【課題】高次シラン化合物にドーパントソースを混合して加熱するとき、大気圧下におけるドーパントソースの蒸発温度がドーパントソースの分解温度より低いため、分解する前に蒸発してしまい、高次シラン化合物内に残留する率が低下するという問題があった。
【解決手段】ドーパントソースと高次シラン化合物とを有する液体材料の温度を容器中で加圧雰囲気下にて第１温度から第２温度に上昇させる第１工程を含む、ことを特徴とするドープシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）

本発明の対象は、一般式（１）：Ｓｉ（ＳｉＲ₃）₄のネオペンタシランの製造方法であり、この方法では一般式（２）：Ｒ₃Ｓｉ−（Ｓｉ−）_xＳｉＲ₃［式中、ＲはＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから選択されており、Ｘは負ではない整数〜５である］のケイ素化合物を、エーテル化合物（Ｂ）の存在下で反応させる。 （もっと読む）

一般式Ｈ−（ＳｉＨ_２）_ｎ−Ｈ（式中、ｎ≧２である）の高級ヒドリドシランの製造方法において、−１種又は複数種の低級ヒドリドシラン−水素、及び−周期律表の第ＶＩＩＩ属遷移金属の元素及びランタニドを含む１種又は複数種の遷移金属化合物を、５バールを上回る絶対圧で反応させ、その後減圧し且つ得られた反応混合物から高級ヒドリドシランを分離する、高級ヒドリドシランの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高温で熱処理を施すことなく、結晶性の高い良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を調製（Ｓ１０１）したのち、基体の上にポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０２）し、この塗布膜を加熱する（Ｓ１０３）ことにより、シリコン膜を形成する。これにより、高温で加熱せずに、塗布膜中においてシリコンの結晶化が促進される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、鉄シリサイドナノワイヤの製造方法に関する。
【解決手段】本発明の鉄シリサイドナノワイヤの製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、鉄板を提供し、該鉄板を前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガスを導入し、該反応室を６００℃〜１２００℃程度に加熱して、前記鉄板に鉄シリサイドナノワイヤを生長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコンナノ構造体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明のシリコンナノ構造体の製造方法は、ヒート炉及び反応室を含む生長装置を提供する第一ステップと、触媒材料及び生長基板を提供し、該触媒材料及び該生長基板を分離して、前記反応室に置く第二ステップと、前記反応室に珪素ガス及び水素ガスを導入し、該反応室を５００℃〜１１００℃に加熱して、前記生長基板にシリコンナノ構造体を生長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の一表面側に、アモルファスシリコン膜中に多数の微結晶シリコンを含んでいる微結晶シリコン薄膜２１を形成する微結晶シリコン薄膜形成工程（核形成工程）を行い（図１（ａ））、その後、微結晶シリコン薄膜２１中の微結晶シリコンを核として柱状シリコン結晶（柱状結晶）３１ａを成長させることにより多数の柱状シリコン結晶３１ａの集合体からなる多結晶シリコン薄膜（多結晶薄膜）３１を形成する多結晶シリコン薄膜形成工程（結晶成長工程）を行う（図１（ｂ））。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０内でシラン系ガス及び水素ガスからプラズマを形成してターゲット基板１００上にシリコン膜を形成してシリコンスパッタターゲットを得、これをチャンバ１へ外気に触れさせることなく搬入配置して、チャンバ１内でスパッタリング用ガスからプラズマを発生させ、該プラズマでターゲットのシリコン膜をケミカルスパッタリングして基体Ｓ上にシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板に塗布する場合の濡れ性、沸点および安全性の観点から分子量のより大きなシラン重合体、特に、良質なシリコン膜を容易に形成することができる組成物を提供する。
【解決手段】 光重合性を有するシラン化合物に、特定波長領域の光線を照射して光重合して得たシラン重合体を含有するシリコン膜形成用組成物並びにこの組成物を、基板に塗布し、そして熱処理および／または光処理を行うシリコン膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】緻密で良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シラン化合物を含む溶液を調整（Ｓ１０１）したのち、基体の上にシラン化合物を含む溶液を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０２）し、この塗布膜を熱処理（Ｓ１０３）したのち、加圧処理（Ｓ１０４）することにより、シリコン膜を形成する。これにより、塗布膜中のシラン化合物が分解され、ケイ素原子とケイ素原子との結合およびケイ素原子とケイ素原子以外の原子との結合を解裂し、ケイ素原子とケイ素原子との結合が再構築される。 （もっと読む）

本発明は、分子式Ｓｉ_ｘＧｅ_ｙＨ_ｚ−ａＸ_ａの化合物と、この化合物を調製するための方法と、本発明の化合物を用いてシリコン基板上に高Ｇｅ含有量のＳｉ膜を堆積させるための方法とを提供する。ここで、Ｘはハロゲンであり、ｘ、ｙ、ｚ、およびａは、本明細書において規定される。
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【課題】電力原単位が低く、低コストで効率よくシリコンを製造することが可能なシリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】円筒のルツボ本体２と蓋部３とにより構成された反応容器１に原料用のシリコンＡを投入し、次いで、シリコンＡを１０００℃以上かつシリコンの融点以下の温度に加熱し、この加熱されたシリコンに、蓋部３に設けられた原料ガス導入管４によりシラン系ガス、シラン系ガス及び水素ガス、のいずれかの反応ガスＧを通流させてシラン系ガスの分解または還元により生じたシリコンを原料用のシリコンＡの表面に成長させ、次いで、反応容器１から蓋部３を取り外し、反応容器１内のシリコンをその融点以上の温度にまで加熱することにより溶融、落下させて回収する。 （もっと読む）

【課題】液相プロセスを用いて、安定かつ所望な膜厚の膜を形成することができる高次シラン組成物、かかる高次シラン組成物により製造される膜付基板の製造方法、膜付基板を備える電気光学装置および電子デバイスを提供すること。
に関するものである。
【解決手段】高次シラン組成物は、高次シラン化合物と、置換または無置換の炭化水素系溶媒を含む溶媒とを含有し、前記溶媒として、前記高次シラン化合物が溶解し得るように、屈折率が１．５３以上のものを選択する。また、炭化水素系溶媒は、比誘電率が１０以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

高度に均一なシリコン／ゲルマニウムナノ粒子が、望ましい小さな二次粒子サイズを有する安定な分散物に形成されることができる。シリコン／ゲルマニウム粒子は、分散物を形成するために表面改質されることができる。シリコン／ゲルマニウムナノ粒子は、粒子特性を変化させるためにドーピングされることができる。分散物は、適切な／用途のためのインクとして印刷されることができる。分散物は、光起電力電池の形成のため又は印刷された電子回路の形成のためなどの、選択的にドーピングされた半導体材料の堆積物を形成するために用いられることができる。
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【課題】製造コストの低減を図ることができ、高純度シリコンを安定して量産することができる高純度シリコン製造方法および高純度シリコン製造装置を提供する。
【解決手段】アークプラズマジェット発生装置１１は、プラズマジェットを発生させるジェット発生部２１と、ジェット発生部２１で発生させたプラズマジェットにフッ素系珪素ガス（ＳｉＦ_４）またはシランガス（ＳｉＨ_４）を供給するシリコンガス供給部２３と、プラズマジェットを外部に噴射する噴射口２１ｂとを有している。拡散抑制手段１２がプラズマジェットの拡散を抑制するよう噴射口２１ｂから噴射方向に伸びて設けられている。捕集手段１４が拡散抑制手段１２を通過したプラズマジェットから、フッ素系珪素ガスまたはシランガスの分解により生成されたシリコンを捕集するよう拡散抑制手段１２の噴射方向の前方に設けられている。 （もっと読む）

本発明はナノワイヤー成長用システム及び方法に関する。１態様では、１個以上の核生成粒子を堆積した基板材料を反応チャンバーに準備する段階と、基板材料の表面の洗浄を助長するエッチャントガスを第１の温度で反応チャンバーに導入する段階と、核生成粒子を少なくとも第１の前駆体ガスと接触させ、ナノワイヤー成長を開始する段階と、合金液滴を第２の温度まで加熱することにより、核生成粒子の部位にナノワイヤーを成長させる段階を含む、エピタキシャル垂直配向ナノワイヤー成長法を含むナノワイヤー成長及びドーピング方法を提供する。テーパーの小さいナノワイヤーを提供するために、ワイヤーの成長中にもエッチャントガスを反応チャンバーに導入することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、塗料、ゴム、樹脂、成型材料等の高分子材料の強度、靭性、衝撃強さ、熱安定性など物理機械性能（例えば耐光老化性、耐水性、耐油性、耐薬品性、耐汚染性、付着防止性、耐摩耗性、撥水性、流動性など）の改善のために配合される種々の疎水性の有機材料との相溶性を向上させるために高分子材料フィラーとして用いられ、高い疎水性を持つポリマー被覆シリカを提供することにある。
【解決手段】 親水性シリカを（Ａ）一般式（１）（式中、Ｒ^１は炭素数１〜４のアルキレン基、Ｒ^２は炭素数１〜４のアルキレン基、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ｎは０〜５の整数である。）で表されるアミノアルキルシラン化合物で処理し、さらに（Ｂ）エチレン性不飽和カルボン酸を構成単位として含む重合体で処理して得られることを特徴とするポリマー被覆シリカ。
【化１】
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【課題】粗大な粒子や凝集した粒子を殆ど含有しておらず、シャープな粒度分布を有しており、樹脂等への分散性に優れた乾式シリカ微粒子を提供する。
【解決手段】上記乾式シリカ微粒子は、多重管構造のバーナを使用し、分子中にハロゲンを含まないシロキサン化合物のガスと酸素ガスとを酸素比が０．３〜１．５となる割合で含む混合ガスバーナの中心管１に供給し、且つ可燃性ガスを前記バーナの中心管の外側の第１環状管３に供給して燃焼を行うことにより製造され、この乾式シリカ微粒子は、ＢＥＴ比表面積が２０〜５５ｍ^２／ｇであり、且つ該シリカ微粒子を１．５重量％濃度で含有する水懸濁物の波長７００ｎｍの光に対する吸光度τが下記式（１）： τ≦２４０Ｓ^−１．４−０．０７ （１）（式中、Ｓは、乾式シリカ微粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ^２／ｇ）である）を満足する。 （もっと読む）

多結晶シリコンを作製するためのプラズマ堆積装置は、未堆積ガスを回収する排気システムを有する、多結晶シリコンを堆積させるためのチャンバと、堆積ゾーンを定める堆積表面を有するターゲット基板を保持するため堆積チャンバ内に位置する支持体と、堆積チャンバ内に位置し且つ支持体から離間して配置された、少なくとも１つの誘導結合プラズマトーチとを含み、少なくとも１つの誘導結合プラズマトーチは、堆積表面に実質的に垂直なプラズマ火炎を発生させ、プラズマ火炎は、堆積表面に多結晶シリコンの層を堆積させるため少なくとも１つの前駆体ガス源を反応させて多結晶シリコンを生成する反応ゾーンを定める。 （もっと読む）

ケイ素前駆体の組み合わせを用いたエピタキシャルに配向したナノワイヤを成長させる方法、および配向したナノワイヤを成長させるためのパターン形成された基板の使用を含む、ナノワイヤを成長させ、ドープし、収集するシステムおよび方法が提供される。犠牲成長層を使用することによってナノワイヤの質が向上する。ナノワイヤを１つの基板から別の基板に移動する方法も提供される。本発明のプロセスで使用される基板材料は、結晶またはアモルファスであってよい。 （もっと読む）