【課題】加工形状を厳密に調整するためには粒子ビームを中性化することが必要である。この中性化を、イオンビームの生成条件や加工条件とは独立に制御可能とし、品質の高い中性粒子ビームを得る。
【解決手段】プラズマを生成しイオンビームを射出するプラズマチャンバ１と、イオンビームを中性化するキャピラリ部２と、キャピラリ部を通過したビームを被加工物に照射する加工チャンバ３とを有する中性粒子線ビーム装置であって、キャピラリ部は、キャピラリ中に中性ガスを供給し排気する手段と、それらを制御しキャピラリ中の中性ガス圧を所定値に設定する制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サイクロトロンのイオン源の寿命及び性能を改善する。
【解決手段】イオン源管（３００）は、該イオン源管（３００）の側面に沿って設けられたスリット開口部（３１０）を含み、スリット開口部（３１０）は、０．２９ｍｍよりも小さい幅を有する。イオン源管（３００）はまた、該イオン源管（３００）の端部内に設けられた端部開口部（３１４）を含む。端部開口部（３１４）は、イオン源管（３００）の内径よりも小さくかつ該イオン源管（３００）の中心軸線（３１６）からスリット開口部（３１０）の方に０〜１．５ｍｍほど偏位している。イオン源管（３００）は、プラズマ放電を収容する空洞（３１２）を含む。本発明はまた、イオン源管（３００）を製作する方法にも関する。 （もっと読む）

耐雑音性が高く、高感度のビーム電流測定を実現することのできる測定装置および測定方法を提供する。
外部磁場遮蔽用の磁気遮蔽部（８）と、前記磁気遮蔽部によって生成された遮蔽空間に配された磁場センサ（２）とを備え、測定すべきビーム電流が生成する磁場を前記磁場センサで測定するビーム電流測定装置であって、前記磁場センサの磁束−帰還電流変換係数を８×１０^−１５ＷＢ／Ａ以上とする。
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【課題】
ビーム出射停止信号が出力されてから、加速器からの荷電粒子ビームの出射が停止されるまでに時間を要する場合であっても、照射対象の線量分布をより均一化する。
【解決手段】
シンクロトロン１２と、走査電磁石５Ａ，５Ｂを有し、シンクロトロン１２から出射されたイオンビームを出力する照射装置１５と、照射装置１５からのイオンビームの出力をビーム出射停止信号に基づいて停止させ、イオンビームの出力を停止した状態で、走査電磁石５Ａ，５Ｂを制御することによりイオンビームの照射位置を変更させ、この変更後に、照射装置１５からのイオンビームの出力を開始させ、ビーム出射停止信号を起点とした積算照射量の増分が、予め記憶された設定照射量に達したことに基づいて次のビームの出射停止信号を出力する制御装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】 従来のＢＮＣＴ応用分野に用いられている荷電粒子加速装置では、サイクロトロン加速原理を用い、等時性磁場中を加速した荷電粒子を、装置の外側に配置したターゲットに衝突させ、２次粒子を発生させているが、２次粒子発生量が少なく、また、点光源でなく、分解能の悪い画像となる。そこで多量の２次粒子を発生し、点光源とみなすことが可能な荷電粒子加速器を提供する。
【解決手段】 電磁石の偏向磁場が、等時性／非等時性の磁場で構成され、非等時性磁場の領域に２次粒子発生手段が設けられ、加速イオンビームを衝突させる。 （もっと読む）

【課題】異なる照射方式の照射装置を有する場合であっても、照射精度及び安全性を確保
する。
【解決手段】荷電粒子ビームを照射対象に対して出射する荷電粒子ビーム出射装置におい
て、
荷電粒子ビームを発生する荷電粒子ビーム発生装置１と、荷電粒子ビームを照射対象に
照射する、散乱体方式の照射装置３ｐ及びスキャニング方式の照射装置３ｓと、荷電粒子
ビーム発生装置１から出射された荷電粒子ビームを２つの照射装置３ｐ，３ｓのうちの選
択された１つの照射装置へ輸送するビーム輸送系２と、荷電粒子ビーム発生装置１の運転
条件を、選択された照射装置の照射方式に応じて変更する中央制御装置２３とを備える。 （もっと読む）

【課題】 セラミック部材に強固にネジ止めしてもセラミック部材を破損させることがなく、セラミック部材にネジにより強固に締結できるセラミック複合体を提供すること。
【解決手段】 本発明のセラミック複合体は、セラミック基体１の表面に凹部４を形成するとともに、凹部４内に、厚み方向に貫通するネジ穴を有した金属製のネジ受け部材３を嵌挿して、ネジ受け部材３と凹部４内面との当接部をロウ付けし、ネジ穴の下端側開口部に切り欠き３ａを設けて成る。 （もっと読む）

陽子線治療システム（ＰＢＴＳ）のような複雑でマルチプロセッサのソフトウェア制御型のシステム（１０）では、動作の様々なモードについてのソフトウェア制御型のシステムを準備するために、許可されたユーザによって容易に変更が為される、処置を構成可能なパラメータ（８０、８２）を提供することが重要となり得る。この特定の発明は、データ及び構成用パラメータ（８０、８２）を管理し、また処置を供給するためのＰＢＴＳ（１０）によって使用され得るシステム制御ファイル（５６）を生成して配布するためにデータベース（７２）を利用する、ＰＢＴＳ（１０）用の構成管理システム（５４）に関する。システム制御ファイル（５６）の使用は、ＰＢＴＳ（１０）がデータベース（７２）から独立して機能することを可能にすることによって、データベース（７２）内の単一点障害の弊害を低減する。ＰＢＴＳ（１０）は、システム制御ファイル（５６）を通じてデータベース（７２）からのデータ、パラメータ、及び制御設定にアクセスし、それが、データベース（７２）に関して単一点障害が生じるときに、データ及び構成用パラメータ（８０、８２）がアクセス可能であることを保証する。
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【課題】中性子発生のための大型構造物の内部（底部）に設置された核破砕中性子発生源水銀ターゲット容器の外周振動を構造体外部から非接触で放射線の影響を受けずに精度よく計測し、水銀ターゲット容器の損傷の評価及び疲労劣化の評価を行うことができる核破砕中性子源水銀ターゲット容器の診断技術を提供する。
【解決手段】レーザドップラ振動計から入射ビームを、中性子発生のためにパルス入射陽子線が照射されている核破砕中性子源水銀ターゲット容器に照射し、その反射ビームを受け取り、計測信号を取得し、その計測信号の特定の特徴に基づいて水銀ターゲット容器の損傷、疲労劣化の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】 高電圧部の隔離とイオン加速部のＸ線遮蔽を可能にすると同時にプラズマ発生部のメンテナンスが容易になる荷電粒子ビーム発生及び加速装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ発生手段１と、その出口側に設けられた荷電粒子ビーム引き出し手段２と、その下流側に設けられた荷電粒子ビーム加速手段３と、プラズマ発生手段１へプラズマ発生に必要な電流、電圧、ガスなどを導入する導入手段１０と、プラズマ発生手段１と荷電粒子ビーム引き出し手段２と荷電粒子ビーム加速手段３と導入手段１０とからなる高電圧部を囲むように設置された接地カーバを備え、接地カーバは所定壁厚を有し、荷電粒子ビーム加速手段３を覆う第一接地カーバ７と、第一接地カーバ７に対して脱着可能に設けられ、プラズマ発生手段１を覆うと共に第一接地カーバ７より壁厚が薄くされた第二接地カーバ８とから構成される。 （もっと読む）

【課題】 中性子源用の鉛ビスマス溶融液の流速を正確に測定するための超音波反射体として優れた特性を示すタングステンモリブデン合金粉末とその粉末を用いた鉛ビスマス溶融液流速測定方法とターゲットシステムとを提供すること。
【解決手段】 鉛ビスマス溶融液流速測定用粉末は、タングステンを６〜４６質量％含み残部が実質的にモリブデンのタングステンモリブデン合金からなる。 （もっと読む）

シンクロサイクロトロンが、電極を間に磁界を横切るすき間を持たせつつ備えている共振回路を有している。プログラマブル・デジタル波形生成器によって決定される可変の振幅および周波数を有する振動入力電圧が、前記すき間を横切る振動電界を生成する。このシンクロサイクロトロンは、共振周波数を変化させるため、前記電極を備える回路に可変のキャパシタを備えることができる。さらに、プログラマブル・デジタル波形生成器によって制御される電圧を有する注入電極および抽出電極を備えることができる。さらに、ビーム監視器を備えることができる。このシンクロサイクロトロンは、入力電圧によって駆動される共振回路の電圧および／または電流を測定することによって、共振回路の共振状態を検出することができ、共振状態を維持するために、可変のキャパシタのキャパシタンスまたは入力電圧の周波数を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】 従来の大型化、大電力化、エネルギーの可変性等の改良余地が残されている問題を解決したイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 イオン源２０と、このイオン源２０からのイオンの低エネルギー入射が可能な第１のＩＨ型線形加速器３０と、この第１のＩＨ型線形加速器３０に直列的に接続される第２のＩＨ型線形加速器４０とを備え、イオン注入エネルギーを完璧に可変とするように構成した。
この場合、イオン源２０として、大気圧型ターミナル２２を具備したＥＣＲイオン源２０を用い、第１及び第２のＩＨ型線形加速器３０、４０としては、それぞれ、ＡＰＦ−ＩＨ（四重極収束系を含む）型線形加速器とするとよい。 （もっと読む）

ガスクラスタイオンビーム処理のためのシステム（３５０）と方法は改良ビームと対象物中和機器（１２２）を利用することで達成される。大きなＧＣＩＢ電流運搬はＧＣＩＢの空間荷電の低エネルギー電子中和によって提供される。電流が大きくなるほどＧＣＩＢのガス量は増大する。高ガス運搬量にも拘わらず通気型ファラデーカップビーム測定システム（３０２）はビーム量測定精度を維持する。
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【課題】放射線医薬品製剤用のサイクロトロン設計において、イオン発生管の正確な配置及び調節のための効率的な解決法を提供する。
【解決手段】イオン源の配置及び調節のための装置は、底部プレート１１、中間プレート１２及び上部プレート１３を含んでおり、上部プレート１３は、上部プレート１３を第一の方向に移動させて中間プレート１２に対して所定の位置に配置する少なくとも１個の調節部材１８、１９によって中間プレート１２に結合され、中間プレート１２は、中間プレート１２を底部プレート１１に対して第二の方向に移動させるウォーム・ギア・アセンブリ３０４によって底部プレート１１に結合される。 （もっと読む）

本発明は、イオンビーム（１５０）による放射線治療のための粒子加速器に関する。この粒子加速器は、６つの直線的なビーム区域（１〜６）および６つの湾曲したビーム区域（７〜１２）を有する、６つの部分を有するシンクロトロン環（１００）を含む。直線的に加速されたイオンビームをシンクロトロン環（１００）中に導入するための注入手段（４３）は、６つの直線的なビーム区域（１〜６）の第１の直線的なビーム区域（１）上に配置されている。イオンビームのための少なくとも１つの加速要素（４４）は、第２の直線的なビーム区域（５）の経路に沿って配置されている。数回の周期の間に迅速に加速された内部ビームを抽出するための抽出手段（４５）は、第３の直線的なビーム区域（４）上に配置されている。各々の湾曲したビーム区域（７〜１２）は、一対の双極子磁石（１３／１４、１５／１６、１７／１８、１９／２０、２１／２２、２３／２４）を含む。水平に焦点をぼかす四重極磁石（３１〜３６）は、双極子磁石の各々の対（１３／１４、１５／１６、１７／１８、１９／２０、２１／２２、２３／２４）の間に配置されており、水平に焦点を合わせる四重極磁石（２５〜３０）は、各々の双極子磁石対（１３／１４、１５／１６、１７／１８、１９／２０、２１／２２、２３／２４）の上流に配置されている。
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本発明は、アルミニウム合金製の部品（５）へのイオン注入装置に関するものであって、該装置は、抽出圧力によって加速されたイオンを放出するイオン源（６）と、前記源（６）によって発信された初期イオンビーム（ｆ１’）の、注入ビーム（ｆ１）への第一の調整手段（７−１１）とを有する。前記源（６）は、部品（５）内に１２０℃を下回る温度で注入されるマルチエネルギーイオンの初期ビーム（ｆ１’）を生産する、電子サイクロトロン共鳴源である。前記調整手段（７−１１）を介して調整された注入ビーム（ｆ１）の、これらのマルチエネルギーイオンの注入は、源の抽出圧力によってコントロールされた深さに同時に実施される。
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本発明は、特に低エネルギーイオンビーム移動に対するビーム電流の損失を低減する。本発明は、リニア加速器内のビーム集束要素として従来の二重の正負電位（バイポーラ型）静電レンズの代わりに、ユニポーラ型の静電四重極レンズを用いて、ビーム電流の損失を減少させる。更に、本発明は、ｍた、バイポーラ配線およびユニポーラ配線間で切換えるためのシステムおよび方法を含んでいる。 （もっと読む）

イオンビームの空間電荷を中和するためのプラズマ発生器を開示し、このプラズマ発生器は、ビームライン径路に沿ってイオンブームを発生しかつ指向するように動作可能なイオン注入装置内に存在する。このプラズマ発生器は、ビーム径路の一部分に電界を発生させる電界発生システムとビーム径路の一部分に磁界を発生させる磁界発生システムとを有する。この磁界は、電界に直交している。プラズマ発生器は、さらに、電界と磁界によって占有される領域内にガスを導入するために作動可能なガス源を含む。この領域内の電子は、電界と磁界のそれぞれによって、この領域内を移動し、少なくともいくつかの電子がこの領域内で衝突し、ガスの一部分をイオン化し、これによりプラズマを発生する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマを閉じ込めることができ、且つ、イオン引出分布を均一にすることができるプラズマイオン源装置を提供する。
【解決手段】 プラズマイオン源装置１に備えたリング状のカスプ磁石３−１〜３−１３のうち、イオン引出方向の下流端部に位置するカスプ磁石３−１３を補整磁石とし、この補整磁石の内径を他のカスプ磁石よりも大きくすることにより、放電容器２に対して補整磁石を他のカスプ磁石よりもイオン引出方向と垂直な方向へ遠ざけるようにして、補整磁石の前記垂直方向における位置を調整し、更には補整磁石のイオン引出方向における位置も調整することにより、イオン引出面における前記垂直方向の磁束密度分布がゼロ近傍の略均一な分布となるように調整した構成とする。 （もっと読む）