説明

電磁比例弁駆動回路

【課題】電磁比例弁に供給された実際の駆動電流が目標駆動電流に対して追従性を良くする。
【解決手段】電磁比例弁駆動回路3は出力トランジスタとなる第1のトランジスタ13及びフライホイールダイオード15に加えて、第2のトランジスタ17、電圧保持用コンデンサ19及びクランプダイオード21を備える。第2のトランジスタ17はエミッタEがフライホイールダイオード15に接続され、コレクタCが接地され、ベースBが電磁比例弁1に接続されている。電磁比例弁1に供給したい目標駆動電流(目標電圧Vt)を減少させる場合において、目標電圧Vtが予め定められた値より大きい段階では、第1のトランジスタ13のオフ時に第2のトランジスタ17をオンさせ、目標電圧Vtが予め定められた値より小さい段階では、第1のトランジスタ13のオフ時に第2のトランジスタ17をオフさせる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電磁比例弁に駆動電流を供給する電磁比例弁駆動回路に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、例えば建設機械、クレーン、農業機械及び工事機械における油圧制御において、流体の流量を制御するために電磁比例弁が広く用いられている。電磁比例弁は例えばソレノイドを用いて弁体を駆動して弁体の開口面積を変化させている。電磁比例弁は電磁比例弁を駆動する駆動電流と、弁体の開口面積とが比例するようにされており、駆動電流を調節することによって、弁体の開口面積を調節して流体の流量を制御する。よって、駆動電流の制御性がそのまま流体の流量の制御性に影響するので、駆動電流を高精度で制御する必要がある。そのため、電磁比例弁駆動回路では、電磁比例弁を流れる駆動電流を検出し、その検出値を駆動電流の出力制御にフィードバックすることで、駆動電流を高精度に制御している。
【0003】
図3は電磁比例弁駆動回路の一般的な構成の一例を示す図である。電磁比例弁101はコイルLと抵抗Rとの直列回路によって等価的に表される。電磁比例弁駆動回路103はディザ発生器105、加算器106、比較器107、シャント抵抗109、駆動回路111、出力トランジスタ113及びフライホイールダイオード115を備える。
【0004】
指示電圧V1は電磁比例弁101を開閉するための駆動電流を示し、ディザ電圧V2はディザ発生器105で発生したディザ電流を示し、目標電圧Vtは電磁比例弁101に供給したい目標駆動電流を示し、検出電圧Vdは電磁比例弁101に供給された実際の駆動電流を示している。
【0005】
加算器106は指示電圧V1とディザ電圧V2とを加算して、目標電圧Vtを生成し、比較器107へ出力する。ディザ電圧V2を指示電圧V1に加算するのは、電磁比例弁101の弁体の固着を防止すると共にヒステリシス特性の改善を図るためである。
【0006】
電磁比例弁101に供給された実際の駆動電流はシャント抵抗109によって検出電圧Vdとして検出されて、比較器107に送られる。比較器107は目標電圧Vtと検出電圧Vdとの大きさを比較する。検出電圧Vdが目標電圧Vtよりも大きければ、比較器107はPWM(Pulse Width Modulation)信号のデューティ比を小さくする指令信号を出力する。これに対して、検出電圧Vdが目標電圧Vtよりも小さければ、比較器107はPWM信号のデューティ比を大きくする指令信号を出力する。
【0007】
指令信号はPWM制御方式の駆動回路111に入力され、駆動回路111は指令信号に応じてPWM信号のデューティ比を制御する。駆動回路111から出力されたPWM信号は出力トランジスタ113のベースBに入力される。出力トランジスタ113はダーリントン接続回路である。出力トランジスタ113のエミッタEは電源117に接続され、コレクタCは電磁比例弁101に接続されている。PWM制御方式によれば、出力トランジスタ113をオンオフさせる動作(すなわち飽和領域の動作)でコレクタ電流を制御するので、出力トランジスタ113の発熱量を低減することができる。
【0008】
出力トランジスタ113は、そのベースBに入力されたPWM信号に応じて、駆動電流となるコレクタ電流を電磁比例弁101に供給する。詳しくは、PWM信号により出力トランジスタ113がオンすれば、電源117から電磁比例弁101に駆動電流が流れる。電磁比例弁101の時定数に従って電磁比例弁101を流れる駆動電流が増加する。一方、PWM信号により出力トランジスタ113がオフすれば、電磁比例弁101のインダクタ成分に蓄積されたエネルギーによって、電磁比例弁101に電流が流し続けようとされる。フライホイールダイオード115のカソードKは出力トランジスタ113のコレクタCに接続され、アノードAは接地されている。上記エネルギーにより電磁比例弁101に流れ続けようとする電流は、フライホイールダイオード115に流れて消費されることにより、出力トランジスタ113のオフ時にコレクタCに大きな電圧が印加されるのを防いでいる。
【0009】
従来の電磁比例弁駆動回路の他の例として、電流ブレーキ用素子を備えたものが提案されている(例えば特許文献1参照)。図4はその特許文献に開示された電磁比例弁駆動回路を示す図である。電磁比例弁201の弁体203を駆動するソレノイド205の後段にトランジスタからなる電流ブレーキ用素子207が接続されている。ソレノイド205の前段には出力トランジスタ209のコレクタが接続されている。そのコレクタにはフライホイールダイオード211が接続されている。
【0010】
PWM変換回路を備えたアンプ213に入力される電流指令値が、ソレノイド205に供給される駆動電流の値よりも小さければ、電流ブレーキ用素子207のベース電流を減少させるための指令信号を出力する。これにより、ソレノイド205に供給される駆動電流を電流指令値に収束させている。図4に示す電磁比例弁駆動回路によれば、フライホイールダイオード211のみを備えた場合と比べて、ソレノイド205を流れる駆動電流の制御性を向上させることができる。
【0011】
電磁比例弁駆動回路では出力トランジスタ113,209(図3、図4)の信頼性が最大のポイントとなる。しかし、図4に示す電磁比例弁駆動回路では、出力トランジスタ209とソレノイド205との直列回路に電流ブレーキ用素子207をさらに接続しているので、電流ブレーキ用素子207の分だけ信頼性が低下するおそれがある。これを防ぐためには、電流ブレーキ用素子207を信頼性の高い高価な部品にする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0012】
【特許文献1】特開平9−14486号公報(段落0032、図18)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
図3に示す電磁比例弁駆動回路103は電磁比例弁101に供給された実際の駆動電流が目標駆動電流に追従するように、フィードバック制御をしている。電磁比例弁101に供給された実際の駆動電流が目標駆動電流に対して追従性が悪ければ、電磁比例弁101の弁体の位置を正確に制御できなくなるので、油圧制御の精度が低下する。
【0014】
上述したように、電磁比例弁101のインダクタ成分に蓄積されたエネルギーによって、出力トランジスタ113のオフ時に電磁比例弁101には電流が流れ続けようとする。この電流によって、目標駆動電流に対して電磁比例弁101に供給された実際の駆動電流の追従性が悪くなる。そこで、その電流を、接地しているフライホイールダイオード115に流して消費するようにしている。
【0015】
しかし、目標駆動電流を減少させる場合において、フライホイールダイオード115だけでは、出力トランジスタ113のオフ時に電磁比例弁101に蓄積されたエネルギーを迅速に放出できない現象が生じる。従って、電磁比例弁101に供給された実際の駆動電流は目標駆動電流に対して追従性が悪くなる。これについて説明する。
【0016】
図5は図3に示す電磁比例弁駆動回路103において、出力トランジスタ113のコレクタCの電圧と、目標電圧Vt及び検出電圧Vdとの関係を示す図である。これは出力トランジスタ113のベースBに入力されるPWM信号のデューティ比を変えてシミュレーションをしたものである。横軸は時間であり、単位はmsecである。上側のグラフの縦軸は出力トランジスタ113のコレクタCの電圧であり、単位はVである。下側のグラフの縦軸は目標電圧Vt及び検出電圧Vdを示しており、単位はmVである。目標電圧Vt、検出電圧Vdはそれぞれ、電磁比例弁101に供給したい目標駆動電流、電磁比例弁101に供給された実際の駆動電流が、シャント抵抗109に流れた際のシャント抵抗109の両端電圧によって示される。
【0017】
出力トランジスタ113がオンの期間をT1、オフの期間をT2とすれば、T1/(T1+T2)はPWM信号のデューティ比となる。
【0018】
電磁比例弁駆動回路113は駆動方式としてPWM制御方式を用いており、電磁比例弁101のインダクタ成分に蓄積されたエネルギーにより、出力トランジスタ113がオフの時に電磁比例弁101に流れ続けようとする電流は、フライホイールダイオード115及び電磁比例弁101の抵抗Rによって消費される。電磁比例弁101に流れ続けようとする電流を減少させる場合における各電気素子の電圧は以下の関係を満たす。
【0019】
−Vf=R×i(t)−L×{di(t)/dt}
Vfはフライホイールダイオード115の順方向電圧であり、L×{di(t)/dt}はコイルLの両端電圧であり、R×i(t)は抵抗Rの電圧である。Vfは電流i(t)によらず、ほぼ一定である。di/dtは短時間であれば大きな変化はないと考えられるので、L×{di(t)/dt}はほぼ一定として考えることができる。これに対して、抵抗Rの電圧はR×i(t)なので、電流i(t)に比例する。
【0020】
ここで、電磁比例弁101の時定数τは、τ=L/R、で表される。出力トランジスタ113のオフ時において、シャント抵抗109の両端電圧V(t)は、V(t)=Ve−t/τ、で表される。V(t)は検出電圧Vdを示している。検出電圧Vdが小さくなると(図5では40mVより小さくなると)、検出電圧Vdのグラフの傾きが小さくなり、検出電圧Vdと目標電圧Vtとの差が大きくなる。つまり、検出電圧Vdと目標電圧Vtとの乖離が大きくなり、追従性が悪くなっている。V(t)を決定する要素である抵抗R及びコイルLは、電磁比例弁101の特性値なので、電磁比例弁101によって決まり、選択できない。これは検出電圧Vdのグラフの傾きを調整できないことを意味する。
【0021】
目標電圧Vtのグラフ傾きを検出電圧Vdのグラフの傾きより小さくなるようにすれば、PWM信号のデューティ比を大きくすることにより、検出電圧Vdを目標電圧Vtに追従させることができる。しかし、目標電圧Vtは指示電圧V1にディザ電圧V2を加算したものであり、目標電圧Vtの周期はディザ電圧V2の周期で決まる。ディザ電圧V2は電磁比例弁101の弁体の固着を防止する等の観点から決まり、選択できない。これは目標電圧Vtのグラフの傾きを調整できないこと意味する。
【0022】
以上説明したように、目標駆動電流を減少させる場合において、フライホイールダイオード115だけでは、出力トランジスタ113のオフ時に電磁比例弁101に蓄積されたエネルギーを迅速に放出できないことが起きる。これにより、実際の駆動電流は波形歪みによって下がりきらずに持ち上がることにより、目標駆動電流よりも大きな値になり、従って、目標駆動電流の値と実際の駆動電流の値の乖離が大きくなるので、目標駆動電流の値に対する実際の駆動電流の値の追従性が悪くなる。その結果、電磁比例弁101の弁体の位置を正確に制御できなくなるので、油圧制御の精度が低下する。
【0023】
本発明は電磁比例弁に供給された実際の駆動電流が目標駆動電流に対して追従性を良くすることができる電磁比例弁駆動回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0024】
上記目的を達成する本発明の一の局面に係る電磁比例弁駆動回路は、電源と接続可能な第1の端子、電磁比例弁に接続可能な第2の端子及び制御信号が入力される第1の制御端子を含み、前記制御信号のデューティ比に応じて前記電磁比例弁に供給される駆動電流の供給経路を開閉する第1のトランジスタと、前記電磁比例弁を開閉するための駆動電流にディザ電流を重畳した目標駆動電流の大きさと、前記電磁比例弁に供給された実際の駆動電流の大きさと、を比較する比較部と、前記制御信号を発生する回路であり、前記比較部による比較の結果、前記電磁比例弁に供給された実際の駆動電流が前記目標駆動電流よりも大きければ前記制御信号のデューティ比を小さくし、前記電磁比例弁に供給された実際の駆動電流が前記目標駆動電流よりも小さければ前記制御信号のデューティ比を大きくする駆動回路と、前記電磁比例弁に供給された実際の駆動電流に応じて検出電圧を生成する検出電圧生成部と、第3の端子、接地可能な第4の端子及び前記検出電圧が印加される第2の制御端子を含み、前記検出電圧に応じてオンオフする第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタの前記第2の端子と前記第2のトランジスタの前記第3の端子との間に接続されたフライホイールダイオードと、前記第3の端子と前記第4の端子との間に接続された電圧保持用コンデンサと、前記第3の端子と前記第4の端子との間に前記電圧保持用コンデンサと並列に接続されたクランプダイオードと、を備え、前記目標駆動電流を減少させる場合において、前記目標駆動電流が予め定められた値より大きい段階では、前記第1のトランジスタのオフ時に前記第2のトランジスタをオンさせ、前記目標駆動電流が前記予め定められた値より小さい段階では、前記第1のトランジスタのオフ時に前記第2のトランジスタをオフさせる。
【0025】
本発明によれば、目標駆動電流を減少させる場合において、目標駆動電流が予め定められた値より小さい段階では、第1のトランジスタのオフ時に第2のトランジスタをオフさせている。これにより、第2のトランジスタが抵抗となること、並びに、電圧保持用コンデンサ及びクランプダイオードを動作させることで、電磁比例弁のインダクタ成分に蓄積されたエネルギーにより電磁比例弁を流れ続けようとする電流を迅速に消費するようにしている。従って、電磁比例弁に供給された実際の駆動電流を目標駆動電流に対して追従性を良くすることができる。
【0026】
上記予め定められた値は、フライホイールダイオードだけでは、電磁比例弁に供給された実際の駆動電流が目標駆動電流に対して追従性が悪くなる目標駆動電流の大きさにより定められる。
【0027】
上記構成において、前記第3の端子と前記第4の端子との間に前記電圧保持用コンデンサ及び前記クランプダイオードと並列に接続された整流ダイオードを備える。
【0028】
この構成によれば、フライホイールダイオードの逆回復の期間中に電源からフライホイールダイオードに電流が流れても、その電流を整流ダイオードに流すことができるので、第2のトランジスタ、電圧保持用コンデンサ及びクランプダイオードを保護することができる。
【0029】
上記構成において、前記検出電圧生成部はシャント抵抗を含み、前記比較部は前記目標駆動電流を示す目標電圧の大きさと前記検出電圧の大きさとを比較し、前記駆動回路は、前記比較器による比較の結果、前記検出電圧が前記目標電圧よりも大きければ前記制御信号のデューティ比を小さくし、前記検出電圧が前記目標電圧よりも小さければ前記制御信号のデューティ比を大きくする。
【0030】
この構成によれば、シャント抵抗により、電磁比例弁に供給された実際の駆動電流に応じて生成される検出電圧と、第2のトランジスタのベース電圧と、を生成している。従って、検出電圧とベース電圧とを異なる回路素子で生成するよりも、電磁比例弁駆動回路をコンパクトにすることができる。
【発明の効果】
【0031】
本発明によれば、電磁比例弁に供給された実際の駆動電流が目標駆動電流に対して追従性を良くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【図1】本発明の一実施形態に係る電磁比例弁駆動回路の構成を示す図である。
【図2】図1に示す電磁比例弁駆動回路において、出力トランジスタである第1のトランジスタのコレクタ電圧と、目標電圧Vt及び検出電圧Vdとの関係を示す図である。
【図3】従来の電磁比例弁駆動回路の構成の一例を示す図である。
【図4】従来の電磁比例弁駆動回路の構成の他の例を示す図である。
【図5】図3に示す電磁比例弁駆動回路において、出力トランジスタのコレクタ電圧と、目標電圧Vt及び検出電圧Vdとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0033】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態に係る電磁比例弁駆動回路の構成を示す図である。電磁比例弁1には電磁比例弁駆動回路3から駆動電流が供給される。電磁比例弁1はコイルLと抵抗Rとの直列回路によって等価的に表される。その直列回路を流れる駆動電流と電磁比例弁1の弁体の開口面積とが比例するようにされている。
【0034】
電磁比例弁駆動回路3はディザ発生器5、加算器6、比較器7、シャント抵抗9、駆動回路11、出力トランジスタとして機能する第1のトランジスタ13及びフライホイールダイオード15に加えて、さらに第2のトランジスタ17、電圧保持用コンデンサ19、クランプダイオード21、整流ダイオード23及び抵抗25を備える。
【0035】
図3と同様に、指示電圧V1は電磁比例弁1を開閉するための駆動電流を示し、ディザ電圧V2はディザ発生器5で発生したディザ電流を示し、目標電圧Vtは電磁比例弁1に供給したい目標駆動電流を示し、検出電圧Vdは電磁比例弁1に供給された実際の駆動電流I1を示している。
【0036】
加算器6は指示電圧V1とディザ電圧V2とを加算して、目標電圧Vtを生成し、比較器7へ出力する。
【0037】
電磁比例弁1に供給された実際の駆動電流I1はシャント抵抗9を流れる。これによりシャント抵抗9に生じたシャント抵抗9の両端電圧である検出電圧Vdが比較器7に送られる。シャント抵抗9は検出電圧生成部の一例であり、電磁比例弁1に供給された実際の駆動電流L1に応じて検出電圧Vdを生成する。本実施形態のシャント抵抗9は電流検出と第2のトランジスタ17のベースB電圧生成を兼ねている。
【0038】
比較器7は比較部の一例であり、目標電圧Vtの大きさと検出電圧Vdとの大きさとを比較する。検出電圧Vdが目標電圧Vtよりも大きければ、比較器7はPWM信号のデューティ比を小さくする指令信号を出力する。これに対して、検出電圧Vdが目標電圧Vtよりも小さければ、比較器7はPWM信号のデューティ比を大きくする指令信号を出力する。本実施形態では比較器7により、目標電圧Vtの大きさと検出電圧Vdの大きさとを比較しているが、電磁比例弁1に供給したい目標駆動電流の大きさと電磁比例弁1に供給された実際の駆動電流I1の大きさとを比較してもよい。
【0039】
指令信号はPWM制御方式の駆動回路11に入力し、駆動回路11は指令信号に応じてPWM信号(制御信号の一例)のデューティ比を制御する。詳しくは、駆動回路11はPWM信号を発生する回路である。比較器7による比較の結果、検出電圧Vdが目標電圧Vtよりも大きければ、駆動回路11はPWM信号のデューティ比を小さくする。これに対して、検出電圧Vdが目標電圧Vtよりも小さければ、駆動回路11はPWM信号のデューティ比を大きくする制御をする。
【0040】
PWM信号の周期は電磁比例弁1の時定数より充分小さくされている。そのため、PWM信号がハイレベルの時は第1のトランジスタ13をオン、PWM信号がローレベルの時は第1のトランジスタ13をオフさせることで、PWM信号のデューティ比に応じた電流を電磁比例弁1に供給するようにされている。なお、検出電圧Vdと目標電圧Vtとの比較の結果、検出電圧Vdが目標電圧Vtよりも大きければ、第1のトランジスタ13をオフし、検出電圧Vdが目標電圧Vtよりも小さければ、第1のトランジスタ13をオンさせる制御でもよい。このような比較制御でも、結果的には、検出電圧Vdが目標電圧Vtよりも大きければ、デューティ比が小さくされ、検出電圧Vdが目標電圧Vtよりも小さければ、デューティ比が大きくされる。
【0041】
駆動回路11から出力されたPWM信号は第1のトランジスタ13のベースBに入力される。第1のトランジスタ13はダーリントン接続回路である。第1のトランジスタ13のエミッタEは電源27に接続され、コレクタCは電磁比例弁1に接続されている。第1のトランジスタ13のベースBはPWM信号が入力される第1の制御端子である。第1のトランジスタ13のエミッタEは電源27と接続される第1の端子である。第1のトランジスタ13のコレクタCは電磁比例弁1と接続される第2の端子である。
【0042】
第1のトランジスタ13は、そのベースBに入力されたPWM信号のデューティ比に応じて、電磁比例弁1に供給される駆動電流の供給経路を開閉する。電磁比例弁1に供給された実際の駆動電流I1は、上述したようにシャント抵抗9に流れると共に抵抗25を介して第2のトランジスタ17のベースBに入力される。
【0043】
第2のトランジスタ17はNPN型のバイポーラトランジスタである。第2のトランジスタ17のエミッタE(第3の端子の一例)にはフライホイールダイオード15のアノードAが接続されている。フライホイールダイオード15のカソードKは第1のトランジスタ13のコレクタCと接続されている。第2のトランジスタ17のコレクタC(第4の端子の一例)は接地されている。第2のトランジスタ17のベースBは抵抗25を介して電磁比例弁1と接続されている。第2のトランジスタ17のベースBは検出電圧Vdが印加される第2の制御端子となる。第2のトランジスタ17は検出電圧に応じてオンオフする。
【0044】
第2のトランジスタ17のオンオフを切り替えるタイミングについて説明する。図5で説明したように、目標電圧Vtが下がる場合、時間の経過に従って、検出電圧Vdのグラフの傾きが小さくなり、その結果、検出電圧Vdの値と目標電圧Vtの値との乖離が大きくなる。つまり、検出電圧Vdが目標電圧Vtに対して追従性が悪くなる。
【0045】
追従性が悪くなる目標電圧Vtの値となる基準電圧値Vref(予め定められた値)を予め決める。例えば、図5に示すように、目標電圧Vtが40mVより小さくなると、追従性が悪くなるので、基準電圧値Vrefを40mVとする。第2のトランジスタ17のベースBに印加される電圧が、40mVより大きければ、第2のトランジスタ17をオンさせ、40mVより小さければ、第2のトランジスタ17をオフさせる。これはシャント抵抗9及び抵抗25の値を調整することにより実現できる。
【0046】
第2のトランジスタ17のエミッタEとコレクタCには、電圧保持用コンデンサ19、クランプダイオード21及び整流ダイオード23が並列に接続されている。クランプダイオード21及び整流ダイオード23のそれぞれのアノードは第2のトランジスタ17のエミッタEに接続され、カソードは第2のトランジスタ17のコレクタCに接続されている。
【0047】
上述のように、基準電圧値Vrefが設定されているので、目標電圧Vtが基準電圧値Vref(ここでは40mV)より大きければ、検出電圧Vdは目標電圧Vtに対して追従性がよい。言い換えれば、目標駆動電流が予め定められた値より大きければ、電磁比例弁1に供給された実際の駆動電流I1は目標駆動電流に対して追従性が良い。従って、この段階では、第1のトランジスタ13のオフ時に第2のトランジスタ17をオンさせて、電圧保持用コンデンサ19、クランプダイオード21及び整流ダイオード23を動作させない。
【0048】
一方、目標電圧Vtが基準電圧値Vref(ここでは40mV)より小さければ、検出電圧Vdの値と目標電圧Vtの値との乖離が大きくなり、上記追従性が悪くなる。言い換えれば、目標駆動電流が予め定められた値より小さければ、電磁比例弁1に供給された実際の駆動電流I1は目標駆動電流に対して追従性が悪くなる。従って、この段階では、第1のトランジスタ13のオフ時に第2のトランジスタ17をオフさせて、電圧保持用コンデンサ19、クランプダイオード21及び整流ダイオード23を動作させる。
【0049】
次に、本実施形態に係る電磁比例弁駆動回路3の動作を説明する。図2は電磁比例弁駆動回路3において、第1のトランジスタ13のコレクタCの電圧と、目標電圧Vt及び検出電圧Vdとの関係を示す図であり、図5と対応する。第1のトランジスタ13のベースBに入力されるPWM信号のデューティ比を変えてシミュレーションをしたものである。横軸は時間であり、単位はmsecである。上側のグラフの縦軸は第1のトランジスタ13のコレクタCの電圧であり、単位はVである。下側のグラフの縦軸は目標電圧Vt及び検出電圧Vdを示しており、単位はmVである。
【0050】
PWM信号のデューティ比を所定値(例えば50%)より大きくすると、検出電圧Vdが増加し、PWM信号のデューティ比が上記所定値より小さくなると、検出電圧Vdが減少する。目標電圧Vtが増加する場合、PWM信号のデューティ比を所定値より大きくして、検出電圧Vdが目標電圧Vtに追従するようにフィードバック制御する。目標電圧Vtが減少する場合、PWM信号のデューティ比を所定値より小さくして、検出電圧Vdが目標電圧Vtに追従するようにフィードバック制御する。
【0051】
PWM信号により第1のトランジスタ13はオンオフされる。第1のトランジスタ13をオンさせて、電磁比例弁1に電流を流すと、電磁比例弁1のインダクタ成分にエネルギーが蓄積される。第1のトランジスタ13がオフの時にそのエネルギーにより電磁比例弁1に電流が流れ続けようとする。目標電圧Vtを減少させる場合において、本実施形態では、その流れ続けようとする電流の消費の仕方を、目標電圧Vtが40mVを境界にして変えている。
【0052】
目標電圧Vtが40mVより大きい段階(すなわち、目標駆動電流が予め定められた値より大きい段階)では、目標電圧Vtに対する検出電圧Vdの追従性が良い。よって、この段階では第2のトランジスタ17をオンさせる。第2のトランジスタ17がオンすると、電圧保持用コンデンサ19、クランプダイオード21及び整流ダイオード23は短絡されて動作しない。第2のトランジスタ17がオンすれば、フライホイールダイオード15と第2のトランジスタ17とで構成される回路は、図3に示すフライホイールダイオード115と等価となる。従って、電磁比例弁1を流れ続けようとする電流は、接地されているフライホイールダイオード15及び電磁比例弁1の抵抗Rを流れて消費される。従って、目標電圧Vtが40mVより大きい段階では、図2に示す検出電圧Vdのグラフは図5に示す検出電圧Vdのグラフと同様の軌跡を示す。
【0053】
一方、目標電圧Vtが40mVより小さい段階(すなわち、目標駆動電流が予め定められた値より小さい段階)では、目標電圧Vtに対する検出電圧Vdの追従性が悪い。そこで、この段階では第2のトランジスタ17をオフさせる。
【0054】
第2のトランジスタ17がオンからオフに切り換えられることにより、フライホイールダイオード15のアノードAが電圧保持用コンデンサ19を介してグランドと接続される。これにより、第1のトランジスタ13がオフした時、電磁比例弁1のコイルLの逆起電力によって、電圧保持用コンデンサ19が、第2のトランジスタ17のエミッタE側でマイナス、コレクタC側でプラスになるように充電される。電圧保持用コンデンサ19の充電電圧がクランプダイオード21のツェナー電圧以上になると、クランプダイオード21がオンして、電圧保持用コンデンサ19の両端電圧がクランプされる。その結果、フライホイールダイオード15、電磁比例弁1の抵抗R及びクランプダイオード21によって、コイルLに蓄積されていたエネルギーが消費される。従って、第2のトランジスタ17がオンした時よりも、コイルLの放電電力の消費量が増大するので、コイルLの逆起電力の低下速度が高くなる。また、電圧保持用コンデンサ19の充電電圧が、コイルLの逆起電力から減算されて、フライホイールダイオード15に印加されるので、フライホイールダイオード15に流れる電流、すなわち、実際の駆動電流I1が低下する(言い換えれば検出電圧Vdが低下する)。以上により検出電圧Vdが目標電圧Vtに近づくことになる。
【0055】
また、第2のトランジスタ17がオンからオフに切り換えられることにより、第2のトランジスタ17の抵抗分によって電圧が発生する。第1のトランジスタ13はオフなので、フライホイールダイオード15に流れる電流により電圧降下(0.6〜0.7V)が生じている。これらにより、フライホイールダイオード15が接続される第1のトランジスタ13のコレクタCの電圧を例えば数ボルト〜数十ボルトまで下がるので、第1のトランジスタ13のコレクタCに印加される電圧が負電圧となる期間がある。
【0056】
このように、本実施形態によれば、目標電圧Vtが基準電圧値Vref(ここでは40mV)より小さい段階でも、電磁比例弁1を流れ続けようとする電流を迅速に消費できるので、電磁比例弁1に供給された実際の駆動電流I1を目標駆動電流に対して追従性を良くすることができる。
【0057】
そして、目標電圧Vtが基準電圧値Vrefより小さい段階で、比較器7により検出電圧Vdが目標電圧Vtより小さくなったことが分かると、駆動回路11はPWMのデューティ比を上げることにより、実際の駆動電流I1を大きくする。この時、フライホイールダイオード15に流れる電流が一定以下に下がっていなければ、フライホイールダイオード15の逆回復時間の間、電源27からフライホイールダイオード15に電流が流れる可能性がある。そこで、その電流を流す整流ダイオード23が設けられている。これにより、第2のトランジスタ17、電圧保持用コンデンサ19及びクランプダイオード21をその電流から保護することができる。
【0058】
フライホイールダイオード15に流れる電流が一定以下に下がれば、電源27からの電流はフライホイールダイオード15によってブロックされるので、第2のトランジスタ17、電圧保持用コンデンサ19及びクランプダイオード21を保護することができる。
【0059】
なお、図3に示す電磁比例弁駆動回路103において、出力トランジスタ113のコレクタCには0Vより低い電圧は印加されない(図5)。しかしながら、本実施形態では上述したように、第1のトランジスタ13のコレクタCには負電圧が印加される(図2)。従って、第1のトランジスタ13の耐圧を大きく設定する必要がある。
【0060】
以上説明したように、本実施形態によれば、目標電圧Vtが基準電圧値Vrefより小さくなると(目標駆動電流が予め定められた値より小さくなると)、第1のトランジスタ13のオフ時に第2のトランジスタ17がオフするようにしている。これにより、第2のトランジスタ17が抵抗となること、並びに、電圧保持用コンデンサ19及びクランプダイオード21を動作させることで、電磁比例弁1を流れ続けようとする電流を迅速に消費するようにしている。従って、電磁比例弁1に供給された実際の駆動電流I1を目標駆動電流に対して追従性を良くすることができる。
【0061】
また、本実施形態によれば、電圧保持用コンデンサ19及びクランプダイオード21と並列に接続された整流ダイオード23を備えている。これにより、フライホイールダイオード15の逆回復の期間中に電源27からフライホイールダイオード15に電流が流れても、その電流を整流ダイオード23に流すことができるので、第2のトランジスタ17、電圧保持用コンデンサ19及びクランプダイオード21を保護することができる。
【0062】
さらに、本実施形態によれば、シャント抵抗9により、電磁比例弁1に供給された実際の駆動電流に応じて生成される検出電圧Vdと、第2のトランジスタ17のベースB電圧と、を生成している。従って、検出電圧VdとベースB電圧とを異なる回路素子で生成するよりも、電磁比例弁駆動回路3をコンパクトにすることができる。
【0063】
本実施形態によれば、第2のトランジスタ17、電圧保持用コンデンサ19、クランプダイオード21及び整流ダイオード23により構成される回路(以下、電流消費回路)を備える。電流消費回路は、第2のトランジスタ17と、これに並列接続されている電圧保持用コンデンサ19、クランプダイオード21及び整流ダイオード23と、を備えた構成にしているので、それらの素子を一カ所に集中させることができる。従って、電磁比例弁駆動回路3に電流消費回路を組み込むことが容易である。
【0064】
上記電流消費回路が故障した場合について説明する。第2のトランジスタ17、電圧保持用コンデンサ19、クランプダイオード21及び整流ダイオード23の少なくとも一つがショートモードで故障した場合、すなわち、これらの少なくとも一つがショート状態になった場合、電流消費回路は図3に示す接地されたフライホイールダイオード115と等価な回路となる。従って、電流消費回路によって、接地されたフライホイールダイオード115を備えたことによる効果を得ることができる。
【0065】
第2のトランジスタ17がオープンモードで故障した場合、すなわち、第2のトランジスタ17が故障して、第2のトランジスタ17がオフ状態となった場合、目標駆動電流が予め定められた値より大きい段階でも、電流消費回路が動作する。この場合、電磁比例弁駆動回路3でのノイズのレベルが高くなるが、電磁比例弁駆動回路3の動作には大きな問題が生じない。
【0066】
電圧保持用コンデンサ19がオープンモードで故障した場合、目標駆動電流が予め定められた値より小さい段階において電圧保持用コンデンサ19に電流が流れようとすると、電流が大きく上昇する。これにより、電磁比例弁駆動回路3でのノイズのレベルが高くなるが、電磁比例弁駆動回路3の動作には大きな問題が生じない。
【0067】
クランプダイオード21及び整流ダイオード23に対して冗長構成を加えることで、これらの素子の故障に対応することができる。なお、冗長構成を加える場合、それに応じて第1のトランジスタ13の耐圧を設定する必要がある。
【0068】
以上により、本実施形態によれば、電流消費回路が故障しても、電磁比例弁駆動回路3の動作を急に止めることなく、動作を継続することができる。油圧制御で大きな質量を移動させる場合(例えば建設機械、クレーン)、油圧制御を急停止するよりも、一定時間動作を続ける方が安全である。従って、本実施形態によれば、油圧制御で大きな質量を移動させる場合に有効である。
【0069】
なお、本実施形態において、第2のトランジスタ17、電圧保持用コンデンサ19、クランプダイオード21及び整流ダイオード23を電流消費回路にしている。しかしながら、第2のトランジスタ17、電圧保持用コンデンサ19及びクランプダイオード21で電流消費回路を構成してもよい。
【0070】
また、本実施形態において、ディザ発生器5、加算器6及び比較器7をマイクロコンピュータにより構成してもよい。この場合、マイクロコンピュータは、電磁比例弁1を開閉するための駆動電流(指示電圧V1に対応)の値とディザ電流値とを生成し、加算して目標駆動電流値を生成する。電磁比例弁1に供給された実際の駆動電流I1がマイクロコンピュータに送られる。マイクロコンピュータは目標駆動電流値と実際の駆動電流I1の値を比較して、PWM信号のデューティ比を変える指令信号を駆動回路7に出力する。
【符号の説明】
【0071】
1 電磁比例弁
3 電磁比例弁駆動回路
5 ディザ発生器
7 比較器(比較部の一例)
9 シャント抵抗(検出電圧生成部の一例)
11 駆動回路
13 第1のトランジスタ
15 フライホイールダイオード
17 第2のトランジスタ
19 電圧保持用コンデンサ
21 クランプダイオード
23 整流ダイオード
25 抵抗
27 電源

【特許請求の範囲】
【請求項1】
電源と接続可能な第1の端子、電磁比例弁に接続可能な第2の端子及び制御信号が入力される第1の制御端子を含み、前記制御信号のデューティ比に応じて前記電磁比例弁に供給される駆動電流の供給経路を開閉する第1のトランジスタと、
前記電磁比例弁を開閉するための駆動電流にディザ電流を重畳した目標駆動電流の大きさと、前記電磁比例弁に供給された実際の駆動電流の大きさと、を比較する比較部と、
前記制御信号を発生する回路であり、前記比較部による比較の結果、前記電磁比例弁に供給された実際の駆動電流が前記目標駆動電流よりも大きければ前記制御信号のデューティ比を小さくし、前記電磁比例弁に供給された実際の駆動電流が前記目標駆動電流よりも小さければ前記制御信号のデューティ比を大きくする駆動回路と、
前記電磁比例弁に供給された実際の駆動電流に応じて検出電圧を生成する検出電圧生成部と、
第3の端子、接地可能な第4の端子及び前記検出電圧が印加される第2の制御端子を含み、前記検出電圧に応じてオンオフする第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタの前記第2の端子と前記第2のトランジスタの前記第3の端子との間に接続されたフライホイールダイオードと、
前記第3の端子と前記第4の端子との間に接続された電圧保持用コンデンサと、
前記第3の端子と前記第4の端子との間に前記電圧保持用コンデンサと並列に接続されたクランプダイオードと、を備え、
前記目標駆動電流を減少させる場合において、前記目標駆動電流が予め定められた値より大きい段階では、前記第1のトランジスタのオフ時に前記第2のトランジスタをオンさせ、前記目標駆動電流が前記予め定められた値より小さい段階では、前記第1のトランジスタのオフ時に前記第2のトランジスタをオフさせる電磁比例弁駆動回路。
【請求項2】
前記第3の端子と前記第4の端子との間に前記電圧保持用コンデンサ及び前記クランプダイオードと並列に接続された整流ダイオードを備える請求項1に記載の電磁比例弁駆動回路。
【請求項3】
前記検出電圧生成部はシャント抵抗を含み、
前記比較部は前記目標駆動電流を示す目標電圧の大きさと前記検出電圧の大きさとを比較し、
前記駆動回路は、前記比較器による比較の結果、前記検出電圧が前記目標電圧よりも大きければ前記制御信号のデューティ比を小さくし、前記検出電圧が前記目標電圧よりも小さければ前記制御信号のデューティ比を大きくする請求項1又は2に記載の電磁比例弁駆動回路。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公開番号】特開2012−117589(P2012−117589A)
【公開日】平成24年6月21日(2012.6.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−266644(P2010−266644)
【出願日】平成22年11月30日(2010.11.30)
【出願人】(000001199)株式会社神戸製鋼所 (5,860)
【Fターム(参考)】