【課題】集積回路のような電子素子の製造において、光計測を用いた測定の精度を改善する方法及びシステムを提供する。また、調節可能なレジストの光学特性を変化させる方法及びシステムを提供する。
【解決手段】その調節可能なレジスト層は反応性ガス、液体、プラズマ、放射線若しくは熱エネルギー又はこれらを結合させたものを用いて処理されて良い。それによってフォトレジストは露光前に第１組の光学特性と異なる第２組の光学特性を得て、露光波長で又はその近傍の放射線に対して透明ではなくなり、ＯＴＳＭ構造４２０が光線４２５、４２６及び４２７を反射する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
光計測プロセスを改善するシステムであって：
基板を受ける工程；
前記基板の精度値を決定する工程；
改善された基板について設定された前記精度値が限界範囲内にないときに、前記基板の少なくとも１の光学特性を調節する工程；及び
改善された基板について設定された前記精度値が限界範囲内にあるときに、前記基板を処理する工程；
を有し、
前記基板は複数のダイ及び多数の測定位置を有し、
各ダイは、他の少なくとも１層上に第１パターニングレジスト層を有し、及び
少なくとも１の測定位置は、内部に周期的測定用構造体を有する、
方法。
【請求項２】
前記の基板の少なくとも１の光学特性を調節する工程が、前記基板上の少なくとも１の測定位置内に存在する第１周期的測定用構造体の少なくとも１の光学特性を、反応性気体、液体、プラズマ、放射線若しくは熱エネルギー又はこれらの結合を用いて調節する工程をさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記の基板の少なくとも１の光学特性を調節する工程が、レジスト材料、若しくは反射防止材料、又はこれらの混合材料の少なくとも１の光学特性を調節する工程をさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記の基板の少なくとも１の光学特性を調節する工程が、レジスト材料、若しくは反射防止材料、又はこれらの混合材料の少なくとも一部を除去する工程をさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
新たな値が決定された前記の調節された基板を測定する工程；
前記の調節された基板から測定回折スペクトルを取得する工程；
周期構造体及び関連する回折スペクトルのライブラリから最善推定構造体を選択する工程；
前記最善推定構造体に関連する最善推定回折スペクトルを取得する工程；
前記測定された回折スペクトルと前記最善推定回折スペクトルとを比較する工程；及び
前記測定された回折スペクトルと前記最善推定回折スペクトルとが一致基準範囲内で一致するときには、前記基板及び測定回折スペクトルデータの精度値を設定し、前記測定回折スペクトルと前記最善推定回折スペクトルとが一致基準範囲内で一致しないときには、新たな最善推定構造体を選択する工程；
をさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
高さ、幅、厚さ、深さ、体積、面積、角度、誘電特性、プロセスレシピパラメータ、プロセス時間、限界寸法、間隔、周期、位置、若しくはライン幅、又はこれら２以上の結合を変化させることによって、前記新たな最善推定構造体が生成される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記測定された回折スペクトルと、前記新たな最善推定構造体に関連する新たな最善推定回折スペクトルとを比較する工程；
前記測定された回折スペクトルと前記新たな最善推定回折スペクトルとが一致基準範囲内で一致するときには、前記基板の精度値を設定する工程；及び
前記測定された回折スペクトルと前記新たな最善推定回折スペクトルとが一致基準範囲内で一致しないときには、前記測定された回折スペクトルと前記新たな最善推定回折スペクトルとが一致基準範囲内で一致するまで、又は前記測定された回折スペクトルと前記新たな最善推定回折スペクトルとの差異が限界値よりも良好になるまで、新たな最善推定回折スペクトルの決定を継続する工程；
をさらに有する、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記測定された回折スペクトルと前記新たな最善推定回折スペクトルとが一致基準範囲内で一致するときには、前記新たな精度値、前記新たな推定構造体、及び前記新たな推定構造体に関連する回折スペクトルを保存する工程をさらに有する、請求項４３に記載の方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４Ａ】

【図４Ｂ】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【公開番号】特開２０１２−２１２８８７（Ｐ２０１２−２１２８８７Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１１４１８２（Ｐ２０１２−１１４１８２）
【出願日】平成２４年５月１８日（２０１２．５．１８）
【分割の表示】特願２００７−２４５１５２（Ｐ２００７−２４５１５２）の分割
【原出願日】平成１９年９月２１日（２００７．９．２１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】