【課題】露光装置及びその制御方法において、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して、原版のパターンを位置合わせする際の位置合わせ精度を落とすことなく、スループットを向上させる。
【解決手段】ショット補正パラメータの自動計測を行うかどうかを判断し（Ｓ６０２）、計測を行う場合にのみ、ショット補正パラメータの自動計測を行うことで処理を減らす（Ｓ６０３）。その後、ウエハ補正パラメータの自動計測を行い（Ｓ６０４）、ショット補正パラメータの自動計測を行ったかどうかに応じて、ショット補正パラメータとウエハ補正パラメータとの相対パラメータδを算出するか（Ｓ６０６）、記憶してある相対パラメータδ及びウエハ補正パラメータからショット補正パラメータを算出するか（Ｓ６０７）を判断することで、位置合わせの精度を保つ（Ｓ６０５）。得られたショット補正パラメータとウエハ補正パラメータとに応じて、装置ユニットを駆動し（Ｓ６０８）、露光する（Ｓ６０９）。 （もっと読む）

【課題】互いに平行に形成された２つの面の相対的な傾きを、該２つの面が不透明な部材の表裏両側に位置するような場合でも、１つの測定系により測定可能とする反射偏向素子、相対傾斜測定装置および非球面レンズ測定装置を得る。
【解決手段】干渉計３０からの測定光の一部を、反射偏向素子１０Ｂを介して第１被検面７１に対し垂直に照射するとともに、測定光の他の一部を、反射偏向素子１０Ｂを介さずに第２被検面７２に対し垂直に照射する。第１被検面７１から再帰反射され、反射偏向素子１０Ｂを介して干渉計３０に戻る測定光により形成される第１解析用画像と、第２被検面７１から再帰反射されて干渉計３０に戻る測定光により形成される第２解析用画像とに基づき、第１被検面７１および第２被検面７２の相対的な傾きが解析される。 （もっと読む）

【課題】レーザ干渉計の計測精度を改善する。
【解決手段】露光装置は、投影光学系ＵＬと、原版Ｒまたは基板Ｗを保持して移動可能なステージ１ｒ、１ｗと、ステージを支持する定盤４と、原版または基板の表面の高さ及び傾きを検出する検出手段７と、投影光学系と検出手段とを支持する架台８と、定盤と架台との間における、ステージを含む空間の空調を行う空調手段と、該空間内に光路を有してステージの位置を計測するレーザ干渉計６と、を有する。上記検出手段は、光電検出手段２７と、パターンを投影する投光光学系と、原版または基板上に投影された上記パターンの像を光電検出手段に再結像させる受光光学系とを有する。光電検出手段を含む検出手段の第１の部分は、上記空間の外において架台に支持され、検出手段の第２の部分は、上記空間内において架台に支持され、第１の部分と第２の部分とは、受光光学系の瞳面と像面との間で分割されている。 （もっと読む）

【課題】チャックテーブルに保持された被加工物の上面位置を正確に計測することができる高さ位置計測装置を提供する。
【解決手段】高さ位置計測装置は、発光源からの光を第１の偏波保持ファイバーと第２の偏波保持ファイバーに導く光分岐手段と、光照射光路に導かれた光を平行光に形成する第１のコリメーションレンズと、平行光に形成された光を偏光する１／４波長板と、対物レンズと、第１の反射光と第２の反射光とを平行光に形成する第２のコリメーションレンズと、第１の反射光と第２の反射光との光路長を調整する光路長調整手段と、第１の反射光と第２の反射光との干渉を回折する回折格子と、回折格子によって回折した第１の反射光と第２の反射光の所定の波長域における光強度を検出するイメージセンサーと、検出信号に基づいて分光干渉波形を求め分光干渉波形と理論上の波形関数に基づいて波形解析を実行する制御手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】所定の圧力及び所定の温度に加圧された部屋に配置した基板に形成されている物質（特に、薄膜）の間隙率を求める装置及び非破壊方法に関する。
【解決手段】ガス物質（例えば、トルエン蒸気）が部屋１に導入され、所定時間後、部屋に配置した基板２に形成されている薄膜の間隙率が、少なくとも偏光解析測定によって求められる。特に、偏光解析器６から得られる光学的特性は、薄膜の間隙（ポア）に凝縮されたガス物質の量を求めるために利用される。その量は、薄膜の間隙率を計算するために利用される。 （もっと読む）

【課題】凹部深さを高精度に検出できる凹部深さの測定方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】凹部Ｄが形成された測定対象物Ｗに対して略直交する方向の光Ｌｉｇｈｔを測定対象物Ｗに照射して凹部Ｄの周縁に陰影を生じさせた状態で、測定対象物Ｗの凹部Ｄを濃淡表示した画像を取得する画像取得工程Ｓ１を有する凹部深さの測定方法は、前記画像の凹部Ｄに対応する部分（凹部画像Ｄ'）の略中心から周縁までの階調値に基づいて凹部深さを計算する計算工程Ｓ５を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像内に含まれる目的の対象物を検出する速度を向上させる。
【解決手段】標準パターンの領域を、任意の点である領域分割中心点から放射線状に２つ以上の領域に分割し、分割領域ごとに領域分割中心点から最大距離にある標準パターン画素位置を標準パターン代表点として選定する。被判定パターンの領域を、標準パターン代表点選定ステップと同じ条件で領域分割中心点を用いて２つ以上の領域に分割し、分割領域ごとに領域分割中心点から最大距離にある被判定パターン画素位置を被判定パターン代表点として選定する。対応する分割領域における標準パターン代表点の座標と被判定パターン代表点の座標の位置的差異を求め、すべての分割領域において位置的差異が予め定められた範囲内であるときに被判定パターンは目的の対象物であると判定する。 （もっと読む）

【課題】基板の加工領域の位置に関する位置情報をアライメントマークに関連させて取り出し、アライメントと実際の加工とを切り離して基板を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】基板（５；４２）は、基板（５；４２）に対して固定されたアライメントマーク（６ａ、６ｂ；１２ａ…ｄ；４４ａ…ｃ）が設けられ、基板（５；４２）を加工する前に、基板（５；４２）の加工領域の位置に関する位置情報がアライメントマーク（６ａ、６ｂ；１２ａ…ｄ；４４ａ…ｃ）に関連させて取り出された場合に、アライメントと実際の加工とを切り離すことによって効率よく製造することができる。この場合に、アライメントは、加工時にアライメントマーク（６ａ、６ｂ；１２ａ…ｄ；４４ａ…ｃ）の位置を１回だけ再測定し、加工領域の位置に関する保存された位置情報を使用することにより行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体ウェハにおける表面形状の測定に適した精度で、そして、より短時間でその表面形状を測定し得る表面形状測定装置および半導体ウェハ検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の表面形状測定装置Ｓａは、測定対象である半導体ウェハＳＷの表面に所定の波面を持つ測定光を照射するための光源部１と、半導体ウェハＳＷの表面で反射した測定光の反射光における波面の形状を測定する波面センサ４と、波面センサ４で測定した反射光における波面の形状に基づいて半導体ウェハＳＷにおける表面の形状を求める演算制御部７ａとを備える。そして、半導体ウェハ検査装置は、このような表面形状測定装置Ｓａを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】安価で狭い視野のレンズ系でウエハの反りを測定可能にする。
【解決手段】ウエハ１０を回転テーブル１２上で回転させながら、レーザー距離計２８によりウエハ１０のエッジとレーザー距離計２８との距離を非接触で測定する。次に、この距離の最大値と最小値との差をウエハ１０の反り量として計算する。これにより、従来の測定方法のようにウエハ１０の全面を測定することなく、ウエハ１０の反り量を測定する。 （もっと読む）

【課題】SiC基板及びエピタキシャル層に形成されたマイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を高精度に検出でき、他の欠陥から区別できる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む共焦点走査装置を用いて、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面の共焦点微分干渉画像を撮像する。共焦点微分干渉画像は、試料表面の数ｎｍ程度の凹凸変化を輝度分布として表すので、SiC基板表面又はエピタキシャル層表面に出現した結晶欠陥を、輝度分布に基づいて検出することができる。欠陥の種類に応じて、輝度分布が相違するので、欠陥画像の形状及び輝度分布の観点より欠陥を分類する。特に、本発明による分類方法を用いることにより、マイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を他の欠陥から区別することが可能である。 （もっと読む）

【課題】基板を汚染することなく非接触で保持する基板保持装置では、基板の自重によるたわみが発生したり、使用条件の中で回転動作の風圧による基板のたわみが発生するために、各種処理の障害になっている。
【解決手段】基板の上面を所望の面高さに保持したり、あるいは平面度を保持したりするために、基板上面に基板面の高さを測る非接触の変位センサを設置し、また、載せ台上面には複数の溝と障壁を設け、基板と乗せ台の間にエアーを供給してその圧力によって基板の変位を可能として、さらに、変位センサの出力をフィードバックすることで基板を任意の凸，凹形状に変形したり、平面化することを可能とする構造を持つ基板搭載装置。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ表面に存在するソーマークなどの線状の凹凸について、短時間かつ容易に検査が可能であり、検査に対する振動の影響を低減できる技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷの表面の全域に光源装置２によって斜め方向から光を照射し、ＣＣＤカメラ４で半導体ウェハＷ全体を撮影する。これにより、半導体ウェハＷの各ポイントからの前記照射光の反射光または散乱光の強度を検出する。取得された光の２次元的な強度分布に基づいて、半導体ウェハＷの表面に生成されたソーマークなどの凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置で使用するために、基板の厚さ及び平坦さの通常の変動より大きい高さ範囲で確実な測定結果を提供するレベルセンサを提供する。
【解決手段】基板の高さレベルを決定するように構成され、周期的な光強度を有する測定ビームを基板に投影する投影ユニットと、基板で反射した測定ビームを受ける検出ユニットとを備える。検出ユニットが、反射した測定ビームを受けるように配置された検出格子１１を備え、検出格子１１が投影される前記投影ビームの周期の長さと実質的に等しい長さを有する３つ以上のセグメント１３ａ、１３ｂ、１３ｃを備え、反射した測定ビーム１４を３つ以上の反射測定ビーム部分１４ａ、１４ｂ、１４ｃに分割するように構成され、３つ以上の検出器がそれぞれ測定ビーム部分のうちの１つを受けるように配置され、さらに、検出器が受けた測定ビーム部分に基づいて高さレベルを計算する処理ユニットを備える。 （もっと読む）

【課題】 回路パターンからの散乱光の影響を抑えた方向から照明光の照射を行うことで、基板の端部近傍の欠陥検査をより正確に行うことができる検査装置を提供する。
【解決手段】 表面に回路パターンが形成されたウェハ１０の端部近傍に対して、複数の方向から照明光の照射が可能な照明部３０と、前記照明光が照射されたウェハ１０の端部近傍の前記回路パターンからの散乱光を検出する撮像部４０と、撮像部４０を用いて検出された前記回路パターンからの散乱光に基づき、ウェハ１０の端部近傍の検査を行う検査部８０と、各種制御を行う制御部６０とを有し、制御部６０は検査時に前記回路パターンに対して照明部３０により照射する照明光の照射方向を照射可能な複数の方向から選択する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ表面や表面近傍に存在する異物や欠陥等に由来して発生する散乱光の強度が照明方向に依存する異方性を有する場合であっても主走査方向の回転角に依存せずに均一な感度で異物や欠陥等の検査が可能な表面検査装置を実現する。
【解決手段】光源１１からの光はビームスプリッタ１２で、略等しい仰角を有し、互いに略直交する２つの方位角からの２つの照明ビーム２１、２２となり、半導体ウェハ１００に照射され、照明スポット３、４となる。照明光２１、２２による散乱・回折・反射光の和を検出するとウェハ１００自身又はそこに存在する異物や欠陥が照明方向に関する異方性の影響を解消できる。これにより、異物や欠陥等に由来して発生する散乱光の強度が照明方向に依存する場合であっても主走査方向の回転角に依存せずに均一な感度で異物や欠陥等の検査が可能となる。 （もっと読む）

【課題】チャックテーブルに保持された半導体ウエーハ等の被加工物の上面位置を計測する計測装置および計測装置を装備したレーザー加工機を提供する。
【解決手段】発光源からの光を第１の経路に導くとともに第１の経路を逆行する反射光を第２の経路に導く第１の光分岐手段と第１の経路に導かれた光を平行光にし、この平行光を第３の経路と第４の経路に分ける第２の光分岐手段と第３の経路に配設され第３の経路に導かれた光を被加工物に導く対物レンズと、第２の光分岐手段と対物レンズとの間に配設された集光レンズと、第４の経路に導かれた平行光を反射し、この反射光を逆行せしめる反射ミラーと、第２の経路に導かれた反射光を回折する回折格子と、回折光の所定の波長域における各波長の逆数の光強度を検出するイメージセンサーと、検出信号からの分光干渉波形と理論上の波形関数に基づくフーリエ変換理論による波形解析を実行する制御手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画像を利用したパターン計測において、計測対象のパターンに比較的大きな欠陥が含まれている場合でも、基準パターンとのマッチングを高精度に実施することができるパターン評価方法及びパターン評価装置。
【解決手段】基準パターン画像及び計測対象パターン画像から、各パターンの輪郭線を抽出し、抽出した各パターンの輪郭線からパターンのコーナー部分や欠陥部分などに相当するノイズ領域を除去してパターンマッチング用輪郭線を生成する。続いて、基準パターンのパターンマッチング用輪郭線と、計測対象パターンのパターンマッチング用輪郭線とのマッチングを行い、マッチングした位置で元の輪郭線同士を重ね合わせ表示する。そして、その重ね合わせ画像から、基準パターンと計測対象パターンとの差分を計測する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造方法に係り、例えばＣＤ−ＳＥＭとスキャトロメトリを併用し、処理工程等をより適切に制御できる技術を提供する。
【解決手段】本半導体装置製造方法では、半導体デバイスの製造の処理工程に関する寸法等をＣＤ−ＳＥＭ（第１の計測手段）とスキャトロメトリ（第２の計測手段）との両方で計測する（Ｓ２０２，Ｓ２０３等）。ウェハ内の複数の計測点に関し、第１及び第２の計測手段の計測値を用いて、誤計測を検出・補正する（Ｓ２１０等）。この際、例えば、ロット内の各ウェハの第２の計測手段の計測値の平均値を用いて処理する。また第１及び第２の計測手段のロットの各ウェハの計測値の平均値を用いて処理する。補正した計測値に基づき、制御対象の工程（Ｓ２０７）の処理条件の制御パラメータを計算（Ｓ２１３）し、変更する。 （もっと読む）

【課題】可視光、近赤外光または赤外光が透過する材料に設けられた高アスペクト比の穴の深さ等の段差構造の形状を正確且つ高速に測定する。
【解決手段】可視光、近赤外光または赤外光の測定用光Ｌを未貫通ビア１０４が形成されたシリコンウェーハ１０１の裏面１０３側から照射し、共焦点測定法により、測定用光Ｌがシリコンウェーハ１０１の表面１０２及び未貫通ビア１０４の底面１０５に焦点を結ぶ位置を測定することによって未貫通ビア１０４の見かけ上の形状を測定し、予め取得したシリコンウェーハ１０１の屈折率または屈折率を測定する屈折率測定手段によって測定したシリコンウェーハ１０１の屈折率を用いて、前記測定した形状を換算することにより未貫通ビア１０４の実際の形状を算出する。 （もっと読む）