【課題】 その場分析で溶液中の微量物質の反応過程の解析が可能な溶液中の微量物質のｉｎ−ｓｉｔｕ ＸＡＦＳ分析装置を提供する。
【解決手段】 微量物質を含む溶液１１を一様に攪拌するとともに溶液１１中の特定の反応を進行させるヒータ付きスターラ１と、溶液１１の流入口、流出口とともに前記流入口及び流出口の間に溶液１１の貯留部３Ａを有して溶液１１の一様性を維持し得るとともにＸ線源から放射した入射Ｘ線１２を貯留部３Ａ内の溶液１１に照射するための受光窓３Ｂを有する測定セル３と、Ｘ線を照射した溶液１１が放射する蛍光Ｘ線１３を受光窓３Ｂを介して受光することにより溶液１１中の微量物質をその場で検出し得る７素子ＳＤＤ８と、ヒータ付きスターラと測定セル３との間を連通する流路４，５と、流路４，５の途中に介在されてヒータ付きスターラと測定セル３との間で溶液１１を循環させる送液ポンプ２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ナノビーム電子回折法の格子歪測定精度を向上し、結晶試料における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定する。
【解決手段】回折スポット１４と透過スポット１５の間隔（あるいは異なる回折スポットの間隔）１６（Ｋ）と格子面間隔ｄとの間には、Ｋ＝１／ｄの関係がある。従って、スポット間隔Ｋの変化から格子面間隔の変化、すなわち格子歪を知ることができる。コンデンサレンズ絞り２を明瞭に観察することにより、回折スポット間隔の測定精度を高くする。この結果、格子歪の測定精度が向上する。そこで、電子回折図形を観察し記録するステップにおいて、コンデンサレンズ絞り２に焦点が合うように中間レンズ１１を調整する。これにより、結晶試料４における局所領域の応力・格子歪を高精度に測定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】帯状の食品生地を生産ラインに流した場合であっても、不良品を特定するのに要する作業時間を縮減し、作業効率を向上させることができる生産ラインの質量検査システムを提供すること。
【解決手段】製品を帯状に整形する圧延装置８と、食品生地Ｗの一部である製品部分の質量を測定するＸ線質量測定装置２と、製品部分毎に食品生地Ｗを切断する切断装置３と、食品生地Ｗから切断された切断片Ｗａを焼成する焼成装置４と、焼成後の切断片Ｗａの質量を測定する質量選別装置５と、焼成装置４を制御する制御装置６とを備え、制御装置６が、製品部分の質量データと焼成済の切断片Ｗａの質量データとを蓄積し、測定タイミングに基づいて、蓄積された製品部分の質量データと調理済の切断片Ｗａの質量データとから相関度を判定するための判定値を算出して、製品部分の質量と調理済の切断片Ｗａの質量との相関関係を判定する。 （もっと読む）

【課題】パターン領域を精密かつ動的に分けて、領域毎に欠陥検査方式や感度を切り替えることによって、パターン領域毎に最適な感度での欠陥検出を可能とする。
【解決手段】半導体ウェハの検査画像から画像特徴量を算出し、パターン領域分割を行い，予めパターン領域毎に設定した検査方式及び感度（欠陥検出閾値）を切り替えて欠陥検出を行う。また、上記パターン領域の判定に必要なパラメータやパターン領域毎に対応する欠陥検査方式及び感度を予め設定するレシピ設定ＧＵＩを設ける。 （もっと読む）

【課題】オペレータの技量に左右されず、例え初心者のオペレータが操作する場合であっても、欠陥を認識することができる。
【解決手段】試料の観察領域に電子ビームまたは集束イオンビームをある照射条件下で走査照射したときに、観察領域から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出工程（Ｓ４）と、二次荷電粒子検出工程で検出した二次荷電粒子から、観察領域を区分けしたそれぞれ同じ周期パターンの複数枚の観察画像を形成する画像形成工程（Ｓ５）と、画像形成工程で得られた複数枚の観察画象同士を比較し、それらの差分情報から観察領域における欠陥を認識する欠陥認識工程（Ｓ６）とを備え、さらに、観察領域に電子ビームまたは集束オンビームを照射条件とは異なる他の照射条件下で走査照射したときにも、二次荷電粒子検出工程、画像形成工程、欠陥認識工程を備える。 （もっと読む）

【課題】連続体を被測定物として生産ラインに流した場合であっても、早期に連続体の一部である製品部分の質量の過不足を発見し作業効率の低下を防止することができるＸ線質量測定装置を提供すること。
【解決手段】搬送中の連続体に対しＸ線を照射するＸ線照射手段３と、連続体を透過したＸ線の透過量を検出するＸ線検出手段４と、検出されたＸ線の透過量に基づいて、所望の領域に対応する連続体に吸収されたＸ線吸収量を算出するＸ線吸収量算出手段３４と、連続体に吸収されたＸ線吸収量から連続体の質量に換算するための質量換算係数を予め記憶する質量換算係数記憶手段４２と、連続体の延在方向を分割するための分割領域２２を設定する分割領域設定手段３３と、連続体の分割領域２２のＸ線吸収量と質量換算係数とに基づいて、連続体の分割領域２２の質量を測定する質量測定手段３５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】セメント硬化体から細骨材や混和材等を分離することなく、このセメント硬化体に用いられたセメントのクリンカ品種そのものを精度良く推定することが可能であり、しかも、１ｍｍ角程度の大きさの試料からも充分推定することが可能なセメント硬化体に用いられたセメントのクリンカ品種の推定方法を提供する。
【解決手段】セメント硬化体に用いられたセメントのクリンカ品種を電子プローブマイクロアナライザを用いて推定する方法であって、セメント硬化体中に残存している未水和カルシウムシリケート相を選択し、この未水和カルシウムシリケート相の微小部分の組成分析を電子プローブマイクロアナライザを用いて行い、この組成分析の結果に基づきセメントのクリンカ品種を推定する。 （もっと読む）

【課題】外部からの雑音を減らして精度の高い非破壊検査を可能とする。
【解決手段】電子ビームを半導体デバイスに照射してそのときに半導体デバイスに生じる電流を測定する半導体デバイス検査装置において、前記測定された電流の波形をあらかじめ設定された標準波形と比較する手段と、前記比較する手段の比較結果から半導体デバイス検査装置の異常か半導体デバイスの検査領域の異常かを識別する手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＰ法で試料の組成や面積密度を分析する蛍光Ｘ線分析装置などにおいて、非検出元素について正確に検出限界を算出できるものを提供する。
【解決手段】ＦＰ法で試料１３の組成を算出する算出手段１０を備え、その算出手段１０が、非検出元素については所定の微量濃度を加えて組成を仮定し、その組成に基づいて非検出元素から発生する２次Ｘ線４の理論強度を計算し、その非検出元素の理論強度とあらかじめ求められた装置感度係数とから非検出元素の推定測定強度を計算し、その非検出元素の推定測定強度と所定の微量濃度とから非検出元素の検量線勾配を計算し、検出手段９で測定した非検出元素のバックグラウンドの測定強度からバックグラウンドの統計変動を計算し、その非検出元素のバックグラウンドの統計変動と非検出元素の検量線勾配とから非検出元素の検出限界を算出する。 （もっと読む）

本願発明は、反応を解析する方法に関する。前記方法は、少なくとも一つのアクセプター化合物と、少なくとも一つのドナー化合物を含む溶液を提供する工程を含む。ドナー化合物は、化学的要素を含む化合物部分をアクセプター化合物に付与することが可能である。溶液は、ドナー化合物とアクセプター化合物との間の反応に影響を及ぼす少なくとも一つの制御化合物を含む。その後溶液をインキュベートし、アクセプター化合物の一部をドナー化合物と反応させ、アクセプター生成物を形成する。未反応ドナー化合物を、アクセプター生成物から分離する。その後、Ｘ線蛍光を使用して、アクセプター生成物またはドナー化合物を計測する。さらなる解析方法が開示される。
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【課題】 試料表面の帯電の斑（不均一）の影響を低減したエネルギースペクトルを得る。
【解決手段】 試料２表面にＸ線３を照射すると同時に、中和電子銃６からの電子ビーム６を試料２表面に照射し、試料２表面から放出された光電子を光電子分光器７に導き、ここでエネルギー分光してエネルギースペクトルを得る。試料２をセットしているステージ４にバイアス電圧電源２１からバイアス電圧を印加することにより、中和電子銃６からの電子ビームでこの帯電が一様に中和されるようにする。 （もっと読む）

【課題】角度分解Ｘ線光電子分光法を用いて、ダイヤモンド様薄膜の表面及び内部における炭素の結合状態を評価するダイヤモンド様薄膜の評価方法を実現できるようにする。
【解決手段】ダイヤモンド様薄膜の評価方法は、角度分解Ｘ線光電子分光法を用いて、３つ以上の検出角度においてダイヤモンド様薄膜の炭素１ｓ軌道の結合エネルギーを示すＸ線光電子分光スペクトルを測定するステップ（ａ）と、測定したＸ線光電子分光スペクトルを４つ以上の成分に分解し、各成分についてドニアック−サンジック関数を用いて解析するステップ（ｂ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＰＢＴ組成物中の配合剤や重合触媒等、高分子材料に含まれる微量成分の分析法であって、該微量成分を検出できる高い感度、精度を有するとともに、煩雑な処理等を必要としない簡便性の高い分析法を提供する。
【解決手段】高分子材料中の微量成分の分析法であって、前記高分子材料を酸素存在下、加熱して灰化する工程、及び前記灰化後の試料に電子線を照射し、発生する特性Ｘ線による元素分析をする工程、を有することを特徴とする高分子材料中の微量成分の分析法。 （もっと読む）

【課題】純度９９．０％以上の高純度シリカ質粉末について、測定試料の調製が容易となり、かつ、高精度の分析を行うことができる蛍光Ｘ線分析によるシリカ質粉末の不純物濃度分析方法を提供する。
【解決手段】不純物濃度未知の全粒子の粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下のシリカ質粉末試料の表面を、濃度既知の単一の不純物元素を含む標準溶液でコーティングし、乾燥、焼成およびプレス成型したバインダ含有量０重量％のペレット状試料を作製し、前記ペレット状試料について、蛍光Ｘ線分析によりＸ線強度と不純物濃度との関係を表す検量線を作成し、前記検量線に基づいて、蛍光Ｘ線分析により測定したＸ線強度を対照させて、不純物濃度を定量する。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線管及びＸ線分析装置において、さらなる小型化及び軽量化を図ることができると共に、より効率的に蛍光Ｘ線等を検出して感度を高めること。
【解決手段】 内部が真空状態とされＸ線が透過可能なＸ線透過膜で形成された窓部１を有した真空筐体２と、真空筐体２内に設置され電子線ｅを出射する電子線源３と、電子線ｅが照射されて一次Ｘ線を発生すると共に該一次Ｘ線を窓部１を介して外部の試料Ｓに出射可能に窓部１の中央部上に設けられ窓部１よりも外径の小さなターゲットＴと、試料Ｓから放出されて窓部１から入射する蛍光Ｘ線及び散乱Ｘ線を検出可能に真空筐体２内に配置され該蛍光Ｘ線及び散乱Ｘ線のエネルギー情報を含む信号を出力するＸ線検出素子４と、窓部１上の一部に設けられターゲットＴから真空筐体２まで延在する金属製の熱・電気伝導部１０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線管及びＸ線分析装置において、さらなる小型化及び軽量化を図ることができると共に、より効率的に蛍光Ｘ線等を検出して感度を高めること。
【解決手段】 内部が真空状態とされＸ線が透過可能なＸ線透過膜で形成された窓部１を有した真空筐体２と、真空筐体２内に設置され電子線ｅを出射する電子線源３と、電子線ｅが照射されて一次Ｘ線を発生すると共に該一次Ｘ線を窓部１を介して外部の試料Ｓに出射可能に真空筐体２内に設置されたターゲットＴと、試料Ｓから放出されて窓部１から入射する蛍光Ｘ線及び散乱Ｘ線を検出可能に真空筐体２内に配置され該蛍光Ｘ線及び散乱Ｘ線のエネルギー情報を含む信号を出力するＸ線検出素子４と、Ｘ線検出素子４とターゲットＴの電子線ｅの照射領域との間に配設された金属ガード部材１０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】試料の深さ方向の元素を容易に測定する技術を提供する。
【解決手段】試料にシートを当て、試料とシートとの間に押圧を加え、試料をシート面に平行に相対的に移動させることによって削り取られた試料粉中の元素を、その移動方向に沿って蛍光Ｘ線測定法により測定することにより、試料の深さ方向の元素を間接的に測定する。 （もっと読む）

【課題】試料中に含有される指定された元素については、その元素からの蛍光Ｘ線の測定強度と試料の基板中に含有される内標準元素からの蛍光Ｘ線の測定強度との測定強度比をＦＰ法に用いて、精度よく分析できる蛍光Ｘ線分析装置およびその方法を提供する。
【解決手段】試料１３、Ｘ線管１、試料台８、検出手段１０および算出手段１６を備え、ＦＰ法で分析を行い、算出手段１６が、試料のコーティング層１３Ａ中に含有される指定された元素については、その元素からの蛍光Ｘ線の測定強度と試料の基板１３Ｂに含有される内標準元素からの蛍光Ｘ線の測定強度との測定強度比に基づく理論強度スケールへの換算強度比と、指定された元素からの蛍光Ｘ線の理論強度と内標準元素からの蛍光Ｘ線の理論強度との理論強度比が合致するように前記コーティング層の厚さおよび各元素の含有率を算出する蛍光Ｘ線分析装置。 （もっと読む）

【課題】 多波長Ｘ線反射率測定装置及び試料評価方法に関し、簡単な構成により多波長Ｘ線によるＸ線反射率の測定を同時に行う。
【解決手段】 連続的なエネルギー分布を有する連続波長Ｘ線２を放射するＸ線源１と、連続波長Ｘ線２を分光することが可能なポリクロメータ３と、ポリクロメータ３からの多波長Ｘ線４の試料５に対する入射角を変えることが可能な試料回転手段６と、試料５によって反射された反射Ｘ線７の強度の測定が可能な１次元或いは２次元の検出器８を備え、多波長Ｘ線４の反射率測定を同時に行う。 （もっと読む）

【課題】対象物を適当な姿勢のもとに回転テーブル上に載せてＣＴ撮影を行っても、得られるＭＰＲ画像などの直交する３断層像上で比較的簡単な操作を行うことにより、対象物の基準面とＣＴ装置の直交３軸とを沿わせることができ、高精度の寸法・形状計測が可能なＸ線ＣＴ装置を提供する。
【解決手段】ＣＴデータを用いた直交３断層像上で、対象物Ｗの基準面ＳＲ１とすべき面に相当する境界を含む互いに異なる位置の３つ以上の３次元参照領域を設定することにより、その各３次元参照領域中で像の境界を求め、その境界上の代表点Ａ〜Ｃを決定し、これらの各代表点を通る平面を対象物Ｗの基準面を表す平面とし、その基準面の方向とＣＴ装置の直交３軸のうちの２軸の方向とが一致するように、ＣＴデータの配列方向もしくは直交３軸側をシフトすることで、基準面に直交する断層像などの表示を可能とする。 （もっと読む）