【課題】ウェハに打ち込んだイオンの影響や、パターン接続の有無、パターンエッジの形状などの影響による検出画像誤差を生じることなく画像を検出する。
【解決手段】パターン検査方は、対象物基板を撮像してディジタル画像を得、このディジタル画像を用いて予め座標データで登録した領域、又は予め登録したパターンと一致するパターンをマスクして欠陥を検出し、この検出した欠陥を表示するようにした。又本発明によるパターン検査方法においては、対象物基板を撮像してディジタル画像を得、このディジタル画像を用いて欠陥を検出し、この検出した欠陥のうち登録した特徴に一致する欠陥の表示非表示を切替えるか他と識別可能なように表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】肉厚測定値について高精度に校正を行い、かつ操作性に優れた肉厚測定装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線Ｒを発生させ、配管５を照射するＸ線発生装置２と、Ｘ線発生装置２から発生したＸ線Ｒを検出し、Ｘ線Ｒを光に変換することにより測定結果を画像化し撮像画像データを得るカラーＩ．Ｉ．３からなる肉厚測定装置であって、前記撮像画像データに対し所定の演算を行うことにより、校正された被測定物の肉厚量を求めることができる肉厚量校正手段を備えた肉厚測定装置、および前記肉厚測定装置を用いた肉厚測定方法である。 （もっと読む）

【目的】補正係数を算出するために費やす時間を短縮することが可能な方法を提供すると共に、補正係数を更新する方法を提供することを目的とする。
【構成】電子ビーム描画装置の構成から生じる位置ずれを補正するための近似式の係数を算出する本発明の一態様の電子ビーム描画装置の位置補正係数算出方法は、ステージ上で描画される試料の描画領域に相当する領域全体に規則的に配列された複数のマークを荷電粒子ビームを用いてスキャンするスキャン工程（Ｓ１０２）と、スキャンされた各マークの位置のずれ量を装置の座標系でフィッティングして、フィッティングされた近似式の係数を算出する係数算出工程（Ｓ１０４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高精度測長校正を実現する校正用標準部材を提供する。
【解決手段】 光学的回折角測定が可能な回折格子パターンに座標位置を表すマークパターンを混在させ、かつ回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることで本標準部材の作製および実現が可能となる。
【効果】 回折格子座標位置を示すマークを回折格子近傍に配置させることにより、校正に用いる回折格子位置の確認が容易になる。また、回折格子配列周囲に十字マークパターンを含んだダミーパターンを配置させることにより回折格子配列内の近接効果の差異の無い均一な回折格子パターンが実現できる。更に、十字マークを回折格子配列に隣接して配置できるので高精度な回折格子位置決めが実現できる標準部材を用いることにより高精度かつ容易な回折格子位置決め校正が可能となり次世代半導体加工に対応した高精度測長校正が実現できる。 （もっと読む）

【課題】測定対象のラインとスペースがほぼ等間隔に形成されているときに、ラインとスペースを識別することのできるパターン測定装置及びパターン測定方法を提供すること。
【解決手段】パターン測定装置は、荷電粒子ビームを走査して、試料上に形成されたパターンのラインプロファイルを作成するラインプロファイル作成部と、ラインプロファイルを２次微分して２次微分プロファイルを作成する微分プロファイル作成部と、２次微分プロファイルから得られるパターンのエッジ位置の近傍に出現する２つのピーク位置とピーク値からパターンのエッジが立ち上がりか立下りかを判定するエッジ検出部とを備える。エッジ検出部は、２次微分プロファイルから得られるパターンのエッジ位置の近傍に出現する２つのピーク位置をＸ１，Ｘ２（＞Ｘ１）としたとき、ピーク位置Ｘ１の信号量がピーク位置Ｘ２の信号量よりも大きいとき、パターンのエッジは立ち上がると判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明の主たる目的の１つは、複雑化・多層化された素子を測長するのに好適な試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によれば、上記目的を達成するために、半導体素子のデザインデータを用いて、試料像上のパターンの寸法を測定するに当たり、試料像、或いは測定対象の半導体素子の状況に応じて、測定条件を変化させる方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、試料像の状態や試料上に形成されている素子の状態に応じて、適切な測定条件を選択することができるため、測定効率の向上が可能となる。 （もっと読む）

【目的】本発明は、検出対象のパターンの画像を取得する画像取得方法および画像取得装置に関し、パターンの測長精度を大幅に向上させることを目的とする。
【構成】 細く絞った電子線ビームで測長対象のパターンを走査したときに放出あるいは反射された電子を検出器で検出するステップと、測長対象のパターンを走査したときに検出された信号と、設計データ上で当該パターンが存在する領域よりも若干広いに範囲を持つマスクパターンとを演算し、パターンおよびその近傍の領域の信号を抽出およびそれ以外の領域の信号を抑圧するステップとを有し、抽出および抑止した信号をもとにパターンのエッジを抽出し、エッジをもとに当該パターンの寸法を測長する。 （もっと読む）

【課題】従来必要であった各工程に合わせたデータ変換を不要とし、また保有データを一括管理して、各工程に利用することが有効なデータを保有データから容易に選択することができ、また、形成パターンの形状に時間変動があった場合にも、時系列データをもとに撮像レシピの修正を行い、安定な計測が可能な撮像レシピを生成することができる半導体製造技術を提供する。
【解決手段】測長ＳＥＭを用いた半導体パターンの形状評価装置において、データベース３０１に記憶された多種データを一括管理するために、多種データ間の座標系を対応付けし、多種データの一部あるいは全てを任意に選択し、選択されたデータを利用して測長ＳＥＭにおいて半導体パターンを観察するための撮像レシピを生成する。また、前記多種データを時系列で管理し、パターン形状の変動があった場合に撮像レシピを修正する。 （もっと読む）

【課題】機差の発生要因を簡便に推定し、この推定結果を元に走査電子顕微鏡装置を較正することで、複数台の装置間における計測寸法差を低減させ、より高精度な配線パターンの寸法管理を可能とする機差管理装置を提供することにある。
【解決手段】走査電子顕微鏡装置において、装置間での機差や経時変化による機差を管理するシステム及びその方法であって、標準ウエハを撮像して得られる２次電子画像データを基に装置間や経時変化による機差を計測し、ほぼ同時に各種装置状態を示す指標値を計測する計測手段１０、３０１ａ、３０１ｂ；１８、３０１ａと、該計測手段によって計測された前記機差と前記各種装置状態を示す指標値との関係を分析して機差発生要因を推定する機差要因分析部３０１ｃ、３０１ｅと、該機差要因分析部で推定された機差発生要因を表示して出力する出力手段３０２とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】モータもしくはエンジンの部品の熱膨張を測定し、このモータやエンジンのファンブレードのクリアランスを能動的に制御するとともに、その異常をモニタする。
【解決手段】ガスタービンエンジンは、ファン１３２、コンプレッサ１３４、タービン１３６、およびエンジンケースの冷却調整システム、を備える。これらの回転するブレードの先端のクリアランスが、周方向に複数個配置したマイクロ波検出センサによって検出され、所望のクリアランスとなるように、冷却調整システムのトルクモータ１９２やアクチュエータ１９４を介して、エンジン１３０のハウジング内部ならびにハウジング周囲の一つあるいは複数の冷却流体流を調整する。各センサから検出される信号の位相差の対比により、各ブレードの欠損等の異常もモニタできる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電子線の照射によってシュリンクを起こすパターンを測定する際に、そのシュリンクの発生を抑制することで、正確なパターンの寸法測定を可能とすることにある。
【解決手段】Ｘ方向の測定倍率と当該Ｘ方向の測定倍率より低倍率であるＹ方向の倍率の組み合わせを複数記憶する記憶装置に記憶された倍率の組み合わせに基づいて、前記Ｘ方向が短辺であり前記Ｙ方向が長辺である矩形状に電子線を偏向させ、パターンのＹ方向の形状がＸ方向に対し狭まるように表示し、当該表示領域に表示されたパターン画像に基づいて、前記パターンのＸ方向の寸法を測定する。 （もっと読む）

本発明は、被検対象物（１）の材料界面を決定するための方法及び装置に関し、透過放射線を用いて、画像データの画像値を取得することによって被検対象物（１）の三次元画像データを生成するか、或いは取得して置いた画像データの画像値によって被検対象物（１）の三次元画像データを取得し、被検対象物（１）に対して相対的に、画像データを評価するための評価線（１７）を決定し、評価線（１７）の方向における画像値の第１の部分導関数の絶対値が材料界面の位置に極大値を有するように、この評価線に沿って存在する画像値を評価することによって、被検対象物（１）の材料界面の位置を決定するものである。
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【課題】 ワークを検査しながらのゼロ点補正を可能にし、温度ドリフト等による精度のばらつきを低減させることのできるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線画像に基づいてワークの体積を測定するＸ線検査装置であって、その処理ユニット６が、各透過領域のＸ線画像濃度データから透過領域の等価厚画像の濃度データへの変換処理を施すデータ変換処理部６２と、等価厚画像の濃度データに基づいて複数の透過領域におけるワークの体積を測定する体積測定部６３と、Ｘ線透過量相当のデータを処理して、ワークにＸ線が照射されるときの背景の等価厚をゼロとするようＸ線画像濃度データをゼロ点補正するゼロ点補正部６１とを含み、ゼロ点補正部６１が、ワークの体積を測定する周期に応じてゼロ点補正を実行する。 （もっと読む）

【課題】走査型顕微鏡で得られる画像からパターンのエッジ形状を抽出し、その抽出情報からデバイスの電気的性能を予測し、パターンを検査するパターン検査方法を提供する。
【解決手段】走査型顕微鏡の制御部１６１１及び検査用コンピュータ１６１２において、反射電子又は二次電子１６０９の強度分布を処理し、エッジ位置のデータから単一ゲート内のゲート長の分布を求め、最終的に作成されるトランジスタを様々なゲート長を持つ複数個のトランジスタの並列接続とみなしてトランジスタ性能を予測し、その予測結果を基にパターンの良否や等級を判定することにより、エッジラフネスのデバイス性能への影響を高精度かつ迅速に予測することができ、デバイス仕様に応じて高精度かつ効率的にパターン検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体試料等の表面に形成されたパターン等の体積減少を抑制、或いは減少に関わらず正確な測長を行う。
【解決手段】荷電粒子線を試料上で走査し、試料より放出された二次電子に基づいて、試料上に形成されたパターン等の線幅等を測長する荷電粒子線装置において、試料の物性に基づいて決定される照射密度を上回らないように前記荷電粒子線の走査線間隔を設定する。或いは予め記憶された近似関数に基づいて測長値を演算する。 （もっと読む）

【課題】 試料の傾斜角や高さに依存することなく、精度のよい試料の画像計測が行なえる電子線装置と電子線装置用基準試料を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成する本発明の電子線システムは、例えば図１に示すように、電子線を射出する電子線源１と、電子線源１から射出された電子線７を収束し、試料９に照射する電子光学系２と、電子線７が照射された試料９からの電子７ｄを受け取る検出部４と、試料９を支持する試料支持部３と、試料支持部３で支持された試料９に照射される電子線７と試料３とを相対的に傾斜させる試料傾斜部５（５ａ，５ｂ）と、前記相対的な傾斜が自在であるように試料支持部３で支持された少なくとも傾斜した２面を有する基準試料９ａから電子を受け取った検出部４からの検出信号を、傾斜毎に受け取り、前記傾斜した２面の画像と基準試料９ａの基準寸法とから、基準試料９ａの傾斜角度を求めるデータ処理部２０等とを備える。 （もっと読む）

【課題】 磁気ヘッドなどに用いられる金属多層膜の構造評価に有効な、金属多層膜のＸ線反射率プロファイルの新しい解析法を提供する。
【解決手段】 金属多層膜のＸ線反射率プロファイルの解析のための各層の膜厚の初期値ｔ₁ ⁱ 〜ｔ₃ ⁱ として、蛍光Ｘ線測定から求めた各層の膜厚を用いるようにする。この初期値ｔ₁ ⁱ 〜ｔ₃ ⁱ としては、蛍光Ｘ線測定により得られた各層の付着量Ｆ₁ 〜Ｆ₃ を各層の材料の理論密度ρ₁ ⁱ 〜ρ₃ ⁱ で割って算出した値を採用するのが有利である。 （もっと読む）