【課題】ウエハの特性を決定するための方法とシステムを提供する。
【解決手段】検査システム１６を用い、ウエハからの光に対応する出力を生成することを含む。出力は、ウエハ上の欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力とを含む。また本方法は、第二出力を用い、ウエハの特性を決定することを含む。一つのシステム１６は、ウエハに光を当て、ウエハからの光に対応する出力を生成するように設定された検査サブシステムを備える。出力は、欠陥に対応する第一出力と、欠陥に対応しない第二出力を含む。また本システムは、第二出力を用い、ウエハの特性を決定するように設定されたプロセッサを備える。 （もっと読む）

【課題】物体に設けられた複数のマークをより短時間に高精度に検出する。
【解決手段】ウエハマークの位置を検出するマーク検出方法であって、複数のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２１〜ＡＬ２４の検出領域に対してウエハＷを移動中に、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２１〜ＡＬ２４とウエハＷの表面とのデフォーカス量を計測し、この計測結果に基づいてウエハＷの面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御し、ウエハマークＷＭＣ１，ＷＭＡ１，ＷＭＤ１がアライメント系ＡＬ２２，ＡＬ１，ＡＬ２３の検出領域内に達したときに、ウエハＷを静止させて、アライメント系ＡＬ２２，ＡＬ２３で対応するウエハマークＷＭＣ１，ＷＭＤ１の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】パターンを形成したウェハの検査において、表面の内部もしくは表面上の異常の有無を判定できる表面検査法を提供する。
【解決手段】サンプル表面２０ａからの散乱光は表面２０ａに対して垂直な線に対して略対称の光を集束する集束器３８，５２によって集束される。集束光は、異なる方位角で経路へと導かれ、集束した散乱光の線に対する相対的方位角位置に関する情報が保存される。集束光は、垂直な線に対して異なる方位角で散乱した光線を表すそれぞれの信号に変換される。異常の有無および／または特徴は、この信号から判定される。あるいは、集束器３８，５２によって集束された光線は、予測されるパターン散乱の角度差に対応する角度の環状ギャップを有する空間フィルタによって濾波され、狭角および広角集束経路から得た信号は比較され、マイクロスクラッチと粒子との間を識別する。 （もっと読む）

【課題】被検査物が複雑な形状である場合でも、精度よく欠陥を検出することができる欠陥検出方法及び欠陥検出装置を提供する。
【解決手段】欠陥検出方法は、撮像工程により被検査物を撮像し、エッジ検出工程により得られた画像データに基づいて、構造パターンの外周形状であるエッジを検出し、ライン検出工程により、エッジの最外周画素の集合であるラインを検出し、構造ライン取得工程によりエッジが境界となる複数の構造パターンに対してそれぞれに接するラインである構造ラインを取得し、エッジ幅取得工程により２つの異なる構造ライン間の距離をエッジ幅として取得し、平均エッジ幅算出工程により同じ構造ライン上の任意の２点を始点及び終点として設定し、始点から終点までの平均エッジ幅を取得する。そして、欠陥検出工程により、平均エッジ幅とエッジ幅とを比較し欠陥を検出する。 （もっと読む）

【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の研削時におけるノイズ信号による誤判定を防止し、被加工物の厚みまたは上面高さ位置を正確に計測することができる計測装置を提供する。
【解決手段】被加工物保持手段に保持された被加工物の上面で反射した反射光と光路長が一定の基準反射光に基づいて被加工物の厚み方向における上面までの２点間の距離を計測する計測装置であって、被加工物の上面で反射した反射光と光路長が一定の基準反射光を受光したイメージセンサーからの検出信号に基づいて分光干渉波形を求め、この分光干渉波形と理論上の波形関数に基づいて波形解析を実行し、被加工物の上面で反射した反射光の光路長と基準反射光の光路長との光路長差に対応して出力される信号強度における現在出力された値と前に出力された値との絶対値の差を求め、この絶対値の差を各光路長差毎の信号強度における現在出力された値に加算し、加算された値が最も高い光路長差を被加工物の厚み方向における上面までの２点間の距離として決定する。 （もっと読む）

【課題】薄型化したチップをダイボンディングする工程において、ウエハシートからチップをピックアップする際に、ピックアップ対象のチップを正確に認識できる技術を提供する。
【解決手段】カメラＣＡＭ１は鏡筒ＫＴ１の一端と接続され、鏡筒ＫＴ１の他端には対物レンズが取り付けられ、この対物レンズを通してチップ１Ｃの主面の画像を撮影する構成とし、鏡筒ＫＴ１とチップ１Ｃとの間には、面発光照明ＳＳＬ１、拡散板ＫＢ１およびハーフミラーＴＫ１を内部に備え、カメラＣＡＭ１と同じ光軸でチップ１Ｃの主面に光を照射する同軸落射照明の機能を有する鏡筒ＫＴ２を配置する。 （もっと読む）

【課題】回折構造体の測定パラメータモデルを利用する分光散乱システムおよび方法を提供する。
【解決手段】モデルの固有値を事前計算し、記憶し、ある共通の特性をもつ他の構造体に対して後に再利用する。１つ以上のパラメータの値を求めるために用いられる散乱データは、下敷フィルム特性に対して感度が低くなる波長におけるデータだけに制限することが可能である。代表的な構造体をスラブ２００’（ｉ）のスタックにスライスし、各スラブの近似を行うため四角形ブロック２１０，２１２，２１４，２１６，２１８のアレイを作成することによって三次元グレーティングに対するモデルを構築することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】搭載対象のチップが良品であるか否かを判断しながら搭載処理が行えるようにする。
【解決手段】 複数のチップにダイシングされたウェハ５の周縁位置を複数撮影する撮影手段１２，１４と、撮影手段１２，１４により撮影されたウェハ５の周縁位置の画像データに基づき、ウェハ５の外縁をなすウェハ５円の中心位置及び直径を含むウェハ情報を算出するウェハ情報算出手段１５と、予め設定されたチップサイズ及びウェハ情報に基づき、搭載するチップの中心位置及び当該チップにおける所定箇所のコーナ位置を含むチップ情報を算出するチップ情報算出手段１５と、チップ情報に基づき、チップのコーナ位置がウェハ５円の内側に位置するか否かを判断し、ウェハ５円の内側に位置する場合には、当該チップは搭載可能な良品であると判断する良品判断手段１５と、チップが良品と判断された場合に、当該チップの搭載を行う搭載実行手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
光検査装置において、検出する光が微弱な場合に問題となる量子ノイズの影響を抑制する。
【解決手段】
光検査装置を、試料に光を照射する光照射手段と、参照光を発射する参照光手段と、光照射手段により光が照射された試料からの透過光または散乱光または反射光と、参照光手段から発射された参照光とを干渉させて干渉光を生成する光干渉手段と、光干渉手段により生成した干渉光を検出する光検出手段と、光検出手段により干渉光を検出して得られた検出信号に基づいて欠陥の有無を識別する欠陥識別手段と、試料からの透過光または散乱光または反射光の状態または参照光手段から発射された参照光の状態または光干渉手段により生成した干渉光の状態のうち少なくとも一つを変換する光変換手段とを備えて構成した。 （もっと読む）

【課題】移動体を精度良く駆動する。
【解決手段】 ウエハＷを保持し所定面内で移動するウエハステージＷＳＴと、所定面内と実質的に平行に配置される移動スケール４４Ａ〜４４Ｄに、複数のヘッド４８ａ〜４８ｋを介してそれぞれ所定平面と交差する方向からビームを照射して、ウエハステージＷＳＴの位置情報を計測するエンコーダシステムと、エンコーダシステムの計測情報に基づいてウエハステージＷＳＴを制御する制御システムによって、複数のヘッド４８ａ〜４８ｋのうち移動スケール４４Ａ〜４４Ｄと対向する複数のヘッド４８ａ〜４８ｋの数が変化するとともに、ウエハステージＷＳＴの移動によって、複数のヘッド４８ａ〜４８ｋのうち位置情報の計測に用いられるヘッドが別のヘッドに切り換わる。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置のレシピで設定するセル領域の設定を自動化する方法を提供する。
【解決手段】CellMatAreaの区別をCellMatAreaと非CellMatAreaのGrayLevelの分布特徴の差を用いてイメージをスキャンして、その結果からCellMatAreaと非CellMatAreaを分ける方法を取った。具体的にはCellMatの始点と終点を区別するための基準になる閾値をMemoryCellだけあるAreaで計算した後、その閾値を適用して始点と終点を探してそのそれぞれを繋げてCellAreaを作成した。 （もっと読む）

【課題】センサのコスト及び嵩増大、及び／又は測定の精度不良を回避又は低減する光学スキャン機構を提供する。
【解決手段】装置は、リソグラフィ基板Ｗ上のマーク２０２の位置を測定する。測定光学システムは、マークを放射スポットで照明する照明サブシステムと、マークによって回折した放射を検出する検出サブシステム５８０とを備える。傾斜ミラー５６２は、放射スポットを、マーク自体のスキャン運動と同期して測定光学システムの基準フレームに対して移動させて、正確な位置測定値を取得するより多くの時間を提供する。ミラー傾斜軸５６８は、ミラー平面と対物レンズ５２４の瞳面Ｐとの交点に沿って配置され、スキャンのアーティファクトを最小限にする。他のタイプの装置、例えば共焦顕微鏡におけるスキャンのために同じ幾何学的構成を使用できる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は集積回路、磁気ヘッド、磁気ディスク、太陽電池、光モジュール、発光ダイオード、液晶表示パネルなど基板上に発生した欠陥や異物の画像を撮像し、欠陥や異物を種類ごとに分類する欠陥分類装置において、撮像した画像に写っている欠陥の重要度を定量的に計算し、重要度の高い欠陥が写っている画像だけをデータベースに保存することで、ネットワーク負荷やデータベース負荷を低減する。
【解決手段】
本発明は、欠陥座標データを入力し、画像撮像プログラム５０１にて画像を撮像し、特徴量抽出プログラム５０２にて撮像した画像から欠陥の特徴量を抽出し、欠陥分類プログラム５０３にて欠陥を種類別に分類し、重要度予測プログラム５０４にて欠陥毎に重要度を計算し、画像選別プログラム５０６にて重要度に基づいて画像をデータベースに伝送するか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板又は炭化珪素基板に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する検査装置を実現する。
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ（２３）により受光され、その出力信号は信号処理装置（１１）に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する２次元画像生成手段（３２）を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段（３４）に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段（３６）に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第１の分類手段（５０）と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第２の分類手段（５１）とを有する。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズとピンホールとの間にビームスプリッタを設けずともマイクロレンズを介すことなく反射光を光検出器に導くことができる三次元画像取得装置を提供する。
【解決手段】共焦点光学系を用いた三次元画像取得装置１０であって、マイクロレンズ板１３は、照明光を集光する複数のマイクロレンズが二次元に配設される。照明側開口板１４は、マイクロレンズの集光位置に設けられた照明側開口部を有し、照明側開口部によりマイクロレンズが集光した照明光を被計測体１７に向けて通過させる。偏光ビームスプリッタ１５は、照明側開口板１４を通過した照明光を透過するとともに、被計測体１７からの反射光を照明光の光路とは異なる光路に反射する。検出側開口板２１は、照明側開口部と光学的に共役な位置に設けられた検出側開口部を有し、検出側開口部により偏光ビームスプリッタ１５で反射された反射光を光検出器に向けて通過させる。 （もっと読む）

【課題】オーバーレイ測定、非対称性測定、およびインダイオーバーレイターゲットの再構築を可能にする。
【解決手段】四分くさび光デバイス（ＱＷ）は、基板から散乱した放射の回折次数を別々に再誘導し、第１方向および第２方向の各々に沿って照明から回折次数を分離する。例えば、０次（０、０’）および１次（−１、＋１’）を、各入射方向について分離する。マルチモードファイバ（ＭＦ）での捕捉の後、スペクトロメータ（Ｓ１−Ｓ４）を使用して波長（Ｉ_０’（λ）、Ｉ_０（λ）、Ｉ_＋１’（λ）、およびＩ_−１（λ））の関数としての空間的に再誘導された回折次数の強度を測定する。そして、これをオーバーレイエラーの計算、または単一格子の非対称パラメータの再構築に用いる。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成されている半導体基板の全面について厚さムラを短時間で検査することができる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による検査装置は、半導体基板（７）のデバイス形成面とは反対側の裏面（７ａ）に向けて、前記半導体基板に対して半透明な照明光を照射する照明手段（１，２，３）と、半導体基板の裏面に入射し、デバイス構造面（７ｂ）で反射し、前記裏面側から出射した照明光を受光する撮像手段（１５）と、 撮像手段からの出力信号を用いて厚さムラを検出する信号処理装置（２０）とを具える。信号処理装置は、前記撮像手段からの出力信号を用いて、半導体基板に形成されているデバイスの半導体基板の裏面側から撮像した２次元画像を形成する手段（２１）と、撮像されたデバイスの２次元画像と基準画像とを比較し、画像比較の結果に基づいて前記半導体基板の厚さムラを検出する厚さムラ検出手段（２２，２３，２４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に薄膜を形成する基板処理で、処理の進行具合をリアルタイムで把握して処理の終了時点を精度よく検出できる方法を提供すること。
【解決手段】基板１上に絶縁膜２を形成する基板処理装置１０であって、絶縁膜２を波長可変単色光ｓで照射し、絶縁膜２および基板１からの各反射光を干渉させる干渉光発生手段１２と、所望膜厚での干渉光強度Ｉが極小になるように単色光ｓの基準波長λ_０を設定する基準波長設定部２８と、基準波長を挟む２波長（λ_１、λ_２）間で単色光ｓを波長変調する変調部２６と、これに応じた干渉光強度Ｉを検出する干渉光検出器１８と、絶縁膜２が所望膜厚に達する直前から所望膜厚に達するまでの干渉光強度Ｉの変化に基づいて、最大波長（λ_２）時と最小波長（λ_１）時の干渉光強度の差分ΔＩが零または所定値になる時点を基板処理の終了時点として検出する終了時点検出手段２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】位相シフト法による干渉縞を用いた高さ計測装置において、位相シフト画像に内包する各種ノイズ成分の影響を抑制し高精度な光学的計測装置を提供する。
【解決手段】測定対象物の測定面の高さと上記測定面の高さに応じた複数の異なる波長の光による干渉縞画像内の各点の明るさが変化する部分の位相との関係を所定の演算式に数式化するとともに、上記測定対象物の測定面の高さと測定面の高さに応じた上記複数の異なる波長の光による干渉縞画像内の各点の明るさが変化する部分の位相との組合せを、同数式化した所定の演算式に基いて演算し、この演算により求めた位相情報を位相コード変換テーブルに反映させることによって、上記測定対象物の測定面の高さを計測する。 （もっと読む）