【課題】アトムプローブ観察用の試料を容易に作製すること。
【解決手段】観察対象となるモデル合金１から、透過型電子顕微鏡で観察可能な厚さまで薄膜化された薄膜試料２が作製され、薄膜試料２にマーク３の作製が行なわれる。そして、マーク３近傍を照射部位として、超高圧電子線の照射が行なわれ、マーク３の近傍に位置する薄膜試料２の上面にて、保護膜４の形成が行なわれる。そして、保護膜４および保護膜４の下面にある薄膜試料２は、三次元アトムプローブを用いた解析を行なうために採取される対象である採取対象試料５とされ、アトムプローブ観察用の試料が作製される。 （もっと読む）

【課題】より明瞭な観察又は分析を可能にする試料、試料作製方法及び試料作製装置を提供すること。
【解決手段】試料作製方法は、一方の側に切欠部３０ａを有し、試料２０を支持する支持基板３０を作製する支持基板作製工程と、試料２０のコンタクト側が支持基板の一方の側を向き、平面投影面において試料２０の一部が切欠部３０ａの断面に重なるように試料２０と支持基板３０とを接合する接合工程と、試料２０の面１０ｂ側（基板側）から集束イオンビームを照射して、切欠部と重なった部分において、コンタクトの延在方向に沿うように試料に薄膜領域２０ａを形成する照射工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】使用する電解液が極めて少量であり、環境への負荷が劇的に減少すると共に、透過型電子顕微鏡による試料の観察視野も広く且つ安価な電解研磨装置を提供する。
【解決手段】試料及び又は棒状電極の先端の位置を観察する観察鏡と、試料セル保持台に着脱可能に取り付けられ、上下方向に開口部を有し、開口部において試料を均一に保持すると共に少量の電解液を保持する試料セルと、試料セルの対極として試料に近接して設けられた棒状電極と、棒状電極と試料との間隔を調整する位置調整手段と試料と棒状電極とに電圧を印加する電圧印加手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】より明瞭な観察又は分析を可能にする試料、試料作製方法及び試料作製装置を提供すること。
【解決手段】試料作製方法は、第１面１０ａが上方を向き、コンタクトを有する試料２０を、第１面１０ａが側方ないし下方を向くように試料２０の向きを変える回転工程と、試料２０に対して、コンタクトの短手方向から集束イオンビームを照射する照射工程とを含む。照射工程において、回転工程により上面を向いた第２面１０ｂに対して集束イオンビームを照射し、コンタクトの延在方向に沿うように試料２０に薄膜領域２０ａを形成する。 （もっと読む）

本発明は、連続鋳造スラブの中心偏析評価方法に関する。本発明は、（Ａ）ピクリン酸（Ｃ_６Ｈ_３Ｎ_３Ｏ_７）、塩化第２銅（ＣｕＣｌ_２）、ナトリウムラウリルベンゼンスルホン酸（Ｃ_１８Ｈ_２９ＳＯ_３Ｎａ）、および残部蒸留水からなるエッチング液を用いて、スラブの中心偏析をイメージとして現出させる段階と、（Ｂ）前記現出したイメージをスキャンし、下記関係式に適用してスラブの中心偏析を評価する段階とを含んでなる。<関係式>は２．１＋（０．１５Ｙ−８．７Ｘ）／（２．９×１０^７）で表わす。式中、Ｘは中心偏析粒の面積であり、Ｙは中心偏析粒を除いた残りの偏析粒の面積である。本発明は、スラブ中のＳ含量が５０ｐｐｍ以下の極低硫鋼だけでなく、スラブ中のＣ含量が０．０４ｗｔ％以下の低炭素鋼に対しても高い解像度の中心偏析イメージを現出させることが可能であり、これを定量化することができるため、鋳造の際に発生した工程上の異常を迅速に把握して対応することができるという利点がある。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、微小試料片およびまたはその周辺領域を汚染することなく、確実で安定的な微小試料片の分離、摘出、格納を行う装置および方法を提供することにある
。
【解決手段】試料基板から観察すべき領域を含む試料片をイオンビームスパッタ法により分離し、試料を押し込んで保持し、引き抜いて分離するための、根元に比較して先端が細く、該先端部が割れている形状で、該形状により得られる試料片を保持する部位の弾性変形による力で試料片を保持する棒状部材からなるはり部材を用いて、前記試料片を試料基板から摘出し、試料片を載置するための載置台上へ移動させた後、前記はり部材と前記試料片を分離することで該試料片の格納を行う。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工で薄片試料を作製する際に保護膜形成時に穴が形成されず穴からリデポすることを防ぎ、電子顕微鏡にて良好な像を取得することのできる薄片試料作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】集束イオンビーム装置を用い試料から薄片試料を作製する薄片試料作製方法であって、試料の薄片試料作製箇所にインクを塗布し塗膜を形成する工程と、試料を前記集束イオンビーム装置に導入し、金属系材料を用い薄片試料作製箇所にイオンビームにより保護膜を形成する工程と、前記保護膜が形成された薄片試料作製箇所についてイオンビームによるエッチング加工により薄片試料を作製する工程とを順に備えることを特徴とする薄片試料作製方法とした。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームによって削られた物質が遮蔽材や試料に再付着するリデポジションの影響を受けない平坦な試料断面を作製する試料作製装置及び試料作製方法を提供する。
【解決手段】 加工を始めるとき遮蔽材１２の端縁部を断面作製位置より試料の端部に近くに設定し、遮蔽材に遮蔽されない試料の突き出し部が狭くなるようにしておく。制御演算装置２０は試料６の突き出し部の切削が進行するのに合わせて、ピエゾモータ２２により試料ホルダ７を駆動し、試料を矢印方向に移動させる。遮蔽材１２の端縁部が断面作製位置に到達したら移動を停止させ、その状態でイオンビーム照射を継続し仕上げ加工を行なう。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子顕微鏡の試料コーティング方法に関し、絶縁試料の導電性処理を簡易な構成で行なうことができる電子顕微鏡の試料コーティング方法を提供することを目的としている。
【解決手段】走査型電子顕微鏡１０と集束イオンビーム装置１１との光学系を備え、これら二つの光学系の光軸が試料位置の一点で交わる構造のマルチビーム装置において、マルチビーム装置のチャンバ１にその先端部のプローブ１３の位置が移動可能なマニピュレータ１２を設置し、該設置されたマニピュレータ１２のプローブ先端に蒸着材料保持機構を設け、イオンビームによって加工された絶縁試料の加工断面近傍に前記蒸着材料保持機構を近づけ、該蒸着材料保持機構内の蒸着材料に前記集束イオンビーム装置１１からイオンビームを照射してスパッタリングを行ない絶縁試料の加工断面に該蒸着材料をコーティングさせるように構成する。 （もっと読む）

【課題】微小な特定箇所を劈開して断面を得ることができるミクロ断面加工方法の提供を提供する。
【解決手段】試料表面２ａに、観察対象３が含まれる線状の断面予想位置３Ｌを決定する工程と、断面予想位置に対して、集束イオンビーム２０Ａを垂直または傾斜角を持って照射させ、断面予想位置の前方の位置で断面１０を形成する工程と、断面の両端部に集束イオンビームを照射させ、断面予想位置より後方の位置まで延びる側面切込み１２、１２を形成する工程と、断面予想位置より後方の位置まで延びる底部切込み１４を形成する工程と、側面切込みから断面予想位置に沿って集束イオンビームを照射させ、底部切込みに接続する楔１６，１６を形成する工程と、試料の断面予想位置より前方の部位２ｘに衝撃を加え、楔で挟まれた断面予想位置の近傍を劈開させ、劈開面Ｓを形成する工程とを有するミクロ断面加工方法である。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビーム装置による加工の際、マニピュレータとして微小ピンセットとその回転機構とを用いることで、傾斜機構を必要とせずに試料の向きを変えて試料ホルダへ固定可能な集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】試料２０を固定するための固定面６２ｓを有する試料ホルダ６２と、試料ホルダが設置されている試料台６１と、集束イオンビームを試料に照射する集束イオンビーム照射機構１２０と、試料を挟持し、その軸方向Ｌが試料台の表面と所定の角度θをなす微小ピンセット５０と、微小ピンセットを開閉させる開閉機構５３と、微小ピンセットを軸方向の周りに回転させる回転機構５４と、微小ピンセットの位置を移動させる移動機構５５とを備えた集束イオンビーム装置１００である。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢにより試料を作製する際に試料の表面に形成されたアモルファス層の厚さを、試料を破壊することなく正確に確認、評価する。そして、その結果に基づいて、多くの時間と手間を掛けることなく、アモルファス層を的確に可能な限り低減、除去して、良好な観察を行うことができるＴＥＭ試料を提供する。
【解決手段】表面にアモルファス層が形成されている試料の表面に電子線を照射し、試料を透過して得られた電子回折図形の輝度に基づいて、アモルファス層の厚さを評価する。電子回折図形内の回折スポットを結ぶ直線における輝度のラインプロファイルの内、最も高い輝度をＹ２とし、最も低い輝度をＹ１としたときの輝度の比率（Ｙ１／Ｙ２）を、アモルファス層の厚さが既知である他の試料における輝度の比率（Ｙ１／Ｙ２）と比較してアモルファス層の厚さを評価して、アモルファス層の厚さが所定の値以下となるまで、アモルファス層を低減、除去する。 （もっと読む）

【課題】サンプリング動作中にステージを移動させることなく試料から試料片を短時間に取り出すことができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ３１を保持する試料ステージ３３と、イオン源１１で発生したイオンビーム１２をマスク１５によってプロジェクションビームに成形するプロジェクション光学系を有し、イオンビーム１２を試料面に斜めに照射可能な第１イオンビームカラム１０と、第１イオンビームカラム１０よりもイオンビーム２２を細く絞ることが可能なイオンビーム光学系を有し、第１イオンビームカラム１０と同時にイオンビーム２２を試料面に垂直に照射可能な第２イオンビームカラム２０と、イオンビーム１２，２２の照射により加工した試料片５０をウェーハ３１から摘出するマニピュレータ４２と、摘出した試料片５０を保持するカートリッジ５１とを備える。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射により断面を露出させた試料を作製するため試料をイオンビームに対する所定位置に保持する試料作製装置において、イオンビームによる試料の加工中にイオンビームを遮断する遮蔽板のイオンビームに接近する方向への移動を防止し、良好な断面が現れた試料を作製する。
【解決手段】基端側を支持され先端側が自由端である第１の支持部材２と、第１の支持部材２の先端側に基端側を支持され先端側が第１の支持部材２の基端側に向けた自由端である第２の支持部材９と、第２の支持部材９に支持された遮蔽板１０と、第２の支持部材９に取り付けられた加熱ヒーター１３を備え、第２の支持部材９は加熱ヒーター１３により加熱せられて前記第１の支持部材の基端側方向に膨張する構造となされ、遮蔽板１０の第１の支持部材２の先端側に向かう一側縁をイオンビームＢの照射位置として保持し、遮蔽板１０によりイオンビームＢが遮蔽される位置に設置された試料１０１の遮蔽板１０の一側縁より露出した箇所への加工を行う。 （もっと読む）

【課題】膜にダメージを与えず、真空系等が必要無く、比較的簡易な方法で、低コストで、ミクロ相分離構造を確認する方法を提供する。
【解決手段】ミクロ相分離構造膜に、常圧プラズマを照射し、ミクロ相分離構造が確認可能な部分まで膜をエッチングした後、表面を原子力間顕微鏡（ＡＦＭ）で観察することによりミクロ相分離構造を確認する方法である。 （もっと読む）

【課題】鋼中の溶質元素濃度が低く、従来であれば明瞭な凝固組織を検出することが困難であった品種、特に炭素濃度が０．０１質量％以下の低炭素鋼についても、腐食で凝固組織を顕出し、それによって鋼の凝固組織を検出する方法を提供する。
【解決手段】鋼鋳片の試料の断面を研磨し、試料１の研磨面２以外の面を電気絶縁処理して電気絶縁処理面３とし、研磨面２を腐食することを特徴とする鋼の凝固組織検出方法である。試料の研磨面（腐食面）以外の面を電気絶縁処理することにより、研磨面のみで腐食を進行させることにより、従来は凝固組織の顕出が困難であった品種、特に炭素濃度が０．０１質量％以下の低炭素鋼についても、凝固組織を顕出できる。 （もっと読む）

【課題】厚さの均一性が高く、かつ、観察部位から所望の距離に真空領域を有する観察試料を作製することができる観察試料作製方法及び観察試料作製装置を提供する。
【解決手段】少なくともパターンが形成された構造部７１とパターンが形成されていない無構造部７２の２つの部分を有する加工対象試料７の無構造部７２側からＦＩＢを照射し、構造部７１と無構造部７２との界面を含む側面を加工して加対象試料７の構造を観察する観察対象面を形成し、観察対象面に沿う方向からＦＩＢを照射することにより加工対象試料７を加工する。 （もっと読む）

【課題】 本発明はたとえばTEM検査用の高品質試料の作製方法に関する。
【解決手段】 たとえば集束イオンビーム(FIB)装置によって試料を薄くするとき、前記試料は、前記FIB装置から取り出されるとき、大気曝露によって酸化する。この結果、試料は低品質となり、さらなる解析には適さない恐れがある。前記試料上に保護層-好適には水素保護層-をその場で-つまり前記FIB装置から取り出す前に-形成することによって、高品質試料が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明はイオン液体を用いた試料の処理方法及び処理システムに関し、大気中を搬送しても試料表面が大気に曝されないようにすることができるイオン液体を用いた試料の処理方法及び処理システムを提供することを目的としている。
【解決手段】イオンビーム加工装置等の真空中で試料２に加工処理を施し、加工処理が施された試料２にイオン液体を塗布し、イオン液体が塗布された試料２を電子顕微鏡等の予備排気室８に搬送し、該予備排気室８でイオン液体を除去し、該イオン液体が除去された試料２を電子顕微鏡本体で観察するように構成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン材料表層における金属不純物を迅速かつ簡易的に感度良く分析する。
【解決手段】分析対象サンプルを小分けし、小分けサンプルを複数の処理容器に入れる。第１処理容器にＨＮＯ₃液を注入し、ＨＦ液を添加して第１エッチング液を調製し、サンプル表層の金属不純物を第１エッチング液中に含ませる。処理後の第１エッチング液を第２処理容器に注入し、ＨＦ液を添加して第２エッチング液を調製し、サンプル表層の金属不純物を第２エッチング液中に含ませる。第１処理容器から処理後サンプルを取出し、内部を洗浄した後の第１処理容器に新たな小分けサンプルを入れる。処理後の第２エッチング液を第１処理容器に注入し、ＨＦ液を添加して第３エッチング液を調製し、サンプル表層の金属不純物を第３エッチング液中に含ませる。全ての小分けサンプルに対して同じ処理を繰返す。容器から処理後のエッチング液を回収し、液中の金属不純物を定量分析する。 （もっと読む）