【課題】メモリー効果を抑制し、急峻な材料ガスの切替え制御が可能で、組成や不純物濃度制御に優れ、ピット密度が低く高品質な結晶成長を行うことができる気相結晶成長装置及び材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】第１の材料ガス及び第２の材料ガスがそれぞれ供給され、互いに上下に分離された第１の材料ガス供給室及び第１の材料ガス供給室の上部に設けられた第２の材料ガス供給室と、第１の材料ガス供給室に隣接して第１の材料ガス供給室の下部に設けられた第１の冷却ジャケット及び第１の冷却ジャケットの下部に配された第２の冷却水ジャケットとからなる冷却器と、冷却器を貫通するとともに第１の材料ガス供給室に連通して第１の材料ガスを噴出する第１の材料ガス通気孔と、冷却器を貫通するとともに第２の材料ガス供給室に連通して第２の材料ガスを噴出する第２の材料ガス通気孔と、を有する。 （もっと読む）

【課題】単結晶組織サイズが微細で且つ均一化された酸化物共晶体を製造できる酸化物共晶体の製造方法及び酸化物共晶体を提供すること。
【解決手段】２種以上の酸化物の融液を収容するルツボ内に設置したダイ１を用いて酸化物共晶体を製造する酸化物共晶体の製造方法であって、ダイ１に形成された経路２を通って吸い上げられ、融液配置面１ａ上に配置された融液３に種結晶１４を接触させる種結晶接触工程と、種結晶１４を引き上げ、酸化物共晶体１５を得る種結晶引上げ工程とを含み、種結晶引上げ工程が、種結晶１４を回転させる種結晶回転工程を含む酸化物共晶体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面平坦性に優れ、かつ高濃度の窒素ドーピングを実現できるＺｎＯ系薄膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】主面の法線が結晶軸から傾斜した酸化亜鉛系基板１上に、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜２を形成するにあたって、少なくとも亜鉛と酸素と窒素を原料ガスとして使用し、これらを７５０〜９００℃の温度条件で基板１に接触させて、基板１表面に、窒素をドープした酸化亜鉛系材料からなる結晶を成長させて窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜２を形成する。原料ガスとしての酸素供給量に対する亜鉛供給量は、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜の亜鉛と酸素のモル比（亜鉛／酸素）が１より大きくなるようにされる。原料ガスとしての窒素は、窒素ガスを高周波で励起することによって発生させた窒素ラジカルを含む。 （もっと読む）

【課題】主成分として有害物質鉛元素を含まずに、強誘電性を示しかつ外部磁場によって分極の大きさを制御可能な新規なマンガン酸化物、およびそのメモリへの利用を提供する。
【解決手段】マンガン酸化物は、ペロブスカイト構造を有する、式（１）Ｓｒ_１−ｘＢａ_ｘＭｎＯ_３（１≧ｘ＞０．４）・・・（１）で表されるマンガン酸化物である。単位格子１の対称中心には磁性イオンであるＭｎイオン３が存在する。単位格子１の対称中心をＭｎサイトとする。単位格子１が有する８個の頂点には、ＳｒイオンおよびＢａイオンのうちいずれか一方が存在している。単位格子１が有する頂点をＳｒサイト２とする。単位格子１が有する６面の面心には、Ｏイオン４が存在する。 （もっと読む）

【課題】大型で且つ１５００℃以上の高温においても高い強度を有する酸化物共晶体を効率よく製造できる酸化物共晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】２種以上の酸化物の融液１３を収容するルツボ３内に設置したダイ１を用いて酸化物共晶体を製造する酸化物共晶体の製造方法であって、ダイ１が融液１３を吸い上げる２以上の経路２を有し、２以上の経路２によって吸い上げられた融液１３を合体させ、合体させた融液１３に種結晶を接触させて引き上げることにより酸化物共晶体を得る酸化物共晶体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ型伝導性のＮドープＺｎＯ系半導体膜の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体膜製造方法は、Ｚｎソースガン、Ｏラジカルガン、Ｎラジカルガン、Ｍｇソースガンを備え、Ｎラジカルガンが、ラジオ周波が印加されｐＢＮまたは石英を用いた無電極放電管を含む結晶製造装置により、ＮドープＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ膜を成長させる方法であって、基板法線方向から見て、膜の成長表面側上方に、Ｚｎソースガン、Ｏラジカルガン、Ｎラジカルガン、Ｍｇソースガンが円周方向に並んで配置されており、ＮラジカルガンとＺｎソースガンのビーム照射方向の方位角同士のなす角θ_ｃを９０°≦θ_ｃ≦２７０°とするとともに、ラジオ周波パワーを、無電極放電管からスパッタリングされたＢまたはＳｉが膜中に取り込まれない程度に低くする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを効率よく製造するために、基体の種類の如何を問わずに効率よく半導体ウエハを製造することができる半導体ウエハの製造方法、ならびにかかる製造方法に好適に用いられる複合基体および複合基板を提供する。
【解決手段】本半導体ウエハの製造方法は、基体１０上に、表面のＲＭＳ粗さが１０ｎｍ以下の基体表面平坦化層１２を形成して複合基体１を得る工程と、複合基体１の基体表面平坦化層１２側に半導体結晶層２０ａを貼り合わせて複合基板３Ａ，３Ｂ，３Ｃを得る工程と、複合基板３Ａ，３Ｂ，３Ｃの半導体結晶層２０ａ上に少なくとも１層の半導体層３０を成長させる工程と、基体表面平坦化層１２をウェットエッチングで除去することにより、基体１０から半導体結晶層２０ａを分離して、半導体結晶層２０ａおよび半導体層３０を含む半導体ウエハ５を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系化合物半導体結晶の加工変質層による欠陥と、結晶固有の欠陥の双方を正確に検出する方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。検出工程は、エッチピットの各々が錐形状ピット及び錐台形状ピットのいずれであるかを判別する判別工程を含み、さらに、錐台形状ピットのエッチピット密度を算出する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】イオン性結晶の表面エネルギーの大小を簡便に比較する方法、および、イオン性結晶の成長方向の評価方法を提供する。
【解決手段】一対の充分広い表面、並びに充分な厚さを備えるイオン性結晶について、その表面に現れるイオンには補正した電荷を、当該結晶の内部に位置するイオンには形式電荷をそれぞれ適用し、且つエワルド法を用いて当該一対の表面を有するイオン性結晶が備える構造のエネルギーを評価すればよい。このようにして最もエネルギーが低い表面を特定することにより、イオン性結晶の結晶成長方向が予測できる。 （もっと読む）

【課題】波長１．０６μｍ域（０．９〜１．１μｍ）でのベルデ定数が大きく、かつ、高い透明性を有する、酸化テルビウムを含む酸化物を主成分として含有する磁気光学材料を提供すること、及び、加工機用ファイバーレーザに好適に使用される小型化した光アイソレータを提供すること。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表される酸化物を９９％以上含有することを特徴とする磁気光学材料。
（Ｔｂ_xＲ_1-x）₂Ｏ₃ （Ｉ）
（式（Ｉ）中、ｘは、０．４≦ｘ≦１．０であり、Ｒは、スカンジウム、イットリウム、テルビウム以外のランタノイド元素群よりなる集合から選択された少なくとも１つの元素を含む。） （もっと読む）

【課題】Ｚｎ極性面（＋ｃ面）を有する酸化亜鉛系基板中の不純物含有量を十分に低減できる酸化亜鉛系基板の処理方法、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛結晶を含有する酸化亜鉛系薄膜、及び該薄膜の形成に好適な、不純物含有量が十分に低減された酸化亜鉛系基板の提供。
【解決手段】一般式「Ｚｎ_ｘＭｇ_１−ｘＯ（式中、ｘは、０＜ｘ≦１を満たす数である。）」で表される組成を有する酸化亜鉛系基板の処理方法であって、前記基板の表面のうち、Ｚｎ極性面（＋ｃ面）をドライエッチングすることにより、化学的に安定な第一の不純物含有層を除去する工程と、前記ドライエッチング面をさらにウェットエッチングすることにより、前記第一の不純物含有層よりも深い位置にある第二の不純物含有層を除去する工程と、を有することを特徴とする酸化亜鉛系基板の処理方法。 （もっと読む）

【課題】高速なリチウムイオン伝導性を有し、平均構造として立方晶系に属したガーネット関連型リチウムイオン伝導性酸化物の単結晶及びその製造方法、並びにそれを部材として使用した電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】ガーネット型リチウムランタンジルコニウム酸化物多結晶体を原料として用い、１１００℃〜１３００℃の温度で部分溶融させ結晶化させる高温での部分溶融法、前記原料を１３０１℃〜１５００℃の温度で溶融させ冷却によって結晶化させる融液成長法、あるいは、リチウム、ランタン、ジルコニウムの各原料化合物の混合物を出発原料とし、リチウム塩をフラックスとして、６００℃〜１３００℃の温度において結晶化させるフラックス法を適用することにより、縦、横、奥行きのうちの少なくとも１辺の長さが１０マイクロメートル以上、１ミリメートル以下である立方晶ガーネット関連型リチウムランタンジルコニウム酸化物の単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】基材上に高純度で高品質な結晶薄膜が形成されており、その結晶特性を充分に発揮することのできる積層体、及びその積層体を従来のフラックス法に比べて、低コストで簡便に形成することができ、大型のものを大量に製造できる簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】積層体は、アルカリ金属とアルカリ土類金属と遷移金属と卑金属との少なくとも何れかの金属の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、塩化物、フッ化物、リン酸塩、アンモニウム塩、及び有機化合物から選ばれる結晶原材料から得られたアパタイト、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、遷移金属含有複酸化物、卑金属酸化物、卑金属含有複酸化物、又はそれらのドーパント含有化合物からなるナノ無機結晶が、基材上に形成され積層している積層体であり、基材にコーティングされた結晶原材料と硝酸塩等のフラックスとが加熱等により結晶成長してナノ無機結晶が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスとして問題なく動作させるために、少なくとも機能的な働きを行うＺｎＯ系半導体層にアルカリ金属が達するのを防止することができるＺｎＯ系基板及びＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】
ＺｎＯ系基板中に存在するアルカリ金属の濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３以下に形成されているので、このＺｎＯ系基板上に結晶成長されるＺｎＯ系半導体に対してアルカリ金属の偏析を防止することができる。また、基板中のリチウム濃度が１×１０^１４ｃｍ^−３を越えるＺｎＯ系基板であっても、その上に形成するＺｎＯ膜の膜厚を５０ｎｍ以上にすることで、このＺｎＯ膜よりも後に形成されるＺｎＯ系半導体層へのアルカリ金属の偏析を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】発光量を増加させた積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】バンドギャップが異なるＺｎＯ系半導体の積層体を製造し、バンドギャップが小さい層をα線や電子線などの電離放射線が侵入できる厚みである５μｍ〜５０μｍにすることで、積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータ１１０の発光量を大幅に増加させる。ＺｎＯ系単結晶の組成は（Ｚｎ_1-x-yＭｇ_xＣｄ_y）Ｏ[０≦ｘ≦０．１４５、０≦ｙ≦０．０７]である。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】異種基板上へＺｎＯ系半導体結晶を高温で成長可能なヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】異種基板４０上に酸化物または窒化物の配向膜からなるバッファ層４２を形成する工程と、バッファ層上にハロゲン化ＩＩ族金属と酸素原料を用いて、ＺｎＯ系半導体層４４，４６を結晶成長する工程とを有するヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル結晶構造、ヘテロエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく、熱応力歪みが生じにくい六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶を提供する。
【解決手段】結晶粒原料を主体とし、水熱成長開始時に１℃／ｍｉｎ以上、６℃／ｍｉｎ以下で昇温し、成長時における育成容器内の上部と下部で下部の温度差が３〜７℃の範囲で水熱成長することによって得られる結晶マイクロドメイン構造Ｄを有する六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶であって、前記六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶は、連続かつ一様な結晶格子を有するマトリックス領域Ｍ内に、該マトリックス領域Ｍとは結晶格子の配列が異なる島状の結晶マイクロドメインＤを含み、該結晶マイクロドメインＤ内のｃ軸が、前記マトリックス領域Ｍのｃ軸と平行である。 （もっと読む）

【課題】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の安定構造、安定結晶の製造方法、ＬｉＭｎＯ_２の結晶安定化方法、電池及び電子機器を提供する。
【解決手段】α−ＮａＦｅＯ_２構造を有するＬｉＭｎＯ_２の結晶が、結晶よりも格子定数の小さい担持体３によって担持される。結晶は、担持体３の結晶表面を覆うように薄膜２として形成される。担持体３は、Ａｌ_２Ｏ_３又はＬｉＣｏＯ_２からなる。薄膜２は、パルスレーザ堆積法を用いて室温下で成長させ、大気中でアニールする。 （もっと読む）

【課題】抗電界Ｅｃが小さく残留分極Ｐｒが大きいビスマス層状構造強誘電体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、ビスマスおよびビスマス化合物から選ばれる少なくとも１つのビスマス供給用材料を含む材料を用いてビスマスを含む層状構造強誘電体の結晶（Ａ）を形成する工程と、結晶（Ａ）を、酸素分圧が１気圧以上の雰囲気下において熱処理する熱処理工程とを含む。ビスマス供給用材料に含まれるビスマスの純度は、９９．９９９モル％以上である。 （もっと読む）