電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の駆動方法
【課題】１フレーム期間で表現できる階調数を飛躍的に高めることが可能な電気光学装置、電子機器、電気光学装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】電気光学装置は、フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、サブフィールド期間ごとに画素電極と対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する。電気光学装置の駆動回路は、表示される階調に応じて、オン電圧の印加期間とオフ電圧の印加期間との比率、並びにオン電圧及びオフ電圧の配列を決定する。フレーム期間は、オン電圧が前記正極性電圧となる正極性期間と、オン電圧が負極性電圧となる負極性期間とを有し、正極性期間と負極性期間との間で、オン電圧及びオフ電圧の印加期間の配列が互いに異なる。
【解決手段】電気光学装置は、フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、サブフィールド期間ごとに画素電極と対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する。電気光学装置の駆動回路は、表示される階調に応じて、オン電圧の印加期間とオフ電圧の印加期間との比率、並びにオン電圧及びオフ電圧の配列を決定する。フレーム期間は、オン電圧が前記正極性電圧となる正極性期間と、オン電圧が負極性電圧となる負極性期間とを有し、正極性期間と負極性期間との間で、オン電圧及びオフ電圧の印加期間の配列が互いに異なる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例として、液晶装置について説明する。従来から、液晶表示装置の駆動方法として、サブフィールド駆動が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１４８４１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
サブフィールド駆動では、１フィールド期間が、複数のサブフィールド期間に分割される。液晶のオン状態及びオフ状態は、サブフィールドごとに制御される。これにより、液晶装置での階調表示が実現され得る。
【０００５】
ところで、上記特許文献１には、１フィールドごとにデータ書き込み極性を反転させることが記載されている。これにより、液晶に作用する電界の向きを、１フィールドごとに反転させることができる。この結果、液晶装置における焼き付きと呼ばれる現象を軽減することができる。
【０００６】
また、上記特許文献１には、１フィールド期間の透過光の積分値が階調データと対応するように、オン電圧およびオフ電圧が決定されることが記載されている。１フィールド期間のサブフィールド数が多いほど、表現できる階調数が多くなることが知られている。
【０００７】
しかしながら、従来の液晶装置では、焼き付きを防止しながら階調数を増大させることが困難であるという課題があった。具体的には、片極性である１フィールドごとに階調データが決定される場合、正極性フィールドと負極性フィールドで同じ階調データとすることで、焼き付きを軽減することはできるものの、表現できる階調数は、片極性の期間内のサブフィールド数によって制限されてしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一つを解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００９】
《適用例１》走査線とデータ線との交点に対応して設けられたスイッチングトランジスターと、該スイッチングトランジスターに接続され、該データ線から該スイッチングトランジスターを介して電位が供給される画素電極と、対向電極と、該画素電極と該対向電極との間に発生する電界が印加される電気光学層と、該走査線及び該データ線を駆動する駆動回路と、を有し、フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、前記サブフィールド期間ごとに、前記電界を発生させるために前記画素電極と前記対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、前記電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する電気光学装置であって、前記複数のサブフィールド期間は、複数の正極性サブフィールド期間と、複数の負極性サブフィールド期間と、からなり、前記フレーム期間において、前記正極性サブフィールド期間の数は、前記負極性サブフィールド期間の数と等しく、前記正極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より高い場合の前記駆動電圧である正極性電圧が前記オン電圧として選択され、前記負極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低い場合の前記駆動電圧である負極性電圧が前記オン電圧として選択され、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間とにおいて、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位と略等しい場合の前記駆動電圧が前記オフ電圧として選択され、前記駆動回路は、表示される前記階調に応じて、前記フレーム期間における前記オン電圧の印加期間と前記オフ電圧の印加期間との比率、並びに前記オン電圧が選択されるサブフィールド期間の配列及び前記オフ電圧が選択されるサブフィールド期間の配列を決定し、前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間からなる列を正極性サブフィールド列とし、複数の前記負極性サブフィールド期間からなる列を負極性サブフィールド列としたとき、前記正極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される正極性サブフィールド期間の配置と、前記負極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される負極性サブフィールド期間の配置とが互いに異なることを特徴とする電気光学装置。
【００１０】
この電気光学装置では、１フレーム期間内において、電気光学層に正極性電圧と、負極性電圧を印加し、複数の階調を表示する。
これにより、この電気光学装置では、焼き付きの要因の１つを１フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
【００１１】
この電気光学装置では、フレーム期間における透過光の積分値が、複数の階調のうちいずれかの階調に対応するように、オン電圧の印加期間とオフ電圧の印加期間との比率、及びオン電圧及びオフ電圧の配列を決定し、フレーム期間は、オン電圧が正極性電圧となる正極性サブフィールド期間と、オン電圧が負極性電圧となる負極性サブフィールド期間とを有し、複数の正極性サブフィールド期間からなる正極性サブフィールド列と複数の負極性期間からなる負極性サブフィールド列との間で、オン電圧及びオフ電圧の印加期間の配置を互いに異ならせることができる。
これにより、この電気光学装置では、オン電圧を印加するサブフィールドの配置の自由度を高めることができる。液晶の応答特性によって、サブフィールド配置が異なることで、フレーム期間内における透過光の積分値が異なることから、表現できる階調数を高めることができる。
【００１２】
《適用例２》上記適用例に記載の前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間の長さの合計と、複数の前記負極性サブフィールド期間の長さの合計との比率は、前記複数の階調間で互いに等しいことが好ましい。
【００１３】
《適用例３》上記適用例に記載の前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間のうち前記オン電圧が選択される正極性サブフィールド期間の数は、複数の前記負極性サブフィールド期間のうち前記オン電圧が選択される負極性サブフィールド期間の数と等しいことが好ましい。
【００１４】
《適用例４》上記適用例に記載の前記フレーム期間の前半に、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間のうちいずれかが互いに連続して配置され、前記フレーム期間の後半に、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間のうち他方が互いに連続して配置されていることが好ましい。
【００１５】
《適用例５》上記適用例に記載の前記フレーム期間において、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間とが交互に配置されていることが好ましい。
【００１６】
《適用例６》上記適用例に記載の電気光学装置を具備した電子機器。
【００１７】
《適用例７》走査線とデータ線との交点に対応して設けられたスイッチングトランジスターと、該スイッチングトランジスターに接続され、該データ線から該スイッチングトランジスターを介して電位が供給される画素電極と、対向電極と、該画素電極と該対向電極との間に発生する電界が印加される電気光学層と、該走査線及び該データ線を駆動する駆動回路と、を有し、フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、前記サブフィールド期間ごとに、前記電界を発生させるために前記画素電極と前記対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、前記電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する電気光学装置の駆動方法であって、前記複数のサブフィールド期間は、複数の正極性サブフィールド期間と、複数の負極性サブフィールド期間と、からなり、前記フレーム期間において、前記正極性サブフィールド期間の数は、前記負極性サブフィールド期間の数と等しく、前記正極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より高い場合の前記駆動電圧である正極性電圧が前記オン電圧として選択され、前記負極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低い場合の前記駆動電圧である負極性電圧が前記オン電圧として選択され、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間とにおいて、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位と略等しい場合の前記駆動電圧が前記オフ電圧として選択され、表示される前記階調に応じて、前記フレーム期間における前記オン電圧の印加期間と前記オフ電圧の印加期間との比率、並びに前記オン電圧が選択されるサブフィールド期間の配列及び前記オフ電圧が選択されるサブフィールド期間の配列を決定し、前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間からなる列を正極性サブフィールド列とし、複数の前記負極性サブフィールド期間からなる列を負極性サブフィールド列としたとき、前記正極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される正極性サブフィールド期間の配置と、前記負極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される負極性サブフィールド期間の配置とが互いに異なることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１実施形態におけるプロジェクターの主要構成を示すブロック図。
【図２】第１実施形態におけるプロジェクターの画像形成部の主要構成を示す図。
【図３】第１実施形態におけるプロジェクターの画像形成パネルを示す斜視図。
【図４】図３中のＡ−Ａ線における断面図。
【図５】第１実施形態での液晶パネル駆動回路と液晶パネルとを示す回路図。
【図６】第１実施形態での画像形成パネルにおける複数の画素の一部を示す平面図。
【図７】第１実施形態での液晶パネルの図６中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図８】図７中のＴＦＴ素子の拡大図。
【図９】第１実施形態での半導体層、信号線及び走査線の配置を説明する平面図。
【図１０】第１実施形態での画素電極の配置を説明する平面図。
【図１１】第１実施形態でのサブフィールド期間を説明するタイミングチャート。
【図１２】第１実施形態での走査線駆動回路を説明するブロック図。
【図１３】第１実施形態での選択信号を説明するタイミングチャート。
【図１４】第１実施形態での信号線駆動回路を説明するブロック図。
【図１５】第１実施形態での極性反転信号を説明するタイミングチャート。
【図１６】第１実施形態でのラッチ信号を説明するタイミングチャート。
【図１７】第１実施形態での正極性期間と負極性期間とを説明するタイミングチャート。
【図１８】第２実施形態での駆動電圧波形を説明するタイミングチャート。
【図１９】第１実施形態の液晶装置が適用された電子機器の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
実施形態について、電子機器の１つであるプロジェクターを例に、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
［第１実施形態］
第１実施形態におけるプロジェクター１は、主要構成を示すブロック図である図１に示すように、光学系３と、制御回路５と、電源部７と、を有している。プロジェクター１は、図示しない外部装置から入力される画像信号に応じた画像を、光学系３を介してスクリーン８などに投射することができる。
【００２１】
光学系３は、画像信号に基づいた画像を形成し、形成した画像をスクリーン８などに投射する。制御回路５は、画像信号に基づいて光学系３の駆動を制御する。
なお、プロジェクター１では、外部電源９から入力される電力が、電源部７によって直流電力に変換される。光学系３や制御回路５などには、電源部７から直流電力が供給される。
【００２２】
光学系３は、ランプ１１と、画像形成部１３と、投射レンズ部１５と、を有している。
ランプ１１は、画像形成部１３や投射レンズ部１５を経てスクリーン８に向けて射出される投射光１７を発生する。ランプ１１としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。
【００２３】
画像形成部１３は、後述する液晶パネルなどを有している。画像形成部１３は、制御回路５から入力される画像データなどに基づいて液晶パネルに画像を形成する。画像形成部１３には、ランプ１１からの光が照射される。このため、画像形成部１３に形成された画像は、ランプ１１からの光によって投射レンズ部１５に投影される。
【００２４】
投射レンズ部１５には、ランプ１１からの光が画像形成部１３を経て入射される。投射レンズ部１５は、入射された光を広げる方向に屈折させて、投射光１７として射出する。このため、画像形成部１３に形成された画像は、拡大された状態でスクリーン８に投射され得る。
【００２５】
制御回路５は、制御部２１と、画像処理部２３と、液晶パネル駆動回路２５と、を有している。
制御部２１は、例えば、マイクロコンピューターで構成され、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２７と、メモリー部２９と、を有している。
ＣＰＵ２７は、メモリー部２９に格納されている制御プログラムに従って、プロジェクター１の動作を統括制御する。メモリー部２９は、フラッシュメモリー等のＲＯＭ（Read Only Memory）や、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を含んでいる。ＲＯＭには、ＣＰＵ２７が実行する制御プログラムなどが格納されている。ＲＡＭは、ＣＰＵ２７によって実行される制御プログラムを一時的に展開したり、各種設定値等を一時的に格納したりする。
【００２６】
画像処理部２３には、画像信号が入力される。画像処理部２３は、制御部２１からの指示に基づいて、画像信号に種々の処理を施す。また、画像処理部２３は、画像信号を画像データに変換する。画像信号から変換された画像データは、液晶パネル駆動回路２５に出力される。
なお、画像処理部２３が画像信号に施す処理としては、各種の画質調整や、メニュー、メッセージ等のＯＳＤ（オンスクリーンディスプレー）画像を合成する処理などが挙げられる。また、各種の画質調整としては、解像度変換、輝度調整、コントラスト調整、シャープネス調整などが挙げられる。
液晶パネル駆動回路２５は、入力された画像データに応じて、画像形成部１３の駆動を制御する。
【００２７】
ここで、画像形成部１３の構成について、詳細を説明する。
画像形成部１３は、主要構成を示す図である図２に示すように、分光部３１と、画像形成パネル３３と、クロスダイクロイックプリズム３５と、を有している。
分光部３１には、ランプ１１からの光４１が入射される。分光部３１は、光４１から、赤系（Ｒ）の色の光４１Ｒ、緑系（Ｇ）の色の光４１Ｇ、及び青系（Ｂ）の色の光４１Ｂのそれぞれを分離する。
【００２８】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光４１Ｒは、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光４１Ｇは、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光４１Ｂは、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００２９】
分光部３１は、ダイクロイックミラー４３と、ダイクロイックミラー４５と、反射ミラー４７と、反射ミラー４８と、反射ミラー４９と、を有している。光４１は、光軸５１ａに沿って分光部３１に入射する。
ダイクロイックミラー４３は、光軸５１ａと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー４３は、光軸５１ａの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー４３は、光４１のうちで、Ｒの光４１Ｒを透過させ、Ｇの光４１Ｇ及びＢの光４１Ｂを反射させることができる。
【００３０】
従って、ダイクロイックミラー４３によって、光４１からＲの光４１Ｒが分離され得る。他方で、Ｇの光４１Ｇ及びＢの光４１Ｂが混合した光５３が、ダイクロイックミラー４３によって、光４１から分離され得る。
ダイクロイックミラー４３を透過した光４１Ｒは、光軸５１ａに沿って反射ミラー４７へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー４３によって反射された光５３は、光軸５１ａが光軸５１ｂに変えられてから、ダイクロイックミラー４５へ導かれる。
【００３１】
ダイクロイックミラー４５は、光軸５１ｂと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー４５は、光軸５１ｂの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー４５は、光５３のうちで、Ｂの光４１Ｂを透過させ、Ｇの光４１Ｇを反射させることができる。従って、ダイクロイックミラー４５によって、光５３からＧの光４１ＧとＢの光４１Ｂとが分離され得る。
ダイクロイックミラー４５を透過した光４１Ｂは、光軸５１ｂに沿って反射ミラー４８へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー４５によって反射された光４１Ｇは、光軸５１ｂが光軸５１ｃに変えられる。
【００３２】
反射ミラー４７は、光４１Ｒの光軸５１ａと交差する位置に設けられている。反射ミラー４７は、光軸５１ａの方向に対して傾斜している。光４１Ｒは、反射ミラー４７で反射することによって、光軸５１ａが光軸５１ｄに変えられる。
反射ミラー４８は、光４１Ｂの光軸５１ｂと交差する位置に設けられている。反射ミラー４８は、光軸５１ｂの方向に対して傾斜している。光４１Ｂは、反射ミラー４８によって光軸５１ｂが光軸５１ｅに変えられてから、反射ミラー４９に導かれる。
反射ミラー４９は、光４１Ｂの光軸５１ｅと交差する位置に設けられている。反射ミラー４９は、光軸５１ｅの方向に対して傾斜している。光４１Ｂは、反射ミラー４９で反射することによって、光軸５１ｅが光軸５１ｆに変えられる。
【００３３】
クロスダイクロイックプリズム３５は、光軸５１ｃ、光軸５１ｄ及び光軸５１ｆの交点に重なる位置に設けられている。クロスダイクロイックプリズム３５は、面３５ａと、面３５ｂと、面３５ｃと、面３５ｄと、を有している。
面３５ａは、反射ミラー４７側に向けられている。面３５ｂは、ダイクロイックミラー４５側に向けられている。面３５ｃは、反射ミラー４９側に向けられている。
【００３４】
画像形成パネル３３は、光４１Ｒ、光４１Ｇ及び光４１Ｂごとに設けられている。つまり、プロジェクター１は、光４１Ｒに対応する画像形成パネル３３と、光４１Ｇに対応する画像形成パネル３３と、光４１Ｂに対応する画像形成パネル３３と、を有している。なお、以下において、画像形成パネル３３を光４１Ｒ、光４１Ｇ及び光４１Ｂごとに識別する場合には、画像形成パネル３３は、画像形成パネル３３Ｒ、画像形成パネル３３Ｇ及び画像形成パネル３３Ｂと表記される。
画像形成パネル３３Ｒ、画像形成パネル３３Ｇ及び画像形成パネル３３Ｂは、相互に同じ仕様の画像形成パネル３３が採用され得る。
【００３５】
画像形成パネル３３Ｒは、面３５ａと反射ミラー４７との間において、光軸５１ｄに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｒは、面３５ａに対向している。
画像形成パネル３３Ｇは、面３５ｂとダイクロイックミラー４５との間において、光軸５１ｃに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｇは、面３５ｂに対向している。
画像形成パネル３３Ｂは、面３５ｃと反射ミラー４９との間において、光軸５１ｆに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｂは、面３５ｃに対向している。
【００３６】
ここで、画像形成パネル３３は、透過型の液晶パネルをライトバルブとして有している。
液晶パネルは、後述する複数の画素と、画素ごとに駆動が制御される液晶と、を有している。液晶パネルは、複数の画素に入射された光の偏光状態を、画素ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
画像形成パネル３３では、液晶パネルの複数の画素に入射された光の偏光状態を画素ごとに変化させることによって、画像形成パネル３３を透過した光で画像を形成することができる。
【００３７】
画像形成パネル３３を透過した光は、クロスダイクロイックプリズム３５に導かれる。
画像形成パネル３３Ｒを透過した光４１Ｒは、面３５ａからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
画像形成パネル３３Ｇを透過した光４１Ｇは、面３５ｂからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
画像形成パネル３３Ｂを透過した光４１Ｂは、面３５ｃからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
このため、面３５ａには、Ｒの画像が投影され、面３５ｂには、Ｇの画像が投影され、面３５ｃには、Ｂの画像が投影され得る。
【００３８】
クロスダイクロイックプリズム３５に入射した光４１Ｒ、光４１Ｇ及び光４１Ｂは、クロスダイクロイックプリズム３５によって合成される。つまり、クロスダイクロイックプリズム３５によって、Ｒの画像、Ｇの画像及びＢの画像が合成され得る。
クロスダイクロイックプリズム３５によって合成された光４１Ｒ、光４１Ｇ及び光４１Ｂは、画像光５５としてクロスダイクロイックプリズム３５の面３５ｄから射出される。
【００３９】
面３５ｄから射出された画像光５５は、投射レンズ部１５へ導かれてから、投射レンズ部１５に入射する。投射レンズ部１５に入射した画像光５５は、投射光１７（図１）としてスクリーン８などに投射される。
【００４０】
ここで、画像形成パネル３３の構成について、詳細を説明する。
画像形成パネル３３は、図３に示すように、液晶パネル６１と、位相差板６２と、位相差板６３と、偏光板６４ａと、偏光板６４ｂと、を有している。
ここで、画像形成パネル３３には、複数の画素６５が設定されている。複数の画素６５は、領域６７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリックスＭを構成している。
図３では、構成をわかりやすく示すため、画素６５が誇張され、且つ画素６５の個数が減じられている。
なお、Ｘ方向は、後述する走査線が延在する方向でもある。Ｙ方向は、後述する信号線が延在する方向でもある。
【００４１】
プロジェクター１では、画像形成パネル３３は、偏光板６４ｂ側の面６９が、図２に示すクロスダイクロイックプリズム３５側に向けられている。画像形成パネル３３では、面６９側に画像が形成（表示）される。従って、以下においては、面６９は、表示面６９と表記される。
領域６７は、画像が形成（表示）される領域に相当する。このため、以下において、領域６７は、表示領域６７と表記される。
【００４２】
液晶パネル６１は、図３中のＡ−Ａ線における断面図である図４に示すように、素子基板７１と、対向基板７３と、液晶７５と、シール材７７と、を有している。
素子基板７１には、表示面６９側すなわち液晶７５側に、複数の画素６５のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板７３は、素子基板７１よりも表示面６９側で素子基板７１に対向し、且つ素子基板７１との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板７３には、面７９側すなわち液晶７５側に、後述する対向電極などが設けられている。なお、面７９は、画像形成パネル３３における表示面６９とは反対側の底面に相当している。このため、以下において、面７９は、底面７９と表記される。
【００４３】
液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３の間に挟持されており、液晶パネル６１の周縁よりも内側で表示領域６７を囲むシール材７７によって、素子基板７１及び対向基板７３の間に封止されている。本実施形態では、液晶７５の駆動方式として、ＶＡ（Vertical Alignment）型の駆動方式が採用されている。
【００４４】
位相差板６２は、素子基板７１よりも底面７９側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。
位相差板６３は、対向基板７３よりも表示面６９側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。画像形成パネル３３では、位相差板６２及び位相差板６３は、それぞれ、入射された光に対して位相差を付与することで、画像形成パネルへ入射する光、ならびに画像形成パネルから射出する光の偏光状態を最適化することができる。
【００４５】
偏光板６４ａは、素子基板７１の底面７９側に設けられている。偏光板６４ｂは、位相差板６３の表示面６９側に設けられている。偏光板６４ａ及び偏光板６４ｂは、それぞれ、透過軸に沿った偏光軸を有する直線偏光を透過させることができる。
また、液晶パネル６１は、液晶パネル駆動回路２５と液晶パネル６１とを示すブロック図である図５に示すように、走査線駆動回路８１と、信号線駆動回路８３と、を有している。液晶パネル駆動回路２５と液晶パネル６１とは、それぞれ、電気光学装置の一例としての液晶装置８５の構成要素の１つである。
【００４６】
マトリックスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素６５が、図６に示すように、１つの画素列８７を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素６５が、１つの画素行８８を構成している。
【００４７】
ここで、液晶パネル６１の素子基板７１及び対向基板７３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板７１は、図６中のＣ−Ｃ線における断面図である図７に示すように、第１基板９３と、素子層９２とを有している。
第１基板９３は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６９側に向けられた第１面９３ａと、底面７９側に向けられた第２面９３ｂとを有している。
【００４８】
素子層９２は、第１基板９３の第１面９３ａに設けられている。素子層９２には、絶縁膜９５と、絶縁膜９７と、絶縁膜９９と、配向膜１０１とが含まれている。また、素子層９２には、図５にも示すように、画素６５ごとに、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子１０３と、画素電極１０５と、図示しない容量素子と、が含まれている。
【００４９】
絶縁膜９５は、図７に示すように、第１基板９３の第１面９３ａに設けられている。絶縁膜９７は、絶縁膜９５の表示面６９側に設けられている。絶縁膜９９は、絶縁膜９７の表示面６９側に設けられている。画素電極１０５は、絶縁膜９９の表示面６９側に設けられている。配向膜１０１は、画素電極１０５の表示面６９側に設けられている。
なお、絶縁膜９５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９５の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００５０】
ＴＦＴ素子１０３と、画素電極１０５とは、それぞれ、各画素６５に対応して設けられている。
ＴＦＴ素子１０３は、拡大図である図８に示すように、半導体層１０９と、ゲート電極１１１と、を有している。半導体層１０９は、絶縁膜９５の表示面６９側に設けられている。半導体層１０９は、ゲート絶縁膜１１３によって表示面６９側から覆われている。
【００５１】
半導体層１０９としては、例えば、単結晶シリコンや、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、半導体層１０９として、多結晶シリコンが採用されている。
ゲート絶縁膜１１３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜１１３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００５２】
ゲート電極１１１は、ゲート絶縁膜１１３を挟んで半導体層１０９に対向する位置に設けられている。
ゲート電極１１１の材料としては、例えば、多結晶シリコンなどにイオンなどを注入したものなどが採用され得る。また、ゲート電極１１１の材料として、モリブデン、タングステン、タンタル、クロムなどの金属や、これらを含む合金なども採用され得る。モリブデンやタングステンなどを含む合金としては、例えば、モリブデンシリサイドや、タングステンシリサイドなどが挙げられる。
本実施形態では、ゲート電極１１１として、多結晶シリコンにイオンなどを注入した所謂ポリシリコンゲートが採用されている。
【００５３】
本実施形態では、半導体層１０９は、チャネル領域１０９ａと、ソース領域１０９ｂと、ドレイン領域１０９ｃと、を有している。
チャネル領域１０９ａは、平面視でゲート電極１１１に重なっている。ソース領域１０９ｂ及びドレイン領域１０９ｃは、それぞれ、平面視でチャネル領域１０９ａの外側に設けられている。チャネル領域１０９ａは、ソース領域１０９ｂとドレイン領域１０９ｃとの間に設けられている。
なお、半導体層１０９としては、チャネル領域１０９ａとソース領域１０９ｂとの間や、チャネル領域１０９ａとドレイン領域１０９ｃとの間に、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域を設けた構成も採用され得る。
【００５４】
上記の構成を有するＴＦＴ素子１０３は、絶縁膜９７によって表示面６９側から覆われている。絶縁膜９７の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９７の材料として、酸化シリコンが採用されている。
絶縁膜９７及びゲート絶縁膜１１３には、コンタクトホール１１５ａと、コンタクトホール１１５ｂと、が設けられている。
コンタクトホール１１５ａは、ソース領域１０９ｂに及んでいる。コンタクトホール１１５ｂは、ドレイン領域１０９ｃに及んでいる。コンタクトホール１１５ａ内には、ソース電極１１７が設けられている。コンタクトホール１１５ｂ内には、ドレイン電極１１９が設けられている。
【００５５】
絶縁膜９７の表示面６９側には、図７に示すように、信号線Ｓが設けられている。信号線Ｓは、平面視でソース電極１１７に重なる位置に設けられている。信号線Ｓとソース電極１１７とは、互いに電気的につながっている。信号線Ｓは、ソース電極１１７を介して半導体層１０９のソース領域１０９ｂ（図８）に電気的につながっている。信号線Ｓは、図７に示すように、絶縁膜９９によって表示面６９側から覆われている。絶縁膜９９の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９９の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００５６】
ここで、図８に示すコンタクトホール１１５ｂは、絶縁膜９９の表示面６９側に及んでいる。ドレイン電極１１９は、図７に示すように、絶縁膜９９の表示面６９側に及んでいる。画素電極１０５とドレイン電極１１９とは、互いに電気的につながっている。画素電極１０５は、ドレイン電極１１９を介して半導体層１０９のドレイン領域１０９ｃ（図８）に電気的につながっている。
画素電極１０５としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や、インジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極１０５の材料として、ＩＴＯが採用されている。
【００５７】
画素電極１０５は、図７に示すように、配向膜１０１によって表示面６９側から覆われている。
配向膜１０１の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜１０１の材料として、ポリイミドが採用されている。なお、配向膜１０１には、表示面６９側に配向処理が施されている。
【００５８】
対向基板７３は、第２基板１２１と、対向層１２２とを有している。第２基板１２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６９側に向けられた外向面１２１ａと、底面７９側に向けられた対向面１２１ｂとを有している。
対向層１２２は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。対向層１２２には、絶縁膜１２３と、対向電極１２５と、配向膜１２７と、が含まれている。
絶縁膜１２３は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。絶縁膜１２３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜１２３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００５９】
対向電極１２５は、絶縁膜１２３の底面７９側に設けられている。対向電極１２５の材料としては、例えばＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、対向電極１２５の材料として、ＩＴＯが採用されている。
対向電極１２５は、マトリックスＭを構成する複数の画素６５（図３）にわたって一連した状態で設けられている。対向電極１２５は、マトリックスＭを構成する複数の画素６５に対して共通して機能する。
なお、本実施形態では、画素６５の領域は、図７に示すように、１つの画素電極１０５と、対向電極１２５とが重なり合う領域であると定義され得る。
【００６０】
配向膜１２７は、対向電極１２５の底面７９側に設けられている。対向電極１２５は、配向膜１２７によって底面７９側から覆われている。配向膜１２７の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜１２７の材料として、ポリイミドが採用されている。配向膜１２７には、底面７９側に配向処理が施されている。
【００６１】
ここで、Ｙ方向に並ぶ複数のソース電極１１７は、図９に示すように、信号線Ｓを介して、画素列８７（図５）単位で相互に電気的につながっている。
また、Ｘ方向に並ぶ複数のゲート電極１１１は、図９に示すように、走査線Ｔを介して、画素行８８（図５）単位で相互に電気的につながっている。
複数の信号線Ｓは、それぞれＹ方向に延びており、Ｘ方向に並んでいる。Ｘ方向に隣り合う信号線Ｓ同士の間には、隙間が設けられている。
複数の走査線Ｔは、それぞれＸ方向に延びており、Ｙ方向に並んでいる。Ｙ方向に隣り合う走査線Ｔ同士の間には、隙間が設けられている。
【００６２】
本実施形態では、図示しないがＸ方向に沿って延在する容量線が設けられている。容量線は、走査線Ｔに対応して、すなわち画素行８８（図５）ごとに設けられている。
本実施形態では、容量線は、図７に示す絶縁膜９５の表示面６９側に設けられており、絶縁膜９７によって表示面６９側から覆われている。容量線の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。なお、ゲート電極１１１（走査線Ｔ）と、容量線とは、図９に示すように、Ｙ方向に隙間をあけた状態で並んでいる。
【００６３】
画素６５は、複数の信号線Ｓと、複数の走査線Ｔとの各交差に対応して設定されている。
画素電極１０５は、図１０に示すように、互いに隣り合う信号線Ｓと、互いに隣り合う走査線Ｔとによって囲まれる領域に重なっている。なお、本実施形態では、画素電極１０５は、周縁部が信号線Ｓ及び走査線Ｔに重なっている。また、画素電極１０５は、容量線に重なっている。
これにより、液晶パネル６１では、容量線と画素電極１０５との間に、図５に示す容量素子が形成される。
なお、図８に示すＴＦＴ素子１０３の断面は、図１０中のＨ−Ｈ線における断面に相当している。
【００６４】
本実施形態では、液晶パネル６１は、図５に示すように、ｎ本（ｎは、１以上の整数）の走査線Ｔと、ｍ本（ｍは、１以上の整数）の信号線Ｓとを有している。なお、以下においてｎ本の走査線Ｔが個々に識別される場合に、走査線Ｔ（ｉ）という表記が用いられる。ｉは、１以上且つｎ以下の整数である。また、ｍ本の信号線Ｓが個々に識別される場合に、信号線Ｓ（ｊ）という表記が用いられる。ｊは、１以上且つｍ以下の整数である。
【００６５】
素子基板７１及び対向基板７３の間に介在する液晶７５は、図７に示すように、配向膜１０１と配向膜１２７との間に介在している。
本実施形態では、図４に示すシール材７７は、図７に示す第１基板９３の第１面９３ａと、第２基板１２１の対向面１２１ｂとによって挟持されている。つまり、液晶パネル６１では、液晶７５は、第１基板９３及び第２基板１２１によって保持されている。なお、シール材７７は、配向膜１０１及び配向膜１２７の間に設けられていてもよい。この場合、液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３に保持されているとみなされ得る。
【００６６】
液晶７５は、図７に示すように、Ｌ１なる厚みに設定されている。液晶７５は、入射した光を変調することができる。本実施形態では、液晶７５は、入射した光に位相差を付与することができる。これは、液晶７５のリタデーション（複屈折率と厚みＬ１との積）の設定により実現され得る。本実施形態では、入射した光に１／２波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。
【００６７】
液晶パネル６１では、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電圧を印加すると、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電界が発生する。液晶パネル６１では、ＴＦＴ素子１０３がオフ状態からオン状態に変化すると、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電界が発生する。この電界によって液晶７５の配向状態を画素６５ごとに変化させることができる。
本実施形態では、液晶７５に電界が作用すると、液晶７５がオン状態になる。他方で、液晶７５に作用する電界が解除されると、液晶７５がオフ状態になる。
プロジェクター１では、図２に示す画像形成部１３に光４１を照射した状態で、各液晶パネル６１における液晶７５の配向状態を画素６５ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶７５の配向状態は、ＴＦＴ素子１０３のオフ状態及びオン状態を切り替えることによって変化し得る。
【００６８】
図７に示す配向膜１０１及び配向膜１２７のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜１０１及び配向膜１２７によって、液晶７５の初期的な配向状態が規制される。
画像形成パネル３３では、液晶７５のオン状態及びオフ状態の切り替えにより、液晶７５を透過する光の偏光状態を制御し、画像の形成が制御される。
【００６９】
本実施形態では、液晶７５がオフ状態のときに画像形成パネル３３からの光の射出が遮断される所謂ノーマリーブラック（初期的に“黒表示”の状態）の表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリーブラックに限定されず、所謂ノーマリーホワイト（初期的に“白表示”の状態）も採用され得る。
ノーマリーブラックモードにおいて、最も暗い状態の透過率を相対透過率０％とし、最も明るい状態の透過率を相対透過率１００％としたとき、液晶７５に印加される電圧のうち、相対透過率が１０％となる電圧を光学的しきい値電圧といい、相対透過率が９０％となる電圧を光学的飽和電圧という。通常、光学的しきい値電圧がオフ電圧に相当し、光学的飽和電圧がオン電圧に相当する。電圧変調方式（アナログ駆動）において、液晶７５を中間調（灰色）とさせる場合には、液晶７５に光学的飽和電圧以下の電圧が印加されるように設計される。このため、液晶７５の透過率は、液晶７５の印加電圧にほぼ比例した値となる。
ノーマリーホワイトモードにおいては、液晶７５に印加される電圧のうち、相対透過率が９０％となる電圧を光学的しきい値電圧といい、相対透過率が１０％となる電圧を光学的飽和電圧という。本明細書では便宜上、ノーマリーホワイトモードにおいても光学的しきい値電圧がオフ電圧に相当し、光学的飽和電圧がオン電圧に相当する。
【００７０】
ここで、図５に示す液晶装置８５の駆動方法について説明する。
液晶パネル駆動回路２５は、図５に示すように、コントローラー１６１と、メモリー部１６３と、を有している。
コントローラー１６１には、図１に示す画像処理部２３を介して、垂直同期信号ＶＳＹＮＣと、水平同期信号ＨＳＹＮＣと、クロック信号ＤＣＬＫと、画像データＤＡＴＡと、が供給される。
【００７１】
メモリー部１６３には、１フレーム分の画像データＤＡＴＡが一時的に格納される。コントローラー１６１は、メモリー部１６３に格納された１フレーム分の画像データＤＡＴＡから、画素行８８単位の画像データｄａｔａを読み出す。コントローラー１６１は、読み出した画像データｄａｔａをシリアルデータとして信号線駆動回路８３に出力する。信号線駆動回路８３には、クロック信号ＣＬＸ、イネーブル信号ＥＮＢＸ及び極性反転信号ＦＲも、コントローラー１６１から入力される。
また、コントローラー１６１は、スタートパルスＤＹと、クロック信号ＣＬＹと、を走査線駆動回路８１に出力する。
【００７２】
ここで、本実施形態では、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割するサブフィールド駆動が採用されている。サブフィールド駆動では、サブフィールド期間ごとに液晶７５のオン状態及びオフ状態を制御することができる。
本実施形態では、１フレーム期間が、図１１に示すように、３２個のサブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２に分割される。本実施形態では、３２個のサブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２は、相互に同じ長さに設定される。
【００７３】
なお、以下においては、サブフィールド期間ＳＦ１〜サブフィールド期間ＳＦ３２という表記と、サブフィールド期間ＳＦという表記とが併用される。
垂直同期信号ＶＳＹＮＣは、フレーム期間の開始を規定する信号である。スタートパルスＤＹは、サブフィールド期間ＳＦの開始を規定する信号であり、垂直同期信号ＶＳＹＮＣを基準としてコントローラー１６１（図５）によって生成される。
【００７４】
走査線駆動回路８１は、図１２に示すように、シフトレジスター１６５を有している。スタートパルスＤＹ及びクロック信号ＣＬＹは、シフトレジスター１６５に入力される。
シフトレジスター１６５からは、選択信号ｇ（１）〜選択信号ｇ（ｎ）が出力される。選択信号ｇ（１）は、図５に示すように、走査線Ｔ（１）に供給される。選択信号ｇ（２）が走査線Ｔ（２）に供給され、選択信号ｇ（ｎ）が走査線Ｔ（ｎ）に供給される。
【００７５】
選択信号ｇ（ｉ）は、図１３に示すように、クロック信号ＣＬＹの半周期のパルス幅を有している。
選択信号ｇ（１）は、スタートパルスＤＹが立ち上がってからクロック信号ＣＬＹの２番目の変化点に基づいてＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。ここで、変化点とは、パルス信号がＬｏレベルからＨｉレベルに変化する時点と、パルス信号がＨｉレベルからＬｏレベルに変化する時点とを示す。
Ｈｉレベルに立ち上がった選択信号ｇ（１）は、図１２に示すシフトレジスター１６５によって、クロック信号ＣＬＹの変化点ごとに選択信号ｇ（２），ｇ（３），…，ｇ（ｎ）の順にシフトされていく。
【００７６】
選択信号ｇ（１）がＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がってから、選択信号ｇ（ｎ）がＨｉレベルからＬｏレベルに戻るまでの期間が、１垂直期間に相当している。本実施形態では、１垂直期間は、サブフィールド期間ＳＦよりも短い長さに設定されている。
なお、本実施形態では、スタートパルスＤＹが立ち上がってからクロック信号ＣＬＹの１番目の変化点に基づいて、イネーブル信号ＥＮＢＸがＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。
【００７７】
イネーブル信号ＥＮＢＸの１周期は、選択信号ｇ（ｉ）のパルス幅と同等に設定されている。イネーブル信号ＥＮＢＸは、ＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がった後に、選択信号ｇ（１）〜選択信号ｇ（ｎ）の各立ち上がりに基づいて、順次にＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がっていく。従って、イネーブル信号ＥＮＢＸは、１つのサブフィールド期間ＳＦ内で、ｎ＋１個の立ち上がりパルスを有している。
なお、本実施形態では、イネーブル信号ＥＮＢＸの１周期が１水平期間に相当している。
【００７８】
信号線駆動回路８３は、図１４に示すように、シフトレジスター１７１と、第１ラッチ回路１７３と、第２ラッチ回路１７５と、レベルシフター１７７と、を有している。
シフトレジスター１７１には、イネーブル信号ＥＮＢＸと、クロック信号ＣＬＸとが入力される。
第１ラッチ回路１７３には、シフトレジスター１７１からの出力信号（ラッチ信号ＬＴ（１）〜ラッチ信号ＬＴ（ｍ））と、画像データｄａｔａとが入力される。
第２ラッチ回路１７５には、第１ラッチ回路１７３からの出力信号と、イネーブル信号ＥＮＢＸとが入力される。
【００７９】
レベルシフター１７７には、第２ラッチ回路１７５からの出力信号と、極性反転信号ＦＲとが入力される。
レベルシフター１７７からは、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）が出力される。データ信号ｄ（１）は、図５に示すように、信号線Ｓ（１）に供給される。データ信号ｄ（２）が信号線Ｓ（２）に供給され、データ信号ｄ（ｍ）が信号線Ｓ（ｍ）に供給される。
【００８０】
シフトレジスター１７１は、イネーブル信号ＥＮＢＸを、クロック信号ＣＬＸの変化点ごとにシフトさせながら、ラッチ信号ＬＴ（１），ＬＴ（２），ＬＴ（３），…，ＬＴ（ｍ）として順次に出力していく。
第１ラッチ回路１７３は、２値信号である画像データｄａｔａを、ラッチ信号ＬＴ（ｊ）のＨｉレベルからＬｏレベルへの変化に基づいて順次にラッチしていく。
【００８１】
第２ラッチ回路１７５は、第１ラッチ回路１７３でラッチされた画像データｄａｔａのそれぞれを、イネーブル信号ＥＮＢＸにもとづいて一斉にラッチする。第２ラッチ回路１７５でラッチされた各画像データｄａｔａは、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）として、レベルシフター１７７を介して、信号線Ｓ（１）〜信号線Ｓ（ｍ）に一斉に供給される。
【００８２】
レベルシフター１７７は、極性反転信号ＦＲのレベルに応じて、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）に対応する電位を選択する。
液晶装置８５では、液晶７５をオン状態にするためのオン電圧と、オフ状態にするためのオフ電圧と、のいずれかの電圧が階調データに応じて選択される。ノーマリーブラックモードの場合、飽和電圧以上の駆動電圧であるオン電圧が印加された際には明表示となり、しきい値電圧以下の駆動電圧であるオフ電圧が印加された際には暗表示となる。反対に、ノーマリーホワイトモードの場合、オン電圧が印加された際には暗表示となり、オフ電圧が印加された際には明表示となる。
【００８３】
液晶装置８５では、液晶７５をオン状態にするためのオン電圧として、正極性電圧と負極性電圧とが設定されている。正極性電圧は、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも高い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。
負極性電圧は、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも低い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。
本実施形態では、対向電極１２５は、正極性電圧と負極性電圧とで同じ電位に設定される。また、本実施形態では、正極性電圧の絶対値と負極性電圧の絶対値とが、互いに同じ値に設定される。
【００８４】
液晶装置８５では、液晶７５をオフ状態にするためのオフ電圧として、基準電圧Ｖｃが設定される。
ところで、対向電極１２５への印加電圧ＬＣcomは、基準電圧Ｖｃよりも低位側に設定される。これは、ｎチャネル型のトランジスターでは、ゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン（画素電極１０５）の電位が低下する、というフィードスルーが発生するためである。仮に印加電圧ＬＣcomを基準電圧Ｖｃと一致させた場合、負極性書込による液晶素子の電圧実効値が、フィードスルーのために、正極性書込による電圧実効値よりも若干大きくなってしまう（トランジスターがｎチャネルの場合）。このため、フィードスルーの影響が相殺されるような適正値に、印加電圧ＬＣcomを基準電圧Ｖｃよりも低位側にオフセットして設定される。ただし、フィードスルーの影響が無視できるならば、印加電圧ＬＣcomと基準電圧Ｖｃとは一致するように設定される。
【００８５】
レベルシフター１７７は、極性反転信号ＦＲがＨｉレベルのときに、正極性電圧に対応する電位を、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）の電位として選択する。レベルシフター１７７は、極性反転信号ＦＲがＬｏレベルのときに、負極性電圧に対応する電位を、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）の電位として選択する。
【００８６】
極性反転信号ＦＲには、図１５に示すように、１フレーム期間内にＨｉレベルの期間とＬｏレベルの期間とが設定されている。
本実施形態では、極性反転信号ＦＲは、１フレーム期間の開始に基づいてＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。Ｈｉレベルに立ち上がった極性反転信号ＦＲは、サブフィールド期間ＳＦ１６の終了時点までＨｉレベルの状態が維持される。
【００８７】
また、本実施形態では、極性反転信号ＦＲは、サブフィールド期間ＳＦ１６の終了に基づいてＨｉレベルからＬｏレベルに変化する。Ｌｏレベルになった極性反転信号ＦＲは、サブフィールド期間ＳＦ３２の終了時点までＬｏレベルの状態が維持される。
つまり、本実施形態では、極性反転信号ＦＲは、１フレーム期間の前半においてＨｉレベルに維持され、１フレーム期間の後半においてＬｏレベルに維持される。
【００８８】
ラッチ信号ＬＴ（ｊ）は、図１６に示すように、クロック信号ＣＬＸの半周期のパルス幅を有している。
ラッチ信号ＬＴ（１）は、イネーブル信号ＥＮＢＸがＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がってからクロック信号ＣＬＸの３番目の変化点に基づいてＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。
Ｈｉレベルに立ち上がったラッチ信号ＬＴ（１）は、図１４に示すシフトレジスター１７１によって、クロック信号ＣＬＸの変化点ごとにラッチ信号ＬＴ（２），ＬＴ（３），…，ＬＴ（ｍ）の順にシフトしながら出力されていく。
【００８９】
このとき、図１４に示す第１ラッチ回路１７３は、ラッチ信号ＬＴ（１）のＨｉレベルからＬｏレベルへの変化に基づいて、信号線Ｓ（１）に対応する画像データｄａｔａ（１）をラッチする。同様に、第１ラッチ回路１７３は、ラッチ信号ＬＴ（ｊ）のＨｉレベルからＬｏレベルへの変化に基づいて、信号線Ｓ（ｊ）に対応する画像データｄａｔａ（ｊ）をラッチする。
【００９０】
第１ラッチ回路１７３から画像データｄａｔａ（ｊ）の出力を受ける第２ラッチ回路１７５は、次のイネーブル信号ＥＮＢＸのＨｉレベルからＬｏレベルへの変化に基づいて、画像データｄａｔａ（ｊ）をレベルシフター１７７に一斉に出力する。レベルシフター１７７に出力された画像データｄａｔａ（ｊ）は、極性反転信号ＦＲのレベルに応じた電位のデータ信号ｄ（ｊ）として、信号線Ｓ（ｊ）に一斉に供給される。
【００９１】
上述した画像データｄａｔａ（ｊ）のラッチ動作と、データ信号ｄ（ｊ）の出力動作とは、１つのサブフィールド期間ＳＦにおいて、走査線Ｔ（ｉ）の本数分だけ（本実施形態ではｎ回）繰り返される。これにより、１つのサブフィールド期間ＳＦにおける画像の形成が完了する。これらの動作をサブフィールド期間ＳＦ１からサブフィールド期間ＳＦ３２まで繰り返すことによって、１フレーム分の画像の形成が行われ得る。
本実施形態では、１フレーム期間において、サブフィールド期間ＳＦごとに液晶７５の駆動を選択的に制御することによって、１フレーム分の画像における階調表示が行われ得る。
【００９２】
本実施形態では、図１７に示すように、１フレーム期間は互いに長さが等しい３２個のサブフィールド期間ＳＦを有しており、３２個のサブフィールド期間ＳＦは、正極性サブフィールド期間Ｓ１乃至Ｓ１６と負極性サブフィールド期間Ｆ１乃至Ｆ１６とからなる。正極性サブフィールド期間Ｓ１乃至Ｓ１６の数は負極性サブフィールド期間Ｆ１乃至Ｆ１６の数と等しく、１６個である。１６個の正極性サブフィールド期間は互いに連続して配置され、１６個の負極性サブフィールド期間も互いに連続して配置されている。正極性サブフィールド期間では正極性電圧がオン電圧として選択され、負極性サブフィールド期間では負極性電圧がオン電圧として選択される。本明細書では、サブフィールド期間の極性を区別しない場合には、正極性サブフィールド期間Ｓ１乃至Ｓ１６と負極性サブフィールド期間Ｆ１乃至Ｆ１６とを、単にサブフィールド期間ＳＦと呼ぶ場合がある。
【００９３】
図１７に示した駆動電圧波形は、表示される複数の階調のうち一の階調に対するものである。液晶７５にオフ電圧を印加する、すなわち画素電極１０５と対向電極１２５との間に光学的しきい値電圧以下の駆動電圧を印加するサブフィールド期間ＳＦには、ハッチングが施されている。また、液晶７５にオン電圧を印加する、すなわち画素電極１０５と対向電極１２５との間に光学的飽和電圧以上の駆動電圧を印加するサブフィールド期間ＳＦには、ハッチングが施されていない。なお、図１７では、１フレーム期間内の１２個のサブフィールド期間ＳＦにおいて液晶７５をオン状態にする例が示されている。
【００９４】
図１７に示す例では、液晶７５をオン状態にする１２個のサブフィールド期間ＳＦは、６個の正極性サブフィールド期間Ｓ２，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ１０，Ｓ１２，Ｓ１４と、６個の負極性サブフィールド期間Ｆ２，Ｆ５，Ｆ６，Ｆ１０，Ｆ１１，Ｆ１４と、からなる。つまり、本実施形態では、１フレーム期間内において、液晶７５が正極性電圧によってオン状態にされる期間の長さが、負極性電圧によってオン状態にされる期間の長さと等しい。このことは、図５に示すコントローラー１６１が、液晶７５を正極性電圧でオン状態にする正極性サブフィールド期間ＳＦの数と、液晶７５を負極性電圧でオン状態にする負極性サブフィールド期間ＳＦの数と、を同等に配分することによって実現される。
【００９５】
ところで、正極性電圧は、前述したように、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも高い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。また、負極性電圧は、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも低い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。
このため、画素電極１０５と対向電極１２５との間に発生する電界には、正極性電圧によって発生する第１電界と、負極性電圧によって発生する第２電界とがある。そして、第１電界と第２電界とは、電界の向きが互いに反対の向きになる。これにより、液晶７５の誘電分極現象を、打ち消しやすくすることができる。
【００９６】
また、画素電極基板と対向電極基板の特性差（例えば仕事関数）によって、第１電界と第２電界の強度が異なることがある。この場合、正極性サブフィールド期間と負極性サブフィールド期間とを互いに異なる長さに設定することで、基板の特性差によって発生する電荷の偏りを打ち消しやすくすることができる。このように、正極性サブフィールド期間と負極性サブフィールド期間とを互いに異なる長さに設定した場合においても、正極性のオン電圧を印加する正極性サブフィールド期間とオフ電圧を印加する正極性サブフィールド期間との比率と、負極性のオン電圧を印加する負極性サブフィールド期間とオフ電圧を印加する負極性サブフィールド期間との比率とを、略等しい比率に保つことで、サブフィールド期間の長さによらず、全ての表示階調で、焼き付きを高精度に防止することができる。なお、正極性サブフィールド期間と負極性サブフィールド期間とが互いに異なる長さの場合、表示される階調が異なっても、正極性サブフィールド期間Ｓ１乃至Ｓ１６の長さの合計と、負極性サブフィールド期間Ｆ１乃至Ｆ１６の長さの合計との比率は、互いに等しく設定される。
本実施形態では、基板の特性差がない例として、正極性のオン電圧を印加する正極性サブフィールド期間と負極性のオン電圧を印加する負極性サブフィールド期間を、互いに等しい長さとすることで、焼き付きを高精度に防止することができる。
【００９７】
図１７は、本実施形態における正極性サブフィールド期間と負極性サブフィールド期間とを説明するタイミングチャートである。図１７には、垂直同期信号ＶＳＹＮＣ、極性反転信号ＦＲ、サブフィールド期間の配置（ＳＦ）、駆動電圧、輝度波形が、いずれも共通の時間軸に対して描かれている。
１６個の正極性サブフィールド期間Ｓ１乃至Ｓ１６は正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）をなしており、１６個の負極性サブフィールド期間Ｆ１乃至Ｆ１６は負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）をなしている。図１７に示す例では、オン電圧が選択される６個の正極性サブフィールド期間の正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）における配置の仕方は、オン電圧が選択される６個の負極性サブフィールド期間の負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）における配置の仕方とは異なっている。すなわち、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）においては、オン電圧が正極性サブフィールド期間Ｓ２，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ１０，Ｓ１２，Ｓ１４で選択され、オフ電圧が残りの正極性サブフィールド期間で選択される一方、負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）においては、オン電圧が負極性サブフィールド期間Ｆ２，Ｆ５，Ｆ６，Ｆ１０，Ｆ１１，Ｆ１４で選択され、オフ電圧が残りの負極性サブフィールド期間で選択される。
【００９８】
つまり、本実施形態では、１フレーム期間内において、液晶７５をオン状態にするサブフィールド期間の順序（分布）が、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）と負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）とで異なっている。本実施形態では、図５に示すコントローラー１６１が、液晶７５を正極性電圧でオン状態にする正極性サブフィールド期間ＳＦの配置と、液晶７５を負極性電圧でオン状態にする負極性サブフィールド期間ＳＦの配置と、を互いに異ならせるように決定する。このようにして決定されたサブフィールド配列に対して、液晶はオン状態もしくはオフ状態へと応答する。液晶の応答状態によって透過光の強度は変化するが、１フレーム期間における透過光強度の積分値によって階調が表現される。具体的には、ノーマリーブラック液晶の場合、１フレーム期間の全てがオン状態であるときを最大階調とし、１フレーム期間の全てがオフ状態であるときを０階調とすることができる。１フレーム期間に、オン状態と、オフ状態と、オン状態からオフ状態への過渡状態と、オフ状態からオン状態への過渡状態のうちの２つ以上を混在させることで中間階調を表現できる。したがって、１フレーム期間における、オン電圧を印加する期間とオフ電圧を印加する期間の比率と、オン電圧とオフ電圧の配列を制御することで、様々な階調を表示することができる。
【００９９】
従来手法によれば、１フレーム期間内において、液晶７５を正極性電圧でオン状態にする正極性サブフィールド期間の正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）における配置の仕方と、液晶７５を負極性電圧でオン状態にする負極性サブフィールド期間の負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）における配置の仕方と、は互いに同じであった。しかし、本実施形態では、１フレーム期間内において、液晶７５を正極性電圧でオン状態にする正極性サブフィールド期間の正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３・・・Ｓ１６）における配置の仕方と、液晶７５を負極性電圧でオン状態にする負極性サブフィールド期間の負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）における配置の仕方と、を互いに異ならせている。そのため、焼き付き現象の発生を防止しながら、表現できる階調数を増大できる。
【０１００】
その理由を、図１７を用いてさらに詳細に説明する。図１７の例によれば、液晶の応答時間の影響により、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）において得られる透過率の積分値は、負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）において得られる透過率の積分値よりもわずかに小さい。これは、互いに連続している負極性サブフィールド期間Ｆ５とＦ６とにおいてオン電圧が選択されているために、液晶にオン電圧が印加されている期間が１個のサブフィールド期間ＳＦの期間よりも長くなることで、高い透過率まで到達できるためである。具体的には、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）においては、例えば正極性サブフィールド期間Ｓ４とＳ５のように、オン電圧が印加される正極性サブフィールド期間Ｓ４の後にはオフ電圧が印加される正極性サブフィールド期間Ｓ５が配置されている。このようにオン電圧が互いに分離されて印加される配置においては、オン電圧が印加されるサブフィールド期間ＳＦの開始時においては液晶が駆動されていない状態であり、液晶の応答性に依存して、透過率が徐々に増加する挙動を示す。
【０１０１】
これに対して、負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）においては、たとえば負極性サブフィールド期間Ｆ５とＦ６のように、オン電圧が印加される負極性サブフィールド期間Ｆ５の後に続いて、さらにオン電圧が印加される負極性サブフィールド期間Ｆ６が配置されている。互いに隣り合う２つのサブフィールド期間ＳＦでオン電圧が連続して印加されると、後段のサブフィールド期間ＳＦの開始時には、前段のサブフィールド期間ＳＦにおけるオン電圧によって液晶が駆動され透過率が高い状態となっている。よって、後段のサブフィールド期間ＳＦにおいては、開始時から透過率が高い上に、その後さらにオン電圧が印加されるため、透過率がより一層高くなる。このため、この後段のサブフィールド期間ＳＦにおける透過光の積分値は、オン電圧が独立して印加されるサブフィールド期間ＳＦにおける透過光の積分値より大きくなる。
【０１０２】
このような作用により、図１７においては、負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）において得られる透過率の積分値は、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）において得られる透過率の積分値より大きくなる。このため、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）と負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３・・・Ｆ１６）とでオン電圧が印加されるサブフィールド期間ＳＦの配置の仕方を互いに異ならせると、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）と負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）とでオン電圧が印加されるサブフィールド期間ＳＦの配置の仕方を互いに同じにした場合とは異なる透過率を実現できる。
【０１０３】
このように、１フレーム期間においてオン電圧が印加されるサブフィールド期間ＳＦの数が同じであっても、オン電圧が印加されるサブフィールド期間ＳＦの配置を制御することによって、複数レベルの階調を表現することができる。このため、中間階調を表現するうえで、表現可能な透過率のレベル数が増大するため、より高精度な階調表現が可能となる。
【０１０４】
［第２実施形態］
第１実施形態では、１フレーム期間の前半に正極性サブフィールド期間Ｓ１乃至Ｓ１６を連続して配置し、後半に負極性サブフィールド期間Ｆ１乃至Ｆ１６を連続して配置した例を示したが、これに限定するものではない。図１８に示すように、１フレーム期間内において、例えば、正極性サブフィールド期間と負極性サブフィールド期間とを交互に配置する構成としても良い。ここでは、負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）においては、負極性サブフィールド期間Ｆ２，Ｆ５，Ｆ８，Ｆ１１，Ｆ１３においてオン電圧が印加され、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）においては、正極性サブフィールド期間Ｓ２，Ｓ６，Ｓ８，Ｓ１０，Ｓ１４においてオン電圧が印加されている。このように、オン電圧が選択されている正極性サブフィールド期間の正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）における配置の仕方と、オン電圧が選択されている負極性サブフィールド期間の負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）における配置の仕方とは、互いに異なっている。
本実施形態においても、負極性サブフィールド期間Ｆ２と正極性サブフィールド期間Ｓ２のようにオン電圧が連続して印加される場合の透過率は、オン電圧が分離されて印加される場合よりも高くなる。これにより、第１実施形態で得られる効果に加えて、液晶７５に印加される電圧の極性反転に起因して発生するフリッカを抑制することができる。フィールドスルーおよびオフリークの影響により、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）と負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）とで、液晶に印加される実効電圧が異なる場合がある。極性反転周波数が高ければ、極性反転による実効電圧が変動しても、液晶応答が追従できなくなるため、フリッカーのない安定した階調表示を実現できる。
【０１０５】
なお、いずれの実施形態においても、それぞれ、液晶７５の駆動方式としてＶＡ型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶７５の駆動方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型等の種々の方式も採用され得る。
【０１０６】
上述した液晶装置８５は、例えば、図１９に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に液晶装置８５が適用されているので、表示部５１０における液晶７５の焼き付きを効果的に軽減することができる。
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピューター、デジタルスチールカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【符号の説明】
【０１０７】
１…プロジェクター、５…制御回路、１３…画像形成部、２０…画像形成部、２１…制御部、２５…液晶パネル駆動回路、３３…画像形成パネル、６１…液晶パネル、６５…画素、６７…表示領域、６９…表示面、７１…素子基板、７３…対向基板、７５…液晶、７９…底面、８１…走査線駆動回路、８３…信号線駆動回路、８５…液晶装置、９３…第１基板、１０３…ＴＦＴ素子、１０５…画素電極、１２１…第２基板、１２５…対向電極、１６１…コントローラー、１６３…メモリー部、１６５…シフトレジスター、１７１…シフトレジスター、１７３…第１ラッチ回路、１７５…第２ラッチ回路、１７７…レベルシフター、５００…電子機器、ｄ（１）〜ｄ（ｍ）…データ信号、Ｓｒ（１）〜Ｓｒ（ｎ）…シフト信号、ｇ（１）〜ｇ（ｎ）…選択信号、Ｓ（１）〜Ｓ（ｍ）…信号線、Ｔ（１）〜Ｔ（ｎ）…走査線。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一例として、液晶装置について説明する。従来から、液晶表示装置の駆動方法として、サブフィールド駆動が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１４８４１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
サブフィールド駆動では、１フィールド期間が、複数のサブフィールド期間に分割される。液晶のオン状態及びオフ状態は、サブフィールドごとに制御される。これにより、液晶装置での階調表示が実現され得る。
【０００５】
ところで、上記特許文献１には、１フィールドごとにデータ書き込み極性を反転させることが記載されている。これにより、液晶に作用する電界の向きを、１フィールドごとに反転させることができる。この結果、液晶装置における焼き付きと呼ばれる現象を軽減することができる。
【０００６】
また、上記特許文献１には、１フィールド期間の透過光の積分値が階調データと対応するように、オン電圧およびオフ電圧が決定されることが記載されている。１フィールド期間のサブフィールド数が多いほど、表現できる階調数が多くなることが知られている。
【０００７】
しかしながら、従来の液晶装置では、焼き付きを防止しながら階調数を増大させることが困難であるという課題があった。具体的には、片極性である１フィールドごとに階調データが決定される場合、正極性フィールドと負極性フィールドで同じ階調データとすることで、焼き付きを軽減することはできるものの、表現できる階調数は、片極性の期間内のサブフィールド数によって制限されてしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一つを解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００９】
《適用例１》走査線とデータ線との交点に対応して設けられたスイッチングトランジスターと、該スイッチングトランジスターに接続され、該データ線から該スイッチングトランジスターを介して電位が供給される画素電極と、対向電極と、該画素電極と該対向電極との間に発生する電界が印加される電気光学層と、該走査線及び該データ線を駆動する駆動回路と、を有し、フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、前記サブフィールド期間ごとに、前記電界を発生させるために前記画素電極と前記対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、前記電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する電気光学装置であって、前記複数のサブフィールド期間は、複数の正極性サブフィールド期間と、複数の負極性サブフィールド期間と、からなり、前記フレーム期間において、前記正極性サブフィールド期間の数は、前記負極性サブフィールド期間の数と等しく、前記正極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より高い場合の前記駆動電圧である正極性電圧が前記オン電圧として選択され、前記負極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低い場合の前記駆動電圧である負極性電圧が前記オン電圧として選択され、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間とにおいて、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位と略等しい場合の前記駆動電圧が前記オフ電圧として選択され、前記駆動回路は、表示される前記階調に応じて、前記フレーム期間における前記オン電圧の印加期間と前記オフ電圧の印加期間との比率、並びに前記オン電圧が選択されるサブフィールド期間の配列及び前記オフ電圧が選択されるサブフィールド期間の配列を決定し、前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間からなる列を正極性サブフィールド列とし、複数の前記負極性サブフィールド期間からなる列を負極性サブフィールド列としたとき、前記正極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される正極性サブフィールド期間の配置と、前記負極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される負極性サブフィールド期間の配置とが互いに異なることを特徴とする電気光学装置。
【００１０】
この電気光学装置では、１フレーム期間内において、電気光学層に正極性電圧と、負極性電圧を印加し、複数の階調を表示する。
これにより、この電気光学装置では、焼き付きの要因の１つを１フレーム期間内で解消しやすくすることができるので、焼き付きを効果的に軽減することができる。
【００１１】
この電気光学装置では、フレーム期間における透過光の積分値が、複数の階調のうちいずれかの階調に対応するように、オン電圧の印加期間とオフ電圧の印加期間との比率、及びオン電圧及びオフ電圧の配列を決定し、フレーム期間は、オン電圧が正極性電圧となる正極性サブフィールド期間と、オン電圧が負極性電圧となる負極性サブフィールド期間とを有し、複数の正極性サブフィールド期間からなる正極性サブフィールド列と複数の負極性期間からなる負極性サブフィールド列との間で、オン電圧及びオフ電圧の印加期間の配置を互いに異ならせることができる。
これにより、この電気光学装置では、オン電圧を印加するサブフィールドの配置の自由度を高めることができる。液晶の応答特性によって、サブフィールド配置が異なることで、フレーム期間内における透過光の積分値が異なることから、表現できる階調数を高めることができる。
【００１２】
《適用例２》上記適用例に記載の前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間の長さの合計と、複数の前記負極性サブフィールド期間の長さの合計との比率は、前記複数の階調間で互いに等しいことが好ましい。
【００１３】
《適用例３》上記適用例に記載の前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間のうち前記オン電圧が選択される正極性サブフィールド期間の数は、複数の前記負極性サブフィールド期間のうち前記オン電圧が選択される負極性サブフィールド期間の数と等しいことが好ましい。
【００１４】
《適用例４》上記適用例に記載の前記フレーム期間の前半に、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間のうちいずれかが互いに連続して配置され、前記フレーム期間の後半に、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間のうち他方が互いに連続して配置されていることが好ましい。
【００１５】
《適用例５》上記適用例に記載の前記フレーム期間において、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間とが交互に配置されていることが好ましい。
【００１６】
《適用例６》上記適用例に記載の電気光学装置を具備した電子機器。
【００１７】
《適用例７》走査線とデータ線との交点に対応して設けられたスイッチングトランジスターと、該スイッチングトランジスターに接続され、該データ線から該スイッチングトランジスターを介して電位が供給される画素電極と、対向電極と、該画素電極と該対向電極との間に発生する電界が印加される電気光学層と、該走査線及び該データ線を駆動する駆動回路と、を有し、フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、前記サブフィールド期間ごとに、前記電界を発生させるために前記画素電極と前記対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、前記電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する電気光学装置の駆動方法であって、前記複数のサブフィールド期間は、複数の正極性サブフィールド期間と、複数の負極性サブフィールド期間と、からなり、前記フレーム期間において、前記正極性サブフィールド期間の数は、前記負極性サブフィールド期間の数と等しく、前記正極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より高い場合の前記駆動電圧である正極性電圧が前記オン電圧として選択され、前記負極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低い場合の前記駆動電圧である負極性電圧が前記オン電圧として選択され、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間とにおいて、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位と略等しい場合の前記駆動電圧が前記オフ電圧として選択され、表示される前記階調に応じて、前記フレーム期間における前記オン電圧の印加期間と前記オフ電圧の印加期間との比率、並びに前記オン電圧が選択されるサブフィールド期間の配列及び前記オフ電圧が選択されるサブフィールド期間の配列を決定し、前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間からなる列を正極性サブフィールド列とし、複数の前記負極性サブフィールド期間からなる列を負極性サブフィールド列としたとき、前記正極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される正極性サブフィールド期間の配置と、前記負極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される負極性サブフィールド期間の配置とが互いに異なることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１実施形態におけるプロジェクターの主要構成を示すブロック図。
【図２】第１実施形態におけるプロジェクターの画像形成部の主要構成を示す図。
【図３】第１実施形態におけるプロジェクターの画像形成パネルを示す斜視図。
【図４】図３中のＡ−Ａ線における断面図。
【図５】第１実施形態での液晶パネル駆動回路と液晶パネルとを示す回路図。
【図６】第１実施形態での画像形成パネルにおける複数の画素の一部を示す平面図。
【図７】第１実施形態での液晶パネルの図６中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図８】図７中のＴＦＴ素子の拡大図。
【図９】第１実施形態での半導体層、信号線及び走査線の配置を説明する平面図。
【図１０】第１実施形態での画素電極の配置を説明する平面図。
【図１１】第１実施形態でのサブフィールド期間を説明するタイミングチャート。
【図１２】第１実施形態での走査線駆動回路を説明するブロック図。
【図１３】第１実施形態での選択信号を説明するタイミングチャート。
【図１４】第１実施形態での信号線駆動回路を説明するブロック図。
【図１５】第１実施形態での極性反転信号を説明するタイミングチャート。
【図１６】第１実施形態でのラッチ信号を説明するタイミングチャート。
【図１７】第１実施形態での正極性期間と負極性期間とを説明するタイミングチャート。
【図１８】第２実施形態での駆動電圧波形を説明するタイミングチャート。
【図１９】第１実施形態の液晶装置が適用された電子機器の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
実施形態について、電子機器の１つであるプロジェクターを例に、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
［第１実施形態］
第１実施形態におけるプロジェクター１は、主要構成を示すブロック図である図１に示すように、光学系３と、制御回路５と、電源部７と、を有している。プロジェクター１は、図示しない外部装置から入力される画像信号に応じた画像を、光学系３を介してスクリーン８などに投射することができる。
【００２１】
光学系３は、画像信号に基づいた画像を形成し、形成した画像をスクリーン８などに投射する。制御回路５は、画像信号に基づいて光学系３の駆動を制御する。
なお、プロジェクター１では、外部電源９から入力される電力が、電源部７によって直流電力に変換される。光学系３や制御回路５などには、電源部７から直流電力が供給される。
【００２２】
光学系３は、ランプ１１と、画像形成部１３と、投射レンズ部１５と、を有している。
ランプ１１は、画像形成部１３や投射レンズ部１５を経てスクリーン８に向けて射出される投射光１７を発生する。ランプ１１としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。
【００２３】
画像形成部１３は、後述する液晶パネルなどを有している。画像形成部１３は、制御回路５から入力される画像データなどに基づいて液晶パネルに画像を形成する。画像形成部１３には、ランプ１１からの光が照射される。このため、画像形成部１３に形成された画像は、ランプ１１からの光によって投射レンズ部１５に投影される。
【００２４】
投射レンズ部１５には、ランプ１１からの光が画像形成部１３を経て入射される。投射レンズ部１５は、入射された光を広げる方向に屈折させて、投射光１７として射出する。このため、画像形成部１３に形成された画像は、拡大された状態でスクリーン８に投射され得る。
【００２５】
制御回路５は、制御部２１と、画像処理部２３と、液晶パネル駆動回路２５と、を有している。
制御部２１は、例えば、マイクロコンピューターで構成され、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２７と、メモリー部２９と、を有している。
ＣＰＵ２７は、メモリー部２９に格納されている制御プログラムに従って、プロジェクター１の動作を統括制御する。メモリー部２９は、フラッシュメモリー等のＲＯＭ（Read Only Memory）や、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を含んでいる。ＲＯＭには、ＣＰＵ２７が実行する制御プログラムなどが格納されている。ＲＡＭは、ＣＰＵ２７によって実行される制御プログラムを一時的に展開したり、各種設定値等を一時的に格納したりする。
【００２６】
画像処理部２３には、画像信号が入力される。画像処理部２３は、制御部２１からの指示に基づいて、画像信号に種々の処理を施す。また、画像処理部２３は、画像信号を画像データに変換する。画像信号から変換された画像データは、液晶パネル駆動回路２５に出力される。
なお、画像処理部２３が画像信号に施す処理としては、各種の画質調整や、メニュー、メッセージ等のＯＳＤ（オンスクリーンディスプレー）画像を合成する処理などが挙げられる。また、各種の画質調整としては、解像度変換、輝度調整、コントラスト調整、シャープネス調整などが挙げられる。
液晶パネル駆動回路２５は、入力された画像データに応じて、画像形成部１３の駆動を制御する。
【００２７】
ここで、画像形成部１３の構成について、詳細を説明する。
画像形成部１３は、主要構成を示す図である図２に示すように、分光部３１と、画像形成パネル３３と、クロスダイクロイックプリズム３５と、を有している。
分光部３１には、ランプ１１からの光４１が入射される。分光部３１は、光４１から、赤系（Ｒ）の色の光４１Ｒ、緑系（Ｇ）の色の光４１Ｇ、及び青系（Ｂ）の色の光４１Ｂのそれぞれを分離する。
【００２８】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光４１Ｒは、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光４１Ｇは、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光４１Ｂは、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００２９】
分光部３１は、ダイクロイックミラー４３と、ダイクロイックミラー４５と、反射ミラー４７と、反射ミラー４８と、反射ミラー４９と、を有している。光４１は、光軸５１ａに沿って分光部３１に入射する。
ダイクロイックミラー４３は、光軸５１ａと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー４３は、光軸５１ａの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー４３は、光４１のうちで、Ｒの光４１Ｒを透過させ、Ｇの光４１Ｇ及びＢの光４１Ｂを反射させることができる。
【００３０】
従って、ダイクロイックミラー４３によって、光４１からＲの光４１Ｒが分離され得る。他方で、Ｇの光４１Ｇ及びＢの光４１Ｂが混合した光５３が、ダイクロイックミラー４３によって、光４１から分離され得る。
ダイクロイックミラー４３を透過した光４１Ｒは、光軸５１ａに沿って反射ミラー４７へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー４３によって反射された光５３は、光軸５１ａが光軸５１ｂに変えられてから、ダイクロイックミラー４５へ導かれる。
【００３１】
ダイクロイックミラー４５は、光軸５１ｂと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー４５は、光軸５１ｂの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー４５は、光５３のうちで、Ｂの光４１Ｂを透過させ、Ｇの光４１Ｇを反射させることができる。従って、ダイクロイックミラー４５によって、光５３からＧの光４１ＧとＢの光４１Ｂとが分離され得る。
ダイクロイックミラー４５を透過した光４１Ｂは、光軸５１ｂに沿って反射ミラー４８へ導かれる。
他方で、ダイクロイックミラー４５によって反射された光４１Ｇは、光軸５１ｂが光軸５１ｃに変えられる。
【００３２】
反射ミラー４７は、光４１Ｒの光軸５１ａと交差する位置に設けられている。反射ミラー４７は、光軸５１ａの方向に対して傾斜している。光４１Ｒは、反射ミラー４７で反射することによって、光軸５１ａが光軸５１ｄに変えられる。
反射ミラー４８は、光４１Ｂの光軸５１ｂと交差する位置に設けられている。反射ミラー４８は、光軸５１ｂの方向に対して傾斜している。光４１Ｂは、反射ミラー４８によって光軸５１ｂが光軸５１ｅに変えられてから、反射ミラー４９に導かれる。
反射ミラー４９は、光４１Ｂの光軸５１ｅと交差する位置に設けられている。反射ミラー４９は、光軸５１ｅの方向に対して傾斜している。光４１Ｂは、反射ミラー４９で反射することによって、光軸５１ｅが光軸５１ｆに変えられる。
【００３３】
クロスダイクロイックプリズム３５は、光軸５１ｃ、光軸５１ｄ及び光軸５１ｆの交点に重なる位置に設けられている。クロスダイクロイックプリズム３５は、面３５ａと、面３５ｂと、面３５ｃと、面３５ｄと、を有している。
面３５ａは、反射ミラー４７側に向けられている。面３５ｂは、ダイクロイックミラー４５側に向けられている。面３５ｃは、反射ミラー４９側に向けられている。
【００３４】
画像形成パネル３３は、光４１Ｒ、光４１Ｇ及び光４１Ｂごとに設けられている。つまり、プロジェクター１は、光４１Ｒに対応する画像形成パネル３３と、光４１Ｇに対応する画像形成パネル３３と、光４１Ｂに対応する画像形成パネル３３と、を有している。なお、以下において、画像形成パネル３３を光４１Ｒ、光４１Ｇ及び光４１Ｂごとに識別する場合には、画像形成パネル３３は、画像形成パネル３３Ｒ、画像形成パネル３３Ｇ及び画像形成パネル３３Ｂと表記される。
画像形成パネル３３Ｒ、画像形成パネル３３Ｇ及び画像形成パネル３３Ｂは、相互に同じ仕様の画像形成パネル３３が採用され得る。
【００３５】
画像形成パネル３３Ｒは、面３５ａと反射ミラー４７との間において、光軸５１ｄに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｒは、面３５ａに対向している。
画像形成パネル３３Ｇは、面３５ｂとダイクロイックミラー４５との間において、光軸５１ｃに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｇは、面３５ｂに対向している。
画像形成パネル３３Ｂは、面３５ｃと反射ミラー４９との間において、光軸５１ｆに交差する位置に設けられている。画像形成パネル３３Ｂは、面３５ｃに対向している。
【００３６】
ここで、画像形成パネル３３は、透過型の液晶パネルをライトバルブとして有している。
液晶パネルは、後述する複数の画素と、画素ごとに駆動が制御される液晶と、を有している。液晶パネルは、複数の画素に入射された光の偏光状態を、画素ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
画像形成パネル３３では、液晶パネルの複数の画素に入射された光の偏光状態を画素ごとに変化させることによって、画像形成パネル３３を透過した光で画像を形成することができる。
【００３７】
画像形成パネル３３を透過した光は、クロスダイクロイックプリズム３５に導かれる。
画像形成パネル３３Ｒを透過した光４１Ｒは、面３５ａからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
画像形成パネル３３Ｇを透過した光４１Ｇは、面３５ｂからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
画像形成パネル３３Ｂを透過した光４１Ｂは、面３５ｃからクロスダイクロイックプリズム３５に入射する。
このため、面３５ａには、Ｒの画像が投影され、面３５ｂには、Ｇの画像が投影され、面３５ｃには、Ｂの画像が投影され得る。
【００３８】
クロスダイクロイックプリズム３５に入射した光４１Ｒ、光４１Ｇ及び光４１Ｂは、クロスダイクロイックプリズム３５によって合成される。つまり、クロスダイクロイックプリズム３５によって、Ｒの画像、Ｇの画像及びＢの画像が合成され得る。
クロスダイクロイックプリズム３５によって合成された光４１Ｒ、光４１Ｇ及び光４１Ｂは、画像光５５としてクロスダイクロイックプリズム３５の面３５ｄから射出される。
【００３９】
面３５ｄから射出された画像光５５は、投射レンズ部１５へ導かれてから、投射レンズ部１５に入射する。投射レンズ部１５に入射した画像光５５は、投射光１７（図１）としてスクリーン８などに投射される。
【００４０】
ここで、画像形成パネル３３の構成について、詳細を説明する。
画像形成パネル３３は、図３に示すように、液晶パネル６１と、位相差板６２と、位相差板６３と、偏光板６４ａと、偏光板６４ｂと、を有している。
ここで、画像形成パネル３３には、複数の画素６５が設定されている。複数の画素６５は、領域６７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリックスＭを構成している。
図３では、構成をわかりやすく示すため、画素６５が誇張され、且つ画素６５の個数が減じられている。
なお、Ｘ方向は、後述する走査線が延在する方向でもある。Ｙ方向は、後述する信号線が延在する方向でもある。
【００４１】
プロジェクター１では、画像形成パネル３３は、偏光板６４ｂ側の面６９が、図２に示すクロスダイクロイックプリズム３５側に向けられている。画像形成パネル３３では、面６９側に画像が形成（表示）される。従って、以下においては、面６９は、表示面６９と表記される。
領域６７は、画像が形成（表示）される領域に相当する。このため、以下において、領域６７は、表示領域６７と表記される。
【００４２】
液晶パネル６１は、図３中のＡ−Ａ線における断面図である図４に示すように、素子基板７１と、対向基板７３と、液晶７５と、シール材７７と、を有している。
素子基板７１には、表示面６９側すなわち液晶７５側に、複数の画素６５のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板７３は、素子基板７１よりも表示面６９側で素子基板７１に対向し、且つ素子基板７１との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板７３には、面７９側すなわち液晶７５側に、後述する対向電極などが設けられている。なお、面７９は、画像形成パネル３３における表示面６９とは反対側の底面に相当している。このため、以下において、面７９は、底面７９と表記される。
【００４３】
液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３の間に挟持されており、液晶パネル６１の周縁よりも内側で表示領域６７を囲むシール材７７によって、素子基板７１及び対向基板７３の間に封止されている。本実施形態では、液晶７５の駆動方式として、ＶＡ（Vertical Alignment）型の駆動方式が採用されている。
【００４４】
位相差板６２は、素子基板７１よりも底面７９側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。
位相差板６３は、対向基板７３よりも表示面６９側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。画像形成パネル３３では、位相差板６２及び位相差板６３は、それぞれ、入射された光に対して位相差を付与することで、画像形成パネルへ入射する光、ならびに画像形成パネルから射出する光の偏光状態を最適化することができる。
【００４５】
偏光板６４ａは、素子基板７１の底面７９側に設けられている。偏光板６４ｂは、位相差板６３の表示面６９側に設けられている。偏光板６４ａ及び偏光板６４ｂは、それぞれ、透過軸に沿った偏光軸を有する直線偏光を透過させることができる。
また、液晶パネル６１は、液晶パネル駆動回路２５と液晶パネル６１とを示すブロック図である図５に示すように、走査線駆動回路８１と、信号線駆動回路８３と、を有している。液晶パネル駆動回路２５と液晶パネル６１とは、それぞれ、電気光学装置の一例としての液晶装置８５の構成要素の１つである。
【００４６】
マトリックスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素６５が、図６に示すように、１つの画素列８７を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素６５が、１つの画素行８８を構成している。
【００４７】
ここで、液晶パネル６１の素子基板７１及び対向基板７３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板７１は、図６中のＣ−Ｃ線における断面図である図７に示すように、第１基板９３と、素子層９２とを有している。
第１基板９３は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６９側に向けられた第１面９３ａと、底面７９側に向けられた第２面９３ｂとを有している。
【００４８】
素子層９２は、第１基板９３の第１面９３ａに設けられている。素子層９２には、絶縁膜９５と、絶縁膜９７と、絶縁膜９９と、配向膜１０１とが含まれている。また、素子層９２には、図５にも示すように、画素６５ごとに、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子１０３と、画素電極１０５と、図示しない容量素子と、が含まれている。
【００４９】
絶縁膜９５は、図７に示すように、第１基板９３の第１面９３ａに設けられている。絶縁膜９７は、絶縁膜９５の表示面６９側に設けられている。絶縁膜９９は、絶縁膜９７の表示面６９側に設けられている。画素電極１０５は、絶縁膜９９の表示面６９側に設けられている。配向膜１０１は、画素電極１０５の表示面６９側に設けられている。
なお、絶縁膜９５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９５の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００５０】
ＴＦＴ素子１０３と、画素電極１０５とは、それぞれ、各画素６５に対応して設けられている。
ＴＦＴ素子１０３は、拡大図である図８に示すように、半導体層１０９と、ゲート電極１１１と、を有している。半導体層１０９は、絶縁膜９５の表示面６９側に設けられている。半導体層１０９は、ゲート絶縁膜１１３によって表示面６９側から覆われている。
【００５１】
半導体層１０９としては、例えば、単結晶シリコンや、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、半導体層１０９として、多結晶シリコンが採用されている。
ゲート絶縁膜１１３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜１１３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００５２】
ゲート電極１１１は、ゲート絶縁膜１１３を挟んで半導体層１０９に対向する位置に設けられている。
ゲート電極１１１の材料としては、例えば、多結晶シリコンなどにイオンなどを注入したものなどが採用され得る。また、ゲート電極１１１の材料として、モリブデン、タングステン、タンタル、クロムなどの金属や、これらを含む合金なども採用され得る。モリブデンやタングステンなどを含む合金としては、例えば、モリブデンシリサイドや、タングステンシリサイドなどが挙げられる。
本実施形態では、ゲート電極１１１として、多結晶シリコンにイオンなどを注入した所謂ポリシリコンゲートが採用されている。
【００５３】
本実施形態では、半導体層１０９は、チャネル領域１０９ａと、ソース領域１０９ｂと、ドレイン領域１０９ｃと、を有している。
チャネル領域１０９ａは、平面視でゲート電極１１１に重なっている。ソース領域１０９ｂ及びドレイン領域１０９ｃは、それぞれ、平面視でチャネル領域１０９ａの外側に設けられている。チャネル領域１０９ａは、ソース領域１０９ｂとドレイン領域１０９ｃとの間に設けられている。
なお、半導体層１０９としては、チャネル領域１０９ａとソース領域１０９ｂとの間や、チャネル領域１０９ａとドレイン領域１０９ｃとの間に、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域を設けた構成も採用され得る。
【００５４】
上記の構成を有するＴＦＴ素子１０３は、絶縁膜９７によって表示面６９側から覆われている。絶縁膜９７の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９７の材料として、酸化シリコンが採用されている。
絶縁膜９７及びゲート絶縁膜１１３には、コンタクトホール１１５ａと、コンタクトホール１１５ｂと、が設けられている。
コンタクトホール１１５ａは、ソース領域１０９ｂに及んでいる。コンタクトホール１１５ｂは、ドレイン領域１０９ｃに及んでいる。コンタクトホール１１５ａ内には、ソース電極１１７が設けられている。コンタクトホール１１５ｂ内には、ドレイン電極１１９が設けられている。
【００５５】
絶縁膜９７の表示面６９側には、図７に示すように、信号線Ｓが設けられている。信号線Ｓは、平面視でソース電極１１７に重なる位置に設けられている。信号線Ｓとソース電極１１７とは、互いに電気的につながっている。信号線Ｓは、ソース電極１１７を介して半導体層１０９のソース領域１０９ｂ（図８）に電気的につながっている。信号線Ｓは、図７に示すように、絶縁膜９９によって表示面６９側から覆われている。絶縁膜９９の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９９の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００５６】
ここで、図８に示すコンタクトホール１１５ｂは、絶縁膜９９の表示面６９側に及んでいる。ドレイン電極１１９は、図７に示すように、絶縁膜９９の表示面６９側に及んでいる。画素電極１０５とドレイン電極１１９とは、互いに電気的につながっている。画素電極１０５は、ドレイン電極１１９を介して半導体層１０９のドレイン領域１０９ｃ（図８）に電気的につながっている。
画素電極１０５としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や、インジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極１０５の材料として、ＩＴＯが採用されている。
【００５７】
画素電極１０５は、図７に示すように、配向膜１０１によって表示面６９側から覆われている。
配向膜１０１の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜１０１の材料として、ポリイミドが採用されている。なお、配向膜１０１には、表示面６９側に配向処理が施されている。
【００５８】
対向基板７３は、第２基板１２１と、対向層１２２とを有している。第２基板１２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６９側に向けられた外向面１２１ａと、底面７９側に向けられた対向面１２１ｂとを有している。
対向層１２２は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。対向層１２２には、絶縁膜１２３と、対向電極１２５と、配向膜１２７と、が含まれている。
絶縁膜１２３は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。絶縁膜１２３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜１２３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００５９】
対向電極１２５は、絶縁膜１２３の底面７９側に設けられている。対向電極１２５の材料としては、例えばＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、対向電極１２５の材料として、ＩＴＯが採用されている。
対向電極１２５は、マトリックスＭを構成する複数の画素６５（図３）にわたって一連した状態で設けられている。対向電極１２５は、マトリックスＭを構成する複数の画素６５に対して共通して機能する。
なお、本実施形態では、画素６５の領域は、図７に示すように、１つの画素電極１０５と、対向電極１２５とが重なり合う領域であると定義され得る。
【００６０】
配向膜１２７は、対向電極１２５の底面７９側に設けられている。対向電極１２５は、配向膜１２７によって底面７９側から覆われている。配向膜１２７の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜１２７の材料として、ポリイミドが採用されている。配向膜１２７には、底面７９側に配向処理が施されている。
【００６１】
ここで、Ｙ方向に並ぶ複数のソース電極１１７は、図９に示すように、信号線Ｓを介して、画素列８７（図５）単位で相互に電気的につながっている。
また、Ｘ方向に並ぶ複数のゲート電極１１１は、図９に示すように、走査線Ｔを介して、画素行８８（図５）単位で相互に電気的につながっている。
複数の信号線Ｓは、それぞれＹ方向に延びており、Ｘ方向に並んでいる。Ｘ方向に隣り合う信号線Ｓ同士の間には、隙間が設けられている。
複数の走査線Ｔは、それぞれＸ方向に延びており、Ｙ方向に並んでいる。Ｙ方向に隣り合う走査線Ｔ同士の間には、隙間が設けられている。
【００６２】
本実施形態では、図示しないがＸ方向に沿って延在する容量線が設けられている。容量線は、走査線Ｔに対応して、すなわち画素行８８（図５）ごとに設けられている。
本実施形態では、容量線は、図７に示す絶縁膜９５の表示面６９側に設けられており、絶縁膜９７によって表示面６９側から覆われている。容量線の材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。なお、ゲート電極１１１（走査線Ｔ）と、容量線とは、図９に示すように、Ｙ方向に隙間をあけた状態で並んでいる。
【００６３】
画素６５は、複数の信号線Ｓと、複数の走査線Ｔとの各交差に対応して設定されている。
画素電極１０５は、図１０に示すように、互いに隣り合う信号線Ｓと、互いに隣り合う走査線Ｔとによって囲まれる領域に重なっている。なお、本実施形態では、画素電極１０５は、周縁部が信号線Ｓ及び走査線Ｔに重なっている。また、画素電極１０５は、容量線に重なっている。
これにより、液晶パネル６１では、容量線と画素電極１０５との間に、図５に示す容量素子が形成される。
なお、図８に示すＴＦＴ素子１０３の断面は、図１０中のＨ−Ｈ線における断面に相当している。
【００６４】
本実施形態では、液晶パネル６１は、図５に示すように、ｎ本（ｎは、１以上の整数）の走査線Ｔと、ｍ本（ｍは、１以上の整数）の信号線Ｓとを有している。なお、以下においてｎ本の走査線Ｔが個々に識別される場合に、走査線Ｔ（ｉ）という表記が用いられる。ｉは、１以上且つｎ以下の整数である。また、ｍ本の信号線Ｓが個々に識別される場合に、信号線Ｓ（ｊ）という表記が用いられる。ｊは、１以上且つｍ以下の整数である。
【００６５】
素子基板７１及び対向基板７３の間に介在する液晶７５は、図７に示すように、配向膜１０１と配向膜１２７との間に介在している。
本実施形態では、図４に示すシール材７７は、図７に示す第１基板９３の第１面９３ａと、第２基板１２１の対向面１２１ｂとによって挟持されている。つまり、液晶パネル６１では、液晶７５は、第１基板９３及び第２基板１２１によって保持されている。なお、シール材７７は、配向膜１０１及び配向膜１２７の間に設けられていてもよい。この場合、液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３に保持されているとみなされ得る。
【００６６】
液晶７５は、図７に示すように、Ｌ１なる厚みに設定されている。液晶７５は、入射した光を変調することができる。本実施形態では、液晶７５は、入射した光に位相差を付与することができる。これは、液晶７５のリタデーション（複屈折率と厚みＬ１との積）の設定により実現され得る。本実施形態では、入射した光に１／２波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。
【００６７】
液晶パネル６１では、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電圧を印加すると、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電界が発生する。液晶パネル６１では、ＴＦＴ素子１０３がオフ状態からオン状態に変化すると、画素電極１０５と対向電極１２５との間に電界が発生する。この電界によって液晶７５の配向状態を画素６５ごとに変化させることができる。
本実施形態では、液晶７５に電界が作用すると、液晶７５がオン状態になる。他方で、液晶７５に作用する電界が解除されると、液晶７５がオフ状態になる。
プロジェクター１では、図２に示す画像形成部１３に光４１を照射した状態で、各液晶パネル６１における液晶７５の配向状態を画素６５ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶７５の配向状態は、ＴＦＴ素子１０３のオフ状態及びオン状態を切り替えることによって変化し得る。
【００６８】
図７に示す配向膜１０１及び配向膜１２７のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜１０１及び配向膜１２７によって、液晶７５の初期的な配向状態が規制される。
画像形成パネル３３では、液晶７５のオン状態及びオフ状態の切り替えにより、液晶７５を透過する光の偏光状態を制御し、画像の形成が制御される。
【００６９】
本実施形態では、液晶７５がオフ状態のときに画像形成パネル３３からの光の射出が遮断される所謂ノーマリーブラック（初期的に“黒表示”の状態）の表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリーブラックに限定されず、所謂ノーマリーホワイト（初期的に“白表示”の状態）も採用され得る。
ノーマリーブラックモードにおいて、最も暗い状態の透過率を相対透過率０％とし、最も明るい状態の透過率を相対透過率１００％としたとき、液晶７５に印加される電圧のうち、相対透過率が１０％となる電圧を光学的しきい値電圧といい、相対透過率が９０％となる電圧を光学的飽和電圧という。通常、光学的しきい値電圧がオフ電圧に相当し、光学的飽和電圧がオン電圧に相当する。電圧変調方式（アナログ駆動）において、液晶７５を中間調（灰色）とさせる場合には、液晶７５に光学的飽和電圧以下の電圧が印加されるように設計される。このため、液晶７５の透過率は、液晶７５の印加電圧にほぼ比例した値となる。
ノーマリーホワイトモードにおいては、液晶７５に印加される電圧のうち、相対透過率が９０％となる電圧を光学的しきい値電圧といい、相対透過率が１０％となる電圧を光学的飽和電圧という。本明細書では便宜上、ノーマリーホワイトモードにおいても光学的しきい値電圧がオフ電圧に相当し、光学的飽和電圧がオン電圧に相当する。
【００７０】
ここで、図５に示す液晶装置８５の駆動方法について説明する。
液晶パネル駆動回路２５は、図５に示すように、コントローラー１６１と、メモリー部１６３と、を有している。
コントローラー１６１には、図１に示す画像処理部２３を介して、垂直同期信号ＶＳＹＮＣと、水平同期信号ＨＳＹＮＣと、クロック信号ＤＣＬＫと、画像データＤＡＴＡと、が供給される。
【００７１】
メモリー部１６３には、１フレーム分の画像データＤＡＴＡが一時的に格納される。コントローラー１６１は、メモリー部１６３に格納された１フレーム分の画像データＤＡＴＡから、画素行８８単位の画像データｄａｔａを読み出す。コントローラー１６１は、読み出した画像データｄａｔａをシリアルデータとして信号線駆動回路８３に出力する。信号線駆動回路８３には、クロック信号ＣＬＸ、イネーブル信号ＥＮＢＸ及び極性反転信号ＦＲも、コントローラー１６１から入力される。
また、コントローラー１６１は、スタートパルスＤＹと、クロック信号ＣＬＹと、を走査線駆動回路８１に出力する。
【００７２】
ここで、本実施形態では、１フレーム期間の少なくとも一部を複数のサブフィールド期間に分割するサブフィールド駆動が採用されている。サブフィールド駆動では、サブフィールド期間ごとに液晶７５のオン状態及びオフ状態を制御することができる。
本実施形態では、１フレーム期間が、図１１に示すように、３２個のサブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２に分割される。本実施形態では、３２個のサブフィールド期間ＳＦ１〜ＳＦ３２は、相互に同じ長さに設定される。
【００７３】
なお、以下においては、サブフィールド期間ＳＦ１〜サブフィールド期間ＳＦ３２という表記と、サブフィールド期間ＳＦという表記とが併用される。
垂直同期信号ＶＳＹＮＣは、フレーム期間の開始を規定する信号である。スタートパルスＤＹは、サブフィールド期間ＳＦの開始を規定する信号であり、垂直同期信号ＶＳＹＮＣを基準としてコントローラー１６１（図５）によって生成される。
【００７４】
走査線駆動回路８１は、図１２に示すように、シフトレジスター１６５を有している。スタートパルスＤＹ及びクロック信号ＣＬＹは、シフトレジスター１６５に入力される。
シフトレジスター１６５からは、選択信号ｇ（１）〜選択信号ｇ（ｎ）が出力される。選択信号ｇ（１）は、図５に示すように、走査線Ｔ（１）に供給される。選択信号ｇ（２）が走査線Ｔ（２）に供給され、選択信号ｇ（ｎ）が走査線Ｔ（ｎ）に供給される。
【００７５】
選択信号ｇ（ｉ）は、図１３に示すように、クロック信号ＣＬＹの半周期のパルス幅を有している。
選択信号ｇ（１）は、スタートパルスＤＹが立ち上がってからクロック信号ＣＬＹの２番目の変化点に基づいてＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。ここで、変化点とは、パルス信号がＬｏレベルからＨｉレベルに変化する時点と、パルス信号がＨｉレベルからＬｏレベルに変化する時点とを示す。
Ｈｉレベルに立ち上がった選択信号ｇ（１）は、図１２に示すシフトレジスター１６５によって、クロック信号ＣＬＹの変化点ごとに選択信号ｇ（２），ｇ（３），…，ｇ（ｎ）の順にシフトされていく。
【００７６】
選択信号ｇ（１）がＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がってから、選択信号ｇ（ｎ）がＨｉレベルからＬｏレベルに戻るまでの期間が、１垂直期間に相当している。本実施形態では、１垂直期間は、サブフィールド期間ＳＦよりも短い長さに設定されている。
なお、本実施形態では、スタートパルスＤＹが立ち上がってからクロック信号ＣＬＹの１番目の変化点に基づいて、イネーブル信号ＥＮＢＸがＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。
【００７７】
イネーブル信号ＥＮＢＸの１周期は、選択信号ｇ（ｉ）のパルス幅と同等に設定されている。イネーブル信号ＥＮＢＸは、ＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がった後に、選択信号ｇ（１）〜選択信号ｇ（ｎ）の各立ち上がりに基づいて、順次にＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がっていく。従って、イネーブル信号ＥＮＢＸは、１つのサブフィールド期間ＳＦ内で、ｎ＋１個の立ち上がりパルスを有している。
なお、本実施形態では、イネーブル信号ＥＮＢＸの１周期が１水平期間に相当している。
【００７８】
信号線駆動回路８３は、図１４に示すように、シフトレジスター１７１と、第１ラッチ回路１７３と、第２ラッチ回路１７５と、レベルシフター１７７と、を有している。
シフトレジスター１７１には、イネーブル信号ＥＮＢＸと、クロック信号ＣＬＸとが入力される。
第１ラッチ回路１７３には、シフトレジスター１７１からの出力信号（ラッチ信号ＬＴ（１）〜ラッチ信号ＬＴ（ｍ））と、画像データｄａｔａとが入力される。
第２ラッチ回路１７５には、第１ラッチ回路１７３からの出力信号と、イネーブル信号ＥＮＢＸとが入力される。
【００７９】
レベルシフター１７７には、第２ラッチ回路１７５からの出力信号と、極性反転信号ＦＲとが入力される。
レベルシフター１７７からは、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）が出力される。データ信号ｄ（１）は、図５に示すように、信号線Ｓ（１）に供給される。データ信号ｄ（２）が信号線Ｓ（２）に供給され、データ信号ｄ（ｍ）が信号線Ｓ（ｍ）に供給される。
【００８０】
シフトレジスター１７１は、イネーブル信号ＥＮＢＸを、クロック信号ＣＬＸの変化点ごとにシフトさせながら、ラッチ信号ＬＴ（１），ＬＴ（２），ＬＴ（３），…，ＬＴ（ｍ）として順次に出力していく。
第１ラッチ回路１７３は、２値信号である画像データｄａｔａを、ラッチ信号ＬＴ（ｊ）のＨｉレベルからＬｏレベルへの変化に基づいて順次にラッチしていく。
【００８１】
第２ラッチ回路１７５は、第１ラッチ回路１７３でラッチされた画像データｄａｔａのそれぞれを、イネーブル信号ＥＮＢＸにもとづいて一斉にラッチする。第２ラッチ回路１７５でラッチされた各画像データｄａｔａは、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）として、レベルシフター１７７を介して、信号線Ｓ（１）〜信号線Ｓ（ｍ）に一斉に供給される。
【００８２】
レベルシフター１７７は、極性反転信号ＦＲのレベルに応じて、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）に対応する電位を選択する。
液晶装置８５では、液晶７５をオン状態にするためのオン電圧と、オフ状態にするためのオフ電圧と、のいずれかの電圧が階調データに応じて選択される。ノーマリーブラックモードの場合、飽和電圧以上の駆動電圧であるオン電圧が印加された際には明表示となり、しきい値電圧以下の駆動電圧であるオフ電圧が印加された際には暗表示となる。反対に、ノーマリーホワイトモードの場合、オン電圧が印加された際には暗表示となり、オフ電圧が印加された際には明表示となる。
【００８３】
液晶装置８５では、液晶７５をオン状態にするためのオン電圧として、正極性電圧と負極性電圧とが設定されている。正極性電圧は、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも高い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。
負極性電圧は、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも低い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。
本実施形態では、対向電極１２５は、正極性電圧と負極性電圧とで同じ電位に設定される。また、本実施形態では、正極性電圧の絶対値と負極性電圧の絶対値とが、互いに同じ値に設定される。
【００８４】
液晶装置８５では、液晶７５をオフ状態にするためのオフ電圧として、基準電圧Ｖｃが設定される。
ところで、対向電極１２５への印加電圧ＬＣcomは、基準電圧Ｖｃよりも低位側に設定される。これは、ｎチャネル型のトランジスターでは、ゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン（画素電極１０５）の電位が低下する、というフィードスルーが発生するためである。仮に印加電圧ＬＣcomを基準電圧Ｖｃと一致させた場合、負極性書込による液晶素子の電圧実効値が、フィードスルーのために、正極性書込による電圧実効値よりも若干大きくなってしまう（トランジスターがｎチャネルの場合）。このため、フィードスルーの影響が相殺されるような適正値に、印加電圧ＬＣcomを基準電圧Ｖｃよりも低位側にオフセットして設定される。ただし、フィードスルーの影響が無視できるならば、印加電圧ＬＣcomと基準電圧Ｖｃとは一致するように設定される。
【００８５】
レベルシフター１７７は、極性反転信号ＦＲがＨｉレベルのときに、正極性電圧に対応する電位を、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）の電位として選択する。レベルシフター１７７は、極性反転信号ＦＲがＬｏレベルのときに、負極性電圧に対応する電位を、データ信号ｄ（１）〜データ信号ｄ（ｍ）の電位として選択する。
【００８６】
極性反転信号ＦＲには、図１５に示すように、１フレーム期間内にＨｉレベルの期間とＬｏレベルの期間とが設定されている。
本実施形態では、極性反転信号ＦＲは、１フレーム期間の開始に基づいてＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。Ｈｉレベルに立ち上がった極性反転信号ＦＲは、サブフィールド期間ＳＦ１６の終了時点までＨｉレベルの状態が維持される。
【００８７】
また、本実施形態では、極性反転信号ＦＲは、サブフィールド期間ＳＦ１６の終了に基づいてＨｉレベルからＬｏレベルに変化する。Ｌｏレベルになった極性反転信号ＦＲは、サブフィールド期間ＳＦ３２の終了時点までＬｏレベルの状態が維持される。
つまり、本実施形態では、極性反転信号ＦＲは、１フレーム期間の前半においてＨｉレベルに維持され、１フレーム期間の後半においてＬｏレベルに維持される。
【００８８】
ラッチ信号ＬＴ（ｊ）は、図１６に示すように、クロック信号ＣＬＸの半周期のパルス幅を有している。
ラッチ信号ＬＴ（１）は、イネーブル信号ＥＮＢＸがＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がってからクロック信号ＣＬＸの３番目の変化点に基づいてＬｏレベルからＨｉレベルに立ち上がる。
Ｈｉレベルに立ち上がったラッチ信号ＬＴ（１）は、図１４に示すシフトレジスター１７１によって、クロック信号ＣＬＸの変化点ごとにラッチ信号ＬＴ（２），ＬＴ（３），…，ＬＴ（ｍ）の順にシフトしながら出力されていく。
【００８９】
このとき、図１４に示す第１ラッチ回路１７３は、ラッチ信号ＬＴ（１）のＨｉレベルからＬｏレベルへの変化に基づいて、信号線Ｓ（１）に対応する画像データｄａｔａ（１）をラッチする。同様に、第１ラッチ回路１７３は、ラッチ信号ＬＴ（ｊ）のＨｉレベルからＬｏレベルへの変化に基づいて、信号線Ｓ（ｊ）に対応する画像データｄａｔａ（ｊ）をラッチする。
【００９０】
第１ラッチ回路１７３から画像データｄａｔａ（ｊ）の出力を受ける第２ラッチ回路１７５は、次のイネーブル信号ＥＮＢＸのＨｉレベルからＬｏレベルへの変化に基づいて、画像データｄａｔａ（ｊ）をレベルシフター１７７に一斉に出力する。レベルシフター１７７に出力された画像データｄａｔａ（ｊ）は、極性反転信号ＦＲのレベルに応じた電位のデータ信号ｄ（ｊ）として、信号線Ｓ（ｊ）に一斉に供給される。
【００９１】
上述した画像データｄａｔａ（ｊ）のラッチ動作と、データ信号ｄ（ｊ）の出力動作とは、１つのサブフィールド期間ＳＦにおいて、走査線Ｔ（ｉ）の本数分だけ（本実施形態ではｎ回）繰り返される。これにより、１つのサブフィールド期間ＳＦにおける画像の形成が完了する。これらの動作をサブフィールド期間ＳＦ１からサブフィールド期間ＳＦ３２まで繰り返すことによって、１フレーム分の画像の形成が行われ得る。
本実施形態では、１フレーム期間において、サブフィールド期間ＳＦごとに液晶７５の駆動を選択的に制御することによって、１フレーム分の画像における階調表示が行われ得る。
【００９２】
本実施形態では、図１７に示すように、１フレーム期間は互いに長さが等しい３２個のサブフィールド期間ＳＦを有しており、３２個のサブフィールド期間ＳＦは、正極性サブフィールド期間Ｓ１乃至Ｓ１６と負極性サブフィールド期間Ｆ１乃至Ｆ１６とからなる。正極性サブフィールド期間Ｓ１乃至Ｓ１６の数は負極性サブフィールド期間Ｆ１乃至Ｆ１６の数と等しく、１６個である。１６個の正極性サブフィールド期間は互いに連続して配置され、１６個の負極性サブフィールド期間も互いに連続して配置されている。正極性サブフィールド期間では正極性電圧がオン電圧として選択され、負極性サブフィールド期間では負極性電圧がオン電圧として選択される。本明細書では、サブフィールド期間の極性を区別しない場合には、正極性サブフィールド期間Ｓ１乃至Ｓ１６と負極性サブフィールド期間Ｆ１乃至Ｆ１６とを、単にサブフィールド期間ＳＦと呼ぶ場合がある。
【００９３】
図１７に示した駆動電圧波形は、表示される複数の階調のうち一の階調に対するものである。液晶７５にオフ電圧を印加する、すなわち画素電極１０５と対向電極１２５との間に光学的しきい値電圧以下の駆動電圧を印加するサブフィールド期間ＳＦには、ハッチングが施されている。また、液晶７５にオン電圧を印加する、すなわち画素電極１０５と対向電極１２５との間に光学的飽和電圧以上の駆動電圧を印加するサブフィールド期間ＳＦには、ハッチングが施されていない。なお、図１７では、１フレーム期間内の１２個のサブフィールド期間ＳＦにおいて液晶７５をオン状態にする例が示されている。
【００９４】
図１７に示す例では、液晶７５をオン状態にする１２個のサブフィールド期間ＳＦは、６個の正極性サブフィールド期間Ｓ２，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ１０，Ｓ１２，Ｓ１４と、６個の負極性サブフィールド期間Ｆ２，Ｆ５，Ｆ６，Ｆ１０，Ｆ１１，Ｆ１４と、からなる。つまり、本実施形態では、１フレーム期間内において、液晶７５が正極性電圧によってオン状態にされる期間の長さが、負極性電圧によってオン状態にされる期間の長さと等しい。このことは、図５に示すコントローラー１６１が、液晶７５を正極性電圧でオン状態にする正極性サブフィールド期間ＳＦの数と、液晶７５を負極性電圧でオン状態にする負極性サブフィールド期間ＳＦの数と、を同等に配分することによって実現される。
【００９５】
ところで、正極性電圧は、前述したように、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも高い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。また、負極性電圧は、画素電極１０５の電位が対向電極１２５の電位よりも低い場合の画素電極１０５と対向電極１２５との間の電位差である。
このため、画素電極１０５と対向電極１２５との間に発生する電界には、正極性電圧によって発生する第１電界と、負極性電圧によって発生する第２電界とがある。そして、第１電界と第２電界とは、電界の向きが互いに反対の向きになる。これにより、液晶７５の誘電分極現象を、打ち消しやすくすることができる。
【００９６】
また、画素電極基板と対向電極基板の特性差（例えば仕事関数）によって、第１電界と第２電界の強度が異なることがある。この場合、正極性サブフィールド期間と負極性サブフィールド期間とを互いに異なる長さに設定することで、基板の特性差によって発生する電荷の偏りを打ち消しやすくすることができる。このように、正極性サブフィールド期間と負極性サブフィールド期間とを互いに異なる長さに設定した場合においても、正極性のオン電圧を印加する正極性サブフィールド期間とオフ電圧を印加する正極性サブフィールド期間との比率と、負極性のオン電圧を印加する負極性サブフィールド期間とオフ電圧を印加する負極性サブフィールド期間との比率とを、略等しい比率に保つことで、サブフィールド期間の長さによらず、全ての表示階調で、焼き付きを高精度に防止することができる。なお、正極性サブフィールド期間と負極性サブフィールド期間とが互いに異なる長さの場合、表示される階調が異なっても、正極性サブフィールド期間Ｓ１乃至Ｓ１６の長さの合計と、負極性サブフィールド期間Ｆ１乃至Ｆ１６の長さの合計との比率は、互いに等しく設定される。
本実施形態では、基板の特性差がない例として、正極性のオン電圧を印加する正極性サブフィールド期間と負極性のオン電圧を印加する負極性サブフィールド期間を、互いに等しい長さとすることで、焼き付きを高精度に防止することができる。
【００９７】
図１７は、本実施形態における正極性サブフィールド期間と負極性サブフィールド期間とを説明するタイミングチャートである。図１７には、垂直同期信号ＶＳＹＮＣ、極性反転信号ＦＲ、サブフィールド期間の配置（ＳＦ）、駆動電圧、輝度波形が、いずれも共通の時間軸に対して描かれている。
１６個の正極性サブフィールド期間Ｓ１乃至Ｓ１６は正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）をなしており、１６個の負極性サブフィールド期間Ｆ１乃至Ｆ１６は負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）をなしている。図１７に示す例では、オン電圧が選択される６個の正極性サブフィールド期間の正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）における配置の仕方は、オン電圧が選択される６個の負極性サブフィールド期間の負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）における配置の仕方とは異なっている。すなわち、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）においては、オン電圧が正極性サブフィールド期間Ｓ２，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ１０，Ｓ１２，Ｓ１４で選択され、オフ電圧が残りの正極性サブフィールド期間で選択される一方、負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）においては、オン電圧が負極性サブフィールド期間Ｆ２，Ｆ５，Ｆ６，Ｆ１０，Ｆ１１，Ｆ１４で選択され、オフ電圧が残りの負極性サブフィールド期間で選択される。
【００９８】
つまり、本実施形態では、１フレーム期間内において、液晶７５をオン状態にするサブフィールド期間の順序（分布）が、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）と負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）とで異なっている。本実施形態では、図５に示すコントローラー１６１が、液晶７５を正極性電圧でオン状態にする正極性サブフィールド期間ＳＦの配置と、液晶７５を負極性電圧でオン状態にする負極性サブフィールド期間ＳＦの配置と、を互いに異ならせるように決定する。このようにして決定されたサブフィールド配列に対して、液晶はオン状態もしくはオフ状態へと応答する。液晶の応答状態によって透過光の強度は変化するが、１フレーム期間における透過光強度の積分値によって階調が表現される。具体的には、ノーマリーブラック液晶の場合、１フレーム期間の全てがオン状態であるときを最大階調とし、１フレーム期間の全てがオフ状態であるときを０階調とすることができる。１フレーム期間に、オン状態と、オフ状態と、オン状態からオフ状態への過渡状態と、オフ状態からオン状態への過渡状態のうちの２つ以上を混在させることで中間階調を表現できる。したがって、１フレーム期間における、オン電圧を印加する期間とオフ電圧を印加する期間の比率と、オン電圧とオフ電圧の配列を制御することで、様々な階調を表示することができる。
【００９９】
従来手法によれば、１フレーム期間内において、液晶７５を正極性電圧でオン状態にする正極性サブフィールド期間の正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）における配置の仕方と、液晶７５を負極性電圧でオン状態にする負極性サブフィールド期間の負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）における配置の仕方と、は互いに同じであった。しかし、本実施形態では、１フレーム期間内において、液晶７５を正極性電圧でオン状態にする正極性サブフィールド期間の正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３・・・Ｓ１６）における配置の仕方と、液晶７５を負極性電圧でオン状態にする負極性サブフィールド期間の負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）における配置の仕方と、を互いに異ならせている。そのため、焼き付き現象の発生を防止しながら、表現できる階調数を増大できる。
【０１００】
その理由を、図１７を用いてさらに詳細に説明する。図１７の例によれば、液晶の応答時間の影響により、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）において得られる透過率の積分値は、負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）において得られる透過率の積分値よりもわずかに小さい。これは、互いに連続している負極性サブフィールド期間Ｆ５とＦ６とにおいてオン電圧が選択されているために、液晶にオン電圧が印加されている期間が１個のサブフィールド期間ＳＦの期間よりも長くなることで、高い透過率まで到達できるためである。具体的には、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）においては、例えば正極性サブフィールド期間Ｓ４とＳ５のように、オン電圧が印加される正極性サブフィールド期間Ｓ４の後にはオフ電圧が印加される正極性サブフィールド期間Ｓ５が配置されている。このようにオン電圧が互いに分離されて印加される配置においては、オン電圧が印加されるサブフィールド期間ＳＦの開始時においては液晶が駆動されていない状態であり、液晶の応答性に依存して、透過率が徐々に増加する挙動を示す。
【０１０１】
これに対して、負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）においては、たとえば負極性サブフィールド期間Ｆ５とＦ６のように、オン電圧が印加される負極性サブフィールド期間Ｆ５の後に続いて、さらにオン電圧が印加される負極性サブフィールド期間Ｆ６が配置されている。互いに隣り合う２つのサブフィールド期間ＳＦでオン電圧が連続して印加されると、後段のサブフィールド期間ＳＦの開始時には、前段のサブフィールド期間ＳＦにおけるオン電圧によって液晶が駆動され透過率が高い状態となっている。よって、後段のサブフィールド期間ＳＦにおいては、開始時から透過率が高い上に、その後さらにオン電圧が印加されるため、透過率がより一層高くなる。このため、この後段のサブフィールド期間ＳＦにおける透過光の積分値は、オン電圧が独立して印加されるサブフィールド期間ＳＦにおける透過光の積分値より大きくなる。
【０１０２】
このような作用により、図１７においては、負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）において得られる透過率の積分値は、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）において得られる透過率の積分値より大きくなる。このため、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）と負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３・・・Ｆ１６）とでオン電圧が印加されるサブフィールド期間ＳＦの配置の仕方を互いに異ならせると、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）と負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）とでオン電圧が印加されるサブフィールド期間ＳＦの配置の仕方を互いに同じにした場合とは異なる透過率を実現できる。
【０１０３】
このように、１フレーム期間においてオン電圧が印加されるサブフィールド期間ＳＦの数が同じであっても、オン電圧が印加されるサブフィールド期間ＳＦの配置を制御することによって、複数レベルの階調を表現することができる。このため、中間階調を表現するうえで、表現可能な透過率のレベル数が増大するため、より高精度な階調表現が可能となる。
【０１０４】
［第２実施形態］
第１実施形態では、１フレーム期間の前半に正極性サブフィールド期間Ｓ１乃至Ｓ１６を連続して配置し、後半に負極性サブフィールド期間Ｆ１乃至Ｆ１６を連続して配置した例を示したが、これに限定するものではない。図１８に示すように、１フレーム期間内において、例えば、正極性サブフィールド期間と負極性サブフィールド期間とを交互に配置する構成としても良い。ここでは、負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）においては、負極性サブフィールド期間Ｆ２，Ｆ５，Ｆ８，Ｆ１１，Ｆ１３においてオン電圧が印加され、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）においては、正極性サブフィールド期間Ｓ２，Ｓ６，Ｓ８，Ｓ１０，Ｓ１４においてオン電圧が印加されている。このように、オン電圧が選択されている正極性サブフィールド期間の正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）における配置の仕方と、オン電圧が選択されている負極性サブフィールド期間の負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）における配置の仕方とは、互いに異なっている。
本実施形態においても、負極性サブフィールド期間Ｆ２と正極性サブフィールド期間Ｓ２のようにオン電圧が連続して印加される場合の透過率は、オン電圧が分離されて印加される場合よりも高くなる。これにより、第１実施形態で得られる効果に加えて、液晶７５に印加される電圧の極性反転に起因して発生するフリッカを抑制することができる。フィールドスルーおよびオフリークの影響により、正極性サブフィールド列（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，・・・，Ｓ１６）と負極性サブフィールド列（Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，・・・，Ｆ１６）とで、液晶に印加される実効電圧が異なる場合がある。極性反転周波数が高ければ、極性反転による実効電圧が変動しても、液晶応答が追従できなくなるため、フリッカーのない安定した階調表示を実現できる。
【０１０５】
なお、いずれの実施形態においても、それぞれ、液晶７５の駆動方式としてＶＡ型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶７５の駆動方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型等の種々の方式も採用され得る。
【０１０６】
上述した液晶装置８５は、例えば、図１９に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に液晶装置８５が適用されているので、表示部５１０における液晶７５の焼き付きを効果的に軽減することができる。
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピューター、デジタルスチールカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【符号の説明】
【０１０７】
１…プロジェクター、５…制御回路、１３…画像形成部、２０…画像形成部、２１…制御部、２５…液晶パネル駆動回路、３３…画像形成パネル、６１…液晶パネル、６５…画素、６７…表示領域、６９…表示面、７１…素子基板、７３…対向基板、７５…液晶、７９…底面、８１…走査線駆動回路、８３…信号線駆動回路、８５…液晶装置、９３…第１基板、１０３…ＴＦＴ素子、１０５…画素電極、１２１…第２基板、１２５…対向電極、１６１…コントローラー、１６３…メモリー部、１６５…シフトレジスター、１７１…シフトレジスター、１７３…第１ラッチ回路、１７５…第２ラッチ回路、１７７…レベルシフター、５００…電子機器、ｄ（１）〜ｄ（ｍ）…データ信号、Ｓｒ（１）〜Ｓｒ（ｎ）…シフト信号、ｇ（１）〜ｇ（ｎ）…選択信号、Ｓ（１）〜Ｓ（ｍ）…信号線、Ｔ（１）〜Ｔ（ｎ）…走査線。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査線とデータ線との交点に対応して設けられたスイッチングトランジスターと、該スイッチングトランジスターに接続され、該データ線から該スイッチングトランジスターを介して電位が供給される画素電極と、対向電極と、該画素電極と該対向電極との間に発生する電界が印加される電気光学層と、該走査線及び該データ線を駆動する駆動回路と、を有し、
フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、
前記サブフィールド期間ごとに、前記電界を発生させるために前記画素電極と前記対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、前記電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する電気光学装置であって、
前記複数のサブフィールド期間は、複数の正極性サブフィールド期間と、複数の負極性サブフィールド期間と、からなり、
前記フレーム期間において、前記正極性サブフィールド期間の数は、前記負極性サブフィールド期間の数と等しく、
前記正極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より高い場合の前記駆動電圧である正極性電圧が前記オン電圧として選択され、
前記負極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低い場合の前記駆動電圧である負極性電圧が前記オン電圧として選択され、
前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間とにおいて、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位と略等しい場合の前記駆動電圧が前記オフ電圧として選択され、
前記駆動回路は、表示される前記階調に応じて、前記フレーム期間における前記オン電圧の印加期間と前記オフ電圧の印加期間との比率、並びに前記オン電圧が選択されるサブフィールド期間の配列及び前記オフ電圧が選択されるサブフィールド期間の配列を決定し、
前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間からなる列を正極性サブフィールド列とし、複数の前記負極性サブフィールド期間からなる列を負極性サブフィールド列としたとき、前記正極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される正極性サブフィールド期間の配置と、前記負極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される負極性サブフィールド期間の配置とが互いに異なることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間の長さの合計と、複数の前記負極性サブフィールド期間の長さの合計との比率は、前記複数の階調間で互いに等しいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間のうち前記オン電圧が選択される正極性サブフィールド期間の数は、複数の前記負極性サブフィールド期間のうち前記オン電圧が選択される負極性サブフィールド期間の数と等しいことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記フレーム期間の前半に、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間のうちいずれかが互いに連続して配置され、
前記フレーム期間の後半に、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間のうち他方が互いに連続して配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記フレーム期間において、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間とが交互に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備したことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
走査線とデータ線との交点に対応して設けられたスイッチングトランジスターと、該スイッチングトランジスターに接続され、該データ線から該スイッチングトランジスターを介して電位が供給される画素電極と、対向電極と、該画素電極と該対向電極との間に発生する電界が印加される電気光学層と、該走査線及び該データ線を駆動する駆動回路と、を有し、
フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、
前記サブフィールド期間ごとに、前記電界を発生させるために前記画素電極と前記対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、前記電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する電気光学装置の駆動方法であって、
前記複数のサブフィールド期間は、複数の正極性サブフィールド期間と、複数の負極性サブフィールド期間と、からなり、
前記フレーム期間において、前記正極性サブフィールド期間の数は、前記負極性サブフィールド期間の数と等しく、
前記正極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より高い場合の前記駆動電圧である正極性電圧が前記オン電圧として選択され、前記負極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低い場合の前記駆動電圧である負極性電圧が前記オン電圧として選択され、
前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間とにおいて、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位と略等しい場合の前記駆動電圧が前記オフ電圧として選択され、
表示される前記階調に応じて、前記フレーム期間における前記オン電圧の印加期間と前記オフ電圧の印加期間との比率、並びに前記オン電圧が選択されるサブフィールド期間の配列及び前記オフ電圧が選択されるサブフィールド期間の配列を決定し、
前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間からなる列を正極性サブフィールド列とし、複数の前記負極性サブフィールド期間からなる列を負極性サブフィールド列としたとき、前記正極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される正極性サブフィールド期間の配置と、前記負極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される負極性サブフィールド期間の配置とが互いに異なることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１】
走査線とデータ線との交点に対応して設けられたスイッチングトランジスターと、該スイッチングトランジスターに接続され、該データ線から該スイッチングトランジスターを介して電位が供給される画素電極と、対向電極と、該画素電極と該対向電極との間に発生する電界が印加される電気光学層と、該走査線及び該データ線を駆動する駆動回路と、を有し、
フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、
前記サブフィールド期間ごとに、前記電界を発生させるために前記画素電極と前記対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、前記電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する電気光学装置であって、
前記複数のサブフィールド期間は、複数の正極性サブフィールド期間と、複数の負極性サブフィールド期間と、からなり、
前記フレーム期間において、前記正極性サブフィールド期間の数は、前記負極性サブフィールド期間の数と等しく、
前記正極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より高い場合の前記駆動電圧である正極性電圧が前記オン電圧として選択され、
前記負極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低い場合の前記駆動電圧である負極性電圧が前記オン電圧として選択され、
前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間とにおいて、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位と略等しい場合の前記駆動電圧が前記オフ電圧として選択され、
前記駆動回路は、表示される前記階調に応じて、前記フレーム期間における前記オン電圧の印加期間と前記オフ電圧の印加期間との比率、並びに前記オン電圧が選択されるサブフィールド期間の配列及び前記オフ電圧が選択されるサブフィールド期間の配列を決定し、
前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間からなる列を正極性サブフィールド列とし、複数の前記負極性サブフィールド期間からなる列を負極性サブフィールド列としたとき、前記正極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される正極性サブフィールド期間の配置と、前記負極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される負極性サブフィールド期間の配置とが互いに異なることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間の長さの合計と、複数の前記負極性サブフィールド期間の長さの合計との比率は、前記複数の階調間で互いに等しいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間のうち前記オン電圧が選択される正極性サブフィールド期間の数は、複数の前記負極性サブフィールド期間のうち前記オン電圧が選択される負極性サブフィールド期間の数と等しいことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記フレーム期間の前半に、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間のうちいずれかが互いに連続して配置され、
前記フレーム期間の後半に、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間のうち他方が互いに連続して配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記フレーム期間において、前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間とが交互に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備したことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
走査線とデータ線との交点に対応して設けられたスイッチングトランジスターと、該スイッチングトランジスターに接続され、該データ線から該スイッチングトランジスターを介して電位が供給される画素電極と、対向電極と、該画素電極と該対向電極との間に発生する電界が印加される電気光学層と、該走査線及び該データ線を駆動する駆動回路と、を有し、
フレーム期間の少なくとも一部が複数のサブフィールド期間に分割され、
前記サブフィールド期間ごとに、前記電界を発生させるために前記画素電極と前記対向電極との間に印加される駆動電圧を、オン電圧およびオフ電圧のいずれか一方から選択することで、前記電気光学層の透過光を制御して複数の階調を表示する電気光学装置の駆動方法であって、
前記複数のサブフィールド期間は、複数の正極性サブフィールド期間と、複数の負極性サブフィールド期間と、からなり、
前記フレーム期間において、前記正極性サブフィールド期間の数は、前記負極性サブフィールド期間の数と等しく、
前記正極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より高い場合の前記駆動電圧である正極性電圧が前記オン電圧として選択され、前記負極性サブフィールド期間において、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位より低い場合の前記駆動電圧である負極性電圧が前記オン電圧として選択され、
前記正極性サブフィールド期間と前記負極性サブフィールド期間とにおいて、前記画素電極の電位が前記対向電極の電位と略等しい場合の前記駆動電圧が前記オフ電圧として選択され、
表示される前記階調に応じて、前記フレーム期間における前記オン電圧の印加期間と前記オフ電圧の印加期間との比率、並びに前記オン電圧が選択されるサブフィールド期間の配列及び前記オフ電圧が選択されるサブフィールド期間の配列を決定し、
前記フレーム期間において、複数の前記正極性サブフィールド期間からなる列を正極性サブフィールド列とし、複数の前記負極性サブフィールド期間からなる列を負極性サブフィールド列としたとき、前記正極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される正極性サブフィールド期間の配置と、前記負極性サブフィールド列における前記オン電圧が選択される負極性サブフィールド期間の配置とが互いに異なることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１０−２１７２５１（Ｐ２０１０−２１７２５１Ａ）
【公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−６０７４８（Ｐ２００９−６０７４８）
【出願日】平成２１年３月１３日（２００９．３．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月１３日（２００９．３．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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