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Fターム[2F065JJ02]の内容

光学的手段による測長装置 (194,290) | 受光部 (23,546) | 線検出 (1,136)

Fターム[2F065JJ02]に分類される特許

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【課題】光学式変位センサにおいて、測定範囲のどの位置においても、測定を適切に行うことを可能とする受光レンズの配置方法を提供することである。
【解決手段】光学式変位センサ10は、投光モジュール9と、投光モジュール9からの光による測定対象物16からの反射光を受光する受光素子13と、測定対象物16と受光素子13との間に位置して、反射光を受光素子13に結像する受光レンズ14とを備える。測定対象物16で光が反射する位置は、投光モジュール9の光軸L上において、光源11に近い第一の位置PN1から光源11から離れた第二の位置PF1までの所定の範囲Wである。そして、第一の位置PN1から受光レンズ14に入射する反射光の入射角θ1と、第二の位置PF1から受光レンズ14に入射する反射光の入射角θ2とが、同じ角度になるように、受光レンズ14を配置する。 (もっと読む)


【課題】計測や感度調整の精度を保証しながら、対象物の種類や計測目的に応じて受光処理の内容を容易に変更する。
【解決手段】受光部1にCMOSリニアイメージセンサ100が導入された変位センサにおいて、CPU3は、リセット信号RSETによりCMOSリニアイメージセンサ100の各画素部の蓄積電荷をリセットした後に、投光制御信号LDONを出力し、ついで受光制御信号PDSWを出力して各画素部に電荷の蓄積を開始させる。また、投光制御信号LDONの出力を終了するより前に受光制御信号PDSWの出力を終了し、読出制御信号STを用いて画像の出力を指示する。また、CPU3は、投光制御信号LDONとの出力の関係を維持することを条件として、CMOSリニアイメージセンサ100から出力された画像中のピークの値に基づき、受光制御信号PDSWを出力する期間の長さを調整する。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコン薄膜の表面の画像を検出して多結晶シリコン薄膜の表面の状態を観察し、多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査することを可能にする。
【解決手段】多結晶シリコン薄膜の検査装置を、表面に多結晶シリコン薄膜が形成された基板100に光を照射する光照射手段800と、光照射手段800により基板100に照射された光のうち多結晶シリコン薄膜を透過した光または多結晶シリコン薄膜で正反射した光の近傍の多結晶シリコン薄膜からの散乱光の像を撮像する撮像手段820と、この撮像手段820で撮像して得た散乱光の画像を処理して多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査する画像処理手段740とを備える。 (もっと読む)


【課題】測定対象物上に薄膜が形成されている場合でも、測定対象物の温度を従来に比べて正確に測定できる温度測定方法を提供する。
【解決手段】光源からの光を、基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する工程と、基板の表面での反射光による第1の干渉波と、基板と薄膜との界面及び薄膜の裏面での反射光による第2の干渉波を測定する工程と、第1の干渉波から第2の干渉波までの光路長を算出する工程と、第2の干渉波の強度に基づいて、薄膜の膜厚を算出する工程と、算出した薄膜の膜厚に基づいて、基板の光路長と算出した光路長との光路差を算出する工程と、算出した光路差に基づいて算出した第1の干渉波から第2の干渉波までの光路長を補正する工程と、補正された光路長から測定ポイントにおける測定対象物の温度を算出する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】シャインプルーフ光学系を用いた光学式変位センサにおいて、測定精度が安定した投光ビームの調整方法を提供する。
【解決手段】シャインプルーフ光学系を用いた光学式変位センサ10は、測定対象物に対して光を照射する投光モジュール9と、投光モジュール9からの光が測定対象物で反射して、反射光を受光面で受光する受光部13と、測定対象物と受光部13との間に位置して、反射光を受光面に結像する受光レンズ14とを備える。投光ビームの調整方法は、受光部13における像のサイズが、投光モジュール9を構成する投光レンズ12と測定対象物との距離によらず一定になるように光源11から照射される光の焦点位置を調整する。 (もっと読む)


【課題】出射光学系の部品の取り付け角度がずれたとき、出射光学系から出射されるレーザ光の光軸方向のずれを相殺するように出射光学系に入射するレーザ光の光軸の方向を調整することができる3次元形状測定装置を提供する。
【解決手段】レーザ光を出射するレーザ光源10とレーザ光を走査する第1ミラー16との間に、直交する2つの回転軸回りに回転可能に支持されたミラー14aを設ける。測定対象物OBからの反射光を受光して受光位置に応じた信号を出力する第1受光センサ24と、第1受光センサ24にて反射した反射光を受光して受光位置に応じた信号を出力する第2受光センサ26を設ける。3次元カメラCAと測定対象物OBが所定の位置関係になるようにセットし、反射光が第2受光センサ26の所定の範囲内にて受光されるように、ミラー14aを回転させる。 (もっと読む)


【目的】マスク面上のパターン領域と非パターン領域の間に段差があるマスクであっても、効率的に検査可能なマスク欠陥検査装置およびこれを用いたマスク欠陥検査方法を提供する。
【構成】マスク面に対するフォーカス合わせを行うフォーカス合わせ機構と、パターン画像の取り込み時の検査視野走査方向上の検査視野を挟む第1箇所と第2箇所のマスク面におけるフォーカスを、それぞれ検出する第1のフォーカス検出部および第2のフォーカス検出部と、第1および第2の箇所が、パターン領域と非パターン領域とのいずれに位置するかを判定する判定部と、判定部の判定結果に基づき、フォーカス合わせ機構に対しフォーカス合わせ方法を指示するフォーカス合わせ方法指示部と、を有することを特徴とするマスク欠陥検査装置およびこれを用いたマスク欠陥検査方法。 (もっと読む)


【課題】比較的大きなサイズの欠陥を高感度で検出できると共に、高さ又は深さの変化量が1nm又はそれ以下の微細な欠陥も検出できる検査装置を実現する。
【解決手段】照明光源1からの照明ビームを被検査基板21に向けて投射する対物レンズ20と、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第1及び第2のサブビームに変換すると共に、基板の表面で反射したサブビーム同士を合成し、基板表面の高さ又は深さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系16と、出射した干渉ビームを受光する光検出手段28と有する。微分干渉光学系のリターデーション量は、mを零又は正の整数とした場合に、第1と第2のサブビームとの間に(2m+1)π又はその近傍の位相差が形成されるように設定し、前記光検出手段から出力される出力信号のバックグランドの輝度レベルがほぼ零となる検査状態において基板表面を照明ビームにより走査する。 (もっと読む)


【課題】測定対象物の波長毎の反射率を精度良く測定することができる反射率測定装置及び反射率測定方法、並びに本発明による反射率測定装置を備えた膜厚測定装置及び本発明による反射率測定方法を含む膜厚測定方法を提供する。
【解決手段】
反射率測定装置1は、照射光L1を測定対象物へ供給する測定光源30と、照射光L1の強度及び測定対象物からの反射光L2の強度を波長毎に検出する分光検出部80と、照射光L1の波長毎の強度の検出値を、基準測定対象物からの反射光L2の波長毎の強度の検出値に相当する値に変換する変換係数K(λ)を記録する係数記録部92と、照射光L1の波長毎の強度の検出値及び変換係数K(λ)より求まる、基準測定対象物からの反射光L2の波長毎の強度に相当する値に基づいて、波長毎の反射率を算出する反射率算出部93とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハ上に形成されたチップ内の直接周辺回路部の近辺に存在する致命欠陥を高感度に検出することができる欠陥検査装置及びその方法を提供する。
【解決手段】被検査対象物を所定の光学条件で照射する照明光学系と、被検査対象物からの散乱光を所定の検出条件で検出して画像データを取得する検出光学系とを備えた欠陥検査装置において、前記検出光学系で取得される光学条件若しくは画像データ取得条件が異なる複数の画像データから領域毎に複数の異なる欠陥判定を行い,結果を統合して欠陥候補を検出するようにした。 (もっと読む)


【課題】自由度の高い画像測定装置及び画像測定方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る画像測定装置は、撮像手段と、撮像手段によって被測定対象を撮像して得られた画像情報から被測定対象の座標情報を算出する演算手段とを有し、演算手段は、撮像手段によって被測定対象を撮像して得られた画像情報を、撮像手段に固有の誤差情報によって補正して補正画像情報を得る誤差補正手段と、補正画像情報から被測定対象の座標情報を算出する座標算出手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】ラインセンサにより高さのみ及び高さと変位の両方を高精度に測定することができ、設置作業が容易な測定装置を提供する。
【解決手段】測定装置において、5つ以上の高さ方向の絶対座標が分かるキャリブレーションターゲット2と、前記キャリブレーションターゲット2の画像を撮像し、撮像した画像の画像信号を出力するラインセンサ1と、前記画像信号に基づき画像情報を作成する入力画像作成部と、前記画像情報に基づきターゲット座標を検出するターゲット検出部と、前記ターゲット座標及び予め取得した絶対座標に基づきDLT法の係数を算出する係数算出部と、前記係数に基づき前記ラインセンサ1の姿勢を計算する姿勢計算部と、前記係数に基づき前記ラインセンサ1の焦点距離を計算する焦点距離計算部と、前記係数に基づき前記ラインセンサ1の位置を計算する位置計算部とを備えた。 (もっと読む)


【課題】角度検出感度を向上させるとともに、検出可能な角度範囲を広くする。
【解決手段】波長域が互いに異なる山形輝度分布が互いに重なり合うように帯状面光源を構成し、各波長域の撮影画像の該山形輝度分布に対応する画素値分布に基づいて検査面の角度を2段階で検出する。第1段階では、R、G、Bの画素値間の大小関係と曲線近似情報とに基づいて、光源面上周期内参照光位置xを決定し、第2段階では、明度の値と曲線近似情報とに基づいて、周期内参照光位置xがどの周期iに属するか、すなわち、周期始点位置Xiを求める。次いで参照光位置X=Xi+xを検査ラインでの検出角に変換する。 (もっと読む)


【課題】任意の画像を用いてジャギー発生量を適切に測定すること。
【解決手段】画像読み取り装置における画像読み取り部を移動方向に移動させ任意の画像
を読み取り、画像データーを取得することと、前記画像データーに基づいて、前記任意の
画像においてジャギー発生量を測定するための測定領域を特定することと、前記測定領域
における画像データーに基づいて、前記画像読み取り装置におけるジャギー発生量を測定
することと、を含むジャギー発生量の測定方法。 (もっと読む)


【課題】被検査体の高さを少ない撮像回数で求める。
【解決手段】外観検査装置10は、周期的に明るさが変化する第1縞パターンを異なる複数の位相で被検査体に投射して複数の第1投影画像を撮像する。外観検査装置10は、第1縞パターンとは異なる周期で明るさが変化する第2縞パターンを異なる複数の位相で被検査体に投射して複数の第2投影画像を撮像する。外観検査装置10は、第2縞パターンに対応する被検査体の計測点の明るさ変動の位相を、第1投影画像及び第2投影画像における当該計測点の明るさと、第1縞パターン及び第2縞パターンのそれぞれに対応する明るさ変動の既知の関係とに基づいて求める。 (もっと読む)


【課題】トロリ線の連続したエッジ検出を行うことができるトロリ線検査装置を提供する。
【解決手段】トロリ線検査装置において、トロリ線4を照らす照明3と、前記照明3の両脇に1台ずつ設置してトロリ線4を撮影する左カメラ10及び右カメラ11と、前記左カメラ10及び右カメラ11により撮影した画像中の前記トロリ線4の軌跡の下側のエッジを検出して前記トロリ線4の高さと偏位を測定する画像録画及び画像処理部2とを備えた。 (もっと読む)


【課題】2つの表面領域を同期測定できるクロマティックポイントセンサ装置(CPS装置)の動作方法を提供すること。
【解決手段】2光束アッセンブリが取り付けられた1光束CPS光学ペンを用いたセンサ装置の第1測定光束および第2測定光束を、それぞれ第1表面領域および第2表面領域に位置合わせする。2つの反射光が2光束CPSの共焦点開口部を通過する。第1測定光束および第2測定光束にそれぞれ起因する第1測定および第2測定を含んだ少なくとも1の測定セットを実行する。様々な位置での測定セットの実行のため、少なくとも第1表面領域を移動させる。各測定結果は、極めて良好な分解能(例えば、少なくとも10nmの分解能)で決定される。本センサ装置と動作方法は、干渉計または他の高額で複雑な構成要素を使わないで、高い分解能と精度を必要とする測定に適用できる。 (もっと読む)


【課題】光センサーの光学系において、1/4波長板が高温、高熱の使用条件下でも安定して確実に直線偏光を円偏光に変換でき、良好なセンサー感度、高いセンサー精度を確保維持する。
【解決手段】振動検出用光センサー1は、直線偏光のレーザー光を出力する光源2、偏光ビームスプリッター3、対物レンズ4、波長板ユニット5、及び振動板8からの反射光を検出する光検出器6を備える。波長板ユニットは、1/4波長板7と振動板とが一体化されている。1/4波長板は、一方の主面に一方向に周期的な凹凸形状9aを有する透明基板9と、透明基板と同じ周期的な凹凸形状を有しかつ屈折率の異なる2種類の誘電体薄膜10a,10bを交互に積層した光学多層膜である周期構造体10とからなるフォトニック結晶構造の波長板である。 (もっと読む)


【課題】画像処理によらず、測定位置を適切に調整することができるエッチングモニタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッチングモニタリング装置は、光源10から被処理基板S上に導入される入射スポット光の照射位置を移動させるための微小移動ステージ16と、被処理基板S上を入射スポット光の光径以下の間隔で走査した照射位置の各々に対し、CCDラインセンサ18により取得される検出信号から干渉成分の強度を取得する干渉強度取得部25と、干渉強度取得部25により取得された干渉成分の強度に基づき、その強度が最大となる被処理基板S上の位置を探索し、その位置をエッチング深さの測定位置とするよう照射位置を移動させる測定位置決定部26と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
従来技術によれば、試料に熱ダメージを与えることなく、短時間で高精度に欠陥検出・寸法算出することが困難であった。
【解決手段】
試料の表面におけるある一方向について照明強度分布が実質的に均一な照明光を、前記試料の表面に照射し、前記試料の表面からの散乱光のうち互いに異なる複数の方向に出射する複数の散乱光成分を検出して対応する複数の散乱光検出信号を得、前記複数の散乱光検出信号のうち少なくとも一つを処理して欠陥の存在を判定し、前記処理により欠陥と判定された箇所各々について対応する複数の散乱光検出信号のうち少なくとも一つを処理して欠陥の寸法を判定し、前記欠陥と判定された箇所各々について前記試料表面上における位置及び欠陥寸法を表示する欠陥検査方法を提案する。 (もっと読む)


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