【課題】薄膜太陽電池に多元系硫化物薄膜を用いる際に好適な電気伝導性・強度を有する裏面電極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ニッケルとシリコンを同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することでＮｉＳｉ_２薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。あるいは、ニッケルとシリコンを同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面にＮｉＳｉ_２と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。 （もっと読む）

【課題】高効率で、且つ高容量の非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】本発明の非水電解質二次電池は、正極と、負極と、非水電解質とを備え、前記負極は、負極集電体と、前記負極集電体の上に形成された負極活物質含有層とを含み、前記負極活物質含有層は、ケイ素と、酸素と、水素とを構成元素として含む負極活物質を含み、前記酸素の前記負極活物質中での含有量は、前記ケイ素に対して原子比で０．５以上１．５以下であり、前記負極活物質を構成する水素は、前記負極活物質を構成する酸素と結合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エネルギー効率に優れ、ナノ粒子を低コストで製造可能なナノ粒子の製造方法およびその製造方法に好適なナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】例えば、電磁波を透過する材料からなる中空状の反応器（１１）と、その内部に原料ガスを供給する原料供給手段（１５）と、反応器（１１）中の原料ガスに高周波交番磁界を印加する高周波誘導コイル（１２）とを備えた装置（１０）を用い、反応器（１１）内に導入した原料ガスに高周波交番磁界を印加またはマイクロ波を照射し、原料ガスを分解および／または反応させてナノ粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 従来の薄膜誘電体は、薄膜化することにより特性が劣化する。
【解決手段】 ナノグラニュラー構造を有する薄膜誘電体：（イ）組成：一般式Ｆｅ_ａＣｏ_ｂＮｉ_ｃＭ_ｗＮ_ｘＯ_ｙＦ_ｚ，Ｍ成分はＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ及び/又はＴａ，組成比ａ,ｂ,ｃ,ｗ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率（％）で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，1０＜ａ+ｂ+ｃ＜６０，１０≦ｗ≦５０，０≦ｘ≦５０，０≦ｙ≦５０，０≦ｚ≦５０，２０≦ｘ+ｙ+ｚ≦７０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である；（ロ）構造：Ｆｅ，Ｃｏ及び/又はＮｉからなり、かつｎｍサイズを有する金属グラニュールが、Ｍ成分とＮ，Ｏ及びＦの少なくとも1種とからなる絶縁体マトリックスに分散している。 （もっと読む）

【課題】１ナノメートルよりも細い微細ワイヤを提供する。
【解決手段】２４個のシリコン（Ｓｉ）原子のみからなり、六角形かつ平行対峙する２個の平行面と１２個の五角形の面とからなる１４面体構造のクラスタを、内部エネルギが最小化するように各シリコン（Ｓｉ）原子の位置を調整して複数連結してなる。 （もっと読む）

【課題】基板にシリコン薄膜を形成する際、従来のプラズマ処理装置に比べて純度の高いシリコン薄膜を形成することのできる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、減圧状態の成膜空間を形成する成膜容器と、前記成膜空間に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記原料ガスが供給された前記成膜空間で、電磁波を用いてプラズマを生成させるプラズマ生成素子と、を有する。前記プラズマ生成素子は、前記成膜空間と隔壁で隔てられた空間に設けられ、前記隔壁の前記成膜空間に接する表面には、シリコンを主成分とする隔壁基材が設けられている。 （もっと読む）

【課題】充放電時の体積変化による影響を緩和して、良好な充放電サイクル特性を発現することが可能なリチウムイオン二次電池用負極活物質を提供する。
【解決手段】少なくともシリコンと酸素とを構成元素中に含む物質からなるリチウムイオン二次電池用の負極活物質であって、厚みが３０〜５００ｎｍであり、かつ、平均長径／厚みの比が１０〜１００である鱗片状の粉末からなり、酸素含有量が５〜３８ｗｔ％であるようにした。 （もっと読む）

【課題】成膜時にスプラッシュの発生を抑えてガスバリア性に優れた蒸着膜の形成が可能な蒸着材として、また、初期効率を高く維持できるリチウムイオン二次電池用負極活物質として好適なＳｉＯ_xを提供する。
【解決手段】昇温脱離ガス分析において、２００〜８００℃の温度範囲で検出されるＨ₂Ｏガス発生量が６８０ｐｐｍ以下であることを特徴とするＳｉＯ_x。Ｈ₂Ｏガス発生量は４２０ｐｐｍ以下であることが望ましい。また、Ｘ線回折により得られたグラフにおいて、２θ＝２８°付近に発生するＳｉピーク点におけるピーク強度Ｐ１と、ピーク点前後の平均勾配から想定したピーク点におけるベース強度Ｐ２が、（Ｐ１−Ｐ２）／Ｐ２≦０．２を満足することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】バイオスクリーニングにおいて標的物質を回収するために用いる構造体であって、加工性が高くまたは融点が低くかつ密度が小さなシリコンを用いて、表面積が大きくかつ磁気特性を帯びたシリコン構造体を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材１１のシリコンを主成分とする表面に直接接合された二酸化珪素を主成分とする複数の繊維状突起物１２とを備えたシリコン構造体１０であり、繊維状突起物１２に磁性体を担持させた。二酸化珪素からなる複数の繊維状突起物１２を互いに絡み合うように密集して形成させることにより、表面積を増大しかつ、繊維状突起物１２に磁性体１３を担持させることにより磁気分離が可能で高効率な回収を可能とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、複数の生体分子を同時に効率よく検出可能であり、かつ生体に悪影響を与えることなく安全性に優れた生体物質標識剤、を与える半導体ナノ粒子、それを用いた生体物質標識剤、生体物質標識剤のセットおよび生体分子検出方法を提供することにある。
【解決手段】半導体母材中にドープ剤を含有する半導体ナノ粒子であって、粒子の平均粒径が０．１〜２０．０ｎｍであり、波長２８５ｎｍの励起光により該ドープ剤が発光し、かつ波長３６５ｎｍの励起光により該半導体母材が量子サイズ効果により発光することを特徴とする半導体ナノ粒子。 （もっと読む）

【課題】分散性に優れ、発光強度が安定した半導体ナノ粒子を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に成膜された半導体ナノ粒子含有膜において、成膜された膜の化学的処理の前後におけるｎｄ値（半導体ナノ粒子含有膜の膜厚をｄ、屈折率をｎ）の変化率が０．３〜２０．０％であることを特徴とする半導体ナノ粒子含有膜。 （もっと読む）

本発明は、光輝性シリコンナノパーティクルに、表面機能、例えばアミン基や、ラベル付けの応用のための生物学において特にそれらの使用を助けるや他の基を与えるための処理に関する。ナノパーティクルに、これらの機能、特に水性媒質内での溶解に対する保護を与える表面コーティングを生成するために、次いで、反応がナノパーティクルに適用される。本発明の意味における方法は、このコーティング反応の前に、その表面でのＳｉ−ＯＨタイプ結合の生成を助けるシリコンナノパーティクルの不動態化を含み、このタイプの結合は、表面基として、特に、アミン、チオール、ポリエチレングリコールを含む多数の機能を得ることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ細孔膜、かかるナノ細孔膜を製造する方法、およびその使用を提供する。
【解決手段】膜を製造する方法では、フォトリソグラフィーがコロイドリソグラフィーと組み合わされて使用され、これによってナノサイズ細孔を短時間で大規模に製造できる。結果として生じる膜の細孔は狭いサイズ分布を有し、無作為に配置される。さらに、細孔間距離は変化をほとんど示さない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ニッケルシリサイドナノワイヤの製造方法に関する。
【解決手段】本発明のニッケルシリサイドナノワイヤの製造方法は、表面に二酸化珪素層が形成されたシリコン基板を提供する第一ステップと、前記シリコン基板に形成された二酸化珪素層の表面にチタン層を形成する第二ステップと、生長装置を提供し、前記チタン層が形成されたシリコン基板を前記生長装置に置き、該生長装置を５００℃〜１０００℃に加熱する第三ステップと、前記シリコン基板の表面にニッケルクラスターを形成し、ニッケルシリサイドナノワイヤを生長させる第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ナノ粒子蛍光体（ナノメートルサイズの半導体物質の蛍光体粒子）として、公知例では得られない、好適な、高輝度、単分散のシリコンナノ粒子、それを含有するシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜、シリコンナノ粒子溶液、およびシリコンナノ粒子を標識材とした分子観察方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板上に成膜された、シリコンナノ粒子を含有するシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜において、該シリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜の表面粗さＲｙが１０．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下であることを特徴とするシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜。 （もっと読む）

複数の低次元構造体を有する構造体を製造する方法であって、２つ以上の低次元構造体を基板に接続させるフレキシブル素子（１ｂ、１４）を設けるステップを含む。フレキシブル素子によって、低次元構造体は、例えば、基板に対して略平行になるように再配向する。それに加えて、またはそれの代わりに、フレキシブル素子によって、互いに並んでいない低次元構造体は、同じ方向に配列する。
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【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０内でシラン系ガス及び水素ガスからプラズマを形成してターゲット基板１００上にシリコン膜を形成してシリコンスパッタターゲットを得、これをチャンバ１へ外気に触れさせることなく搬入配置して、チャンバ１内でスパッタリング用ガスからプラズマを発生させ、該プラズマでターゲットのシリコン膜をケミカルスパッタリングして基体Ｓ上にシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

前駆体ガスからＩＶ族半導体ナノ粒子の組を生成するためのプラズマ処理装置が開示される。この装置は、外側チューブ内面と外側チューブ外面とを含み、外側チューブ内面は外側チューブ内面エッチング速度を有する、外側誘電体チューブを含む。この装置はまた、内側チューブ外面を含み、外側チューブ内面及び内側チューブ外面は環状チャネルを定め、さらに内側チューブ外面は内側チューブ外面エッチング速度を有する、内側誘電体チューブも含む。この装置は、外側チューブ外面上に配置された第１の外側電極内面を有する、第１の外側電極をさらに含む。この装置はまた、内側誘電体チューブの内部に配置され、第１のＲＦエネルギー源が第１の外側電極及び第１の中央電極の一方に加えられたとき、第１の外側電極に結合されるようにさらに構成された第１の中央電極と、第１の外側電極と第１の中央電極との間に定められた第１の反応域とを含む。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。具体的に、本発明は、薄膜トランジスタにおいて、半導体層のチャネル物質としてＳｉを含む酸化亜鉛系物質を用いる薄膜トランジスタおよびその製造方法に関する。また、本発明は、チャネル物質の蒸着後にプラズマ窒化工程および酸素熱処理工程を経る薄膜トランジスタの製造方法に関する。さらに、本発明は、基板、ゲート電極、絶縁層、半導体層、ソース電極、およびドレイン電極を含む薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層が、Ｓｉを含む酸化亜鉛系半導体チャネル物質を含む薄膜トランジスタに関する。
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