【課題】超電導層に剥離が部分的に発生した場合であっても、剥離が超電導層全体に伝搬することを抑制できる超電導線材の提供。
【解決手段】本発明の超電導線材１０は、基材１１と、基材１１の上方に設けられた中間層１５と、中間層１５の上方に設けられた酸化物超電導層１７と、を備えて超電導積層体Ｓ１が構成され、超電導積層体Ｓ１の酸化物超電導層１７の表面側または基材１１側から、少なくとも酸化物超電導層１７とその下の層との界面Ａまで貫通するように超電導積層体Ｓ１の幅方向および長さ方向に分散形成された複数の貫通孔５と、酸化物超電導層１７とその下の層との界面Ａにおける貫通孔５の近傍に形成された界面反応部７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】拡散ブロッキング構造、透明導電構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電構造は、基板ユニット、第１のコーティングユニット、拡散ブロッキング構造、第２のコーティングユニット、第３のコーティングユニット及び導電ユニットを備える。基板ユニットは、プラスチック基板を有する。第１のコーティングユニットは、プラスチック基板上に形成された第１のコーティングを有する。拡散ブロッキング構造は、第１のコーティングに形成され、複数の第１の酸化層を有する第１の酸化ユニットと、複数の第２の酸化層を有する第２の酸化ユニットを備え、前記複数の第２の酸化層と前記複数の第１の酸化層とは交互に積層されている。第２のコーティングユニットは、拡散ブロッキング構造に形成された第２のコーティングを有する。第３のコーティングは、第２のコーティングに形成された第３のコーティングを有する。導電ユニットは、第３のコーティング上に形成された透明導電構造を有する。 （もっと読む）

【課題】反応生成物や分解物がノズル内壁に堆積するのを抑えるとともに、異物が処理室内に飛散するのを抑える。
【解決手段】
処理室と、加熱ユニットと、原料ガス供給ユニットと、原料ガスノズルと、排気ユニットと、少なくとも加熱ユニット、原料ガス供給ユニット、排気ユニットを制御する制御部と、を有し、原料ガスノズルは、処理室内の温度が原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で原料ガスが分解しないような処理室内の所定位置に配設され、制御部は、異なる流速で互いに混合させないよう処理室内に原料ガスを供給する処理を含むサイクルを所定回数実施させる。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたＭｇＯ薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭｇＯ薄膜の製造方法は、加熱工程と堆積工程からなる、強磁性体上へのＭｇＯ薄膜の製造方法であり、前記加熱工程は、２００℃以上の温度において実施され、前記堆積工程は、ＭｇＯとＭｇＦ_２からなるターゲットをスパッタリングすることにより実施され、前記ターゲットにおいて、前記ＭｇＯに対する前記ＭｇＦ_２の概算仕込み量が、２．３原子パーセント以上、７．０原子パーセント以下であることを特徴とする。本構成により、（１００）配向かつ結晶性に優れたＭｇＯ薄膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高くリーク電流の少ない絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層を有し、前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、アルカリ土類金属の中から選ばれた１または２種類以上の元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの中から選ばれた１または２種類以上の元素とを含むアモルファス複合金属酸化物絶縁膜により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームアシストスパッタ法により４回対称ＭｇＯ膜と３回対称ＭｇＯ膜を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、４回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体及び３回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】イオンビームアシストスパッタ法により金属基材上にＭｇＯ膜を成膜する方法において、背圧を０．００１Ｐａ未満として成膜することにより４回対称ＭｇＯ膜を成膜することができ、背圧を０．００１Ｐａ以上として成膜することにより３回対称ＭｇＯ膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により形成される中間層の結晶配向性を高め、かつ、中間層の成膜条件が広範囲となるよう促す特性を有するベッド層を備えた酸化物超電導体用基材及びそれを用いた酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材は、金属基材２１上に、Ｘ_２Ｏ_３酸化物（Ｘは、Ｙｂ、Ｇｄ、Ｈｏ、ＬａまたはＳｍを示す。）、又は、前記Ｘ_２Ｏ_３酸化物とＹ_２Ｏ_３から選択される２種以上が混合された混合酸化物よりなるベッド層２２と、ベッド層２２上にイオンビームアシスト法により成膜された中間層２３とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】中間層の成膜工程を改善することで、所望の超電導特性（例えば臨界電流特性）を実現できるとともに、中間層の薄膜化により超電導線材の生産性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】金属基板上１０にイオンビームアシスト蒸着法により配向層２１を形成し、この配向層の上に緩衝層２２を形成する超電導線材用テープ基材２の製造方法において、配向層に所定の熱履歴を与えることにより配向層の格子歪みを緩和する。具体的には、配向層を２００℃以上１０００℃以下、好ましくは４００℃以上６００℃以下で加熱することにより、配向層に所定の熱履歴を与える。 （もっと読む）

【課題】簡易なプロセスにより、内部にポアなどの欠陥が少ない高品質な焼結体（酸化物セラミックス）を形成することが可能な酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る酸化物セラミックスの製造方法は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｌからなる群から選択される少なくとも一種の金属元素を含む酸化物セラミックスの製造方法である。当該製造方法には、コア部材１８の表面上に、気相合成法を用いて金属元素の酸化物微粒子堆積層を堆積させて微粒子堆積体１９を形成する工程と、上記微粒子堆積体１９を加熱する工程とを備える。上記酸化物セラミックスはスピネル（透光性スピネルセラミックス２０）であることが好ましく、上記加熱する工程の後に微粒子堆積体１９を緻密化する工程を備えることがさらに好ましい。 （もっと読む）

【課題】水酸化マグネシウム粉末から水素化マグネシウム粉末へのリサイクルを可能にする酸化マグネシウム還元方法及び反応装置を提供する。
【解決手段】不活性ガスの熱プラズマを生成するプラズマ反応炉に酸化マグネシウム粉末と、メタン及び／又は水素とを供給し、酸化マグネシウム粉末をマグネシウムにプラズマ還元し、プラズマ還元された気体のマグネシウムを凝縮させることによって、マグネシウム粉末又は水素化マグネシウム粉末の混合物或いは水素化マグネシウム粉末を生成する。反応装置に、プラズマ反応炉と、プラズマ反応炉の上部に設けられた筒状のトーチ電極と、トーチ電極を囲繞するトーチノズルと、プラズマ反応炉の下部に設けられた下部電極と、トーチ電極及び下部電極に電力を供給する電源と、トーチ電極を通じてメタンを供給する第１供給路と、トーチノズルを通じて酸化マグネシウムを供給する第２供給路とを備える。 （もっと読む）

【課題】高集積化および低消費電力化可能な抵抗変化型不揮発性メモリ素子を提供する。
【解決手段】メモリ素子１０は、基板１上に少なくとも電極２ａおよび電極２ｂが配置されており、電極２ａおよび電極２ｂの間に、ＭｇＯなどの無機酸化物ナノワイヤにｐ型半導体であるシェル層が形成されたナノワイヤ構造体３が形成されている。無機酸化物にｐ型酸化物半導体であるシェル層が形成されているため、製造されたナノワイヤ構造体３の表面が酸化され難くなる。ｐ型半導体であるシェル層を構成する無機酸化物としては、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＣｕＯ、Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２などである。 （もっと読む）

【課題】界面を酸素原子終端にすると、価電子バンドオフセットが下がると予想されている（第一原理計算による）が、それを具体的に達成するものを実現することを目的とした。
【解決手段】上記課題を解決するために、電子素子基板において、酸化膜の金属基板との界面が酸素原子により終端されていることを特徴とする手段を採用した。 （もっと読む）

【課題】単量体又は二量体であり、熱的に安定な、易揮発性であり、且つＡＬＤ又はＣＶＤにより製造されるＢＳＴに非常に適したフッ素化されていないバリウム前駆体を提供する。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム若しくはカルシウム又はこれらの混合物からなる群から選択される金属に配位した、一以上の多官能化ピロリルアニオンを含む化合物。あるいは、１つのアニオンは、第二の非ピロリルアニオンと置換されることができる。
新規の化合物の合成法及びＢＳＴフィルムを形成するためのそれらの使用法も考慮される。 （もっと読む）

【課題】耐プラズマ性に優れ、安定した酸化物膜を提供する。
【解決手段】大気開放型ＣＶＤ法により、加熱した基材１０の表面に金属酸化物原料５を吹き付けて酸化物膜を成膜する。その際、ＸＲＲ法によって測定した膜密度が理論密度（ＴＤ）の７５．０〜９８．０％未満の範囲となるように成膜条件を設定する。 （もっと読む）

【課題】低コストで形成可能であると共に低抵抗の導電体基板、導電体基板の製造方法、デバイス及び電子機器を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、結晶成長を制御するシード層と、前記シード層上に設けられ、酸化スズ系透明導電体の結晶からなる導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】低コストで単結晶薄膜を形成することができる薄膜形成方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に薄膜前駆体１３を堆積させる堆積ステップと、テンプレート２０の単結晶部分２２を前記薄膜前駆体１３に対して接触状態とする接触ステップと、前記薄膜前駆体１３のうち前記接触状態にある部分を結晶成長させる成長ステップと、前記テンプレート２０を前記薄膜前駆体１３から剥離させる剥離ステップとを備える。成長ステップでは、接触状態を保持しつつ薄膜前駆体１３を加熱することにより、薄膜前駆体１３のうちテンプレート２０側から基板１１側へと結晶成長を進行させる。剥離ステップにおいては、薄膜前駆体１３に負担を掛けないよう、例えばケミカルリフトオフ法又はレーザリフトオフ法を用いる。以上の方法により、結晶成長用の単結晶基板や複雑な装置を用いることなく、低コストで単結晶薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】超平滑な、膜の深部まで完全に酸化膜となっており、粒径が揃っており、ターゲット基板表面に対して低ダメージでコーティング可能で、ストイキオメトリックな希土類酸化物膜を作製する技術を提供する。
【解決手段】第１の真空度に保持された第１の反応室内で、原子ビーム照射手段により原子状酸素ビームを発生させ、第２の真空度に保持された第２の反応室内で、アークプラズマ発生手段により希土類金属をビーム状に発生させターゲットに蒸着させる工程と同時に、原子状酸素ビームを第１の反応室からオリフィス通路を通して第２の反応室の前記ターゲットに照射させる工程を備え、ターゲット表面に、光の干渉を生じる平滑性を有し、膜の厚さ方向全体にストイキオメトリックな希土類酸化物膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】電子線に励起されると波長２００〜３００ｎｍの範囲にピーク波長を有する紫外光を発光する微細な酸化マグネシウム粉末を工業的に有利に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】マグネシウム蒸気１ｋｇに対して、ハロゲンが０．０１〜５００ｇの範囲にて存在する気体雰囲気下で、マグネシウム蒸気と酸素含有気体とを接触させることにより、マグネシウムを酸化させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の凹凸や亀裂等に金属酸化物薄膜を成膜するための酸化物膜形成方法および酸化物被膜部材を提供する。
【解決手段】大気開放型ＣＶＤ装置を使用し、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）焼結体基板１０へ大気開放型ＣＶＤ法を用いてＹ₂Ｏ₃膜を生成する。Ｙ₂Ｏ₃膜の出発原料としてＹ(ＤＰＭ)₃を用いることで、酸化イットリウム膜を基材に沿って合成でき、基板表面の凹凸の均一化、粒界亀裂等の最奥部までの酸化イットリウム膜の蒸着による埋孔が可能となる。 （もっと読む）

基板に形成された高いアスペクト比を有するキャビティの表面上に、絶縁層をスパッタ堆積するための方法および装置が提供される。絶縁層に含まれる材料から少なくとも一部が形成されるターゲットおよび基板が、ハウジングによって画定される実質的に閉鎖されたチャンバ内に設けられる。実質的に閉鎖されたチャンバ内でプラズマが点火され、少なくとも一部がターゲットの表面の近傍にプラズマを含むように磁界がターゲットの表面の近傍に生成される。カソードとアノードとの間に高出力電気パルスを反復的に確立するように、電圧を急速に上昇させる。電気パルスの平均出力は少なくとも０．１ｋＷであり、任意でより大きくすることができる。スパッタ堆積の動作パラメータは、金属モードと反応モードとの間の移行モードで、絶縁層のスパッタ堆積を促進するように制御される。
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