説明

Fターム[4E068CA01]の内容

レーザ加工 (34,456) | 制御目的 (6,558) | ビーム特性 (2,616)

Fターム[4E068CA01]の下位に属するFターム

ビーム出力 (1,121)
パルス (839)
周波数 (298)

Fターム[4E068CA01]に分類される特許

121 - 140 / 358


【課題】熱が周辺部へ拡散することを抑制できる、あるいは熱の影響による接合部材の損傷を低減できる接合方法及びレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】少なくともいずれかがレーザ光に対して透過性を有する第1及び第2の接合部材の間に挟まれた吸光材に加工レーザ光を照射することにより前記吸光材を発熱させつつ、前記加工レーザ光の照射位置の周辺部に保熱レーザ光を照射することにより前記周辺部を保熱し、前記発熱と前記保熱とにより前記吸光材と前記第1の接合部材と前記第2の接合部材との少なくともいずれかを融解させ固化させて、前記第1の接合部材と、前記第2の接合部材と、を接合することを特徴とする接合方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】レーザ加工を行わない待機中はレーザ発振を止めておきながらパルス状のファイバレーザ光の立ち上がりでの異常な高ピークパルスの発生を効果的に防止する。
【解決手段】このファイバレーザ加工装置では、ファイバレーザ光FBの出力が、実質的に零またはその近辺の値からレーザ加工に実質的に影響しない程度の前置レベルまで立ち上がり、該前置レベルまでへの立ち上がりを開始した時(図3の時点t1)から第1の時間(前置パルス幅TB)を経過した後(図3の時点t2)に前置レベルPBからレーザ加工用の所望レベル(PA)まで立ち上がるように、パワーフィードバック制御方式でLD駆動電流ILDを制御し(図3の(e))、これによってファイバレーザ光FBの立ち上がりに際して高ピークパルスHPの発生を効果的に防止する(図3の(f))。 (もっと読む)


レーザマイクロ加工されるターゲット金属試料のターゲット面上に生じた金属破片を捕捉して除去する方法は、レーザ切断ヘッド出力ノズル周囲の直近領域を覆うバリアを提供して排出された破片を捕捉するステップ、真空排出口から破片を排出するステップ、を有する。この破片管理手法を実装した望ましいシステムは、リング状に構成されたフレキシブルファイバーブラシの形態のバリアを備える。このバリアは、ターゲット試料にレーザビームが入射するターゲット領域周囲の局所領域内で、排出された破片を捕捉する位置に配置されている。リングブラシは溶融金属に対して頑丈な金属でできている。高流速で金属試料のターゲット面に沿って流れる不活性ガスは、リングブラシが捕捉した排出表面破片を真空排出口に運搬する。 (もっと読む)


これらの問題によりよく対応するために、1つ又は複数の特性が、工作物(28)から測定される。前記測定情報は、ルックアップテーブルから好適な所定のレーザ加工レシピを選択するのに使用される。次に、レーザ加工レシピは、工作物(28)を加工するのに使用される。 レーザ加工レシピのルックアップテーブルは、理論的な計算から、操作者による試行錯誤から、後処理検査を有する自動化された組織的なレシピ修正プロセスから、あるいは、これらまたは他の方法のある組合せから構築することができる。自動化されたプロセスは、操作者エラーを低減することもでき、工作物特性の簡便な追跡に備えて測定値を保存してよい。 (もっと読む)


【課題】Nd−YAGレーザの基本波及び第2高調波を含む所定の波長領域のレーザ光により窒化物半導体基板の表面にマーキングすることを可能とする窒化物半導体基板のマーキング方法及び窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体基板のマーキング方法は、ミラー面である第1の面と、第1の面に対向する第2の面とを有する窒化物半導体基板を準備する基板準備工程と、波長450nmから波長1100nmのレーザ光を第1の面側から照射して、レーザ光が照射された領域に、第1の面から第2の面に向かって所定の深さを有するマークを形成するマーキング工程とを備える。 (もっと読む)


レーザビーム(2a,2b,2c)を発することが可能である少なくとも2つのレーザ光源(1a,1b,1c)と、前記レーザビーム(2a,2b,2c)が作業面(7)において少なくとも1つの方向に関して少なくとも部分的にトップハット分布に合致する強度分布(8)を有するように、レーザビーム(2a,2b,2c)に影響を及ぼすことが可能である光学手段とからなり、その際にレーザビーム(2a,2b,2c)は前記光学手段により少なくとも部分的に重ね合わせることができ、さらにレーザビーム(2a,2b,2c)は少なくとも伝播方向(Z)に垂直な方向(X)に関してシングルモード・レーザビームであることを特徴とするビーム形成装置。
(もっと読む)


【課題】略平行な光束であるレーザビームの強度分布を、平行性を維持しつつ変換させ、高出力レーザにも対応可能であるレーザ強度分布変換装置を実現する
【解決手段】略平行光であるレーザビームを直角プリズム3に入射させ、斜面で全反射させる。直角プリズム3の斜面には、凸レンズ4の凸面がエバネッセント光を発生させる近距離で対向しており、凸レンズ4の凸面形状に応じたレーザ強度分布を有する内部反射光を得ることができる。2つの光学素子3,4の少なくとも1方を動的あるいは静的に変位させることでレーザ強度分布を自在に調整することができる。また、全反射現象を利用するため高出力レーザにも対応できる。 (もっと読む)


【課題】被加工物の厚さにバラツキがあっても被加工物の表面から所定の深さ位置に正確に加工を施すことができるレーザー加工装置レーザー加工装置を提供する。
【解決手段】高さ位置検出手段8は加工用レーザー光線の波長と異なる波長の検出用レーザー光線を発振する検出用レーザー光線発振手段80と被加工物の上面で反射した検出用レーザー光線の反射光を分析し分析結果を制御手段に送る反射光分析手段85とを具備しており、検出用レーザー光線の集光点位置と加工用レーザー光線の集光点位置を変位せしめる集光点位置変位手段82を備えている。 (もっと読む)


半導体ウエハまたは他の材料のような加工対象物をレーザで加工するステップは、所定の時間パルスプロファイルに関連付けられたターゲット分類に対応する加工ターゲットを選択するステップを有する。時間パルスプロファイルは、第1期間を定義する第1部分、第2期間を定義する第2部分を有する。方法は、時間パルスプロファイルにしたがってレーザパルスを整形するように構成されたレーザシステム入力パラメータに基づきレーザパルスを生成するステップ、生成され多レーザパルスを検出するステップ、生成されたレーザパルスを時間パルスプロファイルと比較するステップ、比較結果に基づきレーザシステム入力パラメータを調整するステップ、を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、短時間かつ低コストで水素吸蔵機能を有する金属材の表面にナノメートルオーダーの微細加工を施す方法を提供し、高効率水素吸蔵金属材の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の高効率水素吸蔵金属材の製造方法は、水素吸蔵機能を有する金属材の表面にフェムト秒レーザを照射し、該照射によって水素吸蔵機能を有する金属材の表面に微細周期構造を形成させるものである。水素吸蔵機能を有する金属材の表面に微細周期構造が形成されることにより、効率的に大量の水素を貯蔵することができる。 (もっと読む)


レーザと光学機器を使用することにより曲線軌跡に沿って板ガラスに切り込み線を入れて板ガラスを分離するためのシステムと方法が開示される。本システムは、レーザビームを生成するレーザ、集束レンズ、および円錐レンズまたは反射円錐ミラーなどの円錐形光学部品を含む。レーザは、板ガラスをそれに沿って分離することができる曲線状の切り込み線を生成するように、板ガラス上に投射される曲線状の切り込み線を生成するために、集束レンズと円錐レンズを通過するようにレーザビームを方向づける。場合により、レーザは、レーザビームを集束レンズを通過するようにして円錐ミラーに向けて方向づけて、レーザビームは曲線状の切り込み線を生成するように円錐ミラーから板ガラス方向に反射される。
(もっと読む)


【課題】サファイア基板を低密度レーザー光線でスクライブする。
【解決手段】サファイア基板のレーザー光線によるスクライブ加工方法において、レーザー光線がサファイア基板領域外からサファイ基板領域に入る食い付きの部分を超音波Qスイッチによる高密度照射で加工をし、次にCWレーザにより低密度照射でスクライブするサファイア基板のスクライブ加工方法とする。 (もっと読む)


【課題】基板の分割を所望の外形精度を得ながら分割することができる基板分割方法及び基板分割装置を提供する。
【解決手段】割断しようとする基板1の表裏の一方の面に、メカニカルスクライブ装置によってローラ刃を押圧させてスクライブ溝4を形成し、基板の他方の面に、レーザスクライブ装置によってレーザ光を照射してスクライブ溝4に対向する改質領域5を形成し、スクライブ溝4及び改質領域5の形成部に外力を加えて前記基板を分割する。 (もっと読む)


光学的に透明な材料の超短パルスレーザ処理のための方法、デバイス、及びシステムが、スクライビング、マーキング、溶接、及び接合における例示的な用途に関して開示される。例えば、超短レーザパルスは、材料にわたるレーザビームの1回のパスによってフィーチャをスクライブし、スクライブフィーチャの少なくとも1つのフィーチャは材料の表面下に形成される。超短パルスレーザ処理条件をわずかに修正することによってサブ表面マークを生成する。適切に配列されると、これらのマークは正しく位置合わせされた照明によって明瞭に見える。反射マークもまた、レーザパラメータの制御によって形成される可能性がある。ガラス以外の透明材料を使用し得る。透明材料を溶接する方法は超短レーザパルスを使用して局在化した加熱を通して接合を生成する。透明材料処理の一部の実施形態では、多焦点ビーム発生器は透明材料に対して深さ方向に離間した複数のビームウェストを同時に形成し、それにより処理速度を高める。
(もっと読む)


【目的】熱伝導率が小さい上側部材で溶接箇所近傍が小熱容量体の場合でも、高い接合強度を得ることができるレーザ溶接方法および半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】下側部材1に熱容量の小さな上側部材5を重ね合わせてレーザ熔接する場合に、レーザ熔接箇所6の近傍に熔接時に発生する熱を抜き取る伝熱プローブ8を押し当てることで、熔接部9の溶け上がりを防止して、接合面積を確保し、高い接合強度を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】GaN系半導体ウエハをチップへと分断するための新たな方法を、GaN系素子の製造方法に対して提供すること。
【解決手段】ウエハー基板1の一方の面1a上に、分断後にGaN系素子として機能する素子部を形成し、ウエハー基板1の裏面1bの側または上面1aの側から、該基板の内部に集光点を合わせてレーザ光Lを照射し、分断予定ライン3に沿ってウエハー基板1の内部に、分断に利用可能な改質領域4を形成し、その後、ウエハー基板の他方の面を研削および/または研磨してその厚さを薄くし、先の領域4を利用してチップへと分断する。改質領域4は、基板を研削・研磨しても、除去されない深さに形成する。 (もっと読む)


【課題】レーザ光を効率良く使用しつつも、収束レンズの球面収差を小さく抑えることができるレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置10は、レーザ光源12からのレーザ光Lの全てを屈折させることで該レーザ光Lをその光軸Aを中心とする円環状に成形するレーザ成形手段としてのレンズユニット20を備え、該レンズユニット20にて成形された円環状レーザCを、収束レンズ23にて1点で収束させてワークWへの加工を行う。 (もっと読む)


【課題】安価な装置によって認識率の高い2次元コードのマーキングを短時間で行なうことができるマーキング装置およびマーキング方法を提供する。
【解決手段】本発明のマーキング装置1は、複数のファイバレーザモジュール2、コネクタ6、複数の光ファイバ12、移動装置14および制御手段15からなる。ファイバレーザモジュール2は2次元コードCのどちらか1次元のセルCaの個数分だけあり、光ファイバ12の出光端10aは、その1次元方向に配列されている。移動装置14は、光ファイバ12の出光端10aの列と直交方向MDにワークWを移動させる。これより、光ファイバ12の出光端10aからレーザ光LZが出光すれば、2次元コードCがワークWにマーキングされる。 (もっと読む)


【課題】 ダイヤモンド本体に影響を与えることなく線状あるいは面状に加工切断可能なダイヤモンドの加工方法および装置を提供する。
【解決手段】 LD励起近赤外線レーザ11からのレーザ光21を高調波変換器12により高調波変換して波長266nmの波長変換レーザ光22を得、この波長266nmの波長変換レーザ光22をガルバノスキャナ14で走査レーザ光23に変換し、円形fθレンズ13で収束して収束レーザ光24として集光する。収束レーザ光24はダイヤモンド15に入射され、ダイヤモンド15に含有されている固溶窒素に吸収されて、ダイヤモンド15はアブレーションや蒸発によって熱エネルギー加工される。 (もっと読む)


【課題】 レーザ加工用治具において、レーザ光によるダメージを受け難く高寿命とすること。
【解決手段】 固体レーザ光Lにより加工される被加工物Wを載置するレーザ加工用治具1であって、台座部2と、該台座部2上に設置され被加工物Wを載置する金属パッド部3と、を備え、該金属パッド部3が、固体レーザ光Lの波長以下の面精度を有している。これにより、固体レーザ光Lに対する反射率が大幅に向上し、固体レーザ光Lの照射によるダメージを受け難くなって高寿命化を図ることができる。 (もっと読む)


121 - 140 / 358