【課題】オペレータの操作により作り出したある時点における状態に戻したり、衝突危険領域から離脱させることを、手間を要することなく確実に実現することのできるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】ステージ３および／またはＸ線検出器２を移動させるべくオペレータが操作部２０を操作したとき、その操作履歴を記憶する記憶手段１０ａを備えるとともに、指令の付与により、記憶手段１０ａに記憶されている操作履歴を逆順で再生して移動指令としてステージ移動機構６や検出器傾動機構４等に供給することで、例えば衝突危険領域で透視している状態で指令を与えることにより、その衝突危険領域に至る前の状態に自動的にステージ３等が戻ることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】同一の生体組織試料について、電子像観察だけでなく、蛍光像観察、そして透視像観察等を行うことも可能な、複数の観察用光源を備えた多光源顕微鏡を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡の光源である電子銃とそれ以外の少なくとも１種の光源を有し、試料を同一位置で観察可能な多光源顕微鏡であって、蛍光を観察するための光学顕微鏡２０と走査型電子顕微鏡２とからなり、該走査型電子顕微鏡の電子ビームの光軸と同軸となるように該光学顕微鏡のカセグレン鏡１２が該走査型顕微鏡の鏡筒内に配置されてなり、反射面が非球面型であるカセグレン鏡を用いる。 （もっと読む）

【課題】起動から検出器が安定状態になるまでの無駄な待機時間を短縮するとともに、検出器が不安定である状態での無駄なデータ収集を防止する。
【解決手段】起動時には検出器３でノイズが多く発生するためプリアンプ４で生成される階段状の電圧パルス信号の傾斜は急でリセットパルスＲＳＴの時間間隔ｔは狭いが、検出器３が安定状態になってノイズが減ると時間間隔ｔは広がる。そこで、リセットパルスＲＳＴの発生の間隔をパルス間隔測定部１１により計測し、判定部１２はその計測された時間間隔ｔが所定の閾値ｔ１を超えたならば表示部１３に指示を与え、分析可能状態になったことを知らせる表示を行う。これにより、無駄な待機時間がなくなり、確実に検出器が安定状態となった後に分析を実行することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、物品に必要であるが、その位置を特定できない必要部品を、異物として誤検出することなく、異物混入検査を行うことができるＸ線検査装置を提供する。
【解決手段】 Ｘ線源からのＸ線を物品に照射し、該物品を透過する透過Ｘ線をＸ線検出器で受け、前記透過Ｘ線を画像処理手段により画像処理し、物品を検査するＸ線検査装置であって、
前記透過Ｘ線に基づき前記物品に備えるべき必要部品の存在有無を判定し、
前記必要部品が存在すると判定される場合には、その存在領域を自動設定し、
前記存在領域とそれ以外の領域の検査条件を異ならせて、前記物品内における異物検出を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＸＰＳによる所望の結合エネルギーの測定において、Ｘ線照射時間の経過とともに測定結合エネルギー値がシフトする場合、安定的に所定のエネルギー値を測定する。
【解決手段】ＸＰＳによって、被測定物の表面に吸着した吸着物に相当するピークスペクトルに関して、Ｘ線の継続的な照射による、そのピークの高さや形状の変化を測定し、そのピークが消滅ないし最小化状態で安定化したこと判定して、その表面吸着物が消滅ないし安定化したことを確認して後、所望のピーク測定値から結合エネルギーを測定する。。 （もっと読む）

【課題】
タンパク質等の高分子構造におけるカイラリティ分布や、磁区構造の解析を高分解能で行うことが可能な走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
レーザー201と半導体202を備えたスピン偏極電子源等を搭載した走査電子顕微鏡を用いて、スピン偏極電子線203を照射した試料208からの反射電子209の強度やスピン偏極度を反射電子検出器210などを用いて測定することにより、試料208内部の高分子のカイラリティ構造や磁化ベクトルを可視化することができる。 （もっと読む）

システムは、観察物体内に励起エネルギーを送信するための送信機と、物体への送信励起エネルギーに応答して受信されるエネルギーをエンコードする投影空間データを生成するための検出装置と、投影空間データを生成するための送信機および受信機を制御するためのコントローラと、投影空間データを受信するための画像再構成装置であって、投影空間データと予測投影データの間の差を特徴づける第１の量を計算し、各インパルス応答が単位強度の参照ボクセルに対応する少なくとも１つのインパルス応答に対応する第２の量を計算し、第１の量および第２の量の反転関数を使ってアップデート値を計算し、アップデート値を使って観察物体を表す物体空間画像を再構成することによって投影空間データを処理するための画像再構成装置とを含む。
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【課題】余分な時間をかけずに、観察像取得手段の視野に関係なく、マッピングの観察範囲と同じ視野の光学的観察像が、位置ズレも伴わずに得られるマッピング分析装置を提供する。
【解決手段】試料１１の表面に複数配列されたマッピング単位領域から、放出されるマップ像用信号を検出するマップ像用検出手段（Ｘ線検出器）２８と、試料１１の表面の光学的観察像を撮像する撮像手段２２と、撮像手段２２の出力信号から光学的信号ではない部分を除去する信号補間抽出回路２３ａと、マップ像用信号検出手段２８及び信号補間抽出回路２３ａの出力信号を格納する画像メモリ２５と、試料１１を移動させ、マッピング単位領域を逐次走査するＸ−Ｙステージ１２と、Ｘ−Ｙステージ１２の動きに同期してマップ像用信号検出手段２８及び信号補間抽出回路２３ａの出力信号を画像メモリ２５に取り込ませる同期制御回路２７とを備える。 （もっと読む）

【課題】
電子線を応用した検査装置では、電子像を取得して欠陥の有無を判定していたため、画像の取得時間や画像データの転送速度、画像処理の速さなどで検査速度の向上に限界が生じていた。
【解決手段】
電子レンズ１１１の後焦点面に形成される回折スポットのうち、試料１０４から垂直に反射される電子が形成する部分を遮蔽物１１７で遮蔽し、その他の反射電子線を検出器１１２で検出し、その積分強度を入出力装置１１５でモニタすることにより異物や欠陥の判定を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は断面観察用走査電子顕微鏡に関し、観察断面が明るく見えるような断面観察用走査電子顕微鏡を提供することを目的としている。
【解決手段】観察試料１０３に近い位置に配置され、２次電子信号又は反射電子信号を検出する第１の信号検出器１０４と、該第１の信号検出器１０４の出力を記憶する第１の画像メモリ１１４と、観察試料１０３の上部に配置され、２次電子信号又は反射電子信号を検出する第２の信号検出器１０５と、該第２の信号検出器１０５の出力を記憶する第２の画像メモリ１２４と、前記第１の画像メモリ１１４の出力と前記第２の画像メモリ１２４の出力とを受けて、何れかの画像をマスクしてマスクした画像とマスクしない画像との論理演算を行ない、前記試料の試料断面の画像を強調した画像を得る画像演算装置１２１と、を具備して構成される。 （もっと読む）

【課題】摩擦材の分析方法に関し、摩擦材の構成をより正確に分析可能な技術を提供する。
【解決手段】摩擦材の解析方法であって、前記摩擦材からなる試料に対してＸ線を照射し、該摩擦材の構成要素に関する構成情報を取得する取得ステップと、前記取得ステップで取得された構成情報に基づいて、前記摩擦材の構成要素を視覚的に写し出す出力ステップと、を備え、前記取得ステップでは、前記摩擦材からなる試料に対して焦点寸法が１μｍ未満のＸ線を照射することで、該摩擦材を構成する材料と該摩擦材の内部に存在する空隙とを含む該摩擦材の構成要素に関する構成情報を取得する。 （もっと読む）

【課題】微小領域の歪みを簡単に測定できるようにする。
【解決手段】立方晶の金属組織に１５ｎｍ〜１００μｍ間隔で電子線を照射して、後方散乱電子回折像法より測定点毎に結晶方位を決定し、決定した結晶方位分布および隣接する前記測定点間の方位角度差より、格子歪を決定し、前記格子歪に基づいて金属組織上における残留応力分布を求める。また、求めた残留応力分布および測定対象の金属材料の降伏応力に基づいて塑性域と判定された領域において、前記方位角度差と前記金属材料の弾性限とに基づいて、塑性変形により生じた角度差を算出し、前記算出した角度差に基づいて、幾何学的に必要な転位の転位密度を予測する。 （もっと読む）

【課題】欠陥観察装置を用いて短時間に多数の試料上の欠陥を観察する方法において、高スループットで、かつ安定に欠陥画像を収集する。
【解決手段】欠陥観察装置において、観察対象となる試料上の各欠陥について、試料の設計情報から算出された試料の外観特徴に基づき欠陥検出方式を撮像前に選択して設定し、試料上の欠陥座標および該設定された欠陥検出方式をもとに、ステージの移動時間が短くなるように欠陥画像および参照画像の撮像順序を設定して欠陥画像の収集を行うようにし構成した。 （もっと読む）

【課題】オペレータの経験等によらずに、Ｘ線像に要求される正確さに係る情報の入力により、自動的に最適なＸ線検出出力の積算回数を設定することのできるＸ線撮影装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線像に要求される正確さに係る情報を入力するための入力手段と、Ｘ線発生装置１の管電圧と、Ｘ線発生装置１とＸ線検出器３間の距離とを含み、かつ、Ｘ線検出器３の画素出力の積算回数を含まない撮影条件を設定することにより、その条件下で略一様なＸ線がＸ線検出器３の複数の画素に入射したときの各画素出力の積算回数と、その各画素出力ごとの積算値相互のばらつきとの関係を求め、その関係と入力手段１５により入力された正確さに係る情報とから、当該正確さを得ることのできる積算回数を算出して自動的に設定する検出器出力積算回数設定手段を設けることにより、入力された正確さを有するＸ線像を得ながら、最も少ない積算回数でのＸ線撮影を可能とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハのパターンの検査において、非検査領域が混在する試料でも非検査領域への電子ビームの照射を防止し、所望の検査領域を検査することができる検査装置、および検査方法を提供する。
【解決手段】電子ビームは試料の照射領域を画像化するための照射エネルギーを有し、電子ビームの走査中に電子ビームが試料へ照射するのを妨げるように電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器と、電子ビームの走査中に試料を連続的に移動させるステージと、電子ビームの照射領域の選択に従って、電子ビームの非照射領域では電子ビームをブランキング偏向するブランキング偏向器へ偏向指令を送信する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】後方散乱電子線回折（ＥＢＳＤ）法により得られた塑性変形を受けていない多結晶材料の結晶情報を用いて、多結晶材料が巨視的変形を受けた際の微視組織の不均一変形状態を、簡易な方法で迅速且つ確実に予測し、多結晶材料の塑性変形時の機械特性を正確に得る。
【解決手段】多結晶材料からなる試料について、後方散乱電子線回折法によって得られた各測定点の結晶情報を用いた多結晶材料の変形特性を予測する際に、各測定点の結晶情報を入力するステップと、入力された各測定点の結晶情報を用いて、各測定点と１対１に対応するように要素分割し、離散化モデルを作成するステップと、離散化モデルを用いて、所定の境界条件の下に変形解析を行うステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】二次電子検出器の二次電子収集効率を電子線走査領域内で均一とする。
【解決手段】収集電極に印加する電圧を、一定の固定電圧に代えて、電子線の走査位置に応じて変化させることによって、二次電子の収集効率が低下する位置での収集効率を高め、走査領域内における二次電子の収集効率を均一化する。ＴＦＴアレイ検査装置１は、電子線を放出する電子線源（電子銃部２）と、電子線を偏向して基板上で走査させる偏向電極４と、偏向電極に偏向電圧を印加する偏向電源７と、二次電子を検出する二次電子検出器９と、この二次電子検出器の前段に設けられる収集電極１０と、収集電極１０に収集電極電圧を印加する収集電極電源８とを備える。収集電極電源８は、電子線走査領域２２内において電子線の走査位置に応じて収集電極１０に印加する収集電極電圧を変化させ、これによって、走査領域内における二次電子の収集効率を均一化する。 （もっと読む）

【課題】
試料上の欠陥を，画像取得手段を用いて短時間に多数の欠陥観察を行う方法において，第１の倍率で撮像した画像から誤検出なく欠陥位置を特定し，第２の倍率での撮像を可能とする。
【解決手段】
試料上の欠陥を観察する方法において，画像取得手段を用いて第１の倍率で前記欠陥を含む欠陥画像を撮像し，欠陥画像から欠陥を含まない参照画像を合成し，取得した欠陥画像と合成した参照画像とを比較して欠陥候補を検出し，該欠陥候補を欠陥と正常部に識別する処理を行い，欠陥と識別された部位のみを第２の倍率で撮像するように装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】２次電子像による半導体装置の不具合解析の効率化。
【解決手段】半導体装置の解析装置は、半導体装置の設計データに基いて、解析対象となる半導体装置を観察した場合の電位濃度分布をシミュレートし、電位濃度シミュレート像を生成する手段と、解析対象の半導体装置に荷電粒子ビームを照射して得られる２次電子像を入力する手段と、前記解析対象の半導体装置の２次電子像に対してデコンボリューション処理を行って原画像を復元する画像復元処理、又は、前記電位濃度シミュレート像に対してコンボリューション処理を行って前記２次電子像相当の劣化画像を得る画像劣化処理のいずれかを実行する手段と、前記画像復元処理又は画像劣化処理をした像と、他方の像とを、表示する手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、回路パターンに電圧および温度等の電気的負荷をかけて信頼性評価を行う半導体検査方法を提供する。
【解決手段】半導体製造工程途中の回路パターンを含むウエハに対して、電子線を所定の時間照射して、回路パターンを所定の帯電電圧に帯電させる工程（ステップ９９）と、レーザー照射等により回路パターン周りの領域を所定の温度に制御する工程（ステップ１０６）とにより、回路パターンに電気的負荷を印加する。そして、電気的負荷印加の前後において、回路パターンを含む領域に電子線を照射することで二次電子画像を取得し（ステップ９０）、この電気的負荷印加の前後の二次電子画像を比較判定することで、回路パターンおよびそれを含むウエハを検査する。 （もっと読む）