【解決手段】プリアンプ信号のエッジを検出する方法は、プリアンプ信号の第１部分を特定する工程であって、第１部分の各部が第１極性を有する瞬間の傾きを有する工程と、第１部分の直後に続く第２部分を特定する工程であって、第２部分の各部が逆の第２極性を有する瞬間の傾きを有する工程と、、第２部分の直後に続く第３部分を特定する工程であって、第３部分の各部が第１極性を有する瞬間の傾きを有する工程とを含む。その方法は、更に、第２部分の終点と始点の強度の間の第１差を特定する工程と、第３部分の終点の強度と第１部分の始点の強度の間の第２差を特定する工程と、（i）第１差が閾値を超え（ii）第２差が閾値のある割合を超えるとき、エッジを検出する。 （もっと読む）

【課題】より効率的に材料検査を実施可能とすること、およびＸ線検査をより高精度に実施可能とすること。
【解決手段】第１の検査セットは、電界放射型電子エミッタと、Ｘ線検出器と、を含み、材料検査に用いる。第２の検査セットは、陽極先端部の半径方向外側を環状に囲む電界放射型の環状電子エミッタと、環状電子エミッタのＸ線照射方向両側位置に配置された電子遮蔽部材と、を備え、Ｘ線検査に用いる。 （もっと読む）

【課題】絞り板やキャップの開口内面で発生した蛍光Ｘ線の悪影響を抑制する。
【解決手段】絞り板（４２）の開口内面（４３ａ）が半導体Ｘ線検出素子（５０）側へ拡径した漏斗状であり、銅製である。キャップ（２２）の開口内面（２３ａ）が外部側へ拡径した漏斗状である。
【効果】絞り板（４２）の開口内面（４３ａ）で蛍光Ｘ線が発生して半導体Ｘ線検出素子（５０）に入射することを防止できる。キャップ（２２）の開口内面（２３ａ）で発生した蛍光Ｘ線が半導体Ｘ線検出素子（５０）にすることを防止できる。高エネルギーＸ線が絞り板（４２）を透過して半導体Ｘ線検出素子（５０）に入射するのを阻止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】複数の金属酸化物からなる不均一なマトリックスに対して微量の対象金属が担持されてなる対象試料中の、対象金属の濃度分布をEPMAによって精度高く検出する。
【解決手段】マトリックス中の金属の組成割合とバックグラウンド強度との関係式を予め求めておき、測定点のマトリックス組成を関係式に代入して演算されたバックグラウンドを対象金属の特定Ｘ線強度から減算する。
測定点毎にバックグラウンドが演算できるので、測定精度が格段に向上する。 （もっと読む）

【課題】結晶の外形に対して結晶軸がどのように取り付いているかを調べる全３軸の方位決定を高速で、かつ高精度に行うことのできるＸ線単結晶方位測定装置および測定方法を提供することにある。
【解決手段】特性Ｘ線による回折を利用する、ディフラクトメータ法を基本とし、Ｘ線検出器として、ＴＤＩ読み出しモードで動作するＣＣＤをベースにした２次元検出器を採用したことと、該２次元検出器により特定の（狙った）指数の反射を２点で捕らえることにより全３軸の方位決定を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セメント硬化体について、空隙率を迅速にかつ精度良く測定する方法を提供する。
【解決手段】セメント系硬化体の断面を多数のピクセルに区画し、ピクセルごとにＣａＯ濃度とＳｉＯ_２濃度を測定し、ＣａＯ濃度が基準値以上のピクセルをペースト部分、ＳｉＯ_２濃度が基準値以上のピクセルを骨材部分、残余を空隙部分とし、さらにペースト部分のピクセルについて、そのＣａＯ濃度に基づいて空隙率を求め、骨材部分および空隙部分については一定の空隙率とし、上記断面において空隙率の平均値を求め、この空隙率の平均値に基づいてセメント系硬化体の空隙率を定めることを特徴とする測定方法。 （もっと読む）

【課題】多数の試料の微量元素測定を可能にし、かつ時間短縮して精度よく測定できるようにしたＰＩＸＥによる微量元素測定方法及び微量元素測定装置を提供するものである。
【解決手段】ヘリウムガスが導入された気密容器３２内に、被測定試料と標準試料を含む複数の試料を２次元に配列した試料群３３を２次元面内で可動可能に配置し、試料を順次測定位置に移動させて荷電粒子照射部３９から同一条件の荷電粒子３４を照射し、試料から放射される特性Ｘ線を検出器３５により検知し、標準試料の元素濃度と比較して被測定試料に含まれる微量元素の濃度を測定する。 （もっと読む）

【課題】検査対象物の所定の検査エリアを選択的に高速に検査することができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置１００は、Ｘ線を出力する走査型Ｘ線源１０と、複数のＸ線センサ２３が取り付けられ、回転軸２１を中心に回転するセンサベース２２と、センサベース２２の回転角やＸ線センサ２３からの画像データの取得を制御するための画像取得制御機構３０等を備える。走査型Ｘ線源１０は、各Ｘ線センサ２３について、Ｘ線が検査対象２０の所定の検査エリアを透過して各Ｘ線センサ２３に対して入射するように設定されたＸ線の放射の起点位置の各々に、Ｘ線源のＸ線焦点位置を移動させてＸ線を放射する。画像制御取得機構３０はＸ線センサ２３が検出した画像データを取得し、演算部７０はその画像データに基づき検査エリアの画像の再構成を行なう。 （もっと読む）

【課題】コンクリート構造物におけるコンクリート劣化が表面化していない早期の段階で、該構造物の劣化の危険性を予測することが可能なコンクリート劣化の診断システムを提供する。
【解決手段】コンクリート構造物及びその周辺の環境調査を行い対象とするコンクリート構造物の構造や立地条件を把握してコンクリートにおける劣化因子の抽出と劣化発生箇所の予測をし、該箇所のコンクリート表面について簡易な劣化の予兆検査を行い、予兆のあった箇所から採取したサンプルについて機器分析により精密な劣化診断をし、診断結果から劣化の予測を行う。 （もっと読む）

【課題】極薄のフィルム状試料をサンプリングする際に、測定する箇所を破壊することなく、その両面を測定できる状態でサンプリングすることが出来るサンプルホルダー及びそれを用いたフィルム状試料の表面分析方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上部保持板１１と下部保持板２１とで構成されており、開口部を１個設けた事例で、上部保持板１１には、中央部に開口部１１ａを、周辺部に粘着部３１ａ、３１ｂ、３１ｃ及び３１ｄを、下部保持板２１には、中央部に開口部２１ａを、周辺部に粘着部３２ａ、３２ｂ、３２ｃ及び３２ｄを、それぞれ設けたものである。本発明のサンプリング用板を用いてフィルム状試料の前処理を行うことにより、フィルム状サンプルの両面を、汚染無く、表面分析装置で測定することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】培養された細胞等からなる試料の観察又は検査を良好に行うことのできる試料保持体、試料検査装置及び試料検査方法、並びに試料保持体の製造方法を提供する。
【解決手段】試料保持体４０は、開放された試料保持面３７ａの少なくとも一部が膜３２により構成され、膜３２の試料保持面３７ａにおいて培養された試料３８に、膜３２を介して、試料観察又は検査のための一次線が照射可能となっている。これにより、細胞等の試料３８を培養させた状態で生きたままでの観察又は検査を良好に行うことができる。特に、一次線として電子線を用いれば、生きた状態での試料のＳＥＭ観察・検査を良好に行うことができる。さらに、試料保持面３７ａは開放されているので、マニピュレータによる試料へのアクセス（接触又は接近）が可能となり、マニピュレータを用いて試料３８への刺激を行い、その反応を観察・検査することも可能になる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線分析装置及びＸ線分析方法において、Ｘ線源を安定に挙動させ、定量分析を安定して行なうこと。
【解決手段】 １次Ｘ線を試料１に照射するＸ線管球３と、１次Ｘ線の強度を調整可能な１次Ｘ線調整機構４と、試料１から放出される特性Ｘ線を検出し該特性Ｘ線及び散乱Ｘ線のエネルギー情報を含む信号を出力するＸ線検出器５と、上記信号を分析する分析器６と、試料１とＸ線検出器５との間に配設されＸ線検出器５に入射される特性Ｘ線及び散乱Ｘ線の合計強度を調整可能な入射Ｘ線調整機構７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は測定時間が短く、試料損傷が少ない波長分散型のＸ線分析装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 試料−検出器を結ぶ軸に平行な方向のビームの辺の長さを３００μｍ以下に収束させる制御もしくは制限を行った、Ｘ線もしくは電子線を試料に照射し、試料から発生する蛍光Ｘ線もしくは特性Ｘ線を、円筒面上に対し垂直に結晶方向が制御された、曲率分布結晶レンズの回折現象を用いて、それぞれの波長ごとに異なる位置に集光させ、それらを２次元もしくは１次元型の位置敏感Ｘ線検出器で検出することにより、広い波長範囲の蛍光Ｘ線もしくは特性Ｘ線スペクトルを一度に測定できるようにしたことを特徴とする非走査型波長分散型Ｘ線分析装置。 （もっと読む）

【課題】導体ウェハ収納容器内の付着物を十分に回収することができ、かつ気泡の影響を受けずに高精度に半導体ウェハ収納パーティクルの測定を行うことのできる半導体ウェハ収納容器の清浄度評価方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハ収納容器の清浄度評価方法は、半導体ウェハ収納容器内に液体を注入して前記半導体ウェハ収納容器を撹拌し、容器内付着物を液体中に回収する手順Ｓ３と、付着物が回収された回収液体中に最終洗浄を行った半導体ウェハを浸漬する手順Ｓ４と、浸漬された半導体ウェハの表面を上向きにして一定時間静置し、前記回収液体中の付着物を前記半導体ウェハ表面に転写させる手順Ｓ５と、前記付着物が転写された半導体ウェハを乾燥させる手順Ｓ６と、乾燥した半導体ウェハ表面の前記付着物を、ウェハ用パーティクル測定装置にて測定する手順Ｓ７とを実施する。 （もっと読む）

【課題】小型且つ簡易な構造で電子線とＸ線との両者を放出することができる電子線・Ｘ線源装置を提供する。
【解決手段】電子線・Ｘ線源装置３は、管体６内に電子線を放出する電子線放出部９を備える。管体６の一端部（下端部）には、電子線放出部９から照射された電子線を管体６の外部に透過させる電子線透過窓部１０ａと、照射された電子線によって励起されるＸ線を発生するターゲット１１とを備える。ターゲット１１は、管体６の一端部を閉蓋する膜状蓋部材１０の上面に固着され、その厚さ方向に貫通する孔１２を備える。膜状蓋部材１０は電子線およびＸ線を透過可能である。この膜状蓋部材１０のうちの、孔１２に対向する部分が電子線透過窓部１０ａである。電子線・Ｘ線源装置３は、例えばエアロゾル試料Ａを分析するエアロゾル分析装置で使用される。 （もっと読む）

【課題】複数の成分領域を有する試料において、その成分間の境界領域を自動的に判別することができる試料分析装置を提供する。
【解決手段】二次エネルギ線検出部４により検出された二次エネルギ線Ｌのスペクトル波形を示すデータであるスペクトルデータを各ポイント毎に生成するスペクトルデータ生成部５１と、類似するスペクトルデータを集めてグループ化するスペクトルデータ分類部５２と、互いに異なるグループに属するスペクトルデータの合成である合成スペクトルから得られる合成情報と、その合成情報に係るグループ以外のグループに属するスペクトルデータから得られる情報とを比較して、類似する場合には、前記合成情報に係るグループ以外のグループのスペクトルデータを生じる領域を、前記合成情報に係るグループのスペクトルデータを生じる領域間の境界領域であると判別する境界領域判別部５５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 膜に保持された試料に一次線として電子線等の荷電粒子線を、該膜を介して試料に照射し、これによって試料検査を行う際に、該膜に保持された試料に刺激を与えることのできる試料検査装置、試料検査方法、及び試料検査システムを提供する。
【解決手段】 本発明における試料検査装置は、膜３２を介して試料２０に一次線７を照射する一次線照射手段１と、一次線７の照射に応じて試料２０から発生する二次的信号を検出する信号検出手段４とを備え、２０試料に接近又は接触可能な先端部を具備するマニピュレータ２６と、試料２０の光学像を取得する光学像取得手段２７と、一次線照射手段１、信号検出手段４、マニピュレータ２６及び光学像取得手段２７の各動作を制御する制御手段２８とを有する。 （もっと読む）

【課題】小規模の設備でも製造が可能で、しかも、少ない製造工程で、かつ、歩留まりを向上させることで、ローコストのＳＤＤを提供する。
【解決手段】Ｉ層１１の第１の面にＰ層１０が設けられ、Ｉ層１１の第２の面にＮ層１２が設けられると共に前記Ｎ層１２を中心として複数のＰリング１３が形成され、放射線の入射によりＩ層１１で発生した電荷をＰリング１３に電圧を印加して生じた電位勾配によって前記Ｎ層１２に集める放射線検出器において、前記Ｐリング１３の総数が２〜５本に設定され、前記各Ｐリング１３ごとに互いに絶縁された電極１４が形成され、前記Ｐリング１３ごとに互いに異なる電位を印加するために、前記各電極１４ごとに端子１５が接続されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、異なる検出器からの映像信号の画像データを遅滞なく表示部に転送することのできるデータ処理装置を提供することことを目的としている。
【解決手段】複数チャネルの信号を検出する検出器１と、これら検出器１のそれぞれの出力を信号処理する信号処理部３と、これら信号処理部３の出力を受けて有効データのみを抽出する有効データ抽出部１０と、該有効データ抽出部１０の出力を受けて多重化する多重部１１と、該多重部１１の出力を受けてメモリへの書き込み制御を行なうメモリ制御部１６と、該メモリ制御部１６の出力を受けて検出データを記憶するメモリ４と、該メモリ４に記憶されている検出データを読み出して出力するデータ出力部５と、該データ出力部５の出力を受けて所定のデータ処理を行なう処理装置１７と、該処理装置１７の出力を受けて検出データを出力するモニタ８とから構成される。 （もっと読む）

【課題】 波長分散形Ｘ線分光器及びエネルギー分散形Ｘ線分光器を用いて試料分析を行うに際して、波長分散形Ｘ線分光器による試料分析を効率良く行うことのできる試料分析方法及び試料分析装置を提供する。
【解決手段】 試料７に電子線１２を照射し、電子１２線の照射により試料７から発生する特性Ｘ線１３をＷＤＳ８により分光して検出し、これによる特性Ｘ線ピークの検出位置における特性Ｘ線強度の測定を行うに際して、該特性Ｘ線ピークの検出位置での特性Ｘ線１３のバックグランド強度を、試料７上の対応する分析位置におけるＥＤＳ１１により測定された特性Ｘ線強度に基づく定量分析値によって算出された平均原子番号に基づいて求め、ＷＤＳ８により検出された特性Ｘ線ピークの検出位置でのピーク強度から該バックグランド強度を差し引いて正味の特性Ｘ線強度を求める。 （もっと読む）