【課題】分析精度の高い分析装置を提供する。
【解決手段】イオンビームを試料１０に照射するイオン照射部と、試料から第１の方向１０６に散乱する散乱イオンを通過させるための第１の開口部３４ａと、試料から第１の方向と異なる第２の方向１１４に散乱する散乱イオンを通過させるための第２の開口部３４ｂとが形成された制限板２４と、制限板の第１の開口部を通過した散乱イオンと、制限板の第２の開口部を通過した散乱イオンとに対して磁場を印加する磁場印加部２８と、磁場印加部により偏向された各々の散乱イオンを検出するイオン検出部３０とを有している。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム又はイオンビーム撮像機器による極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶＬ）マスク検査の技術を提供する。
【解決手段】結合モジュールは、開口を定める上側部分と、マスク接触要素と、チャック接触要素と、マスク接触要素と上側部分の間に接続された中間要素とを含むことができる。開口の形状及びサイズは、極端紫外線（ＥＵＶＬ）マスクのパターン転写区域の形状及びサイズに対応することができる。結合モジュールは、マスク接触要素がＥＵＶＬマスクの上側部分に接触した状態でチャック接触要素がＥＵＶＬマスクを支持するチャックに接触するような形状及びサイズとすることができる。結合モジュールは、ＥＵＶＬマスクがチャック上に位置決めされた時にＥＵＶＬマスクの上側部分とチャックの間に少なくとも１つの導電経路を更に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属イオンの一次イオンビームを用いる二次イオン質量分析において、試料上面へのアルカリ金属化合物の堆積を抑止する。
【解決手段】スパイラル状の走査線２１に沿ってスパイラルの最外周を含む第１の走査線分２１ａ上を一次イオンビーム７が走査するときに、二次イオン引出し電極６に対し試料１０電位が正電位になるように制御し、第１の走査線分２１ａよりスパイラルの内側に位置し、かつスパイラルの最内端に至る第２の走査線分２１ｂ上を一次イオンビーム７が走査するときに、試料１０電位が負電位になるように制御する。 （もっと読む）

【課題】 試料分析方法及び試料分析装置に関し、不安定な中間酸化物を含む酸化膜を表面に有するシリコンを主成分とする基板を酸素一次イオンにより精度良く分析する。
【解決手段】 シリコンを主成分とし、表面に中間酸化物を含む酸化膜を有する被分析試料の表面に９０ｅＶ以下のエネルギー範囲で酸素イオンを供給して前記中間酸化物を含む酸化膜を改質させる前処理工程と、前記前処理工程の後に、二次イオン質量分析を行う工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】試料表面に一次イオンビームを照射して試料表面を除去しつつ、試料の深さ方向の分析を行うイオンビーム分析方法において、試料表面の汚染が少ない帯電防止方法を提供する。
【手段】試料１０表面に収束イオンビーム２４ａを照射して、試料１０表面に形成された絶縁層１２を貫通し、底面に試料１０の導電性基板１１を表出する凹部１０ａを形成する工程と、凹部１０ａの内部に金属イオンビーム２３ａを照射しつつ、同時に試料１０表面に一次イオンビーム２２ａを照射することを特徴とするイオンビーム分析方法。 （もっと読む）

【課題】短時間で容易に試料の薄片部を形成することができる加工方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の加工方法は、平坦化工程（ステップＳ１）および薄片部形成工程（ステップＳ２）を順に行うことで、試料１Ｂの薄片部１３を形成することができる。薄片部形成工程（ステップＳ２）では、試料の平坦面１１の下部に対して、集束イオンビーム装置から出力された集束イオンビームが平坦面１１に平行な方向に照射される。集束イオンビームの照射により試料がスパッタエッチングされて、平坦面１１に対向する対向面１２が形成される。これにより、平坦面１１と対向面１２とに挟まれた薄片部１３を有する試料１Ｂが作成される。 （もっと読む）

【課題】二次イオン質量分析法によるシリコン母材上のシリコン酸化膜中の窒素の深さ方向濃度分布測定においては、既知の濃度の標準試料によってその信号強度との比較から、測定試料における窒素濃度の定量を行っている。窒素イオンに係わる分子イオンの検出信号は、試料測定時に試料室内真空度や試料最表面に汚染状態によって変化するため、測定試料が変わるたびに、毎回その状態における標準試料を測定して、それとの比較で定量を行う必要があり、時間と手間が非常にかかっていた。
【解決手段】予め、例えば二次イオン質量分析におけるＳｉＯ^＋の検出信号強度の一次イオン照射時間依存性において、信号強度極小値を示す照射時間と測定試料のピーク濃度との関係から、真空度や汚染に依存しない検量線を導出し、それから測定試料のピーク濃度を定量する。これにより短時間で従来法と同等の定量化された深さ方向濃度分布を得ることが可能となった。 （もっと読む）

【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪Ｅ１〜Ｅ３を算出する工程と、散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３及び歪Ｅ１〜Ｅ３に基づき、散乱電子の電子線強度Ｉを変数とする歪の近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ｉｏを予測する工程と、臨界電子線強度Ｉｏを近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）に代入して、被測定試料の歪Ｅｏを算出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線を試料表面に対して、所望の領域に広範囲の角度で照射可能な荷電粒子線装置を実現する。
【解決手段】イオンビームカラム２０１ａの中心軸の延長線に沿う方向の位置、直交する方向の位置）や傾斜角度（イオンビームカラム２０１ａの中心軸の延長線と直交する面に対する傾斜角度）を調整可能な電極を有する電極部２０４を、試料室２０３内に配置し、電極等により、曲げられたイオンビーム２０１ｂを試料２０２の表面に照射するように構成する。イオンビーム２０１ｂを試料２０２の表面の所望の領域に、試料表面に対して広範囲の角度で照射可能となる。 （もっと読む）

【課題】対象物をミリング加工及び検査する。
【解決手段】対象物の第一の表面のミリング加工期間中に、粒子ビームにより対象物の第一の表面をミリング加工する工程と、少なくとも第一の表面ミリング加工期間の大部分において、第一及び第二の表面の間に置かれた関心要素（ＥＯＩ）から構成されうる対象物を、電子検出器により対象物の第二の表面の画像を取得する工程と、対象物の第二の表面のミリング加工期間中に、粒子ビームにより対象物の第二の表面をミリング加工する工程と、少なくとも第二の表面ミリング加工期間の大部分において、電子検出器により対象物の第一の表面の画像を取得する工程とからなるシーケンスを、少なくとも一回反復する。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子光学装置において試料キャリアの温度を決定する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、荷電粒子光学装置において試料キャリアの温度を決定する方法に関し、該方法は、荷電粒子のビームを用いた試料キャリアの観測を含み、その観測は、その試料キャリアの温度に関する情報を与える。本発明は、TEM、STEM、SEM又はFIBなどの荷電粒子光学装置が、試料キャリアの温度に関する変化を観測するために使用することができるという見識に基づく。その変化は、力学的変化（例えば、二次金属）、結晶学的変化（例えば、ぺロブスカイトの）、及び発光変化（強度又は減衰期間）であってよい。望ましい実施形態において、異なる熱膨張係数を持つ金属（208、210）を示す2つの二次金属（210a、210b）を示し、反対方向に湾曲する。その2つの二次金属間の距離は、温度計として使用され得る。 （もっと読む）

【課題】試料表面に１０ｎｍ以下の寸法のスポットサイズを有するイオンビームを発生することが可能な電界イオン源を有するシステムを提供する。
【解決手段】電子ビームを提供することが可能な走査電子顕微鏡と、気体と相互作用してイオンビームを発生させることが可能な気体電界イオン源と集束イオンビーム機器とを具えるシステムであって、走査電子顕微鏡と気体電界イオン源が、使用時に電子ビーム及びイオンビームを用いて試料を調査できるように位置していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コイル位置や磁場の調整を行うことない偏極ビームのスピン反転方法及びスピン反転装置を提供する。
【解決手段】空間部３１ｅに連通された開口部３１ｃ、３１ｄを備え、開口部３１ｃから入射させたスピンを有する粒子からなるビームを、開口部３１ｄから出射可能なスピン反転装置であって、開口部３１ｃ、３１ｄで、通過する粒子に次式（１）、（２）で表されるスピン非断熱遷移が起きる磁場を印加可能であるスピン反転装置３１を用いる。断熱ポテンシャルがＬａｎｄａｕ−Ｚｅｎｅｒ型交差の場合、[数１]


断熱ポテンシャルがＲｏｓｅｎ−Ｚｅｎｅｒ型非交差の場合、[数２]
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【課題】半導体デバイスやデバイスシステムの欠陥箇所や不良箇所を、３次元の電流像を用いて特定することができる３次元像測定装置を提供する。
【解決手段】３次元像測定装置１００は、走査信号を走査ミラー２３に出力する走査回路２４と、第２の対物レンズ２５を光軸に沿って移動させ、光軸方向における試料２００及び第２の対物レンズ２５間の相対距離を変化させる光軸方向移動機構２６と、制御信号を光軸方向移動機構２６に出力する光軸方向移動制御回路２７と、試料２００に流れる誘起電流を出力する導電性プローブ３１と、走査回路２４からの走査信号及び導電性プローブ３１からの電流値に基づいて試料２００の２次元電流像を構築し、光軸方向移動機構２６による各相対距離における各２次元電流像を重ね合わせた３次元電流像を構築する演算部４３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
デバイス等の不良原因となる数μｍ程度の有機微小異物をＳＥＭ中で高感度に分析できる質量分析手法を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＳＥＭチャンバ内に、微小試料を加熱するための加熱機構、気化した試料を分析するための質量分析計を取り付ける。こうすることにより、ＳＥＭ中で観察した異物をＳＥＭの真空チャンバから取り出すことなく、そのまま微小有機異物の質量分析が可能となる。またＥＤＸとの併用で無機／有機異物ともに同定可能となり、異物分析を高スループットに行うことができる。 （もっと読む）

【課題】試料表面の分析部位における元素の挙動を解析するに際し、試料表面の分析部位の温度を簡便に素早く、精度良く測定する。
【解決手段】集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、イオン種がGaのGa集束イオンビーム３の前照射によって試料４の表面に注入されたGaを、試料４の表面温度の測定のための参照元素とし、分析時の試料４の表面の微細部位の温度を決定する。予め適当な試料４の表面温度毎にGa集束イオンビーム３を一定量試料４に前照射することにより試料４から放出された２次Gaイオンの収量を測定して、試料４の表面温度に対する２次Gaイオンの収量の関係を得る。この関係を一度調べれば、複数の試料４の分析時に、２次Gaイオンの収量を測定することで、試料４の表面の微細部位における温度を決定することができる。 （もっと読む）

【課題】プローブ粒子の照射量を適切に決定できるイオン散乱分光測定方法を提供する。
【解決手段】イオン散乱分光測定方法は、プローブ粒子の試料への照射開始工程と、試料で散乱され検出されたプローブ粒子数を第１照射量まで積算して第１イオン散乱分光スペクトルを得る工程と、検出プローブ粒子数を第１照射量より多い第２照射量まで積算して第２イオン散乱分光スペクトルを得る工程と、第１イオン散乱分光スペクトルに基づき、試料中の第１元素に対応する第１エネルギ範囲について、単位照射量当りの検出プローブ粒子数である第１の散乱率を算出する工程と、第２イオン散乱分光スペクトルに基づき、第１エネルギ範囲について、第２散乱率を算出する工程と、第２散乱率の第１散乱率に対する違いが基準に対して少ないかどうか判定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】非破壊かつ高空間分解能で、試料の表面付近に存在する軽元素の面内分布を測定する。
【解決手段】試料１０にイオンビーム１３を間欠的に入射させ、試料から放出されるイオン・粒子をその入射に同期して検出１４する、すなわち飛行時間分析することによって、試料表面に存在する軽元素（特に水素、リチウム）の分析を行う。また、試料表面の各点での分析結果をマッピングすることで、試料表面における注目元素の空間分布を可視化して表示することができる。 （もっと読む）

【課題】試料台とその上に被せられる蓋体を有する試料導入用ホルダーであって、分析の際に、分析装置の外部からの操作を要せずに、蓋を取外して試料を開放することができる試料導入用ホルダーを提供する。
【解決手段】分析用試料を保持する試料台及びこの試料台に被せられる蓋体を有し、前記試料台と蓋体により試料及びガスを包含する空間を形成し、前記空間内と蓋体外部との圧力差が所定値以下では、前記空間内と蓋体外部間が雰囲気遮断状態となるように、試料台と蓋体がかん合しており、かつ前記かん合における試料台と蓋体間の接着力が、前記圧力差が前記所定値を超えたとき前記圧力差により蓋体が試料台上から除去される大きさであることを特徴とする試料導入用ホルダー。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェファのようなオブジェクト内の欠陥を分析する方法とデバイスとシステムを提供する。
【解決手段】半導体ウェファは検査されて欠陥を探し出される。そして、探し出された欠陥に対応する位置が欠陥ファイルに格納される。複式荷電粒子ビームシステムが、欠陥ファイルからの情報を用いて、自動的にその欠陥位置の近傍にナビゲートされる。その欠陥が自動的に特定され、欠陥の荷電粒子ビーム画像が得られる。そして、その荷電粒子ビーム画像は分析され、欠陥をキャラクタライズする。次いで、欠陥の更なる分析のためにレシピが決められる。このレシピが自動的に実行されて、荷電粒子ビームを用いて欠陥部分をカットする。そのカット位置は荷電粒子ビーム画像の分析に基づく。最後に、荷電粒子ビームカットによって露呈された表面が画像化されて、欠陥についての追加の情報を得る。 （もっと読む）