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Fターム[2F065CC19]の内容

光学的手段による測長装置 (194,290) | 対象物−個別例 (8,635) | 半導体製造関連 (1,910) | ウエハー単独 (924)

Fターム[2F065CC19]に分類される特許

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【課題】基板の膜種、表面状態等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板が載置される載置台32と、載置台32に載置されている基板の周縁部を保持する保持部44と、保持部44に光を照射する光源98と、保持部44からの光の光量を検出することによって、保持部に保持されている基板の保持状態を検出する検出部99とを有する。 (もっと読む)


【課題】検査対象からの反射光角度の変化に基づいて基板の欠陥を精度よく検査することができる検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る検査装置は、赤外光を出射する光源11と、光源11から出射される赤外光を平行光としてウエハ30に略垂直に入射させ、当該ウエハ30からの反射光を導く光学系と、光学系により導かれる反射光のうち、正反射光以外の光を検出するIRカメラ19、20とを備え、光源11からの赤外光を導光する光ファイバ13の出射端面面は、光学系の瞳位置に配置されている。 (もっと読む)


【課題】測定範囲を拡大できるとともに機器の簡略化が可能な斜入射干渉計を提供すること。
【解決手段】光源41と、光源41からの原光を分割する光束分割部と、測定光を被測定物Wに照射する照射部43と、測定光と参照光とを合成する光束合成部44と、合成された光束を受光する受光部45とを有する斜入射干渉計1において、干渉計本体30と、被測定物Wを保持する基台10と、干渉計本体30を被測定物Wに沿って移動可能な移動機構20と、干渉計本体30の移動軸線の延長上に配置された補助反射鏡51と、光源41からの原光から補助光を分割して補助反射鏡51に照射する補助光束分割部52と、干渉計本体に設置されかつ補助反射鏡51で反射された補助光を受光する補助受光部55と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光干渉を利用して測定対象物の温度を適切に計測することができる温度計測装置、基板処理装置、及び温度計測方法を提供する。
【解決手段】温度計測装置1は、データ入力部16と、ピーク間隔算出部17と、光路長算出部20と、温度算出部21とを備える。データ入力部16は、測定対象物13の表面13aへ測定光が照射され、表面13aにおいて反射された測定光と裏面13bにおいて反射された測定光とが干渉して得られる干渉光のスペクトルを入力する。ピーク間隔算出部17は、入力されたスペクトルのピーク間隔を算出する。光路長算出部20は、ピーク間隔に基づいて光路長を算出する。温度算出部21は、光路長に基づいて、測定対象物13の温度を算出する。 (もっと読む)


【課題】単結晶シリコン太陽電池表面上に成膜された反射防止膜の膜厚および屈折率を有効に測定するためのエリプソメーター装置を得ること。
【解決手段】実施の形態にかかるエリプソメーター装置10は、反射防止膜が形成された測定試料1の反射防止膜が形成された面へレーザー光を照射する光源5と、前記測定試料から反射された反射光に基づいて反射光の偏光変化量を測定することにより前記反射防止膜の膜厚および屈折率を測定する検出器6と、前記測定試料を試料設置面にて保持し、前記試料設置面と垂直な方向を軸にして前記測定試料を回転する回転角度調節部と、前記測定試料を傾斜させる傾斜調節部とを有するステージ2と、前記ステージをステージ設置面上に保持する支持部7と、を備える。 (もっと読む)


【課題】試料表面の変位量が大きくても、フェーズラッピングの問題が生ずることなく、試料の微細な表面形状を高分解能で測定できる形状測定装置を実現する。
【解決手段】白色光源から出射した照明光は、入射光をシャーリングする第1の光路と入射光に対して可変光路長ないし可変位相量を導入してフリンジスキャンを行う第2の光路とを有する干渉光学系及び対物レンズを経て試料に入射する。試料上には、シャーリングされた参照ビームにより形成される第1の照明領域とフリンジスキャンされた測定ビームにより形成される第2の照明領域が形成される。第1及び第2の照明領域から出射した反射光は、対物レンズ及び干渉光学系を介して2次元撮像装置に入射し、2つの照明領域の画像が合成された干渉画像が形成される。フリンジスキャンにより、2つの画像を構成する反射光間に白色干渉が発生し、干渉信号を検出することで、試料の形状又は孔の深さが測定される。 (もっと読む)


【課題】欠陥検査工程における未検査を抑制すること。
【解決手段】ウエハを保持するステージ12と、前記ステージに保持されたウエハのアライメントを行なうアライメント部32と、アライメントされた前記ウエハ表面の欠陥を検査する検査部34と、前記アライメント部が前記アライメントを開始してから前記欠陥の検査が終了するまでの時間である検査時間が所定時間より短い場合、前記アライメント部に前記アライメントを再度行なわせ、前記検査部に前記欠陥を再度検査させる制御部36と、を具備する欠陥検査装置。 (もっと読む)


【課題】被検物(例えば、基板の裏面と表面とに形成されたマーク)の位置を高精度に検出することができる技術を提供する。
【解決手段】被検体の位置を検出する検出装置であって、前記被検体を第1波長帯域及び前記第1波長帯域とは異なる第2波長帯域を含む光で照明する照明系と、前記被検体からの光により前記被検体の像を形成する結像系と、前記被検体の像を撮像する撮像素子と、前記照明系又は前記結像系の光路における前記第1波長帯域の光に対する透過率と前記第2波長帯域の光に対する透過率とを異ならせることで、前記撮像素子で撮像される前記被検体の像を形成する前記第1波長帯域の光の強度と前記撮像素子で撮像される前記被検体の像を形成する前記第2波長帯域の光の強度との強度差を低減する光学部材と、を有することを特徴とする検出装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】検査装置における伝送プロトコルは画像データの送信側と受信側が使用する伝送プロトコルに応じて最適化されている。このため、使用する伝送プロトコルが変更されると、データの分配を実行する部分の再開発が必要とされる。
【解決手段】画像データに付加情報を付して出力する撮像部と画像データを処理する画像処理部との間に画像分配部を配置する。さらに、画像分配部を、第1の伝送プロトコルにより撮像部から入力される画像データを所定のデータ形式に変換する画像入力部と、所定のデータ形式に変換されたデータの分配を制御する分配制御部と、所定のデータ形式のデータを第2の伝送プロトコルの画像データに変換して画像処理部に出力する画像出力部とで構成する。 (もっと読む)


【課題】太陽電池ウェハの表面及び裏面の形状のみならず、太陽電池ウェハの厚みを高速に算出する。
【解決手段】光源121,131は太陽電池ウェハの表面及び裏面に光切断線CLを照射する。カメラ122,132は太陽電池ウェハが所定距離搬送される都度、測定試料500の表面及び裏面の光切断線画像を連続撮像する。計測データ算出部123,133は角光切断線画像から光切断線CLが現れている重心座標を表面計測データ及び裏面計測データとして算出する。高さデータ算出部143は、表面計測データ及び裏面計測データから太陽電池ウェハの表面及び裏面の高さデータを算出する。厚みデータ算出部146は、太陽電池ウェハの表面及び裏面の高さデータから太陽電池ウェハの厚みデータを求める。 (もっと読む)


【課題】計測期間における計測部の温度安定化に有利な露光装置を提供する。
【解決手段】光源63から射出される光で前記基板の上のマークWMを照明し、前記マークで反射した光により前記マークの像を形成する光学系と、前記マークの像を検出する検出部11とを含み、前記マークの位置を計測する計測部と、前記光学系の所定面における光量を制御する制御部90と、を有し、前記マークの位置を計測しない非計測期間に前記光源から射出される光の光量は、前記マークの位置を計測する計測期間に前記光源から射出される光の光量よりも低く、前記光源と前記所定面との間の光路における透過率を前記非計測期間で、前記計測期間における透過率よりも高くすることにより、前記非計測期間と前記計測期間の前記所定面における光量の差を低減する。 (もっと読む)


【課題】検査装置の検査情報とレビュー装置で取得した観察情報とを用い、欠陥の高さ、屈折率、材質の情報を取得して欠陥材質・屈折率分析や、微細なパターン形状の三次元解析を行う方法、並びにこれを搭載した欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】試料上の欠陥を観察する方法において、光が照射された試料からの反射・散乱光を受光した検出器からの検出信号を処理して検出した検査結果の情報を用いて観察対象の欠陥が存在する位置を走査電子顕微鏡で撮像して画像を取得し、この取得した観察対象の欠陥の像を用いて欠陥のモデルを作成し、作成された欠陥のモデルに対して光を照射したときに欠陥モデルから発生する反射・散乱光を検出器で受光した場合のこの検出器の検出値を算出し、この算出した検出値と実際に試料からの反射・散乱光を受光した検出器の検出値とを比較して観察対象の欠陥の高さ又は材質又は屈折率に関する情報を求めるようにした。 (もっと読む)


【課題】ラインイメージセンサーと同等の機能を有する比較的安価な受光装置を提供する。
【解決手段】検出領域における光を検出するための受光装置であって、ホトデテクターと、ホトデテクターに入光する光を規制する開孔を有するマスクを備えた受光手段と、受光手段を検出領域に渡り移送せしめる移動手段と、受光手段の移動位置を検出する位置検出手段とを具備している。 (もっと読む)


【課題】貼り合わせた2つの基板層のいずれかに検査光の透過しない部分があっても、貼り合わせ界面に発生し得る微小空洞を検査することのできる基板検査装置を提供することである。
【解決手段】基板100の表面に対して斜めに入射するように検査光を帯状に照射する光源ユニット30と、前記検査光により前記基板の表面に形成される帯状照明領域を挟んで光源ユニット30と逆側の所定位置に配置されるラインセンサカメラ20とを有し、照明ユニット30及びラインセンサカメラ20と基板100とが相対移動している際にラインセンサカメラ20から出力される映像信号に基づいて基板画像情報を生成し、基板画像情報に基づいて基板100の第1基板層101と第2基板層102との界面に生じ得る微小空洞についての検査結果情報を生成する構成となる。 (もっと読む)


【課題】反射率の低い被計測物であっても輪郭を正確に計測することができる3次元計測装置を提供する。
【解決手段】
所定の波長領域を有する光を照射し被測定物で反射した反射光と基準反射光との干渉光の各波長の光強度を検出して分光干渉波形を求め、分光干渉波形と理論上の波形関数に基づいて波形解析を実行する制御手段を具備する3次元計測装置であって、被計測面が対物レンズの集光点位置と一致するように予め波形解析後の光強度のピーク位置と共焦点位置の対応をとっておき、制御手段はイメージセンサーからの検出信号に基づいて分光干渉波形を求め、分光干渉波形と理論上の波形関数に基づいて波形解析を実行し、対物レンズの集光点位置に対応する光強度を位置付け手段によって特定されたX、Y座標におけるZ座標の光強度としてメモリに保存し、該メモリに保存されたX、Y、Z座標に基づいて3次元画像を形成する。 (もっと読む)


【課題】光学的手法を用いて被処理基板の構造をより高精度に評価することができるプロセスモニター装置を提供する。
【解決手段】プロセスモニター装置11は、光を出射する光源部と、光の強度を検知可能な光検知部と、光源部から出射された光をウェハWまで導き、ウェハWから反射した反射波を光検知部まで導く第一光経路21と、第一光経路21と同等の光伝搬特性を有するように構成され、光源部から出射された光を、ウェハWを経由することなく光検知部まで導く第二光経路と、第二光経路を通して光検知部により検知された光の強度情報に基づいて、第一光経路21を通して光検知部により検知された光の強度情報を補正し、ウェハWの構造を解析するコントローラ17とを備える。 (もっと読む)


【課題】集積回路のような電子素子の製造において、光計測を用いた測定の精度を改善する方法及びシステムを提供する。また、調節可能なレジストの光学特性を変化させる方法及びシステムを提供する。
【解決手段】その調節可能なレジスト層は反応性ガス、液体、プラズマ、放射線若しくは熱エネルギー又はこれらを結合させたものを用いて処理されて良い。それによってフォトレジストは露光前に第1組の光学特性と異なる第2組の光学特性を得て、露光波長で又はその近傍の放射線に対して透明ではなくなり、OTSM構造420が光線425、426及び427を反射する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの表面に生じうる特定欠陥をより確実に検出することが可能な検出方法、検出システムおよび検出プログラムを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の特定欠陥の検出方法は、ウェーハの表面に光を照射して該ウェーハの表面上の欠陥の位置に対応して検出される輝点の面内位置情報である輝点マップを取得する工程(S101)と、前記輝点マップにおいて、特定欠陥の発生が予想される領域である判定対象領域と、該判定対象領域以外の所定領域である参照領域とを特定し、前記判定対象領域における輝点密度の、前記参照領域における輝点密度に対する比を算出する工程(S102)と、算出された前記比の値に基づいて、前記特定欠陥の発生の有無を判定する工程(S103)と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】回折格子の輪郭を再構築するCSIアルゴリズムを開示する。
【解決手段】電流密度Jの体積積分式を解くには、Jの近似解を求めるように、E及びJの連続成分を選択することにより、電場E及び電流密度Jに関連するベクトル場Fの暗示的構築を使用し、Fは1つ又は複数の材料境界にて連続している。Fは、少なくとも1つの方向x、yに関して少なくとも1つの有限フーリエ級数で表され、体積積分式を数値的に解くステップは、Fの畳み込みによってJの成分を決定することを含み、畳み込み演算子Mは、両方向の材料及び幾何構造の特性を含む。Jは、両方向に関して少なくとも1つの有限フーリエ級数で表すことができる。連続成分は、E及びJに作用する畳み込み演算子P及びPNを使用して抽出することができる。 (もっと読む)


【課題】ウエハの特性を決定するための方法とシステムを提供する。
【解決手段】検査システム16を用い、ウエハからの光に対応する出力を生成することを含む。出力は、ウエハ上の欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力とを含む。また本方法は、第二出力を用い、ウエハの特性を決定することを含む。一つのシステム16は、ウエハに光を当て、ウエハからの光に対応する出力を生成するように設定された検査サブシステムを備える。出力は、欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力を含む。また本システムは、第二出力を用い、ウエハの特性を決定するように設定されたプロセッサを備える。 (もっと読む)


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