一方、第２のフレキシブル基板２５は、可撓性を有する可撓性基板を用いる。さらには、第２のフレキシブル基板２５には、粘着層及び離型紙が設けられていても良い。このような場合は、アンテナが形成される面とは反対側に粘着層及び離型紙が設けられる。代表的な可撓性を有する基板には、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレン、ポリプロピレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、ポリフタールアミド等からなる基板がある。また、繊維質な材料からなる紙がある。さらには、熱可塑性材料で形成される層として接着性有機樹脂（アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）が上記可撓性を有する基板のアンテナが形成される面とは反対側に積層された基板を用いることができる。
【００５６】
ボンディング手段２２は、押圧部３３により半導体集積回路２４及びアンテナ２６を圧着し、半導体集積回路２４とアンテナ２６とを実装（本圧着）させる手段である。なお、半導体集積回路２４及びアンテナ２６の間に導電性ペーストを設けることで、更に半導体集積回路２４及びアンテナ２６を確実に接続することができる。
【００５７】
ボンディング手段２２は、押圧部３３によりアンテナ及び半導体集積回路を加熱しながら圧着することにより、アンテナと半導体集積回路とを電気的に接続しても良い。このような場合、ボンディング手段２２の押圧部に圧着手段及び加熱手段を設ける。このようなボンディング手段としては、熱圧着法や超音波接合法を用いたものあり、代表的には押圧部にヒーターや超音波ホーンを用いることができる。このような構成とすることで、別途大型のヒーターを設ける必要が無いため、半導体装置の製造装置の小型化が可能である。
【００５８】
また、ボンディング手段２２の押圧部３３として圧着手段のみを用いる場合、別途アンテナ及び半導体集積回路の接続部を電気的に接続させるための加熱手段を設ける。このような加熱手段としては、ヒーターがある。このような構成とすることで、ボンディング手段による位置合わせの精度を高めるとともに、接着時間の短縮が可能である。この結果、複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路をボンディング手段により短時間で精度よく接続することができ、別途設けた加熱手段によりアンテナと半導体集積回路を電気的により確実に接続することができる。
【００５９】
なお、アンテナ及び半導体集積回路を接続させるための加熱手段としては、室温から５００℃までの加熱が可能なヒーターが好ましい。また、押圧部３３は１０ｇ〜１００ｋｇ、好ましくは５０ｇ〜５０ｋｇの荷重が可能であることが好ましい。
【００６０】
アンテナ２６は、印刷法、導電性薄膜をエッチングする方法、メッキ方式等の手法により可撓性基板上に形成された導電層を用いることができる。アンテナ２６は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＢａのいずれか一つ以上の元素を有する導電層で形成することができる。
【００６１】
図２０に本発明に適応可能なアンテナの上面図を示す。アンテナとして機能する導電層の形状は、半導体装置における信号の伝送方式が電磁結合方式または電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する場合には、磁界密度の変化による電磁誘導を利用するため、図２０（Ａ）に示すように、方形コイル状２８１や、円形コイル状（例えば、スパイラルアンテナ）とすることができる。また、図２０（Ｂ）に示すように方形ループ状２８２や円形ループ状とすることができる。
【００６２】
また、マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアンテナとして機能する導電層の長さ等の形状を適宜設定すればよく、図２０（Ｃ）に示すように直線型ダイポール状２８３や曲線型ダイポール状、面状（例えば、パッチアンテナ）とすることができる。
【００６３】
なお、第２のフレキシブル基板２５上にアンテナ２６が形成されている形態をここでは示しているが、これに限定されるものではない。例えば、アンテナ２６の代わりに、第２の半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、表示装置等を適宜用いることができる。
【００６４】
ローラー３０、３１、第１の供給部、第２の供給部、第１の回収部、第２の回収部は、円筒状の回転体であり、代表的には、表面の磨かれた円筒状の鋳造品やプラスチック等に相当する。ローラー３０、３１、第１の供給部、第２の供給部の各々は、所定の速度で回転する。また、第１の供給部、ローラー３０、及び第１の回収部は、同じ方向に回転する。また、第２の供給部、ローラー３１、及び第２の回収部は、同じ方向に回転する。
【００６５】
基板３２は、ボンディング手段２２を用いて半導体集積回路２４及びアンテナ２６を接続するときに、ボンディング手段２２が押圧しやすいように設ける。このため、基板３２は板状の部材、ローラー等適宜用いることができる。
【００６６】
図示しないが、制御手段としては、ピックアップ手段２１及び半導体集積回路２４の位置を検出する検出素子を有する。また、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路２４及びボンディング手段２２の位置を検出する検出素子を有する。また、ピックアップ手段２１、第１の供給部、ローラー３０、第１の回収部、ボンディング装置、第２の供給部、ローラー３１、第２の回収部等それぞれ駆動させる駆動部を有する。また、当該駆動部を駆動させる駆動回路を有する。
【００６７】
検出素子としては、ＣＣＤカメラ等を用いることが可能であり、検出素子で検出した画像情報を画像処理して、半導体集積回路、アンテナの接続端子やアライメントマークの位置を検出する。駆動部としては、モーターを用いることが可能であり、駆動回路から送られる信号により、駆動部が駆動される。駆動回路としては、マイクロコンピュータを用いることが可能である。具体的には、中央演算処理装置、記憶部であるＲＯＭ及びＲＡＭから構成され、検出素子で検出した画像情報や駆動部の駆動情報等を一時的にＲＡＭに保存するとともに、ＲＯＭに記録されているプログラム及びＲＡＭに保存された情報により駆動部を駆動させる信号を駆動部に送り出す。
【００６８】
さらに制御手段は、サーバー、他のパーソナルコンピュータ等に接続されていてもよい。
【００６９】
制御手段により、ピックアップ手段２１を用いて半導体集積回路２４を第１のフレキシブル基板２３に仮着させるタイミング及びピックアップ手段２１の圧力を制御する。また、第１の供給部、ローラー３０、第１の回収部の回転速度その及び回転動作を制御する。また、ボンディング手段２２を第２のフレキシブル基板２５及び半導体集積回路２４に押圧するタイミング及びボンディング手段２２の圧力を制御する。また、第２の供給部、ローラー３１、第２の回収部の回転速度その及び回転動作を制御する。
【００７０】
なお、支持手段２０及びピックアップ手段２１の間に、フリップチップ手段を有してもよい。フリップチップ手段としては、回転機能を有するピックアップ手段が好ましい。代表的には、持着部を有するローラーやヘッドがある。持着部の代表例としては、ピンセットや爪等の把持具、コレット、又は吸着することが可能なノズル等がある。
【００７１】
次に、上記貼りあわせ装置を用いた、第１の部品及び第２の部品の貼りあわせ方法について、以下に示す。
【００７２】
ここでは、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺、即ち移動方向が９０度に交差し、第１の部品の行及び列が９０度に交差し、第２の部品の行及び列が９０度に交差する形態について示す。
【００７３】
ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された第１の部品と、ｑ行ｐ列のマトリクス状に配置された第２の部品とを有する。第１のフレキシブル基板を移動させながら、ピックアップ手段をｐ回押圧して、第１のフレキシブル基板に第１の部品をｐ行分仮着する。このときの第１のフレキシブル基板の移動距離はｐａである。次に、第１のフレキシブル基板の移動を停止する。次に、ボンディング手段を押圧し、第１のフレキシブル基板上の第１の部品を、第２のフレキシブル基板上の第２の部品に接続した後、第２のフレキシブル基板を距離ｂ移動する。ボンディング手段の押圧及び第２のフレキシブル基板の移動をｎ回繰り返す。この結果、ｐ行分の第１の部品を第２の部品に貼り付けることができる。この後、再度第１のフレキシブル基板を移動させながら、ピックアップ手段をｐ回押圧して、上記の動作を繰り返すことにより、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された第１の部品と、ｑ行ｐ列のマトリクス状に配置された第２の部品を貼りあわせることができる。
【００７４】
以下、第１の部品として半導体集積回路を用い、第２の部品としてアンテナを用いて、半導体装置を作製する方法について、図１、図３、図５及び図６を用いて説明する。なお、以下の説明において、ｉ行ｊ列を（ｉ、ｊ）とも示す。
【００７５】
第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させる方法について、図１及び図３を用いて説明する。図３は図１のＡ−Ｂの断面図である。図３（Ａ）は図１（Ｂ）と同様の図であり、支持手段２０上に配置された半導体集積回路２４と、半導体集積回路２４の上に一定の距離を置いて配置される第１のフレキシブル基板２３と、第１のフレキシブル基板２３上に一定の距離を置いて配置されるピックアップ手段２１が配置される。
【００７６】
図３（Ｂ）に示すように、駆動部によりピックアップ手段２１を支持手段２０に押圧する。または、支持手段２０をピックアップ手段に押圧する。この結果、ピックアップ手段２１により第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させることができる。このとき、制御装置により、第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させるタイミングを制御することにより、図１に示すように、半導体集積回路の行間隔をｘからａとする。なお、間隔ａは、第２のフレキシブル基板２５に設けられる隣接するアンテナの各列の接続部の間隔である。次に、図３（Ｃ）に示すように、駆動部によりピックアップ手段２１また支持手段２０を元の位置に戻す。以上の工程により、第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させることができる。
【００７７】
ここで、支持手段２０上に配置された半導体集積回路２４において、接続端子が形成される面によって、第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させる方法が異なる形態について、図５及び６を用いて示す。
【００７８】
図５（Ａ）乃至（Ｃ）は、図１のＡ−Ｂの一部において、半導体集積回路２４を第１のフレキシブル基板２３に仮着させる工程について示す。
【００７９】
図５では、半導体集積回路２４の接続端子２４ａは支持手段２０に対向しており、接続端子２４ａの接続面がピックアップ手段２１側に露出していない形態について説明する。なお、このように、半導体集積回路２４の接続端子２４ａが支持手段２０に対向する構成としては、半導体集積回路２４内部に、半導体素子と接続するスルーホールを形成し、該スルーホールを充填するプラグを接続端子２４ａとしてもよい。また、半導体集積回路２４の表面に接続端子２４ａを形成した後、接続端子２４ａが支持手段２０に対向するように、半導体集積回路を反転させて支持手段２０に設けてもよい。
【００８０】
この場合は、図１で示す半導体装置の製造装置によって、半導体集積回路２４及びアンテナ２６を接続させることができる。具体的には、図５（Ｂ）に示すように、駆動部によりピックアップ手段２１を支持手段２０に押圧する。または、支持手段２０をピックアップ手段に押圧する。次に、図５（Ｃ）に示すように、駆動部によりピックアップ手段２１また支持手段２０を元の位置に戻す。以上の工程により、接続端子が露出するように第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させることができる。
【００８１】
次に、半導体集積回路２４の接続端子２４ａは支持手段２０に対向しておらず、接続端子の接続面がピックアップ手段２１側に露出している形態について図６を用いて説明する。図６（Ａ）乃至（Ｄ）は、図１のＡ−Ｂの一部において、半導体集積回路２４を第１のフレキシブル基板２３に仮着させる工程について示す。
【００８２】
この場合は、図５に示すような方法で半導体集積回路２４を第１のフレキシブル基板２３に仮着させても、接続端子２４ａの接続面が第１のフレキシブル基板２３に対向してしまい、後にアンテナと接続端子２４ａを接続させることができない。このため、半導体装置の製造装置は、支持手段２０からピックアップ手段２１へ移動する間に、半導体集積回路２４をひっくり返すフリップチップ手段を設ける。
【００８３】
フリップチップ手段としては、ローラーの表面に半導体集積回路を持着することが可能な持着部を有すればよい。また、１８０度以上回転可能なピックアップ手段であってもよい。
【００８４】
具体的には、図６（Ｂ）に示すように、駆動部によりフリップチップ手段３６を支持手段２０に押圧する。または、支持手段２０をフリップチップ手段に押圧する。この後、駆動部によりフリップチップ手段３６または支持手段２０を元の位置に戻して、フリップチップ手段３６は半導体集積回路２４を持着する。このとき、フリップチップ手段３６は、半導体集積回路２４の接続端子２４ａが形成される面において半導体集積回路２４を持着している。
【００８５】
次に、駆動部によりフリップチップ手段３６を１８０度回転させて、図６（Ｃ）に示すように、半導体集積回路２４の接続端子２４ａが形成される面の反対側と第１のフレキシブル基板２３とが対向するように配置する。さらには、検出素子及び駆動部により、半導体集積回路２４の接続端子２４ａが形成される面の反対側と、ピックアップ手段２１の押圧部３４とが第１のフレキシブル基板２３を介して対向するように配置する。
【００８６】
次に、図６（Ｄ）に示すように、駆動部によりピックアップ手段２１をフリップチップ手段３６に押圧する。または、フリップチップ手段３６をピックアップ手段２１に押圧する。この後、ピックアップ手段２１またはフリップチップ手段３６を元の位置に戻して、図６（Ｅ）に示すように、接続端子２４ａが露出するように半導体集積回路２４を第１のフレキシブル基板２３に仮着させる。
【００８７】
以上の工程により、第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させることができる。
【００８８】
次に、第２のフレキシブル基板２３上のアンテナ２６及び半導体集積回路２４を接続する方法について、図１、図４、図７乃至図１１を用いて説明する。なお、図７乃至図１１において、半導体集積回路は実線で表しているが、実際には半導体集積回路及びアンテナが対向しており、対向している半導体集積回路及びアンテナの外側にそれぞれ第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５が設けられている。即ち、図７乃至１１においては、第１のフレキシブル基板２３が手前で、半導体集積回路、アンテナ、及び第２のフレキシブル基板が順に奥に配置されていることになる。
【００８９】
はじめに、半導体集積回路２４及びボンディング手段の位置を検出する検出素子を用いて、アンテナの接続部２９及び半導体集積回路２４の接続端子を位置合わせする。具体的には、図４（Ａ）に示すように、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路２４が、第２のフレキシブル基板２５上のアンテナ２６の接続部と対向するように、第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５の位置を、検出素子及び駆動部により制御する。
【００９０】
次に、図４（Ｂ）に示すように、駆動部によりボンディング手段２２を基板３２に押圧する。具体的には、図７（Ａ）に示すように、１行１列からｐ行１列の半導体集積回路４０と、１行１列から１行ｐ列のアンテナ４１をそれぞれ接続させる。次に、図３（Ｃ）に示すように、駆動部によりボンディング手段２２を元の位置に戻す。以上の工程により、第２のフレキシブル基板２５上のアンテナ２６と半導体集積回路２４を接続することができる。
【００９１】
次に、図７（Ｂ）に示すように、第１のフレキシブル基板２３を固定したまま、駆動部により第２の基板搬送手段を動かして第２のフレキシブル基板２５を矢印３５の方向にｂ−ｙ移動する。
【００９２】
ここで、第２のフレキシブル基板２５の移動距離に関して図８を用いて説明する。図８では、図７（Ａ）において１行１列〜１行ｎ列の半導体集積回路及び１行１列のアンテナ及び２行１列のアンテナについて拡大したものを示す。
【００９３】
半導体集積回路４５（（１，１））が接続されたアンテナ４６（（１，１））の接続部と、隣の行のアンテナ４８（（２，１））の接続部２９の間隔はｂである。一方、アンテナ４６と接続された半導体集積回路４５（（１，１））と、隣の列の半導体集積回路４７（（１，２））の間隔はｙである。
【００９４】
半導体集積回路４５（（１，１））及びアンテナ４６（（１，１））を接続した後、半導体集積回路４７（（１，２））及びアンテナ４８（（２，１））を接続させるためには、第２の基板搬送手段により第２のフレキシブル基板２５を矢印３５の方向に移動させ、アンテナ４８の接続部２９と半導体集積回路４７とを対向させればよい。即ち、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路４７の位置と、アンテナ４８の接続部２９が一致するように、第２のフレキシブル基板２５を矢印３５方向へ移動すればよい。このため、第２のフレキシブル基板２５の移動距離はｂ−ｙである。
【００９５】
図７（Ｂ）に示すように、第２のフレキシブル基板２５を矢印３５方向へ移動させた後、ボンディング手段２２によって、アンテナ及び半導体集積回路を押圧することにより、１行２列からｐ行２列の半導体集積回路４３と、２行１列から２行ｐ列のアンテナ４４をそれぞれ接続させることができる。
【００９６】
この後、半導体集積回路及びアンテナの接続、並びに第２のフレキシブル基板の移動を繰り返すことにより、（３，１）〜（３，ｐ）から（ｎ−１，１）〜（ｎ−１，ｐ）の半導体集積回路をアンテナに接続することができる。
【００９７】
次に、図９（Ａ）に示すように、１行ｎ列からｐ行ｎ列の半導体集積回路６０と、ｎ行１列からｎ行ｐ列のアンテナ６１をそれぞれ接続する。この結果、第１のフレキシブル基板上の１行からｐ行の半導体集積回路は、すべて第２のフレキシブル基板２５上のアンテナに仮着される。よって、第１のフレキシブル基板２３を矢印３７の方向にｐａ移動し、第２のフレキシブル基板２５を矢印３５の方向にｂ＋（ｎ−１）ｙ移動する。この結果、図９（Ｂ）に示すように、（１＋ｐ，１）〜（ｐ＋ｐ，１）の半導体集積回路及び（ｎ＋１，１）〜（ｎ＋１，ｐ）行のアンテナを対向させることができる。このため、（１＋ｐ，１）〜（ｐ＋ｐ，１）の半導体集積回路６３と、（ｎ＋１，１）〜（ｎ＋１，ｐ）のアンテナ６４の接続部が対向する。これらをボンディング手段により押圧することで、それぞれを接続することができる。
【００９８】
ここで、第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５の移動距離に関して、図１０を用いて説明する。なお、ここでは、１行ｎ列の半導体集積回路６５及びｎ行１列のアンテナ６６の接続部を接続した後、（１＋ｐ）行１列の半導体集積回路６７及び（ｎ＋１）行１列のアンテナ６８の接続部を接続させる例を用いて説明する。
【００９９】
はじめに、アンテナの行方向における移動距離について、図１０を用いて示す。図９（Ａ）で半導体集積回路が接続されたアンテナ６１の一部であるｎ行１列のアンテナ６６の接続部と、隣の行（（ｎ＋１）行１列）のアンテナ６８の接続部６９の間隔はｂである。一方、半導体集積回路の列方向における間隔はｙである。また、半導体集積回路は１〜ｎ列設けられている。このため、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路６７の位置と、アンテナ６８の接続部６９を一致させるためには、第２のフレキシブル基板２５を矢印３５方向においては、ｂ＋（ｎ−１）ｙ移動すればよい。
【０１００】
次に、半導体集積回路の行方向における移動距離について、同様に図１０を用いて示す。半導体集積回路の行方向における間隔はａである。また、アンテナは１〜ｐ列設けられている。このため、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路６７の位置と、アンテナ６８の接続部６９が一致するためには、第２のフレキシブル基板２５を矢印３７方向へ、ｐａ移動すればよい。
【０１０１】
なお、ここで、１行からｐ行の半導体集積回路を第２のフレキシブル基板２５上のアンテナと接続した後に、第１のフレキシブル基板２３を矢印３７に移動させる回数をｕとすると、次にアンテナと貼りあわせる半導体集積回路は（１＋ｕｐ）行から（ｐ＋ｕｐ）行である。また、当該半導体集積回路と貼りあわせられるアンテナは、（１＋ｕｎ）行から（ｎ＋ｕｎ）行である（ｕは自然数）。
【０１０２】
また、図１１に示すように、ｉ行ｊ列の半導体集積回路８０を、ｊ行ｉ列のアンテナ８１と接続する。次に、矢印３５方向に第２のフレキシブル基板２５を移動した後、ｉ行（ｊ＋１）列の半導体集積回路８２を、（ｊ＋１）行ｉ列のアンテナ８３と接続することができる。
【０１０３】
さらには、半導体集積回路及びアンテナを封止するように、第２のフレキシブル基板表面に第３のフレキシブル基板を貼りあわせてもよい。この結果、半導体集積回路及びアンテナを密閉することができる。
【０１０４】
この後、第２のフレキシブル基板、さらには第３のフレキシブル基板を適当な場所（例えば、図１１の実線２７）で切断することにより、半導体集積回路、アンテナ、及び切断された第２のフレキシブル基板、更には切断された第３のフレキシブル基板を有する半導体装置を作製することができる。
【０１０５】
本発明の半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造装置を用いた作製方法により、複数のアンテナの１行と、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち当該１行に対応する複数の半導体集積回路とを、同時にまたは連続して接続することができる。このため、一度のボンディング処理により複数の半導体装置を作製することが可能である。このため、半導体装置の量産性を高めることができる。
【０１０６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、第１の部品及び第２の部品の行及び列がそれぞれ一定角度θで交差するように配置されている形態について説明する。
【０１０７】
本実施の形態で示す貼りあわせ装置は、図１に示すように、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺、即ち移動方向が９０度に交差しており、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された第１の部品において、行と列がａｒｃｔａｎ（ｙ／ｘ）で交差している。また、ｑ行ｐ列のマトリクス状に配置された第２の部品において、行と列がａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）で交差している。なお、上記構成に限らず、実施の形態１と同様に、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された第１の部品において、行と列が９０度で交差し、ｑ行ｐ列のマトリクス状に配置された第２の部品において、行と列が９０度で交差し、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺、即ち移動方向がａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）で交差していてもよい。
【０１０８】
以下に、第１の部品として半導体集積回路を用い、第２の部品としてアンテナを用いた半導体装置の製造装置の形態について示す。なお、第１の部品として、半導体集積回路の代わりに、アンテナ、第２の半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、表示装置、ＭＥＭＳ等を適宜用いることができる。また、第２の部品として、アンテナの代わりに、半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、表示装置、ＭＥＭＳ等を適宜用いることができる。
【０１０９】
本半導体装置の製造装置においては、図１２（Ａ）に一形態を示すように、支持手段２０上に半導体集積回路がｍ行ｎ列のマトリクス状に配置される。このときの半導体集積回路の行間隔をｘ、列間隔をｙとする。さらには、第１のフレキシブル基板２３が移動する矢印３７と平行な方向を、マトリクス状に配置された半導体集積回路の行方向とする。本実施の形態の半導体集積回路の行は半導体集積回路の列に対して角度θ１で交差している。
【０１１０】
本半導体装置の製造装置においては、図１２（Ｂ）に一形態を示すように、第２のフレキシブル基板２５上にアンテナ２６がｑ行ｐ列のマトリクス状に配置される。このときの隣接するアンテナの接続部７５の行間隔をｂ、列間隔をａとする。また、第２のフレキシブル基板２５が移動する矢印３５と平行な方向を、マトリクス状に配置されたアンテナの行方向とする。さらには、アンテナの行はアンテナの列に対して角度θで交差している。
【０１１１】
なお、ここでは、アンテナ２６の接続部７５は、実施の形態１のアンテナ２６の接続部２９と同様に、半導体集積回路２４と同様の面積である形態について説明する。また、アンテナ２６の接続部２９及び半導体集積回路２４の面積が異なっていても良い。即ち、半導体装置の作製装置の位置合わせ精度によって、アンテナ２６の接続部２９及び半導体集積回路２４が完全に重畳せず若干ずれることもあるが、半導体集積回路２４の接続端子及びアンテナ２６が電気的に接続されていればよい。
【０１１２】
次に、上記貼りあわせ装置を用いて、第１の部品及び第２の部品の貼りあわせ方法について、以下に示す。
【０１１３】
ここでは、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺、即ち移動方向が９０度に交差し、第１の部品の行及び列がθ１＝ａｒｃｔａｎ（ｙ／ｘ）で交差し、第２の部品の行及び列がθ＝ａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）度で交差する形態について示す。
【０１１４】
ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された第１の部品と、ｑ行ｐ列のマトリクス状に配置された第２の部品とを有する。第１のフレキシブル基板を移動しながら、ピックアップ手段をｐ回以上押圧して、第１のフレキシブル基板に第１の部品をｐ行以上仮着する。このとき、第１のフレキシブル基板を移動させる距離はｐａ以上である。次に、第２のフレキシブル基板上の第２の部品に対応する領域に、第１のフレキシブル基板の第１の部品を移動させたらば、ボンディング手段を押圧し、第１のフレキシブル基板上の第１の部品を、第２のフレキシブル基板上の第２の部品に接続する。次に、第２のフレキシブル基板を距離ｂ移動するとともに、第１のフレキシブル基板を距離ａ移動する。この後、ボンディング手段の押圧、第１のフレキシブル基板の移動、及び第２のフレキシブル基板の移動を繰り返す。このとき、第１のフレキシブル基板の速度をａ、第２のフレキシブル基板の速度をｂとすれば、第１の部品を第２の部品に連続的に貼り付けることができる。なお、ボンディング手段を押圧して第１の部品及び第２の部品を貼りあわせるときに、ピックアップ手段を押圧して支持手段上の第１の部品を第１のフレキシブル基板に仮着させればよい。
【０１１５】
以下、第１の部品として半導体集積回路を用い、第２の部品としてアンテナを用いて、半導体装置を作製する方法について、図１３及び１４を用いて説明する。なお、図１３及び１４において、半導体集積回路は実線で表しているが、実際には半導体集積回路及びアンテナが対向しており、半導体集積回路及びアンテナが対向する面の外側にそれぞれ第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５が設けられている。即ち、図１３及び１４においては、第１のフレキシブル基板２３が手前で、半導体集積回路、アンテナ、及び第２のフレキシブル基板が順に奥に配置されていることになる。
【０１１６】
はじめに、実施の形態１と同様に第１のフレキシブル基板上に半導体集積回路を仮着させる。このとき、半導体集積回路の列の間隔がｘからａとなるように仮着させる。
【０１１７】
図１３（Ａ）に示すように、第１のフレキシブル基板２３と第２のフレキシブル基板２５が重なる領域において、破線７６ａ上にあるｉ行の半導体集積回路は、当該半導体集積回路と対向するｊ行のアンテナ８１の接続部において、接続される。なお、ｉ行の半導体集積回路において、全ての半導体集積回路が同時にアンテナと接続されても良い。また、ｉ行ｊ列の半導体集積回路が接続されるタイミングとは別に、ｉ行（ｊ−１）列の半導体集積回路７７及びｉ行（ｊ＋１）列のアンテナの接続部が接続されてもよい。
【０１１８】
この後、第１のフレキシブル基板２３を矢印３７の方向へ移動し、第２のフレキシブル基板２５を矢印３５の方向へ移動する。この結果、図１３（Ｂ）にしめすように破線７６ｂ上の（ｉ＋１）行の半導体集積回路及び（ｊ＋１）行のアンテナ８３の接続部を対向させることができる。
【０１１９】
このときの第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５の移動距離、並びにアンテナの行及び列が交差する角度θを、図１４（Ａ）を用いて説明する。ここでは、ｉ行ｊ列の半導体集積回路７０及びｊ行ｉ列のアンテナ７１を接続した後、（ｉ＋１）行ｊ列の半導体集積回路７２及び（ｊ＋１）行ｉ列のアンテナを接続する例を用いて説明する。
【０１２０】
ｉ行ｊ列の半導体集積回路７０及びｊ行ｉ列のアンテナ７１を接続した後、第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５をそれぞれ移動して（ｉ＋１）行ｊ列の半導体集積回路７２及び（ｊ＋１）行ｉ列のアンテナ７３が対向するようにする。
【０１２１】
このためには、半導体集積回路７０がアンテナ７１と接続された領域に半導体集積回路７２を移動させる。半導体集積回路７０、７２の間隔はａであるため、第１のフレキシブル基板２３を矢印３７の方向にａ移動する。
【０１２２】
一方、アンテナ７１の接続部と半導体集積回路７０を接続させた領域に、アンテナ７３の接続部７５を移動させる。アンテナ７１及び７３の接続部の間隔はｂであるため、第２のフレキシブル基板２５を矢印３５の方向にｂ移動する。
【０１２３】
この結果、（ｉ＋１）行ｊ列の半導体集積回路７２及び（ｊ＋１）行ｉ列のアンテナ７３を対向させることができる。
【０１２４】
なお、ここで、第１のフレキシブル基板２３の移動速度がａであり、第２のフレキシブル基板の移動速度がｂのとき、アンテナ及び半導体集積回路の接続を連続的に行うことができる。
【０１２５】
次に、第１のフレキシブル基板２３に仮着された半導体集積回路の行及び列、即ちアンテナの行及び列方向がなす角度θについて、図１４（Ｂ）を用いて説明する。第１のフレキシブル基板２３に仮着された半導体集積回路の行は破線７６ａ上に配置され、列は破線７６ｃ上に配置される。また、半導体集積回路の行及び列は角度θをなす。
【０１２６】
同一列において隣接する半導体集積回路７０、７２の図１２（Ａ）に示す行方向の間隔はａである。また、同一行において隣接する半導体集積回路７２、７７の図１２（Ａ）に示す行方向の間隔はｙである。これらの２つの距離から角度θは、ａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）である。
【０１２７】
この後、図１３（Ｂ）に示すように、対向した（ｉ＋１）行の半導体集積回路および（ｊ＋１）行のアンテナをボンディング手段により圧着して、半導体集積回路及びアンテナを接続する。
【０１２８】
さらには、半導体集積回路及びアンテナを封止するように、第２のフレキシブル基板表面に第３のフレキシブル基板を貼りあわせてもよい。この結果、半導体集積回路及びアンテナを密閉することができる。
【０１２９】
この後、第２のフレキシブル基板、さらには第３のフレキシブル基板を適当な場所（例えば、実線２７）で切断することにより、半導体集積回路、アンテナ、及び切断された第２のフレキシブル基板、更には切断された第３のフレキシブル基板を有する半導体装置を作製することができる。
【０１３０】
本発明の半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造装置を用いた作製方法により、複数のアンテナの１行と、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち当該１行に対応する複数の半導体集積回路とを、同時にまたは連続して接続することができる。このため、一度のボンディング処理により複数の半導体装置を作製することが可能である。また、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の繰り出しを同期させながら行うことが可能である。このため、半導体装置の量産性を高めることができる。
【実施例１】
【０１３１】
本実施例では、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の作製工程を、図１５〜１７を用いて説明する。
【０１３２】
図１５（Ａ）に示すように、基板１２０１上に剥離層１２０２を形成し、剥離層１２０２上に絶縁層１２０３を形成し、絶縁層１２０３上に薄膜トランジスタ１２０４及び薄膜トランジスタを構成する導電層を絶縁する層間絶縁層１２０５を形成し、薄膜トランジスタの半導体層に接続するソース電極及びドレイン電極１２０６を形成する。次に、薄膜トランジスタ１２０４、層間絶縁層１２０５、ソース電極及びドレイン電極１２０６を覆う絶縁層１２０７を形成し、絶縁層１２０７を介してソース電極またはドレイン電極１２０６に接続する導電層１２０８を形成する。
【０１３３】
基板１２０１としては、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板の一表面に絶縁層を形成したもの、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用いる。上記に挙げた基板１２０１には、大きさや形状に制約がないため、例えば、基板１２０１として、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。この利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。
【０１３４】
剥離層１２０２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。
【０１３５】
剥離層１２０２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【０１３６】
剥離層１２０２が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化物又は窒化酸化物を形成する。
【０１３７】
剥離層１２０２として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。さらには、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、Ｎ２Ｏプラズマ処理、オゾン水、水素を含む水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。これは、タングステンの窒化物、酸化窒化物及び窒化酸化物を含む層を形成する場合も同様であり、タングステンを含む層を形成後、その上層に窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸化珪素層を形成するとよい。
【０１３８】
タングステンの酸化物は、ＷＯｘで表される。ｘは、２≦ｘ≦３の範囲内にあり、ｘが２の場合（ＷＯ２）、ｘが２．５の場合（Ｗ２Ｏ５）、ｘが２．７５の場合（Ｗ４Ｏ１１）、ｘが３の場合（ＷＯ３）などがある。
【０１３９】
また、上記の工程によると、基板１２０１に接するように剥離層１２０２を形成しているが、本発明はこの工程に制約されない。基板１２０１に接するように下地となる絶縁層を形成し、その絶縁層に接するように剥離層１２０２を設けてもよい。
【０１４０】
絶縁層１２０３は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、無機化合物を用いて単層又は積層で形成する。無機化合物の代表例としては、珪素酸化物又は珪素窒化物が挙げられる。
【０１４１】
さらには、絶縁層１２０３を積層構造としても良い。例えば、無機化合物を用いて積層してもよく、代表的には、酸化珪素、窒化酸化珪素、及び酸化窒化珪素を積層して形成しても良い。
【０１４２】
薄膜トランジスタ１２０４は、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極で構成される。
【０１４３】
半導体層は、結晶構造を有する半導体で形成される層であり、非単結晶半導体若しくは単結晶半導体を用いることができる。特に、加熱処理により結晶化させた結晶性半導体、加熱処理とレーザ光の照射を組み合わせて結晶化させた結晶性半導体を適用することが好ましい。加熱処理においては、シリコン半導体の結晶化を助長する作用のあるニッケルなどの金属元素を用いた結晶化法を適用することができる。また、シリコン半導体の結晶化工程における加熱により、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面において、剥離層の表面を酸化して金属酸化物層を形成することが可能である。
【０１４４】
加熱処理に加えてレーザ光を照射して結晶化する場合には、連続発振レーザ光の照射若しくは繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上であって、パルス幅が１ナノ秒以下、好ましくは１乃至１００ピコ秒である高繰返周波数超短パルス光を照射することによって、結晶性半導体が溶融した溶融帯を、当該レーザ光の照射方向に連続的に移動させながら結晶化を行うことができる。このような結晶化法により、大粒径であって、結晶粒界が一方向に延びる結晶性半導体を得ることができる。キャリアのドリフト方向を、この結晶粒界が延びる方向に合わせることで、トランジスタにおける電界効果移動度を高めることができる。例えば、４００ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上を実現することができる。
【０１４５】
上記結晶化工程を、ガラス基板の耐熱温度（約６００℃）以下の結晶化プロセスを用いる場合、大面積ガラス基板を用いることが可能である。このため、基板あたり大量の半導体装置を作製することが可能であり、低コスト化が可能である。
【０１４６】
また、ガラス基板の耐熱温度以上の加熱により、結晶化工程を行い、半導体層を形成してもよい。代表的には、絶縁表面を有する基板１２０１に石英基板を用い、非晶質若しくは微結晶質の半導体を７００度以上で加熱して半導体層を形成する。この結果、結晶性の高い半導体を形成することが可能である。このため、応答速度や移動度などの特性が良好で、高速な動作が可能な薄膜トランジスタを提供することができる。
【０１４７】
ゲート絶縁層は、酸化シリコン及び酸化窒化シリコンなどの無機絶縁物で形成する。
【０１４８】
ゲート電極は金属又は一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。また、金属を窒化させた金属窒化物を用いることができる。或いは、当該金属窒化物からなる第１層と当該金属から成る第２層とを積層させた構造としても良い。積層構造とする場合には、第１層の端部が第２層の端部より外側に突き出した形状としても良い。このとき第１層を金属窒化物とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第２層の金属が、ゲート絶縁層やその下層の半導体層に拡散することを防ぐことができる。
【０１４９】
半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極などを組み合わせて構成される薄膜トランジスタは、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。ここでは、シングルドレイン構造の薄膜トランジスタを示す。さらには、同電位のゲート電圧が印加されるトランジスタが直列に接続された形となるマルチゲート構造、半導体層の上下をゲート電極で挟むデュアルゲート構造、絶縁層１２０３上にゲート電極が形成され、ゲート電極上にゲート絶縁層、半導体層が形成される逆スタガ型薄膜トランジスタ等を適用することができる。
【０１５０】
ソース電極及びドレイン電極１２０６は、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層構造、モリブデン（Ｍｏ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層構造など、アルミニウム（Ａｌ）のような低抵抗材料と、チタン（Ｔｉ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属材料を用いたバリアメタルとの組み合わせで形成することが好ましい。
【０１５１】
層間絶縁層１２０５及び絶縁層１２０７は、ポリイミド、アクリル、またはシロキサンポリマーを用いて形成する。
【０１５２】
さらには、薄膜トランジスタ１２０４の代わりにスイッチング素子として機能し得る半導体素子であれば、どのような構成で設けてもよい。スイッチング素子の代表例としては、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）、ダイオード等が挙げられる。
【０１５３】
次に、図１５（Ｂ）に示すように、導電層１２０８上に導電層１２１１を形成する。ここでは、印刷法により金属粒子を有する組成物を印刷し、２００℃で３０分加熱して組成物を焼成して導電層１２１１を形成する。
【０１５４】
次に、図１５（Ｃ）に示すように、絶縁層１２０７及び導電層１２１１の端部を覆う絶縁層１２１２を形成する。ここでは、エポキシ樹脂をスピンコート法により塗布し、１６０℃で３０分加熱した後、導電層１２１１を覆う部分の絶縁層を除去して、導電層１２１１を露出する。ここでは、絶縁層１２０３から絶縁層１２１２までの積層体を素子形成層１２１０とする。
【０１５５】
次に、図１５（Ｄ）に示すように、後の剥離工程を容易に行うために、レーザ光１２１３を絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２に照射して、図１５（Ｅ）に示すような開口部１２１４を形成する。開口部１２１４を形成するために照射するレーザ光としては、絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２が吸収する波長を有するレーザ光が好ましい。代表的には、紫外領域、可視領域、又は赤外領域のレーザ光を適宜選択して照射する。
【０１５６】
このようなレーザ光を発振することが可能なレーザ発振器としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザ発振器、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ、ＣＯ２等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶、ガラス、ルビー等の固体レーザ発振器、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、固体レーザ発振器においては、基本波〜第５高調波を適宜適用するのが好ましい。この結果、絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２がレーザ光を吸収し溶融して開口部が形成される。
【０１５７】
なお、レーザ光を絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２に照射する工程を削除することで、スループットを向上させることが可能である。
【０１５８】
次に、絶縁層１２１２に粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を貼りあわせる。
【０１５９】
粘着剤１２１５としては、剥離可能な粘着剤であり、代表的には紫外線により剥離する紫外線剥離型粘着剤、熱により剥離する熱剥離型粘着剤、水溶性粘着剤や両面粘着テープなどを用いることができる。ここでは、粘着剤１２１５として熱剥離型粘着剤を用いる。支持体１２１６は、ガラス基板、石英基板、金属基板、プラスチック基板、可撓性基板（ＰＥＴ、ＰＥＳ、ポリカーボネート、繊維質な材料からなる紙等）を適宜用いることができる。ここでは、支持体１２１６として、合成紙を用いる。
【０１６０】
なお、粘着剤１２１５、支持体１２１６、及び素子形成層１２１０との接着強度は、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３との密着強度より高くなるように設定する。そして、絶縁層１２０３を含む素子形成層１２１０のみを基板１２０１から剥離する。
【０１６１】
次に、図１６（Ａ）に示すように、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面に形成される金属酸化物層において、剥離層１２０２を有する基板１２０１及び素子形成層の一部１２２１を物理的手段により剥離する。物理的手段とは、力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機械的エネルギー）を変化させる手段を指している。物理的手段は、代表的には機械的な力を加えること（例えば人間の手や把治具で引き剥がす処理や、ローラーを支点としてローラーを回転させながら分離する処理）である。
【０１６２】
以上の剥離工程は、熱処理で収縮しない層と、熱処理で収縮する層と、その中間の層とを有し、剥離工程の完了時または剥離工程中に熱処理を行うことにより、過ストレス状態を中間層又はその近傍領域で有せしめ、その後刺激を与えることにより中間層またはその近傍領域で剥離せしめることを特徴とする。
【０１６３】
本実施例において、熱処理で収縮しない層は剥離層１２０２であり、熱処理で収縮する層は絶縁層１２０３または絶縁層１２１２であり、熱処理で収縮しない層と熱処理で収縮する層との中間の層としては、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面に形成される層である。代表例として、剥離層１２０２としてタングステン層を用い、絶縁層１２０３として珪素酸化物又は珪素窒化物を用い、絶縁層１２１２としてエポキシ樹脂を用いると、非晶質珪素膜の結晶化や、不純物の活性化、水素出し等の加熱処理において、剥離層１２０２は収縮しないが、絶縁層１２０３及び絶縁層１２１２は収縮し、さらに剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面に酸化タングステン層（ＷＯｘ、２≦ｘ≦３）が形成される。酸化タングステン層は脆いため、上記物理的手段により分離されやすい。この結果、上記物理的手段により素子形成層の一部１２２１を基板１２０１から剥離することができる。
【０１６４】
本実施例においては、剥離層と絶縁層の間に金属酸化膜を形成し、当該金属酸化膜において物理的手段により、素子形成層１２１０を剥離する方法を用いたがこれに限られない。基板に透光性を有する基板を用い、剥離層に水素を含む非晶質珪素層を用い、図１５（Ｅ）の工程の後、基板側からのレーザ光を照射して非晶質珪素層に含まれる水素を気化させて、基板と剥離層との間で剥離する方法を用いることができる。
【０１６５】
また、図１５（Ｅ）の工程の後、基板を機械的に研磨し除去する方法や、ＨＦ等の基板を溶解する溶液を用いて基板を除去する方法を用いることができる。この場合、剥離層を用いなくともよい。
【０１６６】
また、図１５（Ｅ）において、粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を絶縁層１２１２に貼りあわせる前に、開口部１２１４にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスを導入し、剥離層をフッ化ハロゲンガスでエッチングし除去した後、絶縁層１２１２に粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を貼りあわせて、基板から素子形成層１２１０を剥離する方法を用いることができる。
【０１６７】
また、図１５（Ｅ）において、粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を絶縁層１２１２に貼りあわせる前に、開口部１２１４にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスを導入し、剥離層の一部をフッ化ハロゲンガスでエッチングし除去した後、絶縁層１２１２に粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を貼りあわせて、基板から素子形成層１２１０を物理的手段により剥離する方法を用いることができる。
【０１６８】
次に、図１６（Ｂ）に示すように、素子形成層の一部１２２１の絶縁層１２０３に、第２の接着剤１２２３で可撓性基板１２２２を貼り付ける。可撓性基板１２２２としては、実施の形態１で列挙した基板１１１を適宜用いることができる。
【０１６９】
絶縁層１２０３に、可撓性基板１２２２を貼り付ける方法としては、接着材を用いて可撓性基板１２２２を貼りあわせる方法や、可撓性基板１２２２を加熱して、可撓性基板１２２２の一部を溶融させた後、冷却させて、可撓性基板１２２２を絶縁層１２０３に貼りあわせる方法がある。なお、絶縁層１２０３と可撓性基板１２２２との接着強度は、粘着剤１２１５、支持体１２１６と素子形成層１２１０との接着強度より高くなるように設定する。接着剤を用いて可撓性基板１２２２を貼りあわせる場合は、接着材の接着力は、粘着剤１２１５より高い材料を適宜選択する。次に、粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を素子形成層の一部１２２１から剥す。
【０１７０】
次に、図１６（Ｃ）に示すように、可撓性基板１２２２をダイシングフレーム１２３２のＵＶテープ１２３１に貼りあわせる。ＵＶテープ１２３１は粘着性を有するため、ＵＶテープ１２３１上に可撓性基板１２２２が固定される。この後、導電層１２１１にレーザ光を照射して、導電層１２１１と導電層１２０８の間の密着性を高めてもよい。
【０１７１】
次に、導電層１２１１上に接続端子１２３３を形成する。接続端子１２３３を形成することで、後にアンテナとして機能する導電層との位置合わせ及び接着を容易に行うことが可能である。
【０１７２】
次に、図１６（Ｄ）に示すように、素子形成層の一部１２２１、可撓性基板１２２２、第２の接着剤１２２３を分断する。ここでは、図１６（Ｃ）に示すように、素子形成層の一部１２２１及び可撓性基板１２２２にレーザ光１２３４を照射して、図１６（Ｄ）に示すような溝１２４１を形成して、素子形成層の一部１２２１を複数に分断する。レーザ光１２３４は、レーザ光１２１３に記載のレーザ光を適宜選択して適用することができる。ここでは、絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２及び可撓性基板１２２２が吸収可能なレーザ光を選択することが好ましい。なお、ここでは、レーザカット法を用いて素子形成層の一部を複数に分断したが、この方法の代わりにダイシング法、スクライビング法等を適宜用いることができる。なお、可撓性基板１２２２に繊維質の紙を用いる場合、ダイシング法で素子形成層を分断するときに水を用いず、ガスを切断部に吹きかけて、切断屑を吹き飛ばすことが好ましい。この結果、素子形成層と紙とが剥れることを防止することができる。さらに、湿度の高いガスを切断部に吹きかけながらダイシングを行うことで、素子形成層に静電気が帯電するのを防止することができる。この結果分断された素子形成層を半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂと示す。
【０１７３】
次に、図１７（Ａ）に示すように、ＵＶテープ１２３１にエキスパンダ枠１２４４を貼り付けた後、ダイシングフレーム１２３２をＵＶテープからはずす。このとき、エキスパンダ枠１２４４でＵＶテープ１２３１を伸ばしながら半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂを貼りあわせることで、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂの間に形成された溝１２４１の幅を拡大することができる。
【０１７４】
次に、エキスパンダ枠１２４４のＵＶテープ１２３１にＵＶ光を照射して、ＵＶシートの粘着力を低下させる。次に、実施の形態１に示す半導体装置の製造装置を用いて、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂが搭載されたエキスパンダ枠１２４４を、支持手段２０に固定する。ここでは、支持手段として、エキスパンダ枠１２４４を挟持するロボットアームを用いる。
【０１７５】
次に、実施の形態１に示す半導体装置の製造装置の図６（Ｂ）のフリップチップ手段３６を用いて、ＵＶテープ１２３１から半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂをフリップチップ手段の持着部２０３に持着させる（図１７（Ｂ）参照。）
【０１７６】
次に、図１８（Ａ）に示すように、フリップチップ手段３６を回転させたのち、第１のフレキシブル基板２０６に半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂを仮着させる。第１のフレキシブル基板２０６の表面には接着層が設けられており、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂを第１のフレキシブル基板２０６に仮着させることができる。
【０１７７】
この後、図１８（Ｂ）に示すように、フリップチップ手段の持着部２０３を半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂから剥す。
【０１７８】
次に、第１のフレキシブル基板２０６の供給部、回収部等を回転させて第１のフレキシブル基板を繰り出し、図１９（Ａ）に示すように、第１のフレキシブル基板２０６上の半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂと、第２のフレキシブル基板２０８上のアンテナ２０９ａ、２０９ｂをそれぞれ対向させる。即ち、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂの接続端子１２３３ａ、１２３３ｂが、異方性導電フィルム２１０を介してアンテナ２０９ａ、２０９ｂと対向するように位置合わせをする。なお、アンテナ２０９ａ、２０９ｂの表面には、異方性導電フィルム２１０が設けられている。また、異方性導電フィルムの代わりに異方性導電樹脂が塗布されていても良い。
【０１７９】
次に、ボンディング手段２７４を用いて、第１のフレキシブル基板２０６及び第２のフレキシブル基板２１１を圧着して、半導体集積回路１２４２ａ及びアンテナ２０９ａを、接続端子１２３３ａ及び異方性導電フィルム２１０に含まれる導電性粒子を介して接続する。また、半導体集積回路１２４２ｂ及びアンテナ２０９ｂを、接続端子１２３３ｂ及び異方性導電フィルム２１０に含まれる導電性粒子を介して接続する。
【０１８０】
この後、ボンディング手段２７４を元の位置に戻す。このとき、異方性導電フィルム２１０及び半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂの粘着力が、第１のフレキシブル基板２０６及び半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂの粘着力より高いことが好ましい。こうすることで、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂを第１のフレキシブル基板２０６から第２のフレキシブル基板２０８へ移動するとともに、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂ及びアンテナ２０９ａ、２０９ｂを接続させることができる。
【０１８１】
次に、図１９（Ｂ）に示すように、アンテナ２０９ａ、２０９ｂと、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂとが形成されない領域において、第２のフレキシブル基板２０８を分断する。分断方法としては、レーザカット法、ダイシング法、スクライビング法等を適宜用いることができる。ここでは、異方性導電フィルム２１０及びフレキシブル基板２０８にレーザ光１２５１を照射するレーザカット法により分断を行う。
【０１８２】
以上の工程により、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置１２５２ａ、１２５２ｂを作製することができる。
【０１８３】
なお、図１９（Ａ）において、アンテナ２０９ａ、２０９ｂと、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂとを異方性導電フィルム２１０を用いて貼りあわせた後、第２のフレキシブル基板２０８及び半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂとを封止するように第３のフレキシブル基板を設け、図１９（Ｂ）のように、アンテナ２０９ａ、２０９ｂと、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂとが形成されない領域において、レーザ光１２５１照射して、図１９（Ｃ）に示すような半導体装置１２６２を作製してもよい。この場合、分断された第２のフレキシブル基板２０８ａ、及び分断された第３のフレキシブル基板２１１ａによって、薄膜集積回路が封止されるため、薄膜集積回路の劣化を抑制することが可能である。
【０１８４】
以上の工程により、薄型化で軽量な半導体装置を歩留まり高く作製することが可能である。
【実施例２】
【０１８５】
実施例では、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の構成について、図２１を参照して説明する。
【０１８６】
本実施例の半導体装置は、大別して、アンテナ部２００１、電源部２００２、ロジック部２００３から構成される。
【０１８７】
アンテナ部２００１は、外部信号の受信とデータの送信を行うためのアンテナ２０１１からなる。また、半導体装置における信号の伝送方式は、電磁結合方式、電磁誘導方式またはマイクロ波方式等を用いることができる。
【０１８８】
電源部２００２は、アンテナ２０１１を介して外部から受信した信号により電源を作る整流回路２０２１と、作りだした電源を保持するための保持容量２０２２と、各回路に供給する一定電圧を作り出す定電圧回路２０２３からなる。
【０１８９】
ロジック部２００３は、受信した信号を復調する復調回路２０３１と、クロック信号を生成するクロック生成・補正回路２０３２と、コード認識及び判定回路２０３３と、メモリからデータを読み出すための信号を受信信号により作り出すメモリコントローラ２０３４と、符号化した信号を受信信号にのせるための変調回路２０３５と、読み出したデータを符号化する符号化回路２０３７と、データを保持するメモリ２０３８からなる。なお、変調回路２０３５は変調用抵抗２０３６を有する。
【０１９０】
メモリ２０３８は、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦＥＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ、有機メモリなどを適宜選択する。ここでは、メモリ２０３８として、マスクＲＯＭ２０３９、有機メモリで構成される追記メモリ２０４０を示す。
【０１９１】
コード認識及び判定回路２０３３が認識・判定するコードは、フレーム終了信号（ＥＯＦ、ｅｎｄ ｏｆ Ｆｒａｍｅ）、フレーム開始信号（ＳＯＦ、ｓｔａｒｔ ｏｆ Ｆｒａｍｅ）、フラグ、コマンドコード、マスク長（ｍａｓｋ ｌｅｎｇｔｈ）、マスク値（ｍａｓｋ ｖａｌｕｅ）等である。また、各コード認識及び判定回路２０３３は、送信エラーを識別する巡回冗長検査（ＣＲＣ、ｃｙｃｌｉｃ ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ ｃｈｅｃｋ）機能も含む。
【実施例３】
【０１９２】
上記実施例に示される非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図２２（Ａ）参照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図２２（Ｃ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等、図２２（Ｂ）参照）、乗物類（自転車等、図２２（Ｄ）参照）、身の回り品（鞄や眼鏡等）、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、電子機器等の商品や荷物の荷札（図２２（Ｅ）、図２２（Ｆ）参照）等の物品に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ）及び携帯電話等を指す。
【０１９３】
本実施例の半導体装置９２１０は、プリント基板への実装、表面への貼着、埋め込み等により、物品に固定される。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりして、各物品に固定される。本実施例の半導体装置９２１０は、小型、薄型、軽量を実現するため、物品に固定した後も、その物品自体のデザイン性を損なうことがない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に本実施例の半導体装置９２１０を設けることにより、認証機能を設けることができ、この認証機能を活用すれば、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に本実施例の半導体装置を設けることにより、検品システム等のシステムの効率化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１９４】
【図１】本発明の半導体装置の製造装置を説明する斜視図及び断面図である。
【図２】本発明に用いることが可能な半導体集積回路及びアンテナを説明する上面図である。
【図３】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図８】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図９】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図１０】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図１１】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図１２】本発明に用いることが可能な半導体集積回路及びアンテナを説明する上面図である。
【図１３】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図１４】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図１５】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１６】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１７】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１８】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１９】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図である。
【図２０】本発明に適用可能なアンテナを説明する上面図である。
【図２１】本発明の半導体装置を説明する図である。
【図２２】本発明の半導体装置の応用例を説明する図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明はフレキシブル（可撓性を有する）基板上に設けられた回路（または素子）に対して半導体集積回路を電気的に接続する半導体装置の作製方法に関する。特に、ロールｔｏロール方式を用いる半導体装置の作製方法に関する。フレキシブル基板上に形成されたアンテナに対して半導体集積回路を電気的に接続する半導体装置の作製方法に関する。アンテナを介した無線通信によりデータの入出力を行う半導体装置の作製方法に関する。また、半導体装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アンテナと当該アンテナと電気的に接続された半導体集積回路とを有する半導体装置は、ＲＦＩＤタグとして注目されている。ＲＦＩＤタグは、ＩＣタグ、ＩＤタグ、トランスポンダ、ＩＣチップ、ＩＤチップとも呼ばれる。フレキシブル基板上に複数のアンテナを設け、当該複数のアンテナに対して１つずつ半導体集積回路を電気的に接続するＲＦＩＤタグの作製方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、１枚の基板（以下、素子基板ともいう）に複数の半導体集積回路を形成し、複数の半導体集積回路を１つずつ取り出し、取り出した半導体集積回路を素子基板とは別の基板上に実装する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−１１５６４６号公報
【特許文献２】特開２０００−２９９５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
第１のフレキシブル基板上に配列された半導体集積回路と、第２のフレキシブル基板上に配列されたアンテナとを再配列することなく直接接続させるとタクトタイムを短くすることができる。
【０００５】
しかしながら、コストを低減するため、複数の半導体集積回路は素子基板上に高集積化して形成するのが好ましい。また、半導体集積回路の面積も小さくすることが好ましい。一方、アンテナは所定の周波数の電磁波を受信するために所定の形状及び大きさとする必要がある。そのため、半導体集積回路及びアンテナの大きさが異なってしまい、配置密度が異なる。この場合、再配列せずに、フレキシブル基板上の複数のアンテナに素子基板上に形成された複数の半導体集積回路を同時に電気的に接続することはできなかった。
【０００６】
そのため、例えば特許文献２に記載されたような方法を用いて、素子基板上に形成された複数の半導体集積回路のうちの１つを取り出し、フレキシブル基板上の複数のアンテナのうち１つのアンテナに、接続する動作を、素子基板上に形成された全ての半導体集積回路に対して繰り返さなければならなかった。それ故、タクトタイムが長く、半導体装置の製造コストを高くしていた。
【０００７】
上記の実情を鑑み、本発明では、異なる配置密度または配置間隔を有する複数の部品の貼りあわせ方法、及び貼りあわせ装置において、タクトタイムを短くすることが可能な貼りあわせ方法、及び貼りあわせ装置を提案する。また、低コストの半導体装置の作製方法及び低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一は、第１の部品をＸ方向の配置間隔を変更しながら第１のフレキシブル基板に仮着した後、第１の部品のＹ方向の配置間隔を変更しながら第２のフレキシブル基板上の第２の部品に第１の部品を接続させ、異なる配置密度の部品を同時に複数組ずつ貼りあわせすることを特徴とする。
【０００９】
代表的には、支持手段上に、Ｘ方向において間隔ｘ（ｘ＞０）、Ｙ方向において間隔ｙ（ｙ＞０）となるようにマトリクス状に複数の第１の部品を配置し、第１の部品をＸ方向の配置間隔をｘからａに変更しながら第１のフレキシブル基板に仮着した後、Ｙ方向の配置間隔をｙからｂに変更しながら第２のフレキシブル基板上の第２の部品に接続させ、連続的に異なる配置密度の部品を貼りあわせることを特徴とする。
【００１０】
なお、間隔ａは、第１のフレキシブル基板を供給するロール及び第１のフレキシブル基板を回収するロール各々の回転速度、並びに第１の部品を第１のフレキシブル基板に仮着する周期で制御することができる。また、間隔ｂは、第１のフレキシブル基板を供給するロール及び第１のフレキシブル基板を回収するロール、並びに第２のフレキシブル基板を供給するロール及び第２のフレキシブル基板を回収するロール各々の回転速度、並びに第１の部品を第２のフレキシブル基板に仮着する周期で制御することができる。
【００１１】
また、Ｘ方向及びＹ方向がなす角度θは、０度より大きく１８０度より小さい。また、角度θは９０度でもよい。さらには、Ｘ方向及びＹ方向がなす角度を９０度とし、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺がなす角度を０度より大きく９０度より小さい、または９０度より大きく１８０度より小さい角度にしてもよい。
【００１２】
また、第１のフレキシブル基板の幅及び第２のフレキシブル基板の幅は同一でもよい。また、異なっていても良い。
【００１３】
また、本発明の一の半導体装置の作製方法は、支持手段上に、行間隔がｘ（ｘ＞０）で列間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置する。複数の半導体集積回路を１行ずつ、列間隔を変えず、行間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させる。第２のフレキシブル基板上に、列間隔がａとなり行間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となるように、マトリクス状に複数のアンテナを配置する。第１のフレキシブル基板の複数の半導体集積回路の行方向に交差するように、第２のフレキシブル基板を複数のアンテナの行方向に移動させて、複数のアンテナのうちの１つに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの１つを、接続することを特徴とする。
【００１４】
なお、第２のフレキシブル基板を複数のアンテナの行方向に移動させるだけでなく、当該行方向と交差するように第１のフレキシブル基板を複数の半導体集積回路の行方向に移動させてもよい。こうして、複数のアンテナのうちの１つに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの１つを接続してもよい。
【００１５】
本発明の半導体装置の作製方法は、支持手段上に、行間隔がｘ（ｘ＞０）で列間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにｍ（ｍは自然数）行ｎ（ｎは自然数）列のマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置する。複数の半導体集積回路を１行ずつ、列間隔を変えず、行間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させる。第２のフレキシブル基板上に、列間隔がａとなり行間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となるように、且つ行方向に対して平行な直線上に接続部が配置されるように、ｑ（ｑはｐ以上の自然数）行ｐ（ｐは自然数）列のマトリクス状に複数のアンテナを配置する。複数のアンテナのうち、第ｊ（ｊは１以上ｐ以下の自然数）行のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち第ｊ列の半導体集積回路を接続することを特徴とする。
【００１６】
特に、複数のアンテナのうち第ｊ（ｊは１以上ｑより小さい自然数）行第ｉ（ｉは１以上ｐ以下の自然数）列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの第ｉ行第ｊ列の半導体集積回路を接続してもよい。複数のアンテナのうち第ｊ行の全てのアンテナの接続部に半導体集積回路を電気的に接続した後、前記第２のフレキシブル基板を前記複数のアンテナの行方向に移動させる。その後、複数のアンテナのうち第（ｊ＋１）行第ｉ列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの第ｉ行第（ｊ＋１）列の半導体集積回路を接続する。
【００１７】
本発明の半導体装置の作製方法は、支持手段上に、行間隔がｘ（ｘ＞０）で列間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにｍ（ｍは自然数）行ｎ（ｎは自然数）列のマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置する。複数の半導体集積回路を１行ずつ、列間隔を変えず、行間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させる。第２のフレキシブル基板上に、列間隔が前記ａとなり行間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となり、且つ列方向に対してａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）の角度を有する直線上に接続部が配置されるように、ｑ（ｑはｐ以上の自然数）行ｐ（ｐはｍ以下の自然数）列のマトリクス状に複数のアンテナを配置する。若しくは、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺を、ａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）の角度で交差させる。複数のアンテナのうち第ｊ（ｊは１以上ｐ以下の自然数）行のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち第ｊ列の半導体集積回路を接続することを特徴とする。
【００１８】
特に、複数のアンテナのうち、第ｊ（ｊは１以上ｑより小さい自然数）行第ｉ（ｉは１以上ｐより小さい自然数）列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち第ｉ行第ｊ列の半導体集積回路を接続してもよい。複数のアンテナのうち第ｊ行の全てのアンテナの接続部に半導体集積回路を接続した後、第１のフレキシブル基板を複数の半導体集積回路の行方向に移動させ、且つ、当該行方向と直交するように第２のフレキシブル基板を複数のアンテナの行方向に移動させる。その後、複数のアンテナのうち第（ｊ＋１）行第ｉ列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの第（ｉ＋１）行第ｊ列の半導体集積回路を接続する。
【００１９】
なお、複数のアンテナのうち１行のアンテナに対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を同時に接続してもよいし、連続して順に接続してもよい。
【００２０】
また、複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を接続する工程において、アンテナと半導体集積回路とを電気的に接続しても良い。複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を仮接続した後、複数のアンテナと第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路とを圧着、加熱等を行うことによって電気的に本接続してもよい。複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を仮接続した後に行う圧着や加熱等の工程は、第２のフレキシブル基板上に配置された全てのアンテナに対して同時に行うこともできる。
【００２１】
また、本発明の一の貼りあわせ装置は、ピックアップ手段と、第１の基板搬送手段と、第２の基板搬送手段と、制御手段と、ボンディング手段とを有することを特徴とする。ピックアップ手段は、複数の第１の部品が配置された支持手段上から、複数の第１の部品のＸ方向の間隔をｘからａに変えながら１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させる。第１の基板搬送手段は、第１のフレキシブル基板上の複数の第１の部品のＸ方向に、第１のフレキシブル基板を移動させる。第２の基板搬送手段は、マトリクス状に複数の第２の部品が配置された第２のフレキシブル基板を、複数の第１の部品のＹ方向に移動させる。制御手段は、複数の第２の部品の１つに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の第１の部品の１つが対応して重なるように、ピックアップ手段、第１の基板搬送手段、ボンディング手段、及び第２の基板搬送手段を制御する。ボンディング手段は、複数の第１の部品と重なった複数の第２の部品を接続する。
【００２２】
本発明の一の半導体装置の製造装置は、ピックアップ手段と、第１の基板搬送手段と、第２の基板搬送手段と、制御手段と、ボンディング手段とを有することを特徴とする。ピックアップ手段は、マトリクス状に複数の半導体集積回路が配置された支持手段上から、複数の半導体集積回路を１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させる。第１の基板搬送手段は、第１のフレキシブル基板上の複数の半導体集積回路の行方向に、第１のフレキシブル基板を移動させる。第２の基板搬送手段は、マトリクス状に複数のアンテナが配置された第２のフレキシブル基板を、複数のアンテナの行方向で且つ第１のフレキシブル基板の移動方向と交差する方向に移動させる。制御手段は、複数のアンテナのうちの１つの接続部に対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路の１つが対応して重なるように、ピックアップ手段、第１の基板搬送手段、ボンディング手段、及び第２の基板搬送手段を制御する。ボンディング手段は、複数のアンテナの接続部と重なった複数の半導体集積回路を当該アンテナの接続部に接続する。
【００２３】
なお、ボンディング手段は、複数のアンテナのうち１行のアンテナに対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を同時に接続する構成としてもよいし、連続して順に接続する構成としてもよい。
【００２４】
また、ボンディング手段は、アンテナ及び半導体集積回路を電気的に接続する構成としてもよい。または、ボンディング手段は、複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を仮接続する第１の構成と、複数のアンテナと第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路とを圧着、加熱等を行うことによって電気的に本接続する第２の構成とを有していてもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の貼りあわせ方法は、第１の部品をＸ方向の配置間隔を変更しながら第１のフレキシブル基板に仮着した後、第１の部品のＹ方向の配置間隔を変更しながら第２のフレキシブル基板上の第２の部品に第１の部品を接続させ、異なる配置密度の部品同士を連続的に貼りあわせすることができる。代表的には、支持手段上に、Ｘ方向において間隔ｘ（ｘ＞０）、Ｙ方向において間隔ｙ（ｘ＞０）となるようにマトリクス状に複数の第１の部品を配置し、第１の部品をＸ方向の配置間隔をｘからａに変更しながら第１のフレキシブル基板に仮着した後、Ｙ方向の配置間隔をｙからｂに変更しながら第２のフレキシブル基板上の第２の部品に接続させ、連続的に異なる配置密度の部品を貼りあわせることができる。また、同時に複数組の部品を貼りあわせることができる。このため、貼りあわせ工程のタクトタイムを短縮することができる。
【００２６】
また、本発明の半導体装置の作製方法は、支持手段上にマトリクス状に配置された複数の半導体集積回路を、行間隔を大きくして第１のフレキシブル基板上に仮着させる。そのため、第１のフレキシブル基板上の複数の半導体集積回路の行間隔を第２のフレキシブル基板上の複数のアンテナの列間隔に合わせることができる。そして、第１のフレキシブル基板の複数の半導体集積回路の行方向に直交するように、第２のフレキシブル基板を複数のアンテナの行方向に移動させる。こうして、複数のアンテナの各列に対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路の各行を対応させることができる。そのため、複数のアンテナの１行に対して、当該１行に対応する複数の半導体集積回路の位置合わせを同時に行うことができる。このように第１のフレキシブル基板に対して第２のフレキシブル基板を移動させ、複数のアンテナのうちの１つに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの１つを接続する。こうして、複数のアンテナの１行と、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち当該１行に対応する複数の半導体集積回路とを同時にまたは連続して接続することができる。
【００２７】
また、第２のフレキシブル基板を複数のアンテナの行方向に移動させるだけでなく、当該行方向と直交するように第１のフレキシブル基板を複数の半導体集積回路の行方向に移動させてもよい。こうして、支持手段上に配置された複数の半導体集積回路の行数が第２のフレキシブル基板の複数のアンテナの列数よりも大きい場合においても、複数の半導体集積回路の各行を複数のアンテナの各列に対応させることができる。
【００２８】
特に、第２のフレキシブル基板上の複数のアンテナの配置の仕方を、列間隔がａとなり行間隔がｂとなるように、且つ行方向に対して平行な直線上に接続部が配置されるようにする。そして、複数のアンテナのうち、各行の第ｊ行のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち第ｊ列の半導体集積回路を接続する。こうして、１つのアンテナに対して１つの半導体集積回路を対応させ、複数のアンテナの１行と第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路の１列とを同時にまたは連続して接続することができる。
【００２９】
また、複数のアンテナのうち第ｊ行第ｉ列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの第ｉ行第ｊ列の半導体集積回路を接続してもよい。複数のアンテナのうち第ｊ行の全てのアンテナの接続部に半導体集積回路を接続した後、前記第２のフレキシブル基板を前記複数のアンテナの行方向に移動させる。その後、複数のアンテナのうち第（ｊ＋１）行第ｉ列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの第ｉ行第（ｊ＋１）列の半導体集積回路を接続する。こうして、複数のアンテナの各行のアンテナに対して、半導体集積回路を接続することができる。
【００３０】
特に、第２のフレキシブル基板上の複数のアンテナの配置の仕方を、列間隔がａとなり行間隔がｂとなり、且つ行方向に対してａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）の角度を有する直線上に接続部が配置されるようにする。そして、複数のアンテナのうち各列の第ｊ行のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち対角線上に配置された半導体集積回路を接続する。こうして、１つのアンテナに対して１つの半導体集積回路を対応させ、複数のアンテナの１行と第１のフレキシブル基板上においてａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）の角度を有する直線上に並んだ半導体集積回路とを同時にまたは連続して接続することができる。
【００３１】
さらに、複数のアンテナのうち、第ｊ行第ｉ列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち第ｉ行第ｊ列の半導体集積回路を接続してもよい。複数のアンテナのうち第ｊ行の全てのアンテナの接続部に半導体集積回路を接続した後、第１のフレキシブル基板を複数の半導体集積回路の行方向に移動させ、且つ、当該行方向と直交するように第２のフレキシブル基板を複数のアンテナの行方向に移動させる。その後、複数のアンテナのうち第（ｊ＋１）行第ｉ列のアンテナの接続部に対して、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうちの第（ｉ＋１）行第ｊ列の半導体集積回路を接続する。こうして、複数のアンテナの各行のアンテナに対して半導体集積回路を接続することができる。
【００３２】
また、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路にアンテナを接続する工程において、複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を仮接続する工程（以下、仮接続という）と、複数のアンテナと第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路とを圧着、加熱等を行うことによって電気的に接続する工程（以下、本接続という）とを分けてもよい。仮接続では、本接続に対して、圧力や加熱の条件を制御する必要が少ないので、位置合わせの精度を高めやすい。こうして、複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を精度よく接続することができ、アンテナと半導体集積回路を電気的により確実に接続することができる。
【００３３】
以上によって、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストの半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００３４】
本発明の半導体装置の製造装置は、ピックアップ手段と、第１の基板搬送手段と、第２の基板搬送手段と、制御手段と、ボンディング手段とを有する。ピックアップ手段は、マトリクス状に複数の半導体集積回路が配置された支持手段上から、複数の半導体集積回路を１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させる。第１の基板搬送手段は、マトリクス状に複数のアンテナが配置された第２のフレキシブル基板を、複数のアンテナの行方向で且つ第１のフレキシブル基板の移動方向と交差する方向に移動させる。第２の基板搬送手段は、第１のフレキシブル基板上の複数の半導体集積回路の行方向に直交するように、第１のフレキシブル基板を移動させる。制御手段は、複数のアンテナのうちの１つの接続部に対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路の１つが対応して重なるように、ピックアップ手段、第１の基板搬送手段、ボンディング手段、及び第２の基板搬送手段を制御する。ボンディング手段は、複数のアンテナの接続部と重なった複数の半導体集積回路を当該アンテナの接続部に接続する。こうして、複数のアンテナの１行と、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち当該１行に対応する複数の半導体集積回路とを同時にまたは連続して接続することができる。
【００３５】
また、ボンディング手段は、仮接着を行う構成に加えて、本接着を行う構成を有していてもよい。こうして、複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路を精度よく接続することができ、アンテナと半導体集積回路を電気的により確実に接続することができる。
【００３６】
以上によって、タクトタイムを短くし、量産性を向上させて、低コストで半導体装置を作製可能な製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更しうることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。
【００３８】
（実施の形態１）
本発明の半導体装置の作製方法について説明する。説明には図１乃至１０を用いる。
【００３９】
図１に本発明の貼りあわせ装置及び半導体装置の製造装置の一形態を示す。貼りあわせ装置は、第１の部品が配置された支持手段、第１の部品を保持する第１のフレキシブル基板、支持手段上に配置された第１の部品を第１のフレキシブル基板に仮着させるピックアップ手段を有する。また、第２の部品が配置された第２のフレキシブル基板、第２の部品に第１の部品を接続するボンディング手段を有する。また、第１のフレキシブル基板を供給する（繰り出す）第１の供給部、及び第１のフレキシブル基板を回収する（繰り込む）第１の回収部で構成される第１の基板搬送手段を有する。また、第２のフレキシブル基板を供給する（繰り出す）第２の供給部、第２のフレキシブル基板を回収する（繰り込む）第２の回収部で構成される第２の基板搬送手段を有する。第２の供給部の動作、第２の回収部の動作、及びローラーの回転速度により、第２のフレキシブル基板の移動タイミング及び移動速度を制御することができる。
【００４０】
以下に、第１の部品として半導体集積回路を用い、第２の部品としてアンテナを用いた半導体装置の製造装置の形態について示す。なお、第１の部品として、半導体集積回路の代わりに、アンテナ、第２の半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、表示装置、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ、マイクロマシン）等を適宜用いることができる。また、第２の部品として、アンテナの代わりに、半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、表示装置、ＭＥＭＳ等を適宜用いることができる。
【００４１】
半導体装置の製造装置は、半導体集積回路２４が配置された支持手段２０、半導体集積回路２４を保持する第１のフレキシブル基板２３、支持手段２０上に配置された半導体集積回路２４を第１のフレキシブル基板２３に仮着させるピックアップ手段２１を有する。また、アンテナ２６が形成された第２のフレキシブル基板２５、アンテナ２６に半導体集積回路２４を接続するボンディング手段２２を有する。また、第１のフレキシブル基板２３の移動を制御するローラー３０、第２のフレキシブル基板２５の移動を制御するローラー３１を有してもよい。
【００４２】
図１（Ｂ）に、図１（Ａ）のＡ−Ｂの断面図を示す。なお、図１のＡ−Ｂは半導体集積回路の列方向の断面図である。図１（Ｂ）に一形態を示すように、支持手段２０上の半導体集積回路２４上に、一定の間隔を置いて第１のフレキシブル基板２３が配置される。さらには、第１のフレキシブル基板２３上には、一定の間隔を置いてピックアップ手段２１が配置される。ピックアップ手段２１は押圧部３４を有する。さらには、支持手段２０及びピックアップ手段２１の位置が第１のフレキシブル基板２３及び半導体集積回路２４を介して反対に設けてもよい。
【００４３】
図１（Ｃ）に図１（Ａ）のＣ−Ｄの断面図を示す。なお、図１（Ａ）のＣ−Ｄはアンテナの列方向の断面図である。アンテナの各行間隔はａである。図１（Ｃ）に一形態を示すように、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路２４と一定の間隔を置いて、第２のフレキシブル基板２５上のアンテナ２６が対向する。また、第２のフレキシブル基板２５と一定の間隔をおいて、ボンディング手段２２が配置される。ボンディング手段２２は押圧部３３を有する。さらには、第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５を介してボンディング手段２２の反対側に、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路２４及び第２のフレキシブル基板２５上のアンテナ２６の接続を促すため、即ちボンディング手段２２の加圧をしやすくするため、基板３２を設けてもよい。さらには、基板３２及びボンディング手段２２の位置が第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５を介して反対に設けてもよい。
【００４４】
また、図示しないが、第１のフレキシブル基板２３を供給する（繰り出す）第１の供給部、第１のフレキシブル基板を回収する（繰り込む）第１の回収部で構成される第１の基板搬送手段を有する。第１の供給部の動作、第１の回収部の動作、及びローラー３０の回転速度により、第１のフレキシブル基板２３の繰り出しタイミング及び移動速度を制御することができる。また、第２のフレキシブル基板２５を供給する（繰り出す）第２の供給部、第２のフレキシブル基板２５を回収する（繰り込む）第２の回収部で構成される第２の基板搬送手段を有する。第２の供給部の動作、第２の回収部の動作、及びローラー３１の回転速度により、第２のフレキシブル基板２５の移動タイミング及び移動速度を制御することができる。
【００４５】
また、支持手段２０、ピックアップ手段２１、ボンディング手段２２、第１の基板搬送手段、第２の基板搬送手段、ローラー３０、３１等の動作を制御する制御装置を有する。
【００４６】
本半導体装置の製造装置においては、図２（Ａ）に一形態を示すように、支持手段２０上に半導体集積回路２４がｍ行ｎ列のマトリクス状に配置される。このときの半導体集積回路の行間隔をｘ、列間隔をｙとする。なお、ここでは、半導体集積回路の行間隔及び列間隔は、隣接する半導体集積回路の中心間の距離とする。さらには、第１のフレキシブル基板２３が移動する矢印３７と平行な方向を、マトリクス状に配置された半導体集積回路の行方向とする。半導体集積回路の各々の内部には、アライメントマークが設けてあることが好ましい。
【００４７】
本半導体装置の製造装置においては、図２（Ｂ）に一形態を示すように、第２のフレキシブル基板２５上にアンテナ２６がｑ行ｐ列のマトリクス状に配置される。このときの隣接するアンテナの接続部２９の行間隔をｂ、列間隔をａとする。なお、ここでは、アンテナの接続部の行間隔及び列間隔は、隣接するアンテナの接続部の中心間の距離とする。さらには、第２のフレキシブル基板２５が移動する矢印３５と平行な方向を、マトリクス状に配置されたアンテナの行方向とする。アンテナの各々の内部には、アライメントマークが設けてあることが好ましい。または、第２のフレキシブル基板には、アライメントマークが設けてあることが好ましい。アンテナと半導体集積回路を接続させるとき、それぞれのアライメントマークをそろえることで、歩留まり高く接続させることができる。
【００４８】
なお、ここでは、アンテナ２６の接続部２９は、半導体集積回路２４と同様の面積の形態について説明する。また、アンテナ２６の接続部２９及び半導体集積回路２４の面積が異なっていても良い。即ち、半導体装置の作製装置の位置合わせ精度によって、アンテナ２６の接続部２９及び半導体集積回路２４が完全に重畳せず若干ずれることもあるが、半導体集積回路２４の接続端子及びアンテナ２６が電気的に接続されていればよい。
【００４９】
支持手段２０は、半導体集積回路２４を搭載するステージやトレイ、ＵＶシートが張られたエキスパンドリング等がある。また、支持手段２０は移動装置に設けられていてもよい。移動装置としては、水平移動（ｘｙ方向）が可能なベルトコンベヤー、昇降及び水平移動（ｘｙｚ方向）が可能なロボットアームやステージ等がある。
【００５０】
ピックアップ手段２１は、押圧部３４を有する。また、ピックアップ手段２１には、ロボットアーム、ヘッド、ローラー等の移動装置が接続されている。このような移動装置が設けられることにより、ピックアップ手段の昇降及び水平移動（ｘｙｚ方向）を自由に行うことが可能である。ピックアップ手段２１は、第１のフレキシブル基板２３及び半導体集積回路２４を圧着し、支持手段２０から第１のフレキシブル基板２３へ半導体集積回路２４を移動させることができる。押圧部３４は、半導体集積回路ごとに設けられてもよい。また、押圧する領域全体に一つの押圧部３４を設けてもよい。ここでは、半導体集積回路ことに押圧部３４が設けられている形態を示す。なお、押圧部３４は１０ｇ〜１００ｋｇ、好ましくは５０ｇ〜５０ｋｇの荷重が可能であることが好ましい。
【００５１】
半導体集積回路２４は、複数の半導体素子により回路が構成されるものであり、代表的には、複数の半導体素子が形成されるシリコンチップや、複数の薄膜半導体素子を有するチップ等がある。
【００５２】
複数の半導体素子が形成されるシリコンチップの作製方法の代表例としては、シリコンウエハの表面にＭＯＳトランジスタや、容量、抵抗、ダイオード等を形成する。次に、シリコンウエハの裏面をバックグラインドと呼ばれる研磨処理行い、シリコンウエハの厚さを３０〜２５０μｍ、好ましくは５０〜１００μｍにする。この後、ダイサーで矩形状にシリコンウエハを分割したチップである。
【００５３】
複数の薄膜半導体素子を有するチップの代表例としては、薄膜トランジスタ、容量、抵抗、薄膜ダイオード等を有する層である。薄膜半導体素子を有するチップの作製方法の代表例としては、基板上に、薄膜トランジスタ、容量、抵抗、薄膜ダイオード等を有する層を形成し、当該層を基板から剥離し、矩形状に分断することにより形成される。
【００５４】
第１のフレキシブル基板２３は、表面において半導体集積回路２４を保持するため、表面に粘着層を有する可撓性を有する基板（以下、粘着層を有するフィルムとも示す。）が好ましい。粘着層を有するフィルムとしては、紫外線硬化型粘着フィルム（ＵＶフィルム、ＵＶテープ、ＵＶシートともいう。）や、圧力が加わることにより粘着力が変化する感圧フィルム（感圧フィルム、感圧テープ、感圧シートともいう。）、熱硬化型粘着フィルム（熱硬化型粘着テープ、熱硬化型粘着シートともいう。）等がある。さらには、粘着層を有するフィルムはエキスパンドタイプの伸縮可能なものであってもよい。
【００５５】
一方、第２のフレキシブル基板２５は、可撓性を有する可撓性基板を用いる。さらには、第２のフレキシブル基板２５には、粘着層及び離型紙が設けられていても良い。このような場合は、アンテナが形成される面とは反対側に粘着層及び離型紙が設けられる。代表的な可撓性を有する基板には、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレン、ポリプロピレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、ポリフタールアミド等からなる基板がある。また、繊維質な材料からなる紙がある。さらには、熱可塑性材料で形成される層として接着性有機樹脂（アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）が上記可撓性を有する基板のアンテナが形成される面とは反対側に積層された基板を用いることができる。
【００５６】
ボンディング手段２２は、押圧部３３により半導体集積回路２４及びアンテナ２６を圧着し、半導体集積回路２４とアンテナ２６とを実装（本圧着）させる手段である。なお、半導体集積回路２４及びアンテナ２６の間に導電性ペーストを設けることで、更に半導体集積回路２４及びアンテナ２６を確実に接続することができる。
【００５７】
ボンディング手段２２は、押圧部３３によりアンテナ及び半導体集積回路を加熱しながら圧着することにより、アンテナと半導体集積回路とを電気的に接続しても良い。このような場合、ボンディング手段２２の押圧部に圧着手段及び加熱手段を設ける。このようなボンディング手段としては、熱圧着法や超音波接合法を用いたものあり、代表的には押圧部にヒーターや超音波ホーンを用いることができる。このような構成とすることで、別途大型のヒーターを設ける必要が無いため、半導体装置の製造装置の小型化が可能である。
【００５８】
また、ボンディング手段２２の押圧部３３として圧着手段のみを用いる場合、別途アンテナ及び半導体集積回路の接続部を電気的に接続させるための加熱手段を設ける。このような加熱手段としては、ヒーターがある。このような構成とすることで、ボンディング手段による位置合わせの精度を高めるとともに、接着時間の短縮が可能である。この結果、複数のアンテナに対して第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路をボンディング手段により短時間で精度よく接続することができ、別途設けた加熱手段によりアンテナと半導体集積回路を電気的により確実に接続することができる。
【００５９】
なお、アンテナ及び半導体集積回路を接続させるための加熱手段としては、室温から５００℃までの加熱が可能なヒーターが好ましい。また、押圧部３３は１０ｇ〜１００ｋｇ、好ましくは５０ｇ〜５０ｋｇの荷重が可能であることが好ましい。
【００６０】
アンテナ２６は、印刷法、導電性薄膜をエッチングする方法、メッキ方式等の手法により可撓性基板上に形成された導電層を用いることができる。アンテナ２６は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＢａのいずれか一つ以上の元素を有する導電層で形成することができる。
【００６１】
図２０に本発明に適応可能なアンテナの上面図を示す。アンテナとして機能する導電層の形状は、半導体装置における信号の伝送方式が電磁結合方式または電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する場合には、磁界密度の変化による電磁誘導を利用するため、図２０（Ａ）に示すように、方形コイル状２８１や、円形コイル状（例えば、スパイラルアンテナ）とすることができる。また、図２０（Ｂ）に示すように方形ループ状２８２や円形ループ状とすることができる。
【００６２】
また、マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアンテナとして機能する導電層の長さ等の形状を適宜設定すればよく、図２０（Ｃ）に示すように直線型ダイポール状２８３や曲線型ダイポール状、面状（例えば、パッチアンテナ）とすることができる。
【００６３】
なお、第２のフレキシブル基板２５上にアンテナ２６が形成されている形態をここでは示しているが、これに限定されるものではない。例えば、アンテナ２６の代わりに、第２の半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、表示装置等を適宜用いることができる。
【００６４】
ローラー３０、３１、第１の供給部、第２の供給部、第１の回収部、第２の回収部は、円筒状の回転体であり、代表的には、表面の磨かれた円筒状の鋳造品やプラスチック等に相当する。ローラー３０、３１、第１の供給部、第２の供給部の各々は、所定の速度で回転する。また、第１の供給部、ローラー３０、及び第１の回収部は、同じ方向に回転する。また、第２の供給部、ローラー３１、及び第２の回収部は、同じ方向に回転する。
【００６５】
基板３２は、ボンディング手段２２を用いて半導体集積回路２４及びアンテナ２６を接続するときに、ボンディング手段２２が押圧しやすいように設ける。このため、基板３２は板状の部材、ローラー等適宜用いることができる。
【００６６】
図示しないが、制御手段としては、ピックアップ手段２１及び半導体集積回路２４の位置を検出する検出素子を有する。また、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路２４及びボンディング手段２２の位置を検出する検出素子を有する。また、ピックアップ手段２１、第１の供給部、ローラー３０、第１の回収部、ボンディング装置、第２の供給部、ローラー３１、第２の回収部等それぞれ駆動させる駆動部を有する。また、当該駆動部を駆動させる駆動回路を有する。
【００６７】
検出素子としては、ＣＣＤカメラ等を用いることが可能であり、検出素子で検出した画像情報を画像処理して、半導体集積回路、アンテナの接続端子やアライメントマークの位置を検出する。駆動部としては、モーターを用いることが可能であり、駆動回路から送られる信号により、駆動部が駆動される。駆動回路としては、マイクロコンピュータを用いることが可能である。具体的には、中央演算処理装置、記憶部であるＲＯＭ及びＲＡＭから構成され、検出素子で検出した画像情報や駆動部の駆動情報等を一時的にＲＡＭに保存するとともに、ＲＯＭに記録されているプログラム及びＲＡＭに保存された情報により駆動部を駆動させる信号を駆動部に送り出す。
【００６８】
さらに制御手段は、サーバー、他のパーソナルコンピュータ等に接続されていてもよい。
【００６９】
制御手段により、ピックアップ手段２１を用いて半導体集積回路２４を第１のフレキシブル基板２３に仮着させるタイミング及びピックアップ手段２１の圧力を制御する。また、第１の供給部、ローラー３０、第１の回収部の回転速度その及び回転動作を制御する。また、ボンディング手段２２を第２のフレキシブル基板２５及び半導体集積回路２４に押圧するタイミング及びボンディング手段２２の圧力を制御する。また、第２の供給部、ローラー３１、第２の回収部の回転速度その及び回転動作を制御する。
【００７０】
なお、支持手段２０及びピックアップ手段２１の間に、フリップチップ手段を有してもよい。フリップチップ手段としては、回転機能を有するピックアップ手段が好ましい。代表的には、持着部を有するローラーやヘッドがある。持着部の代表例としては、ピンセットや爪等の把持具、コレット、又は吸着することが可能なノズル等がある。
【００７１】
次に、上記貼りあわせ装置を用いた、第１の部品及び第２の部品の貼りあわせ方法について、以下に示す。
【００７２】
ここでは、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺、即ち移動方向が９０度に交差し、第１の部品の行及び列が９０度に交差し、第２の部品の行及び列が９０度に交差する形態について示す。
【００７３】
ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された第１の部品と、ｑ行ｐ列のマトリクス状に配置された第２の部品とを有する。第１のフレキシブル基板を移動させながら、ピックアップ手段をｐ回押圧して、第１のフレキシブル基板に第１の部品をｐ行分仮着する。このときの第１のフレキシブル基板の移動距離はｐａである。次に、第１のフレキシブル基板の移動を停止する。次に、ボンディング手段を押圧し、第１のフレキシブル基板上の第１の部品を、第２のフレキシブル基板上の第２の部品に接続した後、第２のフレキシブル基板を距離ｂ移動する。ボンディング手段の押圧及び第２のフレキシブル基板の移動をｎ回繰り返す。この結果、ｐ行分の第１の部品を第２の部品に貼り付けることができる。この後、再度第１のフレキシブル基板を移動させながら、ピックアップ手段をｐ回押圧して、上記の動作を繰り返すことにより、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された第１の部品と、ｑ行ｐ列のマトリクス状に配置された第２の部品を貼りあわせることができる。
【００７４】
以下、第１の部品として半導体集積回路を用い、第２の部品としてアンテナを用いて、半導体装置を作製する方法について、図１、図３、図５及び図６を用いて説明する。なお、以下の説明において、ｉ行ｊ列を（ｉ、ｊ）とも示す。
【００７５】
第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させる方法について、図１及び図３を用いて説明する。図３は図１のＡ−Ｂの断面図である。図３（Ａ）は図１（Ｂ）と同様の図であり、支持手段２０上に配置された半導体集積回路２４と、半導体集積回路２４の上に一定の距離を置いて配置される第１のフレキシブル基板２３と、第１のフレキシブル基板２３上に一定の距離を置いて配置されるピックアップ手段２１が配置される。
【００７６】
図３（Ｂ）に示すように、駆動部によりピックアップ手段２１を支持手段２０に押圧する。または、支持手段２０をピックアップ手段に押圧する。この結果、ピックアップ手段２１により第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させることができる。このとき、制御装置により、第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させるタイミングを制御することにより、図１に示すように、半導体集積回路の行間隔をｘからａとする。なお、間隔ａは、第２のフレキシブル基板２５に設けられる隣接するアンテナの各列の接続部の間隔である。次に、図３（Ｃ）に示すように、駆動部によりピックアップ手段２１また支持手段２０を元の位置に戻す。以上の工程により、第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させることができる。
【００７７】
ここで、支持手段２０上に配置された半導体集積回路２４において、接続端子が形成される面によって、第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させる方法が異なる形態について、図５及び６を用いて示す。
【００７８】
図５（Ａ）乃至（Ｃ）は、図１のＡ−Ｂの一部において、半導体集積回路２４を第１のフレキシブル基板２３に仮着させる工程について示す。
【００７９】
図５では、半導体集積回路２４の接続端子２４ａは支持手段２０に対向しており、接続端子２４ａの接続面がピックアップ手段２１側に露出していない形態について説明する。なお、このように、半導体集積回路２４の接続端子２４ａが支持手段２０に対向する構成としては、半導体集積回路２４内部に、半導体素子と接続するスルーホールを形成し、該スルーホールを充填するプラグを接続端子２４ａとしてもよい。また、半導体集積回路２４の表面に接続端子２４ａを形成した後、接続端子２４ａが支持手段２０に対向するように、半導体集積回路を反転させて支持手段２０に設けてもよい。
【００８０】
この場合は、図１で示す半導体装置の製造装置によって、半導体集積回路２４及びアンテナ２６を接続させることができる。具体的には、図５（Ｂ）に示すように、駆動部によりピックアップ手段２１を支持手段２０に押圧する。または、支持手段２０をピックアップ手段に押圧する。次に、図５（Ｃ）に示すように、駆動部によりピックアップ手段２１また支持手段２０を元の位置に戻す。以上の工程により、接続端子が露出するように第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させることができる。
【００８１】
次に、半導体集積回路２４の接続端子２４ａは支持手段２０に対向しておらず、接続端子の接続面がピックアップ手段２１側に露出している形態について図６を用いて説明する。図６（Ａ）乃至（Ｄ）は、図１のＡ−Ｂの一部において、半導体集積回路２４を第１のフレキシブル基板２３に仮着させる工程について示す。
【００８２】
この場合は、図５に示すような方法で半導体集積回路２４を第１のフレキシブル基板２３に仮着させても、接続端子２４ａの接続面が第１のフレキシブル基板２３に対向してしまい、後にアンテナと接続端子２４ａを接続させることができない。このため、半導体装置の製造装置は、支持手段２０からピックアップ手段２１へ移動する間に、半導体集積回路２４をひっくり返すフリップチップ手段を設ける。
【００８３】
フリップチップ手段としては、ローラーの表面に半導体集積回路を持着することが可能な持着部を有すればよい。また、１８０度以上回転可能なピックアップ手段であってもよい。
【００８４】
具体的には、図６（Ｂ）に示すように、駆動部によりフリップチップ手段３６を支持手段２０に押圧する。または、支持手段２０をフリップチップ手段に押圧する。この後、駆動部によりフリップチップ手段３６または支持手段２０を元の位置に戻して、フリップチップ手段３６は半導体集積回路２４を持着する。このとき、フリップチップ手段３６は、半導体集積回路２４の接続端子２４ａが形成される面において半導体集積回路２４を持着している。
【００８５】
次に、駆動部によりフリップチップ手段３６を１８０度回転させて、図６（Ｃ）に示すように、半導体集積回路２４の接続端子２４ａが形成される面の反対側と第１のフレキシブル基板２３とが対向するように配置する。さらには、検出素子及び駆動部により、半導体集積回路２４の接続端子２４ａが形成される面の反対側と、ピックアップ手段２１の押圧部３４とが第１のフレキシブル基板２３を介して対向するように配置する。
【００８６】
次に、図６（Ｄ）に示すように、駆動部によりピックアップ手段２１をフリップチップ手段３６に押圧する。または、フリップチップ手段３６をピックアップ手段２１に押圧する。この後、ピックアップ手段２１またはフリップチップ手段３６を元の位置に戻して、図６（Ｅ）に示すように、接続端子２４ａが露出するように半導体集積回路２４を第１のフレキシブル基板２３に仮着させる。
【００８７】
以上の工程により、第１のフレキシブル基板２３に半導体集積回路２４を仮着させることができる。
【００８８】
次に、第２のフレキシブル基板２３上のアンテナ２６及び半導体集積回路２４を接続する方法について、図１、図４、図７乃至図１１を用いて説明する。なお、図７乃至図１１において、半導体集積回路は実線で表しているが、実際には半導体集積回路及びアンテナが対向しており、対向している半導体集積回路及びアンテナの外側にそれぞれ第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５が設けられている。即ち、図７乃至１１においては、第１のフレキシブル基板２３が手前で、半導体集積回路、アンテナ、及び第２のフレキシブル基板が順に奥に配置されていることになる。
【００８９】
はじめに、半導体集積回路２４及びボンディング手段の位置を検出する検出素子を用いて、アンテナの接続部２９及び半導体集積回路２４の接続端子を位置合わせする。具体的には、図４（Ａ）に示すように、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路２４が、第２のフレキシブル基板２５上のアンテナ２６の接続部と対向するように、第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５の位置を、検出素子及び駆動部により制御する。
【００９０】
次に、図４（Ｂ）に示すように、駆動部によりボンディング手段２２を基板３２に押圧する。具体的には、図７（Ａ）に示すように、１行１列からｐ行１列の半導体集積回路４０と、１行１列から１行ｐ列のアンテナ４１をそれぞれ接続させる。次に、図３（Ｃ）に示すように、駆動部によりボンディング手段２２を元の位置に戻す。以上の工程により、第２のフレキシブル基板２５上のアンテナ２６と半導体集積回路２４を接続することができる。
【００９１】
次に、図７（Ｂ）に示すように、第１のフレキシブル基板２３を固定したまま、駆動部により第２の基板搬送手段を動かして第２のフレキシブル基板２５を矢印３５の方向にｂ−ｙ移動する。
【００９２】
ここで、第２のフレキシブル基板２５の移動距離に関して図８を用いて説明する。図８では、図７（Ａ）において１行１列〜１行ｎ列の半導体集積回路及び１行１列のアンテナ及び２行１列のアンテナについて拡大したものを示す。
【００９３】
半導体集積回路４５（（１，１））が接続されたアンテナ４６（（１，１））の接続部と、隣の行のアンテナ４８（（２，１））の接続部２９の間隔はｂである。一方、アンテナ４６と接続された半導体集積回路４５（（１，１））と、隣の列の半導体集積回路４７（（１，２））の間隔はｙである。
【００９４】
半導体集積回路４５（（１，１））及びアンテナ４６（（１，１））を接続した後、半導体集積回路４７（（１，２））及びアンテナ４８（（２，１））を接続させるためには、第２の基板搬送手段により第２のフレキシブル基板２５を矢印３５の方向に移動させ、アンテナ４８の接続部２９と半導体集積回路４７とを対向させればよい。即ち、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路４７の位置と、アンテナ４８の接続部２９が一致するように、第２のフレキシブル基板２５を矢印３５方向へ移動すればよい。このため、第２のフレキシブル基板２５の移動距離はｂ−ｙである。
【００９５】
図７（Ｂ）に示すように、第２のフレキシブル基板２５を矢印３５方向へ移動させた後、ボンディング手段２２によって、アンテナ及び半導体集積回路を押圧することにより、１行２列からｐ行２列の半導体集積回路４３と、２行１列から２行ｐ列のアンテナ４４をそれぞれ接続させることができる。
【００９６】
この後、半導体集積回路及びアンテナの接続、並びに第２のフレキシブル基板の移動を繰り返すことにより、（３，１）〜（３，ｐ）から（ｎ−１，１）〜（ｎ−１，ｐ）の半導体集積回路をアンテナに接続することができる。
【００９７】
次に、図９（Ａ）に示すように、１行ｎ列からｐ行ｎ列の半導体集積回路６０と、ｎ行１列からｎ行ｐ列のアンテナ６１をそれぞれ接続する。この結果、第１のフレキシブル基板上の１行からｐ行の半導体集積回路は、すべて第２のフレキシブル基板２５上のアンテナに仮着される。よって、第１のフレキシブル基板２３を矢印３７の方向にｐａ移動し、第２のフレキシブル基板２５を矢印３５の方向にｂ＋（ｎ−１）ｙ移動する。この結果、図９（Ｂ）に示すように、（１＋ｐ，１）〜（ｐ＋ｐ，１）の半導体集積回路及び（ｎ＋１，１）〜（ｎ＋１，ｐ）行のアンテナを対向させることができる。このため、（１＋ｐ，１）〜（ｐ＋ｐ，１）の半導体集積回路６３と、（ｎ＋１，１）〜（ｎ＋１，ｐ）のアンテナ６４の接続部が対向する。これらをボンディング手段により押圧することで、それぞれを接続することができる。
【００９８】
ここで、第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５の移動距離に関して、図１０を用いて説明する。なお、ここでは、１行ｎ列の半導体集積回路６５及びｎ行１列のアンテナ６６の接続部を接続した後、（１＋ｐ）行１列の半導体集積回路６７及び（ｎ＋１）行１列のアンテナ６８の接続部を接続させる例を用いて説明する。
【００９９】
はじめに、アンテナの行方向における移動距離について、図１０を用いて示す。図９（Ａ）で半導体集積回路が接続されたアンテナ６１の一部であるｎ行１列のアンテナ６６の接続部と、隣の行（（ｎ＋１）行１列）のアンテナ６８の接続部６９の間隔はｂである。一方、半導体集積回路の列方向における間隔はｙである。また、半導体集積回路は１〜ｎ列設けられている。このため、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路６７の位置と、アンテナ６８の接続部６９を一致させるためには、第２のフレキシブル基板２５を矢印３５方向においては、ｂ＋（ｎ−１）ｙ移動すればよい。
【０１００】
次に、半導体集積回路の行方向における移動距離について、同様に図１０を用いて示す。半導体集積回路の行方向における間隔はａである。また、アンテナは１〜ｐ列設けられている。このため、第１のフレキシブル基板２３上の半導体集積回路６７の位置と、アンテナ６８の接続部６９が一致するためには、第２のフレキシブル基板２５を矢印３７方向へ、ｐａ移動すればよい。
【０１０１】
なお、ここで、１行からｐ行の半導体集積回路を第２のフレキシブル基板２５上のアンテナと接続した後に、第１のフレキシブル基板２３を矢印３７に移動させる回数をｕとすると、次にアンテナと貼りあわせる半導体集積回路は（１＋ｕｐ）行から（ｐ＋ｕｐ）行である。また、当該半導体集積回路と貼りあわせられるアンテナは、（１＋ｕｎ）行から（ｎ＋ｕｎ）行である（ｕは自然数）。
【０１０２】
また、図１１に示すように、ｉ行ｊ列の半導体集積回路８０を、ｊ行ｉ列のアンテナ８１と接続する。次に、矢印３５方向に第２のフレキシブル基板２５を移動した後、ｉ行（ｊ＋１）列の半導体集積回路８２を、（ｊ＋１）行ｉ列のアンテナ８３と接続することができる。
【０１０３】
さらには、半導体集積回路及びアンテナを封止するように、第２のフレキシブル基板表面に第３のフレキシブル基板を貼りあわせてもよい。この結果、半導体集積回路及びアンテナを密閉することができる。
【０１０４】
この後、第２のフレキシブル基板、さらには第３のフレキシブル基板を適当な場所（例えば、図１１の実線２７）で切断することにより、半導体集積回路、アンテナ、及び切断された第２のフレキシブル基板、更には切断された第３のフレキシブル基板を有する半導体装置を作製することができる。
【０１０５】
本発明の半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造装置を用いた作製方法により、複数のアンテナの１行と、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち当該１行に対応する複数の半導体集積回路とを、同時にまたは連続して接続することができる。このため、一度のボンディング処理により複数の半導体装置を作製することが可能である。このため、半導体装置の量産性を高めることができる。
【０１０６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、第１の部品及び第２の部品の行及び列がそれぞれ一定角度θで交差するように配置されている形態について説明する。
【０１０７】
本実施の形態で示す貼りあわせ装置は、図１に示すように、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺、即ち移動方向が９０度に交差しており、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された第１の部品において、行と列がａｒｃｔａｎ（ｙ／ｘ）で交差している。また、ｑ行ｐ列のマトリクス状に配置された第２の部品において、行と列がａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）で交差している。なお、上記構成に限らず、実施の形態１と同様に、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された第１の部品において、行と列が９０度で交差し、ｑ行ｐ列のマトリクス状に配置された第２の部品において、行と列が９０度で交差し、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺、即ち移動方向がａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）で交差していてもよい。
【０１０８】
以下に、第１の部品として半導体集積回路を用い、第２の部品としてアンテナを用いた半導体装置の製造装置の形態について示す。なお、第１の部品として、半導体集積回路の代わりに、アンテナ、第２の半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、表示装置、ＭＥＭＳ等を適宜用いることができる。また、第２の部品として、アンテナの代わりに、半導体集積回路、センサー、電池、配線基板、表示装置、ＭＥＭＳ等を適宜用いることができる。
【０１０９】
本半導体装置の製造装置においては、図１２（Ａ）に一形態を示すように、支持手段２０上に半導体集積回路がｍ行ｎ列のマトリクス状に配置される。このときの半導体集積回路の行間隔をｘ、列間隔をｙとする。さらには、第１のフレキシブル基板２３が移動する矢印３７と平行な方向を、マトリクス状に配置された半導体集積回路の行方向とする。本実施の形態の半導体集積回路の行は半導体集積回路の列に対して角度θ１で交差している。
【０１１０】
本半導体装置の製造装置においては、図１２（Ｂ）に一形態を示すように、第２のフレキシブル基板２５上にアンテナ２６がｑ行ｐ列のマトリクス状に配置される。このときの隣接するアンテナの接続部７５の行間隔をｂ、列間隔をａとする。また、第２のフレキシブル基板２５が移動する矢印３５と平行な方向を、マトリクス状に配置されたアンテナの行方向とする。さらには、アンテナの行はアンテナの列に対して角度θで交差している。
【０１１１】
なお、ここでは、アンテナ２６の接続部７５は、実施の形態１のアンテナ２６の接続部２９と同様に、半導体集積回路２４と同様の面積である形態について説明する。また、アンテナ２６の接続部２９及び半導体集積回路２４の面積が異なっていても良い。即ち、半導体装置の作製装置の位置合わせ精度によって、アンテナ２６の接続部２９及び半導体集積回路２４が完全に重畳せず若干ずれることもあるが、半導体集積回路２４の接続端子及びアンテナ２６が電気的に接続されていればよい。
【０１１２】
次に、上記貼りあわせ装置を用いて、第１の部品及び第２の部品の貼りあわせ方法について、以下に示す。
【０１１３】
ここでは、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺、即ち移動方向が９０度に交差し、第１の部品の行及び列がθ１＝ａｒｃｔａｎ（ｙ／ｘ）で交差し、第２の部品の行及び列がθ＝ａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）度で交差する形態について示す。
【０１１４】
ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された第１の部品と、ｑ行ｐ列のマトリクス状に配置された第２の部品とを有する。第１のフレキシブル基板を移動しながら、ピックアップ手段をｐ回以上押圧して、第１のフレキシブル基板に第１の部品をｐ行以上仮着する。このとき、第１のフレキシブル基板を移動させる距離はｐａ以上である。次に、第２のフレキシブル基板上の第２の部品に対応する領域に、第１のフレキシブル基板の第１の部品を移動させたらば、ボンディング手段を押圧し、第１のフレキシブル基板上の第１の部品を、第２のフレキシブル基板上の第２の部品に接続する。次に、第２のフレキシブル基板を距離ｂ移動するとともに、第１のフレキシブル基板を距離ａ移動する。この後、ボンディング手段の押圧、第１のフレキシブル基板の移動、及び第２のフレキシブル基板の移動を繰り返す。このとき、第１のフレキシブル基板の速度をａ、第２のフレキシブル基板の速度をｂとすれば、第１の部品を第２の部品に連続的に貼り付けることができる。なお、ボンディング手段を押圧して第１の部品及び第２の部品を貼りあわせるときに、ピックアップ手段を押圧して支持手段上の第１の部品を第１のフレキシブル基板に仮着させればよい。
【０１１５】
以下、第１の部品として半導体集積回路を用い、第２の部品としてアンテナを用いて、半導体装置を作製する方法について、図１３及び１４を用いて説明する。なお、図１３及び１４において、半導体集積回路は実線で表しているが、実際には半導体集積回路及びアンテナが対向しており、半導体集積回路及びアンテナが対向する面の外側にそれぞれ第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５が設けられている。即ち、図１３及び１４においては、第１のフレキシブル基板２３が手前で、半導体集積回路、アンテナ、及び第２のフレキシブル基板が順に奥に配置されていることになる。
【０１１６】
はじめに、実施の形態１と同様に第１のフレキシブル基板上に半導体集積回路を仮着させる。このとき、半導体集積回路の列の間隔がｘからａとなるように仮着させる。
【０１１７】
図１３（Ａ）に示すように、第１のフレキシブル基板２３と第２のフレキシブル基板２５が重なる領域において、破線７６ａ上にあるｉ行の半導体集積回路は、当該半導体集積回路と対向するｊ行のアンテナ８１の接続部において、接続される。なお、ｉ行の半導体集積回路において、全ての半導体集積回路が同時にアンテナと接続されても良い。また、ｉ行ｊ列の半導体集積回路が接続されるタイミングとは別に、ｉ行（ｊ−１）列の半導体集積回路７７及びｉ行（ｊ＋１）列のアンテナの接続部が接続されてもよい。
【０１１８】
この後、第１のフレキシブル基板２３を矢印３７の方向へ移動し、第２のフレキシブル基板２５を矢印３５の方向へ移動する。この結果、図１３（Ｂ）にしめすように破線７６ｂ上の（ｉ＋１）行の半導体集積回路及び（ｊ＋１）行のアンテナ８３の接続部を対向させることができる。
【０１１９】
このときの第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５の移動距離、並びにアンテナの行及び列が交差する角度θを、図１４（Ａ）を用いて説明する。ここでは、ｉ行ｊ列の半導体集積回路７０及びｊ行ｉ列のアンテナ７１を接続した後、（ｉ＋１）行ｊ列の半導体集積回路７２及び（ｊ＋１）行ｉ列のアンテナを接続する例を用いて説明する。
【０１２０】
ｉ行ｊ列の半導体集積回路７０及びｊ行ｉ列のアンテナ７１を接続した後、第１のフレキシブル基板２３及び第２のフレキシブル基板２５をそれぞれ移動して（ｉ＋１）行ｊ列の半導体集積回路７２及び（ｊ＋１）行ｉ列のアンテナ７３が対向するようにする。
【０１２１】
このためには、半導体集積回路７０がアンテナ７１と接続された領域に半導体集積回路７２を移動させる。半導体集積回路７０、７２の間隔はａであるため、第１のフレキシブル基板２３を矢印３７の方向にａ移動する。
【０１２２】
一方、アンテナ７１の接続部と半導体集積回路７０を接続させた領域に、アンテナ７３の接続部７５を移動させる。アンテナ７１及び７３の接続部の間隔はｂであるため、第２のフレキシブル基板２５を矢印３５の方向にｂ移動する。
【０１２３】
この結果、（ｉ＋１）行ｊ列の半導体集積回路７２及び（ｊ＋１）行ｉ列のアンテナ７３を対向させることができる。
【０１２４】
なお、ここで、第１のフレキシブル基板２３の移動速度がａであり、第２のフレキシブル基板の移動速度がｂのとき、アンテナ及び半導体集積回路の接続を連続的に行うことができる。
【０１２５】
次に、第１のフレキシブル基板２３に仮着された半導体集積回路の行及び列、即ちアンテナの行及び列方向がなす角度θについて、図１４（Ｂ）を用いて説明する。第１のフレキシブル基板２３に仮着された半導体集積回路の行は破線７６ａ上に配置され、列は破線７６ｃ上に配置される。また、半導体集積回路の行及び列は角度θをなす。
【０１２６】
同一列において隣接する半導体集積回路７０、７２の図１２（Ａ）に示す行方向の間隔はａである。また、同一行において隣接する半導体集積回路７２、７７の図１２（Ａ）に示す行方向の間隔はｙである。これらの２つの距離から角度θは、ａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）である。
【０１２７】
この後、図１３（Ｂ）に示すように、対向した（ｉ＋１）行の半導体集積回路および（ｊ＋１）行のアンテナをボンディング手段により圧着して、半導体集積回路及びアンテナを接続する。
【０１２８】
さらには、半導体集積回路及びアンテナを封止するように、第２のフレキシブル基板表面に第３のフレキシブル基板を貼りあわせてもよい。この結果、半導体集積回路及びアンテナを密閉することができる。
【０１２９】
この後、第２のフレキシブル基板、さらには第３のフレキシブル基板を適当な場所（例えば、実線２７）で切断することにより、半導体集積回路、アンテナ、及び切断された第２のフレキシブル基板、更には切断された第３のフレキシブル基板を有する半導体装置を作製することができる。
【０１３０】
本発明の半導体装置の製造装置、及び半導体装置の製造装置を用いた作製方法により、複数のアンテナの１行と、第１のフレキシブル基板上に仮着された複数の半導体集積回路のうち当該１行に対応する複数の半導体集積回路とを、同時にまたは連続して接続することができる。このため、一度のボンディング処理により複数の半導体装置を作製することが可能である。また、第１のフレキシブル基板及び第２のフレキシブル基板の繰り出しを同期させながら行うことが可能である。このため、半導体装置の量産性を高めることができる。
【実施例１】
【０１３１】
本実施例では、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の作製工程を、図１５〜１７を用いて説明する。
【０１３２】
図１５（Ａ）に示すように、基板１２０１上に剥離層１２０２を形成し、剥離層１２０２上に絶縁層１２０３を形成し、絶縁層１２０３上に薄膜トランジスタ１２０４及び薄膜トランジスタを構成する導電層を絶縁する層間絶縁層１２０５を形成し、薄膜トランジスタの半導体層に接続するソース電極及びドレイン電極１２０６を形成する。次に、薄膜トランジスタ１２０４、層間絶縁層１２０５、ソース電極及びドレイン電極１２０６を覆う絶縁層１２０７を形成し、絶縁層１２０７を介してソース電極またはドレイン電極１２０６に接続する導電層１２０８を形成する。
【０１３３】
基板１２０１としては、ガラス基板、石英基板、金属基板やステンレス基板の一表面に絶縁層を形成したもの、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用いる。上記に挙げた基板１２０１には、大きさや形状に制約がないため、例えば、基板１２０１として、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。この利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。
【０１３４】
剥離層１２０２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。
【０１３５】
剥離層１２０２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【０１３６】
剥離層１２０２が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化物又は窒化酸化物を形成する。
【０１３７】
剥離層１２０２として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。さらには、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、Ｎ２Ｏプラズマ処理、オゾン水、水素を含む水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。これは、タングステンの窒化物、酸化窒化物及び窒化酸化物を含む層を形成する場合も同様であり、タングステンを含む層を形成後、その上層に窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸化珪素層を形成するとよい。
【０１３８】
タングステンの酸化物は、ＷＯｘで表される。ｘは、２≦ｘ≦３の範囲内にあり、ｘが２の場合（ＷＯ２）、ｘが２．５の場合（Ｗ２Ｏ５）、ｘが２．７５の場合（Ｗ４Ｏ１１）、ｘが３の場合（ＷＯ３）などがある。
【０１３９】
また、上記の工程によると、基板１２０１に接するように剥離層１２０２を形成しているが、本発明はこの工程に制約されない。基板１２０１に接するように下地となる絶縁層を形成し、その絶縁層に接するように剥離層１２０２を設けてもよい。
【０１４０】
絶縁層１２０３は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、無機化合物を用いて単層又は積層で形成する。無機化合物の代表例としては、珪素酸化物又は珪素窒化物が挙げられる。
【０１４１】
さらには、絶縁層１２０３を積層構造としても良い。例えば、無機化合物を用いて積層してもよく、代表的には、酸化珪素、窒化酸化珪素、及び酸化窒化珪素を積層して形成しても良い。
【０１４２】
薄膜トランジスタ１２０４は、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極で構成される。
【０１４３】
半導体層は、結晶構造を有する半導体で形成される層であり、非単結晶半導体若しくは単結晶半導体を用いることができる。特に、加熱処理により結晶化させた結晶性半導体、加熱処理とレーザ光の照射を組み合わせて結晶化させた結晶性半導体を適用することが好ましい。加熱処理においては、シリコン半導体の結晶化を助長する作用のあるニッケルなどの金属元素を用いた結晶化法を適用することができる。また、シリコン半導体の結晶化工程における加熱により、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面において、剥離層の表面を酸化して金属酸化物層を形成することが可能である。
【０１４４】
加熱処理に加えてレーザ光を照射して結晶化する場合には、連続発振レーザ光の照射若しくは繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上であって、パルス幅が１ナノ秒以下、好ましくは１乃至１００ピコ秒である高繰返周波数超短パルス光を照射することによって、結晶性半導体が溶融した溶融帯を、当該レーザ光の照射方向に連続的に移動させながら結晶化を行うことができる。このような結晶化法により、大粒径であって、結晶粒界が一方向に延びる結晶性半導体を得ることができる。キャリアのドリフト方向を、この結晶粒界が延びる方向に合わせることで、トランジスタにおける電界効果移動度を高めることができる。例えば、４００ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上を実現することができる。
【０１４５】
上記結晶化工程を、ガラス基板の耐熱温度（約６００℃）以下の結晶化プロセスを用いる場合、大面積ガラス基板を用いることが可能である。このため、基板あたり大量の半導体装置を作製することが可能であり、低コスト化が可能である。
【０１４６】
また、ガラス基板の耐熱温度以上の加熱により、結晶化工程を行い、半導体層を形成してもよい。代表的には、絶縁表面を有する基板１２０１に石英基板を用い、非晶質若しくは微結晶質の半導体を７００度以上で加熱して半導体層を形成する。この結果、結晶性の高い半導体を形成することが可能である。このため、応答速度や移動度などの特性が良好で、高速な動作が可能な薄膜トランジスタを提供することができる。
【０１４７】
ゲート絶縁層は、酸化シリコン及び酸化窒化シリコンなどの無機絶縁物で形成する。
【０１４８】
ゲート電極は金属又は一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。また、金属を窒化させた金属窒化物を用いることができる。或いは、当該金属窒化物からなる第１層と当該金属から成る第２層とを積層させた構造としても良い。積層構造とする場合には、第１層の端部が第２層の端部より外側に突き出した形状としても良い。このとき第１層を金属窒化物とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第２層の金属が、ゲート絶縁層やその下層の半導体層に拡散することを防ぐことができる。
【０１４９】
半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極などを組み合わせて構成される薄膜トランジスタは、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。ここでは、シングルドレイン構造の薄膜トランジスタを示す。さらには、同電位のゲート電圧が印加されるトランジスタが直列に接続された形となるマルチゲート構造、半導体層の上下をゲート電極で挟むデュアルゲート構造、絶縁層１２０３上にゲート電極が形成され、ゲート電極上にゲート絶縁層、半導体層が形成される逆スタガ型薄膜トランジスタ等を適用することができる。
【０１５０】
ソース電極及びドレイン電極１２０６は、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層構造、モリブデン（Ｍｏ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層構造など、アルミニウム（Ａｌ）のような低抵抗材料と、チタン（Ｔｉ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属材料を用いたバリアメタルとの組み合わせで形成することが好ましい。
【０１５１】
層間絶縁層１２０５及び絶縁層１２０７は、ポリイミド、アクリル、またはシロキサンポリマーを用いて形成する。
【０１５２】
さらには、薄膜トランジスタ１２０４の代わりにスイッチング素子として機能し得る半導体素子であれば、どのような構成で設けてもよい。スイッチング素子の代表例としては、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）、ダイオード等が挙げられる。
【０１５３】
次に、図１５（Ｂ）に示すように、導電層１２０８上に導電層１２１１を形成する。ここでは、印刷法により金属粒子を有する組成物を印刷し、２００℃で３０分加熱して組成物を焼成して導電層１２１１を形成する。
【０１５４】
次に、図１５（Ｃ）に示すように、絶縁層１２０７及び導電層１２１１の端部を覆う絶縁層１２１２を形成する。ここでは、エポキシ樹脂をスピンコート法により塗布し、１６０℃で３０分加熱した後、導電層１２１１を覆う部分の絶縁層を除去して、導電層１２１１を露出する。ここでは、絶縁層１２０３から絶縁層１２１２までの積層体を素子形成層１２１０とする。
【０１５５】
次に、図１５（Ｄ）に示すように、後の剥離工程を容易に行うために、レーザ光１２１３を絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２に照射して、図１５（Ｅ）に示すような開口部１２１４を形成する。開口部１２１４を形成するために照射するレーザ光としては、絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２が吸収する波長を有するレーザ光が好ましい。代表的には、紫外領域、可視領域、又は赤外領域のレーザ光を適宜選択して照射する。
【０１５６】
このようなレーザ光を発振することが可能なレーザ発振器としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザ発振器、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ、ＣＯ２等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶、ガラス、ルビー等の固体レーザ発振器、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、固体レーザ発振器においては、基本波〜第５高調波を適宜適用するのが好ましい。この結果、絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２がレーザ光を吸収し溶融して開口部が形成される。
【０１５７】
なお、レーザ光を絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２に照射する工程を削除することで、スループットを向上させることが可能である。
【０１５８】
次に、絶縁層１２１２に粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を貼りあわせる。
【０１５９】
粘着剤１２１５としては、剥離可能な粘着剤であり、代表的には紫外線により剥離する紫外線剥離型粘着剤、熱により剥離する熱剥離型粘着剤、水溶性粘着剤や両面粘着テープなどを用いることができる。ここでは、粘着剤１２１５として熱剥離型粘着剤を用いる。支持体１２１６は、ガラス基板、石英基板、金属基板、プラスチック基板、可撓性基板（ＰＥＴ、ＰＥＳ、ポリカーボネート、繊維質な材料からなる紙等）を適宜用いることができる。ここでは、支持体１２１６として、合成紙を用いる。
【０１６０】
なお、粘着剤１２１５、支持体１２１６、及び素子形成層１２１０との接着強度は、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３との密着強度より高くなるように設定する。そして、絶縁層１２０３を含む素子形成層１２１０のみを基板１２０１から剥離する。
【０１６１】
次に、図１６（Ａ）に示すように、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面に形成される金属酸化物層において、剥離層１２０２を有する基板１２０１及び素子形成層の一部１２２１を物理的手段により剥離する。物理的手段とは、力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機械的エネルギー）を変化させる手段を指している。物理的手段は、代表的には機械的な力を加えること（例えば人間の手や把治具で引き剥がす処理や、ローラーを支点としてローラーを回転させながら分離する処理）である。
【０１６２】
以上の剥離工程は、熱処理で収縮しない層と、熱処理で収縮する層と、その中間の層とを有し、剥離工程の完了時または剥離工程中に熱処理を行うことにより、過ストレス状態を中間層又はその近傍領域で有せしめ、その後刺激を与えることにより中間層またはその近傍領域で剥離せしめることを特徴とする。
【０１６３】
本実施例において、熱処理で収縮しない層は剥離層１２０２であり、熱処理で収縮する層は絶縁層１２０３または絶縁層１２１２であり、熱処理で収縮しない層と熱処理で収縮する層との中間の層としては、剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面に形成される層である。代表例として、剥離層１２０２としてタングステン層を用い、絶縁層１２０３として珪素酸化物又は珪素窒化物を用い、絶縁層１２１２としてエポキシ樹脂を用いると、非晶質珪素膜の結晶化や、不純物の活性化、水素出し等の加熱処理において、剥離層１２０２は収縮しないが、絶縁層１２０３及び絶縁層１２１２は収縮し、さらに剥離層１２０２及び絶縁層１２０３の界面に酸化タングステン層（ＷＯｘ、２≦ｘ≦３）が形成される。酸化タングステン層は脆いため、上記物理的手段により分離されやすい。この結果、上記物理的手段により素子形成層の一部１２２１を基板１２０１から剥離することができる。
【０１６４】
本実施例においては、剥離層と絶縁層の間に金属酸化膜を形成し、当該金属酸化膜において物理的手段により、素子形成層１２１０を剥離する方法を用いたがこれに限られない。基板に透光性を有する基板を用い、剥離層に水素を含む非晶質珪素層を用い、図１５（Ｅ）の工程の後、基板側からのレーザ光を照射して非晶質珪素層に含まれる水素を気化させて、基板と剥離層との間で剥離する方法を用いることができる。
【０１６５】
また、図１５（Ｅ）の工程の後、基板を機械的に研磨し除去する方法や、ＨＦ等の基板を溶解する溶液を用いて基板を除去する方法を用いることができる。この場合、剥離層を用いなくともよい。
【０１６６】
また、図１５（Ｅ）において、粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を絶縁層１２１２に貼りあわせる前に、開口部１２１４にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスを導入し、剥離層をフッ化ハロゲンガスでエッチングし除去した後、絶縁層１２１２に粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を貼りあわせて、基板から素子形成層１２１０を剥離する方法を用いることができる。
【０１６７】
また、図１５（Ｅ）において、粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を絶縁層１２１２に貼りあわせる前に、開口部１２１４にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスを導入し、剥離層の一部をフッ化ハロゲンガスでエッチングし除去した後、絶縁層１２１２に粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を貼りあわせて、基板から素子形成層１２１０を物理的手段により剥離する方法を用いることができる。
【０１６８】
次に、図１６（Ｂ）に示すように、素子形成層の一部１２２１の絶縁層１２０３に、第２の接着剤１２２３で可撓性基板１２２２を貼り付ける。可撓性基板１２２２としては、実施の形態１で列挙した基板１１１を適宜用いることができる。
【０１６９】
絶縁層１２０３に、可撓性基板１２２２を貼り付ける方法としては、接着材を用いて可撓性基板１２２２を貼りあわせる方法や、可撓性基板１２２２を加熱して、可撓性基板１２２２の一部を溶融させた後、冷却させて、可撓性基板１２２２を絶縁層１２０３に貼りあわせる方法がある。なお、絶縁層１２０３と可撓性基板１２２２との接着強度は、粘着剤１２１５、支持体１２１６と素子形成層１２１０との接着強度より高くなるように設定する。接着剤を用いて可撓性基板１２２２を貼りあわせる場合は、接着材の接着力は、粘着剤１２１５より高い材料を適宜選択する。次に、粘着剤１２１５を用いて支持体１２１６を素子形成層の一部１２２１から剥す。
【０１７０】
次に、図１６（Ｃ）に示すように、可撓性基板１２２２をダイシングフレーム１２３２のＵＶテープ１２３１に貼りあわせる。ＵＶテープ１２３１は粘着性を有するため、ＵＶテープ１２３１上に可撓性基板１２２２が固定される。この後、導電層１２１１にレーザ光を照射して、導電層１２１１と導電層１２０８の間の密着性を高めてもよい。
【０１７１】
次に、導電層１２１１上に接続端子１２３３を形成する。接続端子１２３３を形成することで、後にアンテナとして機能する導電層との位置合わせ及び接着を容易に行うことが可能である。
【０１７２】
次に、図１６（Ｄ）に示すように、素子形成層の一部１２２１、可撓性基板１２２２、第２の接着剤１２２３を分断する。ここでは、図１６（Ｃ）に示すように、素子形成層の一部１２２１及び可撓性基板１２２２にレーザ光１２３４を照射して、図１６（Ｄ）に示すような溝１２４１を形成して、素子形成層の一部１２２１を複数に分断する。レーザ光１２３４は、レーザ光１２１３に記載のレーザ光を適宜選択して適用することができる。ここでは、絶縁層１２０３、１２０５、１２０７、１２１２及び可撓性基板１２２２が吸収可能なレーザ光を選択することが好ましい。なお、ここでは、レーザカット法を用いて素子形成層の一部を複数に分断したが、この方法の代わりにダイシング法、スクライビング法等を適宜用いることができる。なお、可撓性基板１２２２に繊維質の紙を用いる場合、ダイシング法で素子形成層を分断するときに水を用いず、ガスを切断部に吹きかけて、切断屑を吹き飛ばすことが好ましい。この結果、素子形成層と紙とが剥れることを防止することができる。さらに、湿度の高いガスを切断部に吹きかけながらダイシングを行うことで、素子形成層に静電気が帯電するのを防止することができる。この結果分断された素子形成層を半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂと示す。
【０１７３】
次に、図１７（Ａ）に示すように、ＵＶテープ１２３１にエキスパンダ枠１２４４を貼り付けた後、ダイシングフレーム１２３２をＵＶテープからはずす。このとき、エキスパンダ枠１２４４でＵＶテープ１２３１を伸ばしながら半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂを貼りあわせることで、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂの間に形成された溝１２４１の幅を拡大することができる。
【０１７４】
次に、エキスパンダ枠１２４４のＵＶテープ１２３１にＵＶ光を照射して、ＵＶシートの粘着力を低下させる。次に、実施の形態１に示す半導体装置の製造装置を用いて、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂが搭載されたエキスパンダ枠１２４４を、支持手段２０に固定する。ここでは、支持手段として、エキスパンダ枠１２４４を挟持するロボットアームを用いる。
【０１７５】
次に、実施の形態１に示す半導体装置の製造装置の図６（Ｂ）のフリップチップ手段３６を用いて、ＵＶテープ１２３１から半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂをフリップチップ手段の持着部２０３に持着させる（図１７（Ｂ）参照。）
【０１７６】
次に、図１８（Ａ）に示すように、フリップチップ手段３６を回転させたのち、第１のフレキシブル基板２０６に半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂを仮着させる。第１のフレキシブル基板２０６の表面には接着層が設けられており、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂを第１のフレキシブル基板２０６に仮着させることができる。
【０１７７】
この後、図１８（Ｂ）に示すように、フリップチップ手段の持着部２０３を半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂから剥す。
【０１７８】
次に、第１のフレキシブル基板２０６の供給部、回収部等を回転させて第１のフレキシブル基板を繰り出し、図１９（Ａ）に示すように、第１のフレキシブル基板２０６上の半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂと、第２のフレキシブル基板２０８上のアンテナ２０９ａ、２０９ｂをそれぞれ対向させる。即ち、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂの接続端子１２３３ａ、１２３３ｂが、異方性導電フィルム２１０を介してアンテナ２０９ａ、２０９ｂと対向するように位置合わせをする。なお、アンテナ２０９ａ、２０９ｂの表面には、異方性導電フィルム２１０が設けられている。また、異方性導電フィルムの代わりに異方性導電樹脂が塗布されていても良い。
【０１７９】
次に、ボンディング手段２７４を用いて、第１のフレキシブル基板２０６及び第２のフレキシブル基板２１１を圧着して、半導体集積回路１２４２ａ及びアンテナ２０９ａを、接続端子１２３３ａ及び異方性導電フィルム２１０に含まれる導電性粒子を介して接続する。また、半導体集積回路１２４２ｂ及びアンテナ２０９ｂを、接続端子１２３３ｂ及び異方性導電フィルム２１０に含まれる導電性粒子を介して接続する。
【０１８０】
この後、ボンディング手段２７４を元の位置に戻す。このとき、異方性導電フィルム２１０及び半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂの粘着力が、第１のフレキシブル基板２０６及び半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂの粘着力より高いことが好ましい。こうすることで、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂを第１のフレキシブル基板２０６から第２のフレキシブル基板２０８へ移動するとともに、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂ及びアンテナ２０９ａ、２０９ｂを接続させることができる。
【０１８１】
次に、図１９（Ｂ）に示すように、アンテナ２０９ａ、２０９ｂと、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂとが形成されない領域において、第２のフレキシブル基板２０８を分断する。分断方法としては、レーザカット法、ダイシング法、スクライビング法等を適宜用いることができる。ここでは、異方性導電フィルム２１０及びフレキシブル基板２０８にレーザ光１２５１を照射するレーザカット法により分断を行う。
【０１８２】
以上の工程により、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置１２５２ａ、１２５２ｂを作製することができる。
【０１８３】
なお、図１９（Ａ）において、アンテナ２０９ａ、２０９ｂと、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂとを異方性導電フィルム２１０を用いて貼りあわせた後、第２のフレキシブル基板２０８及び半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂとを封止するように第３のフレキシブル基板を設け、図１９（Ｂ）のように、アンテナ２０９ａ、２０９ｂと、半導体集積回路１２４２ａ、１２４２ｂとが形成されない領域において、レーザ光１２５１照射して、図１９（Ｃ）に示すような半導体装置１２６２を作製してもよい。この場合、分断された第２のフレキシブル基板２０８ａ、及び分断された第３のフレキシブル基板２１１ａによって、薄膜集積回路が封止されるため、薄膜集積回路の劣化を抑制することが可能である。
【０１８４】
以上の工程により、薄型化で軽量な半導体装置を歩留まり高く作製することが可能である。
【実施例２】
【０１８５】
実施例では、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の構成について、図２１を参照して説明する。
【０１８６】
本実施例の半導体装置は、大別して、アンテナ部２００１、電源部２００２、ロジック部２００３から構成される。
【０１８７】
アンテナ部２００１は、外部信号の受信とデータの送信を行うためのアンテナ２０１１からなる。また、半導体装置における信号の伝送方式は、電磁結合方式、電磁誘導方式またはマイクロ波方式等を用いることができる。
【０１８８】
電源部２００２は、アンテナ２０１１を介して外部から受信した信号により電源を作る整流回路２０２１と、作りだした電源を保持するための保持容量２０２２と、各回路に供給する一定電圧を作り出す定電圧回路２０２３からなる。
【０１８９】
ロジック部２００３は、受信した信号を復調する復調回路２０３１と、クロック信号を生成するクロック生成・補正回路２０３２と、コード認識及び判定回路２０３３と、メモリからデータを読み出すための信号を受信信号により作り出すメモリコントローラ２０３４と、符号化した信号を受信信号にのせるための変調回路２０３５と、読み出したデータを符号化する符号化回路２０３７と、データを保持するメモリ２０３８からなる。なお、変調回路２０３５は変調用抵抗２０３６を有する。
【０１９０】
メモリ２０３８は、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦＥＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ、有機メモリなどを適宜選択する。ここでは、メモリ２０３８として、マスクＲＯＭ２０３９、有機メモリで構成される追記メモリ２０４０を示す。
【０１９１】
コード認識及び判定回路２０３３が認識・判定するコードは、フレーム終了信号（ＥＯＦ、ｅｎｄ ｏｆ Ｆｒａｍｅ）、フレーム開始信号（ＳＯＦ、ｓｔａｒｔ ｏｆ Ｆｒａｍｅ）、フラグ、コマンドコード、マスク長（ｍａｓｋ ｌｅｎｇｔｈ）、マスク値（ｍａｓｋ ｖａｌｕｅ）等である。また、各コード認識及び判定回路２０３３は、送信エラーを識別する巡回冗長検査（ＣＲＣ、ｃｙｃｌｉｃ ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ ｃｈｅｃｋ）機能も含む。
【実施例３】
【０１９２】
上記実施例に示される非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図２２（Ａ）参照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図２２（Ｃ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等、図２２（Ｂ）参照）、乗物類（自転車等、図２２（Ｄ）参照）、身の回り品（鞄や眼鏡等）、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、電子機器等の商品や荷物の荷札（図２２（Ｅ）、図２２（Ｆ）参照）等の物品に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ）及び携帯電話等を指す。
【０１９３】
本実施例の半導体装置９２１０は、プリント基板への実装、表面への貼着、埋め込み等により、物品に固定される。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりして、各物品に固定される。本実施例の半導体装置９２１０は、小型、薄型、軽量を実現するため、物品に固定した後も、その物品自体のデザイン性を損なうことがない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に本実施例の半導体装置９２１０を設けることにより、認証機能を設けることができ、この認証機能を活用すれば、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に本実施例の半導体装置を設けることにより、検品システム等のシステムの効率化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１９４】
【図１】本発明の半導体装置の製造装置を説明する斜視図及び断面図である。
【図２】本発明に用いることが可能な半導体集積回路及びアンテナを説明する上面図である。
【図３】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図８】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図９】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図１０】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図１１】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図１２】本発明に用いることが可能な半導体集積回路及びアンテナを説明する上面図である。
【図１３】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図１４】本発明の半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図１５】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１６】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１７】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１８】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図である。
【図１９】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図である。
【図２０】本発明に適用可能なアンテナを説明する上面図である。
【図２１】本発明の半導体装置を説明する図である。
【図２２】本発明の半導体装置の応用例を説明する図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ方向の配置間隔を変更しながら第１のフレキシブル基板に第１の部品を仮着した後、Ｙ方向の配置間隔を変更しながら第２のフレキシブル基板上の第２の部品に前記第１の部品を接続させることを特徴とする貼りあわせ方法。
【請求項２】
支持手段上に、Ｘ方向において間隔ｘ（ｘ＞０）、Ｙ方向において間隔ｙ（ｙ＞０）となるようにマトリクス状に複数の第１の部品を配置し、
前記第１の部品を前記Ｘ方向の配置間隔を前記ｘからａに変更しながら前記第１のフレキシブル基板に仮着した後、前記Ｙ方向の配置間隔を前記ｙからｂに変更しながら前記第２のフレキシブル基板上の前記第２の部品に前記第１の部品を接続させて、異なる配置密度の部品を貼りあわせることを特徴とする貼りあわせ方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向がなす角度θは、０度より大きく１８０度より小さいことを特徴とする貼りあわせ方法。
【請求項４】
請求項１または２において、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向がなす角度θは９０度であることを特徴とする貼り合せ方法。
【請求項５】
請求項１または２において、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向がなす角度を９０度とし、前記第１のフレキシブル基板及び前記第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺がなす角度を０度より大きく９０度より小さい角度、または９０度より大きく１８０度より小さい角度にすることを特徴とする貼りあわせ方法。
【請求項６】
支持手段上に、行の間隔がｘ（ｘ＞０）で列の間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置し、
前記複数の半導体集積回路を１行ずつ、列の間隔を変えず、行の間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させ、
第２のフレキシブル基板上に、列の間隔が前記ａとなり行の間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となるように、マトリクス状に複数のアンテナを配置し、
前記第１のフレキシブル基板の前記複数の半導体集積回路の行方向に直交するように、前記第２のフレキシブル基板を前記複数のアンテナの行方向に移動させて、前記複数のアンテナのうちの１つに対して前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうちの１つを接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
支持手段上に、行の間隔がｘ（ｘ＞０）で列の間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置し、
前記複数の半導体集積回路を１行ずつ、列の間隔を変えず、行の間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させ、
第２のフレキシブル基板上に、列の間隔が前記ａとなり行の間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となるように、マトリクス状に複数のアンテナを配置し、
前記第２のフレキシブル基板を前記複数のアンテナの行方向に移動させ、且つ、当該行方向と直交するように前記第１のフレキシブル基板を前記複数の半導体集積回路の行方向に移動させて、前記複数のアンテナのうちの１つに対して前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうちの１つを接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
支持手段上に、行の間隔がｘ（ｘ＞０）で列の間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにｍ（ｍは自然数）行ｎ（ｎは自然数）列のマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置し、
前記複数の半導体集積回路を１行ずつ、列の間隔を変えず、行の間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させ、
第２のフレキシブル基板上に、列の間隔が前記ａとなり行の間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となるように、且つ行方向に対して平行な直線上に接続部が配置されるように、ｐ列のマトリクス状に複数のアンテナを配置し、 前記複数のアンテナのうち、各行の第ｊ（ｊは１以上ｐ以下の自然数）列のアンテナの前記接続部に対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうち第ｊ行の半導体集積回路を接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
支持手段上に、行の間隔がｘ（ｘ＞０）で列の間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにｍ（ｍは自然数）行ｎ（ｎは自然数）列のマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置し、
前記複数の半導体集積回路１行ずつ、列の間隔を変えず、行の間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させ、
第２のフレキシブル基板上に、列の間隔が前記ａとなり行の間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となるように、且つ行方向に対して平行な直線上に接続部が配置されるように、ｑ（ｑは自然数）行ｐ列のマトリクス状に複数のアンテナを配置し、
前記複数のアンテナのうち第ｊ（ｊは１以上ｑより小さい自然数）行第ｉ（ｉは１以上ｐ以下の自然数）列のアンテナの前記接続部に対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうちの第ｉ行第ｊ列の半導体集積回路を接続した後、前記第２のフレキシブル基板を前記複数のアンテナの行方向に移動させ、
前記複数のアンテナのうち第（ｊ＋１）行第ｉ列のアンテナの前記接続部に対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうちの第ｉ行第（ｊ＋１）列の半導体集積回路を接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
支持手段上に、行の間隔がｘ（ｘ＞０）で列の間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにｍ（ｍは自然数）行ｎ（ｎは自然数）列のマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置し、
前記複数の半導体集積回路の１行ずつ、列の間隔を変えず、行の間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させ、
第２のフレキシブル基板上に、列の間隔が前記ａとなり行の間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となり、且つ列方向に対してａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）の角度を有する直線上に接続部が配置されるように、ｐ列のマトリクス状に複数のアンテナを配置し、
前記複数のアンテナのうちｊ（ｊは１以上ｐ以下の自然数）列のアンテナの前記接続部に対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうち第ｊ行の半導体集積回路を接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
支持手段上に、行の間隔がｘ（ｘ＞０）で列の間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにｍ（ｍは自然数）行ｎ（ｎは自然数）列のマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置し、
前記複数の半導体集積回路を１行ずつ、列の間隔を変えず、行の間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させ、
第２のフレキシブル基板上に、列の間隔が前記ａとなり行の間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となり、且つ列方向に対してａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）の角度を有する直線上に接続部が配置されるように、ｑ（ｑはｐ以上の自然数）行ｐ列のマトリクス状に複数のアンテナを配置し、
前記複数のアンテナのうち、第ｉ（ｉは１以上ｑより小さい自然数）行第ｊ（ｊは１以上ｐより小さい自然数）列のアンテナの前記接続部に対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうち第ｊ行第ｉ列の半導体集積回路を接続し、
前記複数のアンテナのうち第ｊ行の全てのアンテナの接続部に半導体集積回路を電気的に接続した後、前記第２のフレキシブル基板を前記複数のアンテナの行方向に移動させ、且つ、当該行方向と直交するように前記第１のフレキシブル基板を前記複数の半導体集積回路の行方向に移動させて、
前記複数のアンテナのうち第（ｊ＋１）行第ｉ列のアンテナの前記接続部に対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうちの第（ｉ＋１）行第ｊ列の半導体集積回路を接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記複数のアンテナのうち１行のアンテナに対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路を同時に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
マトリクス状に複数の第１の部品が配置された支持手段上から、前記複数の第１の部品を１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させるピックアップ手段と、
マトリクス状に複数の第２の部品が配置された第２のフレキシブル基板を、前記複数の第２の部品の行方向であり且つ前記第１のフレキシブル基板の移動方向と角度θの方向に移動させる基板搬送手段と、
前記複数の第２の部品の接続部に対して前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の第１の部品が１つずつ重なるように、前記ピックアップ手段及び前記基板搬送手段を制御する制御手段と、
前記複数の第２の部品と重なった前記複数の第１の部品を接続させるボンディング手段とを有することを特徴とする貼りあわせ装置。
【請求項１４】
マトリクス状に複数の第１の部品が配置された支持手段上から、前記複数の第１の部品を１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させるピックアップ手段と、
前記第１のフレキシブル基板上の前記複数の第１の部品の行方向に前記第１のフレキシブル基板を移動させる第１の搬送手段と、
マトリクス状に複数の第２の部品が配置された第２のフレキシブル基板を、前記複数の第２の部品の行方向であり且つ前記第１のフレキシブル基板の移動方向と角度θの方向に移動させる第２の搬送手段と、
前記複数の第２の部品に対して前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の第１の部品が１つずつ重なるように、前記ピックアップ手段、前記第１の搬送手段、前記、及び前記第２の搬送手段を制御する制御手段と、
前記複数の第２の部品と重なった前記複数の第１の部品を接続させるボンディング手段とを有することを特徴とする貼りあわせ装置。
【請求項１５】
請求項１３または１４において、前記角度θは９０度であることを特徴とする貼りあわせ装置。
【請求項１６】
請求項１３または１４において、前記角度θはａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）であることを特徴とする貼りあわせ装置。
【請求項１７】
マトリクス状に複数の半導体集積回路が配置された支持手段上から、前記複数の半導体集積回路を１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させるピックアップ手段と、
マトリクス状に複数のアンテナが配置された第２のフレキシブル基板を、前記複数のアンテナの行方向であり且つ前記第１のフレキシブル基板の移動方向と角度θの方向に移動させる基板搬送手段と、
前記複数のアンテナの接続部に対して前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路が１つずつ重なるように、前記ピックアップ手段及び前記基板搬送手段を制御する制御手段と、
前記複数のアンテナの接続部と重なった前記複数の半導体集積回路の接続部を接続させるボンディング手段とを有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１８】
マトリクス状に複数の半導体集積回路が配置された支持手段上から、前記複数の半導体集積回路を１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させるピックアップ手段と、
前記第１のフレキシブル基板上の前記複数の半導体集積回路の行方向に前記第１のフレキシブル基板を移動させる第１の搬送手段と、
マトリクス状に複数のアンテナが配置された第２のフレキシブル基板を、前記複数のアンテナの行方向であり且つ前記第１のフレキシブル基板の移動方向と角度θの方向に移動させる第２の搬送手段と、
前記複数のアンテナの接続部に対して前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路が１つずつ重なるように、前記ピックアップ手段、前記第１の搬送手段、及び前記第２の基板搬送手段を制御する制御手段と、
前記複数のアンテナの接続部と重なった前記複数の半導体集積回路の接続部を接続させるボンディング手段とを有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１９】
請求項１７または１８において、前記角度θは９０度であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２０】
請求項１７または１８において、前記角度θはａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１】
Ｘ方向の配置間隔を変更しながら第１のフレキシブル基板に第１の部品を仮着した後、Ｙ方向の配置間隔を変更しながら第２のフレキシブル基板上の第２の部品に前記第１の部品を接続させることを特徴とする貼りあわせ方法。
【請求項２】
支持手段上に、Ｘ方向において間隔ｘ（ｘ＞０）、Ｙ方向において間隔ｙ（ｙ＞０）となるようにマトリクス状に複数の第１の部品を配置し、
前記第１の部品を前記Ｘ方向の配置間隔を前記ｘからａに変更しながら前記第１のフレキシブル基板に仮着した後、前記Ｙ方向の配置間隔を前記ｙからｂに変更しながら前記第２のフレキシブル基板上の前記第２の部品に前記第１の部品を接続させて、異なる配置密度の部品を貼りあわせることを特徴とする貼りあわせ方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向がなす角度θは、０度より大きく１８０度より小さいことを特徴とする貼りあわせ方法。
【請求項４】
請求項１または２において、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向がなす角度θは９０度であることを特徴とする貼り合せ方法。
【請求項５】
請求項１または２において、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向がなす角度を９０度とし、前記第１のフレキシブル基板及び前記第２のフレキシブル基板の各々の面が対向し、かつ各基板の長辺がなす角度を０度より大きく９０度より小さい角度、または９０度より大きく１８０度より小さい角度にすることを特徴とする貼りあわせ方法。
【請求項６】
支持手段上に、行の間隔がｘ（ｘ＞０）で列の間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置し、
前記複数の半導体集積回路を１行ずつ、列の間隔を変えず、行の間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させ、
第２のフレキシブル基板上に、列の間隔が前記ａとなり行の間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となるように、マトリクス状に複数のアンテナを配置し、
前記第１のフレキシブル基板の前記複数の半導体集積回路の行方向に直交するように、前記第２のフレキシブル基板を前記複数のアンテナの行方向に移動させて、前記複数のアンテナのうちの１つに対して前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうちの１つを接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
支持手段上に、行の間隔がｘ（ｘ＞０）で列の間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置し、
前記複数の半導体集積回路を１行ずつ、列の間隔を変えず、行の間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させ、
第２のフレキシブル基板上に、列の間隔が前記ａとなり行の間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となるように、マトリクス状に複数のアンテナを配置し、
前記第２のフレキシブル基板を前記複数のアンテナの行方向に移動させ、且つ、当該行方向と直交するように前記第１のフレキシブル基板を前記複数の半導体集積回路の行方向に移動させて、前記複数のアンテナのうちの１つに対して前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうちの１つを接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
支持手段上に、行の間隔がｘ（ｘ＞０）で列の間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにｍ（ｍは自然数）行ｎ（ｎは自然数）列のマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置し、
前記複数の半導体集積回路を１行ずつ、列の間隔を変えず、行の間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させ、
第２のフレキシブル基板上に、列の間隔が前記ａとなり行の間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となるように、且つ行方向に対して平行な直線上に接続部が配置されるように、ｐ列のマトリクス状に複数のアンテナを配置し、 前記複数のアンテナのうち、各行の第ｊ（ｊは１以上ｐ以下の自然数）列のアンテナの前記接続部に対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうち第ｊ行の半導体集積回路を接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
支持手段上に、行の間隔がｘ（ｘ＞０）で列の間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにｍ（ｍは自然数）行ｎ（ｎは自然数）列のマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置し、
前記複数の半導体集積回路１行ずつ、列の間隔を変えず、行の間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させ、
第２のフレキシブル基板上に、列の間隔が前記ａとなり行の間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となるように、且つ行方向に対して平行な直線上に接続部が配置されるように、ｑ（ｑは自然数）行ｐ列のマトリクス状に複数のアンテナを配置し、
前記複数のアンテナのうち第ｊ（ｊは１以上ｑより小さい自然数）行第ｉ（ｉは１以上ｐ以下の自然数）列のアンテナの前記接続部に対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうちの第ｉ行第ｊ列の半導体集積回路を接続した後、前記第２のフレキシブル基板を前記複数のアンテナの行方向に移動させ、
前記複数のアンテナのうち第（ｊ＋１）行第ｉ列のアンテナの前記接続部に対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうちの第ｉ行第（ｊ＋１）列の半導体集積回路を接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
支持手段上に、行の間隔がｘ（ｘ＞０）で列の間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにｍ（ｍは自然数）行ｎ（ｎは自然数）列のマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置し、
前記複数の半導体集積回路の１行ずつ、列の間隔を変えず、行の間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させ、
第２のフレキシブル基板上に、列の間隔が前記ａとなり行の間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となり、且つ列方向に対してａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）の角度を有する直線上に接続部が配置されるように、ｐ列のマトリクス状に複数のアンテナを配置し、
前記複数のアンテナのうちｊ（ｊは１以上ｐ以下の自然数）列のアンテナの前記接続部に対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうち第ｊ行の半導体集積回路を接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
支持手段上に、行の間隔がｘ（ｘ＞０）で列の間隔がｙ（ｙ＞０）となるようにｍ（ｍは自然数）行ｎ（ｎは自然数）列のマトリクス状に複数の半導体集積回路を配置し、
前記複数の半導体集積回路を１行ずつ、列の間隔を変えず、行の間隔をａ（ａ＞ｘ）と変化させて、第１のフレキシブル基板上に仮着させ、
第２のフレキシブル基板上に、列の間隔が前記ａとなり行の間隔がｂ（ｂ＞ｙ）となり、且つ列方向に対してａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）の角度を有する直線上に接続部が配置されるように、ｑ（ｑはｐ以上の自然数）行ｐ列のマトリクス状に複数のアンテナを配置し、
前記複数のアンテナのうち、第ｉ（ｉは１以上ｑより小さい自然数）行第ｊ（ｊは１以上ｐより小さい自然数）列のアンテナの前記接続部に対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうち第ｊ行第ｉ列の半導体集積回路を接続し、
前記複数のアンテナのうち第ｊ行の全てのアンテナの接続部に半導体集積回路を電気的に接続した後、前記第２のフレキシブル基板を前記複数のアンテナの行方向に移動させ、且つ、当該行方向と直交するように前記第１のフレキシブル基板を前記複数の半導体集積回路の行方向に移動させて、
前記複数のアンテナのうち第（ｊ＋１）行第ｉ列のアンテナの前記接続部に対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路のうちの第（ｉ＋１）行第ｊ列の半導体集積回路を接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記複数のアンテナのうち１行のアンテナに対して、前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路を同時に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
マトリクス状に複数の第１の部品が配置された支持手段上から、前記複数の第１の部品を１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させるピックアップ手段と、
マトリクス状に複数の第２の部品が配置された第２のフレキシブル基板を、前記複数の第２の部品の行方向であり且つ前記第１のフレキシブル基板の移動方向と角度θの方向に移動させる基板搬送手段と、
前記複数の第２の部品の接続部に対して前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の第１の部品が１つずつ重なるように、前記ピックアップ手段及び前記基板搬送手段を制御する制御手段と、
前記複数の第２の部品と重なった前記複数の第１の部品を接続させるボンディング手段とを有することを特徴とする貼りあわせ装置。
【請求項１４】
マトリクス状に複数の第１の部品が配置された支持手段上から、前記複数の第１の部品を１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させるピックアップ手段と、
前記第１のフレキシブル基板上の前記複数の第１の部品の行方向に前記第１のフレキシブル基板を移動させる第１の搬送手段と、
マトリクス状に複数の第２の部品が配置された第２のフレキシブル基板を、前記複数の第２の部品の行方向であり且つ前記第１のフレキシブル基板の移動方向と角度θの方向に移動させる第２の搬送手段と、
前記複数の第２の部品に対して前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の第１の部品が１つずつ重なるように、前記ピックアップ手段、前記第１の搬送手段、前記、及び前記第２の搬送手段を制御する制御手段と、
前記複数の第２の部品と重なった前記複数の第１の部品を接続させるボンディング手段とを有することを特徴とする貼りあわせ装置。
【請求項１５】
請求項１３または１４において、前記角度θは９０度であることを特徴とする貼りあわせ装置。
【請求項１６】
請求項１３または１４において、前記角度θはａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）であることを特徴とする貼りあわせ装置。
【請求項１７】
マトリクス状に複数の半導体集積回路が配置された支持手段上から、前記複数の半導体集積回路を１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させるピックアップ手段と、
マトリクス状に複数のアンテナが配置された第２のフレキシブル基板を、前記複数のアンテナの行方向であり且つ前記第１のフレキシブル基板の移動方向と角度θの方向に移動させる基板搬送手段と、
前記複数のアンテナの接続部に対して前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路が１つずつ重なるように、前記ピックアップ手段及び前記基板搬送手段を制御する制御手段と、
前記複数のアンテナの接続部と重なった前記複数の半導体集積回路の接続部を接続させるボンディング手段とを有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１８】
マトリクス状に複数の半導体集積回路が配置された支持手段上から、前記複数の半導体集積回路を１行ずつ第１のフレキシブル基板上に仮着させるピックアップ手段と、
前記第１のフレキシブル基板上の前記複数の半導体集積回路の行方向に前記第１のフレキシブル基板を移動させる第１の搬送手段と、
マトリクス状に複数のアンテナが配置された第２のフレキシブル基板を、前記複数のアンテナの行方向であり且つ前記第１のフレキシブル基板の移動方向と角度θの方向に移動させる第２の搬送手段と、
前記複数のアンテナの接続部に対して前記第１のフレキシブル基板上に仮着された前記複数の半導体集積回路が１つずつ重なるように、前記ピックアップ手段、前記第１の搬送手段、及び前記第２の基板搬送手段を制御する制御手段と、
前記複数のアンテナの接続部と重なった前記複数の半導体集積回路の接続部を接続させるボンディング手段とを有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１９】
請求項１７または１８において、前記角度θは９０度であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２０】
請求項１７または１８において、前記角度θはａｒｃｔａｎ（ｙ／ａ）であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２００８−１０８４１（Ｐ２００８−１０８４１Ａ）
【公開日】平成２０年１月１７日（２００８．１．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１３６２１３（Ｐ２００７−１３６２１３）
【出願日】平成１９年５月２３日（２００７．５．２３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１月１７日（２００８．１．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年５月２３日（２００７．５．２３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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