【課題】Ｓｎの放射種に起因するデブリが集光鏡に堆積することを防止できる新たな構造を提供することである。
【解決手段】Ｓｎを含む原料から高密度高温プラズマＰを発生させる放電部と、この高密度高温プラズマＰから放射される極端紫外光を所定方向に導く集光鏡２と、この放電部と集光鏡の間に配置されて錫から生じるデブリを捕獲するデブリトラップ３と、このデブリトラップ３の近傍に水素ガスを供給する手段４と、このデブリトラップを加熱する手段５からなる。概観が略円錐台の高融点金属製デブリトラップ３内部には極端紫外光通過方向に仕切壁を設けて、水素ラジカル発生量とデブリ捕獲表面積を増加させる。また、極端紫外光通過方向に前後二分割し、集光鏡２側のみ加熱してもよい。 （もっと読む）

【課題】 極端紫外光発生装置において、高温になる部分における高融点材料の使用と、冷却を行なうための加工の容易性を兼ね備えた電極構造を実現すること。
【解決手段】 放電電極１１と接地電極１２のそれぞれの電極を、プラズマに直接さらされる放電部１，４と冷却部２，５の２つの部分から構成し、放電電極１１と接地電極１２を、絶縁材１３の両側に密着させて取り付け、電極を構成する。冷却部２，５は、銅またはアルミニウム等の容易な加工性と、良好な熱伝導性を兼ね備えた材料を用い、内部に冷却用流体か通過する通路を形成し、この通路に冷却用流体を流す。放電部１，４は、高融点材料であるタングステン、タンタル、レニウム、モリブデンまたはそれらを主成分とする合金のいずれかを用いて形成する。上記放電部１，４は高温高密度プラズマ発生部に面する側に設けられ、冷却部２，５の内壁に、その外壁を密着させて設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマに基づく短波長放射線の生成におけるデブリの抑制のための方法および装置を提供する。
【解決手段】緩衝ガス５が、放射線を通過させるために設けられる開口部に対して横方向に、デブリフィルタのフィルタ構造の内側に注入されることで達成される。フィルタ構造はプラズマ１の方向および放射線の伝播方向において流れ抵抗を生成し、真空室における圧力に対して、緩衝ガス５の増大したガス圧力がデブリフィルタの所定の体積層に制限されたままであり、デブリフィルタのフィルタ構造から出る緩衝ガス５は真空ポンプによって真空室から吸引される。 （もっと読む）

【課題】 複数（２種または３種以上）の単色硬Ｘ線を、血管が動いていないとみなせる程度の短い時間間隔で順次切換えて発生することができ、かつ血管造影等に適用可能な強力なＸ線を発生させることができる多色Ｘ線発生装置を提供する。
【解決手段】 電子ビームを加速してパルス電子ビーム１を発生し所定の直線軌道２を通過させる電子ビーム発生装置１０と、波長の異なる複数のパルスレーザー光３ａ，３ｂを順次発生する複合レーザー発生装置２０と、複数のパルスレーザー光を直線軌道２上にパルス電子ビーム１に対向して導入するレーザー光導入装置３０とを備え、複数のパルスレーザー光３ａ，３ｂを直線軌道２上でパルス電子ビーム１に順次正面衝突させ、２種以上の単色硬Ｘ線４（４ａ，４ｂ）を発生させる。 （もっと読む）

【課題】 液化モノスタナン容器からプラズマ生成部へのＳｎＨ₄ ガスの供給流量を一定にし、ＥＵＶ出力を安定化すること。
【解決手段】 配管４に流量計１４を設けて、該流量計１４でプラズマ生成部３へのＳｎＨ₄ ガスの供給流量を計測する。流量計１４の出力信号を制御部１５に入力し、制御部１５によりバルブ１０の開度を調整し、液化モノスタナン容器１に巻かれたガスパイプ９に流すガス８の流量を調整する。液化モノスタナン容器１内で液化ＳｎＨ₄ ２が蒸発するときに気化熱を奪うが、上記構成とすることにより、液化ＳｎＨ₄ ２の温度が調整され、ＳｎＨ₄ ガスのプラズマ生成部３への供給量を一定に制御することができる。また、流量計１４を設ける代わりに、液化モノスタナン容器１のガス圧を検出するガス圧計を設けて、液化モノスタナン容器１内のガス圧を制御して、ＳｎＨ₄ ガスのプラズマ生成部３への供給量を一定にするようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 電極間の放電を利用して発光プラズマを形成するＥＵＶ光源及び軟Ｘ線光源を提供する。
【解決手段】 プラズマを出るデブリから金属ハロゲン化物を生成する金属ハロゲンガスを使用するデブリ軽減装置を含むことができるＤＰＰのＥＵＶ光源。ＥＵＶ光源は、焦点に視準した光路によって結合された内面及び外面を有する複数の曲線遮蔽部材を含むことができるデブリ遮蔽体を有することができ、この遮蔽部材は、その間の開放空間を用いて交互させることができ、１つの回転軸で円及び別の回転軸で楕円を形成する表面を有することができる。電極には、放電の軸線方向消滅段階中の中庸な電流と、放電の半径方向圧縮段階中に生じるピークとを生成するように形成された放電パルスを供給することができる。光源は、発生チャンバに接続した入口を有してチャンバから緩衝ガスよりも多くの原料ガスを優先的にポンピングするように作動可能なターボ分子ポンプを含むことができる。光源は、第１の領域で少なくとも選択導電率まで及び第２の領域で少なくとも選択熱伝導率までドープされたドープの異なるセラミック材料を含む調整導電電極を含むことができる。第１の領域は、電極構造体の外面又はその近くにあるとすることができ、セラミック材料は、ＳｉＣ又はアルミナとすることができ、ドーパントは、ＢＮか又はＳｉＯ又はＴｉＯ₂を含む金属酸化物とすることができる。光源は、電極アセンブリ取付台を交換位置から作動位置まで移動するように作動可能な可動電極アセンブリ取付台を含むことができ、可動取付台はベローズ上である。光源は、集光器に作動的に接続されてそれぞれのシェル部材の温度を調節してそれぞれのシェル部材からのかすり入射角の反射を最適化する温度関連幾何学形状を維持するように作動する温度制御機構、又はシェル部材を位置決めするための機械式保定装置を有することができる。シェルには、電圧でバイアスを掛けることができる。デブリ遮蔽体は、焦点外れレーザ放射を用いて作製することができる。アノードは、２つの冷却液通路を形成する中空内部又はこれらの通路を形成する多孔金属を用いて冷却することができる。デブリ遮蔽体は、取付リング又はハブに取り付けられるか、又は均一な分離及び補強をもたらしかつ一切の有意な量の光を妨げない連結タブで互いに取り付けられた、複数の大、中、小のフィンで形成することができる。
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【課題】 Ｓｎ等の放射種に起因するデブリがＥＵＶ光源装置内部に付着して装置性能が劣化することを抑制するとともに、堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を効率よく除去すること。
【解決手段】 高密度高温プラズマが発生するチャンバ１０内に極端紫外光放射種であるＳｎおよび／またはＳｎ化合物を含む原料を供給し、チャンバ１０内で上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させ、高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を取り出す。また、水素ラジカル発生部３１，３２を設け、水素ラジカルをチャンバ１０内で発生させ、集光鏡５などの装置低温部にＳｎおよび／またはＳｎ化合物が堆積するのを抑制し、また、堆積したＳｎおよび／またはＳｎ化合物を除去する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生に基づく放射光をより効率的に取り出すことが可能なプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】コイル６Ａ，６Ｂによって、初期プラズマＰ１が生成される以前から、Ｚ軸方向に沿って磁場Ｂｚを印加する。また、磁場調整部７によって、この印加磁場Ｂｚの強度を調整する。プラズマの収縮速度が緩和されると共に、その緩和の度合いが調整可能となる。よって、プラズマの最大収縮持続時間が長くなる度合いも、任意に調整可能となる。 （もっと読む）

【課題】大きな生産高を有し、低減された量の帯域外放射、及び、下流の物体をスパッタする可能性がある高速粒子の低減された量を発生できる放射システムを提供すること。
【解決手段】放射を多重化するための放射システムは２つの放射副線源を含む。副線源は各々特定の量の放射を供給する。システムは反射面を備えた部材をさらに含む。面は、面が副線源からの放射を受光し、かつ、この放射を結合する形で配列されている。放射副線源は同時に、又は、交番して動作することができる。面は濾過又は拡大（縮小）などの機能を行なうことができる。 （もっと読む）

エッチング化合物を形成することになる材料を含み、選択中心波長付近の帯域内でＥＵＶ光を生成するＥＵＶプラズマ源材料を用いたＥＵＶ光生成装置であって、ＥＵＶプラズマ発生チャンバと、該チャンバ内に収容され、少なくとも１つの層を含む反射表面を有するＥＵＶ光集束器であって、少なくとも１つの層は、エッチング化合物を形成せず、及び／又は帯域内で反射表面の反射性を有意に低減しない化合物層を形成する材料を含むＥＵＶ光集束器と、チャンバ内に収容され、エッチャント供給源材料を含むエッチャント供給源ガスであって、プラズマ源材料がエッチャント供給源材料と共にエッチング化合物を形成し、該エッチング化合物が反射表面からのエッチング化合物のエッチングを可能にする蒸気圧を有するエッチャント供給源ガスと、を含むＥＵＶ光生成装置を含むことができる方法及び装置。エッチャント供給源材料はハロゲン又はハロゲン化合物を含むことができる。エッチャント供給源材料は、ＥＵＶ光、ＤＵＶ光、及び／又はプラズマ源材料のエッチングを促進するのに十分なエネルギーを伴うあらゆる励起エネルギーフォトンの存在下で、エッチングが促進されることに基づいて選択することができる。本装置は、反射表面の動作近傍においてエッチング促進プラズマをもたらすエッチング促進プラズマ発生器を更に含み、エッチャント供給源材料は、エッチングがエッチング促進プラズマによって促進されることに基づいて選択することができる。また、反射表面に向けてイオンを加速するイオン加速器があってもよい。イオンは、エッチャント供給源材料を含むことができる。この装置及び方法は、プラズマ源材料がエッチングされることになる光学素子を伴うＥＵＶ生成サブシステムの一部を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 露光光の照度と角度分布の均一性を改善し、安定してＸ線（例えば、ＥＵＶ光）を発生させることができるＸ線発生装置及び露光装置を提供する。
【解決手段】 プラズマを生成し、当該プラズマから放射されるＸ線を取り出すＸ線発生装置であって、前記プラズマを生成する手段と、前記Ｘ線を異なる光路で導光する複数の反射光学系とを有することを特徴とするＸ線発生装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 短波長電磁放射線、特にＥＵＶ放射線の生成のためのターゲット材料を供給するための装置を提供する。
【解決手段】 放射線の効率的な生成のために必要なターゲット材料の量のみがプラズマ生成を実現するように、相互作用チャンバ４に質量制限ターゲットの再生可能な連続流を供給することを可能にするターゲット材料を供給する。ターゲット生成装置１が、相互作用チャンバ４の前に置かれターゲットセレクタ３が配置される選択チャンバ４１に通じ、ターゲット経路に沿って、相互作用チャンバ４への出口開口部を有する。ターゲットセレクタ３は、ターゲット生成装置１の規則的な一連のターゲットに必要な個別ターゲット２１を除去するための要素を有し、エネルギビームのパルス周波数に対応する有効なプラズマ生成および放射線生成に必要な個別ターゲット２１のみが、相互作用点６１に入ることができる。 （もっと読む）

ＥＵＶ光源の内部コンポーネント上の、プラズマ生成デブリの影響を減少させるためのシステム及び方法が開示される。１つの態様では、堆積したデブリをミラーから除去するのに十分な温度に、内部多層フィルタ処理ミラーを加熱するヒータを有することができるＥＵＶ測定モニタが提供される。別の態様では、プラズマ生成デブリをＥＵＶ光源コレクタ・ミラーから除去するための、コレクタ・ミラー上の異なる区域において異なるデブリ堆積速度を有するデバイスが開示される。特定の態様では、ＥＵＶコレクタ・ミラー・システムは、Ｌｉデブリと結びついて、コレクタ表面上にＬｉＨを生成する水素源と、コレクタ表面からＬｉＨをスパッタさせるスパッタリング・システムとを含むことができる。別の態様では、制御されたプラズマ・エッチング速度により、デブリをＥＵＶ光源コレクタ・ミラーの表面からエッチングする装置が開示される。
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【課題】デブリによるコレクターの損傷を効果的に抑制することを可能にする極紫外光発生装置を提供する。
【解決手段】放電ガスをキャピラリ１１Ｃに供給する放電ガス導入路１０と、同軸円筒状のキャピラリ１１Ｃが中心部に配置されその周囲は絶縁体で作られたキャピラリ構造体１１と、前記キャピラリ１１Ｃの両端と接続する陽極１２及び陰極１３とを備えており、前記キャピラリ１１Ｃの軸上前方にノズル１７及びデフューザ１８を設け、前記ノズル１７からカーテンガスを送出し前記デフューザ１８で前記カーテンガスを回収するデブリシールド機構を前記キャピラリ１１Ｃの近傍に設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

光を発生する装置は、プラズマ放電領域（１１２）を有し、イオン性媒体を含む室（１０４）を備える。この装置は、さらに、プラズマ放電領域（１１２）の一部を囲む磁気コア（１０８）も備える。この装置は、さらに、エネルギーの少なくとも１つのパルスを磁気コア（１０８）に供給し、プラズマ放電領域（１１２）内に形成されるプラズマに電力を送るためのパルス電力システム（１３６）も備える。プラズマは、局所的高輝度ゾーン（１４４）を有する。
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【課題】放電発生プラズマ（ＤＰＰ）放射線生成デバイスまたはソースの利点を、レーザ発生プラズマ（ＬＰＰ）ソースの利点の多くと組み合わせるＤＰＰ放射線生成デバイスまたはソースを提供すること。
【解決手段】放電に基づいて放射線ソースを生成するデバイスは、陰極および陽極を含む。陰極および陽極の材料を流体の状態で供給する。材料は、デバイスの使用中にプラズマのピンチを形成する。任意選択で、ノズルを使用して材料を供給することができる。陰極および／または陽極は平坦な表面を形成してよい。材料の軌道は細長くてよい。レーザを使用して、放電をさらに容易に引き起こすことができる。レーザは、陰極または陽極へ、または陽極と陰極の間に配置された別個の材料へと誘導することができる。 （もっと読む）

本発明は、感光性レジストに覆われた物体を検査する照射装置に関し、その照射装置は、物体への放射線の経路を横切るシステムのみならず、ＥＵＶ放射線源と、ＥＵＶ放射線源をフィルタリングする光学系と、物体を収容するチャンバとを備える。本発明は、上記の装置を操作する方法にも関する。本発明は、複雑な光学系を用いることなく安価な実験用放射線源を用いて、複数の照射領域への、少なくとも一部同時の、異なった線量の照射ができる限り速く得られることを目的とする。従って、本発明は、シンプルでコンパクトな光学系を備える装置を提供し、照射される物体の前面に閉口可能なダイアフラム開口部を配置し、放射線の経路に少なくとも１つの制御センサーを配置し、放射線量の測定を可能にする。
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【課題】ＥＵＶ光発生器を提供する。
【解決手段】特にプラズマ原料物質がＭＬＭ材料の１つ又はそれよりも多くと反応性であるプラズマ発生ＥＵＶ光源チャンバにおいて使用するための様々な２元層材料を用いるＭＬＭスタックと単一及び２元キャップ層を含むキャップ層とを含むプラズマ発生ＥＵＶ光源光学要素、例えば反射器を形成するための機器及び方法。 （もっと読む）

【課題】レーザ生成プラズマと、パルスレーザビームによる照射のために照射サイトに送出された固形粒子又は液滴又は液滴に埋め込まれた固形粒子の形態の個別のターゲットとを用いるＥＵＶ光の発生のためのシステムを提供する。
【解決手段】選択パルス繰返し数で望ましいターゲット点火サイトに集束されるレーザパルスを供給するパルスレーザと、レーザパルス繰返し数に調整された選択間隔で個別のターゲットを供給するターゲット形成システムと、ターゲット形成システムと望ましいターゲット点火サイトとの中間にあるターゲットステアリングシステムと、ターゲットステアリングシステムがターゲットを望ましいターゲット点火サイトに向けることを可能にする、ターゲット形成システムとターゲットステアリングシステムとの間のターゲットの移動に関する情報を提供するターゲット追跡システムとを含むことができるＥＵＶ光源機器及び方法。ターゲット追跡システムは、レーザ発射制御信号の作成を可能にする情報を提供することができ、かつ、ターゲットの投射送出経路上の点と交差するように向けられた視準光源を含んでそれぞれの点を通るターゲットの通過を検出するそれぞれ対向配置の光検出器を有する液滴検出器、又は座標軸に整列した複数の感光素子の線形アレイを含む検出器を含むことができ、光源からの光は、ターゲットの投射送出経路と交差し、そのうちの１つは、平面遮断検出装置を含むことができる。液滴検出器は、各々が異なる光周波数で作動する複数の液滴検出器、又は視野と視野を撮像するピクセルの２次元アレイとを有するカメラを含むことができる。機器及び方法は、点火時にターゲット点火サイトで又はその近くにプラズマ封じ込み場をもたらす静電プラズマ封じ込み機器を含むことができ、ターゲット追跡システムは、静電プラズマ封じ込み機器の制御を可能にする信号を提供する。機器及び方法は、低圧トラップを備えた中間壁を有してＥＵＶ光の通過を可能にして低圧トラップにわたる差圧を維持する容器を含むことができる。機器及び方法は、パルス駆動されてターゲット追跡システムからの出力を用いて制御することができるプラズマをターゲット点火サイトに閉じ込めるための磁場をターゲット点火サイトの近くに作り出す磁気プラズマ封じ込み機構を含むことができる。 （もっと読む）

リソグラフィ装置が開示される。この装置は、放射線ビームを供給する照明システムと、パターン付与構造体を支持する支持構造体とを含む。このパターン付与構造体は、放射線ビームの断面にパターンを与えるように構成される。この装置はまた、基板を支持する基板支持部と、パターン付与されたビームを基板の標的部分に投影する投影システムと、リソグラフィ装置の少なくとも一部分を使用する際に形成されるデブリ粒子を軽減させるデブリ軽減システムとを含む。このデブリ軽減システムは、磁場を印加し、それによって少なくとも荷電デブリ粒子が軽減されるように構成される。
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