【課題】種々の形状の試料に対応した試料ホルダにより、試料より発生する蛍光Ｘ線の強度が最大になるようにＸ線源からの一次Ｘ線の照射位置を自動調整し、常に短時間で高感度、高精度の分析が行える斜入射蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】環状の側部１１および底部１３を有する本体１８と、試料載置台１４と、試料載置台１４を支持し、その高さを調整する少なくとも３個の高さ調整具１５を有する試料ホルダ１と、試料ホルダの当接面１０４をセラミックスボール４７に押圧する押圧手段４０と、検出器３７が測定する試料Ｓより発生する蛍光Ｘ線３６の強度に基づき、Ｘ線管位置調整手段５５、分光素子位置調整手段５７および分光素子角度調整手段５８を制御する制御手段５６とを備え、試料Ｓより発生する蛍光Ｘ線３６の強度が最大になるようにＸ線源３からの一次Ｘ線３４の試料Ｓへの照射位置を自動調整する斜入射蛍光Ｘ線分析装置。 （もっと読む）

【課題】微小ピクセルによる高感度検査を、ステージをスキャン移動させながら効率的に行える電子線検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明による電子線検査装置では、ステージをスキャン移動させる方向と同一の方向（水平方向）にて電子線を走査させることで、電子線の偏向周波数の限界に関係なく走査数によりステージ移動速度が調整可能となる。ステージ移動方向に帯状のエリアの画像を連続取得するときの画像取得幅は、走査ピッチ、すなわちピクセルサイズと走査数により決まるが、例えば走査数を１／２とすることによりステージ速度を２倍とすることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 エックス線分析装置による測定時にエックス線の照射領域が大気雰囲気にある場合には、エックス線が吸収され減衰して検出効率を低下させることに鑑みて、エックス線の進行域をエックス線を殆ど吸収しないシールガスの雰囲気とすることができるエックス線分析装置を提供する。
【解決手段】 エックス線の発生装置２と検出装置３のそれぞれにエックス線の照射方向と検出方向を案内するために設けられたキャピラリー12、13にヘリウムガスを供給して、キャピラリー12、13の先端からヘリウムガスを噴出させる。キャピラリー12、13は測定対象物Ｏの測定位置を指向しているから、噴射されたヘリウムガスは被測定位置に吹き付けられ、エックス線の進行域の雰囲気を形成し、エックス線の減衰が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ラインスキャン方式において、電子ビームの位置ずれを補正して正確な二次元マッピング画像を得る。
【解決手段】ビーム走査部により電子ビームで試料表面の所定の領域を走査して得られた二次元画像の１つを参照画像として記憶しておき、予め設定された本数のラインスキャンごとにビーム走査部を駆動させて二次元画像を得、参照画像記憶部に記憶されている参照画像と比較して電子ビームのズレ量を算出する。その算出されたズレ量に基づいて偏向レンズにより電子ビームの位置を補正する。 （もっと読む）

【課題】エックス線分析装置での測定ではエックス線の照射方向と検出方向とを被測定位置で交差させる必要があり、エックス線の集中手段の指向方向を簡便に調整でき、さらに照射エックス線のうち集中手段に導かれないエックス線が周囲に漏洩することを防止したエックス線分析装置を提供する。
【解決手段】キャピラリー12、13を挿入したキャピラリーチャックの先端部にロックナットを締め付けてキャピラリー12、13を保持させ、該キャピラリーチャックをキャピラリーホルダ16に挿入し、該キャピラリーホルダ16を発生装置２と検出装置３にそれぞれカバー14、15を介して取り付ける。キャピラリーホルダ16の周壁に植設した調整ネジの締め付け状態を調整することによりキャピラリーチャックの姿勢を調整してキャピラリー12、13の指向方向を調整する。 （もっと読む）

【課題】内容物の偏り中心位置を特定することにより、内容物が搬送方向に偏った物品であっても、これを確実に振り分けることができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】物品ＭにＸ線を照射するＸ線源２３と、Ｘ線源２３から照射されて物品Ｍを透過したＸ線を検出するＸ線検出器２４と、Ｘ線検出器２４により得られた透過Ｘ線に基づいて物品Ｍにおける内容物の偏り中心位置を算出する偏り中心位置算出部２５と、Ｘ線検出器２４の下流側に設置されて物品Ｍを振り分ける排出機構３２とを備え、排出機構３２による振分位置に偏り中心位置が到達するタイミングに応じて排出機構３２を動作させる。その場合、偏り中心位置算出部２５は、Ｘ線検出器２４により得られた透過Ｘ線に基づく二次元的パラメータと厚みパラメータとから偏り中心位置を算出する。 （もっと読む）

【課題】真正欠陥と疑欠陥の正答率を高め、欠陥検出率を向上させる。
【解決手段】基板走査により得られる二次元検出信号に基づいて基板欠陥を検出する基板検査方法であって、基板走査により得られる二次元検出信号に基づいて基板欠陥を検出して欠陥データを求め、この欠陥データの中から、予め求めておいた検出系に起因して検出される疑欠陥情報と合致する欠陥データを検索し、この検索で合致した欠陥データを疑欠陥として判定する。疑欠陥の検索に用いる疑欠陥情報は、疑欠陥の位置データと疑欠陥の強度データを含む。検索では、欠陥データの位置データと疑欠陥情報の疑欠陥の位置データの両位置データの合致、および、欠陥データの強度データと疑欠陥情報の疑欠陥の強度データの両強度データの合致の２つの合致を条件として行う。 （もっと読む）

【課題】被検体の目的位置を容易に透過画像の視野に入れることが可能なＸ線透視検査装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１とＸ線検出器３の間に配置されたテーブル５面をｘｙ方向に移動させる移動機構６と、テーブル５をＸ線源１とＸ線検出器３の方向に移動させる拡大率変更手段７と、所定の拡大率において複数の移動位置で得た透過画像から一つの合成透過画像を形成する画像合成手段１１と、表示部９に表示された合成透過画像上で位置を指定する位置指定手段１２と、指定された位置が透過画像に入るよう移動機構６を制御する移動制御手段１３を備え、所定の最低拡大率で視野に入りきらない被検体４に対して全体を含む所望の範囲の合成透過画像を得、合成透過画像上で所望の位置を指定することで、容易にこの位置が視野に入る透過画像を得る。 （もっと読む）

【課題】 従来の飛行時間型二次イオン質量分析を利用した表面構造の解析方法では、試料が固体表面の有機化合物や分子結合性化合物の単層膜の場合に、試料表面から削っていくことが困難なために、厚さ方向の組成プロファイルを求めることが困難である。
【解決手段】 試料表面にサイズの異なる少なくとも２種類のイオンをそれぞれ照射する手段、前記試料表面から放出されるイオンの質量スペクトルを飛行時間型二次イオン質量分析器により計測する計測器、および計測された質量スペクトルから異なる種類のイオン照射で計測された２つの質量スペクトルの差を出力する情報処理装置を有することを特徴とする表面解析装置。 （もっと読む）

【課題】 自動焦点合わせ可能な範囲を超える程度の反りが発生した場合でも、半導体ウエハ表面のすべての欠陥に焦点を合わせて欠陥画像を取得することができる欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 表面上の欠陥の位置情報が知られている半導体ウエハを、撮像装置のステージに載置する。半導体ウエハの表面上の複数箇所の、高さ方向の位置を測定する。測定された高さ方向の位置に基づいて、表面内を複数の部分領域に区分する。部分領域から、欠陥画像の取得が終了していない部分領域を１つ選択する。選択された部分領域内が、撮像装置の自動フォーカス範囲内に位置するように、ステージの高さを調整する。選択された部分領域内の欠陥を撮像装置で撮像し、欠陥画像を取得する。すべての部分領域内の欠陥の欠陥画像が取得されるまで、部分領域の選択からｅから撮像までの工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】試料より発生する蛍光Ｘ線の強度が最大になるようにＸ線源からの一次Ｘ線の照射位置および照射角度を自動調整することにより、光学調整の熟練者でなくても、常に短時間で高感度、高精度の分析が行える蛍光Ｘ線分析装置を提供することを目的とする。
【解決手段】蛍光Ｘ線分析装置１は、制御手段２０により制御される各調整手段１９、２２、２３により調整されたＸ線管１１と分光素子１３の位置と角度と装置機構上の対応する位置と角度との差を各オフセット記憶手段２１、２４、２５にオフセットとして記憶し、分析条件設定手段に記憶したオフセットを付与し、試料１６より発生する蛍光Ｘ線１７の強度が最大になるようにＸ線管１１からの一次Ｘ線の試料１６への照射位置および照射角度を自動調整する。 （もっと読む）

【課題】搬送コンベアの状態に関わらず、高精度なキャリブレーションを実施して被検査物の検査を正確に行うことが可能なＸ線検査装置およびＸ線検査プログラムを提供する。
【解決手段】Ｘ線検査装置は、コンベア上に載置された商品に対して照射されたＸ線の透過光をＸ線ラインセンサにおいて検出することで商品に含まれる異物の有無を検出する装置であって、Ｘ線ラインセンサに含まれる複数の画素のキャリブレーションを行う際には、Ｘ線検査装置に搭載された制御コンピュータ２０において形成される判定部２０ａやキャリブレーション実行部２０ｂ等の各種制御ブロックによって、コンベアにおけるキャリブレーションを実施するために適した位置を探して、その位置においてＸ線ラインセンサが検出した結果に基づいてキャリブレーションを行う。 （もっと読む）

【課題】 検査対象とすべき最適な断層像を特定することが困難であり、結果として高精度の検査を行うことができなかった。
【解決手段】 Ｘ線によって検査対象を検査するにあたり、Ｘ線を基板上の検査対象品に照射して異なる方向から撮影した複数のＸ線画像を取得し、上記複数のＸ線画像に基づいて再構成演算を実行し、当該再構成演算によって得られた再構成情報に含まれる上記基板の配線パターンの情報に基づいて上記検査対象品の検査位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】特性Ｘ線の取出角度と測定深さとの相関を求めることを可能とする斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法を提供すること。
【解決手段】斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法は、試料内部から発せられる特性Ｘ線が試料表面での全反射現象により検出されない角度以下に特性Ｘ線の取出角度を設定することにより試料の表層から発せられる特性Ｘ線のみを選択的に検出する斜出射電子線プローブマイクロＸ線分析方法において、試料を試料内部としての下地と試料表層としての所定厚の上地で構成し、下地から発せられる特性Ｘ線の取出角度を所定角度から徐々に小さくして前記特性Ｘ線の消失角度を見出し、見出された消失角度を所定厚の上地の構成元素のみを選択的に分析できる取出角度として定義する。 （もっと読む）

【課題】 既存技術よりはるかに安価に、かつ簡便に平面観察を行ってから観察後に断面を加工することができる試料作製方法を提供する。
【解決手段】 集束イオンビーム装置のチャンバ内で試料１をブロック状に切り出し、その試料ブロック（バルク）４を真空外に取り出して、マニピュレータの先端にセットしたガラスプローブ５に接触させて支持する。次に、バルク４を試料台である円筒状のピン６の先端にエポキシ樹脂で固定する。次に、平面観察用の薄膜試料をＦＩＢ加工により作製する。次に、内部の欠陥位置を２次元的にＴＥＭ／ＳＴＥＭで観察し同定する。その後、ピン６を手動で９０°回転させてから、欠陥部位を含む位置を断面加工する。 （もっと読む）

【課題】被検査物から離れた位置から高いＳ／Ｎ比で後方散乱Ｘ線を検出することができ、これにより被検査物に接近することなく被検査物を透視検査することができる遠隔Ｘ線透視装置および方法を提供する。
【解決手段】広がり角が十分小さい高指向性のパルスＸ線３を周期的に発生するＸ線源１２（逆コンプトン散乱Ｘ線源）と、パルスＸ線３を被検査物１に向けて走査するＸ線走査装置１４と、被検査物内で発生する散乱Ｘ線３を検出する散乱Ｘ線検出器１６と、被検査物内で発生する散乱Ｘ線のみを検出するように、散乱Ｘ線の検出をパルスＸ線の発生と同期させて制限する検出制御装置１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】真空加熱装置において、加熱された基板の温度、基板の温度分布を測定する。
【解決手段】真空室と加熱装置とを備える真空加熱装置において、電子ビームを照射によって基板から得られる二次電子を検出する二次電子検出器３と、前記二次電子検出器の検出信号に基づいて、真空室２０内に配置される基板の温度を計測する温度計測部１０とを備える。温度計測部１０は、検出信号から二次電子強度を測定する強度測定部と、二次電子検出器で検出した二次電子強度を温度に変換する温度変換部とを備え、温度変換部は、予め求めておいた二次電子強度と温度との相関関係に基づいて、強度測定部が測定した二次電子強度を温度に変換する。 （もっと読む）

【課題】非破壊で試料内部の情報を高解像度で取得し良／不良の判断を行うことができ、検査時間を短縮する装置の提供。
【解決手段】電子線またはＸ線を試料（１０３）に照射し、試料からの蛍光Ｘ線をゾーンプレート（１１０）を用いて集め検出器（１０５）で検出し、検出器（１０５）からの電気信号をＡ／Ｄコンバータ（１０６）でデジタル信号に変換し、不良判断部（１０７）で良／不良を判断し、不良の場合、画像処理部（１０７）で画像処理し、画像表示部（１０９）に表示する。 （もっと読む）

スパイラルスキャンによる荷物セキュリティ検査方法は以下のステップを含む。すなわち、放射線ビームを使用して第１精度で検査対象物をスパイラルスキャンし、データ収集ユニットが検査対象物を透過する放射線ビームの透過投影データを取得すること、透過投影データにより被検領域内に疑わしい領域があるか否かを判断すること、放射線ビームを使用して第２精度で前記疑わしい領域における少なくとも一つのスライスをスキャンすることであって前記第２精度は前記第１精度よりも高いことと、前記少なくとも一つのスライスの断層撮影イメージを再構成すること、前記イメージによって危険物があるか否かを判断することを含む。
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【課題】半導体ウェーハ等の試料上に存在する欠陥の画像を自動収集するＳＥＭ式欠陥レビュー装置において、高いスループットを提供する。
【解決手段】ＳＥＭ式レビュー装置を用いた欠陥レビュー方法において、ウェーハ単位若しくはチップ単位での少なくともセル比較による欠陥検出成功率又は欠陥検出成功マップを準備する準備過程と、該準備された前記ウェーハ単位若しくは前記チップ単位での少なくともセル比較による欠陥検出成功率又は欠陥検出成功マップに基づいてセル比較方式とダイ比較方式との何れにするかのレビューシーケンスを選択する選択過程と、該選択過程でセル比較方式を選択した場合には、セル比較をしてレビュー欠陥の検出可否判定を行う検出可否判定過程を有するセル比較過程と、該検出可否判定過程での判定の結果レビュー欠陥が検出されない場合、並びに前記選択過程でダイ比較を選択した場合には、ダイ比較をするダイ比較過程とを有すること特徴とする。 （もっと読む）