【構成】
ガスセンサのハウジングは、センサ本体を収容している第１の凹部と、周囲のガスから妨害ガスを除去するフィルタを収容している第２の凹部と、第１の凹部と第２の凹部との間のガスの流路とを備えている。第２の凹部は第１の凹部の側方でハウジングの同じ面に設けられている。
【効果】 センサ本体のハウジングにフィルタも収容でき、かつガスセンサをコンパクトにできる。 （もっと読む）

【課題】 湿度センサを用いることなく、測定雰囲気の湿度に応じたガス感度補正を容易に行うことのできる熱線型半導体式センサの感度補正方法、および、熱線型半導体式センサを具え、信頼性の高いガス検知を効率よく行うことのできるポータブル型ガス検知器を提供すること。
【解決手段】 測定雰囲気の湿度に応じた熱線型半導体式ガスセンサのガス感度の、基準湿度における当該熱線型半導体式ガスセンサの基準ガス感度に対するガス感度比の、測定雰囲気の湿度と基準湿度との湿度差による変動量と、測定雰囲気において検知対象ガスが含まれないガスが導入されることにより取得されるゼロ出力値と基準湿度のゼロ校正用ガスによるゼロ校正値との差で示されるゼロ出力変動量とが比例関係にあることを利用して、熱線型半導体式ガスセンサの基準ガス感度を補正する。ポータブル型ガス検知器は、上記ガス感度補正を行うガス感度補正機構を有する。 （もっと読む）

【課題】ガス感応膜を挟む電極間のギャップを容易に非常に小さく形成することができるとともに、ガス感応膜が外気と接触できる面積及び電極がガス感応膜に対して接触できる面積を両方とも大きくとることができ、製造が容易でセンサ感度の優れた半導体ガスセンサを提供する。
【解決手段】電極層１、３、５、と、金属酸化物半導体からなるガス感応膜層２、４とが交互に複数回積層された積層体９を有する半導体ガスセンサであって、少なくとも１つのガス感応膜層４の両面を挟む２つの電極層３、５について、当該ガス感応膜層４の各面の略全域にわたって、金属からなる電極部３１、５１と、厚さ方向に貫通する空隙部３２、５２とを交互に形成した。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造で耐久性が高く、しかも高い検出感度と良好な応答時間を有し、水素ガス選択性に優れた水素ガスセンサを提供する。
【解決手段】水素ガスセンサは、絶縁基板上に内径500nm以下の微細孔又は外径1000nm以下の微細筒が形成されたチタン酸化物を主成分とするセンサ素子を有し、水素濃度に依存してセンサ素子の電気抵抗が変化する。センサ素子は質量百分率で０．０１％以上のパラジウムあるいは白金を含むチタン合金の陽極酸化皮膜であることが好ましい。水素ガスセンサは、絶縁性基板上にチタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を作製した後、チタン薄膜あるいはチタン合金薄膜を陽極酸化することで生成される。 （もっと読む）

【課題】フィルター部材に目詰まりが生じ難く、メンテナンスが容易な吸引式ガス検知器を提供すること。
【解決手段】ガスＧが導入されるガス導入口３と、ガスＧが排出されるガス排出口と、ガス導入口３とガス排出口とを連通するガス流路Ｐと、ガス導入口３を介してガス流路Ｐにガスを吸引するガス吸引手段と、ガス流路Ｐに吸引されたガスＧを検知するガス検知素子と、ガス吸引手段及びガス検知素子よりもガス流路の上流側に設けてあるフィルター部材１４とを備える吸引式ガス検知器であって、ガス導入口３とフィルター部材１４との間のガス流路Ｐに、ガスＧの流速を減速させるトラップ部材Ｔを設けてある吸引式ガス検知器。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部と、薄膜ヒータ電極４０，４１を覆う酸化防止保護膜６０と、酸化防止保護膜６０と薄膜ヒータ電極４０，４１との間にＴｉＮを含む保護膜用中間膜層８０，８１を有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】構成や製造工程を簡素化しつつ保護ゲル部が感湿膜に付着するのをより効果的に抑制することのできる湿度センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】湿度センサ１０は、基板２０の一面２０ａにおいて対向配置された一対の検出電極３１ａ，３１ｂと感湿膜３６を有する湿度検出部３０と、一面２０ａにおいて湿度検出部３０と離れて形成され、ボンディングワイヤ１１５が接続された状態で保護ゲル５０に覆われるパッド４０と、一面２０ａにおいて湿度検出部３０とパッド４０の間に形成され、パッド４０側から湿度検出部３０側への保護ゲル５０の流動を抑制するダム部６０と、を備える。ダム部６０は、検出電極３１ａ，３１ｂと同一材料を用いて一面２０ａに形成されたダミー配線６１と、感湿膜３６と同一材料を用いて形成され、ダミー配線６１の少なくとも一部を覆うダム用感湿膜６２を有する。 （もっと読む）

【構成】 MEMSガスセンサを用いてガスを検出する。ガスセンサのヒータへの電力を、低レベルと、検出対象ガスの検出に適した高レベルと、０レベルとの間で変化させることにより、低レベルで被毒ガスを蒸発もしくは酸化し、高レベルで検出対象ガスを検出する。
【効果】 MEMSガスセンサの被毒を防止する。 （もっと読む）

【構成】
シリコン基板表面の絶縁膜にヒータを備えるガス検知部が設けられ、ガス検知部の周囲で絶縁膜の底部に空洞が設けられ、シリコン基板がハウジングに収容されている。ハウジングに有機溶媒の吸着剤と有機溶媒の酸化触媒とが、ハウジングの外側から内側へ吸着剤、酸化触媒の順に設けられ、被検出雰囲気を吸着剤と酸化触媒とを介してガス検知部へ導くようにされている。
【効果】 有機溶媒による被毒を防止できる。 （もっと読む）

【課題】検出電極の貴金属層の縁端よりも外向きに突出する接着層の突出部を設けて貴金属層の反りを防ぐことができるガスセンサを提供する。
【解決手段】検出電極６は、基体１５の主面１７に形成されるチタン層６２と、チタン層６２の上面に形成されるプラチナ層６１とからなる２層構造を有し、櫛歯形状のパターンに形成される。基体１５の厚み方向に沿って見たときに、検出電極６は、プラチナ層６１の幅方向Ｔにおける両側の縁端６３よりも外向きにチタン層６２が突出してなる突出部６５を、少なくとも１カ所以上に有する。突出部６５がプラチナ層６１の反りを防止するクサビとして機能するため、ガス検知層の断層割れを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ガス感応部の電気抵抗を小さくして、被検知ガスに対して高感度となる半導体式ガス検知素子を提供する。
【解決手段】貴金属線にガス感応部を設けた半導体式ガス検知素子であって、ガス感応部は、酸化スズに、アンチモンを０．８ｍｏｌ％以下の範囲、セリウムを０．８ｍｏｌ％以下の範囲で、固溶させてある。 （もっと読む）

【課題】衝撃や振動等によるダイヤフラム構造体上に設けられた層状部の剥離を抑制すると共に、生産性に優れたガスセンサを提供する。
【解決手段】ダイヤフラム構造体３９Ｄ、４９Ｄと、ダイヤフラム構造体の絶縁層上に形成されたガス検知層を含む層状部３１、４１と、ガス検知層を介して互いに接続する一対の検知電極３６Ａ，３６Ｂ、４６Ａ，４６Ｂと、電極取出し辺３Ｐ、４Ｐに沿って設置されて検知電極に接続する一対の検知パッド３３、４３とを有するガス検出素子３、４と、検知パッドに接続する基板側パッド２３が表面に形成され、複数のガス検出素子が一列に並ぶよう実装された配線基板２とを備え、ガス検出素子の下面Ｒ１と配線基板の表面との間に介装される第１接着層６１，６２と、隣接するガス検出素子の下面Ｒ２同士を跨ぐように当該下面と配線基板の表面との間に介装される第２接着層６３とを備えるガスセンサ１０である。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であると共に検出開始時並びに検出対象ガスの濃度変化時の応答性に優れるガス検出装置を提供する。
【解決手段】ガス検出装置１は、支持体２、リード線５１，５２，５３、センサ素子６、及び有孔の防曝部材７を備える。前記支持体２は、絶縁性の部材と、この部材の表面上に形成された導体配線とを有し、且つ外部へ開口する配置空間８が形成される。前記リード線５１，５２，５３は、前記導体配線に接続されて、前記支持体２から前記配置空間８へ突出する。前記センサ素子６は前記配置空間８内で前記リード線５１，５２，５３によって支持されると共に前記リード線５１，５２，５３に電気的に接続される。前記防曝部材７が前記配置空間８を覆っている。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出できるガスセンサ及びガス検出方法を提供する。
【解決手段】メソポーラスシリカを充填した捕集カラム１と、捕集カラム１を加熱する加熱装置２と、ＳｎＯ_２を主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子４と、センサ素子４の電気抵抗値を測定する検出器５と、測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、捕集カラム１に流通させると共に、同空気を脱離用ガスとして、捕集カラム１及び前記センサ素子４に流通させる空気流通手段とを備えているガスセンサを用いてガス中のフタル酸ジアルキルを検出する。 （もっと読む）

【課題】使用状況に応じてヒートクリーニング期間を調整することで使い勝手を向上させた呼気成分測定装置を提供する。
【解決手段】ガスセンサ２は、金属酸化物半導体からなる感ガス体２０及び感ガス体２０内に埋設されたヒータ兼用電極２１を具備し、呼気吹込口から吹き込まれた呼気が感ガス体２０に接触するように測定器本体内に収納される。マイコン７は、ヒータ兼用電極２１への通電を制御し、測定開始操作が行われると感ガス体２０の温度を高温にしてヒートクリーニングを行った後、感ガス体２０の温度を低温状態とし、この測定期間に呼気が吹き込まれると、感ガス体２０の抵抗値から呼気中の検知対象ガス成分のガス濃度を測定する。マイコン７は、ヒートクリーニングの開始時から所定時間が経過するまで感ガス体２０の抵抗値の二次微分値を求め、二次微分値が大きいほどヒートクリーニング時間が短くなるように、ヒートクリーニング時間を設定する。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】 薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部とを有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】電池駆動型であって、感知薄膜にクラックが生じることなく信頼性が高く、消費電力が低減された薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】貫通孔を有する基板と、貫通孔を有する基板と、前記基板の第一の表面に接し、前記貫通孔の開口部を覆うように設けられた支持絶縁薄膜と、前記支持絶縁薄膜の反基板側表面上に設けられる薄膜ヒータと、支持絶縁薄膜およびヒータ層を覆うように設けられる層間絶縁膜と、さらに前記層間絶縁膜の上に形成された、金属電極とガス感知薄膜とを有し、前記金属電極とガス感知薄膜とが選択燃焼層で覆われた薄膜ガスセンサにおいて、前記ガス感知薄膜がグラフェン薄膜からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】 内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子において、応答時間短縮を実現した酸素分圧検出部を有する抵抗型酸素センサ素子を提供する。
【解決手段】 耐熱性の絶縁基板と、該絶縁基板の一方の主面側に形成された一対の電極と、前記主面側に前記一対の電極に接するように形成された酸素分圧検出膜とを備えた、内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子であって、前記酸素分圧検出膜として、４５０℃〜９００℃において酸素イオン伝導性を有する酸化物粒子と４５０℃〜９００℃において電子伝導性を有する酸化物粒子とを含む多孔質焼結体層を用いることにより、応答時間が短縮された抵抗型酸素センサ素子が得られる。 （もっと読む）

【構成】 Si基板に設けたキャビティ上に絶縁膜からなる架橋部を設け、架橋部にヒータと感ガス膜とを設ける。架橋部を貫通するホールを設け、感ガス膜が架橋部の表面とホールの少なくとも一部、及び架橋部の周縁を覆い、ヒータがホールを取り巻くようにする。
【効果】 感ガス膜の周囲雰囲気への接触面積を増すことができる。 （もっと読む）

【課題】 通電により加熱された状態で検知対象ガスに感応するガス感応素子を有するガスセンサを具えてなるものにおいて、電源投入後、ガス濃度測定を行うことのできる状態を早期に得ることのできるガス検知器を提供すること。
【解決手段】 前記ガスセンサを具えたガス検知器において、ガスセンサの起動時にゼロガスが導入されている状態において、センサ出力値が対数関数的に経時的に変化する特定の時間範囲内で選ばれた２つの測定時の各々においてガスセンサより実際に取得されるセンサ出力値に基づいて、前記特定の時間範囲内におけるいずれかの測定時を出力補正対象測定時として当該出力補正対象測定時におけるセンサ出力値を予測して、これを補正用出力値として取得し、この補正用出力値に基づいて、前記出力補正対象測定時においてガスセンサより実際に取得されるセンサ出力値を補正する機能を有する出力補正機構を具えてなる。 （もっと読む）