【課題】半導体デバイス製造方法に係り、例えばＣＤ−ＳＥＭとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をＣＤ−ＳＥＭ（第１の計測手段）とスキャトロメトリ（第２の計測手段）との両方で計測する（Ｓ２０２，Ｓ２０３等）。ウェハ内の複数の計測点に関し、第１及び第２の計測手段の計測値を用いて、誤計測を検出・補正する（Ｓ２１０等）。この際、例えば、ロット内の各ウェハの第２の計測手段の計測値の平均値を用いて処理する。また第１及び第２の計測手段のロットの各ウェハの計測値の平均値を用いて処理する。補正した計測値に基づき、制御対象の工程（Ｓ２０７）の処理条件の制御パラメータを計算（Ｓ２１３）し、変更する。 （もっと読む）

【課題】透明体からなる板状物であっても輪郭を明確に特定する形状認識装置を提供する。
【解決手段】板状物１０の輪郭を検出する形状認識装置６であって、板状物１０を保持する保持テーブル３と、保持テーブル３上に保持され板状物１０を撮像する撮像手段６１と、撮像手段６１下側に配設された照明手段６２と、照明手段６２によって照射され保持テーブル３上に保持された板状物１０で反射した反射光のうち撮像手段６１による撮像領域の正反射光を遮蔽する遮蔽手段６３とを具備している。 （もっと読む）

【課題】並列スライダ装置において、二つのスライダが相互に干渉することなくスムーズな動きをもって移動することを実現すること。
【解決手段】
前側リニアサーボモータ７２のための前側サーボコントローラ１１０と後側リニアサーボモータ８０のための後側サーボコントローラ１３０とに互いに同一の位置指令を与える一方で、前側リニアサーボモータ７２は比例要素と少なくとも積分要素と微分要素の何れか一方を含むＰＩ制御あるいはＰＤ制御あるいはＰＩＤ制御を行い、後側サーボコントローラ１３０は比例要素のみを含むＰ制御を行い、前側サーボコントローラ１１０と後側サーボコントローラ１３０とで制御ゲインを互いに相違させる。 （もっと読む）

【課題】表面に透明薄膜が形成された基板等の試料において、透明薄膜の上面の微小な異物、キズ等の欠陥を高感度且つ高速に検査することができる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の欠陥検査装置によると、照明光学系は、試料の表面の法線に対して所定の入射角を有する検査用照明光を試料表面に照射し、試料表面にスリット状のビームスポットを生成する。試料の表面に対して所定の傾斜角にて傾斜した光軸を有する斜方検出系と試料の表面の法線に沿った光軸を有する上方検出系によって、ビームスポットからの光を検出する。斜方検出系と上方検出系の出力によって、試料の表面の透明薄膜上の欠陥を検出する。検査用照明光の入射角は、試料の表面の透明薄膜下面にて反射した反射光が透明薄膜上面にて全反射するときの入射角より僅かに小さい角度である。 （もっと読む）

【課題】
単一の統合条件においては複数の欠陥種を同時に検出することは困難であり、また、多次元の特徴量として扱って複数の欠陥を検出すると、信号処理にかかる計算コストが検出器の増加とともに増大するという問題が発生する。
【解決手段】
被検査対象物に照明光を照射する照明光学部と、前記照明光学部により照射され該被検査対象物から該被検査対象物の表面に対してそれぞれ異なる方位角方向および仰角方向に散乱する散乱光をそれぞれ検出する複数の検出器を備えた検出光学部と、前記複数の検出器により検出した該被検査対象物からの散乱光に基づく複数の信号のそれぞれについて、ゲイン調整および閾値判別に基づく欠陥判別を並列に行い、前記ゲイン調整および欠陥判別された結果に基づき欠陥を抽出する信号処理部と、を有する欠陥検査装置である。 （もっと読む）

【課題】エッジ検出動作（装置の稼動）を中断することなく、貼り合わせウエハの製造プロセス全体にわたって必要とされるエッジ検出精度を確保することが可能なウエハアライメント装置を提供する。
【解決手段】このウエハアライメント装置１００は、シリコンウエハ１１１とウエハ支持ガラス基板１１２とを含む貼り合わせウエハ１１０のエッジを検出するとともに、開始端２１ａが貼り合わせウエハ１１０の中心側に設定されたラインセンサ２１と、ラインセンサ２１に対向する光源２２と、貼り合わせウエハ１１０のエッジの検出時に、ラインセンサ２１を貼り合わせウエハ１１０の中心側からエッジ側に向かって走査するとともに、所定の場合に、シリコンウエハ１１１のエッジ検出と、ウエハ支持ガラス基板１１２のエッジ検出とを切り替えるように制御するコントローラ４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】計測した光学検出器の光電子増倍係数を基に計算した補正印加電圧を用いて光学検出器を駆動して補正値を検査することにより、基準となる試料を必要とすること無く、光学検出器の出力値を補正することが可能な表面検査装置を実現する。
【解決手段】表面検査装置において、個々の光学検出器８ａ〜８ｃの光電子増倍係数を計測し、計測した光電子増倍係数を基に制御部１１が補正印加電圧を計算する。表面検査装置に組み込まれた検出器８ａ〜８ｃのそれぞれについて、計算した補正印加電圧を用いて光学検出器８ａ〜８ｃを駆動して補正値を検査する。これにより、基準となる試料を必要とすること無く、光学検出器の出力値を補正することが可能な表面検査装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面の膜を容易に高感度で検査することが可能な検査方法を提供する。
【解決手段】表面に膜が設けられたウェハを支持するステージと、ステージに支持されたウェハの表面に照明光を照射する照明系と、照明光が照射されたウェハの表面からの反射光を検出する検出部と、検出部により検出された反射光の情報から膜の検査を行う検査部とを備えた検査装置による検査方法であって、目標膜厚および屈折率を設定する設定ステップＳ１０１と、目標膜厚および屈折率から、目標膜厚近傍における膜厚変化に対する反射率変化の特性を複数の波長毎に算出する演算ステップＳ１０２と、膜厚変化に対する反射率変化の特性に基づいて、反射率変化（すなわち感度）が最も大きくなる波長を照明光の波長として決定する決定ステップＳ１０３とを有している。 （もっと読む）

【課題】小型で広い範囲の曲率を精度よく測定できる曲率測定装置を提供する。
【解決手段】被検査体３を載置台５に載置し、レーザ発光器１０により発光されたビーム光をポリゴンミラー２２で等角速度走査し、ｆθレンズ５０を介して、被検査体３表面を走査する。被検査体３表面から反射されたレーザ光をシリンドリカルレンズ６０で集光し、載置台５の一点から等距離で、互いの距離が一定である位置に配置され、被検査体３から反射されるビーム光を検出する２つのビーム光検出センサ（第１及び第２レーザ光検出センサ３０，３２）でレーザ光を検出した時間差及び２つのビーム光検出センサ３０，３２の間の距離ｄ２、被検査体３表面からの距離Ｌに基づいて、被検査体３の表面の曲率を算出する。 （もっと読む）

ダイが載置されたワークピースを直描書き込みマシン内においてパターニングする方法。前記ダイの配置および配向の位置の測定データと、前記書込器座標系に相対する前記ワークピースの配置および配向とを用いて、前記直描書き込みマシンの座標系内に規定された変換位置への前記測定された位置の変換を決定する。選択されたダイまたはダイ群と関連付けられたパターンデータを、調節された回路パターンデータに変換する。前記変換は、前記元々のパターンデータと、前記変換された位置との双方に基づいて行われる。前記調節された回路パターンデータは、前記調節された回路パターンが前記ワークピース領域の複数の小領域に適合するように前記複数のダイまたはダイ群の回路パターンを表す。前記ワークピース上に分配された前記複数のダイ間のダイまたはダイ群と各小領域が関連付けられる。その後、前記調節された回路パターンデータに従って、前記ワークピース上にパターンを書き込む。 （もっと読む）

パターン化された構造の少なくとも１つのパラメータの測定で使用するための方法およびシステムが提供される。方法は：構造の異なる位置上の測定に対応する複数の測定された信号を含む測定されたデータと、理論的信号と測定された信号との間の関係は、構造の少なくとも１つのパラメータを示す理論的信号を示すデータとを含む入力データを提供する過程と；構造の少なくとも１つの性質を特徴付ける少なくとも１つの選択されたグローバルパラメータに基づきペナルティ関数を提供する過程と；フィッティングプロシージャの前記実行は、理論的信号と測定された信号との間の最適化された関係を決定するために前記ペナルティ関数を使用することと、構造の前記少なくとも１つのパラメータを決定するために最適化された関係を使用することとを含む、理論的信号と測定された信号との間のフィッティングプロシージャを実行する過程と；からなる。
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【課題】サンプルに形成された薄膜の除去工程中に該薄膜に関する情報を、渦電流プローブを使用して実状態で取得する方法を開示する。
【解決手段】渦電流プローブに検出コイルを設ける。渦電流プローブの検出コイルに交流電圧を印加する。渦電流プルーブの検出コイルがサンプルの薄膜に近接したときには、該検出コイルで第１の信号を測定する。該検出コイルが、既知の組成を有しおよび／または該コイルから離れて設けられた基準部材に近接する位置にあるときには、該検出コイルで第２の信号を測定する。第１の信号に含まれる利得及び／又は位相の歪みを第２の信号に基づいて校正する。校正した第１の信号に基づいて薄膜の特性値を決定する。上述の方法を実行する装置を更に開示する。加えて、研磨剤でサンプルを研磨し、このサンプルを監視する化学機械研磨（ＣＭＰ）システムを開示する。このＣＭＰシステムは、研磨テーブルと、研磨テーブル上でサンプルを保持する構成であるサンプルキャリヤと、渦電流プローブとを含む。 （もっと読む）

【課題】光の干渉を利用した干渉測定装置において、測定精度を向上させること。
【解決手段】干渉測定装置は、スーパーコンティニューム光（ＳＣ光）を放射する光源１０と、ＳＣ光を測定光と参照光とに分割する光ファイバカプラ１１と、分散補償素子１２と、分散補償素子１２を移動させる駆動装置１３と、測定光と参照光との干渉波形を測定する受光手段１４と、によって構成されている。測定対象である測定物１５は、厚さ８００μｍのＳｉ基板である。分散補償素子１２は、厚さ７８０μｍのＳｉ基板である。つまり、分散補償素子１２は、測定物１５と同一の材料であり、測定物１５よりも２０μｍ薄い。測定物１５裏面と分散補償素子１２裏面での反射による干渉は、波長分散がほぼ打ち消されるためピーク幅が狭く、ピーク位置の測定精度が向上する。その結果、温度等の測定精度が向上する。 （もっと読む）

【課題】
ハードディスク用のパターンドメディアの光学的な検査において、下地膜の膜厚変動，膜質変動の影響を受けることなくパターンの検査を行えるようにする。
【解決手段】
パターン検査装置を、試料を載置して回転可能な回転テーブル手段と、試料に照明光を照射する照明手段と、照明手段で光を照射された領域からの反射光を分光して検出する分光検出手段と、分光検出手段で分光して検出した基板のパターンが形成されていない領域からの反射光検出信号を処理して多層膜の光学特性を検出するとともに多層膜を含むパターンからの反射光検出信号を処理して多層膜を含むパターンからの反射光の光学特性を検出する光学特性検出手段と、光学特性検出手段で検出した多層膜からの反射光の光学特性の情報を用いて多層膜を含むパターンからの反射光の光学特性の情報を処理することにより多層膜上に形成されたパターンを検査するパターン検査手段とを備えて構成した。 （もっと読む）

【課題】太陽電ウエハの３次元形状を正確かつ高速に算出する。
【解決手段】第１及び第２形状算出部２４，３４は、撮像部２０により所定のフレームレートで連続的に撮像された複数枚の光切断線画像の画像データを基に、ウエハ５０の表面の３次元形状データを算出する。ここで、第１形状算出部２４は、カメラ２１〜２３が現フレームの光切断線画像を撮像する期間に、１つ前のフレームに探索処理を行うと同時に、２つ前のフレームの光切断線画像に重心算出処理を行う。 （もっと読む）

【課題】測定物を保持する際に測定物が自重の撓みにより変形されることのない測定物保持装置を提供する。
【解決手段】測定物１１の平面度測定に用いられる測定物保持装置２０であって、測定物１１が載置される載置面１１ａを有する載置台４０と、載置台４０に、載置面４００２から突出して測定物１１を下方から複数箇所で支持し載置面４００２からの高さが変更可能に設けられた複数の測定物支持部材６０と、各測定物支持部材６０が測定物１１に対して均一な接触圧力で接するように各測定物支持部材６０の載置面４００２からの高さを変更する制御手段８０とを備える構成にした。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のマーク検出率を向上させる。
【解決手段】検出マークの位置を検出する位置検出方法は、検出マークのエッジ位置を特定するためのテンプレートを保持し、検出マークを含む画像に対して、テンプレートを用いたマッチング処理を実行する。ここで、テンプレートにおいて、同一の方向を向くエッジに対応する全てのエッジ位置を当該方向またはその反対方向へ移動することにより当該テンプレートを変更し、上記マッチング処理において算出される相関度が予め定められた判定閾値外の場合に、上記方法でテンプレートを変更しながらマッチング処理を繰り返し、マッチング処理の結果に基づいて位置検出を行う。 （もっと読む）

【課題】位置計測系の周期誤差が発生しても、精度良く周期パターンの位置を検出する。
【解決手段】可動ステージの位置を位置計測系を用いて計測し、その計測情報を用いて可動ステージを駆動するとともに、可動ステージ外の周期パターンから成る計測用マークを可動ステージに一部が配置された検出器を用いて検出する。ここで、位置計測系の計測周期（図１０（Ｂ）及び１０（Ｃ）に示される例では０．２５μｍ）の自然数倍と異なるピッチ（図１０（Ｃ）の例では２．０３１２５μｍ（なお、図１０（Ｂ）の例では２μｍ））の周期パターンを計測用マークとして用いることにより、計測周期に等しい位置計測系の周期誤差が発生しても、検出精度を損なうことなく、計測用マークの位置情報を計測することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に機能層が形成されたウエーハの内部に機能層を損傷することなく変質層を形成することができるレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】基板の表面に機能層が積層された基板の内部にレーザー光線を照射し、基板の内部にストリートに沿って変質層を形成するレーザー加工方法であって、レーザー加工装置のチャックテーブル上にウエーハを基板の裏面を上側にして保持するウエーハ保持工程と、保持されたウエーハの基板の裏面側から照射し、基板の裏面および表面で反射した反射光に基づいてチャックテーブルの上面から基板の裏面までの第1の高さ位置およびチャックテーブルの上面から基板の表面までの第２の高さ位置を計測する高さ位置計測工程と、計測された第1の高さ位置と第2の高さ位置との中間部にレーザー光線の集光点を位置付けて照射することにより基板の内部に機能層に達しない変質層を形成する変質層形成工程とを含む。 （もっと読む）