【課題】ＦＩＢ加工時とＳＥＭ観察時とで試料台を共用するとともに、装置本体と試料台が衝突することを防止する。
【解決手段】試料台１０は、断面の形状が略正方形にされており、搭載面１０ｂに試料が搭載される。また、搭載面１０ｂと対向する対向面１０ｄには、ＦＩＢ加工時に試料台１０を試料ホルダ５０に装着するための装着金具４０が螺合される。また、搭載面１０ｂ及び対向面１０ｄに隣接する側面１０ｃには、ＳＥＭ観察時に装着金具４０が螺合される。また、側面１０ｃと対向する側面１０ａには、試料を位置決めするための位置決め金具２０が取り付けられる。位置決め治具２０によって、試料の端面を搭載面１０ｂと側面１０ａとで形成される角部の近傍に位置決めした後、試料が、固定金具３０によって搭載面１０ｂに固定される。 （もっと読む）

【課題】 既存技術よりはるかに安価に、かつ簡便に平面観察を行ってから観察後に断面を加工することができる試料作製方法を提供する。
【解決手段】 集束イオンビーム装置のチャンバ内で試料１をブロック状に切り出し、その試料ブロック（バルク）４を真空外に取り出して、マニピュレータの先端にセットしたガラスプローブ５に接触させて支持する。次に、バルク４を試料台である円筒状のピン６の先端にエポキシ樹脂で固定する。次に、平面観察用の薄膜試料をＦＩＢ加工により作製する。次に、内部の欠陥位置を２次元的にＴＥＭ／ＳＴＥＭで観察し同定する。その後、ピン６を手動で９０°回転させてから、欠陥部位を含む位置を断面加工する。 （もっと読む）

【課題】製造されたデバイスの内部構造をテストするために薄いサンプルを準備して像形成する。
【解決手段】物体のサンプルを形成し、物体からサンプルを抽出し、真空チャンバーにおいて表面分析及び電子透過度分析を含むマイクロ分析をこのサンプルに受けさせるための方法及び装置が開示される。ある実施形態では、抽出されたサンプルの物体断面表面を像形成するための方法が提供される。任意であるが、サンプルは、真空チャンバー内で繰り返し薄くされて像形成される。ある実施形態では、サンプルは、任意のアパーチャーを含むサンプル支持体に位置される。任意であるが、サンプルは、物体断面表面がサンプル支持体の表面に実質的に平行となるようにサンプル支持体の表面に位置される。サンプル支持体に装着されると、サンプルは、真空チャンバー内でマイクロ分析を受けるか、又はロードステーションにロードされる。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームと遮蔽材を用いる断面試料作製装置において、断面加工の進行状態を素早く簡単に判断し、断面作製位置の変更や修正を短時間に行えると共に、試料の内部構造を知ることができるようにする。
【解決手段】 イオンビームによって加工される試料６の断面を観察するための光学観察装置４０（断面観察手段）備え、イオンビームを照射中若しくは照射を中断した時にシャッタ４１を開けて、加工室１８内の真空を保持したまま試料６の断面を観察できる。また、試料６と遮蔽材１２の相対位置変更するための調整手段を備え、一回の断面加工が終了する毎に断面画像の取り込みと断面位置の微小移動を繰り返し、得られた複数の画像から試料６の立体画像を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＥＭサンプルを基板から抽出する方法を提供すること。
【解決手段】方法は、サンプル上に穴をミリングすることと、プローブを穴に挿入することとを含む。サンプルはプローブに接着し、プローブの上にある間、移送時に処理することができる。他の実施形態では、サンプルは基板から切り出され、静電引力によってプローブに接着する。サンプルは、真空室においてＴＥＭサンプル・ホルダの上に配置される。 （もっと読む）

【課題】透過電子顕微鏡をはじめとする試料分析装置において、観察しようとする試料に外部電圧を印加し、デバイスが動作状態のまま構造、組成、電子状態を分析するための、試料保持台、試料の前処理および試料ホルダに関する課題に対応する方法、および、当該試料の分析を行う方法を提供する。
【解決手段】試料の外部電圧印加箇所と接続可能な第１の配線構造を含む試料保持台（メッシュ）と、前記第１の配線構造と接続可能な第２の配線構造および電流導入端子を含む試料ホルダと、を設ける。そして、観察しようとする試料の外部電圧印加箇所に、第２の配線構造と、第１の配線構造とを介して、試料分析装置の外部から電圧を印加したり電流を流したりすることによって、デバイスが動作状態のまま構造、組成、電子状態を分析することのできる、試料保持台、試料の前処理方法、および、当該試料の分析を行う方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】分析試料の膜に与えるダメージを少なくして分析可能な試料を形成することができる分析試料の形成方法を提供する。
【解決手段】分析試料の形成方法は、まず、基板１２上に形成された膜１３のうち膜剥がれが発生した第１膜１３ａと基板１２との間にある異物１４を分析するべく、第１膜１３ａの周囲を、収束イオンビーム加工装置（ＦＩＢ）１５によってカットする。次に、第１膜１３ａにカーボンテープを貼り付けて、カーボンテープを引き上げることにより、第１膜１３ａと第２膜１３ｂとを分離して、第１膜１３ａのみを基板１２上から取り除く。これにより、異物１４の付着した第１膜１３ａの面と基板１２の部分が露出する。 （もっと読む）

【課題】多層薄膜が表面に形成された試料に対して、試料調整を行わず、同一元素が複数の層に含まれていても多層薄膜標準試料を用いず、試料の各層の組成と膜厚を算出する分析方法および装置を提供すること。
【解決手段】試料にレーザビームを照射するレーザ照射手段と、試料をサンプリング範囲内に移動させる移動手段と、レーザビームの作用により試料から発する物質を捕集するサンプリング手段と、レーザビームの作用により削られた深さを測定する深さ測定手段と、サンプリング範囲毎に捕集された物質の組成を分析して試料の各層の組成と膜厚を算出する分析手段とを用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明はイオンビーム発生装置のイオンビーム位置検出板に関し、蛍光材を用いることなく、且つ真空度を低下させることのない、イオンのビーム照射位置を特定することができるイオンビーム発生装置のイオンビーム検出板を提供することを目的としている。
【解決手段】イオンビーム１を発生させて試料２を加工する装置において、イオンビーム１を照射してイオンビーム１の照射点を検出するための板であって、イオンビーム１の照射点と周囲の部位との区別がつくような材料であって、且つイオンビーム照射によりガス放出がない材料を用いて構成される。 （もっと読む）

【課題】 イオンビーム照射による熱損傷を避けて、柔らかい試料、熱に弱い試料、吸水性の有る試料、樹脂埋め込みが困難な試料等の断面作製を行うことのできる方法を提供する。
【解決手段】 試料３のイオンビームＩＢにより切削される部分の表面を覆うように試料保護部材（基板１０）を配設する。基板１０の上面に当接するように遮蔽材４が被せられると共に基板１０の下面に当接するように試料３が配置される。基板１０にイオンビームＩＢを照射することにより、基板１０と共に試料３の切削部３ａを切削する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料を透過した電子を用いて観察するＴＥＭやＳＴＥＭ、或いはＳＥＭにおいて、画像のサブミクロンから数１０μｍの微小寸法を高い精度で測定可能にする荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】本発明では、上記目的を達成するために、倍率、或いは寸法校正のための異なる２つの試料が含まれている荷電粒子線用標準試料及びそれを用いる荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】分析領域にダメージを与えることなく分析可能な試料をつくることができる、分析試料の形成方法を提供する。
【解決手段】分析試料１１の形成方法は、まず、クラック１４や異物１５のある分析領域２１の周囲に、収束イオンビーム加工装置２３によって亀裂防止溝２２を形成する。次に、分析領域２１の近傍に形成された、クラック１４や異物１５を分析する際に邪魔となる障壁１２に応力を加えて除去する。このとき、障壁１２と繋がっていた基板１３の一部分１３ａから分析領域２１に亀裂３１が伝わったとしても、分析領域２１の周囲に形成した亀裂防止溝２２によって、分析領域２１に亀裂３１が進行することを抑えることができる。これにより、クラック１４や異物１５の状態を、障壁１２を除去する前の状態に維持することができ、クラック１４を観察したり異物１５の元素を特定したりすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】筋引きの少ない良好な観察用断面を作製することができるとともに、スループットを向上させることが可能な集束イオンビーム装置、及び、良好な観察用断面を作製して、正確な観察像を得ることができる試料の断面加工・観察方法を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置１は、試料Ｓを載置する試料台２と、試料台２を水平面上の二軸及び鉛直軸の三方向に移動させることが可能な三軸ステージ３と、試料Ｓに対して集束イオンビームＩ１、Ｉ２を照射する第一の集束イオンビーム鏡筒１１及び第二の集束イオンビーム鏡筒１２とを備え、第一の集束イオンビーム鏡筒１１及び第二の集束イオンビーム鏡筒１２は、互いの集束イオンビームＩ１、Ｉ２の照射方向が、平面視略対向するとともに、側方視鉛直軸に対して略線対称に傾斜するように配置されている （もっと読む）

【課題】同一相内で結晶方位の異なる領域、即ちフェライト粒、マルテンサイトやベイナイト組織の旧γ粒、旧γ粒内の下部組織（パケット、ブロックなど）を結晶面方位に対応した色に着色し、高価な器機や熟練を必要とせずに、光学顕微鏡によって簡便に識別可能とする着色エッチング液とエッチング方法の提供。
【解決手段】水（Ｈ_２Ｏ）１ｍｏｌにチオ硫酸ナトリウム（Ｎａ_２Ｓ_２Ｏ_３）を８．７ｘ１０^−３〜１７．４ｘ１０^−３ｍｏｌ加え、更にピロ亜硫酸カリウム（Ｋ_２Ｓ_２Ｏ_５）とピロ亜硫酸ナトリウム（Ｎａ_２Ｓ_２Ｏ_５）のどちらか一方、又は両方を合計して、２．４ｘ１０^−３〜６．８ｘ１０^−３ｍｏｌ加えて溶解した水溶液からなることを特徴とする着色エッチング液に顕微鏡観察用試料を浸漬、水洗、乾燥する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、微細試料の確実・容易なピックアップ法に関する。
【解決手段】本発明は、デポジション用ガスを供給しながら荷電粒子ビームを照射して形成されるビームアシスト堆積膜により微細試料とマニピュレータを保持し、エッチング用ガスを供給しながら荷電粒子ビームを照射してビームアシスト堆積膜を除去することにより微細試料とマニピュレータを分離することに関する。例えば、マニピュレータプローブと微細試料との接続を炭素を主な成分とするビームアシストデポジション膜で接続し、キャリアへの固定後にプローブと微細試料を分離する際、水を主成分とするアシストガスを用いたビームアシストエッチングにより、前記アシストデポジション膜を選択的にエッチングする、荷電粒子ビーム装置における微細試料のピックアップ方法である。 （もっと読む）

【課題】加速電圧を下げたＳＴＥＭ観察での電子ビームの試料透過能力の低下やイオンビームの照射により生じるダメージ層の悪影響を防ぎ、試料の所望の領域への損傷を最小限にしてダメージ層を効果的に除去すること、および薄膜試料の厚さがより薄くなっても最適な加工終了時点を検出して加工失敗を防ぐ。
【解決手段】仕上げ加工に使用するイオンビームのエネルギーを低くすると共に、試料への入射角度を試料形状に合わせて最適化し、ＳＴＥＭ像の着目する要素の変化をモニタして加工の終了時点を検出する。 （もっと読む）

【課題】半導体試料に加えられるダメージの影響の低減が可能で、より鮮明な不純物濃度分布に関する情報を取得することが可能な半導体の不純物分布測定用試料の製造方法および不純物分布測定方法を提供すること。
【解決手段】収束イオンビームを用いて、ｐ型とｎ型のうちの１つ以上の導電型の不純物を含む半導体基板から半導体片を切り出す切出工程Ｓ１１０と、切出工程Ｓ１１０で切り出した半導体片を、１０μｍ以下の厚さの導電性の箔の上に固定して電気的に接続する箔固定工程Ｓ１２０と、箔固定工程Ｓ１２０で導電性の箔の上に固定された半導体片に、所定の希ガスイオンを照射して、切出工程Ｓ１１０で生じたダメージ層の一部または全部を除去して半導体試料を形成するダメージ緩和工程Ｓ１３０と、を備える構成を有する。 （もっと読む）

【課題】薄片化加工の過程で発生する歪みを除去し、かつ薄片化部分が安定して固定された状態で仕上げ加工を行うことができるＦＩＢ加工方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ照射により試料の薄片化加工を行うＦＩＢ加工方法において、ＦＩＢ照射により薄片化部分を形成し、試料台を傾けて薄片化部分の側辺部に上端の部分に接続部分を残すように切り込み加工を行い、その後、試料台を元に戻してＦＩＢ照射により薄片化部分の仕上げ加工を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気体イオンビーム装置とＦＩＢとＳＥＭを用いて、効率よくTEM試料作製ができる複合荷電粒子ビーム装置としての構成方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ鏡筒１と、ＳＥＭ鏡筒２と、気体イオンビーム鏡筒３と、ユーセントリックチルト機構とユーセントリックチルト軸８と直交する回転軸１０とを持つ回転試料ステージ９と、を含む複合荷電粒子ビーム装置であり、集束イオンビーム４と電子ビーム５と気体イオンビーム６とは、１点で交わり、かつＦＩＢ鏡筒１の軸とＳＥＭ鏡筒２の軸はそれぞれユーセントリックチルト軸８と直交し、かつＦＩＢ鏡筒１の軸と気体イオンビーム鏡筒３の軸とユーセントリックチルト軸８とは一つの平面内にあるように配置する。 （もっと読む）

【課題】優れたＴＥＭ試料の作製方法、ＴＥＭ観察方法及びＴＥＭ試料構造を提供することを課題とする。
【解決手段】透過型電子顕微鏡用の試料の作製方法において、半導体デバイスの特定箇所の観察断面に非晶質構造の保護膜を形成する工程と；前記保護膜が形成された観察断面の周囲を除去する工程と；少なくとも前記保護膜を含む領域を薄膜化する工程とを含むことを特徴とする。また、半導体デバイスの断面を観察する観察方法において、前記半導体デバイスの特定箇所の断面を走査型顕微鏡で観察する工程と；前記断面に非晶質構造の保護膜を形成し、当該保護膜を透して透過型電子顕微鏡によって前記断面を更に観察する工程とを含むことを特徴とする。更に、半導体デバイスの特定箇所の断面を走査型顕微鏡で観察した後、同一観察断面を透過型電子顕微鏡で観察すべく作製される観察試料において、前記観察断面上に非晶質構造の保護膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）