【課題】バックチャネルを抑制するための構造、及びその構造を簡易に形成することを可能にすることができる非冷却赤外線撮像素子及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態の非冷却赤外線撮像素子は、半導体基板上にマトリクス状に配列され、赤外線の受光量に応じて電流特性が変化する感熱画素を含む感熱画素領域と、少なくとも、当該画素領域を駆動する駆動回路および当該画素領域からの信号を検出する読み出し回路のうちの一方を有するデバイス領域と、を有している。また、当該少なくとも一方の回路がＭＯＳトランジスタを含んでいる。さらに、当該感熱画素の当該半導体基板の下部及び当該ＭＯＳトランジスタの当該半導体基板の下部に、それぞれ空洞を備えている。 （もっと読む）

【課題】 熱型光検出器の検出感度を向上させること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板との間に空洞部１０２が形成されるように支持される支持部材２１５と、支持部材に支持される熱検出素子２３０と、集熱部ＦＬを備える熱伝達部材２６０と、熱伝達部材と支持部材との間において、熱伝達部材および前記支持部材に接して形成されている第１光吸収層２７０と、熱伝達部材２６０と接して形成されている第２光吸収層２７２と、を有し、支持部材２１５の、熱検出素子２３０が載置される表面と第２光吸収層２７０の上面との間で、第１波長λ_１の光が共振し、熱伝達部材の上面と、第２光吸収層の上面との間で、第１波長λ_１とは異なる第２波長λ_２の光が共振し、支持部材２１５の、熱検出素子２３０が載置される表面と第１光吸収層２７０の上面との間で第１波長および前記第２波長とは異なる第３波長λ_３の光が共振する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、ダイナミックレンジを広くすることができる光センサを提供する。
【解決手段】光センサは、光検出素子と、第１の電圧（Ｖ＿ＳＳＲ）に対して電位差ΔＶ＿ＲＳＴ（Ｖ１）の第２の電圧（Ｖ＿ＳＳ）を発生させるパルス信号を、リセット信号として供給するリセット信号配線と、読み出し信号を供給する読み出し信号配線と、センシング期間（Ｔ１）に、光検出素子が受光した光量に応じて電位が変化する蓄積ノードと、蓄積ノードの電位変化に応じた信号を、出力配線へ読み出すセンサスイッチング素子とを備える。リセット信号配線では、センシング期間の少なくとも一部において、第１の電圧（Ｖ＿ＳＳＲ）と第２の電圧（Ｖ＿ＳＳ）との間の電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】周囲温度が変化した場合でも、ペルチェ素子等の電気的な冷却素子を使用することなく、熱型赤外線センサーの出力電圧のＤＣレベル変化を小さくする。
【解決手段】電源ＶｄｄとグランドＧＮＤの間にセンサーＭＯＳＦＥＴ３と電流源ＭＯＳＦＥＴ５が直列に接続されている。センサーＭＯＳＦＥＴ３は断熱構造体１上に配置され、電流源ＭＯＳＦＥＴ５は断熱構造体１の外部に配置されている。センサーＭＯＳＦＥＴ３及び電流源ＭＯＳＦＥＴ５は同じ導電型のＭＯＳＦＥＴからなり、かつサブスレッショルド領域で動作される。センサーＭＯＳＦＥＴ３と電流源ＭＯＳＦＥＴ５の間の端子がセンサー出力端子Ｖｏｕｔを構成する。センサーＭＯＳＦＥＴ３及び電流源ＭＯＳＦＥＴ５は周囲温度変化に対して特性がほぼ等しく変化する。 （もっと読む）

【課題】赤外線イメージセンサの各画素を構成する赤外線検知素子間で温度差が生じてしまうことによってＳ／Ｎ比が低下してしまうのを防止できるようにする。
【解決手段】赤外線撮像装置を、複数の赤外線検知素子を備える赤外線検知素子アレイ４と、各赤外線検知素子に赤外線検知素子によって検知しうる波長を持つ補償用赤外線を照射する補償用赤外線照射部２と、赤外線検知素子に流れる電流を検知する検知期間内に各赤外線検知素子に入射する赤外線の総光量が同一になるように、補償用赤外線照射部２によって各赤外線検知素子に照射する補償用赤外線の強度を制御するとともに、各赤外線検知素子によって検知された赤外線の強度及び補償用赤外線照射部２によって各赤外線検知素子に照射した補償用赤外線の強度に基づいて、撮像対象から各赤外線検知素子に入射した赤外線の強度を求める制御演算部３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】 熱型光検出器の検出感度を向上させること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板１０と、基板に対して空洞部１０２を介して支持される支持部材２１５と、支持部材上に形成され、下部電極２３４と上部電極２３６によって焦電材料層２３２を挟んだ構造を有する熱検出素子２３０と、熱検出素子上に形成されている光吸収層（２７０，２７２）と、熱検出素子２３０と接続部ＣＮによって接続され、平面視で接続部よりも広い面積を有し、少なくとも一部の波長域の光に対して光透過性を有し、かつ光吸収層（２７０，２７２）の内部に形成されている集熱部ＦＬを備える熱伝達部材２６０と、を含み、下部電極２３４は、平面視で、焦電材料層２３２の周囲に延在する延在部分ＲＸを有し、延在部分ＲＸは、熱伝達部材２６０の集熱部ＦＬを透過した光のうちの少なくとも一部を反射する光反射特性を有する。 （もっと読む）

【課題】画素毎のバンプが増加してもフリップチップボンディングを適切に行うことができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素が配列した赤外線イメージセンサ１００と、赤外線イメージセンサ１００から信号を読み出す読み出し回路３００と、赤外線イメージセンサ１００と読み出し回路３００との間に設けられた中継部材２００と、が設けられている。複数の画素の各々には、互いに相違する波長の赤外線を吸収する複数の吸収層１０６、１１０と、複数の吸収層にバイアスを印加するバイアスバンプ１５９と、複数の吸収層毎に設けられた出力バンプ１５７、１５８と、が設けられている。出力バンプは、読み出し回路に設けられた入力バンプ３０２、３０３に接続され、バイアスバンプは、読み出し回路に設けられたバイアス供給バンプ３０４に、中継部材に設けられた中継配線２０７を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】二次実装用のフランジ構造を有し、実装基板底面から焦電型赤外線検出器高さを含む総高さを低くする事が可能な表面実装型の焦電型赤外線検出器を提供すること。
【解決手段】本焦電型赤外線検出器は、二次実装用のフランジ構造を有し、低背可能とするために表面実装を可能とするためのパターン６が形成されている。焦電型赤外線センサ素子、ＦＥＴ、抵抗、高周波ノイズ対策用の抵抗、コンデンサが、搭載された上層ベースより、スルーホールにて下層ベース８まで接続されている。下層ベース表面には、二次実装用に金属膜にて形成されたパターンを有し、電気的に接続させ、機械的に固定出来るようにしている。 （もっと読む）

【課題】画素のＳＮ比を改良するために読み取り回路によりもたらされるノイズを低減する。
【解決手段】少なくとも１つの抵抗式熱検出器（１０２）にバイアスをかけて読み取るための電子回路（１００）であって、抵抗式熱検出器の電気抵抗に変動があると、抵抗式熱検出器に一定値のバイアス電流を流すことによって抵抗式熱検出器にバイアスをかけることができるバイアス手段と、抵抗式熱検出器(１０２)の端子で電圧を電流に変換することができ、抵抗式熱検出器の端子の一つにゲートが電気的に接続させる少なくとも１つのＭＯＳ型トランジスタ（１０６）を備える変換手段と、変換手段のＭＯＳ型トランジスタのソースに電気的に接続されるベースクリップ電圧生成手段とを備える電子回路を提供する。 （もっと読む）

【課題】素子特性バラツキを原因とする出力電圧のバラツキを低減できる検出回路、センサーデバイス及び電子機器等の提供。
【解決手段】検出回路は、焦電素子１０と、検出回路の出力ノードＮＱと低電位側電源ノードとの間に設けられ、焦電素子１０からの検出信号がゲートに入力される第１のＰ型トランジスターＴＰ１と、高電位側電源ノードと出力ノードＮＱとの間に設けられ、ゲートが基準電圧ＶＲに設定される第２のＰ型トランジスターＴＰ２を含む。 （もっと読む）

【課題】信号処理回路に対して斜めに入射することで遮光層により遮られない光によって、信号処理回路の動作が不安定にならないようにし、且つ遮光層に照射される光によって生じる浮遊電荷の影響で信号処理回路の動作が不安定にならないようにする。
【解決手段】受光素子３６と受光素子３６から出力される信号を処理する信号処理回路３８とがＳＯＩ基板上に形成された光入射部１２において、信号処理回路３８上の配線層のうち最上層を、太陽光を遮光する遮光層４２とし、遮光層４２と電気的に接続される複数のコンタクトプラグ５２が遮光層の端部に沿ってＳＯＩ基板の厚さ方向に積層される。複数のコンタクトプラグ５２は、グランドもしくは遮光層に生じる浮遊電荷を引き抜くのに十分な電位とされている。 （もっと読む）

【課題】量子ドット型赤外線検知器の感度を向上させること。
【解決手段】量子ドットと、前記量子ドットを覆い、エネルギーギャップが前記量子ドットより広い第１の障壁層と、前記第１の障壁層の上側および前記量子ドットの下側に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い中間層と、前記第１の障壁層内に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い量子井戸層とを有する光電変換層と、前記光電変換層の両側に設けられた電極層を備えた量子ドット型赤外線検知器。 （もっと読む）

【課題】光関連機器への搭載に適した自立型電源装置及びこれを用いた光関連機器を提供する。
【解決手段】自立型電源装置１０は、光エネルギを電気エネルギに変換する光電変換部１１と、光電変換部１１の出力を用いて充電される蓄電部１２と、を有し、光関連機器Ａを形成する半導体装置Ａ１やモジュールＡ２とは別に、独立したユニットとして光関連機器Ａに内蔵または着脱され、光関連機器Ａの各部に電力を供給する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、紫外線検知管の自己放電等による故障を早期に検出することができる火炎検出装置を提供する。
【解決手段】 紫外線検知管２０を含む回路が低インピーダンス状態の時に、炎検出回路３０から所定期間連続して第一炎検出信号ＦＳが出力されると、紫外線検知管２０を含む回路を高インピーダンス状態に切替える。その後、診断回路５０から所定期間連続して第二炎検出信号ＲＳが出力されないと、紫外線検知管２０が異常であることを報知する。 （もっと読む）

【課題】オフ時のリーク電流を抑制することで、読出し信号のオフセット量やノイズを低減することができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】実施形態の赤外線撮像装置は、導体基板上に形成され、赤外線を吸収し熱に変える赤外吸収部と、複数のショットキー接合ダイオードと、少なくとも一つ以上のｐｎ接合ダイオードと、を直列接続しているとともに、この熱を電気信号に変える熱電変換部と、を含む赤外線検出部を備えている。また、この赤外線検出部とこの基板との熱分離を行う空洞部を備えている。さらに、この熱電変換部からの信号入出力及びこの赤外線検出部を支持する支持配線と、を有するとともに、アレー状に配置された赤外線検出素子を備えている。また、この赤外線検出素子を選択する素子選択部と、この赤外線検出素子に電圧を印加し、かつ、定電流動作させる信号読出し部を備えている。 （もっと読む）

【課題】面倒な演算等を行うことなく、測光精度を低下させないようにする。
【解決手段】被写界を複数の測光領域に分割し光強度に比例した電荷を発生し蓄積する光電変換素子１と、光電変換素子２で蓄積している電荷を転送する転送手段２と、転送手段２から転送された電荷を保持し電圧に変換する電荷電圧変換手段５，２１と、電荷電圧変換手段５，２１を基準レベルにリセットするリセット手段６と、光電変換素子１で蓄積している電荷を電荷電圧変換手段５，２１に転送しないようにするための転送手段３と、転送手段３で転送された電荷を排出する電荷排出手段７，８とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱ノイズを低減することが可能な赤外線センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】赤外線センサ１００は、サーモパイル３０ａにより構成される感温部３０を有し半導体基板１の一表面側に形成されて半導体基板１に支持された熱型赤外線検出部３と、半導体基板１の上記一表面側に形成され感温部３０の出力電圧を取り出すためのＭＯＳトランジスタ４とを備える。ＭＯＳトランジスタ４のゲート電極４６が、ゲート絶縁膜４５上の導電性ポリシリコン層４６ａと、導電性ポリシリコン層４６ａを覆うシリサイド層４６ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】微弱光から強光までの光を検知することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換層を有するフォトダイオードと、トランジスタを含む増幅回路と、
スイッチとを有し、入射する光の強度が所定の強度より小さいと前記スイッチにより前記
フォトダイオードと前記増幅回路は電気的に接続され、光電流は前記増幅回路により増幅
されて出力され、入射する光の強度が前記所定の強度より大きいと前記スイッチは前記フ
ォトダイオードと前記増幅回路の一部又は全部を電気的に切り離して光電流の増幅率を下
げて出力される光電変換装置に関するものである。このような光電変換装置により、微弱
光から強光までの光を検知することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】画素部の温度補正をより正確に行うことのできる非冷却赤外線イメージセンサを提供する。
【解決手段】半導体基板２上の表面部分に配列された第１空洞部３ａが形成された第１領域に第１空洞部に対応して第１空洞部の上方に設けられた複数の画素セル１１と半導体基板上の第２領域に複数の画素セルの各行または各列に対応して設けられた参照画素セル２１とを有し、各参照画素セルは入射された赤外線を吸収する第２赤外線吸収膜の熱を検出して電気信号を生成し、第１感熱素子２１と同特性の第２感熱素子２２を含み、第１感熱素子接続する第１および第２配線を有する支持部１５と、第２感熱素子に接続する第３および第４配線を有する配線部２５とを更に備え、配線部の第３および第４配線は、第１および第２配線と同じ電気抵抗を有し、参照画素セルは半導体基板に接するように設けられ、配線部の下方の半導体基板の表面部分に第２空洞部３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】サーモパイルの抵抗のばらつきを小さくすることが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】サーモパイル３０ａにおけるｐ形ポリシリコン層３５およびｎ形ポリシリコン層３４の基礎となるノンドープのポリシリコン層を形成した後、ｐ形不純物およびｎ形不純物それぞれを上記ポリシリコン層の互いに異なる所定部位にイオン注入してｐ形ポリシリコン層３５およびｎ形ポリシリコン層３４を形成するようにし、ｐ形ポリシリコン層３５を形成するためのｐ形不純物のイオン注入を行う際のイオン注入量を、ｐ形ポリシリコン層３５のドーピング濃度が固溶限となるイオン注入量よりも高く設定し、かつ、ｎ形ポリシリコン層３４を形成するためのｎ形不純物のイオン注入を行う際のイオン注入量を、ｎ形ポリシリコン層３４のドーピング濃度が固溶限となるイオン注入量よりも高く設定する。 （もっと読む）