超音波探触子及び超音波診断装置
【課題】ｃＭＵＴチップの電位を安定化して超音波特性を安定化させることを可能とする超音波探触子及び超音波診断装置を提供する。
【解決手段】ｃＭＵＴチップ２０の基板４０は隅部において導電性材８９を介してグランド線９４に接続される。ｃＭＵＴチップ２０の基板４０は、グランド電位となる。これにより、ｃＭＵＴチップの電位を安定化して超音波特性を安定化させることができる。また、グランド電位のｃＭＵＴチップ２０の基板４０の上方は、音響レンズ及び絶縁層により二重絶縁される。これにより、超音波送受信面の摩耗や破損等が生じても超音波送受信面から感電することがない。
【解決手段】ｃＭＵＴチップ２０の基板４０は隅部において導電性材８９を介してグランド線９４に接続される。ｃＭＵＴチップ２０の基板４０は、グランド電位となる。これにより、ｃＭＵＴチップの電位を安定化して超音波特性を安定化させることができる。また、グランド電位のｃＭＵＴチップ２０の基板４０の上方は、音響レンズ及び絶縁層により二重絶縁される。これにより、超音波送受信面の摩耗や破損等が生じても超音波送受信面から感電することがない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、診断画像を撮像する超音波探触子及び超音波診断装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
超音波診断装置は、超音波探触子から出力される反射エコー信号に基づいて診断画像を撮像する装置である。超音波探触子には、複数の超音波振動子が配列される。超音波振動子は、駆動信号を超音波に変換して超音波を被検体に送波すると共に、被検体から発生した反射エコー信号を受波して電気信号に変換する。
近年、ｃＭＵＴ（Ｃａｐａｔｉｖｅ Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を用いた超音波探触子が開発されている。ｃＭＵＴは、半導体微細加工プロセスにより製造される超微細容量型超音波振動子である。ｃＭＵＴでは、バイアス電圧の大きさに応じて超音波送受信感度すなわち電気機械結合係数が変化する。尚、バイアス電圧は、超音波送受信部から供給される駆動信号に重畳して印加される（例えば、［特許文献１］参照。）。
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５８９４４５２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ｃＭＵＴチップを超音波振動子素子として形成し、上部電極と下部電極間に、バイアス電圧を印加した状態で、超音波送波のための高周波電圧を印加するという基本概念は、上記特許文献１他の様々な文献に記載されている。しかし、ｃＭＵＴチップを超音波探触子として実装し、それを超音波診断を行う臨床の場で安定的に動作させることについては、それらの文献に開示がない。
【０００５】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、ｃＭＵＴチップの電位を安定化して超音波特性を安定化させることを可能とする超音波探触子及び超音波診断装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前述した目的を達成するために第１の発明は、バイアス電圧に応じて電気機械結合係数または感度が変化する複数の振動要素を有し超音波を送受波するｃＭＵＴチップと、前記ｃＭＵＴチップの超音波送受信側に設けられる音響レンズと、前記ｃＭＵＴチップの背面に設けられるバッキング層と、を備える超音波探触子において、前記ｃＭＵＴチップの下方に基板を有しており、前記ｃＭＵＴチップの基板は、グランド電位のグランド線に接続されることを特徴とする超音波探触子である。
【０００７】
第１の発明の超音波探触子では、ｃＭＵＴチップの基板はグランド電位のグランド線に接続される。これにより、上部電極をグランド電位とすることなく、ｃＭＵＴチップの電位を安定化して超音波特性を安定化させることができる。
【０００８】
ｃＭＵＴチップの基板とグランド線とは導電性材やバイヤホールを介して接続される。導電性材は、ｃＭＵＴチップの隅部に充填することにより形成することが望ましい。これにより、信号パターン接続部とグランド接続部とを別の場所に独立して設けることができ、製作も容易である。
【０００９】
第２の発明は、被検体に超音波を送受信する超音波探触子と、前記超音波探触子から出力される超音波受信信号に基づいて超音波画像を構成する画像処理部と、前記超音波画像を表示する表示部と、を備える超音波診断装置において、前記超音波探触子は請求項１から請求項４までのいずれかに記載の超音波探触子であることを特徴とする超音波診断装置である。
【００１０】
第２の発明は、第１の発明の超音波探触子を備える超音波診断装置に関する発明である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ｃＭＵＴチップの電位を安定化して超音波特性を安定化させることを可能とする超音波探触子及び超音波診断装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下添付図面を参照しながら、本発明に係る超音波探触子及び超音波診断装置の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、以下の説明及び添付図面において、略同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略することにする。
【００１３】
（１．超音波診断装置の構成）
最初に、図１を参照しながら、超音波診断装置１の構成について説明する。
図１は、超音波診断装置１の構成図である。
超音波診断装置１は、超音波探触子２、送信手段４、バイアス手段６、受信手段８、整相加算手段１０、画像処理手段１２、表示手段１４、制御手段１６、操作手段１８から構成される。
【００１４】
超音波探触子２は、被検体に接触させて被検体との間で超音波を送受波する装置である。超音波探触子２から超音波が被検体に射出され、被検体から発生した反射エコー信号が超音波探触子２により受波される。
【００１５】
送信手段４及びバイアス手段６は、超音波探触子２に駆動信号を供給する装置である。
受信手段８は、超音波探触子２から出力される反射エコー信号を受信する装置である。受信手段８は、さらに、受信した反射エコー信号に対してアナログデジタル変換等の処理を行う。
【００１６】
整相加算部１０は、受信された反射エコー信号を整相加算する装置である。
画像処理手段１２は、整相加算された反射エコー信号に基づいて診断画像（例えば、断層像や血流像）を構成する装置である。
表示部１８は、画像処理された診断画像を表示する表示装置である。
制御手段１６は、上述した各構成要素を制御する装置である。
操作手段１８は、制御手段１６に指示を与える装置である。操作手段１８は、例えば、トラックボールやキーボードやマウス等の入力機器である。
【００１７】
（２．超音波探触子２）
次に、図２〜図４を参照しながら、超音波探触子２について説明する。
【００１８】
（２−１．超音波探触子２の構成）
図２は、超音波探触子２の構成図である。図２は、超音波探触子２の一部切り欠き斜視図である。
超音波探触子２は、ｃＭＵＴチップ２０を備える。ｃＭＵＴチップ２０は、複数の振動子２１−１、振動子２１−２、…が短柵状に配列された１次元アレイ型の振動子群である。振動子２１−１、振動子２１−２、…には、複数の振動要素２８が配設される。尚、２次元アレイ型やコンベックス型等の他の形態の振動子群を用いてもよい。
ｃＭＵＴチップ２０の背面側には、バッキング層２２が設けられる。ｃＭＵＴチップ２０の超音波射出側には、音響レンズ２６が設けられる。ｃＭＵＴチップ２０及びバッキング層２２は、超音波探触子カバー２５に格納される。
【００１９】
ｃＭＵＴチップ２０は、送信手段４及びバイアス手段６からの駆動信号を超音波に変換して被検体に超音波を送波する。受信手段８は、被検体から発生した超音波を電気信号に変換して反射エコー信号として受波する。
バッキング層２２は、ｃＭＵＴチップ２０から背面側に射出される超音波の伝搬を吸収して、余分な振動を抑制する層である。
音響レンズ２６は、ｃＭＵＴチップ２０から送波される超音波ビームを収束させるレンズである。音響レンズ２６は、１つの焦点距離に基づいて曲率が定められる。
【００２０】
尚、音響レンズ２６とｃＭＵＴチップ２０との間にマッチング層を設けてもよい。マッチング層は、ｃＭＵＴチップ２０及び被検体の音響インピーダンスを整合させて、超音波の伝送効率を向上させる層である。
【００２１】
（２−２．振動子２１）
図３は、振動子２１の構成図である。
振動要素２８の上部電極４６は、長軸方向Ｘに区分された振動子２１毎に結線される。すなわち、上部電極４６−１、上部電極４６−２、…は、長軸方向Ｘに並列配置される。
振動要素２８の下部電極４８は、短軸方向Ｙに区分された区分毎に結線される。すなわち、下部電極４８−１、下部電極４８−２、…は、短軸方向Ｙに並列配置される。
【００２２】
（２−３．振動要素２８）
図４は、振動要素２８の構成図である。図４は、１つの振動要素２８の断面図である。
振動要素２８は、基板４０、膜体４４、膜体４５、上部電極４６、枠体４７、下部電極４８から構成される。振動要素２８は、半導体プロセスによる微細加工により形成される。尚、振動要素２８は、ｃＭＵＴの１素子分に相当する。
【００２３】
基板４０は、シリコン等の半導体基板である。
膜体４４及び枠体４７は、シリコン化合物等の半導体化合物から形成される。膜体４４は、枠体４７の超音波射出側に設けられる。膜体４４と枠体４７との間に上部電極４６が設けられる。基板４０と膜体４５との間に下部電極４８が設けられる。枠体４７及び膜体４５により区画された内部空間５０は、真空状態とされるか、あるいは、所定のガスにより充填される。
上部電極４６及び下部電極４８は、それぞれ、駆動信号として交流高周波電圧を供給する送信手段４と、バイアス電圧として直流電圧を印加するバイアス手段６とに接続される。
【００２４】
超音波を送波する場合には、振動要素２８に上部電極４６及び下部電極４８を介して、直流のバイアス電圧（Ｖａ）が印加され、バイアス電圧（Ｖａ）により電界が発生する。発生した電界により膜体４４が緊張して所定の電気機械結合係数（Ｓａ）になる。送信手段４から上部電極４６に駆動信号が供給されると、電気機械結合係数（Ｓａ）に基づいて超音波が膜体４４から射出される。
また、振動要素２８に上部電極４６及び下部電極４８を介して、直流のバイアス電圧（Ｖｂ）が印加されると、バイアス電圧（Ｖｂ）により電界が発生する。発生した電界により膜体４４が緊張して所定の電気機械結合係数（Ｓｂ）になる。送信手段４から上部電極４６に駆動信号が供給されると、電気機械結合係数（Ｓｂ）に基づいて超音波が膜体４４から射出される。
【００２５】
ここで、バイアス電圧が「Ｖａ＜Ｖｂ」の場合には、電気機械結合係数は「Ｓａ＜Ｓｂ」となる。
一方、超音波を受波する場合には、被検体から発生した反射エコー信号により膜体４４が励起されて内部空間５０の容量が変化する。この内部空間５０の変化量に基づいて、電気信号が上部電極４６を介して検出される。
【００２６】
尚、振動要素２８の電気機械結合係数は、膜体４４の緊張度により決定される。従って、振動要素２８に印加するバイアス電圧の大きさを変えて膜体４４の緊張度を制御すれば、同一振幅の駆動信号が入力される場合であっても、振動要素２８から射出される超音波の音圧（例えば、振幅）を変化させることができる。
【００２７】
（３．第１の実施形態）
次に、図５〜図９を参照しながら、第１の実施形態について説明する。
【００２８】
（３−１．超音波探触子２の構成部材）
図５は、第１の実施形態に係る超音波探触子２を示す図である。図５は、図２の超音波探触子２の平面Ａ断面図である。
【００２９】
音響レンズ２６の下面には、絶縁層である絶縁膜７８が形成される。絶縁膜７８は、例えば、シリコン酸化物膜、パラキシリレン膜である。
絶縁膜７８の下方にグランド層としての導電膜７６が設けられる。導電膜７６は、グランド電位であるアース１２０に接続される。導電膜７６は、例えば、蒸着により形成されるＣｕ膜である。
【００３０】
ｃＭＵＴチップ２０は、接着層７０を介してバッキング層２２の上面に接着される。バッキング層２２の上面周縁から四方側面に渡って、フレキシブル基板７２（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔｓ：ＦＰＣ）が設けられる。フレキシブル基板７２は、接着層７１を介してバッキング層２２の上面周縁に接着される。
【００３１】
接着層７０及び接着層７１は、例えば、エポキシ樹脂からなる接着剤である。接着層７０及び接着層７１の層厚を任意に調整して、ｃＭＵＴチップ２０及びフレキシブル基板７２の高さ方向位置を調整することができる。
【００３２】
フレキシブル基板７２とｃＭＵＴチップ２０とは、ワイヤ８６を介して電気的に接続される。ワイヤ８６は、ワイヤボンディング方式により接続される。ワイヤ８６としては、Ａｕワイヤ等を用いることができる。ワイヤ８６の周囲には、光硬化樹脂８８が充填される。
【００３３】
音響レンズ２６は、導電膜７６及び接着層９０を介してｃＭＵＴチップ２０の上面に接着される。音響レンズ２６の材質としては、例えば、シリコンゴムが用いられる。接着層９０の材質に関しては、音響レンズ２６と類似の材質（例えば、シリコン）とすることが望ましい。
音響レンズ２６の上面は、少なくとも領域２３の範囲内において、超音波照射方向に凸状である。ｃＭＵＴチップ２０には、少なくとも領域２３に対応する範囲内に、振動要素２８が配置される。音響レンズ２６の凸状の部分から超音波が照射される。
音響レンズ２６の下面は、ｃＭＵＴチップ２０の周縁に対応する位置に、凹部を有する。この凹部には、ｃＭＵＴチップ２０とフレキシブル基板７２との接続部分（光硬化樹脂８８の部分）が嵌合される。
【００３４】
超音波探触子カバー２５は、超音波探触子２の四方側面に設けられる。超音波探触子カバー２５は、音響レンズ２６の四方側面に固定される。検者は、超音波探触子カバー２５を手で把持して超音波探触子２を操作する。
【００３５】
（３−２．超音波探触子２の接続）
図６は、超音波診断装置１と超音波探触子２の接続を示す模式図である。
超音波診断装置１と超音波探触子２は、ケーブル８２を介して接続されている。ケーブル８２は、複数の同軸ケーブル９６を有している。
【００３６】
振動要素２８の上部電極４６は、配線８５に接続されている。配線８５は、同軸ケーブル９６の内部導体を介して超音波診断装置１内の配線９１に接続されている。配線９１は、送受分離回路９８を介して受信手段８内の受信アンプ１００及び送信手段４に接続される。
振動要素２８の下部電極４８は、配線６６に接続されている。配線６６は、同軸ケーブル９６の内部導体を介して超音波診断装置１内の配線６２に接続されている。配線６２は、バイアス手段６に接続される。
同軸ケーブル９６の本数は、複数の振動要素２８に共通配置された上部電極４６と下部電極４８の合計の数となる。
振動要素２８の基板４０は、配線８７に接続されている。配線８７は、同軸ケーブル９６の外部導体を介して超音波診断装置１内の配線９３に接続されている。配線９３は、本体装置（図示せず）のシャーシグランドを介してグランド１０８に接続される。
【００３７】
配線６６と配線８７の間にはコンデンサ１１２が配置されている。このコンデンサ１１２は、ＡＣ電流が上部電極４６から下部電極４８に流れたとき、下部電極４８からの電流をバイパスするための信号電流のバイパス用の容量素子である。
配線９１と配線９３の間には抵抗１１０が配置されている。この抵抗１１０は、上部電極４６のＤＣ電位をグランド電位に安定化するための抵抗素子である。
配線６２と配線９３の間にはバイアス手段６が配置されている。このバイアス手段６は、上部電極４６と下部電極４８の間に電位差を生じさせる。また、送信手段４は、上部電極４６に交流高周波電圧を駆動信号として印加させる。具体的には、上部電極４６は、ＤＣ＝グランド（基準電位）、ＡＣ＝Ｖｐｐとなり、下部電極４８は、ＤＣ＝Ｖｄｃ、ＡＣ＝０となる。
【００３８】
振動要素２８の導電膜７６は、配線８４に接続されている。配線８４は、超音波探触子２の内部回路（配線８５、配線６６、コンデンサ１１２など）を覆うように形成されており、ケーブル８２の外周を介して、超音波診断装置１内の配線８９に接続されている。配線８９は、超音波診断装置１の内部回路（配線９１、配線６２、抵抗１１０など）を覆うように形成されており、アース１２０に接続されている。よって、導電膜７６、配線８４、ケーブル８２の外周、配線８９は、ＤＣ＝０、ＡＣ＝０である。
導電膜７６、配線８４、ケーブル８２の外周、配線８９及びアース１２０は、保護回路を形成し、外部からの電磁波を超音波診断装置１と超音波探触子２の内部回路に侵入させないようにするとともに、超音波診断装置１と超音波探触子２の内部で発生した電気をそれらの外部に放出させないようにしている。
【００３９】
（３−３．超音波探触子２の配線）
図７は、超音波探触子２の配線を示す図である。
ｃＭＵＴチップ２０の基板４０は、バッキング層２２の上面に固定される。フレキシブル基板７２は、バッキング層２２の上面周縁に固定される。
フレキシブル基板７２には、紙面上下で対になる信号パターン３８−１〜信号パターン３８−ｎ及び紙面左右で対になる信号パターン４１−１〜信号パターン４１−４が配設される。
【００４０】
上部電極４６−１〜上部電極４６−ｎは、信号パターン３８−１〜信号パターン３８−ｎに接続される。下部電極４８−１〜下部電極４８−４は、信号パターン４１−１〜信号パターン４１−ｎに接続される。隣接する下部電極４８−１〜下部電極４８−４は、絶縁される。上部電極４６及び下部電極４８は、それぞれ、ワイヤ８６を介してワイヤボンディング方式によりフレキシブル基板７２に接続される。
【００４１】
尚、下部電極４８−１〜下部電極４８−４の形状は、振動要素２８の形状（例えば、六角形）に応じた形状（例えば、波形）とすることが望ましい。これにより、各振動要素２８を下部共通電極４８−１〜下部共通電極４８−４のいずれかのみに対応させて配置することができる。
【００４２】
また、下部電極４８−１〜下部電極４８−４が４個配設されるが、数はこれに限られない。
また、信号パターン３８−１〜信号パターン３８−ｎは紙面上下に対にして設けられ、信号パターン４８−１〜信号パターン４８−４は紙面左右に対にして設けられるものとして説明したが、これに限られず、対にせずに片方だけでもよい。
また、信号パターンと上部電極又は下部電極とがワイヤボンディング方式により接続されるものとして説明したが、これに限られず、パッド同士で接続するフリップチップボンディング方式を用いてもよい。
【００４３】
（３−４．グランド接続）
図８は、図７の模式図である。
図９は、超音波探触子２の基板４０のグランド接続を示す図である。図９は、図８のＢ−Ｂ’線断面図である。
【００４４】
ｃＭＵＴチップ２０の上面周縁では、ＭＵＴチップ２０とフレキシブル基板７２とは、ワイヤ８６で接続される。光硬化樹脂８８がワイヤ８６の周囲に充填されて接続部が封止される。
ｃＭＵＴチップ２０の隅部（角部）では、ｃＭＵＴチップ２０とフレキシブル基板７２と間に導電性材８９が充填される。導電性材８９は、基板４０とグランド線９４との接続部に相当する。グランド線９４は、ｃＭＵＴチップ２０の隅部において、フレキシブル基板７２とバッキング層２２との間に配設される。
【００４５】
基板４０は、ｃＭＵＴチップ２０の底面に設けられる。基板４０は、導電性材８９に電気的に接続される。導電性材８９は、フレキシブル基板７２の表面に設けられるバイヤホール９２に電気的に接続される。バイヤホール９２は、グランド線９４に電気的に接続される。基板４０は、導電性材８９及びバイヤホール９２及びグランド線９４を介してグランド１０８に接続される。尚、図１０のグランド線９４は、図６の配線８７に相当する。バイヤホール９２及び導電性材８９は、基板４０と配線８７との接続部に設けられる。
【００４６】
（３−５．効果等）
以上詳細に説明したように、第１の実施形態の超音波探触子２では、ｃＭＵＴチップの基板は隅部において導電性材を介してグランド線に接続される。これにより、上部電極をグランド電位とすることなく、ｃＭＵＴチップの電位を安定化して超音波特性を安定化させることができる。
また、グランド電位のｃＭＵＴチップの基板の上方は、音響レンズ及び絶縁層により二重絶縁される。これにより、超音波送受信面の摩耗や破損等が生じても超音波送受信面から感電することがない。
【００４７】
また、ｃＭＵＴチップの隅部以外の周縁には、フレキシブル基板の信号パターンとｃＭＵＴチップとを接続するワイヤが存在するが、ｃＭＵＴチップの基板とグランド線とはｃＭＵＴチップの隅部に充填される導電性材を介して接続される。これにより、信号パターン接続部とグランド接続部とを別の場所に独立して設けることができ、製作も容易である。
【００４８】
（４．第２の実施形態）
図１０は、第２の実施形態に係る基板４０のグランド接続を示す図である。
図９では、ｃＭＵＴチップ２０の基板４０は、導電性材８９及びバイヤホール９２を介してグランド線９４に接続されるものとして説明したが、これに限られない。図１０では、ｃＭＵＴチップ２０の基板４０は、導電性材８９を介して直接グランド線９４に接続される。
【００４９】
このように、第２の実施形態では、フレキシブル基板７２にバイヤホールを設けることなく、ｃＭＵＴチップ２０の基板４０をグランド線９４に接続することができる。
【００５０】
（５．その他）
上述の実施の形態では、絶縁層の膜厚を１μｍ程度とすることが望ましい。絶縁層の膜厚をそれぞれ薄くすることにより、ｃＭＵＴチップにおいて送受される超音波への影響（パルス・周波数特性への影響や減衰）を抑制することができる。
【００５１】
膜形成方法に関しては、音響レンズの成形と同時に絶縁シートをインモールド成形する方法や絶縁膜を物理的蒸着あるいは化学的蒸着により形成する方法がある。インモールド成形では、低コストに膜を形成することができるが、膜厚１０μｍ程度が限界である。一方、蒸着による膜形成では、膜厚１μｍ程度とすることができる。
【００５２】
以上、添付図面を参照しながら、本発明に係る超音波探触子及び超音波診断装置の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、本願で開示した技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】超音波診断装置１の構成図
【図２】超音波探触子２の構成図
【図３】振動子２１の構成図
【図４】振動要素２８の構成図
【図５】第１の実施形態に係る超音波探触子２を示す図
【図６】超音波診断装置１と超音波探触子２の接続を示す模式図
【図７】超音波探触子２の配線を示す図
【図８】図７の模式図
【図９】基板４０のグランド接続を示す図（第１の実施形態）
【図１０】基板４０のグランド接続を示す図（第２の実施形態）
【符号の説明】
【００５４】
１………超音波診断装置
２………超音波探触子
４………送信手段
６………バイアス手段
８………受信手段
１０………整相加算手段
１２………画像処理手段
１４………表示手段
１６………制御手段
１８………操作手段
２０………ｃＭＵＴチップ
２１−１、２１−２、…、………振動子
２２………バッキング層
２５………超音波探触子カバー
２６………音響レンズ
２８………振動要素
４０………基板
４６………上部電極
４８………下部電極
７２………フレキシブル基板
７０、７１、９０………接着層
７８………絶縁膜（絶縁層）
７６………導電膜（グランド層）
８６………ワイヤ
８８………光硬化樹脂
８９………導電性材
９２………バイヤホール
９４………グランド線
１０８………グランド
【技術分野】
【０００１】
本発明は、診断画像を撮像する超音波探触子及び超音波診断装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
超音波診断装置は、超音波探触子から出力される反射エコー信号に基づいて診断画像を撮像する装置である。超音波探触子には、複数の超音波振動子が配列される。超音波振動子は、駆動信号を超音波に変換して超音波を被検体に送波すると共に、被検体から発生した反射エコー信号を受波して電気信号に変換する。
近年、ｃＭＵＴ（Ｃａｐａｔｉｖｅ Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）を用いた超音波探触子が開発されている。ｃＭＵＴは、半導体微細加工プロセスにより製造される超微細容量型超音波振動子である。ｃＭＵＴでは、バイアス電圧の大きさに応じて超音波送受信感度すなわち電気機械結合係数が変化する。尚、バイアス電圧は、超音波送受信部から供給される駆動信号に重畳して印加される（例えば、［特許文献１］参照。）。
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５８９４４５２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ｃＭＵＴチップを超音波振動子素子として形成し、上部電極と下部電極間に、バイアス電圧を印加した状態で、超音波送波のための高周波電圧を印加するという基本概念は、上記特許文献１他の様々な文献に記載されている。しかし、ｃＭＵＴチップを超音波探触子として実装し、それを超音波診断を行う臨床の場で安定的に動作させることについては、それらの文献に開示がない。
【０００５】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、ｃＭＵＴチップの電位を安定化して超音波特性を安定化させることを可能とする超音波探触子及び超音波診断装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前述した目的を達成するために第１の発明は、バイアス電圧に応じて電気機械結合係数または感度が変化する複数の振動要素を有し超音波を送受波するｃＭＵＴチップと、前記ｃＭＵＴチップの超音波送受信側に設けられる音響レンズと、前記ｃＭＵＴチップの背面に設けられるバッキング層と、を備える超音波探触子において、前記ｃＭＵＴチップの下方に基板を有しており、前記ｃＭＵＴチップの基板は、グランド電位のグランド線に接続されることを特徴とする超音波探触子である。
【０００７】
第１の発明の超音波探触子では、ｃＭＵＴチップの基板はグランド電位のグランド線に接続される。これにより、上部電極をグランド電位とすることなく、ｃＭＵＴチップの電位を安定化して超音波特性を安定化させることができる。
【０００８】
ｃＭＵＴチップの基板とグランド線とは導電性材やバイヤホールを介して接続される。導電性材は、ｃＭＵＴチップの隅部に充填することにより形成することが望ましい。これにより、信号パターン接続部とグランド接続部とを別の場所に独立して設けることができ、製作も容易である。
【０００９】
第２の発明は、被検体に超音波を送受信する超音波探触子と、前記超音波探触子から出力される超音波受信信号に基づいて超音波画像を構成する画像処理部と、前記超音波画像を表示する表示部と、を備える超音波診断装置において、前記超音波探触子は請求項１から請求項４までのいずれかに記載の超音波探触子であることを特徴とする超音波診断装置である。
【００１０】
第２の発明は、第１の発明の超音波探触子を備える超音波診断装置に関する発明である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ｃＭＵＴチップの電位を安定化して超音波特性を安定化させることを可能とする超音波探触子及び超音波診断装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下添付図面を参照しながら、本発明に係る超音波探触子及び超音波診断装置の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、以下の説明及び添付図面において、略同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略することにする。
【００１３】
（１．超音波診断装置の構成）
最初に、図１を参照しながら、超音波診断装置１の構成について説明する。
図１は、超音波診断装置１の構成図である。
超音波診断装置１は、超音波探触子２、送信手段４、バイアス手段６、受信手段８、整相加算手段１０、画像処理手段１２、表示手段１４、制御手段１６、操作手段１８から構成される。
【００１４】
超音波探触子２は、被検体に接触させて被検体との間で超音波を送受波する装置である。超音波探触子２から超音波が被検体に射出され、被検体から発生した反射エコー信号が超音波探触子２により受波される。
【００１５】
送信手段４及びバイアス手段６は、超音波探触子２に駆動信号を供給する装置である。
受信手段８は、超音波探触子２から出力される反射エコー信号を受信する装置である。受信手段８は、さらに、受信した反射エコー信号に対してアナログデジタル変換等の処理を行う。
【００１６】
整相加算部１０は、受信された反射エコー信号を整相加算する装置である。
画像処理手段１２は、整相加算された反射エコー信号に基づいて診断画像（例えば、断層像や血流像）を構成する装置である。
表示部１８は、画像処理された診断画像を表示する表示装置である。
制御手段１６は、上述した各構成要素を制御する装置である。
操作手段１８は、制御手段１６に指示を与える装置である。操作手段１８は、例えば、トラックボールやキーボードやマウス等の入力機器である。
【００１７】
（２．超音波探触子２）
次に、図２〜図４を参照しながら、超音波探触子２について説明する。
【００１８】
（２−１．超音波探触子２の構成）
図２は、超音波探触子２の構成図である。図２は、超音波探触子２の一部切り欠き斜視図である。
超音波探触子２は、ｃＭＵＴチップ２０を備える。ｃＭＵＴチップ２０は、複数の振動子２１−１、振動子２１−２、…が短柵状に配列された１次元アレイ型の振動子群である。振動子２１−１、振動子２１−２、…には、複数の振動要素２８が配設される。尚、２次元アレイ型やコンベックス型等の他の形態の振動子群を用いてもよい。
ｃＭＵＴチップ２０の背面側には、バッキング層２２が設けられる。ｃＭＵＴチップ２０の超音波射出側には、音響レンズ２６が設けられる。ｃＭＵＴチップ２０及びバッキング層２２は、超音波探触子カバー２５に格納される。
【００１９】
ｃＭＵＴチップ２０は、送信手段４及びバイアス手段６からの駆動信号を超音波に変換して被検体に超音波を送波する。受信手段８は、被検体から発生した超音波を電気信号に変換して反射エコー信号として受波する。
バッキング層２２は、ｃＭＵＴチップ２０から背面側に射出される超音波の伝搬を吸収して、余分な振動を抑制する層である。
音響レンズ２６は、ｃＭＵＴチップ２０から送波される超音波ビームを収束させるレンズである。音響レンズ２６は、１つの焦点距離に基づいて曲率が定められる。
【００２０】
尚、音響レンズ２６とｃＭＵＴチップ２０との間にマッチング層を設けてもよい。マッチング層は、ｃＭＵＴチップ２０及び被検体の音響インピーダンスを整合させて、超音波の伝送効率を向上させる層である。
【００２１】
（２−２．振動子２１）
図３は、振動子２１の構成図である。
振動要素２８の上部電極４６は、長軸方向Ｘに区分された振動子２１毎に結線される。すなわち、上部電極４６−１、上部電極４６−２、…は、長軸方向Ｘに並列配置される。
振動要素２８の下部電極４８は、短軸方向Ｙに区分された区分毎に結線される。すなわち、下部電極４８−１、下部電極４８−２、…は、短軸方向Ｙに並列配置される。
【００２２】
（２−３．振動要素２８）
図４は、振動要素２８の構成図である。図４は、１つの振動要素２８の断面図である。
振動要素２８は、基板４０、膜体４４、膜体４５、上部電極４６、枠体４７、下部電極４８から構成される。振動要素２８は、半導体プロセスによる微細加工により形成される。尚、振動要素２８は、ｃＭＵＴの１素子分に相当する。
【００２３】
基板４０は、シリコン等の半導体基板である。
膜体４４及び枠体４７は、シリコン化合物等の半導体化合物から形成される。膜体４４は、枠体４７の超音波射出側に設けられる。膜体４４と枠体４７との間に上部電極４６が設けられる。基板４０と膜体４５との間に下部電極４８が設けられる。枠体４７及び膜体４５により区画された内部空間５０は、真空状態とされるか、あるいは、所定のガスにより充填される。
上部電極４６及び下部電極４８は、それぞれ、駆動信号として交流高周波電圧を供給する送信手段４と、バイアス電圧として直流電圧を印加するバイアス手段６とに接続される。
【００２４】
超音波を送波する場合には、振動要素２８に上部電極４６及び下部電極４８を介して、直流のバイアス電圧（Ｖａ）が印加され、バイアス電圧（Ｖａ）により電界が発生する。発生した電界により膜体４４が緊張して所定の電気機械結合係数（Ｓａ）になる。送信手段４から上部電極４６に駆動信号が供給されると、電気機械結合係数（Ｓａ）に基づいて超音波が膜体４４から射出される。
また、振動要素２８に上部電極４６及び下部電極４８を介して、直流のバイアス電圧（Ｖｂ）が印加されると、バイアス電圧（Ｖｂ）により電界が発生する。発生した電界により膜体４４が緊張して所定の電気機械結合係数（Ｓｂ）になる。送信手段４から上部電極４６に駆動信号が供給されると、電気機械結合係数（Ｓｂ）に基づいて超音波が膜体４４から射出される。
【００２５】
ここで、バイアス電圧が「Ｖａ＜Ｖｂ」の場合には、電気機械結合係数は「Ｓａ＜Ｓｂ」となる。
一方、超音波を受波する場合には、被検体から発生した反射エコー信号により膜体４４が励起されて内部空間５０の容量が変化する。この内部空間５０の変化量に基づいて、電気信号が上部電極４６を介して検出される。
【００２６】
尚、振動要素２８の電気機械結合係数は、膜体４４の緊張度により決定される。従って、振動要素２８に印加するバイアス電圧の大きさを変えて膜体４４の緊張度を制御すれば、同一振幅の駆動信号が入力される場合であっても、振動要素２８から射出される超音波の音圧（例えば、振幅）を変化させることができる。
【００２７】
（３．第１の実施形態）
次に、図５〜図９を参照しながら、第１の実施形態について説明する。
【００２８】
（３−１．超音波探触子２の構成部材）
図５は、第１の実施形態に係る超音波探触子２を示す図である。図５は、図２の超音波探触子２の平面Ａ断面図である。
【００２９】
音響レンズ２６の下面には、絶縁層である絶縁膜７８が形成される。絶縁膜７８は、例えば、シリコン酸化物膜、パラキシリレン膜である。
絶縁膜７８の下方にグランド層としての導電膜７６が設けられる。導電膜７６は、グランド電位であるアース１２０に接続される。導電膜７６は、例えば、蒸着により形成されるＣｕ膜である。
【００３０】
ｃＭＵＴチップ２０は、接着層７０を介してバッキング層２２の上面に接着される。バッキング層２２の上面周縁から四方側面に渡って、フレキシブル基板７２（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔｓ：ＦＰＣ）が設けられる。フレキシブル基板７２は、接着層７１を介してバッキング層２２の上面周縁に接着される。
【００３１】
接着層７０及び接着層７１は、例えば、エポキシ樹脂からなる接着剤である。接着層７０及び接着層７１の層厚を任意に調整して、ｃＭＵＴチップ２０及びフレキシブル基板７２の高さ方向位置を調整することができる。
【００３２】
フレキシブル基板７２とｃＭＵＴチップ２０とは、ワイヤ８６を介して電気的に接続される。ワイヤ８６は、ワイヤボンディング方式により接続される。ワイヤ８６としては、Ａｕワイヤ等を用いることができる。ワイヤ８６の周囲には、光硬化樹脂８８が充填される。
【００３３】
音響レンズ２６は、導電膜７６及び接着層９０を介してｃＭＵＴチップ２０の上面に接着される。音響レンズ２６の材質としては、例えば、シリコンゴムが用いられる。接着層９０の材質に関しては、音響レンズ２６と類似の材質（例えば、シリコン）とすることが望ましい。
音響レンズ２６の上面は、少なくとも領域２３の範囲内において、超音波照射方向に凸状である。ｃＭＵＴチップ２０には、少なくとも領域２３に対応する範囲内に、振動要素２８が配置される。音響レンズ２６の凸状の部分から超音波が照射される。
音響レンズ２６の下面は、ｃＭＵＴチップ２０の周縁に対応する位置に、凹部を有する。この凹部には、ｃＭＵＴチップ２０とフレキシブル基板７２との接続部分（光硬化樹脂８８の部分）が嵌合される。
【００３４】
超音波探触子カバー２５は、超音波探触子２の四方側面に設けられる。超音波探触子カバー２５は、音響レンズ２６の四方側面に固定される。検者は、超音波探触子カバー２５を手で把持して超音波探触子２を操作する。
【００３５】
（３−２．超音波探触子２の接続）
図６は、超音波診断装置１と超音波探触子２の接続を示す模式図である。
超音波診断装置１と超音波探触子２は、ケーブル８２を介して接続されている。ケーブル８２は、複数の同軸ケーブル９６を有している。
【００３６】
振動要素２８の上部電極４６は、配線８５に接続されている。配線８５は、同軸ケーブル９６の内部導体を介して超音波診断装置１内の配線９１に接続されている。配線９１は、送受分離回路９８を介して受信手段８内の受信アンプ１００及び送信手段４に接続される。
振動要素２８の下部電極４８は、配線６６に接続されている。配線６６は、同軸ケーブル９６の内部導体を介して超音波診断装置１内の配線６２に接続されている。配線６２は、バイアス手段６に接続される。
同軸ケーブル９６の本数は、複数の振動要素２８に共通配置された上部電極４６と下部電極４８の合計の数となる。
振動要素２８の基板４０は、配線８７に接続されている。配線８７は、同軸ケーブル９６の外部導体を介して超音波診断装置１内の配線９３に接続されている。配線９３は、本体装置（図示せず）のシャーシグランドを介してグランド１０８に接続される。
【００３７】
配線６６と配線８７の間にはコンデンサ１１２が配置されている。このコンデンサ１１２は、ＡＣ電流が上部電極４６から下部電極４８に流れたとき、下部電極４８からの電流をバイパスするための信号電流のバイパス用の容量素子である。
配線９１と配線９３の間には抵抗１１０が配置されている。この抵抗１１０は、上部電極４６のＤＣ電位をグランド電位に安定化するための抵抗素子である。
配線６２と配線９３の間にはバイアス手段６が配置されている。このバイアス手段６は、上部電極４６と下部電極４８の間に電位差を生じさせる。また、送信手段４は、上部電極４６に交流高周波電圧を駆動信号として印加させる。具体的には、上部電極４６は、ＤＣ＝グランド（基準電位）、ＡＣ＝Ｖｐｐとなり、下部電極４８は、ＤＣ＝Ｖｄｃ、ＡＣ＝０となる。
【００３８】
振動要素２８の導電膜７６は、配線８４に接続されている。配線８４は、超音波探触子２の内部回路（配線８５、配線６６、コンデンサ１１２など）を覆うように形成されており、ケーブル８２の外周を介して、超音波診断装置１内の配線８９に接続されている。配線８９は、超音波診断装置１の内部回路（配線９１、配線６２、抵抗１１０など）を覆うように形成されており、アース１２０に接続されている。よって、導電膜７６、配線８４、ケーブル８２の外周、配線８９は、ＤＣ＝０、ＡＣ＝０である。
導電膜７６、配線８４、ケーブル８２の外周、配線８９及びアース１２０は、保護回路を形成し、外部からの電磁波を超音波診断装置１と超音波探触子２の内部回路に侵入させないようにするとともに、超音波診断装置１と超音波探触子２の内部で発生した電気をそれらの外部に放出させないようにしている。
【００３９】
（３−３．超音波探触子２の配線）
図７は、超音波探触子２の配線を示す図である。
ｃＭＵＴチップ２０の基板４０は、バッキング層２２の上面に固定される。フレキシブル基板７２は、バッキング層２２の上面周縁に固定される。
フレキシブル基板７２には、紙面上下で対になる信号パターン３８−１〜信号パターン３８−ｎ及び紙面左右で対になる信号パターン４１−１〜信号パターン４１−４が配設される。
【００４０】
上部電極４６−１〜上部電極４６−ｎは、信号パターン３８−１〜信号パターン３８−ｎに接続される。下部電極４８−１〜下部電極４８−４は、信号パターン４１−１〜信号パターン４１−ｎに接続される。隣接する下部電極４８−１〜下部電極４８−４は、絶縁される。上部電極４６及び下部電極４８は、それぞれ、ワイヤ８６を介してワイヤボンディング方式によりフレキシブル基板７２に接続される。
【００４１】
尚、下部電極４８−１〜下部電極４８−４の形状は、振動要素２８の形状（例えば、六角形）に応じた形状（例えば、波形）とすることが望ましい。これにより、各振動要素２８を下部共通電極４８−１〜下部共通電極４８−４のいずれかのみに対応させて配置することができる。
【００４２】
また、下部電極４８−１〜下部電極４８−４が４個配設されるが、数はこれに限られない。
また、信号パターン３８−１〜信号パターン３８−ｎは紙面上下に対にして設けられ、信号パターン４８−１〜信号パターン４８−４は紙面左右に対にして設けられるものとして説明したが、これに限られず、対にせずに片方だけでもよい。
また、信号パターンと上部電極又は下部電極とがワイヤボンディング方式により接続されるものとして説明したが、これに限られず、パッド同士で接続するフリップチップボンディング方式を用いてもよい。
【００４３】
（３−４．グランド接続）
図８は、図７の模式図である。
図９は、超音波探触子２の基板４０のグランド接続を示す図である。図９は、図８のＢ−Ｂ’線断面図である。
【００４４】
ｃＭＵＴチップ２０の上面周縁では、ＭＵＴチップ２０とフレキシブル基板７２とは、ワイヤ８６で接続される。光硬化樹脂８８がワイヤ８６の周囲に充填されて接続部が封止される。
ｃＭＵＴチップ２０の隅部（角部）では、ｃＭＵＴチップ２０とフレキシブル基板７２と間に導電性材８９が充填される。導電性材８９は、基板４０とグランド線９４との接続部に相当する。グランド線９４は、ｃＭＵＴチップ２０の隅部において、フレキシブル基板７２とバッキング層２２との間に配設される。
【００４５】
基板４０は、ｃＭＵＴチップ２０の底面に設けられる。基板４０は、導電性材８９に電気的に接続される。導電性材８９は、フレキシブル基板７２の表面に設けられるバイヤホール９２に電気的に接続される。バイヤホール９２は、グランド線９４に電気的に接続される。基板４０は、導電性材８９及びバイヤホール９２及びグランド線９４を介してグランド１０８に接続される。尚、図１０のグランド線９４は、図６の配線８７に相当する。バイヤホール９２及び導電性材８９は、基板４０と配線８７との接続部に設けられる。
【００４６】
（３−５．効果等）
以上詳細に説明したように、第１の実施形態の超音波探触子２では、ｃＭＵＴチップの基板は隅部において導電性材を介してグランド線に接続される。これにより、上部電極をグランド電位とすることなく、ｃＭＵＴチップの電位を安定化して超音波特性を安定化させることができる。
また、グランド電位のｃＭＵＴチップの基板の上方は、音響レンズ及び絶縁層により二重絶縁される。これにより、超音波送受信面の摩耗や破損等が生じても超音波送受信面から感電することがない。
【００４７】
また、ｃＭＵＴチップの隅部以外の周縁には、フレキシブル基板の信号パターンとｃＭＵＴチップとを接続するワイヤが存在するが、ｃＭＵＴチップの基板とグランド線とはｃＭＵＴチップの隅部に充填される導電性材を介して接続される。これにより、信号パターン接続部とグランド接続部とを別の場所に独立して設けることができ、製作も容易である。
【００４８】
（４．第２の実施形態）
図１０は、第２の実施形態に係る基板４０のグランド接続を示す図である。
図９では、ｃＭＵＴチップ２０の基板４０は、導電性材８９及びバイヤホール９２を介してグランド線９４に接続されるものとして説明したが、これに限られない。図１０では、ｃＭＵＴチップ２０の基板４０は、導電性材８９を介して直接グランド線９４に接続される。
【００４９】
このように、第２の実施形態では、フレキシブル基板７２にバイヤホールを設けることなく、ｃＭＵＴチップ２０の基板４０をグランド線９４に接続することができる。
【００５０】
（５．その他）
上述の実施の形態では、絶縁層の膜厚を１μｍ程度とすることが望ましい。絶縁層の膜厚をそれぞれ薄くすることにより、ｃＭＵＴチップにおいて送受される超音波への影響（パルス・周波数特性への影響や減衰）を抑制することができる。
【００５１】
膜形成方法に関しては、音響レンズの成形と同時に絶縁シートをインモールド成形する方法や絶縁膜を物理的蒸着あるいは化学的蒸着により形成する方法がある。インモールド成形では、低コストに膜を形成することができるが、膜厚１０μｍ程度が限界である。一方、蒸着による膜形成では、膜厚１μｍ程度とすることができる。
【００５２】
以上、添付図面を参照しながら、本発明に係る超音波探触子及び超音波診断装置の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、本願で開示した技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】超音波診断装置１の構成図
【図２】超音波探触子２の構成図
【図３】振動子２１の構成図
【図４】振動要素２８の構成図
【図５】第１の実施形態に係る超音波探触子２を示す図
【図６】超音波診断装置１と超音波探触子２の接続を示す模式図
【図７】超音波探触子２の配線を示す図
【図８】図７の模式図
【図９】基板４０のグランド接続を示す図（第１の実施形態）
【図１０】基板４０のグランド接続を示す図（第２の実施形態）
【符号の説明】
【００５４】
１………超音波診断装置
２………超音波探触子
４………送信手段
６………バイアス手段
８………受信手段
１０………整相加算手段
１２………画像処理手段
１４………表示手段
１６………制御手段
１８………操作手段
２０………ｃＭＵＴチップ
２１−１、２１−２、…、………振動子
２２………バッキング層
２５………超音波探触子カバー
２６………音響レンズ
２８………振動要素
４０………基板
４６………上部電極
４８………下部電極
７２………フレキシブル基板
７０、７１、９０………接着層
７８………絶縁膜（絶縁層）
７６………導電膜（グランド層）
８６………ワイヤ
８８………光硬化樹脂
８９………導電性材
９２………バイヤホール
９４………グランド線
１０８………グランド
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイアス電圧に応じて電気機械結合係数または感度が変化する複数の振動要素を有し超音波を送受波するｃＭＵＴチップと、前記ｃＭＵＴチップの超音波送受信側に設けられる音響レンズと、前記ｃＭＵＴチップの背面に設けられるバッキング層と、を備える超音波探触子において、
前記ｃＭＵＴチップの下方に基板を有しており、
前記ｃＭＵＴチップの基板は、グランド電位のグランド線に接続されることを特徴とする超音波探触子。
【請求項２】
前記ｃＭＵＴチップの基板は、導電性材を介して前記グランド線に接続されることを特徴とする請求項１に記載の超音波探触子。
【請求項３】
前記ｃＭＵＴチップの基板は、導電性材及びバイヤホールを介して前記グランド線に接続されることを特徴とする請求項１に記載の超音波探触子。
【請求項４】
前記導電性材は、前記ｃＭＵＴチップの隅部に設けられることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の超音波探触子。
【請求項５】
被検体に超音波を送受信する超音波探触子と、前記超音波探触子から出力される超音波受信信号に基づいて超音波画像を構成する画像処理部と、前記超音波画像を表示する表示部と、を備える超音波診断装置において、
前記超音波探触子は請求項１から請求項４までのいずれかに記載の超音波探触子であることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項１】
バイアス電圧に応じて電気機械結合係数または感度が変化する複数の振動要素を有し超音波を送受波するｃＭＵＴチップと、前記ｃＭＵＴチップの超音波送受信側に設けられる音響レンズと、前記ｃＭＵＴチップの背面に設けられるバッキング層と、を備える超音波探触子において、
前記ｃＭＵＴチップの下方に基板を有しており、
前記ｃＭＵＴチップの基板は、グランド電位のグランド線に接続されることを特徴とする超音波探触子。
【請求項２】
前記ｃＭＵＴチップの基板は、導電性材を介して前記グランド線に接続されることを特徴とする請求項１に記載の超音波探触子。
【請求項３】
前記ｃＭＵＴチップの基板は、導電性材及びバイヤホールを介して前記グランド線に接続されることを特徴とする請求項１に記載の超音波探触子。
【請求項４】
前記導電性材は、前記ｃＭＵＴチップの隅部に設けられることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の超音波探触子。
【請求項５】
被検体に超音波を送受信する超音波探触子と、前記超音波探触子から出力される超音波受信信号に基づいて超音波画像を構成する画像処理部と、前記超音波画像を表示する表示部と、を備える超音波診断装置において、
前記超音波探触子は請求項１から請求項４までのいずれかに記載の超音波探触子であることを特徴とする超音波診断装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００８−１４８７２０（Ｐ２００８−１４８７２０Ａ）
【公開日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３３６５３２（Ｐ２００６−３３６５３２）
【出願日】平成１８年１２月１４日（２００６．１２．１４）
【出願人】（０００１５３４９８）株式会社日立メディコ (1,613)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月１４日（２００６．１２．１４）
【出願人】（０００１５３４９８）株式会社日立メディコ (1,613)
【Ｆターム（参考）】
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