電子素子用積層基板、電子素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、電子ペーパー、および電子素子用積層基板の製造方法

【課題】本発明は、バリア性および狭額縁を同時に実現することが可能であり、さらには放熱性にも優れる電子素子用積層基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、電子素子に用いられる電子素子用積層基板であって、絶縁層貫通孔を有する絶縁層と、上記絶縁層貫通孔に充填された第１導通部と、上記絶縁層上にパターン状に形成され、上記第１導通部上に開口部を有する金属層と、上記電子素子用積層基板の厚み方向に形成され、上記電子素子用積層基板の表裏を導通し、少なくとも上記第１導通部を有する導通部とを有し、上記導通部が上記金属層と導通していないことを特徴とする電子素子用積層基板を提供することにより、上記目的を達成する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子に用いられる電子素子用積層基板であって、
絶縁層貫通孔を有する絶縁層と、
前記絶縁層貫通孔に充填された第１導通部と、
前記絶縁層上にパターン状に形成され、前記第１導通部上に開口部を有する金属層と、
前記電子素子用積層基板の厚み方向に形成され、前記電子素子用積層基板の表裏を導通し、少なくとも前記第１導通部を有する導通部と
を有し、前記導通部が前記金属層と導通していないことを特徴とする電子素子用積層基板。
【請求項２】
前記絶縁層がポリイミドを含有することを特徴とする請求項１に記載の電子素子用積層基板。
【請求項３】
前記絶縁層がポリイミドを主成分とすることを特徴とする請求項２に記載の電子素子用積層基板。
【請求項４】
前記絶縁層の吸湿膨張係数が０ｐｐｍ／％ＲＨ〜１５ｐｐｍ／％ＲＨの範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の電子素子用積層基板。
【請求項５】
前記絶縁層の線熱膨張係数が０ｐｐｍ／℃〜３０ｐｐｍ／℃の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかに記載の電子素子用積層基板。
【請求項６】
前記絶縁層の線熱膨張係数と前記金属層の線熱膨張係数との差が１５ｐｐｍ／℃以下であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかに記載の電子素子用積層基板。
【請求項７】
前記金属層の線熱膨張係数が０ｐｐｍ／℃〜２５ｐｐｍ／℃の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれかに記載の電子素子用積層基板。
【請求項８】
前記金属層のパターンの端部が被覆層で絶縁されていることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれかに記載の電子素子用積層基板。
【請求項９】
前記金属層が形成されている領域全体の面積が、前記電子素子用積層基板全体の面積を１００％としたとき、８０％以上１００％未満であることを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれかに記載の電子素子用積層基板。
【請求項１０】
前記金属層の開口部内に形成され、前記導通部上に配置され、前記金属層と同一材料からなる導通部用金属部をさらに有し、
前記導通部が前記第１導通部と前記導通部用金属部とを有することを特徴とする請求項１から請求項９までのいずれかに記載の電子素子用積層基板。
【請求項１１】
前記金属層上に形成され、前記導通部用金属部上に配置された第２絶縁層貫通孔を有する第２絶縁層をさらに有することを特徴とする請求項１０に記載の電子素子用積層基板。
【請求項１２】
前記第２絶縁層貫通孔に充填された第２導通部をさらに有し、
前記導通部が前記第１導通部と前記導通部用金属部と前記第２導通部とを有することを特徴とする請求項１１に記載の電子素子用積層基板。
【請求項１３】
前記金属層上に形成され、前記第１導通部上に配置された第２絶縁層貫通孔を有する第２絶縁層と、前記第２絶縁層貫通孔に充填された第２導通部とをさらに有し、
前記導通部が前記第１導通部と前記第２導通部とを有することを特徴とする請求項１から請求項９までのいずれかに記載の電子素子用積層基板。
【請求項１４】
前記金属層のパターンの端部が前記絶縁層または前記第２絶縁層で絶縁されていることを特徴とする請求項１１から請求項１３までのいずれかに記載の電子素子用積層基板。
【請求項１５】
前記第２絶縁層上に形成され、前記金属層の開口部を覆うように配置され、前記第２導通部と導通する第３金属層をさらに有することを特徴とする請求項１１から請求項１４までのいずれかに記載の電子素子用積層基板。
【請求項１６】
前記絶縁層の前記金属層側とは反対側の面に形成され、前記金属層の開口部を覆うように配置され、前記第１導通部と導通する第２金属層をさらに有することを特徴とする請求項１から請求項１５までのいずれかに記載の電子素子用積層基板。
【請求項１７】
前記第２絶縁層がポリイミドを含有することを特徴とする請求項１１から請求項１５までのいずれかに記載の電子素子用積層基板。
【請求項１８】
前記第２絶縁層がポリイミドを主成分とすることを特徴とする請求項１７に記載の電子素子用積層基板。
【請求項１９】
前記絶縁層の前記金属層側とは反対側の面に、無機化合物を含む密着層が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１８までのいずれかに記載の電子素子用積層基板。
【請求項２０】
請求項１から請求項１９までのいずれかに記載の電子素子用積層基板と、
前記電子素子用積層基板の絶縁層上に形成された電子素子部と、
前記電子素子部上に配置された透明封止基板と
を有することを特徴とする電子素子。
【請求項２１】
前記電子素子部が薄膜トランジスタ素子部であることを特徴とする請求項２０に記載の電子素子。
【請求項２２】
前記電子素子部が、前記絶縁層上に形成された背面電極層と、前記背面電極層上に形成され、少なくとも有機発光層を含むエレクトロルミネッセンス層と、前記エレクトロルミネッセンス層上に形成された透明電極層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子部であり、
前記電子素子用積層基板の導通部が、前記透明電極層に接続された透明電極層用導通部と、前記背面電極層に接続された背面電極層用導通部とを有することを特徴とする請求項２０に記載の電子素子。
【請求項２３】
前記電子素子部が、前記絶縁層上に形成された背面電極層と、前記背面電極層上に形成された表示層と、前記表示層上に形成された透明電極層とを有する電子ペーパー素子部であり、
前記電子素子用積層基板の導通部が、前記透明電極層に接続された透明電極層用導通部と、前記背面電極層に接続された背面電極層用導通部とを有することを特徴とする請求項２０に記載の電子素子。
【請求項２４】
請求項１から請求項１９までのいずれかに記載の電子素子用積層基板と、
前記電子素子用積層基板の絶縁層上に形成された薄膜トランジスタ素子部と、
前記電子素子用積層基板の絶縁層上に形成され、前記薄膜トランジスタ素子部に接続された背面電極層、前記背面電極層上に形成され、少なくとも有機発光層を含むエレクトロルミネッセンス層、および、前記エレクトロルミネッセンス層上に形成された透明電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子部と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子部上に配置された透明封止基板と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２５】
請求項１から請求項１９までのいずれかに記載の電子素子用積層基板と、
前記電子素子用積層基板の絶縁層上に形成された薄膜トランジスタ素子部と、
前記電子素子用積層基板の絶縁層上に形成され、前記薄膜トランジスタ素子部に接続された背面電極層、前記背面電極層上に形成された表示層、および、前記表示層上に形成された透明電極層を有する電子ペーパー素子部と、
前記電子ペーパー素子部上に配置された透明封止基板と
を有することを特徴とする電子ペーパー。
【請求項２６】
少なくとも絶縁層および金属層が順に積層された積層体を準備する積層体準備工程と、
前記絶縁層に絶縁層貫通孔を形成する絶縁層貫通孔形成工程と、
前記金属層をパターニングして、前記絶縁層貫通孔上に開口部を有する金属層と、前記絶縁層貫通孔上に配置された導通部用金属部とを同時に形成する金属層パターニング工程と
を有し、前記絶縁層貫通孔形成工程および前記金属層パターニング工程を順不同に行うことを特徴とする電子素子用積層基板の製造方法。
【請求項２７】
前記絶縁層貫通孔形成工程後であり、前記金属層パターニング工程の前または後に、前記絶縁層貫通孔に第１導通部を充填する第１導通部形成工程をさらに有することを特徴とする請求項２６に記載の電子素子用積層基板の製造方法。
【請求項２８】
前記金属層パターニング形成工程後に、前記金属層上に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、前記第２絶縁層に第２絶縁層貫通孔を形成する第２絶縁層貫通孔形成工程とをさらに有し、
前記絶縁層貫通孔形成工程の前、後または同時に、前記第２絶縁層貫通孔形成工程を行うことを特徴とする請求項２６または請求項２７に記載の電子素子用積層基板の製造方法。
【請求項２９】
前記第２絶縁層貫通孔形成工程後に、前記第２絶縁層貫通孔に第２導通部を充填する第２導通部形成工程をさらに有し、
前記第１導通部形成工程の前、後または同時に、前記第２導通部形成工程を行うことを特徴とする請求項２８に記載の電子素子用積層基板の製造方法。

【図１】