【課題】分析精度の高い分析装置を提供する。
【解決手段】イオンビームを試料１０に照射するイオン照射部と、試料から第１の方向１０６に散乱する散乱イオンを通過させるための第１の開口部３４ａと、試料から第１の方向と異なる第２の方向１１４に散乱する散乱イオンを通過させるための第２の開口部３４ｂとが形成された制限板２４と、制限板の第１の開口部を通過した散乱イオンと、制限板の第２の開口部を通過した散乱イオンとに対して磁場を印加する磁場印加部２８と、磁場印加部により偏向された各々の散乱イオンを検出するイオン検出部３０とを有している。 （もっと読む）

【課題】高エネルギーの荷電粒子ビームにより測定試料中の物質ごとに１μｍ〜０．１μｍ等といった高空間分解能で定量的に材料分析できるとともに、前述した高精度の材料分析を研究室規模の施設で可能とする材料分析装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザを射出するパルスレーザ射出部１と、前記パルスレーザが照射される金属薄膜Ｆを有し、当該金属薄膜Ｆから荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部２と、前記荷電粒子ビーム生成部２から射出された荷電粒子ビームＩＢを磁場又は電場により収束して、測定試料Ｓに照射する荷電粒子ビーム制御部３と、前記荷電粒子ビームＪＢが測定試料Ｓに照射された際に生じる放射線Ｒを測定する放射線測定部４と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 従来の光の散乱を用いた異物検出と、反射結像型電子顕微鏡による異物検出とでは、全く原理が異なることから、得られた異物検査データを直接比較することはできず、総合的な異物管理ができない課題があった。また、同一のウェハを、散乱光を用いた検査装置と反射結像型電子顕微鏡との別々の装置で検査を実施すると、二つの装置間でのウェハ搬送中に新たな異物が付着する危険性を除外できず、厳密な検査データの比較ができないという課題があった。
【解決手段】 反射結像型電子顕微鏡の対物レンズの周囲に、レーザー光導入システムと、散乱光検出器を配置し、同一の装置で散乱光による異物検出と、反射結像型電子顕微鏡による異物検出とを実施できるようにした。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置に新たに別の装置を設けることなく、真空状態において試料の加工，観察，追加工を行う装置及び方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の真空室内にイオン液体を充填した液体浴と超音波振動手段を配置し、イオン液体と試料の加工対象領域が接触した状態において、イオン液体中に超音波振動を伝搬させて試料を加工する。
【効果】荷電粒子線装置に新たに別の装置を設けることなく、真空状態において試料の加工，観察，追加工ができるため、スループットを向上させるとともに、大気の影響を防止する。 （もっと読む）

【課題】しきい光電子分光を効率的に行うことができる装置および方法を提供する。
【解決手段】しきい光電子分光装置１は、第１光源１０、第２光源２０、照射光学系３０、真空容器４０、分子線生成部５０、撮像部６０および検出部７０を備える。準備段階において、分子線生成部による分子線生成タイミングに対する第１光源による第１パルス光出力タイミングを各値に設定して、分子線生成部による分子線生成，第１光源による第１パルス光出力および撮像部による蛍光撮像を行う。続く測定段階において、準備段階で撮像部による蛍光撮像により得られた蛍光像に基づいて決定されるタイミングおよび照射位置となるように、分子線生成部による分子線生成タイミングに対する第２光源による第２パルス光出力タイミングを設定するとともに、分子線への第２パルス光の照射位置を設定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、導電性層と有機層との界面近傍の化学状態および／または電子状態の評価方法に関する。本発明は、導電性層と有機層のいずれも１５ｎｍ程度以上の厚さである場合においても、導電性層と有機層との界面の、化学状態または電子状態の評価が可能となる方法を提供する。
【解決手段】評価対象の試料が導電性層と有機層を有し、該導電性層と該有機層の界面に硬Ｘ線を照射することにより発生する光電子のエネルギーを測定することによる該導電性層と該有機層との界面近傍の化学状態および／または電子状態の評価方法。 （もっと読む）

【課題】プローブ粒子の照射量を適切に決定できるイオン散乱分光測定方法を提供する。
【解決手段】イオン散乱分光測定方法は、プローブ粒子の試料への照射開始工程と、試料で散乱され検出されたプローブ粒子数を第１照射量まで積算して第１イオン散乱分光スペクトルを得る工程と、検出プローブ粒子数を第１照射量より多い第２照射量まで積算して第２イオン散乱分光スペクトルを得る工程と、第１イオン散乱分光スペクトルに基づき、試料中の第１元素に対応する第１エネルギ範囲について、単位照射量当りの検出プローブ粒子数である第１の散乱率を算出する工程と、第２イオン散乱分光スペクトルに基づき、第１エネルギ範囲について、第２散乱率を算出する工程と、第２散乱率の第１散乱率に対する違いが基準に対して少ないかどうか判定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明はオージェ像収集方法及び装置に関し、Ｓ／Ｎ比のよいオージェ像を得ることを目的としている。
【解決手段】試料３に電子ビームを照射し、該試料３の表面から放出される二次的電子を分光器４によりエネルギー分光し、該分光した各エネルギーの二次的電子を検出器４ｂによりカウントするようにしたオージェ電子分光装置であって、前記検出器４ｂを複数用意し、前記異なるエネルギーの電子を同時にカウントするようにしたオージェ電子分光装置において、前記複数の検出器４ｂによりカウントされたデータに基づいて、エネルギー値毎に各検出器（チャネル）のカウント数のテーブルを作成し、該テーブルを用いてピークのチャネルとバックグラウンドのチャネルの組み合わせと、各組み合わせのＳ／Ｎ比を求め、最もＳ／Ｎ比が高い組み合わせを選択してピーク強度を算出するように構成する。 （もっと読む）

【課題】測定対象物から放出された光電子のエネルギースペクトルを短時間に正確に取得することができるＸ線光電子分光装置およびＸ線光電子分光方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１０から出力されたＸ線３の照射により測定対象物２で発生した電子４が電子レンズ２０およびエネルギー分析器３０を経て検出器４０に到達したときに検出器４０により得られたエネルギースペクトルを、電子レンズ２０による電子４の減速が調整されて測定対象物２のフェルミ準位よりも低束縛エネルギー側にある禁止帯に相当する帯域のものとして検出器４０により得られたエネルギースペクトルに基づいて補正する。 （もっと読む）

【課題】欠陥を高精度に検出すること。
【解決手段】半導体基板から第１の仰角で放出される第１の二次電子の量と前記第１の仰角と異なる第２の仰角で放出される第２の二次電子の量とを個別に検出する。そして、前記検出した第１および第２の二次電子の量から夫々電位コントラスト画像を作成する。そして、前記作成した夫々の電位コントラスト画像の合成比率を決定し、前記第１および第２の二次電子の量から夫々作成した電位コントラスト画像を前記決定した合成比率で合成する。そして、前記合成された電位コントラスト画像を参照画像と比較することによって欠陥を抽出する。合成比率を決定する際、配線間の底部の輝度を求め前記求めた輝度が所定の基準値を越えるか否かを判定する。前記求めた輝度が所定の基準値を越えなかった場合、合成比率を変更する。 （もっと読む）

【課題】効率的な試料表面検査システムを提供する。
【解決手段】試料の表面を平坦化する表面平坦化機構と、試料上に抵抗膜を形成する抵抗膜コーティング機構と、試料表面の評価を行う表面検査機構を備えている。表面検査機構は、紫外線発生源３０と、電磁波を試料表面に斜め方向から導く光学系と、試料表面から放出された電子を試料表面に直交する方向に導く写像光学系４０と、検出器５０と、画像形成／信号処理回路６０とを備えている。写像光学系は、３つのレンズ系４１〜４３と、アパーチャ４４とを備えている。紫外線源の代わりにＸ線源を用いてもよい。また、電子線源から生成された電子線を試料の表面上に導く装置を設け、電磁波照射装置及び電子線照射装置の一方又は両方を駆動して、電磁波又は電子線の一方又は両方を試料の表面に照射するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】材料の二次電子放出特性についての正確な評価を容易に行うことが可能な評価方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気中に設置された材料にイオンビームを照射した際に発生する二次電子スペクトルを用いた材料の評価方法であって、被測定試料および基準試料のそれぞれにイオンビームを照射することにより放出される二次電子を測定することにより得られた各電子スペクトルに基づき、電子スペクトルの各々を所定の二次電子エネルギーの範囲で積分して、被測定試料積分強度および基準試料積分強度を測定する積分強度測定工程と、被測定試料積分強度の基準試料積分強度に対する相対比を求める積分強度相対比算出工程と、相対比により被測定試料における二次電子放出性能を評価する評価工程とを有している材料の評価方法。 （もっと読む）

【課題】試料にイオンビームを照射した際に生じる二次電子の総量のみならず、二次電子の詳細なエネルギー情報をも正確に得て、電子スペクトルとして検出することができ、試料の二次電子放出特性を正確に把握することが可能となる電子スペクトルの測定方法および測定装置を提供する。
【解決手段】被測定試料の表面状態を実質的に変化させないイオンビーム照射条件を選定する照射条件選定工程と、照射条件選定工程で選定されたイオンビーム照射条件に基づいて被測定試料にイオンビームを照射する照射工程と、イオンビームの照射により被測定試料から放出された二次電子スペクトルを、イオンビームの照射軸と異なる方向に設置された同軸円筒鏡型エネルギー分析器を用いて測定する測定工程とを有している電子スペクトルの測定方法およびそれに用いる測定装置。 （もっと読む）

【課題】窒素濃度の高精度な分析を可能にする金属材料の窒素濃度分析方法および窒素濃度分析装置を提供する。
【解決手段】窒素濃度分析装置１０は、収容室１１、一次イオン照射装置１２、中和電子照射装置１３、連通管１４、飛行室１５および二次イオン検出装置１６を有する。収容室１１には、金属試料１７が収容される。金属試料１７の表面には、炭素系物質が付着している。一次イオン照射装置１２から金属試料１７の表面に向けてパルス状の一次イオンが照射される。これにより、金属試料１７からシアン化物イオンが放出される。金属試料１７から放出されたシアン化物イオンは、二次イオン検出装置１６において二次イオンとして検出される。 （もっと読む）

【課題】化合物固体における伝導電子の原子軌道成分の割合を、実験室レベルで定量的かつ簡便に得ることができる原子軌道解析装置を提供する。
【解決手段】光電子分光で励起光として用いたとき反跳効果が無視できる低い光子エネルギを有する第１のＸ線を照射する第１照射部と、光電子分光で励起光として用いたとき反跳効果を観測しうる高い光子エネルギを有する第２のＸ線を照射する第２照射部と、第１のＸ線及び第２のＸ線それぞれを２以上の多元化合物からなる化合物固体試料に照射することで、その試料内部の伝導電子を励起し光電子に変換する励起部と、第１のＸ線により変換された光電子の第１運動エネルギと第２のＸ線により変換された光電子の第２運動エネルギとを分析する光電子分析部と、分析された第１運動エネルギ及び第２運動エネルギとのずれを解析することで、その試料の伝導電子の原子軌道成分の割合を定量的に同定する原子軌道解析部とを備える。 （もっと読む）

検出器装置は、物体から放射線データを、走査して、得て、そこから例えば画像を作り出すために表されている。装置は、走査ゾーンを規定し、走査ゾーンにおける物体との相互作用の後に検出器で入射する放射線に関する情報のデータセットを使用中に収集するためにそこから間隔を置いた放射線検出器システムを含み、走査エリア全域に二次元においてこのように集められた空間的な情報、かつソースのスペクトルにおける複数の周波数バンドにわたる分光学的な情報を分解するために適用される。上記検出器システムは、ソースのスペクトルの少なくとも一部にわたって分光学的に可変の反応を示す検出器を含むという点で、分光学的に収集されたこの種の情報を分解するように構成されており、かつ、走査エリアを各々二次元の複数の画素に分けるように構成されるラスタリング・モジュールと、連続してこの種の画素を走査し、これにより各々の画素に対するデータセットを集めるために、走査エリア全域で検出器を動かす検出器制御手段と、を含むという点で、空間的に収集されたこの種の情報を分解するように構成されている。方法は、装置の使用に基づいて記載されている。 （もっと読む）

【課題】層界面領域に達する前に、照射面の層界面領域への近接を検出することが可能な電子分光分析方法を提供する。
【解決手段】試料に電子を励起させる励起線を照射し、試料から放出され、第１の層の構成元素に由来する第１の電子の信号強度を測定し、試料から第１の電子とともに放出され、第２の層の構成元素に由来する第２の電子の信号強度であって、前記第２の層が前記試料の表面を形成しているときに測定される運動エネルギーである第１の運動エネルギー（Ｅｋ（Ｓｉ２ｓ）、Ｅｋ（Ｓｉ２ｐ））よりも低い第２の運動エネルギー（Ｅｋ（１）、Ｅｋ（２）、Ｅｋ（３））を有する第２の電子の信号強度を測定し、第２の電子の信号強度の変化度合いが所定のレベルに達したときは、試料の分析条件を変更する。 （もっと読む）

【課題】Ｈｅよりも重い入射イオンを用いて、１ＭｅＶ以下の低い入射イオンエネルギーで、軽元素を対象として被測定物深さ方向の濃度分布を、高感度かつ高精度で計測できるイオンエネルギーの分光方法と装置を提供することである。
【解決手段】イオンビームを被測定物に照射して散乱または反跳されるイオンのエネルギースペクトルを偏向電磁石およびイオン検出器を用いて計測するイオンエネルギーの分光方法で、イオンビームが、分光対象とする元素よりも質量が大きい元素のイオンであり、偏向電磁石の出側に偏向電極を設けて、散乱または反跳されたイオンの軌道を曲げて分離し、かつイオン検出器の前面にイオン分離用薄膜を設けて、イオン検出器に入射するイオンを分離して選別するようにした。それにより、１ＭｅＶ以下の低い入射イオンエネルギーの領域で、軽元素の濃度分布を高感度かつ高精度で計測することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明はＸ線光電子分光装置並びに全反射Ｘ線光電子分光装置に関し、試料表面を極めて平坦にすることにより、高精度の試料分析ができるようにしたＸ線光電子分光装置，全反射Ｘ線光電子分光装置を提供することを目的としている。
【解決手段】試料表面上を帯電液滴エッチング法を用いてエッチングするエッチング手段と、エッチングした試料表面に全反射条件を満たす全反射臨界角以下の角度でＸ線を照射するＸ線照射手段と、Ｘ線を照射した試料表面から放出される光電子を解析することにより試料の表面近傍の深さ方向分析を行なう解析手段と、を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】電子分光法及び電子分光を行う装置に関する。特に、試料から表面層を選択的に除去するために用いることのできる電子分光用イオン源に関する。
【解決手段】電子分光装置２は内部に試料台６を設置した超高真空容器４を備える。イオン銃８は超高真空容器４内に伸びており、多環式芳香族炭化水素イオンビーム１０を供給する。イオンビームは使用の際、試料台の上の試料に向けられる。光子源１２は、使用時に試料上に投射する光子ビーム１４を供給するのに適合している。真空容器４の内部には光電子分光器１６が設置され、使用時に試料から放射される電子１８を検出する。 （もっと読む）