【課題】本発明は、測定対象物の表面形状をより高い精度で測定することができる形状測定装置および形状測定方法を提供する。
【解決手段】本発明の形状測定装置Ｓは、光へテロダイン干渉を行う一面側測定部２および他面側測定部３によって測定対象物ＷＡの厚さを測定するものであって、一面側測定部２が測定対象物に複数の測定光を照射することで、１回の測定で測定対象物ＷＡにおける厚さと表面形状とを測定する。 （もっと読む）

【課題】 参照光と被検光との相対位置及び光路長差を独立して調整することにより、被検物の面位置を高精度に計測する。
【解決手段】 白色光源からの光を用いて被検物の表面の位置を計測する計測装置は、白色光源からの光を参照光と被検光とに分割し、被検光と参照光とを合成する光学系と、被検光と参照光との干渉光を検出する検出器と、参照光又は被検光の光路内に配置された光学部材であって、参照光と被検光との光路長差及び相対位置とを変更するための光学部材と、光学部材の位置を可変とする位置可変機構とを有する。位置可変機構を用いて光学部材の位置を変更することにより参照光と被検光との光路長差及び相対位置を独立して調整する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの外周端部を全周にわたって短時間のうちに形状検出できる形状検出装置を提供する。
【解決手段】形状検出装置1は、ウェハ保持部２０に支持されたウェハ１０の外周端部形状を検出する装置であって、ウェハ１０の外周端部に対して径方向外側の所定位置に配置されて外周端部を照明する拡散照明部３５と、ウェハ１０の表面に直交する方向に配置されて外周端部に対向し、拡散照明部３５から照射されて外周端部において反射した反射光の径方向に沿った輝度情報を検出する撮像部３０と、撮像部３０において検出された輝度情報を基にして外周端部形状を算出する演算制御部４０とを備えて構成される。 （もっと読む）

検査精密度を向上させることのできる基板検査装置を提供する。基板検査装置は少なくとも一つの照明モジュール、結像レンズ、第１ビームスプリッタ、第１カメラ及び第２カメラを含む。照明モジュールは検査基板に光を提供し、結像レンズは検査基板から反射された光を透過させる。第１ビームスプリッタは結像レンズを透過した光のうち一部を透過させ残りを反射させる。第１カメラは第１ビームスプリッタを透過した光の印加を受けて撮像し、第２カメラは第１ビームスプリッタから反射された光の印加を受けて撮像する。このように、一つの結像レンズを用いて検査基板を検査することによって、従来の結像レンズ間の光軸または倍率偏差に起因した検査精密度の低下を防止することができる。
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【課題】基板上の膜厚を測定可能な検査装置を提供する。
【解決手段】表面検査装置１は、表面に薄膜が設けられたウェハＷを支持するステージ１０と、ステージ１０に支持されたウェハＷの表面に照明光を照射する照明系２０と、照明光が照射されたウェハＷの表面からの光を検出する撮像装置３５と、撮像装置３５により検出された光の情報から薄膜の膜厚を測定する膜厚算出部５０と、照明光の実際の波長を測定する画像処理部４５とを備え、膜厚算出部５０は、画像処理部４５により測定された照明光の実際の波長を用いて、撮像装置３５により検出された光の情報から膜厚を求める。 （もっと読む）

【課題】基板表面のレベル変動の測定時間を短縮する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、パターニングデバイスからパターンを基板（Ｗ）に転写するパターニングサブシステムを備える。パターニングサブシステムは、記録された基板表面のレベル変動の測定結果に従って制御される。レベルセンサ（ＬＳＰ，ＬＳＤ）は、レベルセンシング放射ビームを投影して基板表面の位置から反射させ、反射したセンシングビームを検出して位置の表面レベルを測定するために設けられる。レベルセンサは、少なくとも一つの移動光学素子（ＭＰ，ＭＤ）内蔵しており、基板表面を光学的移動（δＹ）により少なくとも一次元にスキャンして、レベルセンサと基板との間の機械的動作なしで異なる位置の表面レベルの測定結果を取得する。光路長等化手段は、成形リフレクタ及び／または追加的な移動ミラーを用いることにより、スキャンの間の焦点変動を回避するために配置される。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面の膜の端部の高さを精度よく測定可能な検査方法を提供する。
【解決手段】ステージによりウェハを略水平に支持した状態で、高さ検出器によりウェハの平面部の高さ位置を検出するステップＳ１０１と、上ベベル部に位置する膜の端部に合焦させた状態で、撮像部により膜の端部を撮像するステップＳ１０２と、データ処理部により、ステップＳ１０２で撮像した膜の端部の画像に基づいて膜の端部の高さ位置を検出し、ステップＳ１０１で検出した平面部の高さ位置と膜の端部の高さ位置との差から、ウェハの平面部に対する膜の端部の降下量を求めるステップＳ１０３とを有している。 （もっと読む）

【課題】環境温度の変化に伴う誤検出を防止した対物レンズの調整方法を提供する。
【解決手段】結晶質の材料を用いたレンズを含む複数のレンズからなる対物レンズの調整方法であって、環境温度の変化によって対物レンズに生じる熱応力を求め、求めた熱応力から、当該熱応力により生じる対物レンズを通る光の状態変化を求める変化量算出ステップ（ステップＳ１０１〜Ｓ１０３）と、対物レンズを通る光の状態が環境温度の変化に拘わらず一定となるように、求めた光の状態変化を打ち消すような結晶質の材料を用いたレンズ（第９レンズ）の結晶方位を算出する調整量算出ステップ（ステップＳ１０４）と、算出した結晶方位が得られるように結晶質の材料を用いたレンズ（第９レンズ）を光軸回りに回転させる調整ステップ（ステップＳ１０５）とを有している。 （もっと読む）

【課題】計測能力を向上すること。
【解決手段】所定の移動面内を移動する移動体の移動情報を検出する計測装置であって、ピッチが互いに等しくなるように配置された格子をそれぞれ有し、当該格子の位相が互いにずれるように移動体に設けられた複数の回折格子と、光源からの光を複数の回折格子のそれぞれに向けて射出すると共に、複数の回折格子のそれぞれにおいて得られた回折光を個別に干渉させる光学系と、光学系を介して得られた干渉光を検出し、検出結果に基づいて移動情報を検出する検出装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査の精度を向上させること。
【解決手段】ウェハを載置して当該ウェハを搬送する第１搬送ユニットと、前記第１搬送ユニットに隣接し、前記第１搬送ユニットにより搬送されたウェハを受け取り、当該ウェハを載置して当該ウェハを搬送する第２搬送ユニットと、前記第２搬送ユニットの上のウェハを検査する検査ユニットと、前記検査ユニットに連結されて、前記検査ユニットを前記第２搬送ユニットの上で移動させる駆動装置と、を備え、前記第２搬送ユニットがウェハの搬送を一時的に停止したとき、前記駆動装置が前記検査ユニットを移動させつつ前記検査ユニットが前記第２搬送ユニットの上のウェハを検査する。 （もっと読む）

【課題】
ＭＯＣＶＤ装置の基板など移動台の上に置かれた被測定物の形状測定を行う場合、速度計測装置の使用状態で異なるオフセット値の影響により、測定精度が低下することと、回転台に複数の被測定物を配置する装置で測定精度が低下すること、回転台の振動や回転軸の傾きなどで測定精度が低下することなどで、精度よく測定することができなかった。
【解決手段】
被測定物を移動させる移動台と、レーザ光線によるドップラー効果を利用した速度計測手段と、被測定物検出手段と、演算処理手段と記録手段により、被測定物の形状を測定する。前記演算処理手段は、前記被測定物の速度を抽出する被測定物速度抽出手段と、速度データから速度平均値を算出する速度平均算出手段と、速度データから速度平均値を減算する減算手段と、速度を積分する積算手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】大口径ウェーハに用いることができる半導体ウェーハの端部形状を測定する方法およびそれに用いる形状測定装置を提供する。
【解決手段】発光部２ａが発する光を半導体ウェーハ１２の端部で反射させ、受光部２ｂで検出して端部との距離を測定する距離測定手段２と、距離測定手段２を一定の角度範囲で揺動可能に支持する第１揺動機構と、第１揺動機構を一定の角度範囲で揺動可能に支持する第２揺動機構とを備える形状測定装置を用いる形状測定方法であって、第２揺動機構の所定角度ごとにおいて、距離測定手段２の発光部２ａが発する光を端部に反射させ、受光部２ｂで受光量を測定し、受光量が最大となる第１揺動機構の角度を求め、当該角度における距離測定手段による測定距離と、第１揺動機構の当該角度および第２揺動機構の所定角度から座標変換により輪郭点を算出し、端部の輪郭形状を示す点郡データを得る。 （もっと読む）

露光装置は、第1方向に延在するカ゛イト゛部材を有し、第1駆動装置の駆動により第1方向と略直交する第2方向に移動する第1移動体と、カ゛イト゛部材に沿って第1方向に独立して移動自在に設けられ、第1移動体の移動によりカ゛イト゛部材とともに第2方向に移動する一対の第2移動体(WCS)と、物体(W)を保持するとともに、一対の第2移動体により、少なくとも第1方向、前記第2方向を含むとともに光学系の直下の第1位置を含む二次元平面内で移動自在に支持される保持部材(WFS)と、一対の第2移動体に対して第2方向に沿って隣接して配置され、第1駆動装置の少なくとも一部を共用する第2駆動装置の駆動により、一対の第2移動体に支持された保持部材とともに第2方向側の端部で近接又は接触した状態を維持して第2方向に平行な方向に移動して、保持部材上の物体と光学系との間に液体が保持される第1の状態から、光学系との間で液体を保持する第2の状態に遷移させる液体保持部材(MST)と、を有する。
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【課題】 溝底に照射するレーザビームを利用して切削ブレードの消耗量を正確に管理可能な切削ブレードの消耗量管理方法を提供することである。
【解決手段】 切削装置における切削ブレードの消耗量管理方法であって、レーザポインタの出射ビームが撮像手段の焦点を通過するように設定し、切削ブレードで被加工物を切削した切削溝中にレーザビームを照射してレーザビームのビームスポットが切削溝の溝底で撮像手段の焦点に一致するように撮像手段を高さ方向（Ｚ軸方向）に移動させる基準位置合致工程を遂行する。被加工物を切削ブレードで適宜切削加工した後に、ビームスポット形成工程及び基準位置合致工程を遂行し、前回実施した基準位置合致工程後の撮像手段のＺ軸方向の位置と、今回実施した基準位置合致工程後の撮像手段のＺ軸方向の位置の差から、切削ブレードの消耗量を割り出す。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの裏面粗さ評価方法に関し、簡便に裏面の粗さを評価することができるようにする。
【解決手段】エッチングされた半導体ウェーハの裏面の凹凸成分のうちの特定波長領域に属する凹凸成分のパワースペクトル密度を反映する特定入射角で測定された光沢度を求める光沢度取得工程（Ａ１０〜Ａ３０）と、その光沢度が許容範囲内に収まっているか否かを判定することによりウェーハ裏面の粗さを評価する評価工程（Ａ４０）とを備え、このとき、特定波長領域に属する凹凸成分のパワースペクトル密度は、ウェーハ裏面と静電チャックプレートの吸着面との間に熱交換媒体として供給される不活性ガスのリーク量と相関するパワースペクトル密度であり、許容範囲は上記リーク量の範囲と相関する許容範囲であるものとする。 （もっと読む）

【課題】安価かつ簡易に、半導体ウェハのエッジ位置の検出範囲を拡げることが可能なエッジ位置検出器およびアライメント装置を提供する。
【解決手段】エッジ位置検出部５０は、半導体ウェハ１２のエッジを挟んで対向するように配置された投光部５４および受光部５２を備える。投光部５４は、ＬＥＤ基板５４０、導光板５４４、および拡散板５４６を備える。ＬＥＤ基板５４０は、半導体ウェハ１２に対して光を照射するように構成され、かつ、アレイ状に配列された複数のＬＥＤチップ５４２を備える。導光板５４４は、ＬＥＤ基板５４０と対向する入射面および半導体ウェハ１２と対向する出射面を有する。拡散板５４６は、導光板５４４の出射面に設けられる。受光部５２は、ＬＥＤチップ５４２の配列方向に沿って延びるように設けられたＣＣＤ５２２およびＣＣＤ５２４を備える。 （もっと読む）

【課題】高い空間解像度を有しており、検査に要する時間を短くでき、簡易な構成によって半導体デバイスの異常箇所を特定可能な半導体検査装置を提供する。
【解決手段】半導体検査装置１Ａは、ＤＵＴ１７の端子電極にストレス電圧Ｖｓを印加するストレス印加装置２２と、シリコン基板１７ａを透過する波長の光を発生する光源１１と、光源１１から提供された光をシリコン基板１７ａに照射し、シリコン基板１７ａを透過した光に関する干渉像を生成する干渉光学系と、干渉像を撮像して撮像データを生成するＩＲカメラ１９と、撮像データに基づいて、異常発生箇所としてのＤＵＴ１７の発熱箇所を特定するための情報を演算する演算部２１とを備える。ストレス電圧Ｖｓの時間波形は、一定周期の繰り返し波形であって、ＤＵＴ１７の発熱によるシリコン基板１７ａ内部の光学的距離の時間変化を正弦波状とする時間波形である。 （もっと読む）

薄膜の厚さに関するデータ（例えば、厚さ変化）は、以下の通りに本願明細書において決定される。前記膜および基板が、全体において、干渉計構造を形成するように、前記膜は基板上に配置される。その光放射線が膜および基板によって形成される干渉計構造の方へ発されて、前記干渉計構造から光学的に反射された後、放射線は測定される。前記薄膜の厚さ関連のデータ（例えば、厚さ変化）は、その後、スペクトル関連の情報の中で、例えば、前記光学的に反射された放射線によって決定される。 （もっと読む）

【課題】 表面の状態を適切に評価する。
【解決手段】 波長３８０ｎｍ〜５００ｎｍの光を出射し、該範囲以外の可視光領域の光を出射しない光源と、光源を出射した光を集光する集光光学系と、集光光学系で集光された光の光路上に配置され、評価対象物を保持し、集光光学系で集光された光が評価対象物の表面に入射するように、評価対象物を移動させることのできるステージと、集光光学系で集光された光がステージに保持された評価対象物の表面に入射して生じる光のうち、正反射光と透過光とを除いた結像されない光の、ある立体角内へ散乱する分のパワーを計測する計測装置とを有する半導体薄膜の表面評価装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】表面に膜が形成されたウエハでも安定してアライメントマークと周辺部のコントラストが高い画像データを取得できるようにしたものを提供する。
【解決手段】照明光となる光源と前記光源からの光を物体に照射し、また反射光を集光結像する結像光学系と前記結像光学系の集光点に設置し、物体の画像を取り込むカメラと取り込んだ画像を処理する画像処理機能からなるアライメント測定装置を備えた欠陥検査装置において、画像の取り込みを少なくとも２つの異なる波長帯域の反射光において行い、それぞれの反射光に対応した物体の画像情報を適切に演算処理することによってアライメントマークのコントラストを高めるように構成する。 （もっと読む）