【課題】 光軸を画定する放射ビームを生成するための放射システムが提供される。
【解決手段】 放射システムは、ＥＵＶ放射を生成するためのプラズマ生成放電源を含む。放電源は、電圧差を提供する１対の電極と、電極間にプラズマ内の放電を提供するために１対の電極間にプラズマを発生させるためのシステムとを含む。また、放射システムは、電極からのデブリを捕捉するためのデブリ捕捉シールドを含む。デブリ捕捉シールドは光軸に対して所定の球面角で提供された見通し線から電極を遮蔽し、見通し線内の電極間の中央領域に開口を提供するように構成され配置されている。 （もっと読む）

【課題】放電プラズマに基づいた極紫外（ＥＵＶ）放射線発生のソース位置を安定させるための方法および装置を提供する。
【解決手段】本発明は、放電プラズマに基づいたＥＵＶ放射線の発生中にソース位置を安定させるための方法および装置に関する。ソース位置の位置変化を放射線ソースの動作中に単純な方法で補償できるようにする、ＥＵＶ放射線の発生中にソース位置を安定させるための新規な可能性を見い出すという目的は、第１のビーム整列ユニット（７）、第２のビーム整列ユニット（４）、およびビーム集束ユニット（５）が、蒸発ビーム（３）に配置され、かつ第１〜第３の測定装置（８、９、１０）に接続され、かつ基準値に対する蒸発ビーム（３）の方向偏差および発散偏差を取得および補償するために調整可能であるという点で、本発明によって達成される。 （もっと読む）

【課題】光学系に使用されるミラーの熱変形は、抑えることが望ましい。
【解決手段】光反射面を有する反射膜１１と、反射膜を支持するミラー基部１２とを備えた平面ミラー１でのミラー基部に、当該ミラー基部の外表面の少なくとも１箇所に開口するとともに、当該ミラー基部での反射膜の背面側の少なくとも１箇所に開口する第１流路Ｐ１と、少なくとも一部が反射膜の背面側に位置し、第１流路側から当該ミラー基部の側端側にかけて放射状に延在する複数の第２流路Ｐ２と、複数の第２流路の各々に接続されるバッファタンク部ＰＢと、バッファタンク部に一端が接続され、他端が前記ミラー基部の外表面に開口する第３流路Ｐ３とを含む流路ＦＰを設ける。 （もっと読む）

【課題】真空容器内のＥＵＶ光源の異常を、大気解放することなく早期に発見する。
【解決手段】大気圧以下の減圧下でプラズマを発生し、プラズマから放射されるＥＵＶ光を取り出すＥＵＶ光源と、ＥＵＶ光源からのＥＵＶ光を、所望の半導体パターンが形成されたマスクに導く第１の光学系と、マスクからの反射光又はマスクの透過光を試料上に導く第２の光学系と、を備え半導体露光装置において、光源のアコースティックエミッションを検出する検出部１８０を設け、検出部１８０の出力から光源の異常を検出する。 （もっと読む）

【課題】気体放電プラズマからＥＵＶ光を発生させる方法と装置の提供。
【解決手段】電極２間に位置付けられ、少なくともバッファガス７が収容された放電空間６内の発光材料３が、気化用ビーム５の高エネルギーパルス放射により照射されることによって気化され、電極間に発生するパルス放電電流によってＥＵＶ光を発生させる放電プラズマに変換される。チャネル生成用ビーム４が、少なくとも２つの部分的ビームで供給され、ビーム焦点が電極２間でパルス同期した状態で重畳されるように成形、集光され、放電空間６に向けられ、導電放電チャネルは、少なくとも放電空間内に存在するバッファガス７の電離によって重畳領域に沿って生成され、チャネル生成用ビーム４の高エネルギーパルス放射は、それぞれの場合においてパルス放射電流によって放電チャネルが生成された後に、放電電流パルスがその最大値に到達するような方法でトリガされる。 （もっと読む）

【課題】コレクタの損傷を低減できる極端紫外線放射装置の実現。
【解決手段】放射源は、放射を放出する放射エミッタ、放射を収集するコレクタ６と、放射源によって放出される汚染物を捕集する汚染物トラップ５とを含む。汚染物トラップは、実質的に放射状に延びる複数のフォイルと、コレクタによって収集される放射の外側円錐軌道外に位置する第１の磁気リングと、コレクタによって収集される放射の軌道内に位置する第２の磁気リングとを含む。これらの磁気リングは、フォイルに平行な成分を含む磁界を提供する。 （もっと読む）

【課題】伝達される物体フィールドを照明するための放射の質を改善するコレクタを提供する。
【解決手段】ＥＵＶ放射源からの放射を集光して伝達するためのＥＵＶコレクタ（１５）が、中心軸（２４）に対して回転対称に構成された、ＥＵＶ放射源の放射を反射するための少なくとも１つのコレクタミラー（２３）と、この少なくとも１つのコレクタミラー（２３）を冷却するための冷却装置（２６）とを備え、冷却装置（２６）が、コレクタミラー（２３）に対する進路を有する少なくとも１つの冷却要素（２７）を有し、この進路を中心軸（２４）に垂直な平面内に投影したものに、予め定めた好ましい方向（２９）との間の最大２０°の角度ｂがいずれの場合にも含まれるようにする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ放射源における高速イオンを削減すること。
【解決手段】放射源は、放電空間の付近の放射源における第１のスポット上に第１のエネルギーパルスを誘導して放電をトリガする主プラズマチャネルを作成する第１の活性化源を含む。放射源は更に、放電空間の付近の放射源における第２のスポット上に第２のエネルギーパルスを誘導して追加プラズマチャネルを作成する第２の活性化源を含む。同じ放電中に第２のエネルギーパルスを誘導することによって、主プラズマ電流のショートカットが実現し、これは生成される高速イオンの量を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】有効波長領域（１３．５ｎｍ近傍）のＥＵＶ光の発光源であるプラズマにプラズマ媒質を所望の時間、安定供給することができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。
【解決手段】中心電極１２とガイド電極１４の間に位置しその間を絶縁するリング状の絶縁体１６が、プラズマ媒体（例えばＬｉ）を主成分とする常温で固体の絶縁化合物（例えばＬｉＨ）からなる。中心電極１２とガイド電極１４間の面状放電２により、絶縁化合物（絶縁体１６）の表面を気化してプラズマ媒体を同軸状電極間に供給し、次いで、１対の同軸状電極間に管状放電４を形成してプラズマ３を軸方向に封じ込める。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶシステム内で蓄積される汚染の量をモニタリングできる光センサ装置を提供する。
【解決手段】極端紫外線リソグラフィシステムにおける使用のための光センサ装置が開示される。装置は、センサ表面およびセンサ表面からデブリを除去する除去機構を備えた光るセンサを含む。したがって、ドーズおよび／または汚染測定は、リソグラフィシステムに対して都合よく行われ得る。 （もっと読む）

【課題】プラズマを所望の励起準位まで加熱して有効波長領域（１３．５ｎｍ近傍）のＥＵＶ光を発光させることができ、かつジュール加熱による入熱を大幅に低減することができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。
【解決手段】各同軸状電極１１に極性を反転させた放電電圧を印加して、１対の同軸状電極にそれぞれ面状放電２を発生させ、対向する中間位置に単一のプラズマ３を形成する。次いで面状放電を１対の同軸状電極間の管状放電４に繋ぎ換えて、管状放電によりプラズマ３を軸方向に封じ込め、同軸状電極間にプラズマ光８を発生させる。管状放電において、極短パルスの高繰り返し構造を持ったパルス電圧を用いることにより、プラズマのジュール加熱を抑制し、少ないプラズマのジュール加熱で長時間（１〜１０μｓ）のプラズマ閉じ込めが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ放射のためのプラズマ光を長時間（μｓｅｃオーダーで）安定して発生させることができ、アーク放電による中心電極先端部のエロージョンを低減してその寿命を大幅に延ばすことができ、かつプラズマ媒体の供給量を増加させてプラズマを高密度化できるプラズマ光源を提供する。
【解決手段】対向配置された１対の同軸状電極１０と放電環境保持装置２０と電圧印加装置３０とを備える。各同軸状電極１０は、中心電極１２と、中心電極の対向する先端部を囲むガイド電極１４と、中心電極とガイド電極の間を絶縁する絶縁部材１６とからなる。中心電極１２は、先端部１１を含む導電性多孔質部分１２ａを有し、この導電性多孔質部分を通してその内部から先端部１１にプラズマ媒体６からなる液体金属を染み出すようになっている。 （もっと読む）

【課題】（１）ＥＵＶ放射のプラズマ光を長時間安定させ（２）放射立体角が大きく（３）プラズマ媒体を連続供給し（４）出力を高めかつ放電ジッターを低減する（５）プラズマ中の不純物を防止して変換効率を高めるプラズマ光源を提供する。
【解決手段】中心電極の軸方向内端部が対向配置された１対の同軸状電極１０と、１対の同軸状電極内の温度及び圧力を保持する放電環境保持装置２０と、各同軸状電極に放電電圧を印加する電圧印加装置３０とを備える。絶縁部材１６は、中心電極１２の外面又はガイド電極１４の内面に密着し、軸線Ｚ−Ｚに対称に配置され、液体金属のプラズマ媒体を滲み出させる複数の溝を有している。溝を介して供給された液体金属のプラズマ媒体を放電開始ピンとする中心電極とガイド電極間の面状放電により、同軸状電極間に管状放電を形成してプラズマを軸方向に封じ込める。 （もっと読む）

【課題】有効波長領域（１３．５ｎｍ近傍）のＥＵＶ光を発する励起準位の輻射冷却時間を実質的に短縮し、ＥＵＶ光の高出力化を達成できるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。
【解決手段】１３．５ｎｍ近傍に発光ラインを持つプラズマ媒体６と、１３．５ｎｍ近傍に発光ラインを有しかつプラズマ媒体より輻射冷却時間が短い添加物７とを同軸状電極１１間に供給し、１対の同軸状電極間に管状放電２を形成してプラズマ８を軸方向に封じ込め、プラズマ８内において励起されたプラズマ媒体６のイオンと励起していない添加物７のイオンとの間で共鳴エネルギー移転を生じさせ、プラズマ媒体６と添加物７の両方から１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶ光を発光させる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ放射のためのプラズマ光を長時間（μｓｅｃオーダーで）安定して発生させることができ、かつプラズマ光発生部近傍の残留プラズマを排気して光学系の損傷及びＸ線の吸収損失を抑制することができるプラズマ光源とプラズマ光発生方法を提供する。
【解決手段】対向配置された１対の同軸状電極１０と、放電環境保持装置２０と、各同軸状電極に極性を反転させた放電電圧を印加する電圧印加装置３０とを備え、１対の同軸状電極間に管状放電を形成してプラズマ３を軸方向に封じ込めプラズマ光８を発光させる。さらに、プラズマ光発光後の残留プラズマ３ａの排出時に、プラズマ光の発光位置から離れた離隔位置に、中心電極１２より電位の低い仮想電極４１を形成する仮想電極形成装置４０を備え、残留プラズマを仮想電極４１による静電気力により加速させて高速排気する。 （もっと読む）

スペクトル純度フィルタは、複数のアパーチャが貫通した材料体を備える。アパーチャは、第１波長を有する放射を抑制し、第２波長を有する放射の少なくとも一部分が該アパーチャを透過することができるように配置される。放射の第２波長は、放射の第１波長よりも短い。材料体は、タングステン‐モリブデン合金またはモリブデン‐レニウム合金、またはタングステン‐レニウム合金、またはタングステン‐モリブデン‐レニウム合金から形成される。 （もっと読む）

Ｘ線発生装置は、プラズマチャンバと、プラズマチャンバに磁場を印加し、構造を変更することなくプラズマチャンバ内の最小磁場の大きさを調節できるように構成された磁石部と、プラズマチャンバにマイクロ波を注入するマイクロ波発生部と、プラズマチャンバ内に注入され、磁場及びマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴を通じてＸ線を生成する反応気体と、生成されたＸ線を集束する可変型ガイド、及び集束されたＸ線をプラズマチャンバから出力する可変型引き出し部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電気放電を介するプラズマの発生のための方法及び装置であって、技術的に簡潔な手段の使用によって、前記電極のより高い平均負荷容量又は大幅に長い動作寿命を生じる方法及び装置を提供することにある
【解決手段】本発明は、少なくとも２つの電極を含む放電空間内の電気放電を介するプラズマの発生のための方法及び装置であって、前記電極の少なくとも一方は、蒸発スポットによる侵食影響領域が、少なくとも電流フローによって形成されるように、マトリックス材料又はキャリア材料から構成されている方法及び装置に関する。電気放電によるプラズマの前記発生のための方法又は装置を提供するために、放電動作中の犠牲材３８の沸点が前記キャリア材料３０の融点よりも低い犠牲材３８が、前記電流フローにおいて生じる電荷キャリアが前記犠牲材３８から主に生成されるように、少なくとも前記蒸発スポットに設けられることが提案される。 （もっと読む）

本発明は電極システムに関し、特にEUV光及び/又は軟X線を発生させるためのガス放電デバイスの電極システムに関する。電極システムは、主要構成要素としてMo若しくはW、又はMo若しくはWの合金を含む電極材から形成された少なくとも二つの電極1、同2を有する。当該電極材は、500 nm以下の平均サイズをもつ微粒子をもつ微細粒構造を有する。提案された電極システムがあると、大きな熱-機械抵抗と、大きな熱-化学抵抗とをもつ電極が実現される。これゆえ、液体Snを使用し且つ高温で作動する周知のEUV光源において当該電極システムを使うことができる。
（もっと読む）

本発明は、デブリ抑制のためのホイルトラップ装置に関し、特にＥＵＶシステムでのホイルトラップ装置に関する。前記ホイル（４）は、前記ホイルトラップ装置の入口側から出口側へ伸びる複数の空間的に離れたホイルを含み、前記ホイル（４）が、前記入口側及び前記出口側の間に放射の直線通路を可能とするように構成されている。前記ホイル（４）が、少なくとも入口側端部が、少なくとも６０％のｓｐ^３混成炭素原子の部分を含むカーボン材料又はカーボンナノチューブの層（８、１１）で、コーティングされる。又は前記ホイル（４）は、前記組成のカーボン材料のバルクカーボン材料からなる。提案されるホイルトラップは、高い熱伝導性、Ｓｎ及び他の液体金属に対する高い熱化学反応抵抗性及び高い機械的剛性を与える。
（もっと読む）