【課題】
半導体等の製造工程で用いられる欠陥検査において、微弱な欠陥散乱光をもとに高速に検査するためにはゲインの高い検出器が必要であるが、一般的な検出器、典型的には光電子増倍管ではゲインを高くするに従い、暗電流ノイズが大きくなり、欠陥検出感度が低下する。
【解決手段】
試料からの反射散乱光を検出する検出光学系に複数の検出器を備え、弱い背景散乱光量を検出する検出器で画素数の少ない光子計数型検出器を適用するとともに、強い背景散乱光量検出する検出器で画素数の多い光子計数型検出器か、あるいはアナログ型の検出器を適用し、更に光子計数型検出器の適用によって発生する散乱光検出強度の非線形性を補正して欠陥散乱光検出信号を補正する。 （もっと読む）

【課題】
表面検査装置では、より粒径の小さいＰＳＬを使用することで、より小さい欠陥を検査することが可能となる。しかし、ＰＳＬの粒径は、有限である。このことから、従来の表面検査装置では、近い将来に半導体製造工程の検査で必要となるＰＳＬに設定の無いほど小さい粒径の欠陥をどのように検査するかということに関しては配慮がなされていなかった。
【解決手段】
本発明は、被検査物体で散乱，回折、または反射された光の、波長，光量，光量の時間変化、および偏光の少なくとも１つを模擬した光を発生する光源装置を有し、前記光を表面検査装置の光検出器に入射させるより微小な欠陥を検査することができる。 （もっと読む）

【課題】ステージ上で大きく撓むようなマスク基板のクロム膜等のピンホール欠陥を高精度に検出する。
【解決手段】基板の表面にクロム膜等のマスクパターンが存在すると、基板の表面へ照射された光線はそのマスクパターンの形状や欠陥によって散乱され、基板の表面側の周囲にのみ散乱光が発生するようになり、基板の裏面側に透過する光線は存在しない。一方、このマスクパターンにピンホールが存在する場合、そのピンホールのエッジにて散乱した光の一部は基板の表面側で周囲に散乱光として発生すると共にそのピンホールを介して基板の内部へ透過し、基板裏面側の周囲に散乱光として発生することになる。これらの基板の表面及び裏面で検出された散乱光を、基板の表面側及び裏面側に配置された散乱光受光手段でそれぞれ受光することによって、ステージ上で大きく撓むようなマスク基板のクロム膜のピンホールを高精度に検出する。 （もっと読む）

【課題】
本発明をウエハ、ディスプレイパネル、磁気ディスクなど試料上に発生した欠陥の部位に対して、走査電子顕微鏡で画像を撮像しようと試みたとき、画像に欠陥が写っていないといった失敗が生じる割合を低減する。
【解決手段】
本発明は、欠陥の座標と特徴量を有する欠陥検査データを入力し（２４１）、欠陥毎に走査電子顕微鏡での検出可否を予測し（２４２）、予測結果に基づいて走査電子顕微鏡で撮像する座標をサンプリングし（２４３）、予測結果に基づいて加速電圧を設定した電子光学系、ないしは光学系で欠陥部位の画像を撮像する（２４４）。 （もっと読む）

【課題】ウェハを外周で保持する機構では、ウェハが自重で撓む場合がある。そこで平面度を保持するためにウェハとウェハ下の保持台との間に空気を供給する方法がある。しかし、この方法では異物がウェハに付着する場合がある。
【解決手段】ウェハの平面度を保持するためにウェハ、及びウェハ下の保持台に負電圧をかける。この静電力によってウェハに上向きの力を与え、平面を保持する。また、この方法により負に帯電した異物の付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】被検物を高温に加熱することなく、被検物の放射率を測定する放射率測定方法及び装置を提供する。
【解決手段】第１放射エネルギの赤外光を被検物に照射する赤外光照射工程と、前記赤外光を照射された前記被検物からの反射赤外光から第２放射エネルギを測定する測定工程と、前記第２放射エネルギと前記第２放射エネルギとに基づいて前記被検物の放射率を算出する算出工程と、を含む放射率測定方法である。 （もっと読む）

【課題】欠陥の高さ（深さ）に依存することなく高いＳ／Ｎで欠陥を検出する。
【解決手段】実施の形態のパターン検査装置は、照射手段と照明手段と検出手段と結像手段と画像処理手段とを含む。前記照射手段は、互いに異なる波長を有する光を生成して出射する。前記照明手段は、前記照射手段から前記異なる波長の光を、検査対象のパターンが形成された基体の同一領域に照射する。前記検出手段は、前記基体で反射した、互いに異なる複数の波長の反射光を検出して波長毎の信号を出力する。前記結像手段は、前記反射光を導いて前記検出手段に入射させ、その検出面で像結像させる。前記画像処理手段は、前記波長毎の信号を前記検出面の入射位置に対応付けて加算処理して波長および信号強度の情報を含む加算画像データを生成し、該加算画像データに基づいて検査対象のパターンにおける欠陥の有無を判定し、欠陥が有ると判定した場合に前記基体に垂直な方向における前記欠陥の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】欠陥の検出感度を向上させる。
【解決手段】実施形態のパターン検査装置は、ステージ駆動手段と光源と検出手段と光学系とフォーカス位置変動手段と制御手段と判定手段とを含む。前記ステージ駆動手段は、検査対象のパターンが形成された基体を支持するステージを前記基体の表面に水平な方向に移動させる。前記検出手段は、前記基体からの反射光を検出して信号を出力する。前記光学系は、前記光源から照射された光を前記基体に導き、前記反射光を前記検出手段に導く。前記フォーカス位置変動手段は、照射された光の前記基体におけるフォーカス位置を前記基体の表面に垂直な方向に変動させる。前記制御手段は、前記ステージの移動と前記パターンの位置への前記光の照射とを対応させて前記フォーカス位置が変動するように前記ステージ駆動手段と前記フォーカス位置変動手段とを制御する。前記判定手段は、前記検出手段からの信号に基づいて前記パターンの欠陥の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】欠陥の種類、材料、形状によらずコントラストを高くする。
【解決手段】実施の形態のパターン検査装置は、光源と、光透過率を変更可能な透過率制御素子と、ビームスプリッタと、偏光制御部と、位相制御部と、波面分布制御部と、検出部とを含む。前記ビームスプリッタは、前記光源から出射された光を分割し、検査対象のパターンが形成された基体と前記透過率制御素子とに照射し、前記基体からの反射光である信号光と、前記透過率制御素子からの反射光である参照光と、を重ね合わせて干渉光を生成する。前記偏光制御部は、前記参照光の偏光角および偏光位相を制御する。前記位相制御部は、前記参照光の位相を制御する。前記波面分布制御部は、前記透過率制御素子における前記参照光の波面分布を制御する。さらに、前記検出部は、前記干渉光を検出する。 （もっと読む）

【課題】パターンを形成したウェハの検査において、表面の内部もしくは表面上の異常の有無を判定できる表面検査法を提供する。
【解決手段】サンプル表面２０ａからの散乱光は表面２０ａに対して垂直な線に対して略対称の光を集束する集束器３８，５２によって集束される。集束光は、異なる方位角で経路へと導かれ、集束した散乱光の線に対する相対的方位角位置に関する情報が保存される。集束光は、垂直な線に対して異なる方位角で散乱した光線を表すそれぞれの信号に変換される。異常の有無および／または特徴は、この信号から判定される。あるいは、集束器３８，５２によって集束された光線は、予測されるパターン散乱の角度差に対応する角度の環状ギャップを有する空間フィルタによって濾波され、狭角および広角集束経路から得た信号は比較され、マイクロスクラッチと粒子との間を識別する。 （もっと読む）

【課題】不良品を的確に排出可能な極めて実用性に秀れた光学検査装置の提供。
【解決手段】搬送機構により搬送される被検査物を照明する照明部と、被検査物を撮像する撮像部と、被検査物の撮像データをもとに画像処理を行う画像処理部と、画像処理の結果をもとに良否判定を行う良否判定部と、被検査物の通過を検知可能な通過検知部と、良否判定部により不良と判定された被検査物を排出する不良品排出部とを備え、不良品排出部は照明部及び撮像部の搬送下流側で所定時間の間作動させることで不良と判定された被検査物を排出するように構成した光学検査装置であって、被検査物の搬送方向長さを検出する長さ検出部を設けると共に、この長さ検出部により検出される被検査物の搬送方向長さが所定長さより長い場合に不良品排出部の作動時間を長くする排出制御部を設ける。 （もっと読む）

【課題】外観検査の欠陥分類において、重要欠陥のピュリティまたはアキュラシーまたはその両方が目標値以上になるように調整するなどのニーズがあるが、教示型の欠陥分類は平均的に分類正解率が高くなるよう条件設定されるため、そのようなニーズに応えられないという問題があった。
【解決手段】特徴量抽出部、欠陥分類部、分類条件設定部を含み、分類条件設定部は、欠陥の特徴量と正解のクラスを対応づけて教示する機能と分類の優先順位を指定する機能を有し、優先順位の高い分類の正解率が高くなるよう条件設定を行う。 （もっと読む）

【課題】試料を検査するために使用される検査システムの欠陥検出を強化する。
【解決手段】光電子増倍管（ＰＭＴ）検出器の測定検出範囲の制限要因として陽極飽和に対処することによって欠陥検出を強化するための検査システム、回路、方法が提供される。検査システムの測定検出範囲の制限要因として増幅器及びアナログ・デジタル回路の飽和レベルに対処することによって欠陥検出を強化するための検査システム、回路及び方法も提供される。加えて、表面検査の走査の間に試料に供給される入射レーザ・ビームパワー・レベルを動的に変更することによって大きな粒子に対する熱破損を削減することにより欠陥検出を強化するための検査システムや回路、方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】検出信号の条件に応じて検出回路特性を可変制御することにより、高精度な信号検出を行うことができる半導体ウェハの異物検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハの異物検査装置において、反射光を検出するＰＭＴ１０３と、ＰＭＴ１０３で検出された信号を増幅し、かつ増幅の応答特性が制御信号により制御される増幅回路３０１と、増幅回路３０１により増幅された信号を所定のコードに変換して出力するＡ／Ｄ変換器３０２と、反射光と相関を有する半導体ウェハ１０４の情報に基づいて、制御信号を生成する制御回路３０３と、Ａ／Ｄ変換器３０２から出力されたコードに基づいて、半導体ウェハ１０４上の異物を検出するデータ処理回路とを備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プリント基板の検査装置に関する。
【解決手段】本発明によるプリント基板の検査装置は、第１レーザー光源と、第１レーザー光源から出射された光を基板に集光させる第１集光部と、第１集光部によって集光される光によって基板から発生した蛍光と第１レーザー光源から出射された光とを分離する第１二色性ビーム分離部と、第１二色性ビーム分離部を透過した光から基板の未メッキ状態を判定するための判定部と、を含み、基板に形成されたビアホールの内部側面にはメッキされていない未メッキ部分を含み、第１集光部から出射された光は基板と第１角度を有して入射され、ビアホールの内部側面の未メッキ部分に集光されることができる。これにより、回路基板の不良を迅速に判別することができる。 （もっと読む）

【課題】傷検査装置、傷検査システム、及び傷検査方法において、検査対象の表面を短時間で検査すること。
【解決手段】移動途中のフィルム２の表面に、強度が所定の周波数で変化する検査光Lをライン状に照射する光照射部８と、検査光Lの照射によりフィルム２から出た散乱光Mを集光する鏡１２と、鏡１２で集光された散乱光Mの強度に応じた出力信号S_Mを出力する光電変換部１５と、出力信号S_Mの周波数と検査光Lの周波数とが同一であるか否かを示す周波数比較信号S_Fを出力する周波数比較部３２とを有する傷検査装置による。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、受光した散乱光の中から非弾性散乱光を取除くことによってＳ
／Ｎ比が向上し、安定的に異物や欠陥の検出することにある。また本発明は、非弾性散乱
光を選択することで、弾性散乱光で検出した欠陥や被検査面の組成分析、若しくは被検査
物表面上の欠陥や、被検査物内部の組成を解明できる検査方法と検査装置を提供すること
にある。
【解決手段】本発明の表面検査方法は、光学的に被検査物の表面内からの弾性散乱光と非
弾性散乱光とを別々に、或いは同時に検出し、被検査物の欠陥の有無及び欠陥の特徴を検
出し、検出された欠陥の被検査物の表面上の位置を検出し、検出された欠陥をその特徴に
応じて分類し、欠陥の位置と、欠陥の特徴又は欠陥の分類結果とに基づいて、欠陥の非弾
性散乱光検出による分析を行うものである。 （もっと読む）

【課題】検査経路を搬送される容器に照射した光が容器壁部を漏光するのを検出して、容器に生じた小孔を検査する場合に、容器の胴部及び底部の両方を同時に検出可能な容器検査方法及び容器検出装置を提供すること。
【解決手段】容器Ｗを保持して周回するとともに搬送する小孔検査検出回転体と、前記容器Ｗの開口部Ｗ１側を支持するとともに遮光する開口部側支持体と、前記容器Ｗの底部Ｗ２側を支持して前記容器Ｗを前記開口部側支持体に押し付ける押圧部材４０と、前記容器Ｗに光を照射する光源と、前記開口部Ｗ１が遮光された容器内部に配置された光センサ５１Ａを有し前記光源が照射した光の漏光を前記容器Ｗの内部で検出する光検出部とを備えた容器検査装置であって、前記押圧部材４０の前記容器Ｗの底部Ｗ２と当接する部分には、光透過性を有する当接部材４１を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）