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Fターム[2G066BA55]の内容

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Fターム[2G066BA55]に分類される特許

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【課題】熱ノイズを低減し、高精度で信頼性の高い赤外線検出を行うことが可能な赤外線センサアレイ装置を提供する。
【解決手段】 本発明の赤外線センサアレイ装置は、基板10上に所定の間隔でセルが2次元配列され、セル毎に赤外線信号を受信する赤外線センサ素子30と、前記赤外線センサ素子30の出力を処理し、2次元平面温度として出力する信号処理回路素子40と、前記赤外線センサ素子30から所定の距離を隔てて設けられ、外部の赤外線信号を前記赤外線センサ素子30に結像するためのレンズ22などの光学系を備えた入射窓を有し、前記赤外線センサ素子30および前記信号処理回路素子40を収容する金属製のケース20と、前記赤外線センサ素子30と、前記ケース20および前記信号処理回路素子40との間に、前記光学系を介して入射する前記赤外線信号を前記赤外線センサ素子30に導く透光部51を有するセンサカバー50とを具備している。 (もっと読む)


【課題】熱ノイズを低減し、高精度で信頼性の高い赤外線検出を行うことが可能な赤外線センサモジュールを提供する。
【解決手段】本発明の赤外線センサモジュールは、基板10上に配置され、赤外線信号を受信する赤外線センサ素子30と、前記赤外線センサ素子30の出力を処理する信号処理回路素子40と、前記赤外線センサ素子30から所定の距離を隔てて設けられ、外部の赤外線信号を前記赤外線センサ素子30に結像するための光学系(レンズ22)を備えた入射窓を有し、前記赤外線センサ素子30および前記信号処理回路素子40と、前記基板10とを収容する金属製のケース20とを具備し、前記ケース20は、内壁面に沿って反射防止部材としての内装ケース60を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】サーモパイルセンサ型赤外線検出器に於いて、サーモパイル型赤外線検出器内の容積に対し、実装部材が少なく、熱容量が小さい事から、急激な環境温度変化が加わった際に、サーモパイルチップが受ける熱影響が大きく、環境温度変化に対し、信号出力がドリフトしてしまうという課題がある。
【解決手段】サーモパイル型赤外線検出器に於ける回路部分である抵抗、コンデンサ、オペアンプ等を部材実装した基板を格納し、内部部材体積・熱容量を増加させする事を特徴としている。 (もっと読む)


【課題】温度補正を精度よく高速に行える小型の赤外線センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る赤外線センサは、温度センサ素子と、外部からの赤外線を受光する量子型の赤外線センサ素子と、前記赤外線センサ素子と前記温度センサ素子とを包み込む樹脂パッケージと、赤外線を前記赤外線センサ素子の受光面に導くように前記樹脂パッケージに設けられた開口部分とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】赤外センサモジュールにおいて、レンズと赤外センサとの位置合わせを高精度に行えるようにすると共に、表面実装への対応を可能にする。
【解決手段】赤外センサモジュール1は、回路基板2と、赤外信号を受信する赤外センサ3と、赤外センサ3に赤外信号を結像させるためのレンズ5と、レンズ5を保持するためのレンズ台座6と、赤外センサ3を収納するための金属ケース7とを備える。赤外センサ3は、回路基板2に配置されている。レンズ5は、レンズ台座6に保持されて、赤外センサ3の上方に配置されている。レンズ台座6は、開口部60が赤外センサ3とレンズ5との間に位置するように、回路基板2に搭載されている。金属ケース7は、入射窓70がレンズ5の位置に合うように、回路基板2に搭載されている。金属ケース7とレンズ5及び回路基板2が封止樹脂17により接合されて、赤外センサ3が中空封止されている。 (もっと読む)


【課題】カーボン薄膜を材料として、室温付近で高いTCR絶対値を有するボロメータ材料を製造できる技術を提供する。
【解決手段】カーボン薄膜を通電しながら酸処理を施すことによりボロメータ材料を作製する。 (もっと読む)


【課題】 赤外線検知用と温度補償用との感熱素子間で高い温度差分が得られると共に小型化が可能で、安価な構造を有している赤外線センサを提供すること。
【解決手段】 絶縁性フィルム2と、該絶縁性フィルム2の一方の面に互いに離間させて設けられた第1の感熱素子3A及び第2の感熱素子3Bと、絶縁性フィルム2の一方の面に形成され第1の感熱素子3A及び第2の感熱素子3Bに別々に接続された複数対の導電性の配線膜4と、第1の感熱素子3Aに対向して絶縁性フィルム2の他方の面に設けられた赤外線吸収膜5と、第2の感熱素子3Bに対向して絶縁性フィルム2の他方の面に設けられた赤外線反射膜6と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】常温での検出能力が高い赤外線検出装置を提供する。
【解決手段】1対の配線12a,12bの間に導電性粒子群を含有している多孔質絶縁体4aを介在させる。多孔質絶縁体4aを赤外線吸収膜16で被覆する。多孔質絶縁体4aの内部には同一サイズの孔が同一間隔で形成されており、各孔の内部に導電性粒子が収容されている。各導電性粒子の粒径が1〜10nmであり、隣接する導電性粒子同士の間隔が1〜10nmであると、クーロンブロッケード現象の発生確率が常温近傍の温度域で温度に対して敏感に変化する関係が得られる。赤外線検出装置1によると、常温常圧で用いても10(cmHz1/2/W)以上の比検出能Dが得られる。 (もっと読む)


【課題】赤外線センサーを加熱調理器本体へ取付ける際の歩留まりの改善と組み立て作業性の向上を図る加熱調理器を得る。
【解決手段】加熱調理器は、加熱器本体11と、この加熱器本体11の上部に設けられ被加熱物を載置する天板12と、を備え、加熱器本体11は、被加熱物14を天板12を介して加熱する加熱部16と、加熱部14を載置する固定板と、を備え、赤外線検出装置19は、赤外線を検出し、検出量に比例した信号を出力する赤外線センサーと、この赤外線センサー41を取付け角度を固定した状態で収納するセンサーケースと、赤外線センサー41の視野領域を修正可能なセンサー角度修正部材と、を備えた。センサー角度修正部材は固定板43と弾性体44と角度調整ネジとから構成される。 (もっと読む)


【課題】センサ部から電荷転送素子部への熱拡散を最小限に抑える。
【解決手段】焦電センサのセンサ部10Bと電荷転送素子部20とを、それらの間にシリコン犠牲層16を挟み込んで一体とした状態で、センサ部10Bを画素単位でパターニング加工し、センサ部10Bの電極層13と電荷転送素子部20の入力電極22とを接続する引き出し電極30等を形成したのち、最終工程でシリコン犠牲層16を除去して、センサ部10Bと電荷転送素子部20との間に空隙層を形成して熱的に分離する。 (もっと読む)


【課題】信号読出し回路部の電気的絶縁における信頼性を確保しつつ、高速応答が可能で高感度な赤外線撮像素子を提供する。
【解決手段】この発明に係る赤外線撮像素子は、半導体基板上に配置された複数の画素と画素からの電気信号を読み出す回路とを半導体基板上に有する熱型の赤外線撮像素子であって、画素はプレーナー型のシリコンpn接合ダイオードによって温度を検出する検出部と検出部を半導体基板より離して保持する支持体とpn接合ダイオードと回路とを結線する配線とを備えた画素を有し、pn接合ダイオードを構成するp型あるいはn型の半導体層のうちで、一方の半導体層よりも広い領域を持つ他方の半導体層の厚みが、一方と他方の半導体層同士が重ならない部分において、重なっている部分よりも薄いことを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】赤外線検知器から出力する画素毎の出力ばらつきを常に均一に補正する。
【解決手段】工場出荷前に赤外線撮像装置10aの撮像する目標温度、赤外線撮像装置の環境温度を複数設定し、設定ごとに、検知器4を構成する画素毎の信号輝度及び1画面の平均信号輝度を観測し、観測結果を用いて、画素毎の信号輝度が1画面の平均信号輝度に合うように変換される補正係数データを算出してメモリA5aに格納する。赤外線撮像装置の目標撮像時に各画素について、補正係数データ、各画素の撮像画像の入力輝度、温度センサ3において観測される赤外線レンズ1aの温度より、検知器補正部9が各画素の撮像画像の信号輝度に対して1画面の平均輝度値に線形近似する補正演算を行うことで、操作員等による補正データの作成更新を行わずに撮影目標の撮像を妨げることなく、検知器から出力する画素毎の出力ばらつきを常に均一に補正する。 (もっと読む)


【課題】赤外線吸収層の赤外線吸収率を増加させて、熱型赤外線センサの検出感度を向上させる。
【解決手段】本発明による熱型赤外線センサは、赤外線受光部11と、回路基板1上の空洞部を介して保持され、入射する赤外線を熱変換して得た熱を赤外線受光部11に伝達する赤外線吸収膜とを具備する。赤外吸収膜における赤外線入射面と、入射面の裏面である空洞部側の透過面とに、赤外線吸収膜の膜厚より大きく、膜厚の10倍以下の幅の凸部又は凹部が形成されている。 (もっと読む)


【課題】容易に実施でき、かつ費用のかからない産業化可能な製造方法を用いて、良好な感度を有し、信号対雑音比の点で最適化された機能的なボロメータ検出器を実現する。
【解決手段】固着点によって基板に固定された断熱アームを用いて基板の上方に浮かされた膜(1)を装備したボロメータ検出器を製造するため設計された方法である。膜(1)は、少なくとも半導体性酸化鉄を含む塩基を備えた熱に敏感な薄層(9)を有する。この方法は、半導体性酸化鉄の薄層(9)の一部の鉄原子の酸化の程度を変更するために半導体性酸化鉄の薄層(9)の局所還元及び/又は酸化の工程を少なくとも含む。 (もっと読む)


【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長1.8μm以上に拡大したInP系フォトダイオードを用いて、気体のモニタリングを高感度で遂行することができる、気体モニタリング装置等を提供することを目的とする。
【解決手段】 受光層3がIII−V族半導体の多重量子井戸構造を有し、pn接合15は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、5×1016/cm以下であり、気体モニタリング装置は、波長3μm以下の少なくとも1つの波長の光を受光して、気体中のガス成分等を検出することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】サーモパイル型赤外線検出装置に於いて、周囲温度が急激に変化した場合、高密度ポリエチレンからなる光学レンズの集光レンズを含む筒箱部と内壁部、及び、シリコン等からなる光学レンズの部以外の内壁部の温度変化とサーモパイル型赤外線検出器冷接点部温度に、熱的に温度バラツキが発生し温度差が生じる事で、検出温度が変動すると云う課題がある。
【解決手段】サーモパイル型赤外線検出装置の周囲温度が急激に変化した場合の温度検出を行うにあたり、高密度ポリエチレンから光学レンズを含む筒箱部、内壁部、及び、シリコン等からなる光学レンズの部以外の内壁部とサーモパイル型赤外線検出器冷接点部とを機械的、並びに、熱的に一体化させる為、ヒートシンクを設置・具備させた事を特徴としたサーモパイル型赤外線検出装置。 (もっと読む)


【課題】従来の一般的なサーモパイル型赤外線検出装置では、一般的に多く消費されているTO−5型パッケージ、及び、モジュールとしての周辺回路を搭載する為の回路基板構成を多く用いる事から、形状面に於いて小型化に限界が発生し、更なる小型化が困難であると云う課題がある。
【解決手段】搭載するサーモパイル型赤外線検出器のパッケージをTO−18型とし、モジュールとしての周辺回路部品、及び、回路基板についても小型化する事により、横:10.9mm、縦:6.4mm、高さ:5.3mmのサイズ内(容積:369.728mm)に納める事で、サーモパイル型赤外線検出装置としての容積を小型化した事を特徴とする小型サーモパイル型赤外線検出装置。 (もっと読む)


【課題】製造コストを削減するとともに、検出精度を充分に確保できる赤外線センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板1の表面に形成された凹部2と、前記凹部2の底面に形成された反射膜3と、前記反射膜3の前記底面側とは反対側に、該反射膜3から離間して配設された感熱膜4と、前記感熱膜4の外周に複数形成されるとともに該感熱膜4の面方向に沿って延び、前記感熱膜4と前記凹部2の開口縁とを連結する梁部5と、を備え、前記感熱膜4と前記反射膜3との間の距離Dが、検出対象の波長λに対してλ/4に設定されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】簡便な構成を用いて、検出精度を充分に確保でき、部品点数を削減でき、製造工程を簡便にすることができる赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線を透過する材料からなる第1基板1と、信号処理回路を有し前記第1基板1に対向配置される第2基板2と、を備え、前記第1基板1は、前記第2基板2側を向く表面に形成された凹部11と、前記凹部11の底面から離間して配設された感熱膜12と、前記感熱膜12の外周に複数形成されるとともに該感熱膜12の面方向に沿って延び、前記感熱膜12と前記凹部11の開口縁とを連結する梁部13と、を備え、前記第2基板2は、前記第1基板1側を向く表面に形成されるとともに前記感熱膜12に対向配置される反射膜21を備え、前記第1基板1と前記第2基板2との間には、前記感熱膜12と前記反射膜21との間の距離Dを検出対象の波長λに対してλ/4に設定するスペーサ3が配置されている。 (もっと読む)


【課題】赤外線センサチップに発生する熱応力や残留応力を小さくし、赤外線センサチップが割れてしまったり、その測定能力等に悪影響が現れたりするのを防ぐとともに、赤外線センサチップの周囲を容易に真空に維持することができ、測定精度や感度を所望のものに無理なくすることができる熱型赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線を検知する赤外線センサチップ1の周囲を真空にした熱型赤外線センサ100であって、複数のリードピンPが設けられた平板状のステム2と、前記ステム2の面板部に接合され、前記赤外線センサチップ1と前記リードピンPとを電気的に接続するための中継配線31が設けられた回路基板3と、を備えており、前記赤外線センサチップ1は平板状のものであり、前記回路基板3に接合されており、前記回路基板3の熱膨張率は、前記回路基板3の熱膨張率と前記赤外線センサチップ1の熱膨張率の差の絶対値が、前記ステム2の熱膨張率と前記赤外線センサチップ1の熱膨張率の差の絶対値よりも小さくなるような値にした。 (もっと読む)


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